JP4573782B2 - 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
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Description
本実施形態に係る半導体発光素子は、図1に示すように、n型ZnO単結晶からなる基板101上の一部に形成された、Zn及びOを主要な構成元素とする活性層102と、活性層102上に形成され、Zn及びOを主要な構成元素とし、不純物元素としてLi以外の元素がドーピングされている第1のp型半導体層103と、第1のp型半導体層103上に形成され、Zn及びOを主要な構成元素とし、不純物元素として少なくともLiがドーピングされている第2のp型半導体層104とを備える。又、第2のp型半導体層104上には、Ni/Auからなるp側電極105が形成され、基板101の露出した平坦部上には、Alからなるn側電極106が形成されている。
次に、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法について、図1を用いて説明する。
本実施形態に係る半導体発光素子によると、活性層102に接する第1のp型半導体層103にはLiがドーピングされていないため、活性層へのLi等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善することができる。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
比較例として、図3に示す半導体発光素子を作製した。以下に、比較例に係る半導体発光素子の製造方法について説明する。尚、ZnO層の製法としてはレーザーアブレーション法を用い、基板にはn型ZnO単結晶基板を用いた。
KrFレーザーパワー:1J/cm2
ターゲット:ノンドープZnO
基板温度:550℃
チャンバー圧力:1×10-4Pa
次に、Li及びNが同時ドープされたZnOからなるp型半導体層203(膜厚:0.3μm)を下記形成条件2で作製し、ZnO積層膜を形成した。
KrFレーザーパワー:1J/cm2
ターゲット:1wt%LiドープZnO
基板温度:450℃
チャンバー圧力:3×10-2Pa
ガス流量:N2 ;5sccm
Nラジカル源RFパワー:300W
次に、フォトリソグラフィーを用いて選択加工を施し、その上に電極形成を行った。電極形成としては、p型半導体層203上には、メタルマスクを用いてNiとAuを積層して蒸着し、p側電極204を形成した。一方、基板201上には、メタルマスクを用いてAlを積蒸着し、n側電極205を形成した。
参考例1として、図1に示す半導体発光素子を作製した。以下に、参考例1に係る半導体発光素子の製造方法について説明する。尚、ZnO層の製法としてはレーザーアブレーション法を用い、基板にはn型ZnO単結晶基板を用いた。
KrFレーザーパワー:2J/cm2
ターゲット:ノンドープZnO
基板温度:450℃
チャンバー圧力:3×10-2Pa
ガス流量:N2;5sccm
Nラジカル源RFパワー:300W
更に、第1のp型半導体層103上に、Li及びNが同時ドープされたZnOからなる第2のp型半導体層104(膜厚:0.15μm)を上記形成条件2で形成して、ZnO積層膜を形成した。
実施例2として、図1に示す半導体発光素子を作製した。以下に、実施例2に係る半導体発光素子の製造方法について説明する。尚、ZnO層の製法としてはレーザーアブレーション法を用い、基板にはn型ZnO単結晶基板を用いた。
KrFレーザーパワー:1J/cm2
ターゲット:1wt%Li&0.05wt%BiドープZnO
基板温度:450℃
チャンバー圧力:3×10-2Pa
ガス流量:N2;5sccm
Nラジカル源RFパワー:300W
次に、フォトリソグラフィーを用いて選択加工を施し、その上に電極形成を行った。電極形成としては、第2のp型半導体層104上には、メタルマスクを用いてNiとAuを積層して蒸着し、p側電極105を形成した。一方、基板101上には、メタルマスクを用いてAlを蒸着し、n側電極106を形成した。
102…活性層
103…第1のp型半導体層
104…第2のp型半導体層
105…p側電極
106…n側電極
201…基板
202…活性層
203…p型半導体層
204…p側電極
205…n側電極
Claims (2)
- Zn及びOを主要な構成元素とする活性層を備える半導体発光素子であって、
前記活性層上に形成され、Zn及びOを主要な構成元素とし、不純物元素としてNがドーピングされている第1のp型半導体層と、
前記第1のp型半導体層上に形成され、Zn及びOを主要な構成元素とし、不純物元素としてLi及びBi及びNがドーピングされている第2のp型半導体層と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - 基板上に、Zn及びOを主要な構成元素とする活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、不純物元素としてNをドーピングし、Zn及びOを主要な構成元素とする第1のp型半導体層を形成する工程と、
前記第1のp型半導体層上に、不純物元素としてLi及びBi及びNをドーピングし、Zn及びOを主要な構成元素とする第2のp型半導体層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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JP2004214405A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2004335792A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
JP2005217038A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | p型ZnO半導体膜及びその製造方法 |
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