JP2661460B2 - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードの製造方法Info
- Publication number
- JP2661460B2 JP2661460B2 JP12617292A JP12617292A JP2661460B2 JP 2661460 B2 JP2661460 B2 JP 2661460B2 JP 12617292 A JP12617292 A JP 12617292A JP 12617292 A JP12617292 A JP 12617292A JP 2661460 B2 JP2661460 B2 JP 2661460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting diode
- mesa
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エピタキシャル層を成
長させる際にメサ部の溶解を確実に防止し得る発光ダイ
オードの製造方法に関するものである。
長させる際にメサ部の溶解を確実に防止し得る発光ダイ
オードの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、発光ダイオードとして、ＧａＡ
ｓ基板上にＡｌＧａＡｓのエピタキシャル層を複数層成
長させたエピタキシャルウェーハによって製作されたも
のが知られている。この発光ダイオードには、活性層の
ＡｌＡｓ混晶比により可視光用と赤外線用がある。特に
ヘテロ構造を用いた、シングルヘテロ構造（ＳＨ構造）
発光ダイオードとダブルヘテロ構造（ＤＨ構造）発光ダ
イオード（ＬＥＤ）は有名である。しかしこれらのＬＥ
Ｄの場合、使用用途によっては発光出力及び応答速度が
不足することがあり、さらに発光出力が高く、応答速度
の速い発光ダイオードの開発が望まれている。
ｓ基板上にＡｌＧａＡｓのエピタキシャル層を複数層成
長させたエピタキシャルウェーハによって製作されたも
のが知られている。この発光ダイオードには、活性層の
ＡｌＡｓ混晶比により可視光用と赤外線用がある。特に
ヘテロ構造を用いた、シングルヘテロ構造（ＳＨ構造）
発光ダイオードとダブルヘテロ構造（ＤＨ構造）発光ダ
イオード（ＬＥＤ）は有名である。しかしこれらのＬＥ
Ｄの場合、使用用途によっては発光出力及び応答速度が
不足することがあり、さらに発光出力が高く、応答速度
の速い発光ダイオードの開発が望まれている。
【０００３】このような発光出力が高く応答速度の速い
発光ダイオードとしては、メサを形成した基板上にエピ
タキシャル層を成長させて製作したものがある。具体的
には図１に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板１に、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電流阻止層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層４及びｎ型ＡｌＧａＡｓウ
ィンドウ層５を成長させて構成されている。ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１の下側にはｐ型全面電極６が形成されており、
ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層５の上側にはｎ側円形電
極７が形成されている。そして、ｐ型ＧａＡｓ基板１の
上側には、複数のメサ部８が形成されている。このメサ
部８はマトリックス状に形成されている。また、図２に
示すように、メサ部９の数を少なくした構成（図２にお
いては一重のリング状）の発光ダイオードもある。これ
らの発光ダイオードは、発光出力が高く応答速度が速い
ことが確認されている。
発光ダイオードとしては、メサを形成した基板上にエピ
タキシャル層を成長させて製作したものがある。具体的
には図１に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板１に、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電流阻止層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層４及びｎ型ＡｌＧａＡｓウ
ィンドウ層５を成長させて構成されている。ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１の下側にはｐ型全面電極６が形成されており、
ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層５の上側にはｎ側円形電
極７が形成されている。そして、ｐ型ＧａＡｓ基板１の
上側には、複数のメサ部８が形成されている。このメサ
部８はマトリックス状に形成されている。また、図２に
示すように、メサ部９の数を少なくした構成（図２にお
いては一重のリング状）の発光ダイオードもある。これ
らの発光ダイオードは、発光出力が高く応答速度が速い
ことが確認されている。
【０００４】これらの例としては、特開平３−１７４７
７９号公報、特願平３−４３２３５号明細書に記載のも
のがある。
７９号公報、特願平３−４３２３５号明細書に記載のも
のがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記構成の発光ダイオ
ード用エピウェーハを成長させるためには、ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１上でエピタキシャル成長させる際に、メサ部８
が溶けずに残ってその先端部をｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻
止層２からわずかに出るように成形しなければならな
い。
ード用エピウェーハを成長させるためには、ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１上でエピタキシャル成長させる際に、メサ部８
が溶けずに残ってその先端部をｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻
止層２からわずかに出るように成形しなければならな
い。
【０００６】しかし、実際にはエピタキシャル成長させ
るときにメサ部８が溶け、図３に示すように、メサ部８
の先端部がｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層２に完全に埋没
してしまうことがある。これは図２に示すリング状のメ
サ部９においても同様である。そして、このような発光
ダイオードでは、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層２によっ
て電流を通電することができず、設定どおりの特性を有
する発光ダイオードを製造することができない。このた
めメサ部８，９を溶かさずにエピタキシャル成長できる
ようなエピタキシャル成長条件を見出す必要がある。
るときにメサ部８が溶け、図３に示すように、メサ部８
の先端部がｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層２に完全に埋没
してしまうことがある。これは図２に示すリング状のメ
サ部９においても同様である。そして、このような発光
ダイオードでは、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層２によっ
て電流を通電することができず、設定どおりの特性を有
する発光ダイオードを製造することができない。このた
めメサ部８，９を溶かさずにエピタキシャル成長できる
ようなエピタキシャル成長条件を見出す必要がある。
【０００７】本発明は前記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的はメサ部を形成したＧａＡｓ基板上でエピ
タキシャル成長させる際にメサ部が溶け出すのを確実に
防止し得る発光ダイオードの製造方法を提供することに
ある。
で、その目的はメサ部を形成したＧａＡｓ基板上でエピ
タキシャル成長させる際にメサ部が溶け出すのを確実に
防止し得る発光ダイオードの製造方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、一または複数のメサ部を形成したＧａＡｓ
基板上にＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓのエピタキシャル
層を形成したエピタキシャルウェーハを液相エピタキシ
ャル法により成長させる際に、前記エピタキシャル層
を、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）と［1.25Ｘ−1 ≦log Ｒ≦1.
16Ｘ＋0.3 ］の関係にある冷却速度（Ｒ）で冷却するこ
とを特徴とする。
に本発明は、一または複数のメサ部を形成したＧａＡｓ
基板上にＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓのエピタキシャル
層を形成したエピタキシャルウェーハを液相エピタキシ
ャル法により成長させる際に、前記エピタキシャル層
を、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）と［1.25Ｘ−1 ≦log Ｒ≦1.
16Ｘ＋0.3 ］の関係にある冷却速度（Ｒ）で冷却するこ
とを特徴とする。
【０００９】
【作用】メサ部が溶け出さない液相エピタキシャル成長
条件は、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）とエピ炉の冷却速度
（Ｒ）に依存している。本発明者は実験により、冷却速
度（Ｒ）とＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）とが前記の関係にある
場合に、メサ部の溶け出しのないエピタキシャル層の成
長が可能であることを見出した。これにより、エピタキ
シャル成長の際にメサ部が溶け出すことがなくなり、高
出力・高速の発光ダイオードを容易に製造することがで
きる。
条件は、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）とエピ炉の冷却速度
（Ｒ）に依存している。本発明者は実験により、冷却速
度（Ｒ）とＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）とが前記の関係にある
場合に、メサ部の溶け出しのないエピタキシャル層の成
長が可能であることを見出した。これにより、エピタキ
シャル成長の際にメサ部が溶け出すことがなくなり、高
出力・高速の発光ダイオードを容易に製造することがで
きる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を参照しな
がら説明する。なお、本実施例の製造方法に係る発光ダ
イオードは、前述した従来の発光ダイオードと同様であ
るため、本実施例でも図１及び図２を基に説明する。
がら説明する。なお、本実施例の製造方法に係る発光ダ
イオードは、前述した従来の発光ダイオードと同様であ
るため、本実施例でも図１及び図２を基に説明する。
【００１１】図１に示す発光ダイオードの全体構造は、
前述したように、ｐ型ＧａＡｓ基板１、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ電流阻止層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ活性層４及びｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ
層５からなり、ｐ型ＧａＡｓ基板１の下側にｐ型全面電
極６、ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層５の上側にｎ側円
形電極７が形成されている。ｐ型ＧａＡｓ基板１の上側
には複数のメサ部８が形成されている。なお、メサ部８
と、このメサ部８の周囲に形成される電流阻止層２とで
電流狭窄層が形成され、電流阻止層２で電流を阻止して
メサ部分８だけに電流を流し狭窄している。
前述したように、ｐ型ＧａＡｓ基板１、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ電流阻止層２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ活性層４及びｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ
層５からなり、ｐ型ＧａＡｓ基板１の下側にｐ型全面電
極６、ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層５の上側にｎ側円
形電極７が形成されている。ｐ型ＧａＡｓ基板１の上側
には複数のメサ部８が形成されている。なお、メサ部８
と、このメサ部８の周囲に形成される電流阻止層２とで
電流狭窄層が形成され、電流阻止層２で電流を阻止して
メサ部分８だけに電流を流し狭窄している。
【００１２】次に前記構成の発光ダイオードの製造方法
を、この方法を見出した経緯と共に説明する。
を、この方法を見出した経緯と共に説明する。
【００１３】まずキャリア濃度が１×１０19から２×１
０19ｃｍ-3のＺｎをドープしたＧａＡｓ基板１に、円形
のメサ部８をホトリソグラフ法とドライエッチングとウ
エットエッチングによって形成する。このメサ部８の直
径は１０μｍ、高さは１５μｍであり、このメサ部８を
４０μｍ間隔でマトリックス状に形成する。このメサ部
８を形成したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、液相エピタキシ
ャル法でエピタキシャル層（２，３，４，５）を４層成
長させる。
０19ｃｍ-3のＺｎをドープしたＧａＡｓ基板１に、円形
のメサ部８をホトリソグラフ法とドライエッチングとウ
エットエッチングによって形成する。このメサ部８の直
径は１０μｍ、高さは１５μｍであり、このメサ部８を
４０μｍ間隔でマトリックス状に形成する。このメサ部
８を形成したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、液相エピタキシ
ャル法でエピタキシャル層（２，３，４，５）を４層成
長させる。
【００１４】ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層２は、ＡｌＡ
ｓ混晶比を0.65とし、キャリア濃度を約５×１０17ｃｍ
-3とし、膜厚を約１５μｍとした。ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３は、ＡｌＡｓ混晶比を約0.65とし、キャリア
濃度を約５×１０17ｃｍ-3とし、膜厚を約５μｍとし
た。ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層４は、ＡｌＡｓ混晶比を約
0.35とし、キャリア濃度を約１×１０18ｃｍ-3とし、膜
厚を１μｍとした。更にｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層
５はＡｌＡｓ混晶比を約0.55とし、キャリア濃度を約１
×１０18ｃｍ-3とし、膜厚を４０μｍとした。
ｓ混晶比を0.65とし、キャリア濃度を約５×１０17ｃｍ
-3とし、膜厚を約１５μｍとした。ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３は、ＡｌＡｓ混晶比を約0.65とし、キャリア
濃度を約５×１０17ｃｍ-3とし、膜厚を約５μｍとし
た。ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層４は、ＡｌＡｓ混晶比を約
0.35とし、キャリア濃度を約１×１０18ｃｍ-3とし、膜
厚を１μｍとした。更にｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層
５はＡｌＡｓ混晶比を約0.55とし、キャリア濃度を約１
×１０18ｃｍ-3とし、膜厚を４０μｍとした。
【００１５】以上の寸法に設定したエピタキシャル層
を、まず冷却速度（Ｒ）を 0.2℃／min にして成長させ
たところ、メサ部８は溶けてしまい、前述した図３のよ
うになった。
を、まず冷却速度（Ｒ）を 0.2℃／min にして成長させ
たところ、メサ部８は溶けてしまい、前述した図３のよ
うになった。
【００１６】次に、電流阻止層２全体とクラッド層３の
一部であるメサ部８を含む部分のエピタキシャル層を成
長させる際に、冷却速度を２０℃／min まで速くしてみ
たところ、メサ部８を溶かすことなくエピタキシャル層
２，３を成長させることができた。さらに、冷却速度を
１０℃／min にして成長させたところ、メサ部８が溶け
出すことはなかったが、発光ダイオードの輝度が大幅に
低下してしまった。
一部であるメサ部８を含む部分のエピタキシャル層を成
長させる際に、冷却速度を２０℃／min まで速くしてみ
たところ、メサ部８を溶かすことなくエピタキシャル層
２，３を成長させることができた。さらに、冷却速度を
１０℃／min にして成長させたところ、メサ部８が溶け
出すことはなかったが、発光ダイオードの輝度が大幅に
低下してしまった。
【００１７】赤外発光ダイオードに関して前記同様の実
験をしてみたところ、同じ様な傾向のあることが分かっ
た。また、冷却速度の値は赤色発光ダイオードと異なっ
ていることが分かった。
験をしてみたところ、同じ様な傾向のあることが分かっ
た。また、冷却速度の値は赤色発光ダイオードと異なっ
ていることが分かった。
【００１８】そこで、メサ部８をエピタキシャル成長で
埋める際に、メサ部８の溶解限度におけるエピタキシャ
ル層の冷却速度（Ｒ）とＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）との関係
について調べた。この結果を図４のグラフに示す。図４
のグラフにおいて縦線は冷却速度Ｒ（℃／min ）、横線
はＡｌＡｓ混晶比Ｘである。図中の○はメサ部８が溶け
ることなく元の形状を維持している状態、△はメサ部８
が溶け始めた状態、×は完全に溶けた状態を示す。
埋める際に、メサ部８の溶解限度におけるエピタキシャ
ル層の冷却速度（Ｒ）とＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）との関係
について調べた。この結果を図４のグラフに示す。図４
のグラフにおいて縦線は冷却速度Ｒ（℃／min ）、横線
はＡｌＡｓ混晶比Ｘである。図中の○はメサ部８が溶け
ることなく元の形状を維持している状態、△はメサ部８
が溶け始めた状態、×は完全に溶けた状態を示す。
【００１９】このグラフから分るように、全体的に見て
冷却速度Ｒが遅いとメサ部８は溶けやすく、混晶比Ｘが
高いほど冷却速度Ｒを速めなければならない。また、冷
却速度Ｒをある値以上に速くすると、発光出力が低下す
る。図４は発光出力が最高値の２分の１になったときの
値を示している。
冷却速度Ｒが遅いとメサ部８は溶けやすく、混晶比Ｘが
高いほど冷却速度Ｒを速めなければならない。また、冷
却速度Ｒをある値以上に速くすると、発光出力が低下す
る。図４は発光出力が最高値の２分の１になったときの
値を示している。
【００２０】以上の結果から、発光ダイオードを製造す
る際には、メサ部８を溶かさずに、かつ発光出力を高く
維持するため、冷却速度Ｒがある範囲内になければなら
ないことが分かった。
る際には、メサ部８を溶かさずに、かつ発光出力を高く
維持するため、冷却速度Ｒがある範囲内になければなら
ないことが分かった。
【００２１】具体的には、グラフにおいて、溶けること
なく元の形状を維持している部分と完全に溶けた部分の
境界にある２つの直線（ほぼ、メサ部８が溶け始めた△
の部分をつなぐ線）から冷却速度Ｒの範囲を決定でき
る。即ち、グラフ中の下方の直線１１はlog Ｒ＝1.25Ｘ
−１となり、上方の直線１２はlog Ｒ＝［（1 −log2）
／0.6 ］Ｘ＋log2＝1.16Ｘ＋0.3 となった。このため、
冷却速度（Ｒ）は、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）と1.25Ｘ−1
≦log Ｒ≦1.16Ｘ＋0.3 の関係になるように設定する。
なく元の形状を維持している部分と完全に溶けた部分の
境界にある２つの直線（ほぼ、メサ部８が溶け始めた△
の部分をつなぐ線）から冷却速度Ｒの範囲を決定でき
る。即ち、グラフ中の下方の直線１１はlog Ｒ＝1.25Ｘ
−１となり、上方の直線１２はlog Ｒ＝［（1 −log2）
／0.6 ］Ｘ＋log2＝1.16Ｘ＋0.3 となった。このため、
冷却速度（Ｒ）は、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）と1.25Ｘ−1
≦log Ｒ≦1.16Ｘ＋0.3 の関係になるように設定する。
【００２２】この設定範囲内の冷却速度（Ｒ）で、エピ
タキシャル層を成長させたところ、メサ部８を溶かすこ
となく、確実にエピタキシャル層を形成することができ
た。
タキシャル層を成長させたところ、メサ部８を溶かすこ
となく、確実にエピタキシャル層を形成することができ
た。
【００２３】この結果、メサ部８を備えた高出力・高速
の発光ダイオードを設定通りの機能を維持して確実に製
造することができるようになる。
の発光ダイオードを設定通りの機能を維持して確実に製
造することができるようになる。
【００２４】なお、前記実施例では、電流阻止層２全体
とクラッド層３の一部であるメサ部８を含む部分の両方
のエピタキシャル成長の際に、冷却速度（Ｒ）を前記設
定範囲にしたが、電流阻止層２とクラッド層３の一方に
ついてのみ前記冷却速度（Ｒ）で冷却するようにしても
よい。また、クラッド層３については、その一部だけを
前記冷却速度（Ｒ）で冷却するだけでなく、全部を冷却
するようにしてもよい。
とクラッド層３の一部であるメサ部８を含む部分の両方
のエピタキシャル成長の際に、冷却速度（Ｒ）を前記設
定範囲にしたが、電流阻止層２とクラッド層３の一方に
ついてのみ前記冷却速度（Ｒ）で冷却するようにしても
よい。また、クラッド層３については、その一部だけを
前記冷却速度（Ｒ）で冷却するだけでなく、全部を冷却
するようにしてもよい。
【００２５】電流狭窄層の冷却速度（Ｒ）のみを前記設
定範囲にする場合は、電流狭窄層がメサ部８を覆うほど
厚いときに効果的である。活性層４のみを前記設定範囲
にする場合は、電流狭窄層を薄く（例えば１μｍ程度）
して活性層４を厚く成長させたときに効果的である。こ
れ以外に、電流狭窄層全部と活性層４の一部を前記設定
範囲にする場合、電流狭窄層の一部と活性層４の全部を
前記設定範囲にする場合、電流狭窄層一部と活性層４の
一部を前記設定範囲にする場合等、各層の厚さ違いを考
慮して、メサ部８を埋めるために結晶成長させている時
間帯における冷却速度（Ｒ）のみを前記設定範囲にすれ
ば、前記実施例の作用、効果を奏することができる。
定範囲にする場合は、電流狭窄層がメサ部８を覆うほど
厚いときに効果的である。活性層４のみを前記設定範囲
にする場合は、電流狭窄層を薄く（例えば１μｍ程度）
して活性層４を厚く成長させたときに効果的である。こ
れ以外に、電流狭窄層全部と活性層４の一部を前記設定
範囲にする場合、電流狭窄層の一部と活性層４の全部を
前記設定範囲にする場合、電流狭窄層一部と活性層４の
一部を前記設定範囲にする場合等、各層の厚さ違いを考
慮して、メサ部８を埋めるために結晶成長させている時
間帯における冷却速度（Ｒ）のみを前記設定範囲にすれ
ば、前記実施例の作用、効果を奏することができる。
【００２６】さらに、前記実施例ではメサ部をマトリッ
クス状に形成した基板上にエピタキシャル層を成長させ
て製作した発光ダイオードの場合について述べたが、図
２に示すリング状メサ部９を形成した基板上にエピタキ
シャル層を成長させて製造した発光ダイオードの場合に
ついても、前記実施例同様の作用、効果を奏することが
できる。
クス状に形成した基板上にエピタキシャル層を成長させ
て製作した発光ダイオードの場合について述べたが、図
２に示すリング状メサ部９を形成した基板上にエピタキ
シャル層を成長させて製造した発光ダイオードの場合に
ついても、前記実施例同様の作用、効果を奏することが
できる。
【００２７】また、エピタキシャル成長させる層として
は、前記実施例の場合以外に、電流阻止層２とクラッド
層３の間に光反射層を設けたり、発光輝度をより高くす
るためにコンタクト層または電流拡散層等を設けること
もある。この場合も前記実施例同様の作用、効果を奏す
ることができる。
は、前記実施例の場合以外に、電流阻止層２とクラッド
層３の間に光反射層を設けたり、発光輝度をより高くす
るためにコンタクト層または電流拡散層等を設けること
もある。この場合も前記実施例同様の作用、効果を奏す
ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明の発光ダイ
オードの製造方法によれば次のような効果を奏すること
ができる。
オードの製造方法によれば次のような効果を奏すること
ができる。
【００２９】冷却速度（Ｒ）をＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）と
［1.25Ｘ−1 ≦log Ｒ≦1.16Ｘ＋0.3 ］の関係内に設定
してエピタキシャル層を成長させるようにしたので、メ
サ部を溶かすことなく設計通りのエピタキシャル層を成
長させることができるようになる。この結果、特性の安
定した発光ダイオードを製造することができるようにな
る。
［1.25Ｘ−1 ≦log Ｒ≦1.16Ｘ＋0.3 ］の関係内に設定
してエピタキシャル層を成長させるようにしたので、メ
サ部を溶かすことなく設計通りのエピタキシャル層を成
長させることができるようになる。この結果、特性の安
定した発光ダイオードを製造することができるようにな
る。
【図１】マトリックス状のメサ部を形成した基板を持つ
ＤＨ構造の発光ダイオードを示す断面図である。
ＤＨ構造の発光ダイオードを示す断面図である。
【図２】リング状のメサ部を形成した基板を持つＤＨ構
造の発光ダイオードを示す断面図である。
造の発光ダイオードを示す断面図である。
【図３】従来の製造方法によって発光ダイオードを製造
した例を示す断面図である。
した例を示す断面図である。
【図４】メサ部の溶解限度におけるエピタキシャル成長
時の冷却速度ＲとＡｌＡｓ混晶比Ｘとの関係を示すグラ
フである。
時の冷却速度ＲとＡｌＡｓ混晶比Ｘとの関係を示すグラ
フである。
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層 ３ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ ｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層 ５ ｎ型ＡｌＧａＡｓウィンドウ層 ６ ｐ型電極 ７ ｎ側電極 ８ メサ部
Claims (1)
- 【請求項１】一または複数のメサ部を形成したＧａＡｓ
基板上にＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓのエピタキシャル
層を形成したエピタキシャルウェーハを液相エピタキシ
ャル法により成長させる際に、前記エピタキシャル層
を、ＡｌＡｓ混晶比（Ｘ）と［1.25Ｘ−1 ≦log Ｒ≦1.
16Ｘ＋0.3 ］の関係にある冷却速度（Ｒ）で冷却するこ
とを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12617292A JP2661460B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12617292A JP2661460B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 発光ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327014A JPH05327014A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2661460B2 true JP2661460B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=14928465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12617292A Expired - Lifetime JP2661460B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661460B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW253999B (ja) * | 1993-06-30 | 1995-08-11 | Hitachi Cable | |
| JP2002261388A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Ricoh Co Ltd | 面発光型半導体レーザ素子チップおよび光通信システム |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP12617292A patent/JP2661460B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05327014A (ja) | 1993-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3188522B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| KR20010070460A (ko) | 인듐 포스파이드계 구조들에서 아연 확산을 차단하기 위한장벽으로서 인듐 포스파이드계 층에서의 알루미늄스파이크들을 포함하는 전자 소자 및 광전자 소자 | |
| JP2681352B2 (ja) | 発光半導体素子 | |
| JP2661460B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP3163217B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH0136715B2 (ja) | ||
| JP2579326B2 (ja) | エピタキシャル・ウエハ及び発光ダイオード | |
| JPH0897466A (ja) | 発光素子 | |
| JPS61163689A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3151096B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH05218585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3187279B2 (ja) | 赤外発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH01300581A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS59208888A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JPH0682862B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH05110135A (ja) | 多層エピタキシヤル結晶構造 | |
| JPH08236811A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3451818B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| JPH10284756A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS6284581A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2503263B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS63213378A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0242771A (ja) | 発光半導体素子基板及びその製造方法 | |
| JP3046161B2 (ja) | アンドープ層を含む半導体装置 | |
| JPS61168986A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |