JP2025007662A - GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 Download PDF

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CN202480042967.8A CN121399308A (zh) 2023-07-03 2024-06-18 GaN外延膜的制造方法及半导体器件的制造方法
EP24835888.9A EP4741542A1 (en) 2023-07-03 2024-06-18 Production method for gan epitaxial film and production method for semiconductor device
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312971A (ja) * 1997-03-13 1998-11-24 Nec Corp III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
JP2020508278A (ja) * 2017-02-21 2020-03-19 クロミス,インコーポレイテッド 加工基板に集積されているrfデバイス
WO2022004165A1 (ja) * 2020-07-01 2022-01-06 信越化学工業株式会社 大口径iii族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法
JP2022056492A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 信越半導体株式会社 紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ、紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法、紫外線発光素子の製造方法、及び紫外線発光素子アレイの製造方法
WO2023027045A1 (ja) * 2021-08-25 2023-03-02 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法、半導体素子及び半導体装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI519686B (zh) 2005-12-15 2016-02-01 聖戈班晶體探測器公司 低差排密度氮化鎵(GaN)之生長方法
JP6019928B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-02 住友電気工業株式会社 GaN系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
JP6503049B2 (ja) 2013-06-27 2019-04-17 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法
JP6270536B2 (ja) 2013-06-27 2018-01-31 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法
TWI894863B (zh) 2016-06-14 2025-08-21 美商克若密斯股份有限公司 用於功率及rf應用的工程基板結構
US10355120B2 (en) 2017-01-18 2019-07-16 QROMIS, Inc. Gallium nitride epitaxial structures for power devices
JP6595677B1 (ja) 2018-08-29 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
JP6595678B1 (ja) 2018-08-29 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法および積層構造体
JP6595676B1 (ja) 2018-08-29 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
JP6595731B1 (ja) 2018-10-26 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
JP2020033254A (ja) 2019-09-20 2020-03-05 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板
JP7166998B2 (ja) 2019-09-20 2022-11-08 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板
JP7319227B2 (ja) 2020-05-11 2023-08-01 信越化学工業株式会社 Iii-v族化合物結晶用ベース基板及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312971A (ja) * 1997-03-13 1998-11-24 Nec Corp III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
JP2020508278A (ja) * 2017-02-21 2020-03-19 クロミス,インコーポレイテッド 加工基板に集積されているrfデバイス
WO2022004165A1 (ja) * 2020-07-01 2022-01-06 信越化学工業株式会社 大口径iii族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法
JP2022056492A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 信越半導体株式会社 紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ、紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法、紫外線発光素子の製造方法、及び紫外線発光素子アレイの製造方法
WO2023027045A1 (ja) * 2021-08-25 2023-03-02 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法、半導体素子及び半導体装置

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WO2025009374A1 (ja) 2025-01-09
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