JP2606273B2 - ボンディング用ヒーターチップ - Google Patents

ボンディング用ヒーターチップ

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JP2606273B2
JP2606273B2 JP63085755A JP8575588A JP2606273B2 JP 2606273 B2 JP2606273 B2 JP 2606273B2 JP 63085755 A JP63085755 A JP 63085755A JP 8575588 A JP8575588 A JP 8575588A JP 2606273 B2 JP2606273 B2 JP 2606273B2
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bonding
heater chip
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solder
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はテープキャリア方式の半導体装置のアウター
リードボンディングに用いるボンディング用ヒーターチ
ップに関し、特に、ボンディング強度を上げる為のボン
ディング用ヒーターチップに関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のヒーターチップは第４図に概略が示さ
れているように、半導体装置７の複数のアウターリード
３を加熱されたヒーターチップ１を用いて加圧して一度
にボンディングして半田結合させる為に、第５図で示し
た通り、ヒーターチップ１の先端のボンディング面は平
面であり、作業中にボンディング面の汚れ、損傷等によ
り定期的に研磨しても形状が変化しないような角柱型の
単純な構成となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のヒーターチップはヒーターチップの先
端形状は平面になっているので半導体装置のアウターリ
ードとあらかじめ半田が付けられたプリント配線板又
は、リードフレームをボンディングする際、ヒーターチ
ップの加熱、加圧により溶融した半田が、ヒータチップ
加圧面から側面に分散し、半田が凝固した時には、第６
図に示す通り、リード３とパッド５側面でのみ半田フィ
レットが形成される。特にテープキャリア方式の半導体
装置のアウターリードは厚さが35μｍ以下と薄い為、リ
ードを剥離した場合の接着強度が弱くなる欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のボンディング用ヒータチップは、テープキャ
リア方式の半導体装置をプリント配線板又はリードフレ
ームにアウターリードボンディングする際に、外部リー
ドを上方からパッドに押圧する平坦なボンディング面を
備えたボンディング用ヒータチップにおいて、該ヒータ
チップのボンディング面が該外部リードの長手方向に直
角に形成された溝により複数の領域に分割されているこ
とを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。ボンディ
ング用ヒーターチップ１は、ステンレス、銅、モリブデ
ン等の金属で製作され、ボンディング面が、ボンディン
グ方向に直角な深さ１〜3mmの溝２が設けられている。
このボンディング用ヒーターチップで、プリント配線板
４上の半田又はSnを５〜10μｍメッキした搭載パッド３
と半導体装置の金、銅等の金属性アウターリードを加
圧、加熱してボンディングすることにより、搭載パッド
上の半田又はSnが溶融し、側面部及び、加圧されない溝
の部分に流れ接着面積が多くなり、接着強度が上がる
（第２図参照）。
第３図は、本発明の他の実施例の斜視図である。組成
は該一実施例と同じであるが、ボンディング面の複数の
溝のかわりに別電源にて構成されたヒーターチップを複
数平行に並べたもので、別電源であるため温度分布をコ
ントロール出来る利点がある。
一般に半導体装置のアウターリードボンディングのボ
ンディング強度は、リードと半田接合部の剥離強度で表
わされる。具体的なデータとして、幅200μｍ、厚さ35
μｍの銅箔の場合、第６図で示される側面のみの半田フ
ィレットでは剥離強度が15gr前後であるのに対し、第２
図で示されるリード上面まで半田フィレットを形成させ
たものは30gr前後まで向上する。
〔発明の効果〕
以上、説明したように本発明は、ヒーターチップ先端
のボンディング面に溝を設けることにより、半田フィレ
ットをリード上部まで形成することが出来、ボンディン
グ強度を向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例の斜視図、第１図
（ｂ）は該一実施例のボンディング面の平面図、第２図
は該一実施例を用いてボンディングされたリードの縦断
面図、第３図は本発明の他の実施例の斜視図、第４図は
半導体装置をアウターリードボンディングするヒーター
チップの概略を示す斜視図、第５図（ａ）は従来のヒー
ターチップの斜視図、第５図（ｂ）は従来のヒーターチ
ップのボンディング面の平面図、第６図は従来のヒータ
ーチップでボンディングされたリードの縦断面図であ
る。 １……ヒーターチップ、２……溝、３……アウターリー
ド、４……半田、５……搭載パッド、６……プリント配
線板、７……半導体装置。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】テープキャリア方式の半導体装置をプリン
    ト配線板又はリードフレームにアウターリードボンディ
    ングする際に、外部リードを上方からパッドに押圧する
    平坦なボンディング面を備えたボンディング用ヒータチ
    ップにおいて、該ヒータチップのボンディング面が該外
    部リードの長手方向に直角に形成された溝により複数の
    領域に分割されていることを特徴とするボンディング用
    ヒータチップ。
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JPH01257340A JPH01257340A (ja) 1989-10-13
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US6329722B1 (en) * 1999-07-01 2001-12-11 Texas Instruments Incorporated Bonding pads for integrated circuits having copper interconnect metallization
DE10239081B4 (de) * 2002-08-26 2007-12-20 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung

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