JP2542930Y2 - ダミーウェーハ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はダミーウェーハに関し、特に半導体製造過程
で使用されるダミーウェーハに関する。

〔従来の技術〕

第４図に示すように、従来のダミーウェーハ２は、半
導体製造用ウェーハと同一形状で、平面上でのθ方向の
位置決めのため、オリエンテーションフラット（以下Ｏ
・Ｆと記す）３を１つ又は複数有していた。

一方、半導体の製造過程では、半導体製造用ウェーハ
のバッチ処理が行われ、それぞれのロットで所定の枚数
に満たない場合には、不足した枚数だけ従来のダミーウ
ェーハ２が充当されて処理されていた。

〔考案が解決しようとする課題〕

上述した従来のダミーウェーハは、半導体製造用ウェ
ーハと同一形状で同じＯ・Ｆを有しているため、それぞ
れを識別する際、ウェーハの表面又は裏面の状態の相違
を判断する必要があった。

そのため、 （１）目視で識別する。

（２）ウェーハ上に刻印しそれをセンサで読み取り識別
する。

等の方法しかなく、労力を費やすか、高価な刻印機及
びその刻印の識別機を必要とするという欠点があった。

本考案の目的は、労力と、高価の刻印機及びその刻印
の識別機を必要とすることなく半導体製造用ウェーハと
容易に識別できるダミーウェーハを提供することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本考案では、所定枚数の半導体ウェーハからなるロッ
トを処理する半導体製造工程で、オリエンテーションフ
ラットを有する半導体製造用ウェーハの枚数が前記所定
枚数に満たない場合に不足分の枚数を前記半導体製造用
ウェーハに加えるダミーウェーハにおいて、前記ダミー
ウェーハは前記半導体製造用ウェーハと外形が異なる。

〔実施例〕

次に、本考案の実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図は本考案の一実施例の平面図である。

第１図は示すように、ダミーウェーハ１には、第４図
に示す従来のダミーウェーハ２に形成されたＯ・Ｆが形
成されておらず外形が真円の円板となっている。

第２図（ａ），（ｂ）及び第３図（ａ），（ｂ）はそ
れぞれダミーウェーハと半導体製造用ウェーハとを識別
する方法を説明する平面図及び側面図である。

第２図（ａ），（ｂ）に示すように、センタリングさ
れたダミーウェーハ１をチャック７上に乗せ、１回転以
上回してもセンサ発光部４から出た光６は透過せず、光
センサ受光部５で光６が検知されないので、ダミーウェ
ーハ１であることが認識される。

これに対し、第３図（ａ），（ｂ）に示すように、セ
ンサリングされた半導体製造用ウェーハ12をチャック７
上に乗せ１回転以上回すと光センサ発光部４から出た光
６はＯ・Ｆ部で透過して光センサ受光部５で光６が検さ
れるので半導体製造用ウェーハ12であることが認識さ
れ、ダミーウェーハ１と半導体製造用ウェーハ12とが識
別できる。

〔考案の効果〕

以上説明したように、本考案のダミーウェーハを半導
体装置用ウェーハといっしょに使用することにより、Ｏ
・Ｆの有無を検知するという極めて簡単な方式で、労力
と、高価な刻印機及びその刻印の識別機を必要とするこ
となく２種類のウェーハの識別が可能になるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の平面図、第２図（ａ），
（ｂ）及び第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれダミーウェ
ーハと半導体製造用ウェーハとを識別する方法を説明す
る平面図及び側面図、第４図は従来のダミーウェーハの
一例の平面図である。 １…ダミーウェーハ、２…従来のダミーウェーハ、３…
Ｏ・Ｆ、４…光センサ発光部、５…光センサ受光部、６
…光、７…チャック、12…半導体製造用ウェーハ。

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】所定枚数の半導体ウェーハからなるロット
   を処理する半導体製造工程で、オリエンテーションフラ
   ットを有する半導体製造用ウェーハの枚数が前記所定枚
   数に満たない場合に不足分の枚数を前記半導体製造用ウ
   ェーハに加えるダミーウェーハにおいて、前記ダミーウ
   ェーハは前記半導体製造用ウェーハと外形が異なること
   を特徴とするダミーウェーハ。