JP2023516903A - 修飾された金属ホイル・キャパシタおよび修飾された金属ホイル・キャパシタを製造するための方法 - Google Patents
修飾された金属ホイル・キャパシタおよび修飾された金属ホイル・キャパシタを製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023516903A JP2023516903A JP2022548245A JP2022548245A JP2023516903A JP 2023516903 A JP2023516903 A JP 2023516903A JP 2022548245 A JP2022548245 A JP 2022548245A JP 2022548245 A JP2022548245 A JP 2022548245A JP 2023516903 A JP2023516903 A JP 2023516903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- foil
- capacitor
- metal foil
- times greater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 126
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000454 electroless metal deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002966 CaCu3Ti4O12 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 HfSIO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002244 LaAlO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1637—Composition of the substrate metallic substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/322—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer only coatings of metal elements only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/26—Structural combinations of electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices with each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
- H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
金属ホイル・キャパシタ、好ましくはアルミニウム・キャパシタを開示する。当該金属ホイル・キャパシタは、修飾された金属ホイルを含んで成り、修飾された金属ホイルは、ベース金属、好ましくはアルミニウムホイルを含んで成る。修飾された金属ホイル・キャパシタは、以下の条件（ａ）～（ｄ）のうち少なくとも２つを満たしてよい。（ａ）修飾された金属ホイルの表面積が、修飾されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍の大きいこと、（ｂ）修飾された金属ホイルの誘電率（ｋ）が、少なくとも５であること、（ｃ）修飾された金属ホイルの厚みが、少なくとも１ミクロン（μｍ）であること、および／または（ｄ）修飾された金属ホイルが、ベース金属に加えて、少なくとも１つの金属を含んで成ること。この少なくとも１つの金属は、修飾された金属ホイルの総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。当該金属ホイル・キャパシタを製造する方法も開示する。
【選択図】図１
【選択図】図１
Description
（関連出願の相互参照）
本願は、２０２０年２月６日に出願された米国仮出願第６２／９７１，０２６号、２０２０年６月３日に出願された米国仮出願第６２／７０４，９４１号、２０２０年１０月６日に出願された米国仮出願第６３／１９８，２４３号、および２０２０年１２月１５日に出願された米国仮出願第６３／１９９，２２９号の利益および優先権を主張しており、これらは全て、参照により全体として本開示に組み込まれる（又は援用される）ものである。
本願は、２０２０年２月６日に出願された米国仮出願第６２／９７１，０２６号、２０２０年６月３日に出願された米国仮出願第６２／７０４，９４１号、２０２０年１０月６日に出願された米国仮出願第６３／１９８，２４３号、および２０２０年１２月１５日に出願された米国仮出願第６３／１９９，２２９号の利益および優先権を主張しており、これらは全て、参照により全体として本開示に組み込まれる（又は援用される）ものである。
（分野）
本開示は、概して、電子デバイスに関する。より具体的には、金属ベース（例えば、アルミニウムベース）のキャパシタ（又はコンデンサ）に関し、これらは、大きな静電容量（又はキャパシタンス）を有するものであり、組み込み回路（又はエンベデッド・サーキット）および集積回路（又はインテグレーテッド・サーキット）において使用されている。
本開示は、概して、電子デバイスに関する。より具体的には、金属ベース（例えば、アルミニウムベース）のキャパシタ（又はコンデンサ）に関し、これらは、大きな静電容量（又はキャパシタンス）を有するものであり、組み込み回路（又はエンベデッド・サーキット）および集積回路（又はインテグレーテッド・サーキット）において使用されている。
（背景）
キャパシタ（又はコンデンサ）・デバイスは、電子、電気、マイクロ電気の分野において、多数の用途がある。キャパシタ（又はコンデンサ）・デバイスは、エネルギーの貯蔵（又は保存）に有用である。具体的には、アルミニウム・キャパシタ（又はアルミニウム・コンデンサ）が、小型のデバイス（又は小型の機器又はコンパクト・デバイス）において、一般的に使用されている。なぜなら、アルミニウム・キャパシタ（又はアルミニウム・コンデンサ）は、静電容量密度（キャパシタンス密度）が大きく、電圧適合性（又は電圧互換性又はボルテージ・コンパチビリティ）が比較的に高く、そしてコストが比較的に低いことに起因するからである。キャパシタ（又はコンデンサ）は、概して、大きな静電容量の値を達成するために、大きな表面積を備えている。キャパシタ（又はコンデンサ）は、一般的には、一対の薄い電極（誘電体によって分離され、なおかつタイト（又は気密）な円筒状の構造に巻き上げられているもの）として配置されていて、単位体積当たりの表面積を最大化している。単位体積当たりの表面積が大きいと、静電容量（又はキャパシタンス）が大きくなり、エネルギーの貯蔵量（又は保存量）を増やすことができるため、望ましい。
キャパシタ（又はコンデンサ）・デバイスは、電子、電気、マイクロ電気の分野において、多数の用途がある。キャパシタ（又はコンデンサ）・デバイスは、エネルギーの貯蔵（又は保存）に有用である。具体的には、アルミニウム・キャパシタ（又はアルミニウム・コンデンサ）が、小型のデバイス（又は小型の機器又はコンパクト・デバイス）において、一般的に使用されている。なぜなら、アルミニウム・キャパシタ（又はアルミニウム・コンデンサ）は、静電容量密度（キャパシタンス密度）が大きく、電圧適合性（又は電圧互換性又はボルテージ・コンパチビリティ）が比較的に高く、そしてコストが比較的に低いことに起因するからである。キャパシタ（又はコンデンサ）は、概して、大きな静電容量の値を達成するために、大きな表面積を備えている。キャパシタ（又はコンデンサ）は、一般的には、一対の薄い電極（誘電体によって分離され、なおかつタイト（又は気密）な円筒状の構造に巻き上げられているもの）として配置されていて、単位体積当たりの表面積を最大化している。単位体積当たりの表面積が大きいと、静電容量（又はキャパシタンス）が大きくなり、エネルギーの貯蔵量（又は保存量）を増やすことができるため、望ましい。
典型的には、キャパシタ（又はコンデンサ）は、多孔質の高純度のホイル（又は箔）を形成し、次いで、このホイルをアノード化（又はアノダイズ又はアノダイゼーション）することによって製造されている。次いで、液体またはポリマーの電解質（又は電解液）でポートが含侵されている。このようなキャパシタ（又はコンデンサ）は、表面積が大きく、誘電体としてアルミナを使用する場合、誘電率は約１０となる。しかし、トンネル・エッチングによって形成されたキャパシタ（又はコンデンサ）については、静電容量（又はキャパシタンス）には上限がある。
（要旨）
実施形態という用語および同様の用語は、本開示および以下の特許請求の範囲に記載の主題のすべてを広く参照することを意図している。これらの用語を含む記述は、本開示に記載されている主題を限定するものでも、以下の特許請求の範囲の意味または範囲を限定するものでもないと理解するべきである。本開示に包含される本開示の実施形態は、以下の特許請求の範囲によって規定されるものであり、この要旨によって規定されるものではない。この要旨は、本開示の様々な態様の高レベルの概要であり、以下の詳細な説明のセクションでさらに説明される概念のいくつかについても紹介している。この要旨は、特許請求の範囲に記載の主題の重要な特徴または必須の特徴を特定することは意図しておらず、特許請求の範囲に記載されている主題の範囲を決定するために単独で使用され得ることについても意図していない。かかる主題は、本開示の明細書全体、任意またはすべての図面、および各請求項の適切な部分を参照することによって理解されるべきである。
実施形態という用語および同様の用語は、本開示および以下の特許請求の範囲に記載の主題のすべてを広く参照することを意図している。これらの用語を含む記述は、本開示に記載されている主題を限定するものでも、以下の特許請求の範囲の意味または範囲を限定するものでもないと理解するべきである。本開示に包含される本開示の実施形態は、以下の特許請求の範囲によって規定されるものであり、この要旨によって規定されるものではない。この要旨は、本開示の様々な態様の高レベルの概要であり、以下の詳細な説明のセクションでさらに説明される概念のいくつかについても紹介している。この要旨は、特許請求の範囲に記載の主題の重要な特徴または必須の特徴を特定することは意図しておらず、特許請求の範囲に記載されている主題の範囲を決定するために単独で使用され得ることについても意図していない。かかる主題は、本開示の明細書全体、任意またはすべての図面、および各請求項の適切な部分を参照することによって理解されるべきである。
いくつかの態様において、本開示は、金属ホイル・キャパシタ（又はメタル・ホイル・キャパシタ又はメタル・ホイル・コンデンサ）に関する。金属ホイル・キャパシタは、修飾（又は改質）された金属ホイルを含んで成る。修飾（又は改質）された金属ホイルは、ベース金属、好ましくはアルミニウムホイル（又はアルミニウム箔）を含んで成る。金属ホイル・キャパシタは、以下の条件のうち、少なくとも２つを満たしてよい。
（ａ）修飾（又は改質）された金属ホイルの表面積が、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きいこと；
（ｂ）修飾（又は改質）された金属ホイルの誘電率（ｋ）が、少なくとも５であること；
（ｃ）修飾（又は改質）された金属ホイルの厚みが、少なくとも１ミクロン（μｍ）であること；および／または
（ｄ）修飾（又は改質）された金属ホイルが、ベース金属に加えて、少なくとも１つの金属を含んで成り、この少なくとも一つの金属が、修飾（又は改質）された金属ホイルの総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在すること。
いくつかの態様において、条件（ａ）および（ｂ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）および（ｃ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｂ）および（ｃ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｂ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｃ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）、（ｂ）および（ｃ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）、（ｂ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）が満たされている。
誘電率（ｋ）は、少なくとも１０であってよい。
少なくとも１つの上記金属は、ベース金属（例えば、アルミニウム、銅、金、銀、ニッケル、亜鉛）に加えて、チタン、ジルコニウム、またはそれらの組み合わせであってよい。
少なくとも１つの金属は、ベース金属に加えて、修飾（又は改質）された金属ホイルの総重量を基準として、０．０１～３０重量％で存在してよい。
修飾（又は改質）された金属ホイルは、修飾（又は改質）された金属ホイルの総重量を基準として、合計で０．０１～３０重量％のチタンおよびジルコニウムを含んでよい。
（ａ）修飾（又は改質）された金属ホイルの表面積が、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きいこと；
（ｂ）修飾（又は改質）された金属ホイルの誘電率（ｋ）が、少なくとも５であること；
（ｃ）修飾（又は改質）された金属ホイルの厚みが、少なくとも１ミクロン（μｍ）であること；および／または
（ｄ）修飾（又は改質）された金属ホイルが、ベース金属に加えて、少なくとも１つの金属を含んで成り、この少なくとも一つの金属が、修飾（又は改質）された金属ホイルの総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在すること。
いくつかの態様において、条件（ａ）および（ｂ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）および（ｃ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｂ）および（ｃ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｂ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｃ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）、（ｂ）および（ｃ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）、（ｂ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）が満たされている。
いくつかの態様において、条件（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）が満たされている。
誘電率（ｋ）は、少なくとも１０であってよい。
少なくとも１つの上記金属は、ベース金属（例えば、アルミニウム、銅、金、銀、ニッケル、亜鉛）に加えて、チタン、ジルコニウム、またはそれらの組み合わせであってよい。
少なくとも１つの金属は、ベース金属に加えて、修飾（又は改質）された金属ホイルの総重量を基準として、０．０１～３０重量％で存在してよい。
修飾（又は改質）された金属ホイルは、修飾（又は改質）された金属ホイルの総重量を基準として、合計で０．０１～３０重量％のチタンおよびジルコニウムを含んでよい。
いくつかの態様において、本開示は、修飾（又は改質）されたアルミニウムホイルに関する。さらに、修飾（又は改質）されたアルミニウムホイルをアノード化（又はアノダイズ又はアノダイゼーション）することによって、修飾（又は改質）されたアルミニウムホイルにアルミナの層を形成する方法に関する。
いくつかの態様において、本開示は、修飾（又は改質）された金属ホイルを製造（又は形成）する方法に関する。例えば、修飾（又は改質）されたアルミニウムホイルを製造（又は形成）する方法に関する。当該方法は、斜め蒸着（法）（グランシング・アングル・デポジション（glancing angle deposition））（ＧＬＡＤ）を含んでよい。
いくつかの態様において、当該方法は、原子層堆積（法）（又はアトミック・レイヤー・デポジション（atomic layer deposition））（ＡＬＤ）および／または無電解金属堆積（法）（又は無電解金属メッキ又はエレクトロレス・メタル・デポジション（electroless metal deposition））をさらに含む。
ＡＬＤは、Ａｌ、Ｓｉ、Ａｌオキシド（又は酸化Ａｌ又はＡｌ酸化物）、Ｔｉオキシド（又は酸化Ｔｉ又はＴｉ酸化物）、Ａｌニトリド（又は窒化Ａｌ又はＡｌ窒化物）、Ｔｉニトリド（又は窒化Ｔｉ又はＴｉ窒化物）、またはそれらの組み合わせの少なくとも１つを含んで成る堆積した層（又は堆積層又は成膜層）を製造（又は形成）するために使用されてよい。
堆積した層（又は堆積層又は成膜層）の伝導性（又は導電性）に応じて、この層は、誘電層またはカソードとして作用（又は機能）してよい。
無電解金属堆積（法）（又はエレクトロレス・メタル・デポジション）は、無電解ニッケル堆積（法）（又は無電解ニッケルめっき）（ＥＬＮｉ）、無電解アルミニウム堆積（法）（又は無電解アルミニウムめっき）、無電解銅堆積（法）（又は無電解銅めっき）、無電解銀堆積（法）（又は無電解銀めっき）、またはこれらの組み合わせを含んでよい。
いくつかの態様において、当該方法は、原子層堆積（法）（又はアトミック・レイヤー・デポジション（atomic layer deposition））（ＡＬＤ）および／または無電解金属堆積（法）（又は無電解金属メッキ又はエレクトロレス・メタル・デポジション（electroless metal deposition））をさらに含む。
ＡＬＤは、Ａｌ、Ｓｉ、Ａｌオキシド（又は酸化Ａｌ又はＡｌ酸化物）、Ｔｉオキシド（又は酸化Ｔｉ又はＴｉ酸化物）、Ａｌニトリド（又は窒化Ａｌ又はＡｌ窒化物）、Ｔｉニトリド（又は窒化Ｔｉ又はＴｉ窒化物）、またはそれらの組み合わせの少なくとも１つを含んで成る堆積した層（又は堆積層又は成膜層）を製造（又は形成）するために使用されてよい。
堆積した層（又は堆積層又は成膜層）の伝導性（又は導電性）に応じて、この層は、誘電層またはカソードとして作用（又は機能）してよい。
無電解金属堆積（法）（又はエレクトロレス・メタル・デポジション）は、無電解ニッケル堆積（法）（又は無電解ニッケルめっき）（ＥＬＮｉ）、無電解アルミニウム堆積（法）（又は無電解アルミニウムめっき）、無電解銅堆積（法）（又は無電解銅めっき）、無電解銀堆積（法）（又は無電解銀めっき）、またはこれらの組み合わせを含んでよい。
他の目的および利点は、以下の非限定的な実施例の詳細な説明から明らかである。
本明細書は、以下の添付の図面を参照する。様々な図における同様の参照符号の使用は、同様または類似の構成要素を示すことを意図している。
（詳細な説明）
定義
本開示で使用する通り、用語「発明（invention）」、「上記の発明（又は前記の発明）（the invention）」、「この発明（this invention）」および「本発明（又は本願発明）（the present invention）」は、この特許出願の主題および以下の特許請求の範囲のすべてを広く指すことを意図している。これらの用語を含む記述は、本開示に記載されている主題を限定するものではなく、あるいは以下の特許請求の範囲の意味または範囲を限定しないと理解するべきである。
定義
本開示で使用する通り、用語「発明（invention）」、「上記の発明（又は前記の発明）（the invention）」、「この発明（this invention）」および「本発明（又は本願発明）（the present invention）」は、この特許出願の主題および以下の特許請求の範囲のすべてを広く指すことを意図している。これらの用語を含む記述は、本開示に記載されている主題を限定するものではなく、あるいは以下の特許請求の範囲の意味または範囲を限定しないと理解するべきである。
本明細書中に開示されるすべての範囲は、そこに包含される任意および全てのサブレンジを含むと理解すべきである。例えば、「ｌ～１０」という記載の範囲は、最小値１と最大値１０との間（および、その両端を含む）の任意および全てのサブレンジ（すなわち、１以上の最小値（例えば、１～６．１）で始まり、１０以下の最大値（例えば、５．５～１０）で終わる全てのサブレンジ）を含むものと解釈すべきである。他に記載しない限り、表現「最大（又はまで）（up to）」とは、ある元素の組成における量を指す場合、その元素が任意であり、その特定の元素が組成においてゼロ・パーセント（０％）であることが含まれることを意味する。他に記載しない限り、全ての組成の割合（％）は、重量％（ｗｔ％）である。
本開示で使用する通り、「a」、「an」、「the」の意味は、文脈上、明らかに異なることが指示されていない限り、単数および複数の意味を包含する。
本開示で使用する通り、「室温」の意味は、約１５℃～約３０℃、例えば、約１５℃、約１６℃、約１７℃、約１８℃、約１９℃、約２０℃、約２１℃、約２２℃、約２３℃、約２４℃、約２５℃、約２６℃、約２７℃、約２８℃、約２９℃または約３０℃の温度を含むことができる。
（序論）
本開示では、金属ホイル（例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケルまたは亜鉛のホイル）について説明する。この金属ホイルは、アノード化（又はアノダイズ又はアノダイゼーション）されてよく、キャパシタ（又はコンデンサ）として使用することができる。金属ホイルの表面積および／または誘電率を増加させることによって、高い静電容量（又はキャパシタンス）をもたらす方法で金属ホイルが製造（又は形成）されている。開示のキャパシタ（又はコンデンサ）は、修飾（又は改質）された金属ホイルと、誘電体として作用（又は機能）するオキシド層（又は酸化物層）（例えば、アルミナまたはチタニア）とを採用している。その大きな静電容量（又はキャパシタンス）に部分的に起因して、本開示に記載のキャパシタ（又はコンデンサ）は、例えば、集積回路（又はインテグレーテッド・サーキット）および組み込み回路（又はエンベデッド・サーキット）の構成（又は要素又は成分又は部品又はコンポーネント）として有用である。本開示に記載される金属ホイルは、表面積の増加、誘電率の増加および／または誘電層の厚みの減少に起因して、大きな静電容量（又はキャパシタンス）を有する。
本開示では、金属ホイル（例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケルまたは亜鉛のホイル）について説明する。この金属ホイルは、アノード化（又はアノダイズ又はアノダイゼーション）されてよく、キャパシタ（又はコンデンサ）として使用することができる。金属ホイルの表面積および／または誘電率を増加させることによって、高い静電容量（又はキャパシタンス）をもたらす方法で金属ホイルが製造（又は形成）されている。開示のキャパシタ（又はコンデンサ）は、修飾（又は改質）された金属ホイルと、誘電体として作用（又は機能）するオキシド層（又は酸化物層）（例えば、アルミナまたはチタニア）とを採用している。その大きな静電容量（又はキャパシタンス）に部分的に起因して、本開示に記載のキャパシタ（又はコンデンサ）は、例えば、集積回路（又はインテグレーテッド・サーキット）および組み込み回路（又はエンベデッド・サーキット）の構成（又は要素又は成分又は部品又はコンポーネント）として有用である。本開示に記載される金属ホイルは、表面積の増加、誘電率の増加および／または誘電層の厚みの減少に起因して、大きな静電容量（又はキャパシタンス）を有する。
静電容量（又はキャパシタンス）は、Ｃ＝ＥＡ／ｄとして定義されている。
式中、
Ｃは、静電容量（又はキャパシタンス）であり、
Ｅは、誘電率であり、
Ａは、表面積であり、
ｄは、誘電層の厚みである。
また、本開示で使用する通り、誘電率は「ｋ」とも表記する。
従来の方法では、表面積および厚みを適切に変更しててよく、静電容量（又はキャパシタンス）を増加させることができる（すなわち、表面積を増加させて、厚みを減少させることによって、静電容量（又はキャパシタンス）を増加させることができる）。しかし、誘電率の値は、容易には変更することができない。本開示に記載の方法を使用することによって、従来から知られている静電容量よりも多くの量で静電容量を増加させることができる。なぜなら、表面積、誘電率および厚みを変更するからである。
いくつかの態様において、誘電率は１０よりも大きい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイルの表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも１５である。
いくつかの態様において、ホイルの厚みは、１ミクロン（μｍ）～５００ミクロン（μｍ）である。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイルは、ベース金属に加えて、少なくとも１つの金属（例えば、ドーパント）を含んで成る。
式中、
Ｃは、静電容量（又はキャパシタンス）であり、
Ｅは、誘電率であり、
Ａは、表面積であり、
ｄは、誘電層の厚みである。
また、本開示で使用する通り、誘電率は「ｋ」とも表記する。
従来の方法では、表面積および厚みを適切に変更しててよく、静電容量（又はキャパシタンス）を増加させることができる（すなわち、表面積を増加させて、厚みを減少させることによって、静電容量（又はキャパシタンス）を増加させることができる）。しかし、誘電率の値は、容易には変更することができない。本開示に記載の方法を使用することによって、従来から知られている静電容量よりも多くの量で静電容量を増加させることができる。なぜなら、表面積、誘電率および厚みを変更するからである。
いくつかの態様において、誘電率は１０よりも大きい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイルの表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも１５である。
いくつかの態様において、ホイルの厚みは、１ミクロン（μｍ）～５００ミクロン（μｍ）である。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイルは、ベース金属に加えて、少なくとも１つの金属（例えば、ドーパント）を含んで成る。
（キャパシタ）
本開示で説明する通り、キャパシタ（又はコンデンサ）は、修飾（又は改質）された金属ホイル（例えば、アルミニウムホイル（又はアルミニウム箔）、銅ホイル（又は銅箔）、金ホイル（又は金箔）、銀ホイル（又は銀箔）、ニッケルホイル（又はニッケル箔）、亜鉛ホイル（又は亜鉛箔）など）を含んで成る。金属ホイルは、任意の純粋な金属または合金から製造されてよく、良好な電気伝導率（又は導電率又は導電性）を有するものである。ホイルは、アノード化されて、薄いオキシド層（又は酸化物層）を形成してよい。本開示では、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）を製造（又は形成）するための方法を開示する。当該方法は、優れた特性を有するキャパシタ（又はコンデンサ）をもたらす。とりわけ、トンネル・エッチングによって調製されたホイルを用いるキャパシタ（又はコンデンサ）と比較して、優れた特性を有するキャパシタ（又はコンデンサ）をもたらす。
本開示で説明する通り、キャパシタ（又はコンデンサ）は、修飾（又は改質）された金属ホイル（例えば、アルミニウムホイル（又はアルミニウム箔）、銅ホイル（又は銅箔）、金ホイル（又は金箔）、銀ホイル（又は銀箔）、ニッケルホイル（又はニッケル箔）、亜鉛ホイル（又は亜鉛箔）など）を含んで成る。金属ホイルは、任意の純粋な金属または合金から製造されてよく、良好な電気伝導率（又は導電率又は導電性）を有するものである。ホイルは、アノード化されて、薄いオキシド層（又は酸化物層）を形成してよい。本開示では、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）を製造（又は形成）するための方法を開示する。当該方法は、優れた特性を有するキャパシタ（又はコンデンサ）をもたらす。とりわけ、トンネル・エッチングによって調製されたホイルを用いるキャパシタ（又はコンデンサ）と比較して、優れた特性を有するキャパシタ（又はコンデンサ）をもたらす。
いくつかの実施形態において、キャパシタ（又はコンデンサ）の静電容量（又はキャパシタンス）は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルを含んで成るキャパシタ（又はコンデンサ）と比較して、少なくとも１０倍大きく、例えば、少なくとも１５倍大きく、少なくとも２０倍大きく、少なくとも２５倍大きく、少なくとも３０倍大きく、少なくとも３５倍大きく、少なくとも４０倍大きく、少なくとも４５倍大きく、少なくとも５０倍大きく、少なくとも５５倍大きく、少なくとも６０倍大きく、少なくとも６５倍大きく、少なくとも７０倍大きく、少なくとも７５倍大きく、少なくとも８０倍大きく、少なくとも８５倍大きく、少なくとも９０倍大きく、少なくとも９５倍大きく、少なくとも１００倍大きく、少なくとも１０５倍大きく、１１０倍大きく、少なくとも１１５倍大きく、少なくとも１２０倍大きく、少なくとも１２５倍大きく、少なくとも１３０倍大きく、少なくとも１３５倍大きく、少なくとも１４０倍大きく、少なくとも１４５倍大きく、少なくとも１５０倍大きく、少なくとも１５５倍大きく、少なくとも１６０倍大きく、少なくとも１６５倍大きく、少なくとも１７０倍大きく、少なくとも１７５倍大きく、少なくとも１８０倍大きく、少なくとも１８５倍大きく、少なくとも１９０倍大きく、少なくとも１９５倍大きく、または少なくとも２００倍大きい。
いくつかの態様において、キャパシタ（又はコンデンサ）の静電容量（又はキャパシタンス）は、トンネル・エッチングによって調製されたホイルを含んで成るキャパシタ（又はコンデンサ）と比較して、少なくとも２５％、例えば、少なくとも３０％、少なくとも３５％、少なくとも４０％、少なくとも４５％、少なくとも５０％、少なくとも５５％、少なくとも６０％、少なくとも６５％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％、少なくとも９５％、少なくとも１００％、少なくとも１０５％、少なくとも１１０％、少なくとも１１５％、少なくとも１２０％、少なくとも１２５％、少なくとも１３０％、少なくとも１３５％、少なくとも１４０％、少なくとも１４５％、少なくとも１５０％、少なくとも１５５％、少なくとも１６０％、少なくとも１６５％、少なくとも１７０％、少なくとも１７５％、少なくとも１８０％、少なくとも１８５％、少なくとも１９０％、少なくとも１９５％、少なくとも２００％、少なくとも２０５％、少なくとも２１０％、少なくとも２１５％、少なくとも２２０％、少なくとも２２５％、少なくとも２３０％、少なくとも２３５％、少なくとも２４０％、少なくとも２４５％、および／または少なくとも２５０％大きい静電容量（又はキャパシタンス）を有する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、例えば、少なくとも１０倍大きい。例えば、少なくとも１５倍大きく、少なくとも２０倍大きく、少なくとも２５倍大きく、少なくとも３０倍大きく、少なくとも３５倍大きく、少なくとも４０倍大きく、少なくとも４５倍大きく、少なくとも５０倍大きく、少なくとも５５倍大きく、少なくとも６０倍大きく、少なくとも６５倍大きく、少なくとも７０倍大きく、少なくとも７５倍大きく、少なくとも８０倍大きく、少なくとも８５倍大きく、少なくとも９０倍大きく、少なくとも９５倍大きく、少なくとも１００倍大きく、少なくとも１０５倍大きく、１１０倍大きく、少なくとも１１５倍大きく、少なくとも１２０倍大きく、少なくとも１２５倍大きく、少なくとも１３０倍大きく、少なくとも１３５倍大きく、少なくとも１４０倍大きく、少なくとも１４５倍大きく、少なくとも１５０倍大きく、少なくとも１５５倍大きく、少なくとも１６０倍大きく、少なくとも１６５倍大きく、少なくとも１７０倍大きく、少なくとも１７５倍大きく、少なくとも１８０倍大きく、少なくとも１８５倍大きく、少なくとも１９０倍大きく、少なくとも１９５倍大きく、少なくとも２００倍大きい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の誘電率（ｋ）は、少なくとも５、少なくとも６、少なくとも７、少なくとも８、少なくとも９、少なくとも１０、少なくとも１１、少なくとも１２、少なくとも１３、少なくとも１４、少なくとも１５、少なくとも１６、少なくとも１７、少なくとも１８、少なくとも１９、少なくとも２０、少なくとも２１、少なくとも２２、少なくとも２３、少なくとも２４、少なくとも２５、少なくとも２６、少なくとも２７、少なくとも２８、少なくとも２９、少なくとも３０、少なくとも３１、少なくとも３２、少なくとも３３、少なくとも３４、少なくとも３５、少なくとも３６、少なくとも３７、少なくとも３８、少なくとも３９、少なくとも４０、少なくとも４１、少なくとも４２、少なくとも４３、少なくとも４４、少なくとも４５、少なくとも４６、少なくとも４７、少なくとも４８、少なくとも４９、少なくとも５０、少なくとも５１、少なくとも５２、少なくとも５３、少なくとも５４、少なくとも５５、少なくとも５６、少なくとも５７、少なくとも５８、少なくとも５９、少なくとも６０、少なくとも６１、少なくとも６２、少なくとも６３、少なくとも６４、少なくとも６５、少なくとも６６、少なくとも６７、少なくとも６８、少なくとも６９、少なくとも７０、少なくとも７１、少なくとも７２、少なくとも７３、少なくとも７４、少なくとも７５、少なくとも７６、少なくとも７７、少なくとも７８、少なくとも７９、少なくとも８０、少なくとも８１、少なくとも８２、少なくとも８３、少なくとも８４、少なくとも８５、少なくとも８６、少なくとも８７、少なくとも８８、少なくとも８９、少なくとも９０、少なくとも９１、少なくとも９２、少なくとも９３、少なくとも９４、少なくとも９５、少なくとも９６、少なくとも９７、少なくとも９８、少なくとも９９、または少なくとも１００である。範囲に関して、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の誘電率は、５～１００、１０～７５、１５～５０、または２０～４５であってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の厚みは、１～２００μｍ、５～２００μｍ、１０～２００μｍ、１５～１９５μｍ、２５～１７５μｍ、５０～１５０μｍ、少なくとも１μｍ、少なくとも５μｍ、少なくとも１０μｍ、少なくとも１５μｍ、少なくとも２０μｍ、少なくとも２５μｍ、少なくとも３０μｍ、少なくとも３５μｍ、少なくとも４０μｍ、少なくとも４５μｍ、少なくとも５０μｍ、少なくとも５５μｍ、少なくとも６０μｍ、少なくとも６５μｍ、少なくとも７０μｍ、少なくとも７５μｍ、少なくとも８０μｍ、少なくとも８５μｍ、少なくとも９０μｍ、少なくとも９５μｍ、少なくとも１００μｍ、少なくとも１０５μｍ、少なくとも１１０μｍ、少なくとも１１５μｍ、少なくとも１２０μｍ、少なくとも１２５μｍ、少なくとも１３０μｍ、少なくとも１３５μｍ、少なくとも１４０μｍ、少なくとも１４５μｍ、少なくとも１５０μｍ、少なくとも１５５μｍ、少なくとも１６０μｍ、少なくとも１６５μｍ、少なくとも１７０μｍ、少なくとも１７５μｍ、少なくとも１８０μｍ、少なくとも１８５μｍ、少なくとも１９０μｍ、少なくとも１９５μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも２０５μｍ、少なくとも２１０μｍ、少なくとも２１５μｍ、少なくとも２２０μｍ、少なくとも２２５μｍ、少なくとも２３０μｍ、少なくとも２３５μｍ、少なくとも２４０μｍ、少なくとも２４５μｍ、少なくとも２５０μｍ、少なくとも２５５μｍ、少なくとも２６０μｍ、少なくとも２６５μｍ、少なくとも２７０μｍ、少なくとも２７５μｍ、少なくとも２８０μｍ、少なくとも２８５μｍ、少なくとも２９０μｍ、少なくとも２９５μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも３０５μｍ、少なくとも３１０μｍ、少なくとも３１５μｍ、少なくとも３２０μｍ、少なくとも３２５μｍ、少なくとも３３０μｍ、少なくとも３３５μｍ、少なくとも３４０μｍ、少なくとも３４５μｍ、少なくとも３５０μｍ、少なくとも３５５μｍ、少なくとも３６０μｍ、少なくとも３６５μｍ、少なくとも３７０μｍ、少なくとも３７５μｍ、少なくとも３８０μｍ、少なくとも３８５μｍ、少なくとも３９０μｍ、少なくとも３９５μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも４０５μｍ、少なくとも４１０μｍ、少なくとも４１５μｍ、少なくとも４２０μｍ、少なくとも４２５μｍ、少なくとも４３０μｍ、少なくとも４３５μｍ、少なくとも４４０μｍ、少なくとも４４５μｍ、少なくとも４５０μｍ、少なくとも４５５μｍ、少なくとも４６０μｍ、少なくとも４６５μｍ、少なくとも４７０μｍ、少なくとも４７５μｍ、少なくとも４８０μｍ、少なくとも４８５μｍ、少なくとも４９０μｍ、少なくとも４９５μｍ、または少なくとも５００μｍであってよい。
いくつかの態様において、誘電層（アルミナ層、チタニア層、オキシド（又は酸化物）（Ｓｉ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｔのオキシド（又は酸化物））または２以上のオキシド（又は酸化物）の組み合わせであって、上記の修飾（又は改質）された金属ホイルにアノード化または共蒸着（又は共堆積又はコ・デポジション）によって形成されているもの）の厚みは、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば、１０ｎｍ～９０ｎｍ、２０ｎｍ～８０ｎｍ、４０ｎｍ～６０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、３５ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、または１００ｎｍであってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）は、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を含んで成る。いくつかの態様において、少なくとも１つの上記金属は、ドーパントの形態または表面コーティングの形態であり、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｒまたはそれらの組み合わせを含んで成る。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％、少なくとも１．２５重量％、少なくとも１．５重量％、少なくとも１．７５重量％、少なくとも２重量％、少なくとも２．２５重量％、少なくとも２．５重量％、少なくとも２．７５重量％、少なくとも３重量％、少なくとも３．２５重量％、少なくとも３．５重量％、少なくとも３．７５重量％、少なくとも４重量％、少なくとも４．２５重量％、少なくとも４．５重量％、少なくとも４．７５重量％、少なくとも５重量％、少なくとも５．２５重量％、少なくとも５．５重量％、少なくとも５．７５重量％、少なくとも６重量％、少なくとも６．２５重量％、少なくとも６．５重量％、少なくとも６．７５重量％、少なくとも７重量％、少なくとも７．２５重量％、少なくとも７．５重量％、少なくとも７．７５重量％、少なくとも８重量％、少なくとも８．２５重量％、少なくとも８．５重量％、少なくとも８．７５重量％、少なくとも９重量％、少なくとも９．２５重量％、少なくとも９．５重量％、少なくとも９．７５重量％、少なくとも１０重量％、少なくとも１０．２５重量％、少なくとも１０．５重量％、少なくとも１０．７５重量％、少なくとも１１重量％、少なくとも１１．２５重量％、少なくとも１１．５重量％、少なくとも１１．７５重量％、少なくとも１２重量％、少なくとも１２．２５重量％、少なくとも１２．５重量％、少なくとも１２．７５重量％、少なくとも１３重量％、少なくとも１３．２５重量％、少なくとも１３．５重量％、少なくとも１３．７５重量％、少なくとも１４重量％、少なくとも１４．２５重量％、少なくとも１４．５重量％、少なくとも１４．７５重量％、少なくとも１５重量％、少なくとも１５．２５重量％、少なくとも１５．５重量％、少なくとも１５．７５重量％、少なくとも１６重量％、少なくとも１６．２５重量％、少なくとも１６．５重量％、少なくとも１６．７５重量％、少なくとも１７重量％、少なくとも１７．２５重量％、少なくとも１７．５重量％、少なくとも１７．７５重量％、少なくとも１８重量％、少なくとも１８．２５重量％、少なくとも１８．５重量％、少なくとも１８．７５重量％、少なくとも１９重量％、少なくとも１９．２５重量％、少なくとも１９．５重量％、少なくとも１９．７５重量％、少なくとも２０重量％、少なくとも２０．２５重量％、少なくとも２０．５重量％、少なくとも２０．７５重量％、少なくとも２１重量％、少なくとも２１．２５重量％、少なくとも２１．５重量％、少なくとも２１．７５重量％、少なくとも２２重量％、少なくとも２２．２５重量％、少なくとも２２．５重量％、少なくとも２２．７５重量％、少なくとも２３重量％、少なくとも２３．２５重量％、少なくとも２３．５重量％、少なくとも２３．７５重量％、少なくとも２４重量％、少なくとも２４．２５重量％、少なくとも２４．５重量％、少なくとも２４．７５重量％、少なくとも２５重量％、少なくとも２５．２５重量％、少なくとも２５．５重量％、少なくとも２５．７５重量％、少なくとも２６重量％、少なくとも２６．２５重量％、少なくとも２６．５重量％、少なくとも２６．７５重量％、少なくとも２７重量％、少なくとも２７．２５重量％、少なくとも２７．５重量％、少なくとも２７．７５重量％、少なくとも２８重量％、少なくとも２８．２５重量％、少なくとも２８．５重量％、少なくとも２８．７５重量％、少なくとも２９重量％、少なくとも２９．２５重量％、少なくとも２９．５重量％、少なくとも２９．７５重量％、または少なくとも３０重量％の量で存在する。例示の範囲に関して、少なくとも１つの上記金属は、１重量％～３０重量％、１．２５重量％～２９重量％、１．５重量％～２８重量％、２重量％～２５重量％、または３重量％～２０重量％、あるいは上記に含まれる値のいずれかで存在してよい。
いくつかの態様において、キャパシタ（又はコンデンサ）は、上記の特徴（誘電率、表面積、厚みおよび／またはドーパントのレベルを含む特徴）のうち少なくとも２つの特徴、例えば、少なくとも３つの特徴、または４つのすべての特徴を有する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの厚みは、少なくとも１ミクロン（μｍ）であってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、さらに少なくとも１つの金属を有してよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイルの総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの厚みは、少なくとも１ミクロン（μｍ）であってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、さらに少なくとも１つの金属を有してよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイルの総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。このホイルの厚みは、少なくとも１ミクロン（μｍ）であってよい。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。このホイルは、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を含んでよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。このホイルは、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を含んでよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の表面積は、修飾（又は改質）されていない金属ホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。このホイルの厚みは、少なくとも１ミクロン（μｍ）であってよい。このホイルは、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を含んでよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在している。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）は、少なくとも５の誘電率（ｋ）と、少なくとも１ミクロン（μｍ）の厚みとを有していてよい。
いくつかの態様において、ホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。このホイルは、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を有してよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、ホイルの誘電率（ｋ）は、少なくとも５であってよい。このホイルは、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を有してよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）は、少なくとも５の誘電率（ｋ）と、少なくとも１ミクロン（μｍ）の厚みと、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて少なくとも１つの金属とを有してよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
いくつかの態様において、ホイルの厚みは、少なくとも１ミクロン（μｍ）であってよい。このホイルは、ベース金属（例えば、アルミニウム）に加えて、少なくとも１つの金属を有してよい。少なくとも１つの上記金属は、キャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）の総重量を基準として、少なくとも０．０１重量％の量で存在する。
（斜め蒸着法）
いくつかの実施形態において、本開示において記載されているキャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）は、斜め蒸着法（グランシング・アングル・デポジション（glancing angle deposition））（ＧＬＡＤ）を用いて、純粋なＡｌ、純粋なＴｉ、Ａｌ合金（Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ｌａ，Ｙ，Ｔａ，ＳｒとのＡｌ合金）；Ｔｉ合金（Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ｌａ，Ｙ，Ｔａ，ＳｒとのＴｉ合金）；純粋なＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｙ、Ｔａ、Ｓｒ；あるいはこれらの純粋な金属または合金の任意の組み合わせを堆積（又は成膜）させることによって形成されてよい。高い誘電率を有する天然オキシド層（又はナチュラル・オキシド・レイヤー）を形成する金属を使用することが有益であってよい。なぜなら、かかる天然オキシド膜（又はオキシド・フィルム）は、ＡＬＤ膜（又はＡＬＤフィルム）によって堆積（又は成膜）される誘電層の性能（又はパフォーマンス）に寄与し得るからである。
いくつかの実施形態において、本開示において記載されているキャパシタ・ホイル（又はコンデンサ・ホイル）は、斜め蒸着法（グランシング・アングル・デポジション（glancing angle deposition））（ＧＬＡＤ）を用いて、純粋なＡｌ、純粋なＴｉ、Ａｌ合金（Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ｌａ，Ｙ，Ｔａ，ＳｒとのＡｌ合金）；Ｔｉ合金（Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ｌａ，Ｙ，Ｔａ，ＳｒとのＴｉ合金）；純粋なＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｙ、Ｔａ、Ｓｒ；あるいはこれらの純粋な金属または合金の任意の組み合わせを堆積（又は成膜）させることによって形成されてよい。高い誘電率を有する天然オキシド層（又はナチュラル・オキシド・レイヤー）を形成する金属を使用することが有益であってよい。なぜなら、かかる天然オキシド膜（又はオキシド・フィルム）は、ＡＬＤ膜（又はＡＬＤフィルム）によって堆積（又は成膜）される誘電層の性能（又はパフォーマンス）に寄与し得るからである。
ＧＬＡＤは、多孔質の薄膜を作製（又は製造）する際に用いられるナノ加工技術である。一般的な物理蒸着プロセスでは、入射粒子フラックスと基板法線との角度θは、０°近くに固定されている。しかし、この角度θを変化させることによって、膜（又はフィルム）の形態（又はモルホロジー）に影響を与えるための自由度が増す。斜めの入射角θ＞７０°まで基板を傾けると、分離して傾斜（又はチルト）したナノカラム（nanocolumns）からなる薄膜が形成（又は生成）される。本開示では、傾斜（又はチルト）したナノカラムを有する金属ホイルを「修飾（又は改質）された金属ホイル」と呼ぶことがある。傾斜（又はチルト）したナノカラムは、「表面修飾（物）（又は表面改質（物））」と呼ぶこともある。これは、斜角蒸着（oblique angle deposition）（ＯＡＤ）と呼ばれるものである。対して、斜めの入射角θと、それと同時の基板の回転とを組み合わせることは、「ＧＬＡＤ」と呼ばれている。ＧＬＡＤは、米国特許第６，２０６，０６５号および米国（ＵＳ）出願公開第２０１５／０１４０２１３号に記載されている。これらの内容および開示事項の全体は、参照により本開示に組み込まれている（又は援用される）。
多孔質の薄膜は、他の方法で形成（又は生成）してよい。例えば、多孔質の薄膜は、物理蒸着（法）（又は物理気相成長（法））（ＰＶＤ）、化学蒸着（法）（又は化学気相成長（法））（ＣＶＤ）またはエッチングで形成（又は生成）してよい。
いくつかの態様において、当該方法は、原子層堆積（法）（又は原子層蒸着（法）又はアトミック・レイヤー・デポジション）（ＡＬＤ）および／または無電解ニッケル堆積（法）（又はエレクトロレス・ニッケル・デポジション）（ＥＬＮｉ）をさらに含んでよい。原子層堆積を使用して、Ａｌ、Ｓｉ、Ａｌオキシド（又は酸化Ａｌ又はＡｌ酸化物）、Ｔｉオキシド（又は酸化Ｔｉ又はＴｉ酸化物）、Ａｌニトリド（又は窒化Ａｌ又はＡｌ窒化物）、Ｔｉニトリド（又は窒化Ｔｉ又はＴｉ窒化物）、またはＡｌ、Ｓｉ、Ａｌの合金オキシド（又は酸化合金又は合金酸化物）、Ａｌ合金ニトリド（又は窒化Ａｌ合金又はＡｌ合金窒化物）、Ｔｉ合金オキシド（又は酸化Ｔｉ合金又はＴｉ合金酸化物）、ルテニウム、ルテニウムオキシド（又は酸化ルテニウム又はルテニウム酸化物）、ＭｎＯ２、ストロンチウム・ルテネート、またはＴｉ合金ニトリド（又は窒化Ｔｉ合金又はＴｉ合金窒化物）の任意の組み合わせを堆積（又は成膜）させてよい。伝導性（または導電性）に応じて、堆積した膜（又はフィルム）は、誘電層またはカソードとして作用（又は機能）することができる。追加的または代替的に、金属ホイルのアノード化（又はアノダイズ又はアノダイゼーション）によって誘電層が形成されてもよい。ＡＬＤまたはＡＬＤを通じて形成される誘電層は、以下の１つであってよい。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＨｆＳＩＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＡｌＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｉＴｒＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、または（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、ＣａＣｕ３Ｔｉ４Ｏ１２、ＺｒＯ２またはＡｌ２Ｏ３およびＴｉＯ２の１つであってよい。また、無電解堆積は、高い伝導性（又は導電性）を有する他の金属（例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌなど）を堆積（又は成膜）させるために使用してよい。これにより、従来のキャパシタ（又はコンデンサ）の製造における伝導性ポリマー（又は導電性ポリマー）の適用（又は付与又は塗布）（およびそれに付随する追加の工程）の必要性を排除することができる。これによって、生産性の向上、コストの削減、および潜在的な性能の向上の可能性がある。追加的または代替的に、電解重合を用いて、チオフェン、ポリアニリンまたはＰ３ＨＴを堆積（又は成膜）させることができる。特定の態様において、多段階法（又はマルチ・ステップ法）は、ＧＬＡＤ－ＡＬＤ－ＥＬＮｉの加工ライン（又は処理ライン）を含む。概略を図１に示す。加工ラインは、リール・トゥ・リールの金属ホイル（例えば、アルミニウムホイル）に適合（又はフィット）させることができる。次いで、構造体化された金属層を適用（又は付与）するために、このホイルにＧＬＡＤを施してよい。次に、構造体化された金属層は、ＡＬＤによって、極薄のオキシド・フィルム（又は酸化物フィルム又は酸化物の膜）で封止（又は被覆又はカプセル化）されてよい。極薄のオキシド・フィルムの誘電率は、少なくとも５であってよい。
いくつかの態様において、当該方法は、金属、合金、金属コンポジット（又は金属複合体）またはそれらの組み合わせから作製される任意の伝導体（又は導電体又はコンダクタ）の堆積（又は成膜）をさらに含んでよい。
いくつかの態様において、当該方法は、金属、合金、金属コンポジット（又は金属複合体）またはそれらの組み合わせから作製される任意の伝導体（又は導電体又はコンダクタ）の物理蒸着（法）（又は物理気相成長（法））（ＰＶＤ）および／または化学蒸着（法）（又は化学気相成長（法））（ＣＶＤ）をさらに含んでよい。
次に、封止膜（又は封止フィルム）は、ＥＬＮｉを用いることによって、金属コーティング・プロセスでコーティングされてよい。ニッケルなどの金属で膜（又はフィルム）をコーティングすることによって、構造体化された表面（ＧＬＡＤおよびＡＬＤによって形成されている）が保護される。また、これは、伝導性（又は導電性）の対向電極（又はカウンター電極）でもある。
当該方法に従って作製されるホイルの表面積は、修飾（又は改質）されていないホイルと比較して、少なくとも１０倍大きくてよい。このホイルの厚みは、少なくとも１ミクロン（μｍ）であってよい。
以下の実施例は、本発明をさらに説明するのに役立つ。しかし、それと同時に、その限定を構成するものではない。それどころか、本発明の精神から逸脱することなく、本発明の様々な実施形態、変更および均等物が得られてよく、これらは、本開示の説明を読んだ後、当業者に示唆され得るものであることを明確に理解することができるであろう。以下の実施例で説明する研究において、他に言及しない限り、従来の手順に従った。手順のいくつかを例示の目的で以下にて説明する。
（実施例）
実施例１
アルミニウムホイルにＧＬＡＤで公称厚み４８７ｎｍのアルミニウムフィルムを堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図２Ａに示す。
実施例１
アルミニウムホイルにＧＬＡＤで公称厚み４８７ｎｍのアルミニウムフィルムを堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図２Ａに示す。
実施例２
公称厚みが１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３フィルムを実施例１のフィルムに堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図２Ｂに示す。次いで、ＧＬＡＤ／ＡＬＤにより堆積（又は成膜）したフィルムの平均静電容量（又は平均キャパシタンス又はアベレージ・キャパシタンス）を測定した。その結果を以下の表１に報告する。
公称厚みが１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３フィルムを実施例１のフィルムに堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図２Ｂに示す。次いで、ＧＬＡＤ／ＡＬＤにより堆積（又は成膜）したフィルムの平均静電容量（又は平均キャパシタンス又はアベレージ・キャパシタンス）を測定した。その結果を以下の表１に報告する。
実施例３
公称厚みが１０００ｎｍのチタンフィルムをアルミニウムホイルにＧＬＡＤで堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図３Ａに示す。
公称厚みが１０００ｎｍのチタンフィルムをアルミニウムホイルにＧＬＡＤで堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図３Ａに示す。
実施例４
公称厚みが１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３フィルムを実施例３のフィルムに堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図３Ｂに示す。次いで、ＧＬＡＤ／ＡＬＤにより堆積（又は成膜）したフィルムの平均静電容量を測定した。その結果を以下の表１に報告する。
公称厚みが１０ｎｍのＡｌ２Ｏ３フィルムを実施例３のフィルムに堆積させた（又は成膜した）。ＳＥＭ顕微鏡写真を図３Ｂに示す。次いで、ＧＬＡＤ／ＡＬＤにより堆積（又は成膜）したフィルムの平均静電容量を測定した。その結果を以下の表１に報告する。
実施例５
概して、本開示に記載の方法を用いて形成されるキャパシタは、１００ｋＨｚで約１．８～２．２μＦ／ｍｍ２の静電容量密度（又はキャパシタンス密度又はキャパシタンス・デンシティ）、約３０～１６０ｍΩ＊ｍｍ２の等価直列抵抗（又はエクイバレント・シリーズ・レジスタンス）、約１０～１５ＭΩ＊ｍｍ２の絶縁抵抗（又はインシュレーション・レジスタンス）を有するものであった。
概して、本開示に記載の方法を用いて形成されるキャパシタは、１００ｋＨｚで約１．８～２．２μＦ／ｍｍ２の静電容量密度（又はキャパシタンス密度又はキャパシタンス・デンシティ）、約３０～１６０ｍΩ＊ｍｍ２の等価直列抵抗（又はエクイバレント・シリーズ・レジスタンス）、約１０～１５ＭΩ＊ｍｍ２の絶縁抵抗（又はインシュレーション・レジスタンス）を有するものであった。
例示の態様
以下で使用される通り、一連の態様（例えば、「態様１～４」）または数を指定していない群の態様（例えば、「前記または後記の態様のいずれか」）についての参照は、いずれも、これらの態様のそれぞれについて別々に参照しているものとして理解するべきである（例えば、「態様１～４」は、「態様１、２、３または４」として理解されるべきである）。
以下で使用される通り、一連の態様（例えば、「態様１～４」）または数を指定していない群の態様（例えば、「前記または後記の態様のいずれか」）についての参照は、いずれも、これらの態様のそれぞれについて別々に参照しているものとして理解するべきである（例えば、「態様１～４」は、「態様１、２、３または４」として理解されるべきである）。
態様１は、以下の方法である。
金属ホイル・キャパシタ（又はメタル・ホイル・キャパシタ又はメタル・ホイル・コンデンサ）を製造するための方法であって、当該方法は、
（ａ）金属基体を提供すること（又は工程又はステップ）と、
（ｂ）前記金属基体に多孔質の薄膜を生成させるために前記金属基体を修飾（又は改質）させること（又は工程又はステップ）と、
（ｃ）前記金属基体の前記多孔質の薄膜に誘電層を形成すること（又は工程又はステップ）と、
（ｄ）原子層堆積（又はアトミック・レイヤー・デポジション）を用いて、または無電解堆積（又は無電解メッキ又はエレクトロレス・デポジション）を用いて、前記誘電層に適合する（又は前記誘電層と同形又は同じ形状又はコンフォーマルである）カソード層を堆積させること（又は工程又はステップ）と、
（ｅ）前記金属ホイル・キャパシタを形成するために無電解堆積を用いて、前記カソード層に金属層を堆積させること（又は工程又はステップ）と
を含む、方法。
金属ホイル・キャパシタ（又はメタル・ホイル・キャパシタ又はメタル・ホイル・コンデンサ）を製造するための方法であって、当該方法は、
（ａ）金属基体を提供すること（又は工程又はステップ）と、
（ｂ）前記金属基体に多孔質の薄膜を生成させるために前記金属基体を修飾（又は改質）させること（又は工程又はステップ）と、
（ｃ）前記金属基体の前記多孔質の薄膜に誘電層を形成すること（又は工程又はステップ）と、
（ｄ）原子層堆積（又はアトミック・レイヤー・デポジション）を用いて、または無電解堆積（又は無電解メッキ又はエレクトロレス・デポジション）を用いて、前記誘電層に適合する（又は前記誘電層と同形又は同じ形状又はコンフォーマルである）カソード層を堆積させること（又は工程又はステップ）と、
（ｅ）前記金属ホイル・キャパシタを形成するために無電解堆積を用いて、前記カソード層に金属層を堆積させること（又は工程又はステップ）と
を含む、方法。
態様２は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記金属基体がアルミニウムを含んで成る、方法。
態様３は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記（ｂ）が物理蒸着（法）（又は物理気相成長（法）又はフィジカル・ベーパー・デポジション）（ＰＶＤ）、化学蒸着（法）（又は化学気相成長（法）又はケミカル・ベーパー・デポジション）（ＣＶＤ）、斜め蒸着（法）（又はグランシング・アングル・デポジション）（ＧＬＡＤ）またはエッチングを含む、方法。
態様４は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記（ｃ）が原子層堆積（法）を用いて、前記金属基体の前記多孔質の薄膜に前記誘電層を堆積させることを含む、方法。
態様５は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記（ｃ）が前記金属基体の前記多孔質の薄膜をアノード化することを含む、方法。
態様６は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記誘電層がアルミナを含んで成る、方法。
態様７は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記誘電層が、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、ストロンチウム（Ｓｔ）のオキシド（又は酸化物）、またはそれらの組み合わせをさらに含んで成る、方法。
態様８は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記金属層が、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）の１以上を含んで成る、方法。
態様９は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記金属ホイル・キャパシタの誘電率（ｋ）が少なくとも５、例えば５～１００、またはそれ以上である、方法。
態様１０は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記誘電率（ｋ）が少なくとも１０である、方法。
態様１１は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記金属基体または前記多孔質の薄膜が、少なくとも０．０１重量％、例えば０．０１重量％～１重量％、またはそれ以上の追加の金属を含んで成る、方法。
態様１２は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記追加の金属が、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙｔ）またはストロンチウム（Ｓｔ）である、方法。
態様１３は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記追加の金属が、前記金属基体の総重量を基準として、０．０１～３０重量％で存在する、方法。
態様１４は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記誘電層の厚みが最大で１００ナノメートル（ｎｍ）、例えば厚みが５ナノメートル（ｎｍ）から１００ナノメートル（ｎｍ）である、方法。
態様１５は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記金属ホイル・キャパシタが、少なくとも１μＦ／ｍｍ２、例えば１μＦ／ｍｍ２～５μＦ／ｍｍ２、またはそれ以上の平均静電容量を有する、方法。
態様１６は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記金属ホイル・キャパシタが、１００ｋＨｚで少なくとも約１．８μＦ／ｍｍ２、例えば１００ｋＨｚで約１．８μＦ／ｍｍ２～１００ｋＨｚで約５μＦ／ｍｍ２、またはそれ以上の静電容量を有する、方法。
態様１７は、前記または後記の態様のいずれかに記載の方法であって、前記カソード層が、窒化チタンを含んで成る、方法。
本開示で参照されるすべての特許、刊行物（又は公報）および抄録（又は要約）は、その全体が参照により本開示に組み込まれている（又は援用されている）。上記の実施形態の説明（例示の実施形態を含む）は、例示および説明を目的として示されているに過ぎない。開示された正確な形態を包括すること、または開示された正確な形態に限定することは意図していない。その多数の変更（又は改変）、適用（又は適合）および使用（又は用途）は、当業者には明らかである。
Claims (17)
- 金属ホイル・キャパシタを製造するための方法であって、当該方法は、
（ａ）金属基体を提供することと、
（ｂ）前記金属基体に多孔質の薄膜を生成させるために前記金属基体を修飾させることと、
（ｃ）前記金属基体の前記多孔質の薄膜に誘電層を形成することと、
（ｄ）原子層堆積を用いて、または無電解堆積を用いて、前記誘電層に適合するカソード層を堆積させることと、
（ｅ）前記金属ホイル・キャパシタを形成するために無電解堆積を用いて、前記カソード層に金属層を堆積させることと
を含む、方法。 - 前記金属基体がアルミニウムを含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記（ｂ）が物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、斜め蒸着（ＧＬＡＤ）またはエッチングを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記（ｃ）が原子層堆積を用いて、前記金属基体の前記多孔質の薄膜に前記誘電層を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記（ｃ）が前記金属基体の前記多孔質の薄膜をアノード化することを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記誘電層がアルミナを含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記誘電層が、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、ストロンチウム（Ｓｔ）のオキシド、またはそれらの組み合わせをさらに含んで成る、請求項６に記載の方法。
- 前記金属層が、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）の１以上を含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記金属ホイル・キャパシタの誘電率（ｋ）が少なくとも５である、請求項１に記載の方法。
- 前記誘電率（ｋ）が少なくとも１０である、請求項１に記載の方法。
- 前記金属基体または前記多孔質の薄膜が、少なくとも０．０１重量％の追加の金属を含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記追加の金属が、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙｔ）またはストロンチウム（Ｓｔ）である、請求項１１に記載の方法。
- 前記追加の金属が、前記金属基体の総重量を基準として、０．０１～３０重量％で存在する、請求項１に記載の方法。
- 前記誘電層の厚みが最大で１００ナノメートルである、請求項１に記載の方法。
- 前記金属ホイル・キャパシタが、少なくとも１μＦ／ｍｍ２の平均静電容量を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記金属ホイル・キャパシタが、１００ｋＨｚで少なくとも約１．８μＦ／ｍｍ２の静電容量を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記カソード層が、窒化チタンを含んで成る、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202062971026P | 2020-02-06 | 2020-02-06 | |
| US62/971,026 | 2020-02-06 | ||
| US202062704941P | 2020-06-03 | 2020-06-03 | |
| US62/704,941 | 2020-06-03 | ||
| US202063198243P | 2020-10-06 | 2020-10-06 | |
| US63/198,243 | 2020-10-06 | ||
| US202063199229P | 2020-12-15 | 2020-12-15 | |
| US63/199,229 | 2020-12-15 | ||
| PCT/US2021/016738 WO2021158864A1 (en) | 2020-02-06 | 2021-02-05 | Modified metal foil capacitors and methods for making same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023516903A true JP2023516903A (ja) | 2023-04-21 |
Family
ID=74798091
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022548241A Pending JP2023516902A (ja) | 2020-02-06 | 2021-02-05 | スタックおよびエンベッドのための高密度アルミニウム平面キャパシタ |
| JP2022548245A Pending JP2023516903A (ja) | 2020-02-06 | 2021-02-05 | 修飾された金属ホイル・キャパシタおよび修飾された金属ホイル・キャパシタを製造するための方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022548241A Pending JP2023516902A (ja) | 2020-02-06 | 2021-02-05 | スタックおよびエンベッドのための高密度アルミニウム平面キャパシタ |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20230073898A1 (ja) |
| EP (2) | EP4100976A1 (ja) |
| JP (2) | JP2023516902A (ja) |
| KR (1) | KR20220146500A (ja) |
| CN (2) | CN115668419A (ja) |
| AU (1) | AU2021217385A1 (ja) |
| CA (2) | CA3170472A1 (ja) |
| IL (2) | IL295436A (ja) |
| MX (2) | MX2022009752A (ja) |
| WO (2) | WO2021158879A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023157705A1 (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びコンデンサアレイ |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6206065B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-03-27 | The Governors Of The University Of Alberta | Glancing angle deposition of thin films |
| IL141592A (en) * | 2001-02-22 | 2007-02-11 | Zvi Finkelstein | Electrolytic capacitors and method for making them |
| JP3792129B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2006-07-05 | 新光電気工業株式会社 | キャパシタ、キャパシタ内蔵回路基板及びそれらの製造方法 |
| IL153289A (en) * | 2002-12-05 | 2010-06-16 | Acktar Ltd | Electrodes for electrolytic capacitors and method for producing them |
| US7149076B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-12-12 | Cabot Corporation | Capacitor anode formed of metallic columns on a substrate |
| EP1774548A1 (en) * | 2004-07-23 | 2007-04-18 | Sundew Technologies, LLP | Capacitors with high energy storage density and low esr |
| JP2006147606A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | シート状コンデンサとその製造方法 |
| DE102005043829A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
| JP4839824B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 |
| JP5374814B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2013-12-25 | 富士通株式会社 | キャパシタ内蔵型配線基板およびその製造方法 |
| US8470680B2 (en) * | 2008-07-28 | 2013-06-25 | Kemet Electronics Corporation | Substrate with embedded patterned capacitance |
| WO2012042950A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US20150140213A1 (en) | 2013-09-24 | 2015-05-21 | The Governors Of The University Of Alberta | Production of glancing angle deposited films |
| WO2017026233A1 (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
| WO2018021001A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社村田製作所 | 薄膜キャパシタ、及び電子装置 |
| WO2018092722A1 (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ及びコンデンサの実装構造 |
-
2021
- 2021-02-05 US US17/760,359 patent/US20230073898A1/en not_active Abandoned
- 2021-02-05 CN CN202180025992.1A patent/CN115668419A/zh active Pending
- 2021-02-05 JP JP2022548241A patent/JP2023516902A/ja active Pending
- 2021-02-05 KR KR1020227030966A patent/KR20220146500A/ko unknown
- 2021-02-05 US US17/760,356 patent/US20230067888A1/en active Pending
- 2021-02-05 AU AU2021217385A patent/AU2021217385A1/en active Pending
- 2021-02-05 CA CA3170472A patent/CA3170472A1/en active Pending
- 2021-02-05 MX MX2022009752A patent/MX2022009752A/es unknown
- 2021-02-05 WO PCT/US2021/016757 patent/WO2021158879A1/en unknown
- 2021-02-05 EP EP21708868.1A patent/EP4100976A1/en not_active Withdrawn
- 2021-02-05 CN CN202180025857.7A patent/CN115699234A/zh active Pending
- 2021-02-05 MX MX2022009755A patent/MX2022009755A/es unknown
- 2021-02-05 CA CA3170474A patent/CA3170474A1/en active Pending
- 2021-02-05 WO PCT/US2021/016738 patent/WO2021158864A1/en unknown
- 2021-02-05 IL IL295436A patent/IL295436A/en unknown
- 2021-02-05 JP JP2022548245A patent/JP2023516903A/ja active Pending
- 2021-02-05 IL IL295435A patent/IL295435A/en unknown
- 2021-02-05 EP EP21711403.2A patent/EP4100977A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023516902A (ja) | 2023-04-21 |
| WO2021158864A1 (en) | 2021-08-12 |
| WO2021158879A1 (en) | 2021-08-12 |
| AU2021217385A1 (en) | 2022-09-29 |
| CA3170472A1 (en) | 2021-08-12 |
| EP4100976A1 (en) | 2022-12-14 |
| CA3170474A1 (en) | 2021-08-12 |
| CN115699234A (zh) | 2023-02-03 |
| MX2022009752A (es) | 2023-01-11 |
| IL295435A (en) | 2022-10-01 |
| US20230067888A1 (en) | 2023-03-02 |
| WO2021158864A9 (en) | 2021-12-02 |
| US20230073898A1 (en) | 2023-03-09 |
| CN115668419A (zh) | 2023-01-31 |
| EP4100977A1 (en) | 2022-12-14 |
| KR20220146500A (ko) | 2022-11-01 |
| IL295436A (en) | 2022-10-01 |
| MX2022009755A (es) | 2023-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10256045B2 (en) | Capacitor | |
| WO2009125620A1 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| KR101224064B1 (ko) | 전극 구조체, 콘덴서 및 전극 구조체의 제조 방법 | |
| JP5429430B2 (ja) | 電極箔とその製造方法、およびコンデンサ | |
| CN109585163A (zh) | 电容器及其制造方法 | |
| JP2023516903A (ja) | 修飾された金属ホイル・キャパシタおよび修飾された金属ホイル・キャパシタを製造するための方法 | |
| JP5816794B2 (ja) | 電極箔の製造方法 | |
| JP4834193B2 (ja) | 電極構造体の製造方法、電極構造体およびコンデンサ | |
| WO2020162459A1 (en) | Capacitor | |
| TW200306592A (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same | |
| JP5512634B2 (ja) | セラミック電子部品用多層薄膜フィルム及びその製造方法 | |
| US7885054B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| CN109952626A (zh) | 固体电解电容器元件、固体电解电容器以及固体电解电容器元件的制造方法 | |
| JP5274344B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4665854B2 (ja) | バルブ金属複合電極箔およびその製造方法 | |
| WO2018084243A1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP7439907B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| WO2021065356A1 (ja) | 電解コンデンサ用電極箔、電解コンデンサおよび電解コンデンサの製造方法 | |
| JP7259406B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子及び固体電解コンデンサ素子の製造方法 | |
| WO2023171426A1 (ja) | コンデンサ | |
| JP5440290B2 (ja) | 電極箔およびコンデンサ | |
| TWI246696B (en) | Method for manufacturing dielectric ceramic layer and internal polar layer of multiple layer ceramic capacitors (MLCC) by vacuum sputtering | |
| US20170040113A1 (en) | Capacitor | |
| CN108400015A (zh) | 电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔 | |
| JP2013077676A (ja) | 電極構造体の製造方法、電極構造体およびコンデンサ |