JP2647352B2 - 半導体ウエハー洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエハー洗浄装置

Info

Publication number
JP2647352B2
JP2647352B2 JP6286772A JP28677294A JP2647352B2 JP 2647352 B2 JP2647352 B2 JP 2647352B2 JP 6286772 A JP6286772 A JP 6286772A JP 28677294 A JP28677294 A JP 28677294A JP 2647352 B2 JP2647352 B2 JP 2647352B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
housing
cleaning
ultrasonic
outlet
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6286772A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07201799A (ja
Inventor
ロナルド・ジェネ・コレットスカイ
ドナルド・リチャード・ヴィグリオッティ
ロバート・ヤコブ・ヴォンガットフェルド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH07201799A publication Critical patent/JPH07201799A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2647352B2 publication Critical patent/JP2647352B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0288Ultra or megasonic jets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハー洗浄装
置に関し、特に半導体ウエハーを洗浄するための超音波
ジェット洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、多くの工
程でシリコン・ウエハーやマイクロ電子部品の洗浄が必
要となる。一般に、このようなシリコン・ウエハーやマ
イクロ電子部品の洗浄は、スピン洗浄システムあるいは
スピン洗浄装置を用いて行なわれている。これらのスピ
ン洗浄システムでは、844g/mm2 (1200ps
i)程度の高圧のウォーター・ジェットを用いており、
これを垂直に噴射して、その下に配置した部品に当て、
洗浄を行なっている。部品は典型的には、ウォーター・
ジェットに直角な平面上に配置する。ウォーター・ジェ
ットのノズルは往復運動を行なうアームに取り付け、部
品の各部をアクセスできるようにしている。しかし、こ
の高圧のウォータ・ジェットによって破損が生じること
がしばしばあり、特に修理した回路を洗浄する場合に顕
著である。従来のスピン洗浄装置で生じる力の数学的分
析によれば、極めて強い水平方向の力が、洗浄面でのウ
ォーター・ジェットの境界層領域において発生してい
る。これらの力は時に、修理回路の修理金属を破壊する
のに十分な力となる。それは配線が一般にせん断力に対
して弱いからである。高圧のウォーター・ジェットには
さらに次のような欠点がある。すなわち、高い水圧によ
って静電気的な帯電が大幅に増加し、その帯電量が大き
くなると、放電が発生する。そして、このような放電に
よってウエハー上の回路要素は破壊される場合がある。
【0003】高圧スピン洗浄装置のさらなる欠点は、大
量生産には経済的に適さないという点にある。すなわ
ち、このようなスピン洗浄装置は、比較的高価な超純粋
脱イオン(DI)水を大量に必要とし、かつ水の圧力と
純度を保つために高価な高圧フィルタを必要とする。さ
らに、そのノズルは高圧によって摩耗し、一般に頻繁な
交換が必要である。また、高圧スピン洗浄装置には、交
換部品および部品交換の作業に比較的高いコストがかか
るという欠点もある。言うまでもなく、部品交換の際は
処理を行なえないという問題も生じる。
【0004】文献“Spin-Clean Ultrasonic Jet Cleane
r ”(IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 34, N
o. 1, June 1991, pp. 449-450)には、改良したスピン
洗浄装置が開示されている。この装置では、5.27g
/mm2 (7.5psi)程度の低圧でウォーター・ジ
ェット動作を行なえる。この装置のチャンバにはトラン
スジューサが設けられており、それによって出力ノズル
付近でウォーター・ジェット内に超音波エネルギーが放
射される。このスピン洗浄装置の欠点は、多様な洗浄形
態に対応できないという点にある。すなわち、どのよう
な洗浄を行なうべきかは部品によって異なっているが、
それぞれの場合に音響エネルギーを簡単に最適化するこ
とができない。さらに、この装置では上記チャンバ内で
水が強く乱れるため、液体を経た洗浄対象への音響エネ
ルギーの伝達を最適化することが難しくなっている。こ
のスピン洗浄装置は音響エネルギーを最適化する手段あ
るいは測定する手段は備えておらず、また液体流のパタ
ーンを制御することもできない。
【0005】従って、低圧の液体ジェット噴射が可能
で、超音波トランスジューサからのエネルギーを高い効
率で伝達でき、その結果、洗浄効率を向上させることが
できる半導体ウエハーあるいはマイクロ電子部品の洗浄
装置が必要である。このような装置は、個々の部品に応
じて効果的に洗浄を行なうためにも有用であろう。ま
た、このような装置は大量生産にも適したものとなろ
う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した問題および欠点を克服するスピン洗浄装置を提供す
ることにある。
【0007】本発明の他の目的は、音響エネルギーの収
束超音波を液体ジェット内、特に洗浄対象の表面に効率
よく伝達することによって生成した最適な低圧液体ジェ
ットを得ることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】半導体ウエハーを、洗浄
面における所定の軸の周りに回転させて、半導体ウエハ
ーの表面から付着物を除去する本発明の半導体ウエハー
洗浄装置は、ハウジングと、収束超音波発生手段と、焦
点設定手段と、走査手段とを備えている。ハウジング
は、主軸と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口と、
前記主軸を中心とし、洗浄液を排出する排出口とを有し
ている。収束超音波発生手段は、ハウジング内に主軸に
沿って配置されて、焦点に収束する音響エネルギーの超
音波を発生する。音響エネルギーの密度は上記焦点にお
いて最大となる。音響エネルギーの収束超音波は排出口
と同心で、かつ排出口に向かって進行して、排出口から
排出される洗浄液のジェット流を形成する。この洗浄液
のジェット流は縦力と、洗浄液にキャビテーションが発
生していないこととによって特徴づけられる。焦点設定
手段は、収束超音波発生手段の焦点をハウジングの主軸
に沿って、第1の焦点位置と第2の焦点位置との間に調
整可能に設定する。最後に、ハウジングに連結された走
査手段は、洗浄面上の所定の走査経路に沿って、ハウジ
ングに往復運動による走査を行なわせる。ここで、排出
口は洗浄面の方向に向いており、主軸は洗浄面にほぼ直
角となっている。
【0009】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
詳しく説明する。なお、全図面を通じて同一の要素には
同一の符号を付した。図1および図2を参照して本発明
による洗浄装置10について説明する。半導体ウエハ
ー、すなわち洗浄対象12を、洗浄面(図3に符号11
により示す)における所定の軸を中心に回転させつつ、
洗浄対象の付着物を洗浄あるいは洗浄対象から付着物を
除去する場合をもとに、洗浄装置10について説明す
る。ウエハー12は、従来からよく知られているように
して、回転可能なプラテンなどの洗浄面に固定支持す
る。また、その状態でウエハー12は鉢容器内に配置す
る。モータ5はコントローラ6の制御のもとでウエハー
12を回転させる。コントローラ6は、モータ5を望ま
しく動作させるようにプログラムしたコンピュータ・コ
ントローラなどの適切な制御手段によって構成できる。
コンピュータ・コントローラのプログラミングについて
はよく知られているので詳しい説明はここでは省略す
る。以下の説明はウエハー12の洗浄に関して行なう
が、この洗浄装置10は、磁気ディスクなど、他の同様
の対象を洗浄することにも適している。洗浄装置10は
液体ジェット・セル13を備え、そしてハウジング1
4、収束超音波発生手段16、焦点設定手段18、なら
びに走査手段20を備えている。
【0010】供給源(図示せず)からの洗浄用の液体
は、弁7、圧力レギュレータ8、ならびにフィルタ9を
通って液体ジェット・セル13内に供給する。弁7は電
気的に制御できる適当な弁によって構成でき、コントロ
ーラ6によって制御するため、コントローラ6に電気的
に接続する。レギュレータ8は、洗浄用液体の圧力が約
0.703〜17.6g/mm2 (1〜25psi)の
範囲の低圧となるように調整する適当なレギュレータに
よって構成できる。フィルタ9は既知の適当なフィルタ
によって構成でき、それによって洗浄液のフィルタリン
グを行なう。フィルタ9と、液体ジェット・セル13の
ハウジング14とはフレキシブル・チューブ3によって
接続する。
【0011】図3を参照すると、液体ジェット・セル1
3のハウジング14は、主軸15を有するチャンバから
成り、そして第1の部分22と第2の部分24を有して
いる。ハウジング14は、例えば金属などの適当な材料
によって構成でき、後述するような最低限必要な特性を
得ることができる。第1の部分22はハウジング14の
上の部分を形成しており、供給源(図示せず)からフレ
キシブル・チューブ3を通じて洗浄液を受け取る注入口
26を有している。注入口26の配置は、動作時および
使用時に洗浄液をハウジング14内に入れたとき、でき
る限り洗浄液に乱流が生じないようなものとすることが
望ましい。
【0012】第2の部分24はハウジング14の下の部
分を形成しており、洗浄液を排出するための排出口28
を有している。第2の部分24の特徴は、円錐を逆にし
た形のテーパー状の内壁25を有していることである。
さらに具体的に説明すると、部分24の内壁25は、部
分22の内壁23と、それらの境界部ではほぼ整合して
おり、その後に内壁25は、排出口28のサイズにほぼ
一致する寸法にしだいに細くなっている。部分24の内
壁25が円錐形にテーパーがかかっていることにより、
ハウジング14内での洗浄液の乱流を最小限のものとす
ることができる。
【0013】排出口28の中心は主軸15であることが
望ましい。排出口28は、断面直径が0.5〜1.0
(すなわち、500〜1,000μm)程度のノズルと
なっている。この排出口28はよく知られた、層流を促
進するのに適したものとなっている。排出口28は、好
ましくは図3に示すように、金属板29の部分に円錐形
テーパー加工オリフィスを備えている。このオリフィス
は高度に研磨した滑らかな表面を有している。
【0014】収束超音波発生手段16を、ハウジング1
4内の主軸15に沿って配置する。この収束超音波発生
手段16は、焦点30に収束する音響エネルギーの超音
波を発生する。音響エネルギーの密度は焦点30におい
て最大となる。望ましくは、収束超音波発生手段16
は、凹面32を有する超音波トランスジューサによって
構成する。そして、焦点距離が1.6cmの音響エネル
ギーの収束超音波が得られ、5,000W/cm2 の音
響パワー密度が得られるようなものが好ましい。トラン
スジューサ16には、Precision Acous
tic Devices,Inc.(Fremont,
California)より市販されているものなどを
用いることができる。収束超音波発生手段16は、0.
1MHz〜100MHzの範囲内の周波数で動作できる
ものを用いる。
【0015】収束超音波発生手段16は、それに電気的
に接続した適当な無線周波数(RF)発生器17によっ
て駆動する。RF発生器17はコントローラ6によって
望ましく制御し、超音波発生手段16に望ましいRF信
号を供給する。すなわち、コントローラ6によってRF
発生器17を制御し、収束超音波発生手段16を0.1
MHz〜100MHzの範囲内の周波数で動作させるこ
とが望ましい。
【0016】収束超音波発生手段16は、以下にさらに
詳しく説明するように、ハウジング14内に適切に配置
し、音響エネルギーの超音波が排出口28と同心で、か
つ排出口28に向かって進行するようにする。すなわち
ハウジング14内で、収束超音波を発生する、トランス
ジューサ16の凹面を排出口28に向ける。
【0017】収束超音波発生手段16の焦点30は、矢
印34によって示すように、焦点設定手段18によって
ハウジング14の主軸15に沿って調整し、設定する。
より具体的には、焦点の位置は第1の焦点位置(図3)
と第2の焦点位置(図4)との間に設定する。すなわ
ち、トランスジューサ16の焦点30は、焦点設定手段
18によって第1の焦点位置から第2の焦点位置までの
間の必要な位置に設定できる。望ましくは、設定手段1
8は、ハウジングの主軸に沿って第1のトランスジュー
サ位置から第2のトランスジューサ位置の間で移動させ
る手段によって構成し、それによって超音波トランスジ
ューサ16の焦点を、ハウジング14内の主軸15に沿
った排出口28に近接した第1の焦点位置と、主軸15
に沿ったハウジング14から離れた第2の焦点位置との
間に設定する。設定手段18としては、例えば、可制御
スクリュー機構、油圧制御リニア・スペーサ、圧電素子
スペーサなどを用いることができ、それを超音波発生手
段16とハウジング14とに取り付け、トランスジュー
サ16を移動させる。
【0018】図3を再度参照すると、ハウジング14内
での洗浄液の乱流をできる限り抑えるため、乱流低減手
段36をハウジング14内に取り付けている。この乱流
低減手段36はハウジングの第1の部分22と第2の部
分24との中間の位置に配置する。この乱流低減手段3
6は望ましくは、ハウジング14の主軸15にほぼ直角
にハウジング14に取り付けた開口板によって構成す
る。この開口板36は一連の開口を有し、その一つは中
心開口であり、収束超音波発生手段16を保持する。残
りの開口は適切な大きさを有し、収束超音波発生手段1
6の周りに配置してあり、ハウジング14の第2の部分
24内での洗浄液の層流を促進する。O−リング・ガス
ケットなどの適切な手段を開口板36とトランスジュー
サ16との間に設け、以下に説明するように、これら2
つの要素の相対的な移動を可能としつつ、洩れを防ぐた
めのシールとしている。
【0019】図1〜3を再び参照すると、走査手段20
はハウジング14に適切に連結し、矢印39で示すよう
に、ハウジング14を、所定の走査経路38に沿ってウ
エハー12の洗浄面11上で往復運動の形で走査する。
走査手段20はハウジングを望ましい方向に維持し、そ
の排出口28を洗浄面11に向けさせ、そしてハウジン
グ14の主軸15は洗浄面11にほぼ直角となるように
する。走査手段20はさらに個々の洗浄動作において必
要となる、垂直方向の適切な間隔(例えば、0.05〜
5cm程度)をハウジング14と洗浄面11(従ってウ
エハー)との間に保つ。この走査手段20は、例えば、
往復運動するモータ42と、所望の走査経路38に沿っ
てハウジング14が移動できるようにする走査アーム4
0とによって構成でき、走査アーム40は、上述したハ
ウジング14と洗浄面11との間に望ましい垂直方向の
間隔を保つようにモータ42に適切に取り付ける。往復
モータ42はコントローラ6に電気的に接続し、適切に
制御する。すなわち、以下にさらに説明するように、ハ
ウジング14が望ましい形で走査を行なうように制御す
る。
【0020】図1、図2、ならびに図5に示すように、
校正信号手段44を所定の走査経路38に沿った校正位
置46に配置する。この校正信号手段44の上面は洗浄
面11に位置している。校正信号手段44は、好ましく
はほぼ平坦な検出面45を有する超音波トランスジュー
サを備えている。校正信号手段44は検出モードにおい
て、洗浄面におけるジェット流の音響エネルギーの強さ
を表す校正信号を発生するために用いる。校正信号手段
44の出力電気信号線48はコントローラ6に接続す
る。コントローラ6は適切にプログラムし、校正信号に
応答して、収束位置設定手段18を制御させ、焦点を望
ましい位置に設定させる。以下にさらに説明するよう
に、その結果、洗浄装置10が発生するジェット流の音
響エネルギー強度を洗浄面11において望ましいレベル
となるように調整することが可能となる。
【0021】動作について説明すると、洗浄すべき面を
有するウエハー12は、コントローラ6が制御するモー
タ5によって回転させる。コントローラ6は弁7を動作
させ、洗浄液(例えば、脱イオン水)を低圧下でハウジ
ング14の注入口26に流入させる。流入した洗浄液は
ハウジング14の2つの部分22および24をともに満
たす。洗浄液の乱流は、洗浄液が部分22から部分24
へと開口板36を通じて流れることにより、最小限に抑
えられる。すなわち、開口板36によって洗浄液は、音
響エネルギーの超音波の方向において層流となり、その
結果、洗浄液が部分24の内壁25で跳ね返ることが避
けられる。言い替えると、液体中に乱流を生じさせる不
所望な跳ね返りを最小限にできる。従って、洗浄液の乱
れが少ないことによって、超音波の位相が維持され、洗
浄液中の、収束超音波発生手段16からのエネルギーを
最大限に高めることができる。
【0022】コントローラ6はRF発生器17を駆動
し、収束超音波発生手段16にエネルギーを供給させ
る。これにより、音響エネルギーの収束超音波が発生
し、焦点30に焦点を結ぶ。超音波発生手段16はハウ
ジング14内に上述のような方向で配置されているた
め、排出口28から外に出る低圧の洗浄液は超音波が伝
播するジェットとなる。このジェットの断面積は排出口
28の断面積にほぼ等しい。洗浄液のジェット50、す
なわち液体ジェット流は円柱状となって、ウエハー12
の表面を洗浄する。また、音響エネルギーの超音波は洗
浄液と空気との界面によって液体内部に閉じ込められ
る。これは洗浄液と空気との界面における音響インピー
ダンスの不整合によるものである。この不整合により、
音響的な反射係数が非常に大きくなり、その結果、音響
エネルギーが洗浄液から空気中に逃げることが妨げられ
る。さらに、音響エネルギーはジェット流50と同じ方
向に伝播する。また、洗浄液が排出口28から外に出た
とき、ジェット流50内に閉じ込められた音響エネルギ
ーは、排出口28から洗浄面11(すなわちウエハー1
2)までの間でジェット流50と平行に伝播する。
【0023】本発明では、この洗浄液のジェット流50
によって、望ましくない洗浄液のキャビテーションを避
けつつ、優れた洗浄力を有利に実現することができる。
上述した従来技術の問題点に加えて、非常に繊細な部品
の洗浄を行なう場合、洗浄液内でのキャビテーションの
発生は望ましいことではない。すなわち、キャビテーシ
ョンは液体内での空気の爆縮であり、制御不可能な液体
の破壊を招く。このようなキャビテーションが、繊細な
マイクロ電子部品などの洗浄中に洗浄液で発生すると、
部品を破損する確率は非常に高くなる。また、キャビテ
ーションが生じると、洗浄面における音響エネルギーの
分布は不均一となり、その結果、洗浄面が腐食したり、
損傷を受けたりする。
【0024】本発明では、収束超音波発生手段16は
0.1MHz〜100MHzの高い周波数で動作させ、
それによって洗浄液でキャビテーションが発生する確率
を有効に低減させる。好ましい実施例では、手段16は
10MHzで動作させ、焦点30におけるパワー密度を
5,000W/cm2 とし、それによってキャビテーシ
ョンのスレッシュホールドを越えないようにする。周波
数が10MHzの場合、キャビテーションのスレッシュ
ホールドは約100,000W/cm2 であり、これを
越えるとキャビテーションが発生し始める。従って、ジ
ェット・セル13が発生するジェット流50によって、
洗浄すべき繊細な部品が破損すると言ったことはない。
【0025】コントローラ6は、洗浄すべき個々の対象
あるいはウエハーに応じて、第1の焦点位置と第2の焦
点位置との間で、超音波発生手段16の焦点30を設定
する。焦点30の位置を変更することによって、洗浄面
における音響エネルギーの強さを効果的に調整でき、そ
れによって、種々の所望の洗浄結果を得ることができ
る。
【0026】図3に示すように、第1の焦点の位置で
は、洗浄液50のジェット流は縦力と、洗浄面において
洗浄液のキャビテーションが発生していないこととによ
って特徴づけられる。この焦点30は排出口28に近接
した位置にあり、超音波エネルギーの収束超音波は洗浄
液を通じてウエハー12上に効率良く伝達される。そし
て、洗浄液はエネルギー導波路として効果的に機能す
る。洗浄面における音響エネルギーの強度は、ジェット
流内の内部エネルギー反射の関数となろう。また、ジェ
ット流50内の音響エネルギーは、ウエハー12あるい
は洗浄面11に到達する前に、ジェット流の断面積にほ
ぼ等しい有効面積の範囲内で拡散あるいは分散する。
【0027】図4に示すように、第2の焦点の位置で
も、ジェット流50は縦力と、洗浄面において洗浄液の
キャビテーションが発生していないこととによって特徴
づけらる。この焦点30は排出口28から離れており、
また音響エネルギーの収束超音波は洗浄液を経てウエハ
ー12上に効率良く伝達される。焦点30がウエハー1
2の洗浄面11に位置しているので、洗浄液はもはや音
響エネルギーを長手方向に沿って反射させる役割を果た
さない。この場合、ジェット流は音響エネルギーを洗浄
対象に伝達する媒体としては働くが、導波路として音響
エネルギーを反射させて閉じ込めるという機能は果たさ
ない。ジェット流50内の音響エネルギーは、ウエハー
12あるいは洗浄面11に到達する前のジェット流の断
面積より小さい断面積内に集中する。例えば、ジェット
流50の断面領域の直径が500μmであるのに対し
て、集中した音響エネルギーの断面領域の直径は150
μmとなる。この狭い断面領域(例えば、直径150μ
m)における音響エネルギーの密度は、上記広い断面領
域(例えば、直径500μm)におけるエネルギー密度
の約11倍となる。このように洗浄面において音響エネ
ルギーの断面領域はより小さいものとなるので、キャビ
テーションや、ジェット流の境界層から側方向への不所
望の力が発生することなく、局部的な洗浄が可能とな
る。音響エネルギーの超音波の強度は、焦点30が洗浄
面11上にある結果、洗浄面11において最大となる。
さらに、洗浄面においてエネルギー密度が増大している
ので、ジェット流50の付着物排除能力は大幅に高ま
る。
【0028】洗浄面での音響エネルギーの強度を校正す
る場合、コントローラ6は超音波ジェット・セル13を
走査経路38に沿って校正位置46へ移動させる。超音
波ジェット・セル13を校正手段44上に配置した状態
で、コントローラ6は弁7を制御し、洗浄液をハウジン
グ14内に導入して、収束超音波発生手段16を駆動す
る。そしてジェット流50が発生し、洗浄面における音
響エネルギー強度を校正手段14によって測定すること
が可能となる。校正手段44が発生する校正信号にもと
づいて、コントローラ6は適切な信号を焦点位置設定手
段18に送出し、手段16の焦点位置を調整する。校正
手段44は位置合わせのためにも用いる。すなわち、洗
浄装置10の初期設定時および/または定期保守の際に
ジェット・セル13の位置合わせを行なうために用い
る。
【0029】次に、本発明における具体的な洗浄手順を
説明する。ウエハー12を、容器4内のウエハー・プラ
テン上に配置し、そして回転させる。超音波ジェット・
セル13を校正位置46に配置した状態で、コントロー
ラ6は上述のように各部を適切に制御し、洗浄面におけ
るジェット流50内の音響エネルギーの強度を例えば1
0MHzにおいて5,000W/cm2 に調整する。洗
浄動作は例えばこの第1の強度で行なう。その際、コン
トローラ6はウエハー全体の洗浄が終るまで、(i)ウ
エハー12の回転、(ii)ジェット流50を発生する超
音波ジェット・セル13の機能、ならびに(iii )ジェ
ット・セル13の走査経路38に沿った往復運動を制御
する。また、場合によっては第1の強度とは異なる複数
の強度を順次用いて、洗浄を行なうこともできる。低圧
で洗浄を行なう結果、静電気の帯電にともなう問題を解
決することができる。さらに、低圧で洗浄を行なうこと
によって高価な脱イオン水の使用量を大幅に低減でき、
従って洗浄装置10は比較的低コストで動作させること
ができる。
【0030】図6および図7を参照して他の実施例につ
いて説明する。超音波ジェット・セル13は、以下の点
を除いて、上記実施例のものとほぼ同一である。収束超
音波発生手段16は、平面超音波トランスジューサのア
レー116によって構成する。この超音波トランスジュ
ーサのアレーは、適切なタイム・シーケンスの駆動によ
って、焦点30に収束する音響エネルギーの収束超音波
が得られるように配列して段階的に駆動する。別々のR
F発生器17と焦点設定手段18の代りに、この実施例
では焦点設定手段を、アレー116を駆動するための信
号発生手段によって構成し、超音波トランスジューサの
アレーの焦点30を第1の焦点位置と第2の焦点位置と
の間の所望の位置に設定できるようにする。ここで第1
の焦点位置は、ハウジング14内の主軸15に沿った排
出口28に近接した位置にあり、第2の焦点位置は、主
軸に沿ったハウジング14から離れた位置にある。この
第2の焦点位置は洗浄面11上とすることが望ましい。
洗浄動作において、この実施例は上記実施例と同様に機
能する。
【0031】図8および図9に本発明のさらに他の実施
例を示す。超音波ジェット・セル13は、以下の点を除
いて、上記実施例のものとほぼ同一である。ハウジング
14′は第1の部分22′と第2の部分24′とを有し
ている。第2の部分24′はハウジング14′の下部を
構成し、洗浄液を放出するための複数の排出口28′を
有している。第2の部分24′は複数の内壁25′を備
え、これら内壁はそれぞれ逆円錐形のテーパー状の形を
有している。具体的には、各内壁25′は、第1の大き
い直径から各排出口28′のサイズにほぼ一致する寸法
にしだいに細くなっている。部分24′の内壁25′が
円錐形にテーパーがかかっていることにより、ハウジン
グ14′内での洗浄液の乱流を最小限にできる。複数の
出口28′はそれぞれ対応する複数の、排出口の軸が中
心となっており、各排出口軸は主軸15に平行である。
【0032】複数の収束超音波発生手段16′をハウジ
ング14′内の、上記複数の排出口軸に対応する各軸に
沿って配置する。この複数の手段16′は、各焦点3
0′に収束する音響エネルギーの超音波を発生する。超
音波エネルギーの密度は各焦点において最大となる。収
束超音波発生手段16′が発生する音響エネルギーの収
束超音波はそれぞれ各排出口28′と同心で、かつ排出
口28′に向かって進行し、洗浄液50′のジェット流
を形成して、各排出口から外に出る。洗浄液の各ジェッ
ト流は縦力と、洗浄面11において洗浄液のキャビテー
ションが発生していないこととによって特徴づけられ
る。角度αと、複数の収束超音波発生手段16′の相互
間隔Sは具体的にどのような洗浄が必要であるか、そし
てどのようなタイプのトランスジューサを使用するかに
もとづいて決定する。角度αと間隔Sは、隣接する収束
超音波発生手段16′間で干渉が生じないようなものと
する必要がある。
【0033】上記望ましい実施例の焦点設定手段18と
同様の手段を用いて、上記複数の収束超音波発生手段の
各焦点位置を設定でき、矢印34′で示すように、それ
らを各排出口軸上の、第1の焦点位置と第2の焦点位置
の間の位置に設定することができる。
【0034】ハウジング14′内に乱流低減手段36′
を取り付け、ハウジング14′内での洗浄液の乱流を最
小限にすることができる。この乱流低減手段36′は、
ハウジング14′内で部分22′と部分24′の中間の
位置に、主軸15にほぼ直角に取り付けた開口板によっ
て構成する。この開口板は複数の開口を有し、その部分
で各収束超音波発生手段16′を保持するようになって
いる。この開口板はまた、各収束超音波発生手段の周り
に配置した一連の開口を備えている。O−リングなどの
適切な手段を開口板36′と収束超音波発生手段16′
との間に設け、これらの部品の相対的な移動を可能とし
つつ、洩れを阻止するシールとする。
【0035】第2の実施例では、校正手段44と同様の
校正手段を、洗浄面上の所定の走査経路38に沿った校
正位置46に配置することができる。これによって、複
数のジェット流の中の所望のものにおける、洗浄面での
音響エネルギーの強度を表す校正信号を得ることができ
る。コントローラ6はこの校正信号にもとづいて、焦点
設定手段を制御するようにでき、各ジェット流ごとに焦
点位置を所望の位置に設定できる。これによって各ジェ
ット流の洗浄面における音響エネルギーの強度を所望の
レベルに調整することができる。動作においては、この
第2の実施例は上記望ましい実施例と同様に機能する。
【0036】以上、本発明による半導体ウエハーあるい
はマイクロ電子部品を洗浄するための洗浄装置について
説明した。この装置では、低圧の液体ジェットを用い、
それによって超音波トランスジューサからのエネルギー
を効率良く伝達し、洗浄効率を高めている。本発明の装
置では、洗浄すべき個々の部品に応じて望ましい洗浄性
能を得ることができる。さらに、本発明の洗浄装置は大
量生産の場で用いるのにも適している。すなわち本発明
は、前述した問題および欠点を克服したスピン洗浄装置
を提供するものである。
【0037】本発明について好適な実施例をもとに具体
的に説明したが、当業者にとって明らかなように、本発
明の趣旨および範囲から逸脱することなく、種々に変形
を加えることは可能である。例えば、本発明は磁気ディ
スクなど、他の対象の洗浄にも適している。
【0038】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 (1)半導体ウエハーを、洗浄面における所定の軸の周
りに回転させて、前記ウエハーの表面から付着物を除去
する半導体ウエハー洗浄装置において、(a)主軸と、
供給源から洗浄液を受け入れる注入口と、前記主軸を中
心とし、前記洗浄液を排出する排出口とを有するハウジ
ングと、(b)前記ハウジング内に前記主軸に沿って配
置され、音響エネルギーの超音波を発生する手段とを備
え、前記超音波は焦点に収束し、その焦点で音響エネル
ギーの密度は最大であり、音響エネルギーの前記収束超
音波は前記排出口と同心で、かつ前記排出口に向かって
進行して、前記排出口から排出される洗浄液のジェット
流を形成し、洗浄液の前記ジェット流は縦力と、洗浄液
にキャビテーションが発生していないこととによって特
徴づけられ、(c)前記収束超音波発生手段の焦点を前
記ハウジングの前記主軸に沿って調整可能に設定する手
段を備え、前記設定手段は前記焦点を第1の焦点位置と
第2の焦点位置との間に設定し、(d)前記洗浄面上の
所定の走査経路に沿って、前記ハウジングに往復運動に
よる走査を行なわせる、前記ハウジングに連結された手
段を備え、前記排出口は前記洗浄面の方向に向いてお
り、前記主軸は前記洗浄面にほぼ直角であることを特徴
とする半導体ウエハー洗浄装置。 (2)(e)前記ハウジング内に取り付けられ、前記ハ
ウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる手
段をさらに備えたことを特徴とする上記(1)に記載の
装置。 (3)前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で前記主
軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前記開口
板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置された一連
の開口を有することを特徴とする上記(2)に記載の装
置。 (4)(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走査経路
上の校正位置に配置され、前記洗浄面における前記ジェ
ット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー強度を表
す校正信号を与える手段と、(f)前記校正信号にもと
づいて前記焦点設定手段を制御し、前記焦点を所望の位
置に設定する手段とをさらに備え、前記洗浄面における
前記ジェット流の内部の音響エネルギー強度を所望のレ
ベルに調整することを特徴とする上記(1)に記載の装
置。 (5)前記収束超音波発生手段は凹面の超音波トランス
ジューサを備え、前記凹面は前記ハウジング内で前記排
出口の方向に向いており、前記焦点設定手段は、前記超
音波トランスジューサを、前記ハウジングの前記主軸に
沿って、第1のトランスジューサ位置と第2のトランス
ジューサ位置の間で移動させ、それによって前記超音波
トランスジューサの前記焦点を第1の焦点位置と第2の
焦点位置との間に設定する手段を備え、前記第1の焦点
位置は前記ハウジング内の前記主軸に沿った、前記排出
口に近接した位置にあり、前記第2の焦点位置は前記主
軸に沿った、前記ハウジングから離れた位置にあること
を特徴とする上記(1)に記載の装置。 (6)(e)前記ハウジング内に取り付けられ、前記ハ
ウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる手
段をさらに備えたことを特徴とする上記(5)に記載の
装置。 (7)前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で前記主
軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前記開口
板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置された一連
の開口を有することを特徴とする上記(6)に記載の装
置。 (8)(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走査経路
上の校正位置に配置され、前記洗浄面における前記ジェ
ット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー強度を表
す校正信号を与える手段と、(f)前記校正信号にもと
づいて前記焦点設定手段を制御し、前記焦点を所望の位
置に設定する手段とをさらに備え、前記洗浄面における
前記ジェット流の内部の音響エネルギー強度を所望のレ
ベルに調整することを特徴とする上記(5)に記載の装
置。 (9)前記収束超音波発生手段は超音波トランスジュー
サのアレーを備え、前記アレーを適切なタイム・シーケ
ンスで駆動することによって音響エネルギーの収束超音
波を発生するように、超音波トランスジューサの前記ア
レーは配置され、かつ段階的に駆動され、前記焦点設定
手段は、超音波トランスジューサの前記アレーを駆動し
て前記アレーの焦点を調整可能に設定する信号発生手段
を備え、前記信号発生手段は前記焦点を、前記ハウジン
グ内の前記主軸に沿った、前記排出口に近接した第1の
焦点位置と、前記主軸に沿った、前記ハウジングから離
れた第2の焦点位置との間に設定することを特徴とする
上記(1)に記載の装置。 (10)(e)前記ハウジング内に取り付けられ、前記
ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる
手段をさらに備えたことを特徴とする上記(9)に記載
の装置。 (11)前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で前記
主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前記開
口板は、超音波トランスジューサの前記アレーの周りに
配置された一連の開口を有することを特徴とする上記
(10)に記載の装置。 (12)(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走査経
路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における前記ジ
ェット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー強度を
表す校正信号を与える手段と、(f)前記校正信号にも
とづいて前記焦点設定手段を制御し、前記焦点を所望の
位置に設定する手段とをさらに備え、前記洗浄面におけ
る前記ジェット流の内部の音響エネルギー強度を所望の
レベルに調整することを特徴とする上記(9)に記載の
装置。 (13)半導体ウエハーを、洗浄面における所定の軸の
周りに回転させて、前記ウエハーの表面から付着物を除
去する半導体ウエハー洗浄装置において、(a)主軸
と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口と、前記主軸
を中心とし、前記洗浄液を排出する排出口とを有するハ
ウジングと、(b)前記ハウジング内に前記主軸に沿っ
て配置され、音響エネルギーの超音波を発生する手段と
を備え、前記超音波は焦点に収束し、その焦点で音響エ
ネルギーの密度は最大であり、音響エネルギーの前記収
束超音波は前記排出口と同心で、かつ前記排出口に向か
って進行して、前記排出口から排出される洗浄液のジェ
ット流を形成し、洗浄液の前記ジェット流は縦力と、洗
浄液にキャビテーションが発生していないこととによっ
て特徴づけられ、(c)前記収束超音波発生手段の焦点
を前記ハウジングの前記主軸上に沿って設定する手段を
備え、前記設定手段は前記焦点を、前記ハウジング内の
前記主軸に沿った、前記排出口に近接した第1の焦点位
置と、前記主軸に沿った、前記排出口から離れた第2の
焦点位置との間に調整可能に設定し、(d)前記洗浄面
上の所定の走査経路に沿って、前記ハウジングに往復運
動による走査を行なわせる、前記ハウジングに連結され
た手段を備え、前記排出口は前記洗浄面の方向に向いて
おり、前記主軸は前記洗浄面にほぼ直角であることを特
徴とする半導体ウエハー洗浄装置。 (14)(e)前記ハウジング内に取り付けられ、前記
ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる
手段をさらに備え、前記乱流低減手段は、前記ハウジン
グ内で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備
え、前記開口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配
置された一連の開口を有することを特徴とする上記(1
3)に記載の装置。 (15)(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走査経
路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における前記ジ
ェット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー強度を
表す校正信号を与える手段と、(f)前記校正信号にも
とづいて前記焦点設定手段を制御し、前記焦点を所望の
位置に設定する手段とをさらに備え、前記洗浄面におけ
る前記ジェット流の内部の音響エネルギー強度を所望の
レベルに調整することを特徴とする上記(13)に記載
の装置。 (16)半導体ウエハーを、洗浄面における所定の軸の
周りに回転させて、前記ウエハーの表面から付着物を除
去する半導体ウエハー洗浄装置において、(a)主軸
と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口と、前記洗浄
液を排出する複数の排出口とを有するハウジングを備
え、前記複数の排出口は、対応する複数の排出口の軸を
中心としており、各排出口軸は前記主軸に平行であり、
(b)前記ハウジング内に、前記複数の排出口軸に対応
するそれぞれの軸に沿って配置されて、音響エネルギー
の超音波を発生する手段を備え、前記超音波はそれぞれ
の焦点に収束し、それらの焦点で音響エネルギーの密度
は最大であり、各収束超音波発生手段の音響エネルギー
の前記収束超音波のそれぞれは前記排出口と同心で、か
つ前記排出口のそれぞれに向かって進行して、前記排出
口のそれぞれから排出される洗浄液のジェット流を形成
し、洗浄液の前記ジェット流のそれぞれは縦力と、洗浄
液にキャビテーションが発生していないこととによって
特徴づけられ、(c)前記複数の収束超音波発生手段の
各焦点を前記排出口軸のそれぞれに沿って設定する手段
を備え、前記設定手段は前記焦点のそれぞれを、前記排
出口軸のそれぞれに沿った、前記排出口のそれぞれに近
接した第1の焦点位置と、前記排出口軸のそれぞれに沿
った、前記排出口のそれぞれから離れた第2の焦点位置
との間に調整可能に設定し、(d)前記洗浄面上の所定
の走査経路に沿って、前記ハウジングに往復運動による
走査を行なわせる、前記ハウジングに連結された手段を
備え、前記複数の排出口は前記洗浄面の方向に向いてお
り、前記主軸は前記洗浄面にほぼ直角であることを特徴
とする半導体ウエハー洗浄装置。 (17)(e)前記ハウジング内に取り付けられ、前記
ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる
手段をさらに備え、前記乱流低減手段は、前記ハウジン
グ内で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備
え、前記開口板は、前記複数の収束超音波発生手段の周
りに配置された一連の開口を有することを特徴とする上
記(16)に記載の装置。 (18)(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走査経
路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における所望の
前記ジェット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー
強度を表す校正信号を与える手段と、(f)前記校正信
号にもとづいて前記焦点設定手段を制御し、前記所望の
ジェット流に対応する前記焦点を所望の位置に設定する
手段とをさらに備え、前記洗浄面における前記所望のジ
ェット流の内部の音響エネルギー強度を所望のレベルに
調整することを特徴とする上記(16)に記載の装置。 (19)洗浄対象の表面から付着物を除去することに特
に適した超音波洗浄ヘッド装置において、(a)主軸
と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口と、前記主軸
を中心とし、前記洗浄液を排出する排出口とを有するハ
ウジングと、(b)前記ハウジング内に前記主軸に沿っ
て配置され、音響エネルギーの収束超音波を発生する手
段とを備え、前記超音波は焦点に収束し、その焦点で音
響エネルギーの密度は最大であり、音響エネルギーの前
記収束超音波は前記排出口と同心で、かつ前記排出口に
向かって進行して、前記排出口から排出される洗浄液の
ジェット流を形成し、洗浄液の前記ジェット流は縦力
と、洗浄液にキャビテーションが発生していないことと
によって特徴づけられ、(c)前記収束超音波発生手段
の焦点を前記ハウジングの前記主軸上に沿って調整可能
に設定する手段を備え、前記設定手段は前記焦点を第1
の焦点と第2の焦点との間に設定することを特徴とする
超音波洗浄ヘッド装置。 (20)(d)前記ハウジング内に取り付けられ、前記
ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる
手段をさらに備えたことを特徴とする上記(19)に記
載の超音波洗浄ヘッド装置。 (21)前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で前記
主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前記開
口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置された一
連の開口を有することを特徴とする上記(20)に記載
の超音波洗浄ヘッド装置。 (22)前記収束超音波発生手段は凹面の超音波トラン
スジューサを備え、前記凹面は前記ハウジング内で前記
排出口の方向に向いており、前記焦点設定手段は、前記
超音波トランスジューサを、前記ハウジングの前記主軸
に沿って、第1のトランスジューサ位置と第2のトラン
スジューサ位置の間で移動させ、それによって前記超音
波トランスジューサの前記焦点を第1の焦点位置と第2
の焦点位置との間に設定する手段を備え、前記第1の焦
点位置は前記ハウジング内の前記主軸に沿った、前記排
出口に近接した位置にあり、前記第2の焦点位置は前記
主軸に沿った、前記ハウジングから離れた位置にあるこ
とを特徴とする上記(19)に記載の超音波洗浄ヘッド
装置。 (23)(d)前記ハウジング内に取り付けられ、前記
ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる
手段をさらに備えたことを特徴とする上記(22)に記
載の超音波洗浄ヘッド装置。 (24)前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で前記
主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前記開
口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置された一
連の開口を有することを特徴とする上記(23)に記載
の超音波洗浄ヘッド装置。 (25)前記収束超音波発生手段は超音波トランスジュ
ーサのアレーを備え、前記アレーを適切なタイム・シー
ケンスで駆動することによって音響エネルギーの収束超
音波を発生するように、超音波トランスジューサの前記
アレーは配置され、かつ段階的に駆動され、前記焦点設
定手段は、超音波トランスジューサの前記アレーを駆動
して前記アレーの焦点を調整可能に設定する信号発生手
段を備え、前記信号発生手段は前記焦点を、前記ハウジ
ング内の前記主軸に沿った、前記排出口に近接した第1
の焦点位置と、前記主軸に沿った、前記ハウジングから
離れた第2の焦点位置との間に設定することを特徴とす
る上記(19)に記載の超音波洗浄ヘッド装置。 (26)(d)前記ハウジング内に取り付けられ、前記
ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減させる
手段をさらに備えたことを特徴とする上記(25)に記
載の超音波洗浄ヘッド装置。 (27)前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で前記
主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前記開
口板は、超音波トランスジューサの前記アレーの周りに
配置された一連の開口を有することを特徴とする上記
(26)に記載の超音波洗浄ヘッド装置。 (28)洗浄対象の表面から付着物を除去することに特
に適した超音波洗浄ヘッド装置において、(a)主軸
と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口と、前記主軸
を中心とし、前記洗浄液を排出する排出口とを有するハ
ウジングと、(b)前記ハウジング内に前記主軸に沿っ
て配置され、音響エネルギーの収束超音波を発生する手
段とを備え、前記超音波は焦点に収束し、その焦点で音
響エネルギーの密度は最大であり、音響エネルギーの前
記収束超音波は前記排出口と同心で、かつ前記排出口に
向かって進行して、前記排出口から排出される洗浄液の
ジェット流を形成し、洗浄液の前記ジェット流は縦力
と、洗浄液にキャビテーションが発生していないことと
によって特徴づけられ、(c)前記収束超音波発生手段
の焦点を前記ハウジングの前記主軸上に沿って設定する
手段を備え、前記設定手段は前記焦点を、前記ハウジン
グ内の前記主軸に沿った、前記排出口に近接した第1の
焦点位置と、前記主軸に沿った、前記排出口から離れた
第2の焦点位置との間に調整可能に設定することを特徴
とする超音波洗浄ヘッド装置。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体ウエハー洗浄装置の一部を
示す斜視図である。
【図2】本発明による半導体ウエハー洗浄装置の平面図
である。
【図3】本発明にもとづく第1の状態にある超音波ジェ
ット・セルの一部を示す断面図である。
【図4】本発明にもとづく第2の状態にある超音波ジェ
ット・セルの一部を示す断面図である。
【図5】本発明にもとづく校正の位置にある超音波ジェ
ット・セルの一部を示す断面図である。
【図6】本発明の他の実施例の超音波ジェット・セルの
一部を示す断面図である。
【図7】図6の7−7線に沿った、超音波ジェット・セ
ルの一部の断面図である。
【図8】本発明のさらに他の実施例の超音波ジェット・
セルの一部を示す断面図である。
【図9】図8の9−9線に沿った、超音波ジェット・セ
ルの一部の断面図である。
【符号の説明】
3 フレキシブル・チューブ 4 容器 5 モータ 6 コントローラ 7 弁 8 圧力レギュレータ 9 フィルタ 10 洗浄装置 11 洗浄面 12 半導体ウエハー 13 液体ジェット・セル 14,14′ ハウジング 16,16′ 収束超音波発生手段 17 無線周波数(RF)発生器 18 焦点設定手段 20 走査手段 22,22′ 第1の部分 23,25 内壁 24,24′ 第2の部分 26 注入口 28,28′ 排出口 29 金属板 30 焦点 32 凹面 36,36′ 乱流低減手段 40 走査アーム 42 モータ 44 校正信号手段 48 出力電気信号線 116 平面トランスジューサ
フロントページの続き (72)発明者 ドナルド・リチャード・ヴィグリオッテ ィ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ヨー クタウン ハイツ ブロード ヴュー ドライブ 2669 (72)発明者 ロバート・ヤコブ・ヴォンガットフェル ド アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ニュ ーヨーク ウエスト ワンハンドレッド アンドフィフティーンス ストリート 600 (56)参考文献 特開 平4−213827(JP,A) 特開 昭64−90078(JP,A)

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハーを、洗浄面における所定の
    軸の周りに回転させて、前記ウエハーの表面から付着物
    を除去する半導体ウエハー洗浄装置において、 (a)主軸と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口
    と、前記主軸を中心とし、前記洗浄液を排出する排出口
    とを有するハウジングと、 (b)前記ハウジング内に前記主軸に沿って配置され、
    音響エネルギーの超音波を発生する手段とを備え、前記
    超音波は焦点に収束し、その焦点で音響エネルギーの密
    度は最大であり、音響エネルギーの前記収束超音波は前
    記排出口と同心で、かつ前記排出口に向かって進行し
    て、前記排出口から排出される洗浄液のジェット流を形
    成し、洗浄液の前記ジェット流は縦力と、洗浄液にキャ
    ビテーションが発生していないこととによって特徴づけ
    られ、 (c)前記収束超音波発生手段の焦点を前記ハウジング
    の前記主軸上に沿って設定する手段を備え、前記設定手
    段は前記焦点を、前記ハウジング内の前記主軸に沿っ
    た、前記排出口に近接した第1の焦点位置と、前記主軸
    に沿った、前記排出口から離れた第2の焦点位置との間
    に調整可能に設定し、 (d)前記洗浄面上の所定の走査経路に沿って、前記ハ
    ウジングに往復運動による走査を行なわせる、前記ハウ
    ジングに連結された手段を備え、前記排出口は前記洗浄
    面の方向に向いており、前記主軸は前記洗浄面にほぼ直
    角であることを特徴とする半導体ウエハー洗浄装置。
  2. 【請求項2】(e)前記ハウジング内に取り付けられ、
    前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減さ
    せる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載
    の装置。
  3. 【請求項3】前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で
    前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前
    記開口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置され
    た一連の開口を有することを特徴とする請求項2記載の
    装置。
  4. 【請求項4】(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走
    査経路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における前
    記ジェット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー強
    度を表す校正信号を与える手段と、 (f)前記校正信号にもとづいて前記焦点設定手段を制
    御し、前記焦点を所望の位置に設定する手段とをさらに
    備え、 前記洗浄面における前記ジェット流の内部の音響エネル
    ギー強度を所望のレベルに調整することを特徴とする請
    求項1記載の装置。
  5. 【請求項5】前記収束超音波発生手段は凹面の超音波ト
    ランスジューサを備え、前記凹面は前記ハウジング内で
    前記排出口の方向に向いており、 前記焦点設定手段は、前記超音波トランスジューサを、
    前記ハウジングの前記主軸に沿って、第1のトランスジ
    ューサ位置と第2のトランスジューサ位置の間で移動さ
    せ、それによって前記超音波トランスジューサの前記焦
    点を第1の焦点位置と第2の焦点位置との間に設定する
    手段を備え、前記第1の焦点位置は前記ハウジング内の
    前記主軸に沿った、前記排出口に近接した位置にあり、
    前記第2の焦点位置は前記主軸に沿った、前記ハウジン
    グから離れた位置にあることを特徴とする請求項1記載
    の装置。
  6. 【請求項6】(e)前記ハウジング内に取り付けられ、
    前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低減さ
    せる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項5記載
    の装置。
  7. 【請求項7】前記乱流低減手段は、前記ハウジング内で
    前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、前
    記開口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置され
    た一連の開口を有することを特徴とする請求項6記載の
    装置。
  8. 【請求項8】(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の走
    査経路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における前
    記ジェット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー強
    度を表す校正信号を与える手段と、 (f)前記校正信号にもとづいて前記焦点設定手段を制
    御し、前記焦点を所望の位置に設定する手段とをさらに
    備え、 前記洗浄面における前記ジェット流の内部の音響エネル
    ギー強度を所望のレベルに調整することを特徴とする請
    求項5記載の装置。
  9. 【請求項9】前記収束超音波発生手段は超音波トランス
    ジューサのアレーを備え、前記アレーを適切なタイム・
    シーケンスで駆動することによって音響エネルギーの収
    束超音波を発生するように、超音波トランスジューサの
    前記アレーは配置され、かつ段階的に駆動され、 前記焦点設定手段は、超音波トランスジューサの前記ア
    レーを駆動して前記アレーの焦点を調整可能に設定する
    信号発生手段を備え、前記信号発生手段は前記焦点を、
    前記ハウジング内の前記主軸に沿った、前記排出口に近
    接した第1の焦点位置と、前記主軸に沿った、前記ハウ
    ジングから離れた第2の焦点位置との間に設定すること
    を特徴とする請求項1記載の装置。
  10. 【請求項10】(e)前記ハウジング内に取り付けら
    れ、前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低
    減させる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項9
    記載の装置。
  11. 【請求項11】前記乱流低減手段は、前記ハウジング内
    で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、
    前記開口板は、超音波トランスジューサの前記アレーの
    周りに配置された一連の開口を有することを特徴とする
    請求項10記載の装置。
  12. 【請求項12】(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の
    走査経路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における
    前記ジェット流の内部に閉じ込められた音響エネルギー
    強度を表す校正信号を与える手段と、 (f)前記校正信号にもとづいて前記焦点設定手段を制
    御し、前記焦点を所望の位置に設定する手段とをさらに
    備え、 前記洗浄面における前記ジェット流の内部の音響エネル
    ギー強度を所望のレベルに調整することを特徴とする請
    求項9記載の装置。
  13. 【請求項13】半導体ウエハーを、洗浄面における所定
    の軸の周りに回転させて、前記ウエハーの表面から付着
    物を除去する半導体ウエハー洗浄装置において、 (a)主軸と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口
    と、前記洗浄液を排出する複数の排出口とを有するハウ
    ジングを備え、前記複数の排出口は、対応する複数の排
    出口の軸を中心としており、各排出口軸は前記主軸に平
    行であり、 (b)前記ハウジング内に、前記複数の排出口軸に対応
    するそれぞれの軸に沿って配置されて、音響エネルギー
    の超音波を発生する手段を備え、前記超音波はそれぞれ
    の焦点に収束し、それらの焦点で音響エネルギーの密度
    は最大であり、各収束超音波発生手段の音響エネルギー
    の前記収束超音波のそれぞれは前記排出口と同心で、か
    つ前記排出口のそれぞれに向かって進行して、前記排出
    口のそれぞれから排出される洗浄液のジェット流を形成
    し、洗浄液の前記ジェット流のそれぞれは縦力と、洗浄
    液にキャビテーションが発生していないこととによって
    特徴づけられ、 (c)前記複数の収束超音波発生手段の各焦点を前記排
    出口軸のそれぞれに沿って設定する手段を備え、前記設
    定手段は前記焦点のそれぞれを、前記排出口軸のそれぞ
    れに沿った、前記排出口のそれぞれに近接した第1の焦
    点位置と、前記排出口軸のそれぞれに沿った、前記排出
    口のそれぞれから離れた第2の焦点位置との間に調整可
    能に設定し、 (d)前記洗浄面上の所定の走査経路に沿って、前記ハ
    ウジングに往復運動による走査を行なわせる、前記ハウ
    ジングに連結された手段を備え、前記複数の排出口は前
    記洗浄面の方向に向いており、前記主軸は前記洗浄面に
    ほぼ直角であることを特徴とする半導体ウエハー洗浄装
    置。
  14. 【請求項14】(e)前記ハウジング内に取り付けら
    れ、前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低
    減させる手段をさらに備え、前記乱流低減手段は、前記
    ハウジング内で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開
    口板を備え、前記開口板は、前記複数の収束超音波発生
    手段の周りに配置された一連の開口を有することを特徴
    とする請求項13記載の装置。
  15. 【請求項15】(e)前記洗浄面に位置し、前記所定の
    走査経路上の校正位置に配置され、前記洗浄面における
    所望の前記ジェット流の内部に閉じ込められた音響エネ
    ルギー強度を表す校正信号を与える手段と、 (f)前記校正信号にもとづいて前記焦点設定手段を制
    御し、前記所望のジェット流に対応する前記焦点を所望
    の位置に設定する手段とをさらに備え、 前記洗浄面における前記所望のジェット流の内部の音響
    エネルギー強度を所望のレベルに調整することを特徴と
    する請求項13記載の装置。
  16. 【請求項16】洗浄対象の表面から付着物を除去するこ
    とに特に適した超音波洗浄ヘッド装置において、 (a)主軸と、供給源から洗浄液を受け入れる注入口
    と、前記主軸を中心とし、前記洗浄液を排出する排出口
    とを有するハウジングと、 (b)前記ハウジング内に前記主軸に沿って配置され、
    音響エネルギーの収束超音波を発生する手段とを備え、
    前記超音波は焦点に収束し、その焦点で音響エネルギー
    の密度は最大であり、音響エネルギーの前記収束超音波
    は前記排出口と同心で、かつ前記排出口に向かって進行
    して、前記排出口から排出される洗浄液のジェット流を
    形成し、洗浄液の前記ジェット流は縦力と、洗浄液にキ
    ャビテーションが発生していないこととによって特徴づ
    けられ、 (c)前記収束超音波発生手段の焦点を前記ハウジング
    の前記主軸上に沿って設定する手段を備え、前記設定手
    段は前記焦点を、前記ハウジング内の前記主軸に沿っ
    た、前記排出口に近接した第1の焦点位置と、前記主軸
    に沿った、前記排出口から離れた第2の焦点位置との間
    に調整可能に設定することを特徴とする超音波洗浄ヘッ
    ド装置。
  17. 【請求項17】(d)前記ハウジング内に取り付けら
    れ、前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低
    減させる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1
    6記載の超音波洗浄ヘッド装置。
  18. 【請求項18】前記乱流低減手段は、前記ハウジング内
    で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、
    前記開口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置さ
    れた一連の開口を有することを特徴とする請求項17記
    載の超音波洗浄ヘッド装置。
  19. 【請求項19】前記収束超音波発生手段は凹面の超音波
    トランスジューサを備え、前記凹面は前記ハウジング内
    で前記排出口の方向に向いており、 前記焦点設定手段は、前記超音波トランスジューサを、
    前記ハウジングの前記主軸に沿って、第1のトランスジ
    ューサ位置と第2のトランスジューサ位置の間で移動さ
    せ、それによって前記超音波トランスジューサの前記焦
    点を第1の焦点位置と第2の焦点位置との間に設定する
    手段を備え、前記第1の焦点位置は前記ハウジング内の
    前記主軸に沿った、前記排出口に近接した位置にあり、
    前記第2の焦点位置は前記主軸に沿った、前記ハウジン
    グから離れた位置にあることを特徴とする請求項16記
    載の超音波洗浄ヘッド装置。
  20. 【請求項20】(d)前記ハウジング内に取り付けら
    れ、前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低
    減させる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1
    9記載の超音波洗浄ヘッド装置。
  21. 【請求項21】前記乱流低減手段は、前記ハウジング内
    で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、
    前記開口板は、前記収束超音波発生手段の周りに配置さ
    れた一連の開口を有することを特徴とする請求項20記
    載の超音波洗浄ヘッド装置。
  22. 【請求項22】前記収束超音波発生手段は超音波トラン
    スジューサのアレーを備え、前記アレーを適切なタイム
    ・シーケンスで駆動することによって音響エネルギーの
    収束超音波を発生するように、超音波トランスジューサ
    の前記アレーは配置され、かつ段階的に駆動され、 前記焦点設定手段は、超音波トランスジューサの前記ア
    レーを駆動して前記アレーの焦点を調整可能に設定する
    信号発生手段を備え、前記信号発生手段は前記焦点を、
    前記ハウジング内の前記主軸に沿った、前記排出口に近
    接した第1の焦点位置と、前記主軸に沿った、前記ハウ
    ジングから離れた第2の焦点位置との間に設定すること
    を特徴とする請求項16記載の超音波洗浄ヘッド装置。
  23. 【請求項23】(d)前記ハウジング内に取り付けら
    れ、前記ハウジング内の前記洗浄液の乱流を最小限に低
    減させる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項2
    2記載の超音波洗浄ヘッド装置。
  24. 【請求項24】前記乱流低減手段は、前記ハウジング内
    で前記主軸にほぼ直角に取り付けられた開口板を備え、
    前記開口板は、超音波トランスジューサの前記アレーの
    周りに配置された一連の開口を有することを特徴とする
    請求項23記載の超音波洗浄ヘッド装置。
JP6286772A 1993-12-17 1994-11-21 半導体ウエハー洗浄装置 Expired - Lifetime JP2647352B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/169,872 US5368054A (en) 1993-12-17 1993-12-17 Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
US169872 1993-12-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07201799A JPH07201799A (ja) 1995-08-04
JP2647352B2 true JP2647352B2 (ja) 1997-08-27

Family

ID=22617560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6286772A Expired - Lifetime JP2647352B2 (ja) 1993-12-17 1994-11-21 半導体ウエハー洗浄装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5368054A (ja)
EP (1) EP0658925A1 (ja)
JP (1) JP2647352B2 (ja)

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
US5468302A (en) * 1994-07-13 1995-11-21 Thietje; Jerry Semiconductor wafer cleaning system
JPH08238463A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ebara Corp 洗浄方法及び洗浄装置
US6743723B2 (en) * 1995-09-14 2004-06-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device
DE19540373A1 (de) * 1995-10-30 1997-05-07 Henkel Kgaa Reinigung mit Ultraschall und dazu geeignete Reinigungsmittel
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
DE19618974A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-13 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial
DE19629705A1 (de) * 1996-07-24 1998-01-29 Joachim Dr Scheerer Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von scheibenförmigen Gegenständen, insbesondere Wafern, mit Ultraschall und Wasser als Spülmedium
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5965043A (en) * 1996-11-08 1999-10-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for using ultrasonic treatment in combination with UV-lasers to enable plating of high aspect ratio micro-vias
JP3369418B2 (ja) * 1996-11-25 2003-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
US5876875A (en) * 1996-12-23 1999-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Acoustic wave enhanced developer
JPH10216660A (ja) * 1997-01-31 1998-08-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 洗浄装置
US6355397B1 (en) * 1997-04-11 2002-03-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
US6047246A (en) * 1997-05-23 2000-04-04 Vickers; John W. Computer-controlled ultrasonic cleaning system
US5980647A (en) * 1997-07-15 1999-11-09 International Business Machines Corporation Metal removal cleaning process and apparatus
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US6261378B1 (en) * 1998-03-23 2001-07-17 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning unit and cleaning method
US6273100B1 (en) 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
JP3772056B2 (ja) * 1998-10-12 2006-05-10 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
US7687039B2 (en) * 1998-10-28 2010-03-30 Covaris, Inc. Methods and systems for modulating acoustic energy delivery
EP1125121B1 (en) * 1998-10-28 2007-12-12 Covaris, Inc. Apparatus and methods for controlling sonic treatment
US7981368B2 (en) 1998-10-28 2011-07-19 Covaris, Inc. Method and apparatus for acoustically controlling liquid solutions in microfluidic devices
US6948843B2 (en) * 1998-10-28 2005-09-27 Covaris, Inc. Method and apparatus for acoustically controlling liquid solutions in microfluidic devices
US6021789A (en) * 1998-11-10 2000-02-08 International Business Machines Corporation Wafer cleaning system with progressive megasonic wave
US6202658B1 (en) 1998-11-11 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
US6311702B1 (en) * 1998-11-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
JP3616725B2 (ja) * 1998-12-07 2005-02-02 信越半導体株式会社 基板の処理方法及び処理装置
EP1050899B1 (en) * 1999-05-04 2003-12-17 Honda Electronics Co., Ltd. An ultrasonic washing apparatus
JP3256198B2 (ja) * 1999-06-23 2002-02-12 株式会社カイジョー 超音波シャワー洗浄装置
TW553780B (en) 1999-12-17 2003-09-21 Sharp Kk Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same
US6539952B2 (en) 2000-04-25 2003-04-01 Solid State Equipment Corp. Megasonic treatment apparatus
US6766813B1 (en) 2000-08-01 2004-07-27 Board Of Regents, The University Of Texas System Apparatus and method for cleaning a wafer
US7156111B2 (en) * 2001-07-16 2007-01-02 Akrion Technologies, Inc Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution
WO2003021642A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
US20040062874A1 (en) * 2002-08-14 2004-04-01 Kim Yong Bae Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer
US6890388B2 (en) * 2002-01-07 2005-05-10 International Business Machines Corporation Apparatus and method for using an acoustic-jet for cleaning hard disk drive heads in manufacturing
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
US7077916B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and cleaning apparatus
US6845778B2 (en) * 2002-03-29 2005-01-25 Lam Research Corporation In-situ local heating using megasonic transducer resonator
US6729339B1 (en) * 2002-06-28 2004-05-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cooling a resonator of a megasonic transducer
US6995067B2 (en) * 2003-02-06 2006-02-07 Lam Research Corporation Megasonic cleaning efficiency using auto-tuning of an RF generator at constant maximum efficiency
US6998349B2 (en) 2003-02-06 2006-02-14 Lam Research Corporation System, method and apparatus for automatic control of an RF generator for maximum efficiency
US7033845B2 (en) * 2003-02-06 2006-04-25 Lam Research Corporation Phase control of megasonic RF generator for optimum operation
US7053000B2 (en) * 2003-02-06 2006-05-30 Lam Research Corporation System, method and apparatus for constant voltage control of RF generator for optimum operation
US6892472B2 (en) * 2003-03-18 2005-05-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning and drying a workpiece
KR101110905B1 (ko) 2003-06-11 2012-02-20 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 과포화된 세정 용액을 사용한 메가소닉 세정
WO2005056748A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-23 Covaris, Inc. Apparatus and methods for sample preparation
JP4442383B2 (ja) * 2004-10-12 2010-03-31 国立大学法人 東京大学 超音波洗浄装置
US8002971B2 (en) * 2004-10-20 2011-08-23 Arisdyne Systems, Inc. Desulfurization process and systems utilizing hydrodynamic cavitation
US7228645B2 (en) * 2005-01-11 2007-06-12 Xuyen Ngoc Pham Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate
US7757561B2 (en) * 2005-08-01 2010-07-20 Covaris, Inc. Methods and systems for processing samples using acoustic energy
US7597012B2 (en) * 2006-06-15 2009-10-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System and method for using a spray/liquid particle count (LPC) to measure particulate contamination
US8353619B2 (en) 2006-08-01 2013-01-15 Covaris, Inc. Methods and apparatus for treating samples with acoustic energy
EP1925359A1 (en) 2006-11-22 2008-05-28 Covaris, Inc. Methods and apparatus for treating samples with acoustic energy to form particles and particulates
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
KR100832107B1 (ko) * 2007-02-15 2008-05-27 삼성전자주식회사 오염 검사 장치 및 방법, 그리고 상기 장치를 이용한레티클 세정 설비 및 방법
GB2472998A (en) * 2009-08-26 2011-03-02 Univ Southampton Cleaning using acoustic energy and gas bubbles
US20110316201A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer Level Packaging Using Blade Molding
US8539969B2 (en) * 2010-07-30 2013-09-24 Sematech, Inc. Gigasonic brush for cleaning surfaces
US8709359B2 (en) 2011-01-05 2014-04-29 Covaris, Inc. Sample holder and method for treating sample material
US20130340838A1 (en) * 2012-06-25 2013-12-26 Sematech, Inc. Facilitating streaming fluid using acoustic waves
DE102012224196A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Siemens Aktiengesellschaft Ultraschallvorrichtung und Haltegerät zum Reinigen von Bauteiloberflächen
US9117760B2 (en) * 2013-01-30 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for energized and pressurized liquids for cleaning/etching applications in semiconductor manufacturing
JP5734394B2 (ja) * 2013-11-11 2015-06-17 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2016058665A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
CN105983552B (zh) * 2015-02-15 2019-12-24 盛美半导体设备(上海)有限公司 一种防掉落的半导体清洗装置
US10590966B2 (en) 2015-02-24 2020-03-17 Sanyo-Onoda City Public University Corporation Method for generating mechanical and electrochemical cavitation, method for changing geometric shape and electrochemical properties of substance surface, method for peeling off rare metal, mechanical and electrochemical cavitation generator, and method for generating nuclear fusion reaction of deuterium
DE102015206233A1 (de) * 2015-04-08 2016-10-13 Dürr Ecoclean GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Fluidstrahls
GB2538276B (en) 2015-05-13 2017-05-10 Univ Southampton Cleaning apparatus and method
JP6808714B2 (ja) 2015-08-03 2021-01-06 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 洗浄組成物
CN106345721B (zh) * 2016-08-26 2018-10-16 北京七星华创电子股份有限公司 一种图形晶圆无损伤超声波/兆声波清洗装置
KR102517663B1 (ko) * 2017-11-15 2023-04-05 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법
CN108760885A (zh) * 2018-06-14 2018-11-06 德淮半导体有限公司 超声波扫描方法和超声波扫描装置
CN109570151B (zh) * 2019-01-25 2023-12-22 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 液流超声复合辅助激光清洗光学元件的装置及清洗方法
JP7396824B2 (ja) * 2019-07-02 2023-12-12 株式会社ディスコ 超音波水噴射装置
CN110293483B (zh) * 2019-07-22 2021-06-04 成都精密光学工程研究中心 一种基于共聚焦兆声波微射流的抛光装置和方法
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置
JP2022117116A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 株式会社ディスコ 剥離装置
KR20230031180A (ko) * 2021-08-26 2023-03-07 야마하 로보틱스 홀딩스 가부시키가이샤 초음파 세정 방법
CN114345806A (zh) * 2021-12-31 2022-04-15 江苏华臻航空科技有限公司 一种用于水射流清洗的超声波发生装置
CN115533628A (zh) * 2022-09-09 2022-12-30 天津大学 基于液柱耦合方式的聚焦超声表面强化系统

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2891176A (en) * 1955-07-13 1959-06-16 Branson Instr Compressional wave generating apparatus
US2980123A (en) * 1955-11-14 1961-04-18 Jerome H Lemelson Ultrasonic apparatus
US2987068A (en) * 1956-05-01 1961-06-06 Branson Instr Apparatus for ultrasonic cleaning
US2992142A (en) * 1958-01-17 1961-07-11 Detrex Chem Ind Ultrasonic cleaning method
US3066686A (en) * 1960-05-10 1962-12-04 Bendix Corp Sonic treating apparatus
US3089790A (en) * 1960-06-09 1963-05-14 Cavitron Ultrasonics Inc Ultrasonic cleaning devices and method of cleaning
US3154890A (en) * 1961-04-13 1964-11-03 Jerome H Lemelson Ultrasonic tool
US3373752A (en) * 1962-11-13 1968-03-19 Inoue Kiyoshi Method for the ultrasonic cleaning of surfaces
US4034025A (en) * 1976-02-09 1977-07-05 Martner John G Ultrasonic gas stream liquid entrainment apparatus
US4064885A (en) * 1976-10-26 1977-12-27 Branson Ultrasonics Corporation Apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy
GB2005147B (en) * 1977-09-15 1982-03-10 Rolls Royce Fluid operated nozzles for generation of vibrations in liquid
US4168628A (en) * 1977-10-20 1979-09-25 Rca Corporation Pulse-echo ultrasonic-imaging display system having time-varied effective aperture
US4138895A (en) * 1977-10-20 1979-02-13 Rca Corporation Switchable depth of focus pulse-echo ultrasonic-imaging display system
JPS54103266A (en) * 1978-01-30 1979-08-14 Matsushita Electric Works Ltd Ultrasonic cleaner
US4155259A (en) * 1978-05-24 1979-05-22 General Electric Company Ultrasonic imaging system
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus
US4401131A (en) * 1981-05-15 1983-08-30 Gca Corporation Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US4501285A (en) * 1982-04-05 1985-02-26 Sonobond Ultrasonics, Inc. Ultrasonic cleaning apparatus
US4534221A (en) * 1982-09-27 1985-08-13 Technicare Corporation Ultrasonic diagnostic imaging systems for varying depths of field
JPS6116528A (ja) * 1985-06-14 1986-01-24 Hitachi Ltd ウエハ洗浄装置
DE3635364A1 (de) * 1986-10-17 1988-04-28 Fraunhofer Ges Forschung Gruppenstrahler
US4834124A (en) * 1987-01-09 1989-05-30 Honda Electronics Co., Ltd. Ultrasonic cleaning device
US4869278A (en) * 1987-04-29 1989-09-26 Bran Mario E Megasonic cleaning apparatus
JPS6490078A (en) * 1987-09-30 1989-04-05 Honda Electronic Ultrasonic washer
JPH01111337A (ja) * 1987-10-26 1989-04-28 Toshiba Corp ウエーハ洗浄装置
JPH01143224A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH01143223A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH0314230A (ja) * 1989-06-13 1991-01-22 Toshiba Corp 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置
US5017236A (en) * 1989-08-21 1991-05-21 Fsi International, Inc. High frequency sonic substrate processing module
US5013241A (en) * 1989-09-18 1991-05-07 Von Gutfeld Robert J Ultrasonic jet dental tool and method
US5129956A (en) * 1989-10-06 1992-07-14 Digital Equipment Corporation Method and apparatus for the aqueous cleaning of populated printed circuit boards
JP2877411B2 (ja) * 1990-01-24 1999-03-31 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置
US5069236A (en) * 1990-03-07 1991-12-03 Pathway Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning disks
US5107880A (en) * 1990-03-07 1992-04-28 Pathway Systems, Inc. Disk cleaning apparatus
JPH03286530A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Seiko Epson Corp ウエハ洗浄装置
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
JPH04213827A (ja) * 1990-12-11 1992-08-04 Nec Yamagata Ltd 半導体製造用ウェーハ表面洗浄装置
US5088510A (en) * 1991-02-04 1992-02-18 Bannon John H Ultrasonic parts cleaning container
US5143106A (en) * 1991-02-04 1992-09-01 Bannon John H Ultrasonic parts cleaning container

Also Published As

Publication number Publication date
US5562778A (en) 1996-10-08
EP0658925A1 (en) 1995-06-21
US5368054A (en) 1994-11-29
JPH07201799A (ja) 1995-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2647352B2 (ja) 半導体ウエハー洗浄装置
CN1712144B (zh) 超声波清洗装置
WO2006040993A1 (ja) 超音波洗浄装置
US20170271145A1 (en) Method and an apparatus for cleaning substrates
WO2000028578A2 (en) Improved megasonic cleaner
JP2007527606A (ja) ディスク様基板の湿式処理装置と方法
TWI600479B (zh) 超音波及百萬赫超音波清洗裝置
JP7348932B2 (ja) 半導体ウエハの洗浄装置、および、洗浄方法
US20020096578A1 (en) Megasonic cleaning device and process
US5927308A (en) Megasonic cleaning system
US6554003B1 (en) Method and apparatus for cleaning a thin disc
WO2023134313A1 (zh) 大尺寸晶圆兆声清洗系统
US20040168706A1 (en) Method and apparatus for megasonic cleaning with reflected acoustic waves
JP2002079177A (ja) 超音波振動子及びウエット処理用ノズル並びにウエット処理装置
US20060054182A1 (en) System and method of powering a sonic energy source and use of the same to process substrates
JP3323384B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR101688455B1 (ko) 횡파 발생 방지가 가능한 압전소자를 가진 초음파 진동자 및 이를 포함하는 초음파 세정 장치
JPH09148295A (ja) 回転式基板処理装置
JP2000216126A (ja) 基板洗浄方法およびその装置
JP2003340330A (ja) 超音波洗浄用ノズル、超音波洗浄装置及び半導体装置
JP2010238744A (ja) 超音波洗浄ユニット、超音波洗浄装置
JP3927936B2 (ja) 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置
JP4957277B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2001096243A (ja) 超音波ノズルユニットとそれを用いた超音波処理装置及び超音波処理方法
JP3328488B2 (ja) 基板洗浄装置