JP2023113044A - デュアルインターフェースｉｃカードおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】カードの構成を複雑にすることなく、加工が容易であり、ＩＣモジュールとアンテナとの電気的接続の信頼性を向上できるデュアルインターフェースＩＣカードおよび製造方法を提供する。【解決手段】デュアルインターフェースＩＣカード１は、凹部９を備えたカード基体２と、アンテナ線８３および複数のプレート状の端部１００を備え、アンテナ線８３の複数の先端および複数の端部１００が、それぞれ電気的に接続されているアンテナ８０と、ＩＣチップおよびこれと電気的に接続された複数の端子７３ａ、７３ｂを有するＩＣモジュール７０と、を備える。凹部９において端部１００が部分的にカード基体２から露出しており、端部１００は、第１の導電部材１１１とこれよりも酸化し難い第２の導電部材１１２とが積層され、先端および端子７３ａ、７３ｂはいずれも第２の導電部材１１２と電気的に接続される。【選択図】図１

Description

本発明は、外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードに関する。

従来、ＩＣカードとして、カード表面の外部接続端子を通じて電気信号の入出力を行う接触ＩＣカードや、アンテナを介して電磁誘導等により電気信号の入出力を行う非接触ＩＣカードが用いられている。また、これらに加えて、カードが備える単一のＩＣチップにより、接触ＩＣカードの機能と非接触ＩＣカードの機能とのいずれも実現できる接触および非接触共用ＩＣカード、すなわちデュアルインターフェースＩＣカードも用いられている。中でも、デュアルインターフェースＩＣカードは、金融決済時には入出力データの外部漏洩の抑制に効果的な接触ＩＣカードとして使用でき、部屋への入退室時や駅の改札機等に対しては近接状態でデータのやり取りを行う利便性の高い非接触ＩＣカードとして使用できる。このため、デュアルインターフェースＩＣカードについても、市場での普及が進んでいる。

ところで、デュアルインターフェースＩＣカードの製造は以下のようにして行われる。まず、特許文献１に記載されるように、１または複数のコアシートを含むカード基材を形成し、当該カード基材の表面から、ＩＣモジュールを埋め込む埋め込み予定領域を切削する。そして、当該ＩＣモジュールを、埋め込み予定領域に埋め込む。ここで１または複数のコアシートのうちの１つに導線が配置されており、導線が、前記非接触通信機能を提供するための巻き線アンテナ部、およびＩＣモジュールの端子と電気的に接触している接触端子部を形成しており、その接触端子部は、例示的にはメアンダ型状に配置されている。

導線をメアンダ型状に形成した接触端子部をカード基材から露出させるために、エンドミルによる切削加工が行われる。しかし、基材を構成するコアシートの厚さや、導線をコアシートに埋め込む際の熱圧条件がばらつくことにより、カード基材に埋め込まれた導線の表面からの埋設深さが変動する。よって、０．２ｍｍ以下程度の導線を傷付けずに確実にカード基材から露出させることは困難であり、巻き線アンテナの断線による歩留まりの悪化や、加工速度を低下させることによる生産性の低下が生じ得る。

一方、このような課題を避けるため、特許文献２のように、ＩＣモジュールの端子と電気的に接触する接触端子部を導電プレートとすることができる。当該文献には、インレイの内部に備えられた被覆導線からなるコイル状のアンテナと、そのアンテナの両端に接続された導電プレートからなるアンテナ側接続部と、を備えたインレイを用いたデュアルインターフェースＩＣカードが記載されている。これにより、導線を直接露出させることと比べて歩留まりや作業性の向上が見込めるが、さらにカードの構成を複雑にすることなく、加工が容易であり、かつＩＣモジュールとアンテナとの電気的接続の信頼性を向上できるデュアルインターフェースＩＣカードが求められている。

特開２０１９－２１９７３２号公報 特開２０２０－９１６３７号公報

本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、カードの構成を複雑にすることなく、加工が容易であり、かつＩＣモジュールとアンテナとの電気的接続の信頼性を向上できるデュアルインターフェースＩＣカードおよびその製造方法を提供することを課題とする。

本実施の形態による、外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードは、凹部を備えたカード基体と、前記カード基体の内部に配置され、アンテナ線および複数のプレート状の端部を備え、前記アンテナ線の複数の先端および前記複数の端部が、それぞれ電気的に接続されているアンテナと、ＩＣチップおよび当該ＩＣチップと電気的に接続された複数の端子を有するＩＣモジュールと、を備え、前記凹部において、前記複数の端部が少なくとも部分的に前記カード基体から露出しており、前記複数の端部は、第１の導電部材と、当該第１の導電部材よりも酸化し難い第２の導電部材と、が積層された構成を有し、前記先端および前記端子は、いずれも前記第２の導電部材と電気的に接続される。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記凹部は、前記カード基体の表面からの深さが第１の深さである第１の凹部と、当該第１の凹部よりも中央側に形成され、前記第１の深さよりも深い第２の深さである第２の凹部と、を含み、 平面視において、前記複数の端部は前記第２の凹部の外側の領域に配置されていてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記凹部は、前記第１の凹部と隣接し、かつ前記第２の凹部の外側の領域に配置され、前記第１の深さよりも深く、かつ前記第２の深さよりも浅い第３の深さである第３の凹部をさらに備え、前記第３の凹部において、前記端子と対向する前記端部が少なくとも部分的に前記カード基体から露出してもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードは、前記端部の互いに対向する両端が前記第１の凹部において前記カード基体の中に埋設され、前記第３の凹部において前記端部の前記両端に挟まれた部分が前記カード基体から露出していてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードは、前記端部に貫通孔が設けられてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記貫通孔は、前記端部のうち、前記端子と対向する部分を避けて設けられていてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードは、前記端部に貫通孔が設けられ、前記貫通孔は、前記端部のうち前記端子と対向する部分を避けて設けられており、かつ、前記端部のうち、前記カード基体の中に埋設された部分に設けられていてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記ＩＣモジュールは、互いに対向する前記複数の端子および前記複数の端部が、異方性導電フィルムを介してそれぞれ電気的に接続されてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記異方性導電フィルムは、導電粒子としてはんだを含むものでもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記第１の導電部材は銅を含み、前記第２の導電部材は銀メッキを含むものでもよい。

本実施の形態による外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法は、第１の基材、第２の基材、並びにＩＣチップおよび当該ＩＣチップと電気的に接続された複数の端子を有するＩＣモジュール、を準備する工程と、 前記第１の基材の一方の面に、アンテナ線および複数のプレート状の端部から構成されるアンテナを形成し、前記アンテナ線の複数の先端および前記複数の端部をそれぞれ電気的に接続する工程と、前記アンテナを挟むように前記第１の基材と前記第２の基材とを熱融着により、または接着剤を介して、積層して積層体を形成する工程と、前記積層体をカードサイズに打ち抜いてカード基体を形成する工程と、前記カード基体に、前記複数の端部が少なくとも部分的に露出するように前記ＩＣモジュールを埋め込むための凹部を形成する工程と、前記ＩＣモジュールを前記凹部に埋め込み、かつ前記複数の端子および前記複数の端部を互いに対向させて電気的に接続する工程と、を備え、前記複数の端部は、第１の導電部材と、当該第１の導電部材よりも酸化し難い第２の導電部材と、が積層された構成を有し、前記先端および前記端子を、いずれも前記第２の導電部材と対向させて前記端部と電気的に接続する。

本実施の形態によれば、カードの構成を複雑にすることなく、加工が容易であり、かつＩＣモジュールとアンテナとの電気的接続の信頼性を向上できるデュアルインターフェースＩＣカードおよびその製造方法を提供することができる。

第１実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する平面図および断面図である。 ＩＣモジュール埋設用の凹部の平面図および断面図である。 凹部の形成工程を説明する断面を含む図である。 ＩＣモジュール並びにＩＣモジュールおよびアンテナの接続を説明する図である。 凹部に露出したプレートにはんだを塗布した状態を示す画像である。 プレートの表面状態を拡大した画像である。 第２実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する平面図である。 第３実施形態および変形例に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する平面図である。 第３実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する断面図である。 第４実施形態および変形例に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する平面図である。 第４実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する断面図である。

以下、図面等を参照して、本開示のデュアルインターフェースＩＣカードの一例について説明する。ただし、本開示のデュアルインターフェースＩＣカードは、以下に説明する実施形態や実施例には限定されない。

なお、以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、各図において、部材の断面を示すハッチングを適宜省略する。本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値および材料名は、実施形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。本明細書において、形状や幾何学的条件を特定する用語、例えば平行や直交、垂直等の用語については、厳密に意味するところに加え、実質的に同じ状態も含むものとする。

１．第１実施形態
本開示のデュアルインターフェースＩＣカードの第１実施形態の一例について説明する。ここで、説明の便宜上、デュアルインターフェースＩＣカード１についてＸＹＺ座標系を設定する。まず、図１や図２等に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１の主面の法線方向にＺ軸をとる。そして、ＩＣモジュール７０の外部接続端子７１が配置されていない側の主面から、当該外部接続端子７１が配置されている側の主面に向かう方向を＋Ｚ方向または厚さ方向の上方とし、その反対方向を－Ｚ方向または厚さ方向の下方とする。

また、デュアルインターフェースＩＣカード１を＋Ｚ方向から見たとき、デュアルインターフェースＩＣカード１の両短辺およびＺ軸に垂直な直線をＸ軸とする。また、外部接続端子７１に近い側の一の短辺から他の短辺に向かう方向を＋Ｘ方向または右方向とし、その反対方向を－Ｘ方向または左方向とする。さらに、Ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸をＹ軸とし、外部接続端子７１から遠い側の一の長辺から他の長辺に向かう方向を＋Ｙ方向または上方とし、その反対方向を－Ｙ向または下方とする。

ここで、図１（ａ）は、デュアルインターフェースＩＣカード１を＋Ｚ方向から見た平面図である。図１（ｂ）や図２（ｂ）に示す図１（ｂ）は、図１（ａ）のデュアルインターフェースＩＣカード１について、外部接続端子７１のＹ軸に沿った方向の中央付近をＸ軸に沿ったＡ－Ａ線で切り、この断面を－Ｙ方向側から見た断面図である。また、図２（ａ）は、図１（ａ）のデュアルインターフェースＩＣカード１において、ＩＣモジュール７０を取り外したときの凹部９の部分を拡大した拡大平面図である。図２（ｂ）は、図１（ｂ）と同様の、ＩＣモジュール７０や導電接着層１１がない状態の断面図である。

図１（ａ）に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１は、＋Ｚ方向側からの平面視において、４隅に丸みを備えた略矩形状の薄板の形態を有する。また、デュアルインターフェースＩＣカードの＋Ｚ方向側の表面には、中心よりもやや左上、すなわち中心よりも－Ｘ方向寄りでありかつ＋Ｙ方向寄りに外部接続端子７１を含むＩＣモジュール７０が配置される。ＩＣモジュール７０は、図１（ｂ）や図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、カード基体２に形成された凹部９の中に埋設され、外部接続端子７１の＋Ｚ方向側の表面がカード基体２の＋Ｚ方向側の表面と略同一面となるように配置されている。このようなデュアルインターフェースＩＣカード１の形態は、ＩＣカードの国際規格であるＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６に準拠している。

図１（ｂ）や図２（ｂ）に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１のカード本体を構成するカード基体２は、－Ｚ方向側から見て順に、オーバーシート層８、インナー層７、アンテナ保持層６および５、インナー層４並びにオーバーシート層３が積層されて一体化したものである。典型的には、オーバーシート層８および３が透明色の基材であり、インナー層７および４、並びにアンテナ保持層６および５が白色の基材であるが、これには限定されない。また、アンテナ保持層６および５の間には、アンテナ８０を構成するアンテナ線８３や、プレート状の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０が両者に挟まれるように配置されている。

このアンテナ８０を構成するアンテナ線８３は、図１（ａ）や図２（ａ）に破線で示されるように、カード基体２の内部に埋まっており、凹部９からは露出していない。アンテナ線８３は、略矩形のカードの周囲を周回するように巻かれた上、その両端が一対の導電性のプレート状の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０と電気的に接続されている。図２（ｂ）に示すように、第１プレート１１０は第１導電部材１１１と第２導電部材１１２とが積層した構成を有しており、その第２導電部材１１２の表面が凹部９の底面９１ａにおいて露出している。第１導電部材１１１および第２導電部材１１２は、互いに異種の金属から構成され、第２導電部材１１２は、第１導電部材１１１よりも酸化し難い金属で構成される。一例として、第１導電部材１１１を銅、第２導電部材１１２を銀メッキとすることができるがこれには限られない。なお、第２プレート１２０の構成もこれと同じである。

ＩＣモジュール７０のカード基体２側を向く面には、後述するように、内包されるＩＣチップと電気的に接続している端子７３ａおよび７３ｂが設けられている。そして、図１（ｂ）に示すように、端子７３ａは、導電接着層１１を介して第１プレート１１０と電気的に接続するとともに、ＩＣモジュール７０は、カード基体２と、導電接着層１１を介して機械的にも接合される。導電接着層１１は、内部にはんだ等の導電粒子と接着剤とを含有する部材で構成される。ここで、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、第２導電部材１１２が凹部９の開口側を向き、第１導電部材１１１が凹部９の開口とは反対側を向くように、カード基体２に配置されている。

アンテナ線８３の先端は、第１プレート１１０の＋Ｚ方向側、すなわち第２導電部材１１２と当接することにより、第１プレート１１０との電気的接続が図られている。また、ＩＣモジュール７０の端子７３ａも、導電接着層１１を介して、第１プレート１１０の第２導電部材１１２と当接することにより、第１プレート１１０との電気的接続が図られている。これらの第１プレート１１０および端子７３ａに関する内容は、そのまま第２プレート１２０および端子７３ｂにもあてはまる。

このように、本実施形態の外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカード１は、凹部９を備えたカード基体２と、カード基体２の内部に配置され、アンテナ線８３および複数のプレート状の端部１００を備える。また、デュアルインターフェースＩＣカード１は、アンテナ線８３の複数の先端および複数の端部１００が、それぞれ電気的に接続されているアンテナ８０と、ＩＣチップ７４ａおよびＩＣチップ７４ａと電気的に接続された複数の端子７３ａ、７３ｂを有するＩＣモジュール７０と、を備える。複数の端部１００は、第１プレート１１０および第２プレート１２０である。

ここで、デュアルインターフェースＩＣカード１は、凹部９において、複数の端部１００が少なくとも部分的にカード基体２から露出している。さらに、互いに対向する複数の端子７３ａ、７３ｂおよび複数の端部１００が、それぞれ電気的に接続されるように、ＩＣモジュール７０が凹部９に収納されている。複数の端部１００は、第１導電部材１１１と、第１導電部材１１１よりも酸化し難い第２導電部材１１２と、が積層された構成を有する。また、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂは、いずれも第２導電部材１１２と対向して端部１００と電気的に接続される。

デュアルインターフェースＩＣカード１がこのような構成であることにより、端部１００は、第１導電部材１１１と第２導電部材１１２との２層構成のプレートとすることができる。よって、アンテナ８０は、アンテナ線８３の両端が、それぞれ当該層構成の端部１００と電気的に接続した比較的簡単な構成とでき、これを内部に埋め込んだカード基体２の製造も比較的容易である。

また、詳細は後述するが、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂが、いずれも第２導電部材１１２と対向して端部１００と電気的に接続されるため、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂと、端部１００との電気的接続の信頼性が向上する。比較的、酸化し難い第２導電部材１１２は、その表面に酸化被膜が形成され難くなり、アンテナ線８３の端部１００への溶接や、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）が含有する金属粒子との接合が良好に行える可能性が高いからである。

第２導電部材１１２の表面には酸化被膜が形成され難い。このため、エンドミル等の切削加工により凹部９を形成する際、第２導電部材１１２の表面に積層されているアンテナ保持層５または６等の樹脂基材との水素結合等による接着力が得られ難くなり、第２導電部材１１２と樹脂基材との密着性が下がる傾向にある。このため、エンドミルの刃の切削深さの設定が多少浅めにずれたとしても、第２導電部材１１２の界面では、樹脂基材がはがれやすくなり、良好に凹部９に第２導電部材１１２の表面を露出させることができる。よって、切削加工における刃の深さ設定範囲を広げることができ、歩留まりや生産性が向上する。

上記により、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１は、カードの構成を複雑にすることなく、加工が容易であり、かつＩＣモジュールとアンテナとの電気的接続の信頼性を向上できる。以下に、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１の構成およびその製造方法の詳細を説明する。

（ａ）カード基体
カード基体２は、デュアルインターフェースＩＣカード１を構成する、ＩＣモジュール７０を除くカード本体を指す。カード基体２は、前述したとおり、典型的には厚さ方向の－Ｚ方向側の一端からオーバーシート層８、インナー層７、アンテナ保持層６および５、インナー層４およびオーバーシート層３がこの順に積層された構成を有している。また、アンテナ保持層６および５の間には、ループ形状に巻かれ、被覆導線等から形成されたアンテナ８０が配置されている。

カード基体２は、凹部９が形成される前のもの、および凹部９の形成後のものの両方を指すことがあり、アンテナ８０を含まないもの、およびこれを含むものの両方を指す場合がある。また、アンテナ８０のアンテナ線８３の両方の先端は、互いにＸ軸方向に沿って配置される－Ｘ方向側の第１プレート１１０および＋Ｘ方向側の第２プレート１２０と電気的に接続されている。

ここで、本実施形態では、説明の便宜のため、アンテナ８０のアンテナ線８３は分岐等のない１本の導線をループ状に巻いたものとして説明するが、本開示はこれに限定されず、アンテナ線８３が適宜分岐され、先端が３箇所以上存在するものも含むとする。また、プレート状の端部１００も、アンテナ線８３の先端の数に応じて、３個以上配置することができる。

また、カード基体２の層構成も上述したものに限らず、オーバーシート層、アンテナ保持層、オーバーシート層の３層構成、アンテナ保持層、アンテナ保持層の２層構成でもよい。あるいは、カード基体２の層構成は、オーバーシート層、アンテナ保持層、第２インナー層、第１インナー層、第１インナー層、第２インナー層、アンテナ保持層およびオーバーシート層、といった７層以上の多層構成であってもよい。この場合、２箇所の第１インナー層の間にアンテナ８０が配置される。また、カード基体２のオーバーシート層３または８のインナー層４または７とは反対側の表面に印刷や磁気ストライプの埋め込みがされていてもよく、インナー層４または７のオーバーシート層３または８との隣接表面に印刷がされていてもよい。

カード基体２の厚さは、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６等の規格に準拠する観点からは、０．７６ｍｍ以上、０．８４ｍｍ以下であることが好ましいが、この範囲外であってもよい。

（ｉ）インナー層
インナー層はコア層とも称する。インナー層４および７としては、白色または着色された各種のプラスチックシートを幅広く使用することができ、以下にあげる単独のフィルムあるいはそれらの複合フィルムを使用できる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ－Ｇ（テレフタル酸－シクロヘキサンジメタノール－エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、等である。インナー層４および７の厚さは、カードの全体厚さを勘案して適宜に選択することができるが、例えば、０．１０ｍｍ以上、０．３８ｍｍ以下程度とすることができる。

（ｉｉ）アンテナ保持層
アンテナ保持層は、インナー層と同様にコア層とも称する。アンテナ保持層５および６は、アンテナ８０を挟み込んでこれを保持する機能を有し、インナー層４および７と同様の各種のプラスチックシートを幅広く使用することができる。アンテナ保持層５および６は、インナー層４および７と同一材料で構成されてもよく、互いに異なる材料で構成されてもよい。アンテナ保持層５および６の厚さは、カードの全体厚さを勘案して適宜に選択することができるが、例えば、０．１０ｍｍ以上、０．３８ｍｍ以下程度とすることができる。

（ｉｉｉ）オーバーシート層
オーバーシート層３および８としては、通常、インナー層やアンテナ保持層と同質の材料を使用するが、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．１０ｍｍ以下程度の透明材料が使用されることが多い。インナー層、アンテナ保持層およびオーバーシート層の積層体を熱プレス等で一体化する際のカールの発生を防止する観点からは、オーバーシート層３および８の厚さが同一であることが好ましいが、必ずしも同一でなくてもよい。また、この点は前述のインナー層４および７やアンテナ保持層５および６についても共通する。

オーバーシート層の材料は、熱により接着性を有するものであればよいが、オーバーシート層自体が熱による接着性を有しない場合でも、熱等により接着力を発生させる公知の接着剤の層をインナー層およびオーバーシート層の間に追加形成することで両者を一体化できる。また、デュアルインターフェースＩＣカード１を磁気カードとして使用する場合には、オーバーシート層３および８のいずれかまたは両方について、インナー層４および７の両方または片方とは反対の主面側に磁気ストライプを熱転写等によりあらかじめ埋め込んでおいてもよい。

（ｉｖ）アンテナシート
本実施形態では、後述するように、アンテナ保持層５または６の一方の面に、アンテナ８０を形成し、当該アンテナ８０を構成するアンテナ線８３の両方の先端が、プレート状の導電性の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０と電気的に接続した構成を有する。このようなアンテナ保持層５または６へのアンテナ８０の形成は、例えば以下のように行う。まず、積層前のアンテナ保持層６のアンテナ保持層５と対向する表面に第１プレート１１０および第２プレート１２０を、熱圧等を掛けて接着固定する。このとき、アンテナ保持層６の表面に接着剤を塗布してから第１プレート１１０および第２プレート１２０を配置してもよい。なお、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、ＩＣモジュール７０の載置予定位置に左右方向に並べて、その一部が載置時のＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂと重畳するように配置される。

その後、アンテナ線８３の先端を第１プレート１１０および第２プレート１２０のいずれか一方に対して溶接する。そして、この地点を始点として、アンテナ線８３に対して所定の熱圧を掛け、絶縁部材で被覆された被覆導線であるアンテナ線８３を、巻き線形成機によりアンテナ保持層６の表面に埋め込む。すなわち、アンテナ線８３に対して所定の熱圧を加えながら、図１（ａ）に示すようなループ形状にアンテナ供給ヘッドを描画させ、当該アンテナ供給ヘッドから供給されたアンテナ線８３をアンテナ保持層６に順次、埋め込む。埋め込みが終了したアンテナ線８３を切断し、当該切断されたアンテナ線８３の先端を終点として、第１プレート１１０および第２プレート１２０のいずれか他方に対して溶接する。

アンテナ線８３の始点となる先端と終点となる先端とは、それぞれ、第１プレート１１０および第２プレート１２０のいずれか一方と他方とに溶接によって電気的に接続される。このようにしてアンテナ８０が形成されたアンテナ保持層６（アンテナシート１２）を得る。アンテナ８０がアンテナ保持層５または６に埋め込まれた中間生成物を、アンテナシート１２と称することがある。アンテナシート１２は、それのみでデュアルインターフェースＩＣカード１を製造するための部品として市場に流通させることができる。あるいは、アンテナ保持層等のシート材を加工業者に供給し、これを当該加工業者がアンテナシート１２に加工して供給元に納品する、という商形態が存在し得る。

（ｖ）アンテナ
アンテナ保持層５または６に形成されたアンテナ８０において、そのアンテナ線８３の複数の先端が電気的に接続された一対の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０には、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂがそれぞれ電気的に接続する。これにより、ＩＣモジュール７０が備えるＩＣチップおよびアンテナ８０が非接触通信の通信回路を構成する。当該通信回路は、例えば、ＩＳＯ／ＩＥＣ１８０９２やＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４４３等で規定される１３．５６ＭＨｚのＨＦ周波数帯域を用いて近接通信を行うものでもよい。または、それ以外の、例えば９２０ＭＨｚのＵＨＦ周波数帯域や１２５ＫＨｚのＬＦ周波数帯域、マイクロ波の２．４５ＧＨｚの周波数帯を用いて通信を行うものでもよい。

外部機器であるリーダライタ等にデュアルインターフェースＩＣカード１をかざしたときに、当該通信回路にはリーダライタが形成する磁界や電波等により起電力や電流が発生して、ＩＣチップに電力を供給する。これにより、ＩＣチップは駆動可能となり、リーダライタと非接触による情報の送受信が可能であり、メモリに対する情報の読み出しや書き換え等を行なう。

アンテナ８０を構成するアンテナ線８３は、典型的には、銅線の周囲が絶縁部材で被覆された被覆導線により形成される。なお、これ以外にも、Ｃｕ－Ｎｉ、Ｃｕ－Ｃｒ、Ｃｕ－Ｚｎ、Ｃｕ－Ｓｎ、Ｃｕ－Ｂｅ等の銅合金線、または鉄、ステンレス、アルミ等の種々の金属線、金属合金線を選択することもできる。デュアルインターフェースＩＣカード１は、被覆導線を用いることにより、例えば銅箔エッチング方式等に比較して安価に製造できる。ただし、本開示のデュアルインターフェースＩＣカード１は、銅箔エッチング方式や金属箔の打ち抜き方式等で形成されたアンテナ線を用いてもよい。

アンテナ線８３の直径は、非接触の通信回路としての特性を確保できる限りにおいて、特段の制限はないが、例えば、０．０３ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下とすることができ、好ましくは、０．０５ｍｍ以上、０．１５ｍｍ以下とすることができる。後者の範囲とすることで、埋め込み加工による熱圧や切削加工による外力への耐久性が向上でき、良好な通信特性を確保できる。

（ｖｉ）端部（第１プレートおよび第２プレート）
次に、導電性の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０の構成の詳細を説明する。第１プレート１１０および第２プレート１２０は、いずれも、デュアルインターフェースＩＣカード１の主面の法線方向であるＺ軸方向に沿った平面視において、略矩形状の板状部材である。図２（ａ）に示すように、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、当該平面視において、第１凹部９１と重畳する領域、すなわち、カード基体２から露出している領域と、第１凹部９１よりも外側に位置し、カード基体２の内部に埋め込まれている領域と、を有する。

言い換えると、当該平面視で凹部９の外周９３のうち、Ｙ軸に沿う－Ｘ方向側の辺９３ａおよび＋Ｘ方向側の辺９３ｂに重畳する直線をそれぞれ直線ｍ１およびｍ２とする。このとき、第１プレート１１０は、直線ｍ１よりも＋Ｘ方向側の領域が第１凹部９１においてカード基体２から露出しており、直線ｍ１よりも－Ｘ方向側の領域がカード基体２に被覆されている。同様に、第２プレート１２０は、直線ｍ２よりも－Ｘ方向側の領域が第１凹部９１においてカード基体２から露出しており、直線ｍ２よりも＋Ｘ方向側の領域がカード基体２に被覆されている。

第１プレート１１０を例にとれば、第１凹部９１においてカード基体２から露出している第１プレートのＸ軸方向に沿った横幅は、第１凹部９１の横幅と同じくＷ１２であり、カード基体２による被覆部分も含めた横幅Ｗ１１よりも狭い。また、第１凹部９１においてカード基体２から露出している第１プレートのＹ軸方向に沿った縦幅はＷ２である。Ｗ１２、Ｗ１１およびＷ２の大きさや比率は任意であるが、第１プレート１１０の縦幅Ｗ２かつ横幅Ｗ１２の領域の中に、ＩＣモジュール７０の載置時の端子７３ａの領域が包含されることが好ましい。これにより、端子７３ａと第１プレート１１０との電気的な接続に関する接触面積が安定的に得られるからである。第２プレート１２０についても同様である。

また、このように第１プレート１１０および第２プレート１２０の一部が、カード基体２に被覆されていることにより、凹部９の形成時のエンドミル刃の切削抵抗等の外力に対する第１プレート１１０および第２プレート１２０の保持効果が高められる。よって、不用意にプレートがカード基体２から剥がれて位置がずれてしまうことが抑制される。

一方、第１プレート１１０の＋Ｘ方向側の端と第２プレート１２０の－Ｘ方向側の端の位置は、それぞれこれらと重畳する第１凹部９１の＋Ｘ方向側および－Ｘ方向側の端の位置と同一となる。すなわち、凹部９の形成前の第１プレート１１０の＋Ｘ方向側の端と、第２プレート１２０の－Ｘ方向側の端は、＋Ｚ方向からの平面視において第２凹部９２の内側まで入り込むように配置されている。第２凹部は後述するように、その周囲を取り囲む第１凹部よりも深く切削された、ＩＣチップ体を収納するための凹部領域である。そして、凹部９の形成加工時に、第２凹部９２の領域のプレート部分が切削除去されている。言い換えると、当該平面視において、凹部９の切削加工後の第１プレート１１０および第２プレート１２０は、第２凹部９２の外側の領域に配置されている。

第１プレート１１０および第２プレート１２０がこのような配置及び大きさをとることにより、Ｘ軸方向に沿ったプレートの配置位置のずれが生じても、確実にＩＣモジュール７０の端子７３ａ、７３ｂとの接触面積を確保できる。ただし、第１プレート１１０の＋Ｘ方向側の端は、これと重畳する第１凹部９１の＋Ｘ方向側の端よりも－Ｘ方向側にずれていてもよく、第２プレート１２０の－Ｘ方向側の端は、これと重畳する第１凹部９１の－Ｘ方向側の端よりも－Ｘ方向側にずれていてもよい。ただし、第２凹部９２は、ＩＣチップ体の厚さが十分薄い場合には、第１凹部と同じ深さとしてもよく、第１凹部とは異なる深さの第２凹部を必ずしも設けなくてもよい。

また、前述したように、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、第１導電部材１１１と、当該第１導電部材１１１の＋Ｚ方向側に積層される第２導電部材１１２との少なくとも２層を含む積層構成を有する。このとき、第２導電部材１１２は、第１導電部材１１１よりも酸化し難い部材である。酸化し難い部材とは、例えば第１導電部材１１１や第２導電部材１１２がともに金属である場合は、第２導電部材１１２の方が、第１導電部材１１１よりもイオン化傾向が小さい金属であると言い換えることができる。このような金属の一例として、第１導電部材１１１をアルミニウム、鉄、ニッケルまたは銅とし、第２導電部材１１２を銀、パラジウム、プラチナまたは金とすることができる。

また、第１導電部材１１１および第２導電部材１１２は、単一金属から構成される部材に限らず、合金でもよく、カーボン等の非金属部材でもよい。このような場合の第１導電部材１１１および第２導電部材１１２の相対的な部材の酸化し難さの評価は、各部材の金属等の配合比から計算で求めてもよく、実験的に求めてもよい。

また、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、第１導電部材１１１、第２導電部材１１２以外の異なる導電部材の層をさらに有する３層以上の積層構成を備えてもよい。例えば、－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側に向けて、第１導電部材、第３導電部材および第２導電部材がこの順に積層しているものとする。この場合、第２導電部材は第１導電部材および第３導電部材のいずれか一方よりも酸化し難い部材であることが好ましい。第２導電部材が、第１導電部材および第３導電部材のいずれに対しても酸化し易い部材である場合、本開示の作用効果を奏することが困難となるからである。このようなものの適切な例として、例えば、第１導電部材を銅とし、第３導電部材をニッケルメッキとし、第２導電部材を金メッキとすることができる。

材料調達の容易性やコスト、加工適性、電気特性等を考慮すると、上記に挙げた中でも、第１導電部材１１１として導電性の高い銅を使用し、第２導電部材１１２として銀メッキを使用することが好ましい。十分な導電性が確保できる銅を第１導電部材１１１とし、酸化し難く、エンドミルによる樹脂層の切削時に金属界面を露出させ易い銀をメッキとして第２導電部材１１２に用いることで、コストアップを抑制しつつ、良好な電気特性および加工適性を得られるからである。

このように、本実施形態では、第１プレート１１０および第２プレート１２０を、第１導電部材１１１と、当該第１導電部材１１１よりも酸化し難いおよび第２導電部材１１２との積層構成としている。さらに、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂを第２導電部材１１２と対向して第１プレート１１０および第２プレート１２０と電気的に接続している。これによる作用効果は、理論に拘束されることを望まないが、一例として以下を考えることができる。

例えば、第２導電部材１１２が第１導電部材１１１よりも酸化し難い部材である場合、第２導電部材１１２の表面は、第１導電部材１１１の表面が露出している場合と比べて酸化被膜の形成量が少ない。このため、第２導電部材１１２とアンテナ線８３の先端とを溶接で接合する際に、両者の間に介在する不純物の量が少ないため、良好に溶接ができる。また、仮に第１導電部材１１１および第２導電部材１１２がいずれも銅であったとすると、第２導電部材１１２とアンテナ線８３とを溶接する際に、熱伝導率が高い第２導電部材１１２の銅に溶接時の熱が逃げてしまい、溶接不良が起きたり溶接時間が長くなるおそれがある。しかし、第１導電部材１１１の銅に対して、これよりも熱伝導率が低い第２導電部材１１２を銀メッキ等で設けることで、溶接効率や溶接歩留まりを向上できる。

一方、アンテナ保持層５および６のような樹脂基材で第１プレート１１０や第２プレート１２０を挟み込んで熱プレスすることを考える。このとき、樹脂基材の種類にもよるが、第１プレート１１０や第２プレート１２０の表面に酸化被膜が十分に形成されている場合には、樹脂基材と酸化被膜との間に水素結合が形成されやすくなる。その結果、第１プレート１１０や第２プレート１２０は当該樹脂基材と強力に接着し易くなる。逆に、第１プレート１１０や第２プレート１２０の表面に酸化被膜がほとんど形成されず、金属面が略露出している場合には、樹脂基材と第１プレート１１０や第２プレート１２０との接着力は非常に弱くなると考えられる。

また、第１プレート１１０や第２プレート１２０の表面の濡れ性に関しては、表面に酸化被膜等の異物が付着していない方が、濡れ性が高くなる傾向がある。図５（ａ）の画像１は、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１と類似するデュアルインターフェースＩＣカード１ｐにおける、カード基体の凹部９ｐに露出した第１プレート１１０ｐおよび第２プレート１２０ｐの表面上に、はんだ１１ｐを塗布した状態を示す画像である。第１プレート１１０ｐおよび第２プレート１２０ｐは、第１導電部材として銅を使用し、第２導電部材として銀メッキを使用したものである。はんだ１１ｐは、フラックス（松脂）を含有したはんだである。

図５（ｂ）の画像２は、上記に対する比較例であり、デュアルインターフェースＩＣカード１ｑにおける、カード基体の凹部９ｑに露出した第１プレート１１０ｑおよび第２プレート１２０ｑの表面上に、はんだ１１ｑを塗布した状態を示す画像である。第１プレート１１０ｑおよび第２プレート１２０ｑは、上記とは異なり、第１導電部材および第２導電部材の区別なく、共通の銅を使用したものである。はんだ１１ｑは、はんだ１１ｐと同様に、フラックス（松脂）を含有したはんだである。図５（ａ）の画像１、図５（ｂ）の画像２とも、第１プレートおよび第２プレートの上に一定量のはんだが付着しているが、その付着量には差があり、図５（ａ）の画像１の方がはんだが多く付着している。

次に、図５（ｃ）の画像３は、図５（ａ）の画像１のデュアルインターフェースＩＣカード１ｐと同様の構成のデュアルインターフェースＩＣカード１ｒに関する画像である。すなわち、デュアルインターフェースＩＣカード１ｒにおける、カード基体の凹部９ｒに露出した第１プレート１１０ｒおよび第２プレート１２０ｒの表面上に、はんだ１１ｒを塗布した状態を示す画像である。第１プレート１１０ｒおよび第２プレート１２０ｒは、第１導電部材として銅を使用し、第２導電部材として銀メッキを使用したものである。はんだ１１ｒは、フラックス（松脂）を含有しないはんだである。

図５（ｄ）の画像４は、上記に対する比較例であり、図５（ｂ）の画像２のデュアルインターフェースＩＣカード１ｑと同様の構成のデュアルインターフェースＩＣカード１ｓに関するものである。すなわち、デュアルインターフェースＩＣカード１ｓにおける、カード基体の凹部９ｓに露出した第１プレート１１０ｓおよび第２プレート１２０ｓの表面上に、はんだ１１ｓを塗布した状態を示す画像である。第１プレート１１０ｓおよび第２プレート１２０ｓは、第１導電部材および第２導電部材の区別なく、共通の銅を使用したものである。はんだ１１ｓは、はんだ１１ｒと同様に、フラックス（松脂）を含有しないはんだである。図５（ｃ）の画像３では、図５（ａ）の画像１とほぼ変わらず、十分な量のはんだが第１プレート１１０ｒおよび第２プレート１２０ｒの上に付着している。しかしながら、図５（ｄ）の画像４では、第１プレート１１０ｓおよび第２プレート１２０ｓの上にははんだがほとんど付着していないことが明確にわかる。

このように、単純に第１プレートおよび第２プレートの表面にはんだを塗布した場合であっても、その表面が酸化被膜を多く形成し易い銅であるか、酸化被膜を形成し難い銀メッキであるかにより、はんだの残留状態、すなわち濡れ性に差が生じる。この点は、ＩＣモジュール７０の端子７３ａ、７３ｂとアンテナ８０の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０との間に、はんだや他の金属粒子を含有した異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を介在させた場合にもあてはまる。すなわち、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面の酸化被膜が少なく、濡れ性が高い状態であるほど、ＡＣＦやＡＣＰを介してＩＣモジュール７０をカード基体２の凹部９に埋設した際のＩＣチップおよびアンテナ８０の電気的接続の信頼性を向上できる。

次に、第１プレート１１０や第２プレート１２０の露出した表面が、比較的に酸化し難い第２導電部材１１２である際の加工上の利点について説明する。図３（ａ）は、図２（ｂ）のカード基体２における、凹部９の形成前の状態を示す断面図である。凹部９の形成は、刃先が付いたエンドミル２００を用いて、カード基体２を切削加工することにより行う。まず、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、凹部９の中央付近を占める、比較的深い深さの第２凹部９２を形成する。このとき、第１プレート１１０および第２プレート１２０の第２凹部９２と重畳する部分は切削加工により除去される。

続いて、第２凹部９２を形成した後、エンドミル２００は第１凹部９１を切削加工により形成する。ここで、第１凹部９１は、カード基体２の表面からの深さが第１の深さとなるように形成され、第２凹部９２は、第１凹部９１よりも中央側に形成され、第１の深さよりも深い第２の深さとなうように形成される。そして、凹部９の形成後において、＋Ｚ方向側からの平面視において、第１プレート１１０や第２プレート１２０は第２凹部９２の外側の領域に配置されている。

このとき、エンドミル２００の刃先の深さの設定は、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面がちょうど露出する位置であることが好ましいが、切削加工機の切削深さ精度には一定のばらつきがある。このばらつきは、一般的には目標値プラス、マイナス１０μｍから目標値プラス、マイナス１５μｍ程度を見込む必要がある。ここで、第１凹部９１の切削深さの目標値を第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面に設定すると、実際の切削深さが－Ｚ方向に１５μｍシフトしていた場合に、第２導電部材１１２を全部切削してしまい、第１導電部材１１１が露出してしまう可能性がある。第２導電部材を銀メッキとする場合、メッキの厚さは通常、０．１μｍ以上、６μｍ以下程度しかないからである。

そこで、本実施形態では、例えば第１凹部９１の切削深さの目標値を第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面よりも１５μｍだけ浅い地点に設定する。これは図３（ｂ）における深さｄ１１に相当する。このとき、設定通りに切削加工がされると、エンドミル２００は、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面上にアンテナ保持層５を厚さｔ１１、すなわち、ここでは１５μｍだけ残して切削することとなる。

本実施形態では、第１プレート１１０および第２プレート１２０の＋Ｚ方向側の表面は、比較的に酸化し難い第２導電部材１１２により構成されている。このため、第１プレート１１０および第２プレート１２０と、その上層の樹脂基材との密着性は弱くなっている。その結果、図３（ｃ）に示すように、エンドミルの高速回転による切削加工時の振動等の外力により、薄皮として形成された第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面上の樹脂基材の残部５ａは、当該外力により剥がされる。そして残部５ａは、当該樹脂部分の根元となる－Ｘ方向側の端から引きちぎられてカード基体２から自然に離脱する。これにより、第１凹部９１の切削深さの目標値を第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面よりも浅く設定した場合でも、良好に、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面を第１凹部９１において露出させることができる。

上記を実験的に示したものが、図６である。図６（ａ）の画像５は、第１導電部材を銅とし、第２導電部材を銀メッキとした第１プレート１１０ｔについて、切削加工の深さを第１プレート１１０ｔの表面よりも３０μｍだけ浅くした場合の切削後の第１プレート１１０ｔの表面状態を示した画像である。図６（ｂ）の画像６は、図６（ａ）の第１プレート１１０ｔと同様の構成の第１プレート１１０ｕについて、切削加工の深さを第１プレート１１０ｕの表面と略同一とした場合の切削後の第１プレート１１０ｕの表面状態を示した画像である。さらに、図６（ｃ）の画像７は、第１プレート１１０ｔと同様の構成の第１プレート１１０ｖについて、切削加工の深さを第１プレート１１０ｖの表面よりも１０μｍだけ深く設定した場合の切削後の第１プレート１１０ｖの表面状態を示した画像である。

これらの画像からもわかるように、画像５の第１プレート１１０ｔおよび画像６の第１プレート１１０ｕの切削加工後の表面状態はほとんど同じであり、銀メッキが良好に露出している。さらには、画像５、画像６とも、アンテナ保持層の残留物と思われる残部５ｂが両画像の左端に確認できる。これは、上述したメカニズムによって生じたものと推定される。一方、画像７の第１プレート１１０ｖの表面は、銀メッキが少なくなり、下地の銅の露出が顕著になっている。このような状態では、第２導電部材としての特徴は得られず、酸化被膜の形成等により、品質面に悪影響を及ぼす可能性が考えられる。

（ｂ）ＩＣモジュール
次に、ＩＣモジュール７０の主要な構成要素の各部について、主に図１（ｂ）や図４に基づいて説明する。図４（ａ）は、図１（ａ）と同様に、＋Ｚ方向側からＩＣモジュール７０の外部接続端子７１側を見た図である。図４（ｂ）は、ＩＣモジュール７０を図４（ａ）とは反対側の－Ｚ方向側から見た図である。ここでは、内部を透視できるよう、ＩＣチップ体７４のモールド部７４ｂの大半を省略して記載している。また、図４（ｃ）は、図１（ｂ）の端子７３ａ付近のＢ部を拡大した断面図である。

ＩＣモジュール７０は、カード基体２に対して形成された凹部９に埋設され、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂがアンテナ８０の第１プレート１１０および第２プレート１２０とそれぞれ電気的に接続することで、非接触通信の通信回路を形成できる。このとき、ＩＣモジュール７０が備える外部接続端子７１を通じて、接触式リーダライタ等と接触通信を行うことができる。

基板７２はガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の可撓性を有する絶縁性の樹脂フィルムの表裏に銅箔が接着剤を介して貼り込まれ、当該樹脂フィルムの表裏面に貼り込まれた銅箔を、所定のパターンを形成するように残存させたものである。具体的には、当該樹脂フィルムの一方の銅箔面に外部接続端子７１を、他方の銅箔面に端子７３ａおよび７３ｂを形成するように、感光材の塗付、所定パターンが形成されたフィルム版の載置、露光、非感光部位のエッチング除去、を順次行う。これにより、当該樹脂フィルムの表裏面に所定のパターンの銅箔が一部残存した基板７２が形成される。また、基板７２にはあらかじめ、外部接続端子７１へのワイヤボンディングのための貫通孔であるボンディングホール７６が複数箇所、設けられている。

外部接続端子７１には、図４（ａ）に示すように、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６―２規格で定められた、外部端子の各区画が画定されている。これらの各区画とＩＣチップ７４ａとは、図４（ｂ）に示すように、基板７２に設けられた上述のボンディングホール７６を通じて、金ワイヤ等のワイヤ７５によって結線されている。また、端子７３ａおよび７３ｂとＩＣチップ７４ａとの間も同様に、ワイヤ７５によって結線されている。これらのボンディングホール７６やワイヤ７５は、モールド部７４ｂによって被覆保護されている。

基板７２の、外部接続端子７１の形成面とは反対側の面に、ＩＣチップ体７４が配置されている。ＩＣチップ体７４は、基板７２に接着剤を介して接着、固定されたＩＣチップ７４ａと、結線のためのボンディング用のワイヤ７５と、これらを保護するための封止樹脂であるモールド部７４ｂとから構成される。ＩＣチップ７４ａは、接触通信、非接触通信の両方の動作を制御するためのＣＰＵと、ＲＡＭやＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の記憶装置と、を備える。さらにＩＣチップ７４ａは、接触通信および非接触通信の入力信号解読と出力信号生成を行うインターフェース回路や電力発生回路等の各種回路を備えている。なお、各種回路はＩＣチップ７４ａとは別個の素子として設けられていてもよい。

モールド部７４ｂは、ＩＣチップ７４ａやワイヤ７５を外力負荷や環境負荷から保護するために、これらを被覆する突起状部位として設けられる。モールド部７４ｂとして、紫外線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂等が使用される。

（ｃ）導電接着層
カード基体２に対してＩＣモジュール７０を埋設するための凹部９を、エンドミルによる切削加工等によって形成した後、ＩＣモジュール７０を当該凹部９に埋設固定し、電気的および機械的に接続する導電接着層１１について説明する。導電接着層１１は、図４（ｃ）に示すように、第１プレート１１０と、ＩＣモジュール７０の基板７２および基板７２に形成された端子７３ａと、に挟まれるように配置される、液状またはテープ状の部材である。

導電接着層１１は、あらかじめ、ＩＣモジュール７０の基板７２の外部接続端子７１とは反対側の面に塗付、貼付されていてもよく、カード基体２の凹部９の切削後の底面９１ａ上に塗付、貼付されてもよい。

典型的な導電接着層１１は、ＩＣモジュール７０と切削済みのカード基体２との機械的接続を兼ねるため、基板７２の裏面の全面または凹部９のうちの第１凹部９１に対応する部位に塗付、貼付されていてもよい。こうすることで、ＩＣチップ７４ａおよびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続とを同一種類の導電接着層１１で行うことができ、工程の簡略化に寄与する。

しかし、導電接着層１１が、基板７２の裏面のうち、端子７３ａおよび７３ｂの領域のみを覆うように塗付、貼付され、その他の基板７２の裏面には、導電性を有しない別の接着剤が塗付、貼付されていてもよい。当該別の接着剤が導電性を考慮しなくてもよいことにより、接着剤として機械的接続に有利なものを選定し易くできるからである。

電気的接続と機械的接続との兼用が図れる導電接着層１１としては、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、すなわち、異方性導電フィルムや、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）を使用できる。また、その他、エポキシ樹脂中に銀粒子をフィラーとして分散した、いわゆる導電性ペーストやはんだペーストとしてもよい。中でも、ＡＣＦを使用すれば、ＩＣモジュール７０の基板７２の裏面全体にＡＣＦを熱ラミネートしておき、当該ＩＣモジュール７０を切削済みのカード基体２の凹部９に埋設後、これを所定温度、荷重でヒートプレスすることができる。こうすることで、ＩＣチップ７４ａとアンテナ８０との電気的接続が容易に図れる。さらには、ＩＣモジュール７０のカード基体２への機械的接続も同時に図れるため、ＩＣモジュール７０のカード基体２への実装工程を簡易化することができる。

導電接着層１１としてＡＣＦを使用した際の、ＩＣチップ７４ａおよびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続とは、図４（ｃ）に基づいて以下のように説明できる。導電接着層１１は、接着成分を含有するバインダーである接着剤１１ｂの中に、球状樹脂または球状金属の周りに金属膜が形成された導電粒子１１ａが分散した構成を有している。導電粒子としては、樹脂をニッケルや金でコーティングしたものでもよく、はんだ粒子であってもよい。はんだ粒子は、ＳｎＰｂ系、ＳｎＡｇＣｕ系、ＳｎＣｕ系、ＳｎＺｎＢｉ系、ＳｎＡｇＩｎＢｉ系、ＳｎＺｎＡｌ系等様々なものや、これと他の金属とを合金化したもの等が使用可能である。これらの構成は、ＡＣＰとした場合にでも同様である。

ここで、アンテナ線８３の先端と電気的に接続した第１プレート１１０と、ＩＣモジュール７０の基板７２および基板７２に形成された端子７３ａと、に挟まれるように配置された導電接着層１１が圧縮されるように、基板７２に対して＋Ｚ方向から－Ｚ方向に向かう熱圧を掛ける。

その結果、導電接着層１１のうち、特に間隔が狭い、第１プレート１１０と端子７３ａとに挟まれた部位に強い熱圧が掛かり、この部位の導電接着層１１の導電粒子１１ａが、導電接着層１１の厚さ方向に沿って第１プレート１１０および端子７３ａから押し付けられる。また、導電粒子１１ａが小さい場合は、導電粒子１１ａが導電接着層１１の厚さ方向に沿って第１プレート１１０から端子７３ａまで数珠つなぎに重なる。すなわち、導電粒子１１ａを介して、第１プレート１１０と端子７３ａとが導通する。

一方、端子７３ａの存在しない領域の基板７２との間では、導電粒子１１ａが導電接着層１１の厚さ方向に沿って第１プレート１１０および端子７３ａから押し付けられる程度、または、数珠つなぎに重なる程度にまでは圧縮されない。しかしながら、その熱圧によって生じた接着剤１１ｂの接着力によって、アンテナ保持層６と基板７２とが機械的に接続される。

（ｄ）デュアルインターフェースＩＣカードの製造方法
次に、上述したカード基体２、ＩＣモジュール７０および導電接着層１１を用いた、デュアルインターフェースＩＣカード１の製造方法の一例を説明する。

まず、インナー層４または７とは隣接しない側の、アンテナ保持層５または６のいずれかの表面に、プレート状の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０を接着する。両者は、それぞれ接着剤を介してアンテナ保持層５または６の表面に接着および固定してもよい。次に、絶縁部材で被覆された被覆導線をアンテナ線８３として、端部１００が形成されたアンテナ保持層５または６の当該形成面に、第１プレート１１０および第２プレート１２０のいずれか一方を始点とし、いずれか他方を終点として、巻き線形成機により埋め込む。ここで、アンテナ線８３の始点および終点において、巻き線形成機は、第１プレート１１０および第２プレート１２０に、アンテナ線８３の先端を溶接する。

具体的には、例えば、アンテナ保持層６に対して所定の熱圧を加えながら、図１（ａ）に示すようなループ形状にアンテナ供給ヘッドを描画させ、当該アンテナ供給ヘッドから供給されたアンテナ線８３をアンテナ保持層６に順次、埋め込む。

次に、図３（ａ）に示すとおり、厚さ方向の下側からオーバーシート層８、インナー層７、アンテナ保持層６および５、インナー層４およびオーバーシート層３をこの順に重ねる。その後、カードが縦横に多面付けで配置された大判シートの積層体の単位で、厚さ方向の上下からステンレス板で挟み込み、当該ステンレス板を介して、当該積層体に対して熱圧を加える。このとき、アンテナ保持層５および６の間に挟まれるように、例えばアンテナ保持層６の表面上に事前にアンテナ８０が形成されている。

このような熱プレス工程を経ることにより、積層体の各層が一体化した大判シート単位のカード基体を得ることができる。また、オーバーシート層、インナー層、アンテナ保持層のいずれかが所定温度で熱融着しない耐熱性を有する場合には、各層間に所定温度で熱融着する接着シートを挟むか、接着剤を塗付する。その上で、これらを熱プレス工程に掛けることにより、一体化した大判シート単位のカード基体を得る。

上記により得られた、カードが縦横に多面付けで配置された大判シート単位のカード基体を、打ち抜き機によりＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６のカードサイズであるカード基体２として打ち抜く。また、当該カード基体２にＩＣモジュール７０を埋設するための凹部９を、エンドミルによる切削加工にて形成する。これにより、切削済みのカード基体２が得られる。凹部９は、ＩＣモジュール７０の平板状の基板７２を収納するための第１の深さの第１凹部９１と、凸状のＩＣチップ体７４を収納するための、第１凹部９１よりも深い第２の深さの第２凹部９２との２段で構成されることは前述したとおりである。

ここで、前述したように、第１凹部９１の形成にあたっては、切削加工機の切削深さ精度を考慮して、第１プレート１１０および第２プレート１２０の＋Ｚ方向側の表面よりも若干浅い深さを目標値として設定することができる。このように、第１凹部９１の深さを、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面までの深さよりも浅く切削した場合でも、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１では、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面を良好に露出させることができる。

一方、カード基体２の製造および凹部９を形成するための切削加工とは別に、ＩＣモジュール７０への導電接着層１１の貼付を行う。ＩＣモジュール７０としては、通常、１列取りまたは２列取りで連続的に長尺のテープに当該ＩＣモジュール７０が形成されているモジュールテープを使用する。このモジュールテープの外部接続端子７１の形成面とは反対側の面に、テープ状のＡＣＦを一定の熱圧を加えながら貼り込んでいく。その後、ＡＣＦが貼り込まれたモジュールテープを、角に丸みを有する略矩形のＩＣモジュール７０として打ち抜き機で打ち抜くことで、導電接着層１１の貼付がされたＩＣモジュール７０を得る。

その後、凹部９が形成されたカード基体２に対し、導電接着層１１の貼付がされたＩＣモジュール７０を埋設し、外部接続端子７１に所定のヒートブロックを押し当てて、カード基体２側に向けて所定時間、所定の熱圧を加える。これにより、ＡＣＦで構成された導電接着層１１を溶融させることにより、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂと、第１プレート１１０および第２プレート１２０との電気的接続を図るとともに、ＩＣモジュール７０とカード基体２との機械的接続を図る。ＡＣＦは、その品種や組成により、加える時間や熱圧条件に差異はあるが、一例としては、時間を０．５秒以上、１０．０秒以下、温度を１５０℃以上、２５０℃以下、圧力を２０ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下とすることができる。

（ｅ）第１実施形態のデュアルインターフェースＩＣカードについて
以上をまとめると、外部機器との接触通信および非接触通信が可能な第１実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１において、導電性を有する端部１００は、第１導電部材１１１と第２導電部材１１２との２層構成のプレートとすることができる。端部１００は、第１プレート１１０および第２プレート１２０により構成される。アンテナ８０は、アンテナ線８３の両端が、それぞれ当該層構成の端部１００と電気的に接続した比較的簡単な構成とでき、これを内部に埋め込んだカード基体２の製造も比較的容易である。

また、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂが、いずれも第１プレート１１０および第２プレート１２０の第２導電部材１１２と対向して端部１００と電気的に接続される。このため、第１プレート１１０および第２プレート１２０の表面は酸化被膜等の不純物が形成され難くなり、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂと、端部１００との電気的接続の信頼性が向上する。アンテナ線８３の端部１００への溶接や、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）が含有する金属粒子との接合が良好に行える可能性が高いからである。

また、エンドミル等の切削加工により凹部９を形成する際、第２導電部材１１２の表面には酸化被膜が形成され難いため、これに積層されているアンテナ保持層５および６等の樹脂基材との水素結合等による接着力は弱くなり、第２導電部材１１２と樹脂基材との密着性が低下し得る。このため、エンドミルの刃の切削深さの設定を多少浅めにシフトしても、第２の導電部材１１２の界面では、樹脂基材がはがれやすくなり、良好に凹部９に第２の導電部材１１２の表面を露出させることができる。よって、エンドミル加工における刃の深さ設定範囲を広げることができ、歩留まりや生産性が向上する。

以上により、第１実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１を使用した場合には、カードの構成を複雑にすることなく、加工が容易であり、かつＩＣモジュールとアンテナとの電気的接続の信頼性を向上させることができる。

２．第２実施形態
次に、本開示の第２実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードについて説明する。

図７は、第２実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ａに関する、図２（ａ）に対応する凹部９付近の構成を示す平面図である。本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ａは、アンテナ８０ａの端部１００ａを構成する第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの構成が第１実施形態とは異なっている。すなわち、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａは、その第１凹部９１にて露出する領域中において、その＋Ｙ方向側の端および－Ｙ方向側の端に、それぞれＸ軸方向に沿った複数の貫通孔１１３、１１４、１２３および１２４を備えている。

ただし、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａは、貫通孔を１箇所だけ備えていてもよく、貫通孔の形状も平面視で円形であることに限らず、長円、楕円、四角形、星形等、任意の形状とすることができる。また、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａに形成する貫通孔の位置は、その第１凹部９１にて露出する領域中において、－Ｘ方向側の端および＋Ｘ方向側の端に、それぞれＹ軸方向に沿って１個または複数、配列されていてもよい。

本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ａがこのような構成であることにより、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの下方のアンテナ保持層６等の樹脂基材が熱プレス等の積層加工時に溶融して、当該貫通孔に入り込む。このため、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａは、これを挟み込むアンテナ保持層５および６と、当該貫通孔を通じたアンカー効果により強力に支持される。その結果、凹部９の切削加工時に、第１プレート１１０ａや第２プレート１２０ａが、アンテナ保持層から離脱したり位置ずれを来す等の不具合が抑制され得る。

第１プレート１１０ａの露出する領域における＋Ｙ方向側の端の貫通孔１１３および－Ｙ方向側の端の貫通孔１１４と、第２プレート１２０ａの露出する領域における＋Ｙ方向側の端の貫通孔１２３および－Ｙ方向側の端の貫通孔１２４と、は、特にその配置や大きさの制約はない。しかしながら、これらの貫通孔は、＋Ｚ方向側からの平面視において、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａのうち、載置時のＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂと対向する部分を避けて設けられることが好ましい。

これにより、端部１００ａと端子７３ａおよび７３ｂとの電気的な接触面積の減少が抑制され、両者の電気的接続の信頼性が向上する。さらには、貫通孔の上方の樹脂基材が切削加工時に第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａと密着してしまうことが抑制できる。このため、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの表面よりも若干浅めに切削した場合にも、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの表面が良好に露出するという本開示の効果を維持できる。

３．第３実施形態
次に、本開示の第３実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードについて説明する。

（ａ）第３実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード
図８（ａ）は、第３実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂに関する、図２（ａ）に対応する凹部９ａ付近の構成を示す平面図である。本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂは、端部１００ａの構成を含むアンテナ８０ａの構成は、第２実施形態と同じであるが、凹部９ａの構成が第１実施形態や第２実施形態とは異なっている。すなわち、＋Ｚ方向側からの平面視において、凹部９ａは、第１凹部９１ｂと隣接し、かつ第２凹部９２の外側の領域に配置され、第１凹部９１ｂの深さである第１の深さよりも深く、かつ第２凹部９２の深さである第２の深さよりも浅い第３の深さである第３凹部９４をさらに備えている。

第３凹部９４は、当該平面視において、第１プレート１１０ａと重畳する第３凹部９４ａと、第２プレート１２０ａと重畳する第３凹部９４ｂと、に分離配置されている。また、第３凹部９４ａにおいて、載置時のＩＣモジュール７０の端子７３ａと対向する第１プレート１１０ａが少なくとも部分的にカード基体２ｂから露出している。第３凹部９４ｂにおいても同様であり、載置時のＩＣモジュール７０の端子７３ｂと対向する第２プレート１２０ａが少なくとも部分的にカード基体２ｂから露出している。

図９（ａ）は、図８（ａ）のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂについて、第３凹部９４ａに露出した第１プレート１１０ａのＸ軸に沿った方向の中央付近をＹ軸に沿ったＣ－Ｃ線で切り、断面を－Ｘ方向側から見た断面図である。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）のカード基体２ｂにおいて、導電接着層１１を介してＩＣモジュール７０を載置した状態を示す断面図である。

本実施形態では、当該平面視において、第３凹部９４ａおよび９４ｂのＹ軸方向に沿った幅は、それぞれ、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａのＹ軸方向に沿った幅よりも長く形成されている。言い換えると、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの第３凹部９４ａ、９４ｂにおいて露出する領域では、そのＹ軸方向に沿った第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの両端も含めて露出している。また、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａは、第２実施形態と同様であり、その第３凹部９４ａ、９４ｂにて露出する領域中において、その＋Ｙ方向側の端および－Ｙ方向側の端に、それぞれＸ軸方向に沿った複数の貫通孔１１３、１１４、１２３および１２４を備えている。

本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂがこのような構成であることにより、第２実施形態にて説明した点に加えて、以下の作用効果が得られる。すなわち、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂと、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａとの距離とは無関係に、端子７３ａおよび７３ｂ以外の基板７２とカード基体２ｂとの距離を定めることができる。よって、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂと、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａとの最適な電気的接続を図るための距離の設定と、ＩＣモジュール７０とカード基体２ｂとの最適な機械的接続を図るための距離の設定とを、それぞれ個別に最適化できる。

例えば、第１凹部９１ｂの深さｄ１は、図９（ａ）、図９（ｂ）を参照しつつ、以下のように検討することができる。例えば、基板７２の厚さをＴｐ１とし、導電接着層１１の厚さをＴａｃｆ１とし、所定の熱圧を掛けた際の導電接着層１１の厚さ方向の収縮量をΔａｃｆ１とし、カード基体２ｂの厚さ方向の収縮量をΔｃｂ１とする。このとき、ＩＣモジュール７０の外部接続端子７１の表面がカード基体２ｂの表面と略同一となるようにすると、第１凹部９１ｂの深さｄ１は、ｄ１＝Ｔｐ１＋Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ１－Δｃｂ１となる。ここで、ＩＣモジュール７０およびカード基体２ｂの接着力が最大となる熱圧条件（荷重、温度、時間）と、そのときのΔａｃｆ１およびΔｃｂ１を求めることにより、最適なｄ１を定めることができる。

次に、第３凹部９４ａの深さｄ２は、以下のように検討することができる。第３凹部９４ｂについても同様である。例えば、基板７２から－Ｚ方向側に延在する端子７３ａの厚さをＴｐ２とし、その他の寸法については上記の定義を流用する。このとき、第３凹部９４ａの深さｄ２は、ｄ２＝Ｔｐ１＋Ｔｐ２＋Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ１－Δｃｂ１となる。ここで、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび第１プレート１１０ａの電気的接続がもっとも良好となる熱圧条件（荷重、温度、時間）と、そのときのΔａｃｆ１およびΔｃｂ１を求めることにより、最適なｄ２を定めることができる。

このとき、同一の導電接着層１１を、ＩＣモジュール７０およびカード基体２ｂの機械的接続と、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび第１プレート１１０ａの電気的接続の両方に兼用することを考える。その場合、上記の第１凹部９１ｂおよび第３凹部９４ａのいずれに対してもＩＣモジュール７０に掛ける熱圧条件は同一となる。なお、導電接着層１１がＡＣＦであり、その導電粒子の平均粒径がｄｃ１である場合、Ｔａｃｆ１＞ｄｃ１であり、適切な電気的接続を図るためには、Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ１＝ｄｃ１またはＴａｃｆ１－Δａｃｆ１＜ｄｃ１であることが好ましい。このとき、端子７３ａおよび第１プレート１１０ａの空隙を埋めるＡＣＦに含まれる導電粒子は、その状態のままあるいは圧縮されて端子７３ａおよび第１プレート１１０ａの両方と当接するため、確実な電気的接続が図れる。ただし、Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ１の値を極端に縮めてしまうと、ＡＣＦの導電粒子が破壊されて良好な電気的接続が図れない可能性がある。

一方、導電接着層１１がＡＣＦである場合のＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続を良好にするためのΔａｃｆ１の適切値は、上述の適切な電気的接続を図るための条件と同一か、これに近似する範囲であると考えられる。ＡＣＦが最適な電気的接続を図れる状態にあるとき、その状態で端子７３ａと第１プレート１１０ａとを機械的に固定、維持する接着力も強固であると考えられるからである。仮に、当該機械的接続を良好にする条件と当該電気的接続を良好にする条件が同一である場合、第３凹部９４ａの深さｄ２は、第１凹部９１ｂの深さｄ１よりも、少なくとも端子７３ａの厚さＴｐ２だけ深くする必要がある。

例示的には、第１凹部９１ｂの深さは、例えば、０．１ｍｍ以上、０．４ｍｍ以下程度であり、第３凹部９４ａおよび９４ｂの深さは、例えば０．１２ｍｍ以上、０．４５ｍｍ以下程度である。端子７３ａや７３ｂの厚さが０．２ｍｍ以上、０．６ｍｍ以下である場合、第３凹部９４ａ、９４ｂの深さと第１凹部９１ｂの深さとの差分は、０．１ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下程度となることが好ましい。また、当該差分が、端子７３ａや７３ｂの厚さの８０％以上、１２０％以下であることがさらに好ましい。特に後者の場合、導電接着層１１がＡＣＦであるような場合に、ＩＣモジュール７０および第１プレート１１０ａの電気的接続と、ＩＣモジュール７０とカード基体２ｂとの機械的接続との最適な条件が重なるように、導電接着層１１の厚さを熱圧によって調整できるからである。

（ｂ）変形例
以上の説明は、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａが、第２実施形態と同様の構成であることを前提にした。すなわち、その第３凹部９４ａ、９４ｂにて露出する領域中において、その＋Ｙ方向側の端および－Ｙ方向側の端に、それぞれＸ軸方向に沿った複数の貫通孔１１３、１１４、１２３および１２４を備えているものとした。しかしながら、本実施形態は、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａを、第１実施形態の第１プレート１１０および第２プレート１２０に置き換えた構成でも成立し、この場合でも上述した作用効果が得られる。このような変形例について簡単に説明する。

図８（ｂ）は、第３実施形態の変形例に係るデュアルインターフェースＩＣカード１ｃに関する、図２（ａ）に対応する凹部９ａ付近の構成を示す平面図である。変形例のデュアルインターフェースＩＣカード１ｃは、端部１００の構成を含むアンテナ８０の構成は、第１実施形態と同じであるが、凹部９ａの構成が第３実施形態の前述したカード基体２ｂと同様の構成であるカード基体２ｃを備えている。すなわち、＋Ｚ方向側からの平面視において、カード基体２ｃの凹部９ａは、第１凹部９１ｂと隣接し、かつ第２凹部９２の外側の領域に配置され、第１凹部９１ｂの深さよりも深く、かつ第２凹部９２の深さよりも浅い深さである第３凹部９４をさらに備えている。

本変形例のデュアルインターフェースＩＣカード１ｃがこのような構成であることにより、上述した第３実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂに関する作用効果のうち、第２実施形態に関するもの以外について、同様の作用効果が得られる。

４．第４実施形態
次に、本開示の第４実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードについて説明する。

（ａ）第４実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード
図１０（ａ）は、第４実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｄに関する、図２（ａ）に対応する凹部９ｂ付近の構成を示す平面図である。本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｄは、端部１００ａの構成を含むアンテナ８０ａの構成は、第２実施形態と同じであるが、凹部９ｂの構成が第１実施形態乃至第３実施形態とは異なっている。すなわち、＋Ｚ方向側からの平面視において、凹部９ｂは、第１凹部９１ｃと隣接し、かつ第２凹部９２の外側の領域に配置され、第１凹部９１ｃの深さである第１の深さよりも深く、かつ第２凹部９２の深さである第２の深さよりも浅い第３の深さである第３凹部９５をさらに備えている。

第３凹部９５は、当該平面視において、第１プレート１１０ａと重畳する第３凹部９５ａと、第２プレート１２０ａと重畳する第３凹部９５ｂと、に分離配置されている。また、第３凹部９５ａにおいて、載置時のＩＣモジュール７０の端子７３ａと対向する第１プレート１１０ａが、少なくとも部分的にカード基体２ｄから露出している。ただし、第１プレート１１０ａの＋Ｙ方向側の端および－Ｙ方向側の端は、カード基体２ｄによって被覆され、それぞれ、被覆領域８４ａおよび８４ｂを形成している。

言い換えると、第１プレート１１０ａのＹ軸に沿って互いに対向する両端が第１凹部９１ｃにおいて、カード基体２ｄの中に埋設され、第３凹部９５ａにおいて、第１プレート１１０ａの当該両端に挟まれた部分がカード基体２ｄから露出している。第２プレート１２０ａについても、端子７３ａを端子７３ｂと、第３凹部９４ａを第３凹部９５ａと置き換え、被覆領域８４ａおよび８４ｂを被覆領域８５ａおよび８５ｂと置き換える他は上記と同様となる。

なお、本実施形態は、第１プレート１１０ａの＋Ｙ方向側の端および－Ｙ方向側の端が、カード基体２ｄによって被覆されていることを前提としている。しかし、本開示はこれに限らず、第１プレート１１０ａのＸ軸に沿って互いに対向する両端が第１凹部９１ｃにおいて、カード基体２ｄの中に埋設され、第３凹部９５ａにおいて、第１プレート１１０ａの当該両端に挟まれた部分がカード基体２ｄから露出している態様であってもよい。

＋Ｚ方向側からの平面視において、端子７３ａおよび端子７３ｂと重畳する領域の第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａを第３凹部９５ａおよび９５ｂにて露出させればよいからである。したがって、それ以外のいずれの領域で第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａを第１凹部９１ｃにてカード基体２ｄで被覆しても、本実施形態の作用効果は同様に得られる。

図１１（ａ）は、図１０（ａ）のデュアルインターフェースＩＣカード１ｄについて、第３凹部９５ａの底面９５ｃとして露出した第１プレート１１０ａのＸ軸に沿った方向の中央付近をＹ軸に沿ったＤ－Ｄ線で切り、断面を－Ｘ方向側から見た断面図である。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のカード基体２ｄにおいて、導電接着層１１を介してＩＣモジュール７０を載置した状態を示す断面図である。

本実施形態では、当該平面視において、第３凹部９５ａおよび９５ｂのＹ軸方向に沿った幅は、それぞれ、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａのＹ軸方向に沿った幅よりも短く形成されている。言い換えると、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの第３凹部９５ａ、９５ｂにおいて露出している領域よりも、さらにＹ軸方向に沿って第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａの両端が延伸して配置されている。これらの延伸された部分は、第１凹部９１ｃの－Ｚ方向側のカード基体２ｄに埋設されて、被覆領域８４ａ、８４ｂ、８５ａおよび８５ｂを形成している。また埋設された領域の内部にて、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａは、第２実施形態と同様の複数の貫通孔１１３、１１４、１２３および１２４を備えている。

本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｄがこのような構成であることにより、第３実施形態にて説明した点に加えて、以下の作用効果が得られる。すなわち、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａのＹ軸方向に沿った両端は、それぞれ、カード基体２ｄの中に埋まった状態となる。このため、アンテナ保持層５および６に挟まれた第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａは、その両端が樹脂基材により強固に支持される。よって、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａが、アンテナ保持層から離脱して位置ずれを来す等の不具合が一層、抑制され得る。

（ｂ）変形例
以上の説明は、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａが、第２実施形態と同様の構成であることを前提にした。すなわち、その第１凹部９１ｃにてカード基体２ｄから露出する領域中において、その＋Ｙ方向側の端および－Ｙ方向側の端に、それぞれＸ軸方向に沿った複数の貫通孔１１３、１１４、１２３および１２４を備えているものとした。しかしながら、本実施形態は、第１プレート１１０ａおよび第２プレート１２０ａを、第１実施形態の第１プレート１１０および第２プレート１２０に置き換えた構成でも成立し、この場合でも上述した作用効果が得られる。このような変形例について簡単に説明する。

図１０（ｂ）は、第４実施形態の変形例に係るデュアルインターフェースＩＣカード１ｅに関する、図２（ａ）に対応する凹部９ｂ付近の構成を示す平面図である。変形例のデュアルインターフェースＩＣカード１ｅは、端部１００の構成を含むアンテナ８０の構成は、第１実施形態と同じであるが、凹部９ｂの構成が第４実施形態の前述したカード基体２ｄと同様の構成となっている。すなわち、＋Ｚ方向側からの平面視において、カード基体２ｅの凹部９ｂは、第１凹部９１ｃと隣接し、かつ第２凹部９２の外側の領域に配置され、第１凹部９１ｃの深さよりも深く、かつ第２凹部９２の深さよりも浅い深さである第３凹部９５をさらに備えている。

本変形例のデュアルインターフェースＩＣカード１ｅがこのような構成であることにより、上述した第４実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｄに関する作用効果のうち、第２実施形態に関するもの以外について、同様の作用効果が得られる。

以上、本開示において説明した各実施形態や各変形例は、矛盾が生じない限りにおいて、その一部または全部を互いに組み合わせて実施することが可能であり、その組み合わせた内容も当然に本開示に含まれる。

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｐ、１ｑ、１ｒ、１ｓ デュアルインターフェースＩＣカード
２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ カード基体
３、８ オーバーシート層
４、７ インナー層
５、６ アンテナ保持層
５ａ、５ｂ 残部
９、９ａ、９ｂ、９ｐ、９ｑ、９ｒ、９ｓ 凹部
１１ 導電接着層
１１ａ 導電粒子
１１ｂ 接着剤
１１ｐ、１１ｑ、１１ｒ、１１ｓ はんだ
７０ ＩＣモジュール
７１ 外部接続端子
７２ 基板
７３ａ、７３ｂ 端子
７４ ＩＣチップ体
７４ａ ＩＣチップ
７４ｂ モールド部
７４ｐ パッド
７５ ワイヤ
７６ ボンディングホール
８０、８０ａ アンテナ
８３ アンテナ線
８４ａ、８４ｂ、８５ａ、８５ｂ 被覆領域
９１、９１ｂ、９１ｃ 第１凹部
９１ａ 底面
９２ 第２凹部
９３ 外周
９３ａ、９３ｂ 辺
９４、９４ａ、９４ｂ 第３凹部
９５、９５ａ、９５ｂ 第３凹部
９５ｃ 底面
１００、１００ａ 端部
１１０、１１０ａ、１１０ｐ、１１０ｑ、１１０ｒ、１１０ｓ、１１０ｔ、１１０ｕ、１１０ｖ 第１プレート
１１１ 第１導電部材
１１２ 第２導電部材
１１３、１１４、１２３、１２４ 貫通孔
１２０、１２０ａ、１２０ｐ、１２０ｑ、１２０ｒ、１２０ｓ 第２プレート
２００ エンドミル

Claims (11)

1. 外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードであって、
   凹部を備えたカード基体と、
   前記カード基体の内部に配置され、アンテナ線および複数のプレート状の端部を備え、前記アンテナ線の複数の先端および前記複数の端部が、それぞれ電気的に接続されているアンテナと、
   ＩＣチップおよび当該ＩＣチップと電気的に接続された複数の端子を有するＩＣモジュールと、を備え、
   前記凹部において、前記複数の端部が少なくとも部分的に前記カード基体から露出しており、
   前記複数の端部は、第１の導電部材と、当該第１の導電部材よりも酸化し難い第２の導電部材と、が積層された構成を有し、
   前記先端および前記端子は、いずれも前記第２の導電部材と電気的に接続される、デュアルインターフェースＩＣカード。
2. 前記凹部は、前記カード基体の表面からの深さが第１の深さである第１の凹部と、当該第１の凹部よりも中央側に形成され、前記第１の深さよりも深い第２の深さである第２の凹部と、を含み、
   平面視において、前記複数の端部は前記第２の凹部の外側の領域に配置されている、請求項１に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
3. 前記凹部は、前記第１の凹部と隣接し、かつ前記第２の凹部の外側の領域に配置され、前記第１の深さよりも深く、かつ前記第２の深さよりも浅い第３の深さである第３の凹部をさらに備え、
   前記第３の凹部において、前記端子と対向する前記端部が少なくとも部分的に前記カード基体から露出している、請求項２に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
4. 前記端部の互いに対向する両端が前記第１の凹部において前記カード基体の中に埋設され、
   前記第３の凹部において前記端部の前記両端に挟まれた部分が前記カード基体から露出している、請求項３に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
5. 前記端部に貫通孔が設けられている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
6. 前記貫通孔は、前記端部のうち、前記端子と対向する部分を避けて設けられている、請求項５に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
7. 前記端部に貫通孔が設けられ、
   前記貫通孔は、前記端部のうち前記端子と対向する部分を避けて設けられており、かつ、前記端部のうち、前記カード基体の中に埋設された部分に設けられている、請求項４に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
8. 前記ＩＣモジュールは、互いに対向する前記複数の端子および前記複数の端部が、異方性導電フィルムを介してそれぞれ電気的に接続される、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
9. 前記異方性導電フィルムは、導電粒子としてはんだを含む、請求項８に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
10. 前記第１の導電部材は銅を含み、前記第２の導電部材は銀メッキを含む、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
11. 外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法であって、
    第１の基材、第２の基材、並びにＩＣチップおよび当該ＩＣチップと電気的に接続された複数の端子を有するＩＣモジュール、を準備する工程と、
    前記第１の基材の一方の面に、アンテナ線および複数のプレート状の端部から構成されるアンテナを形成し、前記アンテナ線の複数の先端および前記複数の端部をそれぞれ電気的に接続する工程と、
    前記アンテナを挟むように前記第１の基材と前記第２の基材とを熱融着により、または接着剤を介して、積層して積層体を形成する工程と、
    前記積層体をカードサイズに打ち抜いてカード基体を形成する工程と、
    前記カード基体に、前記複数の端部が少なくとも部分的に露出するように前記ＩＣモジュールを埋め込むための凹部を形成する工程と、
    前記ＩＣモジュールを前記凹部に埋め込み、かつ前記複数の端子および前記複数の端部を互いに対向させて電気的に接続する工程と、を備え、
    前記複数の端部は、第１の導電部材と、当該第１の導電部材よりも酸化し難い第２の導電部材と、が積層された構成を有し、
    前記先端および前記端子を、いずれも前記第２の導電部材と対向させて前記端部と電気的に接続する、デュアルインターフェースＩＣカードの製造方法。