JP2578983Y2 - 絶対圧力計 - Google Patents
絶対圧力計Info
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- JP2578983Y2 JP2578983Y2 JP1992037135U JP3713592U JP2578983Y2 JP 2578983 Y2 JP2578983 Y2 JP 2578983Y2 JP 1992037135 U JP1992037135 U JP 1992037135U JP 3713592 U JP3713592 U JP 3713592U JP 2578983 Y2 JP2578983 Y2 JP 2578983Y2
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- diaphragm
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、出力の経時変化が少な
い絶対圧力計に関するものである。
い絶対圧力計に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図 ３は従来より一般に使用されている
従来例の構成説明図で、例えば、特開昭５９―５６１３
７号の第１図に示されている。図において、ハウジング
１の両側に円筒状のフランジ２、フランジ３が組み立て
られ溶接等によって固定されており、フランジ３には測
定せんとする圧力Ｐmの導入口５が設けられている。ハ
ウジング１内に圧力測定室６が形成されており、この圧
力測定室６内にセンタダイアフラム７とシリコンダイア
フラム８が設けられている。
従来例の構成説明図で、例えば、特開昭５９―５６１３
７号の第１図に示されている。図において、ハウジング
１の両側に円筒状のフランジ２、フランジ３が組み立て
られ溶接等によって固定されており、フランジ３には測
定せんとする圧力Ｐmの導入口５が設けられている。ハ
ウジング１内に圧力測定室６が形成されており、この圧
力測定室６内にセンタダイアフラム７とシリコンダイア
フラム８が設けられている。
【０００３】センタダイアフラム７とシリコンダイアフ
ラム８はそれぞれ別個に圧力測定室６の壁に固定されて
おり、センタダイアフラム７とシリコンダイアフラム８
の両者でもって圧力測定室６を２分している。センタダ
イアフラム７と対向する圧力測定室６の壁には、バック
プレ―ト６Ａ，６Ｂが形成されている。センタダイアフ
ラム７は周縁部をハウジング１に溶接されている。シリ
コンダイアフラム８は全体が単結晶のシリコン基板から
形成されている。
ラム８はそれぞれ別個に圧力測定室６の壁に固定されて
おり、センタダイアフラム７とシリコンダイアフラム８
の両者でもって圧力測定室６を２分している。センタダ
イアフラム７と対向する圧力測定室６の壁には、バック
プレ―ト６Ａ，６Ｂが形成されている。センタダイアフ
ラム７は周縁部をハウジング１に溶接されている。シリ
コンダイアフラム８は全体が単結晶のシリコン基板から
形成されている。
【０００４】シリコン基板の一方の面にボロン等の不純
物を選択拡散して４っのストレンゲ―ジ８０を形成し、
他方の面を機械加工、エッチングし、全体が凹形のダイ
アフラムを形成する。４っのストレインゲ―ジ８０は、
シリコンダイアフラム８が差圧ΔＰを受けてたわむ時、
２つが引張り、２つが圧縮を受けるようになっており、
これらがホイ―トストン・ブリッジ回路に接続され、抵
抗変化が差圧ΔＰの変化として検出される。８１は、ス
トレインゲ―ジ８０に一端が取付けられたリ―ドであ
る。８２は、リ―ド８１の他端が接続されたハ―メチッ
ク端子である。
物を選択拡散して４っのストレンゲ―ジ８０を形成し、
他方の面を機械加工、エッチングし、全体が凹形のダイ
アフラムを形成する。４っのストレインゲ―ジ８０は、
シリコンダイアフラム８が差圧ΔＰを受けてたわむ時、
２つが引張り、２つが圧縮を受けるようになっており、
これらがホイ―トストン・ブリッジ回路に接続され、抵
抗変化が差圧ΔＰの変化として検出される。８１は、ス
トレインゲ―ジ８０に一端が取付けられたリ―ドであ
る。８２は、リ―ド８１の他端が接続されたハ―メチッ
ク端子である。
【０００５】支持体９は、ハ―メチック端子を備えてお
り、支持体９の圧力測定室６側端面に低融点ガラス接続
等の方法でシリコンダイアフラム８が接着固定されてい
る。ハウジング１とフランジ２、およびフランジ３との
間に、圧力導入室１０，１１が形成されている。この圧
力導入室１０，１１内に隔液ダイアフラム１２，１３を
設け、この隔液ダイアフラム１２，１３と対向するハウ
ジング１の壁１０Ａ，１１Ａに隔液ダイアフラム１２，
１３と類似の形状のバックプレ―トが形成されている。
圧力導入室１０は、この場合、真空に保たれている。
り、支持体９の圧力測定室６側端面に低融点ガラス接続
等の方法でシリコンダイアフラム８が接着固定されてい
る。ハウジング１とフランジ２、およびフランジ３との
間に、圧力導入室１０，１１が形成されている。この圧
力導入室１０，１１内に隔液ダイアフラム１２，１３を
設け、この隔液ダイアフラム１２，１３と対向するハウ
ジング１の壁１０Ａ，１１Ａに隔液ダイアフラム１２，
１３と類似の形状のバックプレ―トが形成されている。
圧力導入室１０は、この場合、真空に保たれている。
【０００６】隔液ダイアフラム１２，１３とバックプレ
―ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測定室
６は、連通孔１４，１５を介して導通している。そし
て、隔液ダイアフラム１２，１３間にシリコンオイル等
の封入液１０１，１０２が満たされ、この封入液が連通
孔１６，１７を介してシリコンダイアフラム８の上下面
にまで至っている、封入液１０１，１０２はセンタダイ
アフラム７とシリコンダイアフラム８とによって２分さ
れているが、その量が、ほぼ均等になるように配慮され
ている。
―ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測定室
６は、連通孔１４，１５を介して導通している。そし
て、隔液ダイアフラム１２，１３間にシリコンオイル等
の封入液１０１，１０２が満たされ、この封入液が連通
孔１６，１７を介してシリコンダイアフラム８の上下面
にまで至っている、封入液１０１，１０２はセンタダイ
アフラム７とシリコンダイアフラム８とによって２分さ
れているが、その量が、ほぼ均等になるように配慮され
ている。
【０００７】以上の構成において、導入口５から測定圧
力が作用した場合、隔液ダイアフラム１３に作用する圧
力が封入液１０２によってシリコンダイアフラム８に伝
達される。一方、圧力導入室１０は真空に保たれ、この
圧力が隔液ダイアフラム１２に作用する。隔液ダイアフ
ラム１２に作用する圧力が封入液１０１によってシリコ
ンダイアフラム８に伝達される。この結果、シリコンダ
イアフラム８に作用する圧力差に応じてシリコンダイア
フラム８が歪み、この歪み量がストレインゲ―ジ８０に
因って電気的に取出され、絶対圧力の測定が行なわれ
る。
力が作用した場合、隔液ダイアフラム１３に作用する圧
力が封入液１０２によってシリコンダイアフラム８に伝
達される。一方、圧力導入室１０は真空に保たれ、この
圧力が隔液ダイアフラム１２に作用する。隔液ダイアフ
ラム１２に作用する圧力が封入液１０１によってシリコ
ンダイアフラム８に伝達される。この結果、シリコンダ
イアフラム８に作用する圧力差に応じてシリコンダイア
フラム８が歪み、この歪み量がストレインゲ―ジ８０に
因って電気的に取出され、絶対圧力の測定が行なわれ
る。
【０００８】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、真空基準室を構成する圧力導入室１
０を構成する部材は、あらかじめ洗浄、真空ベーキング
等の前処理を経て組み立てられるが、除去し切れなかっ
た部材の表面吸着ガスや内部に溶解しているガスが徐々
に放出されて、真空基準室の真空度を劣化させる。この
ガスは、ベーキング等の前処理がされていないと水分
（Ｈ2Ｏ）が多いが、十分に前処理された真空基準室に
おいては、放出されるガスは、水素（Ｈ2）が多いのが
一般的である。これにより、シリコンダイアフラム８に
作用する圧力差が経時的に変化する事になり、出力誤差
となる。本考案は、この問題点を、解決するものであ
る。本考案の目的は、出力の経時変化の少ない絶対圧力
計を提供するにある。
な装置においては、真空基準室を構成する圧力導入室１
０を構成する部材は、あらかじめ洗浄、真空ベーキング
等の前処理を経て組み立てられるが、除去し切れなかっ
た部材の表面吸着ガスや内部に溶解しているガスが徐々
に放出されて、真空基準室の真空度を劣化させる。この
ガスは、ベーキング等の前処理がされていないと水分
（Ｈ2Ｏ）が多いが、十分に前処理された真空基準室に
おいては、放出されるガスは、水素（Ｈ2）が多いのが
一般的である。これにより、シリコンダイアフラム８に
作用する圧力差が経時的に変化する事になり、出力誤差
となる。本考案は、この問題点を、解決するものであ
る。本考案の目的は、出力の経時変化の少ない絶対圧力
計を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本考案は、差圧測定装置の一方の圧力導入室が基準
真空室である絶対圧力計において、前記閉じられた基準
真空室の内表面の全面に設けられた金のコーティングを
具備したことを特徴とする絶対圧力計を構成したもので
ある。
に、本考案は、差圧測定装置の一方の圧力導入室が基準
真空室である絶対圧力計において、前記閉じられた基準
真空室の内表面の全面に設けられた金のコーティングを
具備したことを特徴とする絶対圧力計を構成したもので
ある。
【００１０】
【作用】以上の構成において、導入口から測定圧力が作
用した場合、隔液ダイアフラムに作用する圧力が封入液
によってシリコンダイアフラムに伝達される。一方の圧
力導入室は真空に保たれ、この圧力が隔液ダイアフラム
に作用する。隔液ダイアフラムに作用する圧力が封入液
によってシリコンダイアフラムに伝達される。
用した場合、隔液ダイアフラムに作用する圧力が封入液
によってシリコンダイアフラムに伝達される。一方の圧
力導入室は真空に保たれ、この圧力が隔液ダイアフラム
に作用する。隔液ダイアフラムに作用する圧力が封入液
によってシリコンダイアフラムに伝達される。
【００１１】この結果、シリコンダイアフラムに作用す
る圧力差に応じてシリコンダイアフラムが歪み、この歪
み量がストレインゲ―ジに因って電気的に取出され、絶
対圧力の測定が行なわれる。
る圧力差に応じてシリコンダイアフラムが歪み、この歪
み量がストレインゲ―ジに因って電気的に取出され、絶
対圧力の測定が行なわれる。
【００１２】而して、閉じられた基準真空室の内表面の
全面に、金のコーティングが設けられたので、金は水素
の表面吸着力が非常に弱く、又内部に溶解する水素の量
が少ないので、放出されるガスの量が少なくなる。即
ち、水素は基準真空室の壁にガスとして溶解している
が、金の結晶格子は水素の原子に比較しても小さいの
で、基準真空室の壁にガスとして溶解している水素ガス
は透過することができない。以下、実施例に基づき詳細
に説明する。
全面に、金のコーティングが設けられたので、金は水素
の表面吸着力が非常に弱く、又内部に溶解する水素の量
が少ないので、放出されるガスの量が少なくなる。即
ち、水素は基準真空室の壁にガスとして溶解している
が、金の結晶格子は水素の原子に比較しても小さいの
で、基準真空室の壁にガスとして溶解している水素ガス
は透過することができない。以下、実施例に基づき詳細
に説明する。
【００１３】
【実施例】図１は本考案の一実施例の要部構成説明図で
ある。図において、図３と同一記号の構成は同一機能を
表わす。以下、図３と相違部分のみ説明する。２１は、
閉じられた基準真空室２２の内表面の全面に設けられた
金のコーティングである。
ある。図において、図３と同一記号の構成は同一機能を
表わす。以下、図３と相違部分のみ説明する。２１は、
閉じられた基準真空室２２の内表面の全面に設けられた
金のコーティングである。
【００１４】以上の構成において、導入口５から測定圧
力が作用した場合、隔液ダイアフラム１３に作用する圧
力が封入液１０２によってシリコンダイアフラム８に伝
達される。一方の圧力導入室は基準真空室２２として、
真空に保たれ、この圧力が隔液ダイアフラム１２に作用
する。隔液ダイアフラム１２に作用する圧力が封入液１
０１によってシリコンダイアフラム８に伝達される。
力が作用した場合、隔液ダイアフラム１３に作用する圧
力が封入液１０２によってシリコンダイアフラム８に伝
達される。一方の圧力導入室は基準真空室２２として、
真空に保たれ、この圧力が隔液ダイアフラム１２に作用
する。隔液ダイアフラム１２に作用する圧力が封入液１
０１によってシリコンダイアフラム８に伝達される。
【００１５】この結果、シリコンダイアフラム８に作用
する圧力差に応じてシリコンダイアフラム８が歪み、こ
の歪み量がストレインゲージ８０に因って電気的に取出
され、絶対圧力の測定が行われる。而して、閉じられた
基準真空室２２の内表面の全面に、金のコーティング２
１が設けられたので、金は水素の表面吸着力が非常に弱
く、又内部に溶解する水素の量が少ないので、放出され
るガスの量が少なくなる。即ち、水素は基準真空室２２
の壁にガスとして溶解しているが、金のコーティング２
１の結晶格子は水素の原子に比較しても小さいので、基
準真空室２２の壁にガスとして溶解している水素ガスは
透過することができない。従って、出力の経時変化が小
さくなる絶対圧力計が得られる。
する圧力差に応じてシリコンダイアフラム８が歪み、こ
の歪み量がストレインゲージ８０に因って電気的に取出
され、絶対圧力の測定が行われる。而して、閉じられた
基準真空室２２の内表面の全面に、金のコーティング２
１が設けられたので、金は水素の表面吸着力が非常に弱
く、又内部に溶解する水素の量が少ないので、放出され
るガスの量が少なくなる。即ち、水素は基準真空室２２
の壁にガスとして溶解しているが、金のコーティング２
１の結晶格子は水素の原子に比較しても小さいので、基
準真空室２２の壁にガスとして溶解している水素ガスは
透過することができない。従って、出力の経時変化が小
さくなる絶対圧力計が得られる。
【００１６】図２は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例は半導体ダイアフラム３を使用した
シリコン半導体方式の絶対圧力計の実施例である。図に
おいて、３１は半導体チップ、３２は凹部、３３は半導
体ダイアフラム、３４は半導体圧力検出素子、３５は半
導体チップ支持基板、３６は真空室、３７は金属支持
体、３８は閉じられた基準真空室３６の内表面の全面に
設けられた金のコーティングである。
図である。本実施例は半導体ダイアフラム３を使用した
シリコン半導体方式の絶対圧力計の実施例である。図に
おいて、３１は半導体チップ、３２は凹部、３３は半導
体ダイアフラム、３４は半導体圧力検出素子、３５は半
導体チップ支持基板、３６は真空室、３７は金属支持
体、３８は閉じられた基準真空室３６の内表面の全面に
設けられた金のコーティングである。
【００１７】
【考案の効果】以上説明したように、本考案は、差圧測
定装置の一方の圧力導入室が基準真空室である絶対圧力
計において、前記閉じられた基準真空室の内表面の全面
に設けられた金のコーティングを具備したことを特徴と
する絶対圧力計を構成した。
定装置の一方の圧力導入室が基準真空室である絶対圧力
計において、前記閉じられた基準真空室の内表面の全面
に設けられた金のコーティングを具備したことを特徴と
する絶対圧力計を構成した。
【００１８】この結果、シリコンダイアフラムに作用す
る圧力差に応じてシリコンダイアフラムが歪み、この歪
み量がストレインゲージに因って電気的に取出され、絶
対圧力の測定が行われる。而して、閉じられた基準真空
室の内表面の全面に、金のコーティングが設けられたの
で、金は水素の表面吸着力が非常に弱く、又内部に溶解
する水素の量が少ないので、放出されるガスの量が少な
くなる。即ち、水素は基準真空室の壁にガスとして溶解
しているが、金のコーティングの結晶格子は水素の原子
に比較しても小さいので、基準真空室の壁にガスとして
溶解している水素ガスは透過することができない。従っ
て、本考案によれば、出力の経時変化の少ない絶対圧力
計を実現することが出来る。
る圧力差に応じてシリコンダイアフラムが歪み、この歪
み量がストレインゲージに因って電気的に取出され、絶
対圧力の測定が行われる。而して、閉じられた基準真空
室の内表面の全面に、金のコーティングが設けられたの
で、金は水素の表面吸着力が非常に弱く、又内部に溶解
する水素の量が少ないので、放出されるガスの量が少な
くなる。即ち、水素は基準真空室の壁にガスとして溶解
しているが、金のコーティングの結晶格子は水素の原子
に比較しても小さいので、基準真空室の壁にガスとして
溶解している水素ガスは透過することができない。従っ
て、本考案によれば、出力の経時変化の少ない絶対圧力
計を実現することが出来る。
【図１】本考案の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】本考案の他の実施例の要部構成説明図である。
【図３】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
１…ハウジング ２…フランジ ３…フランジ ５…導入口 ６…圧力測定室 ６Ａ…バックプレ―ト ６Ｂ…バックプレ―ト ７…センタダイアフラム ８…シリコンダイアフラム ９…支持体 １０…圧力導入室 １１…圧力導入室 １０Ａ…バックプレ―ト １１Ａ…バックプレ―ト １２…隔液ダイアフラム １３…隔液ダイアフラム １４…連通孔 １５…連通孔 １６…連通孔 １７…連通孔 ２１…コーティング ２２…基準真空室 ３１…半導体チップ ３２…凹部 ３３…半導体ダイアフラム ３４…半導体圧力検出素子 ３５…半導体チップ支持基板 ３６…真空室 ３７…金属支持体 ３８…コーティング ８０…ストレインゲージ ８１…リード ８２…ハーメチック端子 １０１…封入液 １０２…封入液
Claims (1)
- 【請求項１】差圧測定装置の一方の圧力導入室が基準真
空室である絶対圧力計において、 前記閉じられた基準真空室の内表面の全面に設けられた
金のコーティングを具備したことを特徴とする絶対圧力
計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992037135U JP2578983Y2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 絶対圧力計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992037135U JP2578983Y2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 絶対圧力計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594740U JPH0594740U (ja) | 1993-12-24 |
| JP2578983Y2 true JP2578983Y2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=12489178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992037135U Expired - Fee Related JP2578983Y2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 絶対圧力計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578983Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286528U (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP1992037135U patent/JP2578983Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0594740U (ja) | 1993-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |