JP2025007662A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JP2025007662A5
JP2025007662A5 JP2023109212A JP2023109212A JP2025007662A5 JP 2025007662 A5 JP2025007662 A5 JP 2025007662A5 JP 2023109212 A JP2023109212 A JP 2023109212A JP 2023109212 A JP2023109212 A JP 2023109212A JP 2025007662 A5 JP2025007662 A5 JP 2025007662A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epitaxial film
layer
gan
gan epitaxial
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023109212A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2025007662A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2023109212A priority Critical patent/JP2025007662A/ja
Priority claimed from JP2023109212A external-priority patent/JP2025007662A/ja
Priority to PCT/JP2024/021963 priority patent/WO2025009374A1/ja
Priority to KR1020257043103A priority patent/KR20260029292A/ko
Priority to CN202480042967.8A priority patent/CN121399308A/zh
Priority to EP24835888.9A priority patent/EP4741542A1/en
Priority to TW113122617A priority patent/TW202517849A/zh
Publication of JP2025007662A publication Critical patent/JP2025007662A/ja
Publication of JP2025007662A5 publication Critical patent/JP2025007662A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2023109212A 2023-07-03 2023-07-03 GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 Pending JP2025007662A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023109212A JP2025007662A (ja) 2023-07-03 2023-07-03 GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法
PCT/JP2024/021963 WO2025009374A1 (ja) 2023-07-03 2024-06-18 GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法
KR1020257043103A KR20260029292A (ko) 2023-07-03 2024-06-18 GaN 에피택셜 막의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
CN202480042967.8A CN121399308A (zh) 2023-07-03 2024-06-18 GaN外延膜的制造方法及半导体器件的制造方法
EP24835888.9A EP4741542A1 (en) 2023-07-03 2024-06-18 Production method for gan epitaxial film and production method for semiconductor device
TW113122617A TW202517849A (zh) 2023-07-03 2024-06-19 GaN磊晶生長膜的製造方法及半導體元件的製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023109212A JP2025007662A (ja) 2023-07-03 2023-07-03 GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2025007662A JP2025007662A (ja) 2025-01-17
JP2025007662A5 true JP2025007662A5 (enExample) 2025-12-23

Family

ID=94172055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023109212A Pending JP2025007662A (ja) 2023-07-03 2023-07-03 GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP4741542A1 (enExample)
JP (1) JP2025007662A (enExample)
KR (1) KR20260029292A (enExample)
CN (1) CN121399308A (enExample)
TW (1) TW202517849A (enExample)
WO (1) WO2025009374A1 (enExample)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3139445B2 (ja) * 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜
TWI519686B (zh) 2005-12-15 2016-02-01 聖戈班晶體探測器公司 低差排密度氮化鎵(GaN)之生長方法
JP6019928B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-02 住友電気工業株式会社 GaN系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
JP6503049B2 (ja) 2013-06-27 2019-04-17 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法
JP6270536B2 (ja) 2013-06-27 2018-01-31 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法
TWI894863B (zh) 2016-06-14 2025-08-21 美商克若密斯股份有限公司 用於功率及rf應用的工程基板結構
US10355120B2 (en) 2017-01-18 2019-07-16 QROMIS, Inc. Gallium nitride epitaxial structures for power devices
US10622468B2 (en) * 2017-02-21 2020-04-14 QROMIS, Inc. RF device integrated on an engineered substrate
JP6595677B1 (ja) 2018-08-29 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
JP6595678B1 (ja) 2018-08-29 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法および積層構造体
JP6595676B1 (ja) 2018-08-29 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
JP6595731B1 (ja) 2018-10-26 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
JP2020033254A (ja) 2019-09-20 2020-03-05 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板
JP7166998B2 (ja) 2019-09-20 2022-11-08 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板
JP7319227B2 (ja) 2020-05-11 2023-08-01 信越化学工業株式会社 Iii-v族化合物結晶用ベース基板及びその製造方法
JP7618401B2 (ja) * 2020-07-01 2025-01-21 信越化学工業株式会社 大口径iii族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法
JP7368336B2 (ja) * 2020-09-30 2023-10-24 信越半導体株式会社 紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法、及び紫外線発光素子の製造方法
WO2023027045A1 (ja) * 2021-08-25 2023-03-02 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法、半導体素子及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8278125B2 (en) Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
US8435820B2 (en) Patterned substrate for hetero-epitaxial growth of group-III nitride film
JP2010056458A (ja) 発光素子の製造方法
US8664687B2 (en) Nitride semiconductor light-emitting device and process for producing the same
JPH10321911A (ja) 単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード
US20100291719A1 (en) Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based semiconductor device
CN1471733A (zh) GaN基的半导体元件的制造方法
CN103038902B (zh) 半导体元件及其制造方法
CN100578825C (zh) 垂直结构的半导体芯片或器件(包括高亮度led)及其批量生产方法
JP5371430B2 (ja) 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層
US20130026498A1 (en) Substrate assembly for crystal growth and fabricating method for light emitting device using the same
JP2011086928A (ja) 化合物半導体結晶の製造方法、電子デバイスの製造方法、および半導体基板
KR101316115B1 (ko) 수직형 발광 다이오드 제조방법
JPH11238913A (ja) 半導体発光デバイスチップ
JP2022012558A5 (enExample)
KR20120138014A (ko) 반도체 발광소자의 제조방법
US20120028446A1 (en) Method for fabricating group iii-nitride semiconductor
JP2009190918A (ja) 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体装置の製造方法
JP2003282551A (ja) 単結晶サファイア基板とその製造方法
JP2013526781A (ja) 緩和層上に成長したiii族窒化物発光デバイス
US20160133792A1 (en) Semiconductor substrate and method of fabricating the same
KR101381988B1 (ko) 수직형 발광 다이오드 제조방법
KR101652791B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR20110113311A (ko) 기판 분리 기술을 이용한 발광 다이오드 제조방법
JP2023092416A (ja) 窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法