JP2623428B2

JP2623428B2 - ヒドロキシ吉草酸誘導体

Info

Publication number: JP2623428B2
Application number: JP5096494A
Authority: JP
Inventors: 孝志岩城; 健司新庄; 明雄吉田; 眞孝山下; 一春片桐
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-08-08
Filing date: 1993-04-01
Publication date: 1997-06-25
Anticipated expiration: 2012-06-25
Also published as: JPH08268968A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は分子構造の変更が容易で
且つ光学活性を有するヒドロキシ吉草酸誘導体に関する
もので、更に詳しくは光学活性なヒドロキシ吉草酸誘導
体であるところの液晶性化合物中間体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶素子としては、例えばエム・
シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリ
ヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、”アプライド、フィズ
ィクス、レターズ”１８巻４号（”ＡｐｐｌｉｅｄＰ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ”、Ｖｏｌ．１８，Ｎ
ｏ．４）（１９７１．２．１５）、Ｐ．１２７〜１２８
の「捩れネマチック液晶の電圧依存光学挙動」（” Ｖ
ｏｌｔａｇｅ−ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ
ＡｃｔｉｖｉｔｙｏｆａＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａ
ｔｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ”）に記載され
たＴＮ（ツイステッド・ネマチック）液晶を用いたもの
が知られている。しかしながら、このＴＮ液晶は、画素
密度を高くしたマトリクス電極構造を用いた時分割駆動
の時、クロストークを発生する問題点があるため、画素
数が制限されていた。また、電界応答が遅く視野角特性
が悪いためにディスプレイとしての用途は限定されてい
た。

【０００３】更に、各画素に薄膜トランジスタによるス
イッチング素子を接続し、各画素毎をスイッチングする
方式の表示素子が知られているが、基板上に薄膜トラン
ジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示
素子を作成することが難しい問題点がある。

【０００４】このような従来型の液晶素子の欠点を改善
するものとして、双安定性を有する液晶素子の使用が、
クラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒ
ｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７
２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。双安定性を有する液晶としては、一般に、カイラ
ルスメクティックＣ相（ＳｍＣ^*）又はＨ相（Ｓｍ
Ｈ^*）を有する強誘電性液晶が用いられる。

【０００５】この強誘電性液晶は自発分極を有するため
に非常に速い応答速度を有する上にメモリー性のある双
安定状態を発現させることができさらに視野角特性もす
ぐれていることから大容量大画面のディスプレイとして
適している。

【０００６】強誘電性液晶に用いられるところの液晶性
化合物は不斉炭素を有しているためにそのカイラルスメ
クチック相を用いるところの強誘電性液晶として利用す
る以外に次のような光学素子に対しても使用することが
できる。

【０００７】１）液晶状態においてコレステリック・ネ
マティック相転移効果を利用するもの（Ｊ．Ｊ．Ｗｙｓ
ｏｋｉ，Ａ．ＡｄａｍｓａｎｄＷ．Ｈａａｓ；Ｐｈ
ｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，２０，１０２４（１９６
８））、２）液晶状態においてホワイト・テイラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの（Ｄ．Ｌ．Ｗｈｉｔｅａｎｄ
Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４５，４７１８（１９７４））、３）液晶状態においてコレステリック相を持つものをマ
トリックス中ヘ固定することにより、その選択散乱特性
を利用し、ノッチフィルターやバンドバスフィルターと
して利用するもの（Ｆ．Ｊ．Ｋａｈｎ，Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１８，２３１（１９７１））、円偏
光特性を利用した円偏光ビームスプリッターとして利用
するもの（Ｓ．Ｄ．Ｊａｃｏｂｓ，ＳＰＩＥ，３７，９
８（１９８１））；等。

【０００８】個々の方式についての詳細な説明は省略す
るが、いずれも表示素子や変調素子として重要である。

【０００９】従来、光学活性を有することを特徴とする
光学素子に必要な機能性材料を合成するための光学活性
中間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチル
アルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メ
チルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、ア
ミノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール誘導
体等が知られている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらは次の
ような欠点を有している。光学活性な鎖状炭化水素誘導
体は構造の変更が困難で、しかも一部のものを除き非常
に高価なものである。アミノ酸誘導体は比較的安価な上
に構造の変更も容易であるがアミンの水素基が化学的に
活性が強く、水素結合や化学反応を生じやすいために機
能性材料の特性を制限してしまいやすい。ショウノウ誘
導体、コレステロール誘導体は構造の変更が困難なうえ
に立体的な障害によって機能性材料の特性に悪影響を与
えやすい。

【００１１】上記のような欠点は、種々の材料を開発す
る上で大きな制約となっていた。

【００１２】上述の事情に鑑み、本発明の主要な目的
は、適当な光学活性中間体として有用であるだけでな
く、液晶状態の制御に有用な光学活性化合物を提供する
ことにある。

【００１３】より具体的には、本発明は、液晶・ＬＢ膜
・二分子膜等を形成するための適度な分子間力と形状を
もった機能性材料中間体と光学活性を損なうことなく結
合させることができ、分子設計を自由に行うことができ
る化合物を提供することを目的とする。

【００１４】また、本発明はアルキル基の長さを変更す
ることが容易で、このことによりＨ．Ａｒｎｏｌｄ，
Ｚ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，２２６，１４６（１９６
４）に示されるように液晶状態において発現する液晶相
の種類や温度範囲を制御することが可能な液晶性化合物
の中間体を提供することを目的とする。

【００１５】更に本発明はＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂ
ｌｏｄｇｅｔｔ）膜法により単分子累積膜を作製する場
合には容易に疎水基を制御することが出来、安定に成膜
することが可能な化合物の提供を目的とする。

【００１６】

【課題を解決しようとする課題】すなわち、本発明は、
一般式（Ｉ）

【００１７】［上記一般式中、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を示
し、Ｃ^＊は不斉炭素原子を示す。１は０または１であ
り、１＝１のときｍ、ｎは０または１である。またＡは
水酸基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、
またはトシルオキシ基である］で表わされる光学活性な
ヒドロキシ吉草酸誘導体を提供するものである。

【００１８】

【００１９】

【発明の具体的説明】上記光学活性物質を示す一般式
（Ｉ）中、Ｒは炭素原子数１〜１８の直鎖状、分岐状ま
たは環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基のものであ
る。１９以上では最終的な機能材料としたときの粘度や
モル体積が増加するため好ましくない。また、好ましい
Ｒの炭素原子数は４〜１６である。Ｒの具体例としては
直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、シクロアルキル
基、直鎖状アルケニル基、分岐状アルケニル基、シクロ
アルケニル基、直鎖状アルカディエニル基、分岐状アル
カディエニル基、シクロアルカディエニル基、直鎖状ア
ルカトリエニル基、分岐状アルカトリエニル基、直鎖状
アルキニル基、分岐状アルキニル基、アラルキル基があ
る。後記する液晶性化合物を与えるためには、特にアル
キル基が好ましい。また、Ｃ^*は不斉炭素原子を示す。
Ａが水酸基である場合、本発明の光学活性ヒドロキシ吉
草酸誘導体に反応させる試薬を種々変化させることによ
り液晶性化合物、その他の機能性化合物を得ることがで
きる。

【００２０】そのような液晶性化合物の一例として、Ａ
が

【００２１】

【化３】（ただし、Ｒ¹は炭素数４〜１８のアルキル基またはア
ルコキシ基を示し、

【００２２】

【化４】ｐ、ｑ、ｒは０または１でありｐ＋ｑ＋ｒ≧１の関係を
満たす）のものが得られる。この場合Ｒ¹の特に好まし
い炭素原子数は６〜１６である。

【００２３】上記以外の光学素子や変調素子等の用途に
適した機能性材料を合成するためには、本発明により提
供される光学活性なヒドロキシ吉草酸誘導体（Ａ＝Ｏ
Ｈ）と分子制御を行うことのできる適度な分子間力と形
状をもった機能性材料中間体とを光学活性を損なうこと
なく結合することが有効である。本発明のヒドロキシ吉
草酸誘導体と組み合わせることの有効な機能性材料中間
体としては、アゾあるいはアゾキシベンゼン誘導体、ビ
フェニル誘導体、ターフェニル誘導体、フェニルシクロ
ヘキサン誘導体、安息香酸誘導体、ピリミジン誘導体、
ピラジン誘導体、ピリジン誘導体、スチルベン誘導体、
トラン誘導体、カルコン誘導体、ビシクロヘキサン誘導
体、ケイ皮酸誘導体等である。

【００２４】次に、本発明の一般式（Ｉ）で示される光
学活性なヒドロキシ吉草酸誘導体の合成方法の例を示
す。

【００２５】

【化５】

【００２６】上記反応式におけるＲＩは炭素数の広い範
囲にわたって選択することが可能であり、具体的にはヨ
ードブタン、ヨードペンタン、ヨードヘキサン、ヨード
ヘプタン、ヨードオクタン、ヨードノナン、ヨードデカ
ン、ヨードウンデカン、ヨードドデカン、ヨードトリデ
カン、ヨードテトラデカン、ヨードペンタデカン、ヨー
ドヘキサデカン、ヨードヘプタデカン、ヨードオクタデ
カン、ヨードノナデカン、ヨードエイコサン等の直鎖状
飽和炭化水素ヨウ化物；２−ヨードブタン、１−ヨード
−２−メチルプロパン、１−ヨード−３−メチルブタン
等の分岐状飽和炭化水素ヨウ化物；ヨードベンジル、ヨ
ードフェナシル、３−ヨード−１−シクロヘキセン等の
環状不飽和炭化水素ヨウ化物；ヨードシクロペンタン、
ヨードシクロヘキサン、１−ヨード−３−メチルシクロ
ヘキサン、ヨードシクロヘプタン、ヨードシクロオクタ
ン等の環状飽和炭化水素ヨウ化物がある。

【００２７】以上のようなヨウ化物から自由に選択する
ことによりＲの異なる光学活性なヒドロキシ吉草酸誘導
体（ｂ）を得ることができる。

【００２８】また得られたヒドロキシ吉草酸誘導体
（ｂ）により次に示す合成経路によって本発明のヒドロ
キシ吉草酸誘導体（Ａ＝ＯＨ）が得られ、また式（Ｉ）
において

【００２９】

【化６】である液晶性の化合物が得られる。

【００３０】また下記合成経路において、

【００３１】を用いれば、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる他の化
合物（Ａ＝アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ
基、またはトシルオキシ基）が同様に得られる。

【００３２】

【化８】

【００３３】（上記においてＲ、Ｒ¹およびｌ、ｍ、
ｎ、ｐ、ｑ、ｒは前記で定義した通りである。）このようにして本発明のヒドロキシ吉草酸誘導体から得
られる液晶性化合物の例を後記表１および表２に示す。

【００３４】表中、相転移温度の欄における記号は、そ
れぞれ以下の相を示す。

【００３５】Ｃｒｙｓｔ．：結晶相、ＳｍＡ：スメクチ
ックＡ相、ＳｍＣ^*：カイラルスメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、Ｃｈ．：コレステリック相、Ｉｓｏ：等方相、Ｓｍ３：ＳｍＡ、ＳｍＣ^*以外のス
メクチック相（未同定）。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】また、表１および表２に記載の化合物及び
前述の合成法をもとに以下の化合物が得られる。

【００３９】

【化９】

【００４０】

【化１０】

【００４１】本発明の液晶組成物は、上記一般式（Ｉ）
で表わされる光学活性物質を少なくとも１種類配合成分
として含有するものである。

【００４２】上記組成物のうち下式（１）〜（１３）に
代表して示されるような強誘電性液晶を配合成分とする
ものは、自発分極を増大させることが可能でありさらに
粘度を低下させる効果とあいまって応答速度を改善する
ことができ好ましい。このような場合には一般式（Ｉ）
で示される本発明のヒドロキシ吉草酸誘導体（Ａ＝Ｏ
Ｈ）を０．１〜３０重量％の比率で使用することが好ま
しい。

【００４３】

【化１１】

【００４４】

【化１２】

【００４５】

【化１３】

【００４６】

【化１４】

【００４７】

【化１５】

【００４８】また下式１）〜５）で示されるような、そ
れ自体はカイラルでないスメクチック液晶に配合するこ
とにより、強誘電性液晶として使用可能な組成物が得ら
れる。

【００４９】このような場合においては一般式（Ｉ）で
示される本発明のヒドロキシ吉草酸誘導体である光学活
性物質を０．１〜９０重量％の比率で使用することがで
きる。また一般式（Ｉ）で示される本発明の液晶性の乳
酸誘導体を０．１〜９９重量％の比率で使用することが
できる。

【００５０】

【化１６】

【００５１】

【化１７】

【００５２】また本発明のヒドロキシ吉草酸誘導体を少
なくとも１種類配合成分として含有するネマチック液晶
はツイステッドネマチック（ＴＮ）型セルにして使用す
る場合にリバースドメインの発生を防止することができ
好ましい。

【００５３】これらの液晶材料を用いて素子を構成する
場合、液晶材料が例えばＳｍＣ^*相またはＳｍＨ^* 相と
なるような温度状態に保持する為、必要に応じて素子を
ヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持するこ
とができる。

【００５４】図１は、強誘電性液晶の動作説明のため
に、セルの例を模式的に描いたものである。１１ａと、
１１ｂは、それぞれＩｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂あるいはＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の薄膜から
なる透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向
したＳｍＣ^*相又はＳｍＨ^*相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線１３が液晶分子を表わしており、こ
の液晶分子１３はその分子に直交した方向に双極子モ−
メント（Ｐ⊥）１４を有している。基板２１と１１ｂ上
の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分
子１３のらせん構造がほどけ、双極子モ−メント（Ｐ
⊥）１４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子１３は
配向方向を変えることができる。液晶分子１３は、細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光
学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に
理解される。

【００５５】本発明の光学変調素子で好ましく用いられ
る液晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以
下）することができる。このように液晶層が薄くなるに
したがい、図２に示すように電界を印加していない状態
でも液晶分子のらせん構造がほどけ、その双極子モ−メ
ントＰａまたはＰｂは上向き（２４ａ）又は下向き（２
４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、図
２に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又は
Ｅｂを電圧印加手段２１ａと２１ｂにより付与すると、
双極子モ−メントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトル
に対応して上向き２４ａ又は下向き２４ｂと向きを変
え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態２３ａか
あるいは第２の安定状態２３ｂの何れか１方に配向す
る。

【００５６】このような強誘電性を光学変調素子として
用いることの利点は、先にも述べたが２つある。

【００５７】その第１は、応答速度が極めて速いことで
あり、第２は液晶分子の配向が双安定性を有することで
ある。第２の点を、例えば図２によって更に説明する
と、電界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態２
３ａに配向するが、この状態は電界を切っても安定であ
る。又、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第
２の安定状態２３ｂに配向してその分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留つている。又、
与える電界ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限
り、それぞれ前の配向状態にやはり維持されている。こ
のような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現され
るにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般
的には０．５μ〜２０μ、特に１μ〜５μが適してい
る。

【００５８】次に強誘電性液晶の駆動法の具体例を、図
３〜図５を用いて説明する。

【００５９】図３は、中間に強誘電性液晶化合物（図示
せず）が挾まれたマトリクス電極構造を有するセル３１
の模式図である。３２は、走査電極群であり、３３は信
号電極群である。最初に走査電極Ｓ₁が選択された場合
について述べる。図４（ａ）と図４（ｂ）は走査信号で
あって、それぞれ選択された走査電極Ｓ₁に印加される
電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電
極）Ｓ₂、Ｓ₃、Ｓ₄・・・に印加される電気信号を示
している。図４（ｃ）と図４（ｄ）は、情報信号であっ
てそれぞれ選択された信号電極Ｉ₁、Ｉ₃、Ｉ₅と選択
されない信号電極Ｉ₂、Ｉ₄に与えられる電気信号を示
している。

【００６０】図４および図５においては、それぞれ横軸
が時間を、縦軸が電圧を表す。例えば、動画を表示する
ような場合には、走査電極群３２は逐次、周期的に選択
される。今、所定の電圧印加時間ｔ₁またはｔ₂に対し
て双安定性を有する液晶セルの、第１の安定状態を与え
るための閾値電圧を−Ｖｔｈ₁とし、２の安定状態を与
えるための閾値電圧を＋Ｖｔｈ₂とすると、選択された
走査電極３２（Ｓ₁）に与えられる電極信号は、図４
（ａ）に示される如く位相（時間）ｔ₁では、２Ｖを、
位相（時間）ｔ₂では、−２Ｖとなるような交番する電
圧である。このように選択された走査電極に互いに電圧
の異なる複数の位相間隔を有する電気信号を印加する
と、光学的「暗」あるいは「明」状態に相当する液晶の
第１あるいは第２の安定状態間での状態変化を、速やか
に起こさせることができるという重要な効果が得られ
る。

【００６１】一方、それ以外の走査電極Ｓ₂〜Ｓ₅・・
・は、図４（ｂ）に示す如くアース状態となっており、
電気信号０である。また、選択された信号電極Ｉ₁、Ｉ
₃、Ｉ₅に与えられる電気信号は、図４（ｃ）に示され
る如くＶであり、また選択されない信号電極Ｉ₂、Ｉ₄
に与えられる電気信号は、図４（ｄ）に示される如く−
Ｖである。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満
足する所望の値に設定される。

【００６２】Ｖ＜Ｖｔｈ₂＜３Ｖ −３Ｖ＜−Ｖｔｈ₁＜−Ｖこの様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば図３中の画素ＡとＢにそれぞれ印加される電圧波形
を図５（ａ）と（ｂ）に示す。すなわち、図５（ａ）と
（ｂ）より明らかな如く、選択された走査線上にある画
素Ａでは、位相ｔ₂に於て、閾値Ｖｔｈ₂を越える電圧
３Ｖが印加される。また、同一走査線上に存在する画素
Ｂでは位相ｔ₁に於て閾値−Ｖｔｈ₁を越える電圧−３
Ｖが印加される。従って、選択された走査電極線上に於
て、信号電極が選択されたか否かに応じて、選択された
場合には、液晶分子は第１の安定状態に配向を揃え、選
択されない場合には第２の安定状態に配向を揃える。

【００６３】一方、図５（ｃ）と（ｄ）に示される如
く、選択されない走査線上では、すべての画素に印加さ
れる電圧はＶまたは−Ｖであって、いずれも閾値電圧を
越えない。従って、選択された走査線上以外の各画素に
おける液晶分子は、配向状態を変えることなく前回走査
されたときの信号状態に対応した配向を、そのまま保持
している。即ち、走査電極が選択されたときにその１ラ
イン分の信号の書き込みが行われ、１フレームが終了し
て次回選択されるまでの間は、その信号状態を保持し得
るわけである。従って、走査電極数が増えても、実質的
なデューテイ比はかわらず、コントラストの低下は全く
生じない。

【００６４】次に、ディスプレイ装置として駆動を行っ
た場合の実際に生じ得る問題点について考えてみる。図
３に於て、走査電極Ｓ₁〜Ｓ₅・・・と信号電極Ｉ ₁〜
Ｉ₅・・・の交点で形成する画素のうち、斜線部の画素
は「明」状態に、白地で示した画素は、「暗」状態に対
応するものとする。今、図３中の信号電極Ｉ₁上の表示
に注目すると、走査電極Ｓ₁に対応する画素（Ａ）では
「明」状態であり、それ以外の画素（Ｂ）はすべて
「暗」状態である。この場合の駆動法の一例として、走
査信号と信号電極Ｉ₁に与えられる情報信号及び画素Ａ
に印加される電圧を時系列的に表したものが図６であ
る。

【００６５】例えば図６のようにして、駆動した場合、
走査信号Ｓ₁が走査されたとき、時間ｔ₂に於て画素Ａ
には、閾値Ｖｔｈ₂を越える電圧３Ｖが印加されるた
め、前歴に関係なく、画素Ａは一方向の安定状態、即ち
「明」状態に転移（スイッチ）する。その後は、Ｓ₂
〜Ｓ₅・・・が走査される間は図６に示される如く−Ｖ
の電圧が印加され続けるが、これは閾値−Ｖｔｈ₁を越
えないため、画素Ａは「明」状態を保ち得るはずである
が、実際にはこのように１つの信号電極上で一方の信号
（今の場合「暗」に対応）が与えられ続けるような情報
の表示を行う場合には、走査線数が極めて多く、しかも
高速駆動が求められるときには反転現象を生じるが、前
述した特定の液晶化合物またはそれを含有した液晶組成
物を用いることによって、この様な反転現象は完全に防
止される。

【００６６】さらに、本発明では、前述の反転現象を防
止する上で液晶セルを構成している対向電極のうち少な
くとも一方の電極に絶縁物質により形成した絶縁膜を設
けることが好ましい。

【００６７】この際に使用する絶縁物質としては、特に
制限されるものではないが、シリコン窒化物、水素を含
有するシリコン窒化物、シリコン炭化物、水素を含有す
るシリコン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素
を含有する硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム
酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マ
グネシウムなどの無機絶縁物質、あるいはポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポ
リ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース
樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂やフォ
トレジスト樹脂などの有機絶縁物質が絶縁膜として使用
される。これらの絶縁膜の膜厚は５０００Å以下、好ま
しくは１００Å〜１０００Å、特に５００Å〜３０００
Åが適している。

【００６８】

【発明の効果】本発明の光学活性なヒドロキシ吉草酸誘
導体は適当な分子間力と形状をもった機能性材料中間体
と光学活性を損なうことなく結合させることができ分子
設計を自由に行うことができる。特にアルキル基の長さ
を選択することにより液晶状態において発現する液晶相
の種類や温度範囲を制御することが可能である。また本
発明の光学活性なヒドロキシ吉草酸誘導体を少なくとも
１種類を配合成分として含有するところの液晶組成物
は、カイラルネマチック液晶、カイラルスメクチック液
晶として使用することにより、自発分極の増加、粘度調
整等を通じて、応答速度の向上、リバースドメインの発
生防止等の性能改善が可能である。

【００６９】以下、参考例（本発明の光学活性物質を中
間体とする液晶性化合物の製造例（参考例１〜１１）お
よび該液晶性化合物を含む液晶組成物による素子製造例
（参考例１２〜１３））ならびに実施例により本発明の
光学活性物質について更に具体的に説明する。

【００７０】実施例１下記工程により、（Ｓ）−４−オクチルオキシペンタノ
ールを製造した。

【００７１】Ｌ（＋）−乳酸エチル９８ｇ、ヨウ化オク
チル３８０ｇおよび酸化銀２４５ｇを加え、６０℃で１
６時間撹拌した。不溶物を濾過後、減圧蒸留し、１１０
〜１３０℃／３ｍｍＨｇの留分として、２−オクチルオ
キシプロピオン酸エチル７７ｇを得た。

【００７２】次に、ジエチルエーテル２５０ｍｌにＬｉ
ＡｌＨ₄７．５ｇを加え、しばらく撹拌後、上記エステ
ル体５６ｇのジエチルエーテル５０ｍｌ溶液を５℃以下
で２時間かけて滴下し、滴下後室温で２時間撹拌し、さ
らに１５時間放置した。反応終了後５％塩酸３０ｍｌを
加え、さらに６Ｎ塩酸で塩酸酸性（ｐＨ〜１）とし、エ
ーテル抽出した。水洗後、乾燥し、溶媒を留去した。減
圧蒸留し、１０７℃／３ｍｍＨｇの留分として２−オク
チルオキシプロパノール３９．５ｇを得た。

【００７３】次に上記アルコール体７０ｇにピリジン２
３０ｍｌを加え、撹拌下、トシルクロライド８５ｇを１
０℃以下で３０分かけて加えた。この温度で１５分撹拌
後、昇温して２０〜２４℃で３．５時間撹拌した。冷水
に注入後、ベンゼン抽出し、５％塩酸、水の順で洗浄
し、乾燥した。ベンゼンを留去し、（２−オクチルオキ
シプロピル）ｐ−トルエンスルホネート１２７ｇを得
た。

【００７４】エタノール２２０ｍｌ中に９５％ナトリウ
ムエトキシド２６．７ｇを加え、撹拌下９８％マロン酸
ジエチル７３．１ｇを３６〜３８゜で５０分かけて滴下
した。さらに３０分撹拌後、上記トシレート体１２７ｇ
を、３６〜３８℃で１時間かけて滴下した。さらに１５
分撹拌後昇温し、１８時間還流した。反応後氷水を注入
し、ベンゼン抽出し水洗後乾燥した。溶媒留去して、１
４９ｇの４−オクチルオキシ−２−エトキシカルボニル
吉草酸エチルを得た。

【００７５】次いで、８５％ＫＯＨ８８．５ｇを水９０
ｍｌに溶かし上記エステル体１４９ｇを２０〜２５℃で
５０分かけて滴下し、３０分撹拌後、２時間還流した。
冷却後、１５℃以下に保ち、濃硫酸１５３ｇを水１９６
ｍｌに溶かし、これを１時間かけて滴下した。３０分撹
拌後、３時間還流した。室温まで冷却した後、ベンゼン
で抽出した。べンゼン層を５％ＮａＯＨ水溶液で洗い、
水層に加えた。水層を６Ｎ塩酸で酸性（ｐＨ１）とし、
ベンゼン抽出、水洗を行い、無水ＭｇＳＯ₄で乾燥し
た。溶媒を留去して４−オクチルオキシ吉草酸５４ｇを
得た。

【００７６】乾燥エーテル２１０ｍｌ中にＬｉＡｌＨ₄
１０ｇを加え撹拌下、上記カルボン酸５４ｇのエーテル
７０ｍｌ溶液を、２〜６℃に保ちながら７０分かけて滴
下した。滴下後、２３℃まで昇温し３時間撹拌した。１
２時間放置後、５％塩酸を１５℃以下に保ちながら加
え、塩酸酸性とした後、エーテル抽出し、水、５％Ｎａ
ＯＨ水溶液、水の順に洗い無水ＭｇＳＯ₄で乾燥した。
溶媒留去しついで減圧蒸留し、１５０℃／５ｍｍＨｇの
留分として（Ｓ）−４−オクチルオキシペンタノール１
０ｇを得た。

【００７７】生成物について、下記のＩＲ（赤外吸収）
データを得た。

【００７８】ＩＲ（ｃｍ^-1）：３３６０、２９７０〜２
８６０、１４６０、１３７０、１３４０、１０８０。

【００７９】実施例２〜３実施例１と同様な合成法により以下の化合物を合成し
た。生成物を、そのＩＲデータとともに示す。

【００８０】・（Ｓ）−４−プロポキシペンタノールＩＲ（ｃｍ^-1）：３３７０、２９７０〜２８７０、１４
６０、１３７０、１３４０、１０８０。

【００８１】・（Ｓ）−４−ペンチルオキシペンタノー
ルＩＲ（ｃｍ^-1）：３３６０、２９７０〜２８７０、１４
６０、１３７０、１３４０、１０８０。

【００８２】実施例４（Ｒ）−４−プロポキシペンタノールの製造Ｄ−乳酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ−Ｄ−Ｌａｃｔａｔｅ）
１６０ｇと、１−ヨードプロパン５２４ｇを四ツ口フラ
スコへ混合し、新しく合成したＡｇ₂Ｏ４７１ｇをゆっ
くり添加した。次に液温を６０〜６５℃にて１時間撹拌
した後、濾過し、濾過物をエーテルにてよく洗い、濾液
のエーテルを留去した後、減圧蒸留して、メチル−２−
プロポキシプロピオネート１６１ｇを得た。

【００８３】次に、ＬｉＡｌＨ₄３５．３ｇを７５０ｍ
ｌのエーテルに加え３時間撹拌し、１０℃以下に保っ
て、上記で得たメチル−２−プロポキシプロピオネート
１６１ｇとエーテル１５０ｍｌの溶液を３．５時間で滴
下した。滴下終了後、液温を１７〜２０℃にて２．５時
間撹拌し、１２時間室温にて放置した。その後、５％塩
酸水溶液にて、酸性とし（ｐＨ１）、エーテル抽出し
た。エーテル層を水、５％ＮａＨＣＯ₃水溶液、水の順
に洗い、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濾過して
減圧蒸留して、９５〜１０３℃／１５０ｍｍＨｇの留分
を集めると７２ｇの２−プロポキシプロパノールが得ら
れた。

【００８４】次に２−プロポキシプロパノール７０ｇに
ピリジン１１４ｍｌ、ベンゼン２２８ｍｌを加え、この
溶液を１０℃以下に保って撹拌下、塩化メタンスルホニ
ル８１．５ｇを１時間かけて加えた、２５〜３０℃まで
昇温させ、３．５時間撹拌した。冷水に注入後、エーテ
ル抽出し、５％塩酸、水の順で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後、エーテルを留去し、（２−プロポ
キシプロピル）メタンスルホネート１１４ｇを得た。

【００８５】エタノール３４５ｍｌに９５％ナトリウム
エトキシド４３．３ｇを加え、撹拌下９８％マロン酸ジ
エチル１１４ｇを３３〜３６℃で５５分かけて滴下し
た。さらに３０分撹拌後、上記（２−プロポキシプロピ
ル）メタンスルホネート１１４ｇを３４〜３８℃で１時
間かけて滴下した。昇温し、８０〜８２℃で１８時間還
流させた。終了後、冷水に注入後、ベンゼンで抽出し、
水洗後、ベンゼンを留去し、減圧蒸留して、１００ｇの
４−プロポキシ−２−エトキシカルボニル吉草酸エチル
を得た（７５〜１１５℃／５ｍｍＨｇ）。

【００８６】次いで、８５％ＫＯＨ８７ｇを水８７ｍｌ
に溶かし、上記４−プロポキシ−２−エトキシカルボニ
ル吉草酸エチル１００ｇを１５〜２５℃で４５分かけて
滴下し、９０〜９６℃で２時間撹拌した後、冷却した。
液温を２０℃以下に保ち、濃硫酸１３８ｇと水１９４ｍ
ｌの溶液を３０分かけて滴下した。９０〜９５℃で３時
間撹拌した後、室温まで冷却し、エーテルで抽出した。
エーテル層を飽和食塩水にて洗浄した後、エーテルを留
去し減圧蒸留し、１００〜１３０℃／５ｍｍＨｇの留分
４７ｇを得た。これをベンゼンを加え、５％ＮａＯＨ水
溶液で洗い、水層を６Ｎ塩酸で酸性（ｐＨ＝１）とし、
エーテルにて抽出後、飽和食塩水で洗浄し、エーテルを
留去し、３８ｇの４−プロポキシ吉草酸を得た。

【００８７】次に乾燥エーテル２１７ｍｌにＬｉＡｌＨ
₄１０．１ｇを加え、撹拌下上記４−プロポキシ吉草酸
３８ｇ、エーテル４４ｍｌの溶液を１０℃以下に保ち、
３．５時間かけて滴下した。滴下後、２０〜２５℃まで
昇温し、３時間撹拌後、１２時間放置した。５％塩酸水
溶液を加え、酸性（ｐＨ＝１）とし、エーテル抽出し、
５％ＮａＯＨ水溶液、飽和食塩水の順に洗い無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、エーテルを留去した。ついで減圧
蒸留し、１０９〜１１７℃／３５ｍｍＨｇの留分である
（Ｒ）−４−プロポキシペンタノール２６ｇを得た。

【００８８】実施例５下記の工程により４−（４′−ペンチルオキシペンチル
オキシ）フェノールを製造した。

【００８９】４−ペンチルオキシペンタノール１７ｇを
ピリジン６０ｍｌに溶かし撹拌下、トシルクロリド２
２．４ｇを１０℃以下にて４０分かけて加えた。昇温し
て２５℃とし３時間撹拌した。反応後冷水を加え、エー
テル抽出し、５％塩酸、水の順で洗い、無水ＭｇＳＯ₄
で乾燥した。溶媒留去して（４−ペンチルオキシペンチ
ル）ｐ−トルエンスルホネート３１．９ｇを得た。

【００９０】次にハイドロキノン１６．１ｇ、８５％Ｋ
ＯＨ６．６ｇ、メタノール３０ｍｌ、およびエタノール
１２０ｍｌを加えて溶かした。５０〜５５℃で上記トシ
レート体３１．９ｇのエタノール溶液を４０分かけて滴
下した。滴下後６５℃まで昇温し、さらに２時間撹拌し
た。７時間還流後冷却し、冷水中に注入した。ヘキサン
抽出し、５％ＮａＯＨ水溶液で洗い水層に加えた。水層
を６Ｎ塩酸で酸性（ｐＨ１）とし、ヘキサン抽出、水洗
を行い、無水ＭｇＳＯ₄で乾燥した。溶媒留去して褐色
液体１８ｇを得た。これをシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒エーテル：ヘキサン＝３：１）によ
り精製し、４−（４′−ペンチルオキシペンチルオキ
シ）フェノール８．５ｇを得た。

【００９１】生成物について下記のＩＲデータを得た。

【００９２】ＩＲ（ｃｍ^-1）：３３５０、２９６０〜２
８７０、１５１０、１４５０、１３８０、１２３０、１
１００、８２０。

【００９３】実施例６下記の工程により４−（４′−プロピルオキシペンチル
オキシカルボニル）フェノールを製造した。

【００９４】ｐ−アセトキシ安息香酸１９．７ｇのベン
ゼン１２０ｍｌ溶液中に五塩化リン２３．４ｇを室温で
撹拌下少量ずつ加えた。その後、４時間加熱還流し、溶
媒留去し、酸塩化物２１．５ｇを得た。

【００９５】次に４−プロポキシペンタノール１６．０
ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン１３．３ｇを、エーテル
３２ｍｌに溶かし、室温で撹拌下、上記酸塩化物２１．
５ｇを４０分かけて滴下した。滴下後２．５時間加熱還
流した。反応後、水８０ｍｌを加えて結晶を溶かし、エ
ーテル抽出した。エーテル層を１０％硫酸、水の順で洗
浄し、無水Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥し、溶媒留去して３３．
９ｇの油状物を得た。これをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー［ヘキサン：イソプロピルエーテル＝２：１
〜１：１（グラジエント）］にて精製し、エステル体２
３．９ｇを得た。

【００９６】次に上記エステル体２３．９ｇをメタノー
ル８０ｍｌに溶かし、メタノール／アンモニア水（２８
％）＝１／１溶液を撹拌下で加えた。反応後、エーテル
抽出し、水洗後、無水Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥した。溶媒留
去して４−（４′−プロピルオキシペンチルオキシカル
ボニル）フェノール１８ｇを得た。生成物について下記
のＩＲデータを得た。

【００９７】ＩＲ（ｃｍ^-1）：３３５０、２９７０〜２
８７０、１７２０、１６１５、１５９０、１５２０、１
２８０、１１７０、１１００。

【００９８】参考例１下記の工程により５−オクチル−２−［４−（４′−オ
クチルオキシペンチルオキシ）フェニル］ピリミジンを
製造した。

【００９９】４−オクチルオキシペンタノール７ｇ、ｐ
−トルエンスルホニルクロリド４．３４ｇ、ピリジン
１．８ｇ、ベンゼン１０ｍｌを加え、Ｎ₂気流下で室温
にて２２時間撹拌した。その後反応混合物中に熱濃Ｎａ
ＯＨ水溶液６．５ｍｌを入れ、５分間撹拌した。次い
で、冷１０％塩酸中にそそぎヘキサンにて抽出した。ヘ
キサン層を、冷５％塩酸、飽和ＮａＨＣＯ₃水溶液、水
の順で洗浄し、無水ＭｇＳＯ₄で乾燥した。溶媒留去
し、アルミナカラム（ヘキサン）にて処理して、（４−
オクチルオキシペンチル）ｐ−トルエンスルホネート
６．６ｇを得た。

【０１００】次に５−オクチル−２−（４−ヒドロキシ
フェニル）ピリミジン５．７５ｇ、ＫＯＨ１．００７
ｇ、ＤＭＦ２８ｍｌを加え、１００℃で５０分撹拌し
た。その後上記トシレート体６．０ｇを加えて、１００
℃でさらに２．５時間撹拌した。反応終了後、冷水５０
０ｍｌ中に注ぎ、ベンゼンにて抽出した。ベンゼン層を
無水ＭｇＳＯ₄にて乾燥した後、溶媒留去した。さらに
アルミナカラム（ヘキサン）で処理し、３．１ｇの結晶
を得た。これをエタノールより再結晶して５−オクチル
−２−［４−（４′−オクチルオキシペンチルオキシ）
フェニル］ピリミジン１．６２ｇを得た。生成物につい
て、下記のＩＲデ−タおよびＮＭＲデータを得た。

【０１０１】ＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１
６１０、１５９０、１４４０、１２６０。

【０１０２】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．５〜６．８
（６Ｈ）、４．２〜２．３（７Ｈ）、２．１〜０．６
（３７Ｈ）ｐｐｍ。

【０１０３】参考例２〜３参考例１と同様な方法により、以下の化合物を合成し
た。生成物を、ＩＲおよびＮＭＲデータとともに示す。

【０１０４】・５−デシル−２−［４−（４′プロポキ
シペンチルオキシ）フェニル］ピリミジンＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１６１０、１５
９０、１４４０、１２６０。

【０１０５】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．６〜６．８
（６Ｈ）、４．２〜２．３（７Ｈ）、２．１〜０．６
（３１Ｈ）ｐｐｍ。

【０１０６】・５−ノニル−２−［４−（４′−ペンチ
ルオキシペンチルオキシ）フェニル］ピリミジンＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１６１０、１５
９０、１４４０、１２６０。

【０１０７】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．６〜６．８
（６Ｈ）、４．２〜２．３（７Ｈ）、２．１〜０．６
（３３Ｈ）。

【０１０８】参考例４下記の工程により４−（４′−デシルオキシフェニル）
安息香酸４−オクチルオキシペンチルを製造した。

【０１０９】４−（４′−デシルオキシフェニル）安息
香酸３．２８ｇのベンゼン１０ｍｌ溶液中に、五塩化リ
ン１．９７ｇを、室温で撹拌下少しずつ加えた。その後
６時間還流し、溶媒留去して酸塩化物３．６０ｇを得
た。

【０１１０】次に、４−オクチルオキシペンタノール
２．０ｇを、ピリジン１６ｍｌに入れ、２℃にて上記酸
塩化物のトルエン１０ｍｌ溶液を滴下した。滴下後７時
間撹拌し、氷水中にそそぎ、６Ｎ塩酸で酸性にし、生じ
た結晶を濾別した。有機層を水、２ＮＮａＯＨ水溶液、
水の順に洗浄し、無水ＭｇＳＯ₄で乾燥した。

【０１１１】溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１）にて精
製し、２．７ｇの結晶を得た。さらにエタノールから再
結晶して、４−（４′−デシルオキシフェニル）安息香
酸４−オクチルオキシペンチル１．２ｇを得た。生成物
について、下記のＩＲおよびＮＭＲデータを得た。

【０１１２】ＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１
７２０、１６１０、１２９０、１２００、１１２０。

【０１１３】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．３〜６．９
（８Ｈ）、４．６〜３．２（７Ｈ）、２．２〜０．７
（４１Ｈ）。

【０１１４】参考例５下記の工程により、４−オクチルオキシ安息香酸４−
（４′−ペンチルオキシペンチルオキシ）フェニルを製
造した。

【０１１５】４−オクチルオキシ安息香酸２．５ｇに塩
化チオニル８ｍｌを加え、２時間還流した。過剰の塩化
チオニルを留去し、酸塩化物を得た。

【０１１６】次に、４−（４′−ペンチルオキシペンチ
ルオキシ）フェノール２．６ｇのピリジン１２ｍｌ溶液
に、上記酸塩化物のトルエン溶液を１０℃以下で１５分
かけて滴下した。滴下後、室温にて１５時間撹拌した。
反応後、冷水中にそそぎ、エーテル抽出した。エーテル
層を５％塩酸、水、５％ＮａＯＨ水溶液、水の順で洗浄
し無水Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥した。溶媒留去してエタノー
ルで再結晶し、４−オクチルオキシ安息香酸４−（４′
−ペンチルオキシペンチルオキシ）フェニル４．４ｇを
得た。

【０１１７】ＩＲ（ｃｍ^-1 ）：２９６０〜２８６０、１
７３０、１６００、１５１０、１４７０、１２５０、１
１９０、１０７０、７６０。

【０１１８】参考例６〜７参考例５と同様な方法により、以下の化合物を合成し
た。

【０１１９】・４−デシルオキシ安息香酸４−（４′−
ペンチルオキシペンチルオキシ）フェニルＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８５０、１７３０、１６
００、１５１０、１４７０、１２５０、１１９０、１０
７０、７６０。

【０１２０】・４−（４′−ドデシルオキシフェニル）
安息香酸４−（４′ーペンチルオキシペンチルオキシ）
フェニルＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８５０、１７３０、１６
００、１５１０、１４７０、１２５０、１１９０、１０
７０、７６０。

【０１２１】参考例８下記の工程により４−オクチルオキシ安息香酸４−
（４′−プロポキシペンチルオキシカルボニル）フェニ
ルを製造した。

【０１２２】４−オクチルオキシ安息香酸４．０ｇのベ
ンゼン１３ｍｌ溶液中に、五塩化リン３．４０ｇを室温
で撹拌下に少量ずつ加えた。その後４時間還流し、溶媒
留去して酸塩化物４．６ｇを得た。

【０１２３】次に、４−（４′−プロポキシペンチルオ
キシカルボニル）フェノール４．２６ｇをピリジン２０
ｍｌに溶かし、３℃にて上記酸塩化物４．６ｇのトルエ
ン１３ｍｌ溶液を滴下した。その後、室温で１８時間撹
拌した。反応後、氷水中にそそぎ６Ｎ塩酸で酸性にし、
生じた結晶を濾別した。有機層を、水、２ＮＮａＯＨ水
溶液、水の順で洗浄し、無水Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥した。
溶媒を留去してシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（クロロホルム）にて精製し、エタノールから再結晶し
て、４−オクチルオキシ安息香酸４−（４′−プロポキ
シペンチルオキシカルボニル）フェニル１．１６ｇを得
た。

【０１２４】ＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１
７３０、１７２０、１６１０、１２７０。

【０１２５】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．３〜６．８
（８Ｈ）、４．５〜３．１（７Ｈ）、２．２〜０．７
（２７Ｈ）ｐｐｍ。

【０１２６】参考例９〜１０参考例８と同様な方法により以下の化合物を合成した。

【０１２７】・４−ドデシルオキシ安息香酸４−（４′
−プロポキシペンチルオキシカルボニル）フェニルＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１７３０、１７
２０、１６１０、１２７０。

【０１２８】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．３〜６．８
（８Ｈ）、４．５〜３．１（７Ｈ）、２．２〜０．７
（３５Ｈ）ｐｐｍ。

【０１２９】・４−（４′−オクチルオキシフェニル）
安息香酸４−（４′−プロポキシペンチルオキシカルボ
ニル）フェニルＩＲ（ｃｍ^-1）：２９７０〜２８６０、１７３０、１７
２０、１６１０、１２７０。

【０１３０】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ：８．３〜６．８
（１２Ｈ）、４．５〜３．１（７Ｈ）、２．２〜０．７
（２７Ｈ）ｐｐｍ。

【０１３１】参考例１１５−ドデシル−２−［４−（４−プロポキシプロピルオ
キシ）フェニル］ピリミジンの製造。

【０１３２】（Ｒ）−４−プロポキシペンタノール１５
ｇをピリジン５０ｍｌに溶解し、氷冷により１５℃以下
に保ち、Ｐ−トルエンスルホニルクロリド２１．３ｇを
加え室温にもどし、１５時間撹拌した。その後、氷水５
００ｍｌ中に反応液を撹拌下そそぎ込み、５％塩酸を加
え、酸性（ｐＨ＝１〜２）と、塩化メチレンにより抽出
した。塩化メチレン層を水洗の後、無水硫酸マグネシウ
ムにより乾燥し、溶媒を留去して、［（Ｒ）−４−プロ
ポキシプロピル］Ｐ−トルエンスルホネート１４．４ｇ
を得た。

【０１３３】次に、５−ドデシル−２−（４−ヒドロキ
シフェニル）ピリミジン２．５ｇ、８５％ＫＯＨ０．４
９ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍｌの混合物
を１００℃で１時間撹拌した。その後、上記トシレート
体２．０ｇを加えて、１００℃で５時間撹拌した。反応
終了後冷水２５０ｍｌ中にそそぎ込み、イソプロピルエ
ーテルにて抽出した。イソプロピルエーテル層を水洗し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ｎ
−ヘキサン／酢酸エチル＝１０／２）で処理して、ｎ−
ヘキサンにより再結晶を行ない、５−ドデシル−２−
［４−（４−プロポキシプロピル）フェニル］ピリミジ
ン１．７７ｇを得た。

【０１３４】参考例１２交差した帯状のＩＴＯで形成した対向マトリクス電極の
それぞれに１０００Åの膜厚を有するポリイミド膜（ピ
ロメリット酸無水物と４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルとの結合物からなるポリアミック酸樹脂の５重量
％Ｎ−メチルピロリドン溶液を塗布し、２５０℃の温度
で加熱閉環反応により形成した）を設け、このポリイミ
ド膜の表面を互いに平行になる様にラビングし、セル厚
を１μにしたセルを作成した。

【０１３５】次いで、下記組成物Ａを等方相下で前述の
セル中に真空注入法によって注入し、封口した。しかる
後に、徐冷（１℃／時間）によってＳｍＣ^*の液晶セル
を作成した。

【０１３６】

【化１８】

【０１３７】この液晶セルの両側にクロスニコルの偏光
子と検光子を配置し、対向マトリクス電極間に図４及び
図５に示す波形の信号を印加した。この際、走査信号は
図４（ａ）に示す＋８ボルトと−８ボルトの交番波形と
し、書込み情報は、それぞれ＋４ボルトと−４ボルトと
した。また、１フレーム期間を３０ｍ・ｓｅｃとした。

【０１３８】この結果、この液晶素子は前述のメモリー
駆動型時分割駆動を行なっても、書込み状態は、何ら反
転することなく正常な動画表示が得られた。

【０１３９】参考例１３参考例１２で用いた液晶に代えて下記の液晶組成物Ｂを
用いたほかは参考例１２と同様の方法で液晶素子を作成
し、その液晶素子について参考例１２で用いた方法と同
様の駆動法により動画表示を行なった結果、何れの例で
も画面中に反転現象は見られなかった。

【０１４０】

【化１９】

【０１４１】参考比較例１参考例１３の液晶素子を作成する際に用いた液晶組成物
Ｂ中の、第３番目に示す本発明の光学活性ヒドロキシ吉
草酸誘導体から誘導された液晶性化合物を省略した下記
の比較用液晶Ｂ′を調製し、その比較用液晶を用いて液
晶素子を作成した。この液晶素子を前述と同様の方法で
駆動させたが、反転現象を生じているために、正常な動
画が表示されなかった。

【０１４２】

【化２０】

【０１４３】

【０１４４】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で用いる時分割駆動用液晶素子を模式的
に表わす斜視図。

【図２】本発明で用いる時分割駆動用液晶素子を模式的
に表わす斜視図。

【図３】本発明で用いるマトリクス電極構造の平面図。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、マトリクス電極に印加する
電気信号を表わす説明図。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は、マトリクス電極間に付与さ
れた電圧の波形を表わす説明図。

【図６】本発明の液晶素子に印加する電気信号を表わし
たタイムチャートの説明図。

【符号の説明】

１１ａ、１１ｂ：基板１２：液晶分子層１３：液晶分子１４：双極子モーメント（Ｐ⊥）２３ａ：第１の安定状態２３ｂ：第２の安定状態２４ａ：上向き双極子モーメント２４ｂ：下向き双極子モーメント３１：セル３２：（Ｓ₁、Ｓ₂、Ｓ₃、・・・）：走査電極群３３：（Ｉ₁、Ｉ₂、Ｉ₃、・・・）：信号電極群

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山下眞孝東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者片桐一春東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）［上記一般式中、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を示
し、Ｃ^＊は不斉炭素原子を示す。１は０または１であ
り、１＝１のときｍ、ｎは０または１である。またＡは
水酸基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、
またはトシルオキシ基である］で表わされる光学活性な
ヒドロキシ吉草酸誘導体。