JPS6239368B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6239368B2 JPS6239368B2 JP2870479A JP2870479A JPS6239368B2 JP S6239368 B2 JPS6239368 B2 JP S6239368B2 JP 2870479 A JP2870479 A JP 2870479A JP 2870479 A JP2870479 A JP 2870479A JP S6239368 B2 JPS6239368 B2 JP S6239368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- diaphragm
- diaphragms
- housing
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 26
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコンダイアフラムを用いて２つ
の被測定流体間の圧力差を機械的な歪に変換し、
次に電気信号に変換して検出する差圧変換器に関
する。
の被測定流体間の圧力差を機械的な歪に変換し、
次に電気信号に変換して検出する差圧変換器に関
する。
シリコンダイアフラムは、一般に、シリコンの
基板の一面にボロン等の不純物を選択拡散してス
トレンゲージを形成させ、他面を加工して全体を
凹形に形成するか、あるいは、薄板状のシリコン
基板の一面にボロン等の不純物を選択拡散してス
トレンゲージを形成させ、他面を支持体に接着し
て構成される。そして、このシリコンダイアフラ
ムをハウジングに取付け、ハウジングに測定せん
とする２つの流体を導入する。この２つの被測定
流体をシリコンダイアフラムの両面に導き差圧を
検出する。ところで、シリコンダイアフラムの場
合、加圧して凹形に形成したダイアフラムにあつ
ては加工面、接着して形成したダイアフラムにあ
つては接着面の耐圧が、加工条件、接着条件、あ
るいはシリコンダイアフラムの厚さ等によつて種
種異なるが、数倍から数十倍も低い。
基板の一面にボロン等の不純物を選択拡散してス
トレンゲージを形成させ、他面を加工して全体を
凹形に形成するか、あるいは、薄板状のシリコン
基板の一面にボロン等の不純物を選択拡散してス
トレンゲージを形成させ、他面を支持体に接着し
て構成される。そして、このシリコンダイアフラ
ムをハウジングに取付け、ハウジングに測定せん
とする２つの流体を導入する。この２つの被測定
流体をシリコンダイアフラムの両面に導き差圧を
検出する。ところで、シリコンダイアフラムの場
合、加圧して凹形に形成したダイアフラムにあつ
ては加工面、接着して形成したダイアフラムにあ
つては接着面の耐圧が、加工条件、接着条件、あ
るいはシリコンダイアフラムの厚さ等によつて種
種異なるが、数倍から数十倍も低い。
従つて、このようなシリコンダイアフラムを差
圧変換器に用いた場合、過大圧に対するシリコン
ダイアフラムの保護の基準値を耐圧の低い側にし
なければならない。このため、比較的差圧測定範
囲の狭い変換器しか実現できなかつた。
圧変換器に用いた場合、過大圧に対するシリコン
ダイアフラムの保護の基準値を耐圧の低い側にし
なければならない。このため、比較的差圧測定範
囲の狭い変換器しか実現できなかつた。
本発明の目的は、シリコンダイアフラムの両面
の耐圧に応じた差圧範囲を測定可能な差圧変換器
を提供するにある。
の耐圧に応じた差圧範囲を測定可能な差圧変換器
を提供するにある。
このため本発明は、差圧検出用のシリコンダイ
アフラムが取り付けられるハウジング内に、一方
が孔を有する２枚のダイアフラムからなる受圧ダ
イアフラムを設けたものである。したがつて、こ
の受圧ダイアフラムは、２つの被測定流体に対し
異なるスチフネスを有している。つまり、高圧側
流体に対しては大きいスチフネス、低圧側流体に
対しては小さいスチフネスを持つている。２つの
被測定流体はハウジング内に導入されるが、ハウ
ジング内でシリコンダイアフラムと受圧ダイアフ
ラムの両者によつて２つの流体は分離されてい
る。両ダイアフラムの受圧面積は、受圧ダイアフ
ラムの方がはるかに大きい。両ダイアフラムはそ
れぞれ別個にハウジングに設けても良く、一体に
して設けても良い。シリコンダイアフラムのハウ
ジングへの取り付けにあたつては、両者間にガラ
ス等を介在させハウジングからの熱応力を緩和さ
せるのが良い。
アフラムが取り付けられるハウジング内に、一方
が孔を有する２枚のダイアフラムからなる受圧ダ
イアフラムを設けたものである。したがつて、こ
の受圧ダイアフラムは、２つの被測定流体に対し
異なるスチフネスを有している。つまり、高圧側
流体に対しては大きいスチフネス、低圧側流体に
対しては小さいスチフネスを持つている。２つの
被測定流体はハウジング内に導入されるが、ハウ
ジング内でシリコンダイアフラムと受圧ダイアフ
ラムの両者によつて２つの流体は分離されてい
る。両ダイアフラムの受圧面積は、受圧ダイアフ
ラムの方がはるかに大きい。両ダイアフラムはそ
れぞれ別個にハウジングに設けても良く、一体に
して設けても良い。シリコンダイアフラムのハウ
ジングへの取り付けにあたつては、両者間にガラ
ス等を介在させハウジングからの熱応力を緩和さ
せるのが良い。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の原理を説明する図である。図
において、ハウジングＨ内には受圧ダイアフラム
Ｄが設置され、ハウジングＨ内を容積ＶH，ＶLの
２つに分離している。受圧ダイアフラムＤは、ダ
イアフラムD1と孔Ｏを有するダイアフラムD2の
２枚から構成されている。
において、ハウジングＨ内には受圧ダイアフラム
Ｄが設置され、ハウジングＨ内を容積ＶH，ＶLの
２つに分離している。受圧ダイアフラムＤは、ダ
イアフラムD1と孔Ｏを有するダイアフラムD2の
２枚から構成されている。
かかるハウジングＨ内に、一方から圧力ＰHの
流体、他方から圧力ＰLの流体を導入する。そし
て、受圧ダイアフラムＤに差圧△ＰH＝ＰH−ＰL
が作用した場合、その時の容積変化量△ＶHは下
記の式で示される。
流体、他方から圧力ＰLの流体を導入する。そし
て、受圧ダイアフラムＤに差圧△ＰH＝ＰH−ＰL
が作用した場合、その時の容積変化量△ＶHは下
記の式で示される。
△ＶH＝ＡＤ ２／ＳＤ１＋ＳＤ２・△ＰH ……(1)
ここで、
ＡD：受圧ダイアフラムＤの受圧面積
ＳD1：ダイアフラムD1のスチフネス
ＳD2：ダイアフラムD2のスチフネス
である。
同様に、差圧△ＰL＝ＰL−ＰHが作用した場
合、その時の容積変化量△ＶLは(2)式で示され
る。
合、その時の容積変化量△ＶLは(2)式で示され
る。
△ＶL＝ＡＤ ２／ＳＤ１・△ＰL ……(2)
上記(1)，(2)式における△Ｐと△Ｖの関係をグラ
フで表わすと第２図のＡ，Ｂのようになる。第２
図における傾斜、すなわち△Ｐと△Ｖの関係は、
ダイアフラムD1，D2のスチフネスを変えること
によつて種々変えられる。
フで表わすと第２図のＡ，Ｂのようになる。第２
図における傾斜、すなわち△Ｐと△Ｖの関係は、
ダイアフラムD1，D2のスチフネスを変えること
によつて種々変えられる。
上記(1)，(2)式において、(1)，(2)の△Ｐが等しい
と仮定した場合、容積変化量△ＶHと△ＶLは(3)式
の関係となる。
と仮定した場合、容積変化量△ＶHと△ＶLは(3)式
の関係となる。
△ＶL＝（１＋ＳＤ２／ＳＤ１）・△ＶH ……(3)
すなわち、同じ差圧に対して容積変化量が異な
つてくる。このことは、同じ容積変化量（△Ｖh
＝△Ｖl）を許容するとした場合、△ＰHと△ＰL
の関係は(4)式で示される。
つてくる。このことは、同じ容積変化量（△Ｖh
＝△Ｖl）を許容するとした場合、△ＰHと△ＰL
の関係は(4)式で示される。
△ＰH＝（１＋ＳＤ２／ＳＤ１）・△ＶL ……(4)
つまり、第２図からも明らかなように、△ＰH
側に対し差圧が大きくとれることを意味する。
側に対し差圧が大きくとれることを意味する。
本発明は、かかる原理を応用したもので、以下
具体的な実施例を説明する。
具体的な実施例を説明する。
第３図において、ハウジング１の両側に高圧側
フランジ２、低圧側フランジ３が溶接等によつて
固定されており、両フランジ２，３には測定せん
とする圧力ＰHの高圧流体の導入口４、圧力ＰLの
低圧流体の導入口５が設けられている。ハウジン
グ１内に圧力測定室６が形成されており、この圧
力測定室６内に受圧ダイアフラム７とシリコンダ
イアフラム８が設けられている。受圧ダイアフラ
ム７とシリコンダイアフラム８はそれぞれ別個に
圧力測定室６の壁に固定されており、受圧ダイア
フラム７とシリコンダイアフラム８の両者でもつ
て圧力測定室６を２分している。受圧ダイアフラ
ム７は、ダイアフラム７Ａと孔７０を有するダイ
アフラム７Ｂの２枚から構成されている。もちろ
んダイアフラムの数は３枚以上でも良く、又孔の
径は小さい方が好ましく、その数には制限はな
い。孔７０は平坦な面に形成した方が加工上有利
である。ダイアフラムはエツチングにより形成さ
れるが、ダイアフラム７Ａと７Ｂの間隙はできる
だけ小さくなるようにし、差圧△Ｐ（＝ＰH−Ｐ
L）がダイアフラム７Ａ側から作用した時、即座
に２枚のダイアフラム７Ａ，７Ｂで受けるように
する。又、ダイアフラム７Ａと７Ｂは類似の形状
に形成し、両ダイアフラム間で形成する空間を少
なくするようにする。ダイアフラム７Ａと対向す
る圧力測定室６の壁６Ａ、およびダイアフラム７
Ｂと対向する圧力測定室６の壁６Ｂには、ダイア
フラム７Ａ，７Ｂと類似の形状のバツクプレート
が形成されている。このバツクプレート６Ａ，６
Ｂは、圧力測定室６の容積を減少させるのに有効
である。
フランジ２、低圧側フランジ３が溶接等によつて
固定されており、両フランジ２，３には測定せん
とする圧力ＰHの高圧流体の導入口４、圧力ＰLの
低圧流体の導入口５が設けられている。ハウジン
グ１内に圧力測定室６が形成されており、この圧
力測定室６内に受圧ダイアフラム７とシリコンダ
イアフラム８が設けられている。受圧ダイアフラ
ム７とシリコンダイアフラム８はそれぞれ別個に
圧力測定室６の壁に固定されており、受圧ダイア
フラム７とシリコンダイアフラム８の両者でもつ
て圧力測定室６を２分している。受圧ダイアフラ
ム７は、ダイアフラム７Ａと孔７０を有するダイ
アフラム７Ｂの２枚から構成されている。もちろ
んダイアフラムの数は３枚以上でも良く、又孔の
径は小さい方が好ましく、その数には制限はな
い。孔７０は平坦な面に形成した方が加工上有利
である。ダイアフラムはエツチングにより形成さ
れるが、ダイアフラム７Ａと７Ｂの間隙はできる
だけ小さくなるようにし、差圧△Ｐ（＝ＰH−Ｐ
L）がダイアフラム７Ａ側から作用した時、即座
に２枚のダイアフラム７Ａ，７Ｂで受けるように
する。又、ダイアフラム７Ａと７Ｂは類似の形状
に形成し、両ダイアフラム間で形成する空間を少
なくするようにする。ダイアフラム７Ａと対向す
る圧力測定室６の壁６Ａ、およびダイアフラム７
Ｂと対向する圧力測定室６の壁６Ｂには、ダイア
フラム７Ａ，７Ｂと類似の形状のバツクプレート
が形成されている。このバツクプレート６Ａ，６
Ｂは、圧力測定室６の容積を減少させるのに有効
である。
シリコンダイアフラム８は全体が単結晶のシリ
コン基板から形成されている。シリコン基板の一
方の面にボロン等の不純物を選択拡散して４つの
ストレンゲージ８０を形成し、他方の面を機械加
工、エツチングし、全体が凹形のダイアフラムを
形成する。４つのストレンゲージ８０は、シリコ
ンダイアフラム８が差圧△Ｐを受けてたわむ時、
２つが引張り、２つが圧縮を受けるようになつて
おり、これらがホイートストン・ブリツジ回路に
接続され、抵抗変化が差圧△Ｐの変化として検出
される。
コン基板から形成されている。シリコン基板の一
方の面にボロン等の不純物を選択拡散して４つの
ストレンゲージ８０を形成し、他方の面を機械加
工、エツチングし、全体が凹形のダイアフラムを
形成する。４つのストレンゲージ８０は、シリコ
ンダイアフラム８が差圧△Ｐを受けてたわむ時、
２つが引張り、２つが圧縮を受けるようになつて
おり、これらがホイートストン・ブリツジ回路に
接続され、抵抗変化が差圧△Ｐの変化として検出
される。
ハウジング１は一般にステンレス鋼で作られて
おり、シリコンダイアフラム８とではかなりの熱
膨張係数の違いがある。このためハウジング１と
シリコンダイアフラム８との間に、シリコンと大
体同じ熱膨張係数を有する中空の支持体９を設
け、シリコンダイアフラム８を圧力測定室６内に
突出させるようにする。支持体９に硼圭酸ガラス
等の耐熱ガラスを使えば、シリコンダイアフラム
８、支持体９、ハウジング１の３者は陽極結合法
で接合でき、各部材間の接着面のすべりのない強
固な接着ができる。
おり、シリコンダイアフラム８とではかなりの熱
膨張係数の違いがある。このためハウジング１と
シリコンダイアフラム８との間に、シリコンと大
体同じ熱膨張係数を有する中空の支持体９を設
け、シリコンダイアフラム８を圧力測定室６内に
突出させるようにする。支持体９に硼圭酸ガラス
等の耐熱ガラスを使えば、シリコンダイアフラム
８、支持体９、ハウジング１の３者は陽極結合法
で接合でき、各部材間の接着面のすべりのない強
固な接着ができる。
ハウジング１と高圧側フランジ２、および低圧
側フランジ３との間に、圧力導入室１０，１１を
形成されている。この圧力導入室１０，１１内に
隔液ダイアフラム１２，１３を設け、この隔液ダ
イアフラム１２，１３と対向するハウジング１の
壁１０Ａ，１１Ａに隔液ダイアフラム１２，１３
と類似の形状のバツクプレートが形成されてい
る。隔液ダイアフラム１２，１３とバツクプレー
ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測
定室６は、連通口１４，１５を介して導通してい
る。そして、隔液ダイアフラム１２，１３間にシ
リコンオイル等の封入液が満たされ、この封入液
が連通口１６，１７を介してシリコンダイアフラ
ム８の上下面にまで至つている。封入液は受圧ダ
イアフラム７とシリコンダイアフラム８とによつ
て２分されているが、その量がほぼ均等になるよ
うに配慮されている。封入液量は、周囲の温度変
化の影響をできるだけ少なくする上で少ない方が
好ましいが、バツクプレート６Ａ，６Ｂ，１０
Ａ，１１Ａが封入液量を少なくするのに役立つて
いる。
側フランジ３との間に、圧力導入室１０，１１を
形成されている。この圧力導入室１０，１１内に
隔液ダイアフラム１２，１３を設け、この隔液ダ
イアフラム１２，１３と対向するハウジング１の
壁１０Ａ，１１Ａに隔液ダイアフラム１２，１３
と類似の形状のバツクプレートが形成されてい
る。隔液ダイアフラム１２，１３とバツクプレー
ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測
定室６は、連通口１４，１５を介して導通してい
る。そして、隔液ダイアフラム１２，１３間にシ
リコンオイル等の封入液が満たされ、この封入液
が連通口１６，１７を介してシリコンダイアフラ
ム８の上下面にまで至つている。封入液は受圧ダ
イアフラム７とシリコンダイアフラム８とによつ
て２分されているが、その量がほぼ均等になるよ
うに配慮されている。封入液量は、周囲の温度変
化の影響をできるだけ少なくする上で少ない方が
好ましいが、バツクプレート６Ａ，６Ｂ，１０
Ａ，１１Ａが封入液量を少なくするのに役立つて
いる。
隔液ダイアフラム１２，１３のスチフネスは、
圧力に対する応答性、および封入液の熱膨張を吸
収する上で小さい方が好ましい。受圧ダイアフラ
ム７と隔液ダイアフラム１２，１３との間には、
隔液ダイアフラム１２，１３がバツクプレート１
０Ａ，１１Ａに当接する前に受圧ダイアフラム７
がバツクプレート６Ａ，６Ｂに当接しないような
関係にしておく。
圧力に対する応答性、および封入液の熱膨張を吸
収する上で小さい方が好ましい。受圧ダイアフラ
ム７と隔液ダイアフラム１２，１３との間には、
隔液ダイアフラム１２，１３がバツクプレート１
０Ａ，１１Ａに当接する前に受圧ダイアフラム７
がバツクプレート６Ａ，６Ｂに当接しないような
関係にしておく。
かかる差圧変換器において、導入口４，５から
圧力ＰHの被測定高圧流体、圧力ＰLの被測定流体
がハウジング１内に導入された場合、流体の圧力
ＰH，ＰLはそれぞれ隔液ダイアフラム１２，１３
を介して封入液に伝達され、シリコンダイアフラ
ム８により両流体の差圧△Ｐ＝｜ＰH−ＰL｜が検
出されることになる。
圧力ＰHの被測定高圧流体、圧力ＰLの被測定流体
がハウジング１内に導入された場合、流体の圧力
ＰH，ＰLはそれぞれ隔液ダイアフラム１２，１３
を介して封入液に伝達され、シリコンダイアフラ
ム８により両流体の差圧△Ｐ＝｜ＰH−ＰL｜が検
出されることになる。
この時、ＰH＞ＰLとすると、隔液ダイアフラム
１２および受圧ダイアフラム７は第３図の右方に
移動する。そして、圧力測定室６の左側半分の容
積変化量を△ＶH，△ＰH＝ＰH−ＰLとすると、△
ＰHと△ＶHの関係は第４図のイとなる。すなわ
ち、△ＰHの増加と共に△ＶHも増加するが、ａ点
（△P1，△V1）を境に△ＶHは増加しない。このａ
点が、断液ダイアフラム１２がバツクプレート１
０Ａに当接した時点であり、それ以上隔液ダイア
フラム１２が右方へ移動しないたる△ＶHは増加
せず、またシリコンダイアフラム８にも△P1以上
の圧力は加わらないことになる。
１２および受圧ダイアフラム７は第３図の右方に
移動する。そして、圧力測定室６の左側半分の容
積変化量を△ＶH，△ＰH＝ＰH−ＰLとすると、△
ＰHと△ＶHの関係は第４図のイとなる。すなわ
ち、△ＰHの増加と共に△ＶHも増加するが、ａ点
（△P1，△V1）を境に△ＶHは増加しない。このａ
点が、断液ダイアフラム１２がバツクプレート１
０Ａに当接した時点であり、それ以上隔液ダイア
フラム１２が右方へ移動しないたる△ＶHは増加
せず、またシリコンダイアフラム８にも△P1以上
の圧力は加わらないことになる。
同様に、ＰL＞ＰH、△ＰL＝ＰL−ＰH、圧力測
定室６の右側半分の容積変化量を△ＶLとする
と、△ＰLと△ＶLの関係は第４図のロとなる。ｂ
点（△P2，△V2）は隔液ダイアフラム１３がバツ
クプレート１１Ａに当接した時点である。
定室６の右側半分の容積変化量を△ＶLとする
と、△ＰLと△ＶLの関係は第４図のロとなる。ｂ
点（△P2，△V2）は隔液ダイアフラム１３がバツ
クプレート１１Ａに当接した時点である。
第４図から理解できるように、シリコンダイア
フラムの強度が強い方に対しては大きい差圧△
P1、または弱い方に対しては小さい差圧△P2が加
わるようにすることができ、△P1〜△P2の広い範
囲の差圧を検出することができる。また、シリコ
ンダイアフラムには△P1あるいは△P2以上の圧力
が加わらないため、測定流体の圧力に関係なく差
圧測定が可能となる。受圧ダイアフラムが１枚で
しかも高低圧両流体に対するスチフネスが同一の
場合、△ＰHと△ＶHの関係は第４図のハとなる。
すなわち、ダイアフラム１枚では、圧力方向が変
わつても△Ｐと△Ｖの関係は同じである。しか
も、ＶHとＶLはほぼ均等であるから、△P2＝△P3
となり、きわめて狭い範囲の差圧しか測定できな
い。
フラムの強度が強い方に対しては大きい差圧△
P1、または弱い方に対しては小さい差圧△P2が加
わるようにすることができ、△P1〜△P2の広い範
囲の差圧を検出することができる。また、シリコ
ンダイアフラムには△P1あるいは△P2以上の圧力
が加わらないため、測定流体の圧力に関係なく差
圧測定が可能となる。受圧ダイアフラムが１枚で
しかも高低圧両流体に対するスチフネスが同一の
場合、△ＰHと△ＶHの関係は第４図のハとなる。
すなわち、ダイアフラム１枚では、圧力方向が変
わつても△Ｐと△Ｖの関係は同じである。しか
も、ＶHとＶLはほぼ均等であるから、△P2＝△P3
となり、きわめて狭い範囲の差圧しか測定できな
い。
以上、本発明によれば、シリコンダイアフラム
の両面の耐圧に応じた差圧範囲を測定できる差圧
変換器を得ることができる。
の両面の耐圧に応じた差圧範囲を測定できる差圧
変換器を得ることができる。
第１図は本発明に係る原理図、第２図は第１図
の場合の△Ｐと△Ｖの関係を示す図、第３図は本
発明の一実施例になる差圧変換器の断面図、第４
図は第３図の場合の△Ｐと△Ｖの関係を示す図で
ある。 １……ハウジング、２……高圧側フランジ、３
……低圧側フランジ、４，５……導入口、６……
圧力測定室、６Ａ，６Ｂ，１０Ａ，１１Ａ……バ
ツクプレート、７……受圧ダイアフラム、７Ａ，
７Ｂ……ダイアフラム、８……シリコンダイアフ
ラム、９……支持体、１０，１１……圧力導入
室、１２，１３……隔液ダイアフラム、１４，１
５，１６，１７……連通口、７０……孔、８０…
…ストレンゲージ。
の場合の△Ｐと△Ｖの関係を示す図、第３図は本
発明の一実施例になる差圧変換器の断面図、第４
図は第３図の場合の△Ｐと△Ｖの関係を示す図で
ある。 １……ハウジング、２……高圧側フランジ、３
……低圧側フランジ、４，５……導入口、６……
圧力測定室、６Ａ，６Ｂ，１０Ａ，１１Ａ……バ
ツクプレート、７……受圧ダイアフラム、７Ａ，
７Ｂ……ダイアフラム、８……シリコンダイアフ
ラム、９……支持体、１０，１１……圧力導入
室、１２，１３……隔液ダイアフラム、１４，１
５，１６，１７……連通口、７０……孔、８０…
…ストレンゲージ。
Claims (1)
- １ その内部に封入液が満たされたハウジング
と、前記封入液と測定すべき２つの流体とを分離
する２つの隔液ダイアフラムと、この２つの隔液
ダイアフラムにある一定量以上のハウジング側へ
の移動を阻止する手段と、前記ハウジング内に設
けられた機械―電気変換機能を有するシリコンダ
イアフラムと、前記ハウジング内に設けられた一
方が孔を有する２枚のダイアフラムからなる受圧
ダイアフラムとよりなり、前記シリコンダイアフ
ラムおよび受圧ダイアフラムにより前記封入液を
２分するようにしたことを特徴とする差圧変換
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2870479A JPS55122126A (en) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | Pressure difference converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2870479A JPS55122126A (en) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | Pressure difference converter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55122126A JPS55122126A (en) | 1980-09-19 |
| JPS6239368B2 true JPS6239368B2 (ja) | 1987-08-22 |
Family
ID=12255843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2870479A Granted JPS55122126A (en) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | Pressure difference converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55122126A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4285244A (en) * | 1980-02-13 | 1981-08-25 | Honeywell Inc. | Non-symmetrical overload protection device for differential pressure transmitter |
| JPS6073427A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 差圧伝送器 |
| JPS61137246U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-26 | ||
| DE3621795A1 (de) * | 1986-06-28 | 1988-01-07 | Eckardt Ag | Differenzdruckgeber |
| JPH0421938U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-24 |
-
1979
- 1979-03-14 JP JP2870479A patent/JPS55122126A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55122126A (en) | 1980-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4565096A (en) | Pressure transducer | |
| US5959213A (en) | Semiconductor differential pressure measuring device | |
| JPH01141328A (ja) | 差圧伝送器 | |
| US4787249A (en) | Differential pressure transducer | |
| JPS6239368B2 (ja) | ||
| JPH0629821B2 (ja) | 複合機能形差圧センサ | |
| EP0080186A2 (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JP3080212B2 (ja) | 半導体差圧測定装置 | |
| JPH05142078A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH09218121A (ja) | 半導体差圧測定装置 | |
| RU2169912C1 (ru) | Микроэлектронный датчик давления | |
| JPH05187948A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH05172676A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH081468Y2 (ja) | 差圧測定装置 | |
| JP3090175B2 (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH05142077A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH07113711A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH06102128A (ja) | 半導体複合機能センサ | |
| JPH0798258A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH05248978A (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPH0783778A (ja) | 差圧測定装置 | |
| RU2559299C2 (ru) | Датчик дифференциального давления | |
| JP2578983Y2 (ja) | 絶対圧力計 | |
| JPH0550337U (ja) | 差圧測定装置 | |
| JPS60238732A (ja) | 差圧発信器 |