JP2503900B2 - 半導体装置及びそれを用いたモ―タドライバ回路 - Google Patents

半導体装置及びそれを用いたモ―タドライバ回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にモータの逆起電力を利用するＨＤＤ用スピンドルモー
タドライブ用の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】第４図は従来の出力用の電界効果トラン
ジスタの一例を示す模式的縦断面図である。第４図にお
いて１はウェルベース領域、２はフィールド酸化膜、３
はチャネルストッパー領域４は高濃度ベース領域、５は
ベース領域、６はソース領域、７は高濃度ドレイン領域
３、８はドレイン領域、９はソース電極、１０はドレイ
ン電極、１１はゲートポリシリ電極、１２は層間絶縁膜
および１３は半導体基板である。
【０００３】前記の電界効果トランジスタはソース電極
９とソース領域６及び高濃度ベース領域４とコンタクト
されているためソース領域６とベース領域５及びウェル
ベース領域１で構成される寄生バイポーラトランジスタ
を動作させにくくしているが電流密度が高くなり、さら
にドレイン−ソース間の印加電圧が高くなると寄生バイ
ポーラトランジスタがオンしてしまう場合がある。これ
を防止するために、例えば特開昭５６−７３４７２で示
される様にチャネル領域以外のベース領域の濃度を高く
して寄生トランジスタをオンしにくくする試みが成され
ている。
【０００４】この様な電界効果トランジスタは、出力用
のパイポーラトランジスタに比べて低損失にする事がで
きるため、モータ駆動用のドライバ回路に広く用いられ
ている。
【０００５】具体例として第５図において、示される回
路がハードディスクシステム装置に広く用いられる。第
５図において、１′；スピンドルモータ（以下にＳＰＭ
と記す）コントロール入力端子、２′；ボイスコイルモ
ータ（以下ＶＣＭと記す）コントロール入力端子３
３′；コントロール回路電源端子、４′；ＳＰＭ電源端
子、５′；ＶＣＭ電源端子、６′；接地端子、７′〜１
２′ＳＰＭ内部入力端子、１３′〜１８′；ＶＣＭ内部
入力端子、１９′〜２１′；ＳＰＭ出力端子２２′；Ｓ
ＰＭ、２３′，２４′；ＶＣＭ出力、２５′ＶＣＭ、２
６ａ′〜２８ａ′；ＭＯＳトランジスタ，２９′〜３
１′；ＭＯＳトランジスタ、３２ａ′〜３４ａ′；ＭＯ
Ｓトランジスタ３５′ａ〜３７ａ′；ＭＯＳトランジス
タ，３８′；逆流防止ダイオードである。ハードディス
クシステムにおいて、モータの電源電圧が低下した時Ｓ
ＰＭの逆起電力を用いてＶＣＭをスタート位置に戻すこ
と（リトラクト）が一般的に用いられる。この動作をさ
せるためにＭＯＳトランジスタを利用したドライバ回路
はＭＯＳトランジスタの寄生ダイオードによる逆起電力
の電源への逆流を防止するため逆流防止ダイオードが必
要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術の半
導体装置において、モータの逆起電力を利用するＨＤＤ
用スピンドルモータを駆動する３層ドライブ回路を第５
図の様に構成する場合問題が生じる。それは、従来技術
の半導体装置は、ドレインとソース間寄生ダイオードが
形成されるため、モータが回転して発生する逆起電力が
上側のトランジスタの寄生ダイオードにより電源側流れ
るため逆流防止ダイオードが必要となる。これにより例
えば、電源電圧３Ｖ時にこのダイオードで０．５Ｖ程度
ドロップしてしまうため必要な電圧をモータに印加でき
ない不具合が生じていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ソース電極とベース領域をコンタクトしていないため寄
生トランジスタは構成されない。又、高濃度ベース領域
を設ける事で寄生バイポーラトランジスタのオンを極力
しない構造にしている。
【０００８】本発明の素子を用いるドライバ回路におい
て上側のもに本発明の素子を適用し、層を切り換えるス
イッチの動作のみを行わせる事で上記寄生トランジスタ
のオンを発生しない様工夫する。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。第１図は、本発明の第１の実施例である。第１図に
示すように、第１の実施例と第４図の従来技術の半導体
装置異なる点はソース電極とベース領域とコンタクトを
取っているかどうかにある。本実施例の様にコンタクト
を取らないと、ドレイン−ソース間の寄生ダイオードを
なくす事ができる。しかしその代り寄生バイポーラトラ
ンジスタがオンしやすくなるがベース領域中に高濃度ベ
ース領域を設け寄生バイポーラトランジスタをオンしに
くくしている。
【００１０】第２図は本発明の第２の実施例である。第
１の実施例は横型の電界効果トランジスタの場合であ
り、第２の実施例ドレイン極を裏面から取る事ができる
縦型の電界効果トランジスタの場合である。
【００１１】第３図は本発明の半導体装置を用いたハー
ドディスク装置に用いられるモータドライバ回路であ
る。本発明の半導体装置は従来のＭＯＳトランジスタに
比べてドレイン−ソース間に高い電圧が印加される条件
下で寄生バイポーラトランジスタがオンしやすくなるの
でブリッジ回路の上側のトランジスタのみに利用してこ
れを励磁相切り換えのみの動作を行う様にする。この回
路構成により、寄生バイポーラトランジスタがオンしな
い条件下で本発明の半導体装置を使用する事が可能にな
り、ソースとドレイン間の寄生ダイオードを取った形で
の電界効果トランジスタを実現できる。順方向のオン抵
抗は従来のＭＯＳトランジスタと同等な特製が得られ
た。
【００１２】
【発明の効果】本発明の半導体装置を用いる事でドレイ
ン−ソース間の寄生ダイオードを取った形での２重拡散
型電界効果トランジスタを実現できる。本発明を例えば
ハードディスク装置用のモータドライバ回路に応用する
事で、逆起電力を利用する場合の逆流防止ダイオードを
省略でき、モータに効率よくパワーを印加できる。これ
により特に３Ｖまでの低電圧化を行った場合、寄生ダイ
オードのため低損失の電界効果トランジスタをドライブ
回路の出力段として利用できなかったのを利用できる様
になり、装置の高性能化を行う事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図。
【図３】本発明の半導体装置利用したハードディスク装
置用モータダライバ回路。
【図４】従来技術の半導体素子の断面図。
【図５】従来技術のハードディスク装置用モータドライ
バ回路。
【符号の説明】
１ ウェルベース領域 ２ フィールド酸化膜 ３ チャネルストッパー領域 ４ 高濃度ベース領域 ５ ベース領域 ６ ソース領域 ７ 高濃度ドレイン領域 ８ ドレイン領域 ９ ソース電極 １０ ドレイン電極 １１ ゲートポリシリ電極 １２ 層間絶縁膜 １３ 半導体基板 １４ ドレイン低濃度領域 １５ ドレイン高濃度領域 １′ ＳＰＭコントロール入力端子 ２′ ＶＣＭコントロール入力端子 ３′ コントロール回路電源端子 ４′ ＳＰＭ電源端子 ５′ ＶＣＭ電源端子 ６′ 接地端子 ７′〜１２′ ＳＰＭ内部入力端子 １３′〜１８′ ＶＣＭ内部入力端子 １９′〜２１′ ＳＰＭ出力端子 ２２′ ＳＰＭ ２３′，２４′ ＶＣＭ出力端子 ２５′ ＶＣＭ ２６′〜２８′ 本発明の半導体装置 ２９′〜３１′ ＭＯＳトランジスタ ３２′〜３４′ 本発明の半導体装置 ３５′〜３７′ ＭＯＳトランジスタ ２６ａ′〜２８ａ′ ＭＯＳトランジスタ ３２ａ′〜３４ａ′ ＭＯＳトランジスタ ３８′ 逆流防止ダイオード

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ハードディスク装置のスピンドルモータ
    駆動用として利用される半導体装置において、第１導電
    型の半導体基板の一主面に形成されたウェルベース領域
    と該ウェルベース領域表面に設けた第２導電型のベース
    領域と該ベース領域表面の所定の位置に設けた前記第１
    導電型のソース領域と該ウェルベース領域内表面の所定
    の位置に設けた前記第１導電型のドレイン領域を有し、
    前記ソース領域とドレイン領域とに挟まれたベース領域
    部分からなるチャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介し
    て設けたゲート領域とを備えた電界効果トランジスタを
    含む半導体装置において、前記ドレイン領域からドレイ
    ン電極を取り、又前記ソース領域のみからソース電極を
    取り、さらに前記ゲート領域からゲート電極を取る、つ
    まり、従来技術の半導体装置では、ソース電極をベース
    領域とソース領域両方から取っていたのをソース領域の
    みから取る事を特徴とした半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記ベース領域において、チャネル形成
    領域とその他のベース領域との濃度が異なり、チャネル
    形成領域に比べその他のベース領域が高い事を特徴とし
    た請求項１の半導体装置。
  3. 【請求項３】前記請求項１，２の半導体装置をドレイン
    が電源端子に接続され、ソースが第１の出力端子に接続
    され、ゲートが第１の内部入力端子に接続される第１の
    電界効果トランジスタと、ドレインが前記第１の出力端
    子に接続され、ソースが接地端子に接続され、ゲートが
    第２の内部入力端子に接続される第２の電界効果トラン
    ジスタと、ドレインが前記電源端子に接続され、ソース
    が第２の出力端子に接続され、ゲートが第３の内部入力
    端子に接続される第３の電界効果トランジスタと、ドレ
    インが前記第２の出力端子に接続されソースが前記接地
    端子に接続され、ゲートが第４の内部入力端子に接続さ
    れる第４の電界効果トランジスタと、ドレインが前記電
    源端子に接続されソースが第３の出力端子に接続され、
    ゲートが第５の内部入力端子に接続される第５の電界効
    果トランジスタと、ドレインが前記第３の出力端子に接
    続され、ソースが前記接地端子に接続されゲートが第６
    の内部入力端子に接続される第６の電界効果トランジス
    タから構成される３相スピンドルモータドライバ回路の
    第１，３，５の電界効果トランジスタとして構成する事
    を特徴とした請求項１，２の半導体装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3473007B2 (ja) * 1997-07-30 2003-12-02 関西日本電気株式会社 モータ駆動装置
DE19935100B4 (de) * 1999-07-27 2004-10-28 Infineon Technologies Ag Halbbrückenkonfiguration
JP4039280B2 (ja) 2003-03-14 2008-01-30 ミツミ電機株式会社 モータ駆動回路
US9184097B2 (en) * 2009-03-12 2015-11-10 System General Corporation Semiconductor devices and formation methods thereof
JP7178950B2 (ja) * 2019-04-18 2022-11-28 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4936515B1 (ja) * 1970-06-10 1974-10-01
US4055884A (en) * 1976-12-13 1977-11-01 International Business Machines Corporation Fabrication of power field effect transistors and the resulting structures
US4374455A (en) * 1979-10-30 1983-02-22 Rca Corporation Method for manufacturing a vertical, grooved MOSFET
IT1133869B (it) * 1979-10-30 1986-07-24 Rca Corp Dispositivo mosfet
JPS5742164A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS58175872A (ja) * 1982-04-08 1983-10-15 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタ
JPS62274767A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Fujitsu Ltd 高耐圧半導体装置及びその製造方法
US5144401A (en) * 1987-02-26 1992-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Turn-on/off driving technique for insulated gate thyristor
US5072267A (en) * 1989-06-28 1991-12-10 Nec Corporation Complementary field effect transistor
US5121176A (en) * 1990-02-01 1992-06-09 Quigg Fred L MOSFET structure having reduced gate capacitance
JPH05137393A (ja) * 1991-11-08 1993-06-01 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録再生装置

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