JP2023154359A - 貫通型積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】貫通型積層セラミックコンデンサの積層体と外部電極との接合強度と耐湿信頼性を向上させる。【解決手段】貫通型積層セラミックコンデンサ１０において、第１の内部電極層及び第２の内部電極層を有する。第２の内部電極層は、第２の対向電極部２６ｂと、第３の引出電極部２８ｃと、第４の引出電極部２８ｄと、を有する。第３の引出電極部の両側に、第３の引出電極部と第２の対向電極部とから離間した第１のダミー電極２９ａ1、２９ａ2と、第４の引出電極部の両側に、第４の引出電極部と第２の対向電極部とから離間した第２のダミー電極２９ｂ1、２９ｂ2と、を有する。各ダミー電極は、夫々第３の外部電極３０ｃ又は第４の外部電極３０ｄに覆われており、各ダミー電極と外部電極との界面には、夫々ダミー電極を構成する金属と外部電極を構成する金属とで構成される第１の合金層４０ａ1、４０ａ2及び第２の合金層４０ｂ1、４０ｂ2が、配置される。【選択図】図８

Description

この発明は、貫通型積層セラミックコンデンサに関する。

一般に、積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムなどの誘電体セラミックスからなるセラミック焼結体を用いて構成され、セラミック焼結体の内部には、セラミック層を介して重なり合うように複数の内部電極が形成されている。また、セラミック焼結体の一方端面上には、内部電極に電気的に接続されるように外部電極が形成され、他方端面上には、内部電極に電気的に接続されるように外部電極が形成されている（たとえば、特許文献１を参照）。

特開平８－３０６５８０２号公報 特開平９－５５３３５号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極と外部電極とは、金属結合によって強固に接続されているものの、セラミック焼結体上に形成された外部電極とセラミック焼結体との接合に関しては、機械的接合強度が弱いことが一般的に知られている。そのため、外部からの衝撃により、セラミック焼結体と外部電極との間に隙間が生じやすく、その隙間から水分などが浸入して積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性が低下するといった問題が考えられる。

なお、セラミック焼結体と外部電極との間の隙間から水分などが浸入して積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性が低下する問題は、特許文献２に記載されるような貫通型積層セラミックコンデンサのアース電極に接続される外部電極側において顕著に生じる課題である。これは、内部電極および外部電極の形状上、積層体の側面上ではアース電極の端部からアース電極に接続される外部電極の先端までの距離が短くなる傾向にあるためである。

それゆえに、この発明の主たる目的は、貫通型積層セラミックコンデンサの積層体と外部電極との接合強度を向上させ、かつ耐湿信頼性を向上しうる貫通型積層セラミックコンデンサを提供することである。

この発明にかかる貫通型積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層上に積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、第１の端面上に配置される第１の外部電極と、第２の端面上に配置される第２の外部電極と、第１の側面上に配置される第３の外部電極と、第２の側面上に配置される第４の外部電極と、を備える貫通型積層セラミックコンデンサであって、複数の内部電極層は、第１の内部電極層と第２の内部電極層とを有し、第１の内部電極層は、第２の内部電極層と対向する第１の対向電極部と、第１の対向電極部から延び、第１の端面に引き出される第１の引出電極部と、第１の対向電極部から延び、第２の端面に引き出される第２の引出電極部と、を有し、第２の内部電極層は、第１の内部電極層と対向する第２の対向電極部と、第２の対向電極部から延び、第１の側面に引き出される第３の引出電極部と、第２の対向電極部から延び、第２の側面に引き出される第４の引出電極部と、を有し、第３の引出電極部が配置される誘電体層上には、第３の引出電極部の両側において、第３の引出電極部から離間し、かつ前記第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第１のダミー電極と、第４の引出電極部が配置される誘電体層上には、第４の引出電極部の両側において、第４の引出電極部から離間し、かつ第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第２のダミー電極と、を有し、第１のダミー電極は、第３の外部電極に覆われており、第１のダミー電極と第３の外部電極との界面には、第１のダミー電極を構成する金属と第３の外部電極を構成する金属とにより構成される第１の合金層が配置され、第２のダミー電極は、第４の外部電極に覆われており、第２のダミー電極と第４の外部電極との界面には、第２のダミー電極を構成する金属と第４の外部電極を構成する金属とにより構成される第２の合金層が配置される、貫通型積層セラミックコンデンサである。

この発明にかかる貫通型積層セラミックコンデンサでは、第３の引出電極部が配置される誘電体層上には、第３の引出電極部の両側において、第３の引出電極部から離間し、かつ前記第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第１のダミー電極と、第４の引出電極部が配置される誘電体層上には、第４の引出電極部の両側において、第４の引出電極部から離間し、かつ第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第２のダミー電極と、を有している。これにより、積層体の第１の側面において、第３の外部電極が、第３の引出電極部のみならず、一対の第１のダミー電極とも金属接合されるので、積層体と第３の外部電極との機械的接合強度を向上させることができる。また、積層体の第２の側面において、第４の外部電極が、第４の引出電極部のみならず、一対の第２のダミー電極とも金属接合されるので、積層体と第４の外部電極との機械的接合強度を向上させることができる。

また、この発明にかかる貫通型積層セラミックコンデンサは、第１のダミー電極は、第３の外部電極に覆われており、第１のダミー電極と第３の外部電極との界面には、第１のダミー電極を構成する金属と第３の外部電極を構成する金属とにより構成される第１の合金層が配置され、第２のダミー電極は、第４の外部電極に覆われており、第２のダミー電極と第４の外部電極との界面には、第２のダミー電極を構成する金属と第４の外部電極を構成する金属とにより構成される第２の合金層が配置される。これにより、第１のダミー電極と第３の外部電極とをより強固に接合することができ、第２のダミー電極と第４の外部電極とをより強固に接合することができる。

以上より、本発明にかかる貫通型積層セラミックコンデンサによれば、積層体と第３の外部電極との接合強度および積層体と第４の外部電極との接合強度を向上させることができるため、外部からの衝撃により積層体と第３の外部電極との間および積層体と第４の外部電極との間に隙間が生じにくくなり、貫通型積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性の低下を抑制することができる。また、仮に、積層体と第３の外部電極の端縁、および積層体と第４の外部電極の端縁から水分が浸入したとしても、第１のダミー電極および第２のダミー電極が配置されるところまでで、水分の浸入を防止することができることから、貫通型積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性を低下させることを抑制することができる。

この発明によれば、貫通型積層セラミックコンデンサの積層体と外部電極との接合強度を向上させ、かつ耐湿信頼性を向上しうる貫通型積層セラミックコンデンサを提供することができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの一例を示す上面図である。 この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの一例を示す正面図である。 図２の線ＩＶ－ＩＶにおける断面図である。 図２の線Ｖ－Ｖにおける断面図である。 図２の線ＶＩ－ＶＩにおける断面図である。 図４の線ＶＩＩ－ＶＩＩにおける断面図である。 （ａ）は図４の線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩにおける断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＲ部の拡大図である。 本発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの他の例の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサのさらに他の例の構成を示す断面図である。

１．貫通型積層セラミックコンデンサ
この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサについて説明する。

図１は、この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの一例を示す上面図である。図３は、この発明の実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサの一例を示す正面図である。図４は、図２の線ＩＶ－ＩＶにおける断面図である。図５は、図２の線Ｖ－Ｖにおける断面図である。図６は、図２の線ＶＩ－ＶＩにおける断面図である。図７は、図４の線ＶＩＩ－ＶＩＩにおける断面図である。図８（ａ）は図４の線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩにおける断面図であり、図８（ｂ）は（ａ）に示すＲ部の拡大図である。

図１に示すように、貫通型積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１２と、外部電極３０とを含む。

（１）積層体
積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と、誘電体層１４上に積層された複数の内部電極層１６とを有する。誘電体層１４と内部電極層１６は、高さ方向ｘに積層される。

積層体１２は、略直方体形状を有する。なお、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。積層体１２は、高さ方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。誘電体層１４と内部電極層１６は、高さ方向ｘに積層される。

積層体１２は、単数もしくは複数枚の誘電体層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１８を有する。内層部１８は、高さ方向ｘにおいて、最も第１の主面１２ａ側に位置する内部電極層１６から最も第２の主面１２ｂ側に位置する内部電極層１６までを含む。内部電極層１６は、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに引き出される第１の内部電極層１６ａと第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに引き出される第２の内部電極層１６ｂを有し、内層部１８では、複数枚の第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂが誘電体層１４を介して対向している。内層部１８は、静電容量を発生させ、実質的にコンデンサとして機能する部分である。

積層体１２は、第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第１の主面側外層部２０ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第２の主面側外層部２０ｂを有する。

また、積層体１２は、第１の側面１２ｃ側に位置し、第１の側面１２ｃと第１の側面１２ｃ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第１の側面側外層部２２ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の側面１２ｄ側に位置し、第２の側面１２ｄと第２の側面１２ｄ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第２の側面側外層部２２ｂを有する。

さらに、積層体１２は、第１の端面１２ｅ側に位置し、第１の端面１２ｅと第１の端面１２ｅ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第１の端面側外層部２４ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の端面１２ｆ側に位置し、第２の端面１２ｆと第２の端面１２ｆ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数の誘電体層１４から形成される第２の端面側外層部２４ｂを有する。

第１の主面側外層部２０ａは、第１の主面１２ａ側に位置する。第１の主面側外層部２０ａは、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数の誘電体層１４の集合体である。第１の主面側外層部２０ａで用いられる誘電体層１４は、内層部１８で用いられる誘電体層１４と同じものであってもよい。
第２の主面側外層部２０ｂは、第２の主面１２ｂ側に位置する。第２の主面側外層部２０ｂは、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数の誘電体層１４の集合体である。第２の主面側外層部２０ｂで用いられる誘電体層１４は、内層部１８で用いられる誘電体層１４と同じものであってもよい。

積層体１２は、対向電極部１９を有する。対向電極部１９は、後述する第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａと後述する第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部２６ｂとが対向する部分である。対向電極部１９は、内層部１８の一部として構成されている。なお、対向電極部１９は、コンデンサ有効部ともいう。

第１の側面側外層部２２ａは、対向電極部１９と第１の側面１２ｃとの間に位置する誘電体層１４を含む部分である。
第２の側面側外層部２２ｂは、対向電極部１９と第２の側面１２ｄとの間に位置する誘電体層１４を含む部分である。
なお、第１の側面側外層部２２ａおよび第２の側面側外層部２２ｂは、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。

第１の端面側外層部２４ａは、対向電極部１９と第１の端面１２ｅとの間に位置する誘電体層１４を含む部分である。
第２の端面側外層部２４ｂは、対向電極部１９と第２の端面１２ｆとの間に位置する誘電体層１４を含む部分である。
なお、第１の端面側外層部２４ａおよび第２の端面側外層部２４ｂは、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。

積層体１２の寸法は、特に限定されない。

誘電体層１４は、たとえば、セラミック材料として、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。

焼成後の誘電体層１４の厚みは、０．５０μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層１４の枚数は、１５枚以上３００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層１４の枚数は、内層部１８の誘電体層１４の枚数と、第１の主面側外層部２０ａおよび第２の主面側外層部２０ｂの誘電体層１４の枚数との総数である。

積層体１２は、複数の内部電極層１６として、複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の高さ方向ｘに沿って誘電体層１４を挟んで等間隔に交互に配置されるように埋設されている。

図７に示すように、第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと誘電体層１４を介して対向する第１の対向電極部２６ａと、第１の対向電極部２６ａから積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に引き出される第１の引出電極部２８ａおよび第１の対向電極部２６ａから積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に引き出される第２の引出電極部２８ｂとを備える。具体的には、第１の引出電極部２８ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に露出し、第２の引出電極部２８ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に露出している。したがって、第１の内部電極層１６ａは、積層体１２の第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面には露出していない。

第１の対向電極部２６ａの形状、ならびに第１の引出電極部２８ａおよび第２の引出電極部２８ｂの形状は、特に限定されないが、短矩形であることが好ましい。もっとも、第１の対向電極部２６ａの形状、ならびに第１の引出電極部２８ａおよび第２の引出電極部２８ｂのコーナー部は丸められていてもよい。

また、第１の引出電極部２８ａおよび第２の引出電極部２８ｂの幅方向ｙの長さは、第１の対向電極部２６ａの幅方向ｙの長さと同じ長さで形成されていてもよく、第１の対向電極部２６ａの幅方向ｙの長さよりも短い長さで形成されていてもよい。

また、第１の引出電極部２８ａの形状は、第１の端面１２ｅに向かってその幅方向ｙの長さが狭くなるようなテーパ形状であってもよく、第２の引出電極部２８ｂの形状は、第２の端面１２ｆに向かってその長さ方向ｚの長さが狭くなるようなテーパ形状であってもよい。

図８に示すように、第２の内部電極層１６ｂは、略十字形状であり、第１の内部電極層１６ａと誘電体層１４を介して対向する第２の対向電極部２６ｂ、第２の対向電極部２６ｂから積層体１２の第１の側面１２ｃの表面に引き出される第３の引出電極部２８ｃおよび第２の対向電極部２６ｂから積層体１２の第２の側面１２ｄの表面に引き出される第４の引出電極部２８ｄを備える。具体的には、第３の引出電極部２８ｃは、積層体１２の第１の側面１２ｃの表面に露出し、第４の引出電極部２８ｄは、積層体１２の第２の側面１２ｄの表面に露出している。したがって、第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面および第２の端面１２ｆの表面には露出していない。

第２の対向電極部２６ｂの形状、ならびに第３の引出電極部２８ｃおよび第４の引出電極部２８ｄの形状は、特に限定されないが、短矩形であることが好ましい。もっとも、第２の対向電極部２６ｂの形状、ならびに第３の引出電極部２８ｃおよび第４の引出電極部２８ｄのコーナー部は丸められていてもよい。

第２の対向電極部２６ｂの第１の端面１２ｅ側の辺と第２の端面１２ｆ側の辺とを結ぶ長さ方向ｚの寸法Ａと、第３の引出電極部２８ｃおよび第４の引出電極部２８ｄの第１の端面１２ｅ側の辺と第２の端面１２ｆ側の辺とを結ぶ長さ方向ｚの寸法Ｂとの関係は、それぞれＡ≧Ｂとなることが好ましい。

また、第３の引出電極部２８ｃの形状は、第１の側面１２ｃに向かってその長さ方向ｚの長さが狭くなるようなテーパ形状であってもよく、第４の引出電極部２８ｄの形状は、第２の側面１２ｄに向かってその長さ方向ｚの長さが狭くなるようなテーパ形状であってもよい。

第１の内部電極層１６ａと第２の内部電極層１６ｂは、誘電体層１４を介して、交互に積層されていてもよく、第１の内部電極層１６ａが配置された誘電体層１４が複数枚積層されたのち、第２の内部電極層１６ｂが配置された誘電体層１４が積層されていてもよい。このように、実現したい容量値に応じて、内部電極層１６の積層パターンを変更することができる。

第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂは、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ－Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。

第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂの枚数は、合わせて１０枚以上２９５枚以下であることが好ましい。

第１の内部電極層１６ａの厚みは、０．４μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
第２の内部電極層１６ｂの厚みは、０．４μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２は、さらに、第２の内部電極層１６ｂが配置される誘電体層１４上にダミー電極２９を有する。
ダミー電極２９は、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂とを有する。

一方の第１のダミー電極２９ａ₁は、第２の内部電極層１６ｂの第３の引出電極部２８ｃの第１の端面１２ｅ側において、第３の引出電極部２８ｃから離間し、かつ、第２の対向電極部２６ｂからも離間して設けられる。
他方の第１のダミー電極２９ａ₂は、第２の内部電極層１６ｂの第３の引出電極部２８ｃの第２の端面１２ｆ側において、第３の引出電極部２８ｃから離間し、かつ、第２の対向電極部２６ｂからも離間して設けられる。
すなわち、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂は、第３の引出電極部２８ｃの両側において、第３の引出電極部２８ｃから離間し、かつ第２の対向電極部２６ｂから離間して設けられる。

一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂は、後述される第３の外部電極３０ｃに覆われている。言い換えると、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂は、第３の外部電極３０ｃと接合されている。これにより、第１の側面１２ｃ側の積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの間の部分において、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と第３の外部電極３０ｃとの金属接合により、強固に接合することが可能となる。

一方の第２のダミー電極２９ｂ₁は、第２の内部電極層１６ｂの第４の引出電極部２８ｄの第１の端面１２ｅ側において、第４の引出電極部２８ｄから離間し、かつ、第２の対向電極部２６ｂからも離間して設けられる。
他方の第２のダミー電極２９ｂ₂は、第２の内部電極層１６ｂの第４の引出電極部２８ｄの第２の端面１２ｆ側において、第４の引出電極部２８ｄから離間し、かつ、第２の対向電極部２６ｂからも離間して設けられる。
すなわち、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂は、第３の引出電極部２８ｃの両側において、第３の引出電極部２８ｃから離間し、かつ第２の対向電極部２６ｂから離間して設けられる。

一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂は、後述される第４の外部電極３０ｄに覆われている。言い換えると、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂は、第４の外部電極３０ｄと接合されている。これにより、第２の側面１２ｄ側の積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの間の部分において、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂と第４の外部電極３０ｄとの金属接合により、強固に接合することが可能となる。

一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法ｌ₁は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。これにより、一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂と第３の外部電極３０ｃとの接合強度を向上させることができる。
一方、一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法ｌ₁が２０μｍよりも小さい場合、一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂と第３の外部電極３０ｃとの接合強度が弱くなり、水分の浸入を十分に防止することができない可能性がある。また、一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法ｌ₁が２７０μｍよりも大きい場合、一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂を第３の外部電極３０ｃで覆うことが困難となり、水分の浸入を十分に防止することができない可能性がある。

一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法ｌ₁は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。これにより、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂と第４の外部電極３０ｄとの接合強度を向上させることができる。
一方、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法ｌ₁が２０μｍよりも小さい場合、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂と第４の外部電極３０ｄとの接合強度が弱くなり、水分の浸入を十分に防止することができない可能性がある。また、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法ｌ₁が２７０μｍよりも大きい場合、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂を第４の外部電極３０ｄで覆うことが困難となり、水分の浸入を十分に防止することができない可能性がある。

一方の第１のダミー電極２９ａ₁および他方の第１のダミー電極２９ａ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法、および一方の第２のダミー電極２９ｂ₁および他方の第２のダミー電極２９ｂ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法は、以下に説明する方法により測定される。
すなわち、まず、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の断面を露出させる。具体的には、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の１／２Ｔの位置となるまで第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと略平行になるように研磨を行い、ＬＷ断面を露出させる。次に、露出させたＬＷ断面において、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの寸法の１／２の位置における一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法について、マイクロスコープを用いて測定することができる。同様に、露出させたＬＷ断面において、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの寸法の１／２の位置における一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚのそれぞれの寸法について、マイクロスコープを用いて測定することができる。

第３の引出電極部２８ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁の間、および第３の引出電極部２８ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法ｌ₂は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。これにより、第３の外部電極３０ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁との間、および第３の外部電極３０ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間に対して所望の距離を確保することができ、水分の浸入を防止することができる。
一方、第３の引出電極部２８ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁の間、および第３の引出電極部２８ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法ｌ₂が２０μｍよりも小さい場合、第３の引出電極部２８ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁の間、および第３の引出電極部２８ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の距離が短くなり、水分の浸入を十分に防止することができない可能性がある。また、第３の引出電極部２８ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁の間、および第３の引出電極部２８ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法ｌ₂が２７０μｍよりも大きい場合、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂を第３の外部電極３０ｃで覆うことが難しくなり、水分の浸入を防止することができない可能性がある。

第４の引出電極部２８ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁の間、および第４の引出電極部２８ｄと他方の第２のダミー電極２９ｂ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法ｌ₂は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であることが好ましい。これにより、第４の外部電極３０ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁との間、および第４の外部電極３０ｄと他方の第２のダミー電極２９ｂ₂との間に対して所望の距離を確保することができ、水分の浸入を防止することができる。
一方、第４の引出電極部２８ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁の間、および第４の引出電極部２８ｄと他方の第２のダミー電極２９ｂ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法ｌ₂が２０μｍよりも小さい場合、第４の引出電極部２８ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁の間、および第４の引出電極部２８ｄと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の距離が短くなり、水分の浸入を十分に防止することができない可能性がある。また、第４の引出電極部２８ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁の間、および第４の引出電極部２８ｄと他方の第２のダミー電極２９ｂ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法ｌ₂が２７０μｍよりも大きい場合、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を第４の外部電極３０ｄで覆うことが難しくなり、水分の浸入を防止することができない可能性がある。

第３の引出電極部２８ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁の間、および第３の引出電極部２８ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法、ならびに第４の引出電極部２８ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁の間、および第４の引出電極部２８ｄと他方の第２のダミー電極２９ｂ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法は、以下に説明する方法により測定される。
すなわち、まず、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の断面を露出させる。具体的には、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の１／２Ｔの位置となるまで、第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと略平行になるように研磨を行い、ＬＷ断面を露出させる。次に、露出させたＬＷ断面において、第３の引出電極部２８ｃと一方の第１のダミー電極２９ａ₁の間、および第３の引出電極部２８ｃと他方の第１のダミー電極２９ａ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法、ならびに第４の引出電極部２８ｄと一方の第２のダミー電極２９ｂ₁の間、および第４の引出電極部２８ｄと他方の第２のダミー電極２９ｂ₂との間の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの寸法を、積層体１２の第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに沿って、それぞれマイクロスコープを用いて測定することができる。

一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を構成する金属は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ－Ｐｄ合金等のそれらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。なかでも、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を構成する金属は、Ｎｉであることが好ましい。これにより、下地電極層３２の材料がＣｕの場合、後述する合金層が形成され易く、より耐湿信頼性が向上する。

（２）外部電極
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側、ならびに第１の側面１２ｃ側および第２の側面１２ｄ側には、外部電極３０が配置される。

外部電極３０は、下地電極層３２を含む。また、下地電極層３２の表面には、下地電極層３２を覆うように配置される下層めっき層３４と、下層めっき層３４の表面に配置される上層めっき層３６を含むことが好ましい。

外部電極３０は、第１の外部電極３０ａ、第２の外部電極３０ｂ、第３の外部電極３０ｃおよび第４の外部電極３０ｄを有する。

第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極層１６ａに接続され、第１の端面１２ｅの表面に配置されている。また、第１の外部電極３０ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａと電気的に接続される。

第２の外部電極３０ｂは、第１の内部電極層１６ａに接続され、第２の端面１２ｆの表面に配置されている。また、第２の外部電極３０ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第２の外部電極３０ｂは、第１の内部電極層１６ａの第２の引出電極部２８ｂと電気的に接続される。

第３の外部電極３０ｃは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、第１の側面１２ｃの表面に配置されている。また、第３の外部電極３０ｃは、積層体１２の第１の側面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第３の外部電極３０ｃは、第２の内部電極層１６ｂの第３の引出電極部２８ｃと電気的に接続される。

また、第３の外部電極３０ｃは、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂を覆うように配置される。言い換えると、第３の外部電極３０ｃは、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と接合されている。これにより、従来構造では、機械的接合強度の弱い第１の側面１２ｃ側の積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの間の部分において、第３の外部電極３０ｃと一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂とを金属接合により強固に接合することができる。

第４の外部電極３０ｄは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、第２の側面１２ｄの表面に配置されている。また、第４の外部電極３０ｄは、積層体１２の第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第４の外部電極３０ｄは、第２の内部電極層１６ｂの第４の引出電極部２８ｄと電気的に接続される。

また、第４の外部電極３０ｄは、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を覆うように配置される。言い換えると、第４の外部電極３０ｄは、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂と接合されている。これにより、従来構造では、機械的接合強度の弱い第２の側面１２ｄ側の積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの間の部分において、第４の外部電極３０ｄと一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂とを金属接合により強固に接合することができる。

積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部２６ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂと第２の内部電極層１６ｂが接続された第３の外部電極３０ｃおよび第４の外部電極３０ｄとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。

下地電極層３２は、焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層等から選ばれる少なくとも１つを含む。
以下、下地電極層３２を上記の焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層とした場合の各構成について説明する。

下地電極層３２は、第１の下地電極層３２ａ、第２の下地電極層３２ｂ、第３の下地電極層３２ｃおよび第４の下地電極層３２ｄを有する。

第１の下地電極層３２ａは、第１の内部電極層１６ａに接続され、第１の端面１２ｅの表面に配置されている。また、第１の下地電極層３２ａは、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第１の下地電極層３２ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａと電気的に接続される。
第２の下地電極層３２ｂは、第１の内部電極層１６ａに接続され、第２の端面１２ｆの表面に配置されている。また、第２の下地電極層３２ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第２の下地電極層３２ｂは、第１の内部電極層１６ａの第２の引出電極部２８ｂと電気的に接続される。

第３の下地電極層３２ｃは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、第１の側面１２ｃの表面に配置されている。また、第３の下地電極層３２ｃは、第１の側面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第３の下地電極層３２ｃは、第２の内部電極層１６ｂの第３の引出電極部２８ｃと電気的に接続される。
第４の下地電極層３２ｄは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、第２の側面１２ｄの表面に配置されている。また、第４の下地電極層３２ｄは、第２の側面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にも配置される。この場合、第４の下地電極層３２ｄは、第２の内部電極層１６ｂの第４の引出電極部２８ｄと電気的に接続される。

（焼付け層の場合）
焼付け層は、ガラス成分と金属成分とを含む。焼付け層のガラス成分は、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層の金属成分としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラス成分および金属成分を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼付けたものである。焼付け層は、内部電極層１６および誘電体層１４を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極層１６および誘電体層１４を有する積層チップを焼成して積層体１２を得た後に、積層体１２に導電性ペーストを塗布して焼付けたものでもよい。なお、焼付け層を内部電極層１６および誘電体層１４を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりに誘電体材料を添加したものを焼き付けて焼付け層を形成することが好ましい。

第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層３２ａの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、３μｍ以上７０μｍ以下程度であることが好ましい。
第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層３２ｂの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、３μｍ以上７０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第１の下地電極層３２ａの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第１の下地電極層３２ａの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

（導電性樹脂層の場合）
下地電極層３２として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼付け層上に焼付け層を覆うように配置される。
導電性樹脂層は、金属および熱硬化性樹脂を含む。
導電性樹脂層は、下地電極層上を完全に覆っていてもよいし、下地電極層の一部を覆っていてもよい。

導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、貫通型積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、貫通型積層セラミックコンデンサ１０へのクラックを防止することができる。

導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたは、それらを含む合金を使用することができる。
また、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉を使用することもできる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ又はそれらの合金粉を用いることが好ましい。導電性金属にＡｇの導電性金属粉を用いる理由としては、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いためである。また、上記のＡｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。

さらに、導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ｃｕ、Ｎｉに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。
なお、導電性樹脂層に含まれる金属としては、金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングした金属粉を使用することもできる。金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ又はそれらの合金粉を用いることが好ましい。

導電性樹脂層に含まれる金属は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性フィラー同士が接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。

導電性樹脂層に含まれる金属は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。

導電性樹脂層の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。

また、導電性樹脂層には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物を使用することができる。

導電性樹脂層は、複数層であってもよい。

第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに位置する積層体１２の高さ方向ｘ中央部に位置する導電性樹脂層の厚みは、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下程度であることが好ましい。

（薄膜層の場合）
下地電極層３２を薄膜層で形成する場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。

下層めっき層３４および上層めっき層３６は、それぞれ、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。なお、めっき層は、下層めっき層３４のみでもよいし、上層めっき層３６のみでもよい。

下層めっき層３４は、第１の下層めっき層３４ａ、第２の下層めっき層３４ｂ、第３の下層めっき層３４ｃおよび第４の下層めっき層３４ｄを有する。

第１の下層めっき層３４ａは、第１の下地電極層３２ａの表面を覆うように配置されている。
第２の下層めっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂの表面を覆うように配置されている。
第３の下層めっき層３４ｃは、第３の下地電極層３２ｃの表面を覆うように配置されている。
第４の下層めっき層３４ｄは、第４の下地電極層３２ｄの表面を覆うように配置されている。

上層めっき層３６は、第１の上層めっき層３６ａ、第２の上層めっき層３６ｂ、第３の上層めっき層３６ｃおよび第４の上層めっき層３６ｄを含む。

第１の上層めっき層３６ａは、第１の下層めっき層３４ａの表面を覆うように配置される。
第２の上層めっき層３６ｂは、第２の下層めっき層３４ｂの表面を覆うように配置される。
第３の上層めっき層３６ｃは、第３の下層めっき層３４ｃの表面を覆うように配置される。
第４の上層めっき層３６ｄは、第４の下層めっき層３４ｄの表面を覆うように配置される。
これにより、下層めっき層３４の表面に上層めっき層３６が配置されることで、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の信頼性や、実装性を向上させることができる。

好ましくは、下層めっき層３４はＮｉめっき層とし、上層めっき層３６はＳｎめっき層とした２層構造である。Ｎｉめっき層は、貫通型積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、下地電極層３２が半田によって浸食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層は、貫通型積層セラミックコンデンサ１０を実装する際の半田の濡れ性を向上させ、貫通型積層セラミックコンデンサ１０を実装基板に容易に実装させることができる。このように、上層めっき層３６を複数層により形成することで、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の信頼性や実装性を効率的により向上させることができる。

下層めっき層３４および上層めっき層３６一層あたりの各厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

（３）合金層
積層体１２の第１の側面１２ｃ側において、一方の第１のダミー電極２９ａ₁は、第３の下地電極層３２ｃを含む第３の外部電極３０ｃに覆われており、一方の第１のダミー電極２９ａ₁と第３の下地電極層３２ｃとの界面には、第１の合金層４０ａ₁が配置される。また、他方の第１のダミー電極２９ａ₂は、第３の下地電極層３２ｃを含む第３の外部電極３０ｃに覆われており、他方の第１のダミー電極２９ａ₂と第３の下地電極層３２ｃとの界面には、第１の合金層４０ａ₂が配置される。第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂は、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂を構成する金属と、第３の下地電極層３２ｃを構成する金属との合金により形成される。これにより、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と第３の下地電極層３２ｃを含む第３の外部電極３０ｃとをより強固に接合することができる。
なお、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂は、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と第３の下地電極層３２ｃのどちらか一方、または両方に配置されていてもよい。

積層体１２の第２の側面１２ｄ側において、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁は、第４の下地電極層３２ｄを含む第４の外部電極３０ｄに覆われており、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁と第４の下地電極層３２ｄとの界面には、第２の合金層４０ｂ₁が配置される。また、他方の第２のダミー電極２９ｂ₂は、第４の下地電極層３２ｄを含む第４の外部電極３０ｄに覆われており、他方の第２のダミー電極２９ｂ₂と第４の下地電極層３２ｄとの界面には、第２の合金層４０ｂ₂が配置される。第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂は、第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を構成する金属と、第４の下地電極層３２ｄを構成する金属との合金により形成される。これにより、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂と第４の下地電極層３２ｄを含む第４の外部電極３０ｄとをより強固に接合することができる。
なお、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂は、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂と第４の下地電極層３２ｄのどちらか一方、または両方に配置されていてもよい。

第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄとを結ぶ幅方向ｙの寸法（厚み）は、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。これにより、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂と、第３の下地電極層３２ｃとの接合強度を向上させることができる。

また、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄとを結ぶ幅方向ｙの寸法（厚み）は、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。これにより、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂と、第４の下地電極層３２ｄとの接合強度を向上させることができる。

第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄとを結ぶ幅方向ｙの寸法（厚み）、および第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄとを結ぶ幅方向ｙの寸法（厚み）は、以下に説明する方法により測定される。
すなわち、まず、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の断面を露出させる。具体的には、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の１／２Ｔの位置となるまで、第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと略平行になるように研磨を行い、ＬＷ断面を露出させる。次に、露出させたＬＷ断面において、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの寸法（厚み）を、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚの１／２Ｌの位置においてマイクロスコープを用いて測定することができる。また、露出させたＬＷ断面において、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの寸法（厚み）を、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚの１／２Ｌの位置においてマイクロスコープを用いて測定することができる。

なお、合金層は、図９に示すように、さらに、第３の引出電極部２８ｃと第３の下地電極層３２ｃとの界面に配置されてもよい。具体的には、積層体１２の第１の側面１２ｃ側において、一方の第１のダミー電極２９ａ₁は、第３の下地電極層３２ｃに覆われており、一方の第１のダミー電極２９ａ₁と第３の下地電極層３２ｃとの界面には、第１の合金層４０ａ₁が配置されており、他方の第１のダミー電極２９ａ₂は、第３の下地電極層３２ｃに覆われており、他方の第１のダミー電極２９ａ₂と第３の下地電極層３２ｃとの界面には、第１の合金層４０ａ₂が配置される。さらに、第３の引出電極部２８ｃは、第３の下地電極層３２ｃに覆われており、第３の引出電極部２８ｃと第３の下地電極層３２ｃとの界面には、第３の合金層４２ａが配置される。これにより、第３の引出電極部２８ｃと第３の下地電極層３２ｃとの間においても、第３の合金層４２ａによって金属結合することが可能となり、より強固に積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの接合強度を向上させることができる。そのため、外部からの衝撃により、積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの間に隙間が生じにくくなり、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性の低下をより抑制することができる。

同様に、合金層は、図９に示すように、さらに、第４の引出電極部２８ｄと第４の下地電極層３２ｄとの界面に配置されてもよい。具体的には、積層体１２の第２の側面１２ｄ側において、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁は、第４の下地電極層３２ｄに覆われており、一方の第２のダミー電極２９ｂ₁と第４の下地電極層３２ｄとの界面には、第２の合金層４０ｂ₁が配置されており、他方の第２のダミー電極２９ｂ₂は、第４の下地電極層３２ｄに覆われており、他方の第２のダミー電極２９ｂ₂と第４の下地電極層３２ｄとの界面には、第２の合金層４０ｂ₂が配置される。さらに、第４の引出電極部２８ｄは、第４の下地電極層３２ｄに覆われており、第４の引出電極部２８ｄと第４の下地電極層３２ｄとの界面には、第４の合金層４２ｂが配置される。
これにより、第４の引出電極部２８ｄと第４の下地電極層３２ｄとの間においても、第４の合金層４２ｂによって金属結合することが可能となり、より強固に積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの接合強度を向上させることができる。そのため、外部からの衝撃により、積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの間に隙間が生じにくくなり、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性の低下をより抑制することができる。

また、合金層は、図１０に示すように、積層体１２の第１の側面１２ｃ側において、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂と第３の合金層４２ａとは連続して配置されてもよい。同様に、合金層は、図１０に示すように、積層体１２の第２の側面１２ｄ側において、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂と第４の合金層４２ｂとは連続して配置されてもよい。
これにより、積層体１２と第３の下地電極層３２ｃとの接合強度をさらに強固にすることができ、積層体１２と第４の下地電極層３２ｄとの接合強度をさらに強固にすることができる。そのため、外部からの衝撃により、積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの間、および積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの間に隙間がより生じにくくなり、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性の低下をさらに抑制することができる。

なお、下地電極層３２を設けずにめっき層だけで外部電極３０を形成してもよい。
以下、図示はしていないが、下地電極層３２を設けずにめっき層を設ける構造について説明する。

第１の外部電極３０ａないし第４の外部電極３０ｄのいずれかまたはそれぞれは、下地電極層３２が設けられず、めっき層が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、貫通型積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極層１６ａと、第２の内部電極層１６ｂに電気的に接続されるめっき層を含む構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体１２の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。

なお、下地電極層３２を設けずに積層体１２上に直接めっき層を形成する場合は、下地電極層３２の厚みを削減した分を低背化、すなわち、薄型化または積層体１２の厚み、すなわち内層部１８の厚みに転化できるため、薄型チップの設計自由度を向上させることができる。

めっき層は、積層体１２の表面に形成される下層めっき電極と、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極とを含むことが好ましい。下層めっき電極および上層めっき電極はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ又はＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
さらに、下層めっき電極は、半田バリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、半田濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。

また、たとえば、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき電極は、Ｎｉと合金層を形成しやすいＣｕを用いて形成されることが好ましい。これにより、ＮｉとＣｕの合金層によって、内部電極層１６と下層めっき電極間の隙間が生じにくくなり、より水分の浸入を防止する効果を得ることができる。

なお、上層めっき電極は必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極３０ａないし第４の外部電極３０ｄはそれぞれ、下層めっき電極のみで構成されてもよい。めっき層は、上層めっき電極を最外層としてもよいし、上層めっき電極の表面にさらに他のめっき電極を形成してもよい。

ここで、下地電極層３２を設けずにめっき層だけで外部電極３０を形成する場合、下地電極層３２を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

さらに、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。

積層体１２、第１の外部電極３０ａないし第４の外部電極３０ｄを含む貫通型積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａないし第４の外部電極３０ｄを含む貫通型積層セラミックコンデンサ１０の高さ方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａないし第４の外部電極３０ｄを含む貫通型積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
貫通型積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚのＬ寸法が１．０ｍｍ以上３．２ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下、高さ方向ｘのＴ寸法が０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。なお、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。

図１に示す貫通型積層セラミックコンデンサ１０は、第３の引出電極部２８ｃの両側において、第３の引出電極部２８ｃから離間し、かつ第２の対向電極部２６ｂからも離間にして設けられる一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂を有しており、第４の引出電極部２８ｄの両側において、第４の引出電極部２８ｄから離間し、かつ第２の対向電極部２６ｂからも離間して設けられる一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を有している。これにより、積層体１２の第１の側面１２ｃにおいて、第３の外部電極３０ｃが、第３の引出電極部２８ｃのみならず、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂とも金属接合されるので、積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの機械的接合強度を向上させることができる。また、積層体１２の第２の側面１２ｄにおいて、第４の外部電極３０ｄが、第４の引出電極部２８ｄのみならず、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂とも金属接合されるので、積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの機械的接合強度を向上させることができる。

また、図１に示す貫通型積層セラミックコンデンサ１０は、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と第３の下地電極層３２ｃとの界面には、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂の金属と第３の下地電極層３２ｃを構成する金属とを含む第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂が配置され、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂と第４の下地電極層３２ｄとの界面には、第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂の金属と第４の下地電極層３２ｄを構成する金属とを含む第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂が配置される。これにより、一対の第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と第３の外部電極３０ｃとをより強固に接合することができ、一対の第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂と第４の外部電極３０ｄとをより強固に接合することができる。

以上より、図１の貫通型積層セラミックコンデンサ１０によれば、積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの接合強度および積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの接合強度を向上させることができるため、外部からの衝撃により積層体１２と第３の外部電極３０ｃとの間および積層体１２と第４の外部電極３０ｄとの間に隙間が生じにくくなり、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性の低下を抑制することができる。また、仮に、積層体１２と第３の外部電極３０ｃの端縁、および積層体１２と第４の外部電極３０ｄの端縁から水分が浸入したとしても、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂および第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂が配置されるところまでで、水分の浸入を防止することができることから、貫通型積層セラミックコンデンサ１０の耐湿信頼性を低下させることを抑制することができる。

２．貫通型積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、貫通型積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。

まず、誘電体層用の誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってよい。

そして、誘電体シート上に、内部電極層用の導電性ペーストが、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層のパターンが形成された誘電体シート、および第２の内部電極層のパターンが形成された誘電体シートが準備される。

なお、ここで用いられる印刷版のパターンの大きさや配置などを変更することにより、第１のダミー電極および第２のダミー電極の第１の端面と第２の端面とを結ぶ長さ方向ｚの寸法をコントロールすることができ、また、第３の引出電極部と第１のダミー電極との間の第１の端面と第２の端面とを結ぶ長さ方向ｚの寸法や、第４の引出電極部と第２のダミー電極との間の第１の端面と第２の端面とを結ぶ長さ方向ｚの寸法をコントロールすることができる。

続いて、内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面側の第２の主面側外層部となる部分が形成される。そして、第２の主面側外層部となる部分の上に第１の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シート、および第２の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シートを本発明の構造となるように順次積層されることにより、内層部となる部分が形成される。その後、さらにこの内層部となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されてない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面側の第１の主面側外層部となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。

次に、積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。

そして、積層ブロックを所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。

続いて、積層チップが焼成されることにより、積層体１２が作製される。焼成温度は、誘電体層や内部電極層の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

続いて、焼成して得られた積層体１２の第１の側面１２ｃ上に第３の外部電極３０ｃの第３の下地電極層３２ｃが形成され、積層体１２の第２の側面１２ｄ上に第４の外部電極３０ｄの第４の下地電極層３２ｄが形成される。
下地電極層３２として焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属成分とを含む導電性ペーストを塗布し、その後、焼付け処理を行い、下地電極層３２として焼付け層が形成される。このときの焼付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

ここで、焼付け層の形成方法としては、様々な方法を用いることができる。たとえば、導電性ペーストをスリットから押し出して塗布する工法を用いることができる。この工法の場合、導電性ペーストの押し出し量を多くすることで、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上だけでなく、第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にまで下地電極層３２を形成することができる。
また、ローラー転写法を用いて形成することもできる。ローラー転写法の場合、第１の側面１２ｃ上および第２の側面１２ｄ上だけでなく、第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にまで下地電極層３２を形成するとき、ローラー転写の際の押し付け圧力を強くすることで第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部にまで下地電極層３２を形成することが可能となる。

さらに、その後、合金層を形成するための熱処理を行うことで、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂および第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂を形成することができる。合金層を形成する際の熱処理の雰囲気は、Ｎｉの平衡酸素分圧以下の雰囲気で熱処理を行う。このときの熱処理の温度は、６００℃以上８００℃以下であることが好ましい。また、このときの熱処理の時間は、形成したい第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂および第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の厚みや幅に合わせて調整する。すなわち、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂および第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の厚みや幅は、熱処理の最高温度や熱処理時間を変化させることで調整することができる。

図８に示すような、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂および第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂の形成された構造を得る場合、より具体的には、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂を形成したい第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂上のみに、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂の幅と同等かそれよりも少し広い幅で、下地電極層用の導電性ペーストをスリットから押し出して塗布する工法により、導電性ペーストを塗布する。同様に、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂を形成した第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂上のみに、第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂の幅と同等かそれよりも少し広い幅で、下地電極層用の導電性ペーストをスリットから押し出して塗布することにより、導電性ペーストを塗布する。その後、焼付け処理を行い、合金層を形成し、熱処理を行う。これにより、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂と第３の下地電極層３２ｃとの界面において、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂を構成する金属と第３の外部電極３０ｃの下地電極層を構成する金属との第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂が形成される。また、第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を構成する金属と第４の下地電極層３２ｄとの界面において、第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂を構成する金属と第４の外部電極３０ｄの下地電極層を構成する金属との第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂が形成される。

その後、さらに、下地電極層用の導電性ペーストを、第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂だけでなく、第２の内部電極層１６ｂの第３の引出電極部２８ｃ、および積層体１２の表面を覆うように塗布し、焼付け処理を行い、第３の下地電極層３２ｃが形成される。
また、同様に、下地電極層用の導電性ペーストを、第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂だけでなく、第２の内部電極層１６ｂの第４の引出電極部２８ｄ、および積層体１２の表面を覆うように塗布し、焼付け処理を行い、第４の下地電極層３２ｄが形成される。

なお、図９に示すような、構造とするためには、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂上と第３の引出電極部２８ｃ上にそれぞれ下地電極層用の導電性ペーストをスリットから押し出して塗布して、合金層を形成するための熱処理を行う。このとき、所望の第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂および第３の合金層４２ａを形成するために、熱処理の時間が調整される。
また、同様に、図９に示すような、構造とするためには、第２のダミー電極２９ｂ₁，２９ｂ₂上と第４の引出電極部２８ｄ上にそれぞれ下地電極層用の導電性ペーストをスリットから押し出して塗布して、合金層を形成するための熱処理を行う。このとき、所望の第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂および第４の合金層４２ｂを形成するために、熱処理の時間が調整される。

また、図１０に示すような、構造とするためには、第１のダミー電極２９ａ₁，２９ａ₂上と第３の引出電極部２８ｃ上にそれぞれ下地電極層用の導電性ペーストをスリットから押し出して塗布して、合金層を形成するための熱処理を行う。このとき、所望の第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂および第３の合金層４２ａを形成するために、熱処理の時間をより第１の合金層４０ａ₁，４０ａ₂のみを形成する場合と比較して長く熱処理される。
また、同様に、図１０に示すような、構造とするためには、第２のダミー電極上と第４の引出電極部２８ｄ上にそれぞれ導電性ペーストをスリットから押し出して塗布して、合金層を形成するための熱処理を行う。このとき、所望の第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂および第４の合金層４２ｂを形成するために、熱処理の時間をより第２の合金層４０ｂ₁，４０ｂ₂のみを形成する場合と比較して長く熱処理される。

次に、焼成して得られた積層体１２の第１の端面１２ｅ上に第１の外部電極３０ａの第１の下地電極層３２ａが形成され、積層体１２の第２の端面１２ｆ上に第２の外部電極３０ｂの第２の下地電極層３２ｂが形成される。
第３の外部電極３０ｃおよび第４の外部電極３０ｄの各下地電極層３２の形成時と同様、下地電極層３２として焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属成分とを含む導電性ペーストを塗布し、その後、焼付け処理を行い、下地電極層３２として焼付け層が形成される。このときの焼付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

また、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂの下地電極層３２として焼付け層の形成方法としては、下地電極層用の導電性ペーストをディップ工法により、第１の端面１２ｅ、第２の端面１２ｆだけでなく、第１の主面１２ａの一部、第２の主面１２ｂの一部、第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にまで延びるように形成される。

なお、焼付け処理に関しては、第３の外部電極３０ｃの第３の下地電極層３２ｃ、第４の外部電極３０ｄの第４の下地電極層３２ｄ、第１の外部電極３０ａの第１の下地電極層３２ａおよび第２の外部電極３０ｂの第２の下地電極層３２ｂを同時に焼付けてもよいし、第３の外部電極３０ｃの第３の下地電極層３２ｃおよび第４の外部電極３０ｄの第４の下地電極層３２ｄと、第１の外部電極３０ａの第１の下地電極層３２ａおよび第２の外部電極３０ｂの第２の下地電極層３２ｂとを、それぞれ別々に焼付けてもよい。

（導電性樹脂層）
なお、下地電極層３２を導電性樹脂層で形成する場合は、以下の方法で導電性樹脂層を形成することができる。なお、導電性樹脂層は、焼付け層の表面に形成される。

導電性樹脂層の形成方法としては、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストを焼付け層上もしくは積層体１２上に塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層を形成する。この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ₂雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

なお、導電性樹脂ペーストの塗布方法としては、下地電極層３２を焼付け層で形成する方法と同様、たとえば、導電性樹脂ペーストをスリットから押し出して塗布する工法やローラー転写法を用いて形成することができる。

（薄膜層）
また、下地電極層３２を薄膜層で形成する場合は、マスキングなどを行い、外部電極３０を形成したいところにスパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層は金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とする。

（めっき電極）
さらに、下地電極層３２を設けずにめっき層だけでめっき電極として外部電極を形成してもよい。その場合は、以下の方法で形成することができる。

第１の外部電極３０ａないし第４の外部電極３０ｄのいずれかまたはそれぞれは、下地電極層３２を設けずに、めっき層が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、貫通型積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極層１６ａと、第２の内部電極層１６ｂに直接電気的に接続されるめっき層を含む構造であってもよい。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極を同様に形成してもよい。

続いて、必要に応じて、下地電極層３２の表面、導電性樹脂層の表面もしくは下層めっき電極の表面、上層めっき電極の表面に、めっき層が形成される。
より詳細には、本実施の形態では焼付け層である下地電極層３２上に下層めっき層３４としてＮｉめっき層が形成され、上層めっき層３６としてＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、たとえばバレルめっき法により、順次形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。

上述のようにして、本実施の形態にかかる貫通型積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。

＜１＞
積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層上に積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、
前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、
前記第１の側面上に配置される第３の外部電極と、
前記第２の側面上に配置される第４の外部電極と、
を備える貫通型積層セラミックコンデンサであって、
前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層と第２の内部電極層とを有し、
前記第１の内部電極層は、前記第２の内部電極層と対向する第１の対向電極部と、前記第１の対向電極部から延び、前記第１の端面に引き出される第１の引出電極部と、前記第１の対向電極部から延び、前記第２の端面に引き出される第２の引出電極部と、を有し、
前記第２の内部電極層は、前記第１の内部電極層と対向する第２の対向電極部と、前記第２の対向電極部から延び、前記第１の側面に引き出される第３の引出電極部と、前記第２の対向電極部から延び、前記第２の側面に引き出される第４の引出電極部と、を有し、
前記第３の引出電極部が配置される誘電体層上には、前記第３の引出電極部の両側において、前記第３の引出電極部から離間し、かつ前記第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第１のダミー電極と、
前記第４の引出電極部が配置される誘電体層上には、前記第４の引出電極部の両側において、前記第４の引出電極部から離間し、かつ前記第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第２のダミー電極と、を有し、
前記第１のダミー電極は、前記第３の外部電極に覆われており、前記第１のダミー電極と前記第３の外部電極との界面には、前記第１のダミー電極を構成する金属と前記第３の外部電極を構成する金属とにより構成される第１の合金層が配置され、
前記第２のダミー電極は、前記第４の外部電極に覆われており、前記第２のダミー電極と前記第４の外部電極との界面には、前記第２のダミー電極を構成する金属と前記第４の外部電極を構成する金属とにより構成される第２の合金層が配置される、貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜２＞
前記第１のダミー電極の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であり、
前記第２のダミー電極の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下である、＜１＞に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜３＞
前記第１の引出電極部と前記第１のダミー電極との間の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であり、
前記第２の引出電極部と前記第２のダミー電極との間の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下である、＜１＞または＜２＞に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜４＞
前記第１のダミー電極を構成する金属および前記第２のダミー電極を構成する金属は、Ｎｉである、＜１＞ないし＜３＞のいずれかに記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜５＞
前記第３の外部電極を構成する金属および前記第４の外部電極を構成する金属は、Ｃｕである、＜１＞ないし＜４＞のいずれかに記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜６＞
前記第１の合金層および前記第２の合金層の前記第１の側面と前記第２の側面とを結ぶ前記幅方向の寸法は、０．５μｍ以上２μｍ以下である、＜１＞ないし＜５＞のいずれかに記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜７＞
前記第２の内部電極層の前記第３の引出電極部と、前記第３の外部電極との界面には、前記第１の引出電極部を構成する金属と前記第３の外部電極を構成する第３の合金層が配置されており、
前記第２の内部電極層の前記第４の引出電極部と、前記第４の外部電極との界面には、前記第３の引出電極部を構成する金属と前記第４の外部電極を構成する第４の合金層が配置される、＜１＞ないし＜６＞のいずれかに記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

＜８＞
前記第１の合金層と前記第３の合金層とは連続して配置されており、
前記第２の合金層と前記第４の合金層とは連続して配置される、＜７＞に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

１０ 貫通型積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 誘電体層
１６ 内部電極層
１６ａ 第１の内部電極層
１６ｂ 第２の内部電極層
１８ 内層部
１９ 対向電極部
２０ａ 第１の主面側外層部
２０ｂ 第２の主面側外層部
２２ａ 第１の側面側外層部
２２ｂ 第２の側面側外層部
２４ａ 第１の端面側外層部
２４ｂ 第２の端面側外層部
２６ａ 第１の対向電極部
２６ｂ 第２の対向電極部
２８ａ 第１の引出電極部
２８ｂ 第２の引出電極部
２８ｃ 第３の引出電極部
２８ｄ 第４の引出電極部
２９ａ₁、２９ａ₂ 第１のダミー電極
２９ｂ₁、２９ｂ₂ 第２のダミー電極
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３０ｃ 第３の外部電極
３０ｄ 第４の外部電極
３２ 下地電極層
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３２ｃ 第３の下地電極層
３２ｄ 第４の下地電極層
３４ 上層めっき層
３４ａ 第１の下層めっき層
３４ｂ 第２の下層めっき層
３４ｃ 第３の下層めっき層
３４ｄ 第４の下層めっき層
３６ 上層めっき層
３６ａ 第１の上層めっき層
３６ｂ 第２の上層めっき層
３６ｃ 第３の上層めっき層
３６ｄ 第４の上層めっき層
４０ａ₁、４０ａ₂ 第１の合金層
４０ｂ₁、４０ｂ₂ 第２の合金層
４２ａ 第３の合金層
４２ｂ 第４の合金層
ｘ 高さ方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (8)

1. 積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層上に積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、
   前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
   前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、
   前記第１の側面上に配置される第３の外部電極と、
   前記第２の側面上に配置される第４の外部電極と、
   を備える貫通型積層セラミックコンデンサであって、
   前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層と第２の内部電極層とを有し、
   前記第１の内部電極層は、前記第２の内部電極層と対向する第１の対向電極部と、前記第１の対向電極部から延び、前記第１の端面に引き出される第１の引出電極部と、前記第１の対向電極部から延び、前記第２の端面に引き出される第２の引出電極部と、を有し、
   前記第２の内部電極層は、前記第１の内部電極層と対向する第２の対向電極部と、前記第２の対向電極部から延び、前記第１の側面に引き出される第３の引出電極部と、前記第２の対向電極部から延び、前記第２の側面に引き出される第４の引出電極部と、を有し、
   前記第３の引出電極部が配置される誘電体層上には、前記第３の引出電極部の両側において、前記第３の引出電極部から離間し、かつ前記第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第１のダミー電極と、
   前記第４の引出電極部が配置される誘電体層上には、前記第４の引出電極部の両側において、前記第４の引出電極部から離間し、かつ前記第２の対向電極部から離間して設けられる一対の第２のダミー電極と、を有し、
   前記第１のダミー電極は、前記第３の外部電極に覆われており、前記第１のダミー電極と前記第３の外部電極との界面には、前記第１のダミー電極を構成する金属と前記第３の外部電極を構成する金属とにより構成される第１の合金層が配置され、
   前記第２のダミー電極は、前記第４の外部電極に覆われており、前記第２のダミー電極と前記第４の外部電極との界面には、前記第２のダミー電極を構成する金属と前記第４の外部電極を構成する金属とにより構成される第２の合金層が配置される、貫通型積層セラミックコンデンサ。
2. 前記第１のダミー電極の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であり、
   前記第２のダミー電極の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下である、請求項１に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。
3. 前記第１の引出電極部と前記第１のダミー電極との間の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下であり、
   前記第２の引出電極部と前記第２のダミー電極との間の前記第１の端面と前記第２の端面とを結ぶ長さ方向の寸法は、２０μｍ以上２７０μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。
4. 前記第１のダミー電極を構成する金属および前記第２のダミー電極を構成する金属は、Ｎｉである、請求項１または請求項２に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。
5. 前記第３の外部電極を構成する金属および前記第４の外部電極を構成する金属は、Ｃｕである、請求項４に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。
6. 前記第１の合金層および前記第２の合金層の前記第１の側面と前記第２の側面とを結ぶ前記幅方向の寸法は、０．５μｍ以上２μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。
7. 前記第２の内部電極層の前記第３の引出電極部と、前記第３の外部電極との界面には、前記第１の引出電極部を構成する金属と前記第３の外部電極を構成する第３の合金層が配置されており、
   前記第２の内部電極層の前記第４の引出電極部と、前記第４の外部電極との界面には、前記第３の引出電極部を構成する金属と前記第４の外部電極を構成する第４の合金層が配置される、請求項１または請求項２に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。
8. 前記第１の合金層と前記第３の合金層とは連続して配置されており、
   前記第２の合金層と前記第４の合金層とは連続して配置される、請求項７に記載の貫通型積層セラミックコンデンサ。

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