JP3080212B2 - 半導体差圧測定装置 - Google Patents

半導体差圧測定装置

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JP3080212B2
JP3080212B2 JP07178745A JP17874595A JP3080212B2 JP 3080212 B2 JP3080212 B2 JP 3080212B2 JP 07178745 A JP07178745 A JP 07178745A JP 17874595 A JP17874595 A JP 17874595A JP 3080212 B2 JP3080212 B2 JP 3080212B2
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semiconductor
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恭一 池田
哲也 渡辺
聡 福原
隆司 吉田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、静圧特性、温度特性が
良好な半導体差圧測定装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図10は従来より一般に使用されている
従来例の構成説明図で、例えば、特開昭59―5613
7号の第1図に示されている。図において、ハウジング
1の両側にフランジ2、フランジ3が嵌合い組み立てら
れ溶接等によって固定されており、両フランジ2,3に
は測定せんとする圧力PHの高圧流体の導入口5、圧力
Lの低圧流体の導入口4が設けられている。
【0003】ハウジング1内に圧力測定室6が形成され
ており、この圧力測定室6内にセンタダイアフラム7と
シリコンダイアフラム8が設けられている。センタダイ
アフラム7とシリコンダイアフラム8はそれぞれ別個に
圧力測定室6の壁に固定されており、センタダイアフラ
ム7とシリコンダイアフラム8の両者でもって圧力測定
室6を2分している。
【0004】センタダイアフラム7と対向する圧力測定
室6の壁には、バックプレ―ト6A,6Bが形成されて
いる。センタダイアフラム7は周縁部をハウジング1に
溶接されている。シリコンダイアフラム8は全体が単結
晶のシリコン基板から形成されている。
【0005】シリコン基板の一方の面にボロン等の不純
物を選択拡散して4っのストレンゲ―ジ80を形成し、
他方の面を機械加工、エッチングし、全体が凹形のダイ
アフラムを形成する。4っのストレインゲ―ジ80は、
シリコンダイアフラム8が差圧ΔPを受けてたわむ時、
2つが引張り、2つが圧縮を受けるようになっており、
これらがホイ―トストン・ブリッジ回路に接続され、抵
抗変化が差圧ΔPの変化として検出される。
【0006】81は、ストレインゲ―ジ80に一端が取
付けられたリ―ドである。82は、リ―ド81の他端が
接続されたハ―メチック端子である。支持体9は、ハ―
メチック端子を備えており、支持体9の圧力測定室6側
端面に低融点ガラス接続等の方法でシリコンダイアフラ
ム8が接着固定されている。
【0007】ハウジング1とフランジ2、およびフラン
ジ3との間に、圧力導入室10,11が形成されてい
る。この圧力導入室10,11内に隔液ダイアフラム1
2,13を設け、この隔液ダイアフラム12,13と対
向するハウジング1の壁10A,11Aに隔液ダイアフ
ラム12,13と類似の形状のバックプレ―トが形成さ
れている。
【0008】隔液ダイアフラム12,13とバックプレ
―ト10A,11Aとで形成される空間と、圧力測定室
6は、連通孔14,15を介して導通している。そし
て、隔液ダイアフラム12,13間にシリコンオイル等
の封入液101,102が満たされ、この封入液が連通
孔16,17を介してシリコンダイアフラム8の上下面
にまで至っている、封入液101,102はセンタダイ
アフラム7とシリコンダイアフラム8とによって2分さ
れているが、その量が、ほぼ均等になるように配慮され
ている。
【0009】以上の構成において、高圧側から圧力が作
用した場合、隔液ダイアフラム13に作用する圧力が封
入液102によってシリコンダイアフラム8に伝達され
る。一方、低圧側から圧力が作用した場合、隔液ダイア
フラム12に作用する圧力が封入液101によってシリ
コンダイアフラム8に伝達される。
【0010】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラム8が歪み、この歪み量がスト
レインゲ―ジ80に因って電気的に取出され、差圧の測
定が行なわれる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、静圧の影響を受け静圧誤差が生ず
る。この静圧誤差を補償するため、図11に示す如く、
シリコンダイアフラム8の薄肉部8aと厚肉部8bとに
拡散歪ゲージGd,Gsを設ける。
【0012】薄肉部8a上の歪ゲージGdで差圧圧力Δ
Pによる薄肉部8aの変形を検出する。厚肉部8b上の
歪ゲージGsでセンサ全体に静圧SPが印加した場合の、
シリコンダイアフラム8と支持体9の変形の相違によっ
て生じるシリコンダイアフラム8の変形を検出し、静圧
Pの値を検出する。
【0013】この場合の、差圧ΔPによる歪ゲージ
d,Gsの出力変化は図12、静圧SPによる歪ゲージ
d,Gsの出力変化は図13となる。つまり、差圧ΔP
が印加したときは、歪ゲージGdだけでなく、歪ゲージ
sも変化する。
【0014】このため、(1)式に示す演算式で、相互
関係を明らかにして、印加された測定差圧ΔPの値を求
めている。 ΔP=Σn i=0Σm j=0ij×Gd i×Gs j (1)
【0015】この場合に、両者の相互関係が大きいため
に、歪ゲージGd,Gsの出力分離が良くないため、高い
次数(n、m)の補正演算が必要となり、又補正後の精
度も十分に得られず、静圧特性も十分でないと言う問題
があった。本発明は、この問題点を、解決するものであ
る。本発明の目的は、静圧特性、温度特性が良好な半導
体差圧測定装置を提供するにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 (1)測定ダイアフラムの両側に測定室が設けられる半
導体差圧測定装置において、半導体基板に設けられ該半
導体基板の一面側に前記半導体基板と実質的に一体構成
にからなる第1測定ダイアフラムを形成する第1測定室
と、該第1測定室に対向して前記第1測定ダイアフラム
の反対面であって前記半導体基板の前記一面側の表面に
設けられた第1凹部と、前記半導体基板に設けられ該半
導体基板の前記一面側に前記半導体基板と実質的に一体
構成にからなる第2測定ダイアフラムを形成する第2測
定室と、該第2測定室に対向して前記第2測定ダイアフ
ラムの反対面であって前記半導体基板の前記一面側の表
面に設けられた第2凹部と、前記半導体基板の前記一面
に一面が接して設けられ前記第1凹部と第3測定室を構
成し前記第2凹部と第4測定室を構成する支持基板と、
前記半導体基板に設けられ一端から一方の測定圧力が導
入され他端側が前記第3測定室と第2測定室とに連通さ
れる第1連通札と、前記半導体基板に設けられ一端から
他方の測定圧力が導入され他端側が前記第4測定室と第
l測定室とに連通される第2連通孔と、測定差圧によっ
て前記第1測定ダイアフラムに発生する変位又は歪を検
出する第1センサと、測定差圧によって前記第2測定ダ
イアフラムに発生する変位又は歪を検出する第2センサ
と、該第2センサの出力と前記第1センサの出力との差
を演算する演算回踏とを貝備したことを特徴とする半導
体差圧測定装置。 (2)前記第1,第2センサとして、歪ゲージが使用さ
れたことを特徴とする請求項1記載の半導体差圧測定装
置。 (3)前記第1,第2センサとして、振動形歪センサが
使用されたことを特徴とする請求項1記載の半導体差圧
測定装置。 (4)前記第1,第2センサとして、静電容量形センサ
が使用されたことを特徴とする請求項1記載の半導体差
圧測定装置。を構成したものである。
【0017】
【作用】以上の構成において、高圧側測定圧力が、第1
連通孔を介して、第3測定室と第2測定室とに印加され
る。一方、低圧側測定圧力が、第2連通孔を介して、第
4測定室と第3測定室とに印加される。
【0018】第1,第2センサは、第1,第2測定ダイ
アフラムに発生する変位又は歪を検出する。演算回路
は、第1,第2センサの出力の差を演算して測定差圧に
対応した出力信号を出力する。以下、実施例に基づき詳
細に説明する。
【0019】
【実施例】図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、
図2は図1の具体的構成の要部詳細説明図、図3は図2
のA−A断面図、図4は図2のB−B断面図、図5は図
2のC−C断面図である。図において、図10と同一記
号の構成は同一機能を表わす。以下、図10と相違部分
のみ説明する。
【0020】21は、シリコン基板22に設けられ、シ
リコン基板の一面側22aにシリコン基板22と実質的
に一体構成にからなる第1測定ダイアフラム23を形成
する、所定の極めて小さな隙間からなる第1測定室であ
る。24は、第1測定ダイアフラム23の反対面であっ
て、シリコン基板22の一面側22aの表面に設けら
れ、深さが極めて浅くなっている第1凹部である。
【0021】25は、シリコン基板22に設けられ、シ
リコン基板の一面側22aに、シリコン基板22と実質
的に一体構成にからなり、第1測定ダイアフラム23と
同一の有効面積を有する第2測定ダイアフラム26を形
成する、所定の極めて小さな隙間からなる第2測定室で
ある。27は、第2測定ダイアフラム26の反対面であ
って、シリコン基板22の一面側22aの表面に設けら
れ、深さが極めて浅くなっている第2凹部である。
【0022】28は、シリコン基板22の一面22aに
一面28aが接して設けられ、第1凹部24と第3測定
室29を構成し、第2凹部27と第4測定室31を構成
する支持基板である。
【0023】なお、第1,第2,第3,第4測定室2
1,25,29,31は、過大圧が印加された場合に、
第1、あるいは第2測定ダイアフラムをバックアップし
て、測定ダイアフラムの破壊を防止出来るように、バッ
クアップ方向の隙間は極めて小さくなっている。例え
ば、1mμ程度である。図1は本発明を理解し易くする
ため、バックアップ方向の隙間は大きく示している。
【0024】32は、シリコン基板22に設けられ、一
端から一方の測定圧力PHが導入され、他端側が第3測
定室29と第2測定室25とに連通される第1連通孔で
ある。33は、シリコン基板22に設けられ、一端から
他方の測定圧力PLが導入され、他端側が第4測定室3
1と第1測定室21とに連通される第2連通孔である。
【0025】なお、図1において、第1連通孔32の第
3測定室29と第2測定室25との接続関係、或いは、
第2連通孔33の第2測定室25と第3測定室29との
接続関係を理解し易くするために、実際と異なって示し
ている。実際には、図2〜図5に示す様な接続関係にな
っている。
【0026】34は、測定差圧によって、第1測定ダイ
アフラム23に発生する変位又は歪を検出する第1セン
サで、この場合は、歪検出素子が使用されている。35
は、測定差圧によって、第2測定ダイアフラム26に発
生する変位又は歪を検出する第2センサで、この場合
は、歪検出素子が使用されている。
【0027】36は、第1センサ34の出力と、第2セ
ンサ35の出力との差を演算する演算回路(図示せず)
である。37は、第1連通孔32に測定圧力PHを導入
する圧力導入孔である。38は、第2連通孔33に測定
圧力PLを導入する圧力導入孔である。
【0028】以上の構成において、高圧側測定圧力PH
が、第1連通孔32を介して、第3測定室29と第2測
定室25とに印加される。低圧側測定圧力PLが、第2
連通孔33を介して、第4測定室31と第1測定室21
とに印加される。
【0029】高圧側測定圧力PHと低圧側測定圧力PL
の圧力差に応じて、第1測定ダイアフラム23と第2測
定ダイアフラム26とが変位して歪む。この歪み量が歪
検出素子34と歪検出素子35とによって電気的に検出
される。演算回路36により、第1歪検出素子34の出
力と、第2歪検出素子35の出力とが演算され、差圧の
測定が行なわれる。
【0030】即ち、第1測定ダイアフラム23と第2測
定ダイアフラム26とは、その有効面積が略同一である
ので、略反対方向に変形する。歪検出素子34のゲージ
出力G1と歪検出素子35のゲージ出力G2は、図6に示
す如く、差圧ΔP=PH−PLに対して、全く逆の出力を
出力する。
【0031】一方、静圧SP=PH=PLが印加したとき
は、第1測定ダイアフラム23と第2測定ダイアフラム
26との変形は等しく、その出力は、図7に示す如く、
略同じ出力変化となる。
【0032】歪検出素子34のゲージ出力G1と歪検出
素子35のゲージ出力G2との出力を、下記に示す
(2)式の如く差演算すると、差圧ΔPに比例した出力
が得られ、且つ、その変化量は2倍となる出力Uが得ら
れる。
【0033】一方、歪検出素子34のゲージ出力G1
歪検出素子35のゲージ出力G2との出力を下記に示す
(3)式の如く、和演算すると、差圧ΔPには影響され
ず、静圧SPのみに変化する出力Vが得られる。
【0034】この出力Vは静圧信号として使用すること
ができる。この静圧信号Vは、静圧による感度変化を補
正するなど、高精度化演算に使用することができる。 ΔP=U=G1ーG2 (2) Sp =V=G1+G2 (3)
【0035】以上説明したように、半導体マイクロマシ
ニング技術を利用して、有効面積の等しい2個の測定ダ
イアフラム23,26を1個のシリコン基板22に正確
に形成出来、且つ、連通孔32,33を利用して、測定
ダイアフラム23と測定ダイアフラム26とが互いに逆
方向に動作するように構成した。
【0036】この結果、 (1)第1歪検出素子34の出力と、第2歪検出素子3
5の出力との差演算信号は、差圧ΔPのみに高感度を有
する信号として得ることが出来る。 (2)而も、その出力変化率(感度)は、2倍となる。
【0037】(3)第1歪検出素子34の出力と、第2
歪検出素子35の出力との和演算信号は、静圧SPのみ
に高感度を有する信号として得ることが出来る。 (4)従って、差演算または和演算するのみで、高精度
な差圧ΔP信号または静圧SP信号を得ることが出来
る。
【0038】(5)差圧ΔP信号と静圧SP信号の相互
影響が小さいために、更に高精度にするために、(4)
式に示す演算をするにしても、その演算次数(n,m)
は小さくて済む。 (6)静圧SP以外の、例えば、温度特性も、第1歪検
出素子34の出力と、第2歪検出素子35の出力との差
演算によってキャンセルされ、優れた温度特性が得られ
る。(7)第1、第2、第3、第4測定室21,25,2
9,31は、実質的にシリコン基板22と実質的に一体
構成にから構成されているので、半導体プロセスが利用
出来、製作し易く、安価に出来る。又、堅牢に構成出来
る。また、測定ダイアフラム23,26と一体構成であ
るので、ドリフト特性や周囲温度の変化等に対する温度
特性も良好となる。 (8)第1、第2、第3、第4測定室21,25,2
9,31は、シリコン基板22と支持基板28により構
成されるので、耐圧特性も良好で、支持基板28製作プ
ロセスと半導体プロセスが利用出来、製作し易く、安価
に出来る。又、堅牢に構成出来る。
【0039】図8は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例においては、歪の変化に対応して固
有振動数が変化する振動梁41,42を、第1センサ3
4,第2センサ35として使用したものである。測定信
号として、周波数信号が使用できる利点を有する。
【0040】差圧ΔP信号は、以下の如くして計算され
る。 差圧ΔPによって発生する信号をΔfH、ΔfL 静圧SPによって発生する信号をΔfHP、ΔfLPとする
と、
【0041】第1測定ダイアフラム23と第2測定ダイ
アフラム26とは、前述の如く、差圧ΔPでは逆相で動
作するから、差圧ΔP出力信号は、振動梁41と振動梁
42との信号の差を、下記の如く、演算することにより
得られる。 差圧ΔP=PH−PL =K(fH0−fL0) (4) fH0:高圧側の全出力信号 fL0:低圧側の全出力信号
【0042】 fH0= fH+fHS (5) fL0=−fL+fLS (6) fS:静圧による出力信号の変化量 fHS=fLS ∴差圧ΔP=K(fH−fL) (7)
【0043】図9は本発明の他の実施例の要部構成説明
図である。本実施例においては、第1測定ダイアフラム
23又は第2測定ダイアフラム26に対向して、支持基
板の一面28aにそれぞれ同心状に配置された2組の電
極51,52,53,54を、第1センサ34,第2セ
ンサ35として使用したものである。
【0044】測定信号として、静電容量信号が使用でき
る利点を有する。差圧ΔP信号は、以下の如くして計算
される。差圧ΔPによって発生する測定ダイアフラム2
3又は26と電極51,52,53,54との静電容量
信号をCH1、CH2、CL1、CL2
【0045】静圧SPによって発生する信号をCHS1、C
HS2、CLS1、CLS2とすれば、第1測定ダイアフラム2
3と26とは、前述の如く、差圧ΔPでは逆相で動作す
るから、差圧ΔP出力信号は、測定ダイアフラム23,
26と電極51,52,53,54の信号の差を、下記
の如く、演算することにより得られる。
【0046】測定ダイアフラム23,26の変位δH0
δL0は、 δH0=K(CH2−CH1) (8) δL0=K(CL2−CL1) (9) 測定ダイアフラム23,26の変位δH0,δL0は、更
に、差圧成分と静圧成分とに分けられる。
【0047】 δH0= δH+δHS (10) δL0=−δL+δLS (11) 従って、(8)(9)式の差は差圧信号、和は静圧信号
となる。 差圧ΔP=δH0−δL0 =K{(CH2−CH1)−(CL2−CL1)} (12 ) 静圧信号は、高精度化する場合は、微小な静圧誤差の補
正演算用として用いる事ができる。
【0048】なお、前述の実施例においては、シリコン
基板22と説明したが、これに限ることはなく、例え
ば、カリウム砒素基板、シリコンカーバイト基板でも良
い。要するに、半導体であればよい。
【0049】また、第2測定ダイアフラム26は、第1
測定ダイアフラム23と同一の有効面積を有すると説明
したが、これが望ましいのであって、これに限ることは
なく、例えば、第1測定ダイアフラム23と第2測定ダ
イアフラム26との厚さが異なれば、同一の有効面積で
なくてもよく、また、測定ダイアフラムの有効面積が異
なっても補正係数を使用して補正すれば良い。要する
に、2個の測定ダイアフラム23,26があればよい。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、 (1)測定ダイアフラムの両側に測定室が設けられる半
導体差圧測定装置において、半導体基板に設けられ該半
導体基板の一面側に前記半導体基板と実質的に一体構成
にからなる第1測定ダイアフラムを形成する第1測定室
と、該第1測定室に対向して前記第1測定ダイアフラム
の反対面であって前記半導体基板の前記一面側の表面に
設けられた第1凹部と、前記半導体基板に設けられ該半
導体基板の前記一面側に前記半導体基板と実質的に一体
構成にからなる第2測定ダイアフラムを形成する第2測
定室と、該第2測定室に対向して前記第2測定ダイアフ
ラムの反対面であって前記半導体基板の前記一面側の表
面に設けられた第2凹部と、前記半導体基板の前記一面
に一面が接して設けられ前記第1凹部と第3測定室を構
成し前記第2凹部と第4測定室を構成する支持基板と、
前記半導体基板に設けられ一端から一方の測定圧力が導
入され他端側が前記第3測定室と第2測定室とに連通さ
れる第1連通札と、前記半導体基板に設けられ一端から
他方の測定圧力が導入され他端側が前記第4測定室と第
l測定室とに連通される第2連通孔と、測定差圧によっ
て前記第1測定ダイアフラムに発生する変位又は歪を検
出する第1センサと、測定差圧によって前記第2測定ダ
イアフラムに発生する変位又は歪を検出する第2センサ
と、該第2センサの出力と前記第1センサの出力との差
を演算する演算回踏とを貝備したことを特徴とする半導
体差圧測定装置。 (2)前記第1,第2センサとして、歪ゲージが使用さ
れたことを特徴とする請求項1記載の半導体差圧測定装
置。 (3)前記第1,第2センサとして、振動形歪センサが
使用されたことを特徴とする請求項1記載の半導体差圧
測定装置。 (4)前記第1,第2センサとして、静電容量形センサ
が使用されたことを特徴とする請求項1記載の半導体差
圧測定装置。を構成した。
【0051】この結果、特許請求の範囲の請求項1記載
の発明によれば、 (1)第1歪検出素子の出力と、第2歪検出素子の出力
との差演算信号は、差圧のみに高感度を有する信号とし
て得ることが出来る。 (2)而も、その出力変化率(感度)は、2倍となる。
【0052】(3)第1歪検出素子の出力と、第2歪検
出素子の出力との和演算信号は、静圧のみに高感度を有
する信号として得ることが出来る。 (4)従って、差演算または和演算するのみで、高精度
な差圧信号または静圧信号を得ることが出来る。
【0053】(5)差圧信号と静圧信号の相互影響が小
さいために、更に高精度にするために、演算をするにし
ても、その演算次数は小さくてすむ。 (6)静圧以外の、例えば、温度特性も、第1歪検出素
子の出力と、第2歪検出素子の出力との差演算によって
キャンセルされ、優れた温度特性が得られる。(7)第1、第2、第3、第4測定室は、実質的に半導
体基板と実質的に一体構成にから構成されているので、
半導体プロセスが利用出来、製作し易く、安価に出来
る。又、堅牢に構成出来る。また、測定ダイアフラムと
一体構成であるので、ドリフト特性や周囲温度の変化等
に対する温度特性も良好となる。 (8)第1、第2、第3、第4測定室は、半導体基板と
支持基板により構成されるので、耐圧特性も良好で、支
持基板製作プロセスと半導体プロセスが利用出来、製作
し易く、安価に出来る。又、堅牢に構成出来る。
【0054】更に、特許請求の範囲の請求項2記載の発
明によれば、測定信号として、アナログ信号が使用でき
る利点を有する。
【0055】特許請求の範囲の請求項3記載の発明によ
れば、測定信号として、周波数信号が使用できる利点を
有する。
【0056】特許請求の範囲の請求項4記載の発明によ
れば、測定信号として、静電容量信号が使用できる利点
を有する。
【0057】従って、本発明によれば、静圧特性、温度
特性が良好な半導体差圧測定装置を実現することが出来
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図2】図1の具体的構成の要部詳細説明図である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】図2のB−B断面図である。
【図5】図2のC−C断面図である。
【図6】図1の動作説明図である。
【図7】図1の動作説明図である。
【図8】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図9】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図10】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。
【図11】図10の要部詳細説明図である。
【図12】図10の動作説明図である。
【図13】図10の動作説明図である。
【符号の説明】
21 第1測定室 22 シリコン基板 22a シリコン基板の一面側 23 第1測定ダイアフラム 24 第1凹部 25 第2測定室 26 第2測定ダイアフラム 27 第2凹部 28 支持基板 28a 支持基板の一面側 29 第3測定室 31 第4測定室 32 第1連通孔 33 第2連通孔 34 第1センサ 35 第2センサ 36 差動演算回路 37 圧力導入孔 38 圧力導入孔 41 振動梁 42 振動梁 51 電極 52 電極 53 電極 54 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚本 秀郎 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横 河電機株式会社内 審査官 福田 裕司 (56)参考文献 特開 平2−136728(JP,A) 特開 平1−127931(JP,A) 特開 平6−273249(JP,A) 特開 平5−302863(JP,A) 特開 平3−65627(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 13/06 G01L 9/04

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】測定ダイアフラムの両側に測定室が設けら
    れる半導体差圧測定装置において、 半導体基板に設けられ該半導体基板の一面側に前記半導
    体基板と実質的に一体構成にからなる第1測定ダイアフ
    ラムを形成する第1測定室と、 該第1測定室に対向して前記第1測定ダイアフラムの反
    対面であって前記半導体基板の前記一面側の表面に設け
    られた第1凹部と、 前記半導体基板に設けられ該半導体基板の前記一面側に
    前記半導体基板と実質的に一体構成にからなる第2測定
    ダイアフラムを形成する第2測定室と、 該第2測定室に対向して前記第2測定ダイアフラムの反
    対面であって前記半導体基板の前記一面側の表面に設け
    られた第2凹部と、 前記半導体基板の前記一面に一面が接して設けられ前記
    第1凹部と第3測定室を構成し前記第2凹部と第4測定
    室を構成する支持基板と、 前記半導体基板に設けられ一端から一方の測定圧力が導
    入され他端側が前記第3測定室と第2測定室とに連通さ
    れる第1連通孔と、 前記半導体基板に設けられ一端から他方の測定圧力が導
    入され他端側が前記第4測定室と第l測定室とに連通さ
    れる第2連通孔と、 測定差圧によって前記第1測定ダイアフラムに発生する
    変位又は歪を検出する第1センサと、 測定差圧によって前記第2測定ダイアフラムに発生する
    変位又は歪を検出する第2センサと、 該第2センサの出力と前記第1センサの出力との差を演
    算する演算回路とを貝備したことを特徴とする半導体差
    圧測定装置。
  2. 【請求項2】前記第1,第2センサとして、歪ゲージが
    使用されたことを特徴とする請求項1記載の半導体差圧
    測定装置。
  3. 【請求項3】前記第1,第2センサとして、振動形歪セ
    ンサが使用されたことを特徴とする請求項1記載の半導
    体差圧測定装置。
  4. 【請求項4】前記第1,第2センサとして、静電容量形
    センサが使用されたことを特徴とする請求項1記載の半
    導体差圧測定装置。
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