JP2582990B2 - 非同期機器の固定子磁束の決定法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非同期機器の固定子電
流と固定子電圧を測定し、短絡インダクタンス、固定子
インダクタンス、回転子時定数を既知としたときに非同
期機器の固定子磁束を決定する方法に関するもので、固
定子電流と固定子抵抗推定値の積を決定し、この積を固
定子電圧から引き、この電圧差を時間で積分して第１固
定子磁束推定値を得る。固定子抵抗推定値もこの方法で
決定する。

【０００２】

【従来の技術】ＡＣインバータ技術による非同期機器の
制御の目的は多くの場合、機器に与える電流と電圧が既
知のときに機器が発生するトルクを望ましい特性にする
ことである。電気トルクは、固定子磁束と固定子電流の
関数として次式で表される。

【数１】

【０００３】トルクを適切に制御するためには、電流

【外２２】 だけでなく、機器の固定子磁束やこれに比例するパラメ
ータ（回転子またはエアヤギャップ磁束）も知る必要が
ある。

【０００４】これは比較的に高い周波数で運転している
ときは問題ではなく、この場合固定子磁束は、よく知ら
れているように機器に与える電圧を直接積分することに
よって次式から得られる。

【数２】

【０００５】式２において

【外２３】 は、電源電圧と周波数が既知であれば簡単に計算でき
る。またこの式から分かることは、ω_ｓが所定の名目周
波数以下に下がると、

【外２４】 が過度に増加しないため、また機器が飽和しないために
は、電圧を下げなければならない。

【０００６】しかし機器の巻線中の電圧は、巻線の抵抗
によって電圧降下が起こるため実際には電源電圧とは異
なるので、式２は低い周波数では使えない。ω_ｓが減少
するに従って

【外２５】 を減少させなければならないので、電圧中の電圧降下部
分は増加する。

【０００７】従って低い周波数では電圧降下部分を考慮
に入れて、磁束を次式から計算しなければならない。

【数３】

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしこの式から計算
される磁束の精度は、測定精度と適用したＲ_ｓの推定値
の精度に非常に影響される。磁束にはいくらかの誤差が
許容されるが、固定子抵抗Ｒ_ｓと電圧およひ電流の測定
値は、周波数がゼロに近付くに従って高い精度が要求さ
れる。

【０００９】周波数がゼロのときには、積分する電圧に
誤差があると式３から計算される磁束の推定値に累積的
な誤差を生じる。従って実際には１０Ｈｚ以下では、単
にＲＩ補正を行うだけでは磁束の推定値にかなりの誤差
を生じる。

【００１０】この問題は直接または間接ベクトル制御に
よって避けることができる。前者の場合は機器中に設け
たプローブによって固定子磁束を直接測定し、後者の場
合は固定子電流と機器のシャフト上に設けた回転計から
得られる速度データに基づいて間接的に計算する。

【００１１】どちらの場合も周波数がゼロのときでも機
器のトルクを調整できるが、追加のプローブは両方法と
もに必要で、かなり高価であり、信頼性も低くなる。

【００１２】現在のところ、動作周波数が１０Ｈｚ以下
の場合は、単に電圧と電流を測定しただけで非同期機器
のトルクを正確に調整する方法はない。

【００１３】この理由は、アメリカ特許番号４，６７
８，２４８に開示されているように、式３に基づく従来
の方法を用いると、ω_ｓが低い場合に固定子磁束を推定
することが実際には不可能だからである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上に述べた問題は、本発
明の方法を用いれば避けることができる。本発明の特徴
は、最初に述べた段階に加えて、固定子電圧、固定子電
流、短絡インダクタンス、固定子インダクタンス、回転
子時定数、固定子抵抗推定値に基づいて第２固定子磁束
推定値を決定し、第１固定子磁束推定値と第２固定子磁
束推定値との差として固定子磁束修正項を決定し、この
固定子磁束修正項に定係数の重みをかけて、前記電圧差
に加える段階を含む。

【００１５】本発明の方法において、固定子磁束推定値
は式３によって計算されるが、積分する電圧

【外２６】 は修正して、積分中に推定値に発生した誤差を補正す
る。

【００１６】修正の方向は、機器の各値の変化に基づい
て第２固定子磁束推定値を計算し、式３によって得られ
る推定値を第２推定値から引くことによって決定し、得
られた磁束偏差の方向に積分する電圧に小さな訂正を行
なって、式３で計算した推定値を平均的に第２推定値に
等しくする。

【００１７】望ましくは第２推定値を決定するには、上
記の機器のパラメータによって定義される微分方程式を
観察し、異なる２つの時点の近くでの機器の動作を記述
し、１対の方程式を得て固定子磁束推定値の数式解を求
め、また１対の式の２つの解から第２固定子磁束推定値
を選んで、この選んだ固定子磁束推定値が第１固定子磁
束推定値に近くなるようにする。

【００１８】修正については、電圧

【外２７】 と前記第２磁束推定値の計算に必要な、固定子抵抗推定
値も計算する。

【００１９】望ましくは、固定子抵抗推定値の計算は、
固定子磁束修正項と固定子電流のスカラー積を決定し、
前記スカラー積に負の定係数を掛けて重みをつけ、前記
重みつきスカラー積を時間で積分する段階を含む。

【００２０】本発明の方法においては、積分する電圧の
積分中に形成される累積誤差は電圧内で行う修正によっ
て補正し、その結果周波数がゼロに近いところでの測定
データが固定子電圧と固定子電流だけであっても、本発
明の方法によって比較的に正確な固定子磁束推定値を得
ることができる。

【００２１】

【実施例】上記の第２固定子磁束推定値の計算は、非同
期機器の固定子と回転子のよく知られた微分および電流
方程式に基づいており、固定子の座標システムにおいて
次のようになる。

【数４】

【数５】

【数６】

【数７】

【数８】

【００２２】式６と式７を用いて、回転子磁束と回転子
電流は固定子磁束と固定子電流から次式で得られる。

【数９】

【数１０】

【数１１】

【００２３】式８と式９を式５に代入して、

【数１２】

【００２４】式４を解いて得られる固定子磁束の微分値
の式を式１０に代入して、

【数１３】

【００２５】この式により固定子の各値（磁束、電流、
電圧）と機器速度が結合して表される。回転子磁束に並
行なベクトル

【外２８】 （式８参照）の共役複素数を式１１に掛け、次に得られ
た式の両辺の実数部分をとると、機器速度は消えて次の
ようになる。

【数１４】

【００２６】

【外２９】 は測定によって得られるので、パラメータ σＬ_ｓ、τ
_ｒ、Ｌ_ｓ＋Ｒ_ｓτ_ｒが既知であれば、

【外３０】 は式１２の唯一の未知の値である。

【００２７】しかし問題は、

【外３１】 が実数部分と虚数部分（すなわち振幅と位相角）を含む
ベクトルであることで、１つの式に２つの未知のパラメ
ータがある。従って、

【外３２】 を解くには追加の条件が必要である。

【００２８】上記の追加の条件を得て前記磁束を解く１
つの方法は、式１２を１時点以上の時点に適用すること
である。

【００２９】例えは時刻ｔ_０とｔ_１を選んで、それぞれ
の時点で電流、電流の微分値、電圧を測定して用いるこ
とである。

【００３０】従って式１２が両時点で正しいことが必要
であり、

【外３３】 を解くために１対の式が必要である。

【００３１】しかし、一般に

【外３４】 は等しくなく、また未知のパラメータの数が式の数より
も大きくなるので、この方法を用いることは出来ない。

【００３２】更に実際には、電流の微分値を任意の時点
で正確に測定することはできず、電流は長い時間にわた
って変動する。

【００３３】本発明の方法では、継続時間を Δｔとす
る時間間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕と〔ｔ_１−Δｔ，
ｔ_１〕にわたって機器の平均状態を観察することによ
り、上に述べた問題を解決する。ただしｔ_０は現在の時
刻で、また

【数１５】 である。

【００３４】機器の平均値の変動は、時間間隔〔ｔ_１−
Δｔ，ｔ_１〕から時間間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕まで移
る持続期間Δｔ＋Δｔ_１の経歴データを基礎にして調べ
る。

【００３５】この状態を示す図１は、間隔〔ｔ_１−Δ
ｔ，ｔ_０〕内の固定子磁束ベクトルの変動の例を示す。
この図ではΔｔ＜Δｔ_１であるが、これらの時間間隔は
連続的または重なり合ってΔｔ≧ｔ_１でもよい。

【００３６】次の目的は、前記時間間隔内の固定子磁束
の時間平均が

【外３５】 で与えられるような式を導き出すことである。

【００３７】式１２を両間隔の平均値に別々に適用する
と、推定しようとする現在の磁束

【外３６】 を唯一の未知のパラメータとする（機器の諸パラメータ
を除く）１対の式が得られる。

【００３８】式３から、時間間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕
内に働く平均固定子磁束について次の式が得られる。

【数１６】

【００３９】式１４を部分積分すると次式になる。

【数１７】 ただし、

【外３７】 は間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕内の時間平均からの現在の
固定子磁束の偏差で、

【数１８】

【００４０】同様に、時間間隔〔ｔ_１−Δｔ，ｔ_１〕内
の平均固定子磁束は、

【数１９】

【数２０】

【数２１】

【００４１】これらの式の中で、

【外３８】 は時点ｔ_１から時点ｔ_０へ移る際の固定子磁束の変化を
表し、また

【外３９】 は間隔〔ｔ_１−Δｔ，ｔ_１〕内の固定子磁束の時間平均
からの

【外４０】 の偏差を表す（図２）。

【００４２】同様に、各時間間隔内の電流の微分値、電
流、電圧の時間平均は、

【数２２】

【数２３】

【数２４】

【数２５】

【数２６】

【数２７】

【数２８】

【００４３】実際には、時間間隔〔ｔ_１−Δｔ，ｔ_１〕
の平均値は、間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕の平均値を遅ら
せることによって得られるので、別個に計算する必要は
ない（式１９、２１、２３、２５）。

【００４４】このことを示すために、遅延演算子Ｄを次
のように定義する。

【数２９】 ただし、ｆは時間ｔの任意の関数、τ（＞０）はＤ
（τ）をｆ（ｔ）に掛けることによって生じる任意の遅
れを表す。

【００４５】この遅延演算子を用いて、間隔〔ｔ_０−Δ
ｔ，ｔ_０〕と〔ｔ_１−Δｔ，ｔ_１〕内では、電流微分値
の時間平均は次のように書くことができる（式２０、２
１）。

【数３０】

【数３１】

【００４６】同様に、次のようになる（式１６−式２
５）。

【数３２】

【数３３】

【数３４】

【００４７】従って、間隔〔ｔ_１−Δｔ，ｔ_１〕内の機
器の平均値は、間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕の平均値をΔ
ｔ_１だけ遅らせることによって得られる（式１７、式２
８−式３１）。

【００４８】ここで式１２は、前と後の時間間隔に対応
する値の時間平均に対して成り立つことが必要になる。

【００４９】間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕の値（式１５、
２０、２２、２４）と間隔〔ｔ_１−Δｔ，ｔ_１〕の値
（式１７、式２８−式３１）を式１２に代入すると、次
の１対の式が得られる。

【数３５】 ただし、

【外４１】 は現在の固定子磁束

【外４２】 の推定値であり、また

【数３６】

【数３７】

【数３８】

【数３９】

【００５０】ベクトル

【外４３】 の実数部と虚数部は、Ψ_ｘｅ ，Ψ_ｙｅ ，ａ_ｘ０ ，
ａ_ｙ０，ｂ_ｘ０，ｂ_ｙ０，ａ_ｘ１，ａ_ｙ１，ｂ_ｘ１，ｂ
_ｙ１で表される。従って、

【数４０】

【数４１】

【数４２】

【数４３】

【数４４】

【００５１】従って１対の式３２は次のように表され
る。

【数４５】

【数４６】

【００５２】これらの式では固定子磁束の実数部と虚数
部だけが未知のパラメータなので、式を解くことができ
る。

【００５３】解を得るために、式４２と式４３の同じ辺
同士を引くと次の式が得られる。

【数４７】 ただし、

【数４８】

【数４９】

【数５０】

【００５４】ここで式４４を Ψ_ｘｅか Ψ_ｙｅについ
て解き、式４２から Ψ_ｘｅ かΨ_ｙｅを消す。ゼロで
割らないようにするために、｜ｃ_ｙ｜＞｜ｃ_ｘ｜ならば
Ψ_ｙｅで解き、その他の場合は Ψ_ｘｅ で解く。

【００５５】｜ｃ_ｙ｜＞｜ｃ_ｘ｜の場合について説明す
る。式４４を Ψ_ｙｅ について解いて式４２に代入す
ると次のようになる。

【数５１】 ただし、

【数５２】

【数５３】

【数５４】

【００５６】磁束について式４４と式４８から２つの解
が得られる。

【数５５】 ただし、

【数５６】

【数５７】

【００５７】２つの解の内、一方だけが「正しい解」で
ある。すなわち実際の固定子磁束の推定値である。従っ
て残る問題は正しい解を選ぶ方法である。

【００５８】実際には、式５３と式５４の解は平均して
かなり違っており、従って前回の推定値に近い方の解が
正しい解と解釈される（これについては以下に詳しく述
べる）。

【００５９】｜ｃ_ｙ｜≦｜ｃ_ｘ｜の場合も、磁束の推定
値の解は全く同様な方法で得られる。つまり先ず式４４
を Ψ_ｘｅ に関して解き、式４２から Ψ_ｘｅ を消
す。この場合、式４８−式５４を適用して、これらの式
の添え字ｘとｙを入れ換えて解を得る。

【００６０】上に述べた固定子磁束決定法を図３に示
す。図３は式３３−式３６に示す係数ベクトル

【外４４】 の計算と、１対の式３２の解からの正しい解の選択を示
すブロック図である。

【００６１】入力パラメータは、測定電圧

【外４５】 と電流

【外４６】 機器のパラメータＲ_ｓ、Ｌ_ｓ、σＬ_ｓ、τ_ｒおよび前回
の磁束推定値

【外４７】 を含む。出力パラメータは、固定子磁束推定値

【外４８】 である。

【００６２】式３３の係数ａ_０を計算するには、先ず式
の第１項すなわち磁束偏差ΔΨ_ｓ０を計算する。これに
は先ず

【外４９】 と固定子抵抗Ｒ_ｓをブロック１で掛け、次にこの積をブ
ロック２で電圧ベクトル

【外５０】 から引き、この差

【外５１】 をｔ−（ｔ_０−Δｔ）を重み係数として用いてブロック
３で時間間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕にわたって積分し、
その積分値をΔｔで割る。

【００６３】式３３の第２項を得るには、先ず固定子抵
抗Ｒ_ｓと回転子時定数τ_ｒをブロック４で掛け、その積
をブロック５で固定子インダクタンスＬ_ｓに加え、その
和にブロック７で電流の時間平均

【外５２】 を掛ける。この電流の時間平均の計算は、ブロック６で
間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕の間

【外５３】 を積分し、この積分値を間隔の持続時間すなわち Δｔ
で割ることによって行う。

【００６４】式３３の第３項を得るには、先ずブロック
８で電圧の時間平均

【外５４】 を計算する。これは固定子電圧

【外５５】 を時間間隔〔ｔ_０−Δｔ，ｔ_０〕にわたって積分し、こ
の積分値を間隔の持続期間すなわちΔｔで割る。次にそ
の結果からブロック１０で、ブロック９で計算される短
絡インダクタンスσＬ_ｓと

【外５６】 の積を引き、最後にブロック１１で、その差に回転子の
時定数τ_ｒを掛ける。

【００６５】電流の平均微分値、すなわち

【外５７】 を得るには、ブロック１３で Δｔだけ遅らせた電流信
号を、ブロック１２で現在の電流

【外５８】 から引き、その差をブロック１４で Δｔで割る。次に
係数ベクトル

【外５９】 の各因子をブロック１５で組み合わせる。

【００６６】係数ベクトル

【外６０】 は、先ずブロック１６で短絡インダクタンスσＬ_ｓとブ
ロック６の出力を掛け、次にブロック３の出力をブロッ
ク１７でこの積に加えて作る。

【００６７】係数ベクトル

【外６１】 は、係数ベクトル

【外６２】 をブロック１８と１９で演算子 Ｄ（Δｔ_１）によりそ
れぞれ遅らせ、ブロック２２の出力をブロック２０と２
１でこの遅らせた値に加えて作る。

【００６８】ブロック２２で磁束偏差

【外６３】 は、間隔〔ｔ_０−Δｔ_１，ｔ_０〕にわたって、磁束を発
生する電圧

【外６４】 すなわちブロック２の出力を積分して計算する。

【００６９】ブロック２３では、式３２−式５４に基づ
いて１対の式３２を解く。２つの解

【外６５】 が得られるが、前回の計算で得た値

【外６６】 に近い方の解が最終的な出力パラメータ

【外６７】 として、ブロック２４で選ばれる。

【００７０】この比較はブロック２５−２９で行われ
る。ブロック２５と２６では、前記２つの解と与えられ
た前回の固定子磁束推定値

【外６８】 との差を形成し、ベクトル

【外６９】 を得る。

【００７１】ブロック２９では、ブロック２７と２８で
決定された絶対値の差を計算してパラメータΔ_２１を得
る。Δ_２１≧０ならば、

【外７０】 を磁束の推定値（記号

【外７１】 で表す）として選び、そうでない場合は

【外７２】 を選ぶ。このようにして、１対の式３２の解の内、前回
の磁束推定値に近い方を正しい磁束推定値と解釈する。

【００７２】実際には、定積分を計算したブロックは、
サンプリング技術を基礎にした例えばＦＩＲフィルタを
用いて実現してよい。同様に遅延のブロックは、例えば
シフトレジスタを用いてよい。

【００７３】実際には、図３の方法で計算した推定値の
瞬時精度はあまり高くない。他方、推定値の精度は時間
が経ってもわるくはならない。言いかえると、この方法
で必要とするパラメータの誤差が小さければ、推定値の
誤差の時間平均は一定であり、ゼロに近い。

【００７４】固定子磁束を図４のブロック図で示す式３
によって計算する場合は、計算の入力パラメータは、固
定子電圧

【外７３】 固定子電流

【外７４】 固定子抵抗Ｒ_ｓだけを含む。

【００７５】図４のブロック３０では、

【外７５】 とＲ_ｓを掛けて、その積をブロック３１で固定子電圧

【外７６】 から引き、磁束を発生する電圧を得る。

【００７６】固定子磁束推定値

【外７７】 を得るには、ブロック３２でブロック３１の出力を時間
で積分する。図４の過程での推定値の精度に関する問題
は、図３の過程で起こったものとは逆である。

【００７７】この場合の磁束の推定値は、短時間では実
際の固定子磁束にかなり近いが、長時間では定常偏差が
蓄積する。周波数が減少し、Ｒ_ｓの推定値および測定誤
差に存在する誤差が増加すると、定常偏差は非常に増加
する。

【００７８】従って本発明の方法では、図３と図４の方
法を図５に示すように組み合わせて、この方法による固
定子磁束の推定値を、短時間でも長時間でもできるだけ
正確にする。

【００７９】図５の方法の入力パラメータは、非同期機
器の測定した固定子電流

【外７８】 と固定子電圧

【外７９】 を含む。更に、固定子インダクタンスＬ_ｓ、短絡インダ
クタンスσＬ_ｓ、回転子時定数τ_ｒは既知と仮定する。
この方法の出力パラメータは、機器の固定子磁束推定値

【外８０】 である。

【００８０】図５において、固定子磁束に関して２つの
推定値を計算する。その１つ

【外８１】 は図４に示す積分法によって得られ、他の１つ

【外８２】 は図３の方法で得られる。

【００８１】両推定値の計算には、固定子電流と固定子
電圧と両方法で別個に得た固定子抵抗推定値（Ｒ_ｓｅ）
が必要である。

【００８２】また

【外８３】 の計算には、Ｌ_ｓ、σＬ_ｓ、τ_ｒおよび、積分によって
得られる推定値

【外８４】 で表される前回の磁束推定値が必要である。

【００８３】この考え方は、図４のブロック３０−３２
に相当するブロック３０−３２で計算した推定値を積分
し、図３による推定値の方向にこれを修正するというこ
とである。図３の推定値の計算は、図５では１つのブロ
ック３３で示している。

【００８４】修正項（記号

【外８５】 で表す）は先ずブロック３４で形成され、

【数５８】 次に

【外８６】 をこの項の方向に徐々に変化させる。このために、先ず

【外８７】 をブロック３５で定係数ｗで重みをつけ、次にブロック
３６で電圧

【外８８】 に加えてから積分する。

【００８５】Ｒ_ｓの決定は次の観測を用いて行う。Ｒ
_ｓｅがある方向の誤差を含む場合は、この誤差は式５５
のように磁束の修正に影響を与え、従ってＲ_ｓｅが実際
の値より大きければ、ブロック３７で計算する

【外８９】 のスカラ積（記号ΔΨ_ｓｅｉで表す）

【数５９】 はゼロより大きい。またその逆も成り立つ。

【００８６】従ってここに述べた方法は、ΔΨ_ｓｅｉ＞
０であればＲ_ｓｅが減少し、ΔΨ_ｓｅｉ＜０であればＲ
_ｓｅが増加するようにしている。これを行うには、ブロ
ック３８で負の定係数（−ｗ_Ｒ）でΔΨ_ｓｅｉに重みを
つけ、ブロック３９で積分してＲ_ｓｅを計算する。すな
わち

【数６０】

【００８７】係数ｗ_Ｒは正の定数で、これはＲ_ｓｅが、
例えば負荷の変化によって機器の固定子の温度が変化す
るために起こる実際の固定子抵抗の変動に、いかに速く
追従するかを決めるものである。ｗ_Ｒが小さければそれ
だけＲ_ｓｅはゆっくり変化する。

【００８８】他方ｗ_Ｒの値が大きければ、Ｒ_ｓｅは大き
な瞬時変動を起こすので安定した決定ができない。実際
にはＲ_ｓは非常にゆっくりとしか変動できないので、ｗ
_Ｒは非常に小さく選んでよい。

【００８９】係数Ｗを選ぶに当たっては、この値が小さ
いほど図５の方法で計算する推定値は図４の方法で計算
する推定値に近くなることを考慮しなければならない。
すなわち図５の推定値は短時間の実際の固定子磁束にか
なり正確に追従するが、長時間に蓄積される定常偏差
は、ｗが小さいほど大きくなる。

【００９０】従ってｗの値が大きければ、推定値は

【外９０】 と同様の特性になる。すなわち定常偏差は小さいが、瞬
時誤差は比較的に大きく変動する。従ってｗを選択に当
たっては、瞬時誤差と定常偏差が共に許容範囲に入るよ
うに調整しなければならない。

【図面の簡単な説明】

本発明の方法は、次の図を参照して詳細に説明されてい
る。

【図１】固定子磁束ベクトルの例を時間の関数として示
す。

【図２】固定子磁束ベクトルの例を時間の関数として示
す。

【図３】非同期機器の諸値の変動の観測に基づき、固定
子磁束計算法の例を図示するブロック図である。

【図４】図３に基づき、従来の固定子磁束計算法を図示
するブロック図である。

【図５】非同期機器に関し、本発明の固定子磁束計算法
の例を図示するブロック図である。

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非同期機器の固定子電流 【外１】 と固定子電圧 【外２】 を測定し、前記機器の短絡インダクタンス（σＬ_ｓ）、
   固定子インダクタンス（Ｌ_ｓ）、回転子時定数（τ_ｒ）
   は既知としたときに前記非同期機器の固定子磁束を決定
   する方法であって、前記固定子電流 【外３】 と固定子抵抗推定値（Ｒ_ｓｅ）の積を決定し、前記積を
   前記固定子電圧 【外４】 から引き、前記電圧差を時間で積分して第１固定子磁束
   推定値 【外５】 を得る方法であり、前記方法は、 前記固定子電圧 【外６】 前記固定子電流 【外７】 前記短絡インダクタンス（σＬ_ｓ）、前記固定子インダ
   クタンス（Ｌ_ｓ）、前記回転子時定数（τ_ｒ）、前記固
   定子抵抗推定値（Ｒｓｅ）に基づいて第２固定子磁束推
   定値 【外８】 を決定し、 前記第１固定子磁束推定値 【外９】 と前記第２固定子磁束推定値 【外１０】 との差で固定子磁束修正項 【外１１】 を決定し、 前記固定子磁束修正項 【外１２】 に定係数（ｗ）の重みを掛けて前記電圧差に加える段階
   を更に含むことを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 前記第２固定子磁束推定値 【外１３】 の決定を、前記機器のパラメータに基づいて定義された
   微分方程式（式１２）を観察し、２つの時点（ｔ
   _０ｔ_１）付近（Δｔ）の前記機器の動作を記述し、１対
   の式（式３２）を得て前記固定子磁束推定値の数式解を
   得ることにより行い、また前記１対の式の前記２つの解 【外１４】 から前記第２固定子磁束推定値 【外１５】 を選んで、選んだ前記固定子磁束が前記第１固定子磁束
   推定値 【外１６】 に近くなるようにすることにより行うことを特徴とす
   る、請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 前記第２時点（ｔ_１）の付近の観測は、
   前記第１時点（ｔ_０）付近で得た値を前記２つの時点の
   間の時間（Δｔ_１）の量だけ遅らせて行い、また前記の
   得た値を前記時間間隔（Δｔ_１）の間に磁束変化 【外１７】 に加え、ただし前記磁束変化は前記電圧差を前記時間間
   隔にわたって積分することによって決定する、ことを特
   徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 【請求項４】 前記固定子抵抗推定値（Ｒ_ｓｅ）は、前
   記固定子電流 【外１８】 と前記固定子磁束修正項 【外１９】 に基づいて決定することを特徴とする、請求項１ないし
   請求項３のいずれかに記載の方法。
5. 【請求項５】 前記固定子抵抗推定値（Ｒ_ｓｅ）の決定
   が、 前記固定子磁束修正項 【外２０】 と前記固定子電流 【外２１】 のスカラ積（ΔΨ_ｓｅｉ）を決定し、 前記スカラ積（ΔΨ_ｓｅｉ）に負の定係数（−ｗ_Ｒ）を
   掛けて重みをつけ、 前記重みつきスカラ積を時間によって積分する段階を含
   むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。