JP2023150282A - デュアルインターフェースｉｃカードおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＣモジュール及びアンテナの電気的接続と、ＩＣモジュール及びカード基体の機械的接続との両方の信頼性を向上させ、外観を良好とするデュアルインターフェースＩＣカード及びその製造方法を提供する。【解決手段】デュアルインターフェースＩＣカード１は、凹部９を備えたカード基体２と、端部８４を有するアンテナ８０と、端子７３ａを有するＩＣモジュール７０と、を備える。凹部は、外周の一部を含み互いに分離した第１凹部９１と、第１凹部と隣接し互いに分離した第２凹部９２ａ、９２ｂと、第１凹部と隣接し凹部の中央側に形成された第３凹部９３とから構成される。第２凹部において、端部８４が部分的にカード基体２から露出している。ＩＣモジュール７０は、端子７３ａ及び端部８４が電気的に接続されるように凹部に配置される。凹部は、第２凹部よりも第１凹部が深く形成され、かつ、第１凹部よりも第３凹部が深く形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードに関する。

従来、ＩＣカードとして、カード表面の外部接続端子を通じて電気信号の入出力を行う接触ＩＣカードや、アンテナを介して電磁誘導等により電気信号の入出力を行う非接触ＩＣカードが用いられている。また、これらに加えて、カードが備える単一のＩＣチップにより、接触ＩＣカードの機能と非接触ＩＣカードの機能とのいずれをも実現できる接触および非接触共用ＩＣカード、すなわちデュアルインターフェースＩＣカードも用いられている。中でも、デュアルインターフェースＩＣカードは、金融決済時には入出力データの外部漏洩の抑制に効果的な接触ＩＣカードとして使用でき、部屋への入退室時や駅の改札機等に対しては近接状態でデータのやり取りを行う利便性の高い非接触ＩＣカードとして使用できる。このため、デュアルインターフェースＩＣカードについても、市場での普及が進んでいる。

ところで、デュアルインターフェースＩＣカードの製造は以下のようにして行われる。まず、特許文献１に記載されるように、１または複数のコアシートを含むカード基材を形成し、当該カード基材の表面から、ＩＣモジュールを埋め込む埋め込み予定領域を切削する。そして、当該ＩＣモジュールを、埋め込み予定領域に埋め込む。ここで１または複数のコアシートのうちの１つに導線が配置されており、導線が、前記非接触通信機能を提供するための巻線アンテナ部、およびＩＣモジュールの端子と電気的に接触している接触端子部を形成しており、その接触端子部は、例示的にはメアンダ形状に配置されている。

ここで、埋め込み予定領域は、第１の凹部、第２の凹部、および第１の凹部に存在する接点開口部を含むように切削され、第１の凹部は、ＩＣモジュールの基板部を収容するためのもので、カード基材内部に存在する導線の接触端子部を露出しない深さまで切削する。また、第２の凹部は、ＩＣモジュールの封止部を収容するためのものであり、カード基材内部に存在する導線の接触端子部を貫通するまで切削する。一方、第１の凹部に存在する接点開口部は、接触端子部が露出するまで第１の凹部よりも深く切削される。接点開口部に導電性接着剤を充填することで、接触端子部と、ＩＣモジュールの基板部の裏側の端子とが導電性接着剤を介して電気的に接触される。また、ＩＣモジュールの基板部の裏側に接着テープを貼着することによって、ＩＣモジュールが埋め込み予定領域の第１の凹部に固定される。

特開２０１９－２１９７３２号公報

デュアルインターフェースＩＣカードの製造の効率化を図るには、ＩＣモジュールおよびアンテナの電気的接続と、ＩＣモジュールおよびカード基体の機械的接続とのそれぞれを、同一材料の接着剤で行うことが望ましい。一方、接着層の材料や特性により、ＩＣモジュールおよびアンテナの電気的接続を図る上で要求される接着条件と、ＩＣモジュールおよびカード基体の機械的接続を図る上で要求される接着条件とは異なることが多い。特に、被接着体間の距離条件が接着力に及ぼす影響は大きいと考えられる。さらに、ＩＣモジュールを埋設するための凹部は、ＩＣモジュールを配置する装置の機械的誤差を吸収するためにＩＣモジュールよりも多少大きめに形成される。このため、接着層の種類によっては、ＩＣモジュールをカード基体の凹部に配置した際に溶融した接着剤の余剰分がＩＣモジュールの外周から外側にはみ出してしまい、外観不良となる可能性がある。

本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、ＩＣモジュールおよびアンテナの電気的接続と、ＩＣモジュールおよびカード基体の機械的接続との両方の信頼性を向上させ、外観を良好とするデュアルインターフェースＩＣカードおよびその製造方法を提供することを課題とする。

本実施の形態による、外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードは、凹部を備えたカード基体と、前記カード基体の内部に配置された、端部を有するアンテナと、ＩＣチップと電気的に接続された端子を有するＩＣモジュールと、を備え、前記凹部は、当該凹部の外周の一部を含み、互いに分離した第１凹部と、前記第１凹部と隣接し、互いに分離した第２凹部と、前記第１凹部と隣接し、かつ当該第１凹部および前記第２凹部よりも前記凹部の中央側に形成された第３凹部と、から構成され、前記ＩＣモジュールと対向する前記第２凹部において、前記端部が前記カード基体から前記ＩＣモジュールに向けて露出しており、前記ＩＣモジュールは、前記端子および前記端部が電気的に接続されるように前記凹部に配置され、前記第２凹部よりも前記第１凹部が深く形成され、かつ前記第１凹部よりも前記第３凹部が深く形成されている。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記端部は、前記アンテナを構成するアンテナ線による、前記凹部の外周から中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成されていてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記外周は、前記カード基体の短辺および長辺と略平行な辺を有する略矩形であり、前記端部は、前記アンテナを構成するアンテナ線による、前記凹部の前記カード基体の短辺と略平行な辺である前記外周から中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成されてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記アンテナの前記折り返し構造の屈曲部以外の部分が前記外周に沿う直線に対して傾斜していてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記端部は、前記アンテナを構成するアンテナ線の先端に溶接されたプレート状の導電部材によって構成されていてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記ＩＣモジュールは、互いに対向する前記端子および前記端部が、異方性導電フィルムを介してそれぞれ電気的に接続されてもよい。

また、本実施の別の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードにおいて、前記異方性導電フィルムは、前記第１凹部および前記第２凹部と重畳するように配置されてもよい。

本実施の形態によるデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法は、第１の基材、第２の基材、並びにＩＣチップと電気的に接続された端子を有するＩＣモジュール、を準備する工程と、前記第１の基材の一方の面に、端部を有するアンテナを形成する工程と、前記アンテナを挟むように前記第１の基材と前記第２の基材とを熱融着により、または接着剤を介して、積層して積層体を形成する工程と、前記積層体をカードサイズに打ち抜いてカード基体を形成する工程と、前記カード基体に、凹部を形成する工程と、前記ＩＣモジュールを、前記端子および前記端部が電気的に接続されるように前記凹部に配置する工程と、を備え、前記凹部は、当該凹部の外周の一部を含み、互いに分離した第１凹部と、前記第１凹部と隣接し、互いに分離した第２凹部と、前記第１凹部と隣接し、かつ当該第１凹部および前記第２凹部よりも前記凹部の中央側に形成された第３凹部と、から構成され、前記ＩＣモジュールと対向する前記第２凹部において、前記端部が前記カード基体から前記ＩＣモジュールに向けて露出しており、前記第２凹部よりも前記第１凹部が深く形成され、かつ前記第１凹部よりも前記第３凹部が深く形成されている。

本実施の形態によれば、ＩＣモジュールおよびアンテナの電気的接続と、ＩＣモジュールおよびカード基体の機械的接続との両方の信頼性を向上させ、外観を良好とするデュアルインターフェースＩＣカードおよびその製造方法を提供することができる。

第１実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する平面図である。 図１（ｂ）においてＡ－Ａ線で切った断面を示す断面図である。 図１（ｂ）においてＢ－Ｂ線で切った断面を示す断面図である。 ＩＣモジュール並びにＩＣモジュールおよびアンテナの接続を説明する図である。 第２実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する図１（ｂ）に対応する平面図である。 第３実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードの構造を説明する図１に対応する平面図である。 図６（ｂ）においてＤ－Ｄ線で切った断面を示す図２に対応する断面図である。 図６（ｂ）においてＥ－Ｅ線で切った断面を示す図３に対応する断面図である。

以下、図面等を参照して、本開示のデュアルインターフェースＩＣカードの一例について説明する。ただし、本開示のデュアルインターフェースＩＣカードは、以下に説明する実施形態や実施例には限定されない。

なお、以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、各図において、部材の断面を示すハッチングを適宜省略する。本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値および材料名は、実施形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。本明細書において、形状や幾何学的条件を特定する用語、例えば平行や直交、垂直等の用語については、厳密に意味するところに加え、実質的に同じ状態も含むものとする。

１．第１実施形態
本開示のデュアルインターフェースＩＣカードの第１実施形態の一例について説明する。ここで、説明の便宜上、デュアルインターフェースＩＣカード１についてＸＹＺ座標系を設定する。まず、図１（ａ）や図２（ｂ）等に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１の主面の法線方向にＺ軸をとる。そして、ＩＣモジュール７０の外部接続端子７１が配置されていない側の主面から、当該外部接続端子７１が配置されている側の主面に向かう方向を＋Ｚ方向または厚さ方向の上方とし、その反対方向を－Ｚ方向または厚さ方向の下方とする。

また、デュアルインターフェースＩＣカード１を＋Ｚ方向から見たとき、デュアルインターフェースＩＣカード１の両短辺およびＺ軸に垂直な直線をＸ軸とする。また、外部接続端子７１に近い側の一の短辺から他の短辺に向かう方向を＋Ｘ方向または右方向とし、その反対方向を－Ｘ方向または左方向とする。さらに、Ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸をＹ軸とし、外部接続端子７１から遠い側の一の長辺から他の長辺に向かう方向を＋Ｙ方向または上方とし、その反対方向を－Ｙ方向または下方とする。

ここで、図１（ａ）は、デュアルインターフェースＩＣカード１を＋Ｚ方向から見た平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のデュアルインターフェースＩＣカード１のうち、外部接続端子７１付近を拡大したアンテナ８０の配置を説明する図である。ただし、アンテナ８０の構成をわかり易くするため、ＩＣモジュール７０を外した状態を表している。一方、図２（ａ）は、図１（ｂ）のデュアルインターフェースＩＣカード１をＸ軸と平行なＡ－Ａ線に沿った面で切った断面を－Ｙ方向から見た図である。図２（ａ）は、ＩＣモジュール７０を省略した図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）において、ＩＣモジュール７０が搭載された状態の図である。また、図３（ａ）は、図１（ｂ）のデュアルインターフェースＩＣカード１をＹ軸と平行なＢ－Ｂ線に沿った面で切った断面を－Ｘ方向から見た図である。図３（ａ）は、ＩＣモジュール７０を省略した図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）において、ＩＣモジュール７０が搭載された状態の図である。

図１（ａ）に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１は、＋Ｚ方向側からの平面視において、４隅に丸みを備えた略矩形状の薄板の形態を有する。また、デュアルインターフェースＩＣカードの＋Ｚ方向側の表面には、中心よりもやや左上、すなわち中心よりも－Ｘ方向寄りでありかつ＋Ｙ方向寄りに外部接続端子７１を含むＩＣモジュール７０が視認できる。ＩＣモジュール７０は、図２（ａ）や図２（ｂ）に示すように、カード基体２に形成された凹部９の中に埋設され、外部接続端子７１の＋Ｚ方向側の表面がカード基体２の＋Ｚ方向側の表面と略同一面となるように配置されている。このようなデュアルインターフェースＩＣカード１の形態は、ＩＣカードの国際規格であるＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６に準拠している。

図２（ａ）に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１のカード本体を構成するカード基体２は、－Ｚ方向側から順に、オーバーシート層７、インナー層６、アンテナ保持層５、インナー層４およびオーバーシート層３が積層されて一体化したものである。典型的には、オーバーシート層７および３が透明色の基材であり、インナー層６および４並びにアンテナ保持層５が白色の基材であるが、これには限定されない。また、アンテナ保持層５およびインナー層４の間には、アンテナ８０を構成するアンテナ線８３が両者に挟まれるように配置されている。

このアンテナ８０を構成するアンテナ線８３は、凹部９のうち、比較的浅く形成されている第２凹部９２ａの底面９２ｐの領域において、その一部がＩＣモジュール７０側に向けて露出しており、当該領域以外では、カード基体２の内部に完全に埋設されている。言い換えると、アンテナ線８３は、カード基体２の内部に埋設されているが、カード基体２を切削して凹部９を形成する工程で、アンテナ線８３の一部が断線しない程度に一緒に切削され、そのアンテナ線８３の切削面が、第２凹部９２ａの底面９２ｐに露出している。なお、凹部９は、外周９７側に沿って形成された、第２凹部９２ａよりも深い第１凹部９１と、第２凹部９２ａよりも凹部９の中央側に形成され、当該第１凹部９１よりも深い第３凹部９３をさらに備えている。

ＩＣモジュール７０は、図２（ｂ）に示すように、外部接続端子７１およびこれを支持する基板７２が前述した凹部９の第２凹部９２ａの底面９２ｐに載置されるように埋設される。そして、基板７２とカード基体２の第２凹部９２ａの底面９２ｐに露出したアンテナ線８３とが、導電接着層１１を介して機械的に接合される。ちなみに、第３凹部９３には、ＩＣモジュール７０のうち、突起状部位であるＩＣチップ体７４が収納されている。また、基板７２の外部接続端子７１とは反対側の面には、ＩＣモジュール７０が内部に備えるＩＣチップとの電気的接続がされた端子７３ａが設けられている。このとき、カード基体２の凹部９にＩＣモジュール７０を埋設する際の熱圧の作用により、底面９２ｐに露出したアンテナ線８３と端子７３ａとが、導電接着層１１を介して電気的に接続する。

ここで、大部分がカード基体２の内部に埋設され、その一部が第２凹部９２ａや９２ｂから露出するように形成されているアンテナ８０のアンテナ線８３の両端部は、図１（ｂ）の第１端部８１や第２端部８２に示すような端部８４としての形態を備える。第１端部８１や第２端部８２は、凹部９の中央にある第３凹部９３を挟んでＸ軸に沿った左右側に並列的に配置される。アンテナ８０の両端部である第１端部８１および第２端部８２は、それぞれ、アンテナ線８３が第２凹部９２ａおよび９２ｂの外周９７から凹部９の中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成されている。言い換えると、第１端部８１および第２端部８２は、いわゆるジグザグ形状、メアンダ形状または蛇腹形状と称される構造を備えるように形成されている。このように、凹部９において露出している単位面積当たりのアンテナ線８３の露出面積を広くすることで、ＩＣモジュール７０の端子７３ａとアンテナ８０との電気的接続の信頼性を向上できる。

また、第１端部８１および第２端部８２が配置される領域のうち、アンテナ線８３が＋Ｚ方向側に向けて露出している領域である第１露出部８６および第２露出部８７は、凹部９のうちの第２凹部９２ａおよび９２ｂの範囲内にそれぞれ形成されている。また、凹部９のうちの第３凹部９３および第２凹部９２ａ、９２ｂを除く部分に＋Ｙ方向側および－Ｙ方向側に互いに分離した第１凹部９１が形成されている。ここで、第２凹部９２ａおよび９２ｂは略同一の深さであり、いずれも第１凹部９１よりも浅く形成される。なお、理解の容易化を図るため、図１（ｂ）では、第１凹部９１の領域を横線模様で表示し、第２凹部９２ａおよび９２ｂの領域を点状模様で表示している。なお、後述する図５（ａ）や図６（ｂ）も同様である。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、カード基体２の凹部９のうち、ＩＣモジュール７０の基板７２が埋設される箇所には、第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂという２種類の深さの凹部が存在する。このため、場所によって基板７２とカード基体２との隙間の距離が異なり、その結果、両者に挟まれた導電接着層１１の接着後の厚さが異なる。すなわち、基板７２のうち端子７３ａが形成された領域と、端子７３ａからＸ方向に沿って離間した領域とでは、これと対向するカード基体２の凹部９の深さが異なり、前者の領域には第２凹部９２ａが対向し、後者の領域には第２凹部９２ａよりも深い第１凹部９１が対向する。

ここで、端子７３ａは所定の厚さの銅箔等により形成された層であり、基板７２の－Ｚ方向側の面からさらに所定の厚さ分だけ同一方向に延在している。よって、ＩＣモジュール７０に熱圧を掛けてカード基体２の側に押し付けたとき、導電接着層１１を介した端子７３ａと第２凹部９２ａの底面９２ｐに露出したアンテナ線８３との距離が適正範囲となるように、第２凹部９２ａの深さが定められる。すなわち、当該距離において、端子７３ａおよびアンテナ線８３との良好な導通を得ることができる。

しかし、端子７３ａからＹ軸方向に沿って離間した基板７２の領域では、基板７２とカード基体２との隙間が上述した当該距離であっても、ＩＣモジュール７０およびカード基体２を良好に機械的接続できるとは限らない。すなわち、端子７３ａおよびアンテナ線８３が良好な電気的接続を行い得るための隙間の条件と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２が良好な機械的接続を行い得るための隙間の条件とは、一般的に異なっている。

これに対して、本実施形態では、端子７３ａからＹ軸方向に沿って離間した基板７２の領域では、基板７２とカード基体２との隙間が、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の接着力を向上し、両者の機械的接続を良好とするべく、カード基体２の凹部９の深さを変更している。具体的には、当該領域の凹部９を、第２凹部９２ａよりも深い第１凹部９１としている。第２凹部９２ａの深さは、基板７２から－Ｚ方向に飛び出して延在する端子７３ａとアンテナ線８３との電気的接続を考慮して定めたものである。

もしも、端子７３ａが存在しない領域において、カード基体２の凹部９の深さを第２凹部９２ａと同一にすると、基板７２とカード基体２との間隔が短かすぎて導電接着層１１が必要以上に圧縮されすぎる。その結果、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続のために必要な導電接着層１１の厚さが確保できず、押し出された導電接着層１１の接着剤成分がＩＣモジュール７０の外周からカード基体２の外側にはみ出ることとなる。また、厚さが薄い導電接着層１１は、引張り等の外力に対して凝集破壊を起こしやすく、基板７２やカード基体２の表面上の微小な凹凸に接着剤が入り込むことによるくさび効果等による機械的接着力も不十分となり得る。このため、導電接着層１１の機械的な接着力の低下や、はみ出した接着剤による外観不良が起きやすくなる。

本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１は、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続との両方の信頼性を向上させることができる。具体的には、同一の導電接着層１１に対して、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続を良好とする第２凹部９２ａ、９２ｂの深さと、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続を良好とする第１凹部９１の深さとを異なるようにしている。すなわち、第１凹部９１よりも第２凹部９２ａ、９２ｂが浅く形成されている。

第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂをこのように構成することで、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続とを同一の導電接着層１１によって実現できる。このため、デュアルインターフェースＩＣカード１の製造の効率化が図れる。さらには、デュアルインターフェースＩＣカード１の外観を良好とすることができる。

以下に、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１の構成およびその製造方法の詳細を説明する。

（ａ）カード基体
カード基体２は、デュアルインターフェースＩＣカード１を構成する、ＩＣモジュール７０を除くカード本体を指す。カード基体２は、前述したとおり、典型的には厚さ方向の－Ｚ方向側の一端からオーバーシート層７、インナー層６、アンテナ保持層５、インナー層４およびオーバーシート層３がこの順に積層された構成を有している。また、アンテナ保持層５およびインナー層４の間には、ループ形状に巻かれ、被覆導線等から形成されたアンテナ８０が配置されている。カード基体２は、凹部９が形成される前のもの、および凹部９の形成後のものの両方を指すことがあり、アンテナ８０を含まないもの、およびこれを含むものの両方を指す場合がある。また、アンテナ８０の始点および終点のいずれか一方および他方となる第１端部８１および第２端部８２は、前述したようにアンテナ線８３が所定の形状に加工されて構成されている。

ただし、カード基体２の層構成は、これに限らず、インナー層、アンテナ保持層、インナー層の３層構成、インナー層、インナー層の２層構成、または、オーバーシート層、インナー層、アンテナ保持層、アンテナ保持層、インナー層、オーバーシート層の６層構成等であってもよい。また、カード基体２のオーバーシート層３または７のインナー層４または６とは反対側の表面に印刷や磁気ストライプの埋め込みがされていてもよく、インナー層４または６のオーバーシート層３または７との隣接表面に印刷がされていてもよい。

カード基体２の厚さは、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１０等の規格に準拠する観点からは、０．７６ｍｍ以上、０．８４ｍｍ以下であることが好ましいが、この範囲外であってもよい。

（ｉ）インナー層
インナー層４および６としては、白色または着色された各種のプラスチックシートを幅広く使用することができ、以下にあげる単独のフィルムあるいはそれらの複合フィルムを使用できる。インナー層はコア層ともいう。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＥＴ－Ｇ（テレフタル酸－シクロヘキサンジメタノール－エチレングリコール共重合体）、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ＡＢＳ、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、等である。インナー層のシートの厚さは、カードの全体厚さを勘案して適宜に選択することができるが、例えば、０．２５ｍｍ以上、０．３８ｍｍ以下程度とすることができる。なお、後述するように、アンテナ保持層５またはインナー層４のいずれかの表面上に、両層に挟まれる位置関係となるようにアンテナ８０を配置する必要がある。

（ｉｉ）オーバーシート層
オーバーシート層３および７としては、通常、インナー層と同質の材料を使用するが、厚さが０．０５ｍｍ以上、０．１０ｍｍ以下程度の透明材料が使用されることが多い。インナー層およびオーバーシート層の積層体を熱プレス等で一体化する際のカールの発生を防止する観点からは、オーバーシート層３および７の厚さが同一であることが好ましいが、必ずしも同一でなくてもよい。

オーバーシート層の材料は、熱により接着性を有するものであればよいが、オーバーシート層自体が熱による接着性を有しない場合でも、熱等により接着力を発生させる公知の接着剤の層をインナー層およびオーバーシート層の間に追加形成することで両者を一体化できる。また、デュアルインターフェースＩＣカード１を磁気カードとして使用する場合には、オーバーシート層３および７のいずれかまたは両方について、インナー層４および６とは反対の主面側に磁気ストライプを熱転写等によりあらかじめ埋め込んでおいてもよい。

（ｉｉｉ）アンテナ保持層
本実施形態では、後述するように、アンテナ保持層５の一方の面に、アンテナ８０が形成され、当該アンテナ８０を構成するアンテナ線８３の端部８４である第１端部８１および第２端部８２が、それぞれ所定の形状に加工されて配置されている。このようなアンテナ保持層５へのアンテナ８０の形成は、アンテナ線８３に対して所定の熱圧を掛けて、これをアンテナ保持層５に埋め込むことによって行う。アンテナ８０がアンテナ保持層５に埋め込まれた中間生成物をアンテナシート１２と称することがある。アンテナシート１２は、それのみでデュアルインターフェースＩＣカード１を製造するための部品として市場に流通させることができる。さらには、アンテナ保持層５等のシート材を加工業者に供給し、これを当該加工業者がアンテナシート１２に加工して供給元に納品する、という商形態が存在し得る。

アンテナシート１２の形成方法の詳細は後述するが、概略として以下のようになる。まず、アンテナ保持層５の表面に、絶縁部材で被覆された被覆導線を、第１端部８１または第２端部８２のいずれか一方を始点とし、他方を終点として、巻き線形成機により埋め込む。すなわち、アンテナ保持層５に対して所定の熱圧を加えながら、図１（ａ）に示すようなループ形状にアンテナ供給ヘッドを描画させ、当該アンテナ供給ヘッドから供給されたアンテナ線８３をアンテナ保持層５に順次、埋め込む。

ここで、アンテナ線８３の始点および終点のいずれかとなる第１端部８１および第２端部８２は、後述する所定の形状となるように、ＩＣモジュール７０の搭載予定位置の左右方向に並んで、その一部がＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂと重畳するように配置される。そして、巻き線形成機は、アンテナ８０の終点となる第１端部８１または第２端部８２のいずれかを形成後にアンテナ線８３を切断する。このようにしてアンテナシート１２が完成する。

なお、本実施形態ではアンテナ保持層５の一方の面にアンテナ線８３を、熱圧を掛けて埋め込むことによりアンテナシート１２を形成しているが、アンテナシート１２の形態はこれには限られない。例えば、インナー層４のアンテナ保持層５と対向する側の面にアンテナ線８３を、熱圧を掛けて埋め込むことによりアンテナシート１２を形成してもよい。この場合のアンテナシート１２は、インナー層４およびアンテナ８０から構成されている。

（ｉｖ）アンテナ
アンテナ保持層５に形成されたアンテナ８０は、その第１端部８１および第２端部８２に、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂがそれぞれ電気的に接続することにより、ＩＣモジュール７０が備えるＩＣチップおよびアンテナ８０が非接触通信の通信回路を構成する。当該通信回路は、例えば、ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４４３等で規定される１３．５６ＭＨｚのＨＦ周波数帯域を用いて近接通信を行うものでもよい。または、それ以外の、例えば９２０ＭＨｚのＵＨＦ周波数帯域や１２５ＫＨｚのＬＦ周波数帯域、マイクロ波の２．４５ＧＨzの周波数帯を用いて通信を行うものでもよい。

外部機器であるリーダライタ等にデュアルインターフェースＩＣカード１をかざしたときに、当該通信回路にはリーダライタが形成する磁界等により電流が発生して、ＩＣチップに電力を供給する。これにより、ＩＣチップは駆動可能となり、リーダライタと非接触による情報の送受信が可能であり、メモリに対する情報の読み出しや書き換え等を行なう。

アンテナ８０を構成するアンテナ線８３は、典型的には、銅線の周囲が絶縁部材で被覆された被覆導線により形成される。なお、これ以外にも、Ｃｕ－Ｎｉ、Ｃｕ－Ｃｒ、Ｃｕ－Ｚｎ、Ｃｕ－Ｓｎ、Ｃｕ－Ｂｅ等の銅合金線、または鉄、ステンレス、アルミ等の種々の金属線、金属合金線を選択することもできる。デュアルインターフェースＩＣカード１は、被覆導線を用いることにより、例えば銅箔エッチング方式等に比較して安価に製造できる。

アンテナ線８３の直径は、非接触の通信回路としての特性を確保できる限りにおいて特段の制限はないが、例えば、０．０３ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下とすることができ、好ましくは、０．０５ｍｍ以上、０．１５ｍｍ以下とすることができる。後者の範囲とすることで、埋め込み加工による熱圧や切削加工による外力への耐久性が向上でき、良好な通信特性を確保できる。

次に、第１端部８１および第２端部８２の構成の詳細を説明する。図１（ｂ）において－Ｘ方向側から＋Ｘ方向に向けて延びているアンテナ線８３の一端は、その後、凹部９の第３凹部９３の－Ｘ方向側付近に外周９７から中心に向けた繰り返しの折り返し構造である第１端部８１を構成する。同様に、＋Ｘ方向側から－Ｘ方向に向けて延びているアンテナ線８３の一端は、その後、凹部９の＋Ｘ方向側付近に外周９７から中心に向けた繰り返しの折り返し構造である第２端部８２を構成する。アンテナ線８３は、折り返し構造が複数回連続するように延びている。

当該折り返し構造は、＋Ｙ方向側および－Ｙ方向側の端、すなわち上端および下端において略円弧状の屈曲部を有し、上端の屈曲部と下端の屈曲部とを結ぶ屈曲部以外の部分が略直線状または略曲線状である。ただし、屈曲部以外の部分は、アンテナ線８３のアンテナ保持層５への埋め込み加工の作業効率やアンテナ線８３の材料節約の観点から、なるべく略直線状に形成することが好ましい。

本実施形態では、外周９７は、カード基体２の短辺および長辺と略平行な辺を有する略矩形である。また、第１端部８１および第２端部８２は、アンテナ８０を構成するアンテナ線８３による、凹部９のカード基体２の短辺と略平行な辺である外周９７の－Ｘ方向側の辺９７ａおよび＋Ｘ方向側の辺９７ｂから、それぞれ中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成される。

また第１端部８１の当該折り返し構造の屈曲部以外の部分は、凹部９の外周９７の辺９７ａに沿うＹ軸に平行な直線に沿って延びており、隣り合う屈曲部以外の部分同士のジグザグ形状のアンテナ線８３の中心間距離、すなわちピッチが略一定である。さらには、第１端部８１の全体および第１露出部８６におけるＹ軸に沿った方向の幅がＷ１２であり、アンテナ線８３が露出した部分のＸ軸に沿った方向の幅が第２凹部９２ａの幅と略同一となるような矩形の輪郭に沿うように配置されている。当該折り返し構造の＋Ｙ方向側の端から－Ｙ方向側の端までの距離、すなわち上端から下端までの長さは、互いに略同一長さとなる。

また、本実施形態では、第１端部８１のうち、アンテナ線８３が実際にカード基体２から露出している領域である第１露出部８６は、第２凹部９２ａの－Ｘ方向側の端から＋Ｘ方向側の端に至るまでのアンテナ線８３の連続した区間を含む。すなわち、アンテナ線８３は、当該折り返し構造の屈曲部の部分と、屈曲部以外の部分とを含めた全体が第２凹部９２ａにおいて露出しており、カード基体２や被覆材による被覆がなく、導線が剥き出しになっている。このとき、第２凹部９２ａのＹ軸に沿った方向の幅Ｗ１１は、第１端部８１のＹ軸に沿った方向の幅Ｗ１２と同じかこれよりも長い。なお、以上の第１端部について述べた内容は、凹部９の辺９７ａを９７ｂに、第２凹部９２ａを９２ｂに、第１露出部８６を第２露出部８７に、それぞれ置き換えることにより、第２端部８２についても同様にあてはまる。

上述のアンテナ線８３のピッチは、巻き線形成機の能力や、アンテナ保持層５へアンテナ線８３を埋め込んだ後のアンテナシート１２の品質等にも依存するが、０．５０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２５ｍｍ以下であることがさらに好ましい。当該ピッチが前者の範囲であることにより、第１端部８１における単位面積当たりのアンテナ線８３の露出面積を向上でき、ＩＣモジュール７０の端子７３ａとの電気的接続の領域を拡張できる。これにより、電気的な接続信頼性が上がるとともに、アンテナ線８３と端子７３ａとの接点部分の電気抵抗を下げることができる。また、当該ピッチが後者の範囲であることにより、上述の効果をさらに大きくできる。

なお、本実施形態では、第１端部８１のＸ軸に沿った領域のうち、＋Ｘ方向側の端は第２凹部９２ａと第３凹部９３との境界と略同一位置であり、－Ｘ方向側の端は凹部９の外周９７である第２凹部９２ａの端よりも－Ｘ方向側にある。このように、第１端部８１の＋Ｘ方向側の端が第２凹部９２ａと第３凹部９３との境界と略同一位置であるか、これよりも－Ｘ方向側にある場合は、第３凹部９３の切削時にアンテナ線８３を切削しないか、アンテナ線８３の切削量を低減することができる。このため、切削する深さが深いほど生じやすくなるアンテナ線８３の分岐、すなわちヒゲの発生を抑制できる。

また、第１端部８１のＸ方向に沿った領域のうち、－Ｘ方向側の端が凹部９の外周９７である第２凹部９２ａの端よりも－Ｘ方向側にある。このことにより、アンテナ８０のアンテナ保持層５に対する配置ずれや凹部９の形成位置のずれがあっても、アンテナ線８３の密集した領域が途切れずに存在する。このため、ＩＣモジュール７０の端子７３ａとの確実な電気的接続が図れる。ただし、凹部９の形成前の第１端部８１のＸ方向に沿った領域のうち、＋Ｘ方向側の端が第２凹部９２ａと第３凹部９３との境界よりも＋Ｘ方向側にあってもよく、－Ｘ方向側の端が凹部９の外周９７である第２凹部９２ａの端よりも＋Ｘ方向側にあってもよい。

上述の説明は、アンテナ８０の第１端部８１およびこれと電気的に接続するＩＣモジュール７０の端子７３ａとの関係についてのものであるが、同様の関係が第２端部８２およびこれと電気的に接続する端子７３ｂとの間にも成り立つ。また、当該実施形態では、ＩＣモジュール７０と電気的な接続を図るためのアンテナ８０の端部として第１端部８１および第２端部８２の２箇所である前提で説明した。しかし、アンテナ８０の端部８４は３箇所以上設けてもよく、これに対応するＩＣモジュール７０の端子数もこれと同数設けてもよい。

（ｂ）ＩＣモジュール
次に、ＩＣモジュール７０の主要な構成要素の各部について、主に図２（ｂ）や図４に基づいて説明する。図４（ａ）は、図１（ａ）と同様に、＋Ｚ方向側からＩＣモジュール７０の外部接続端子７１を見た図である。図４（ｂ）は、ＩＣモジュール７０を図４（ａ）とは反対側の－Ｚ方向側から見た図である。ここでは、内部を透視できるよう、ＩＣチップ体７４のモールド部７４ｂの大半を省略して記載している。また、図４（ｃ）は、図２（ｂ）の端子７３ａ付近のＣ部を拡大した断面図である。

ＩＣモジュール７０は、カード基体２に対して形成された凹部９に埋設され、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂがアンテナ８０の第１端部８１および第２端部８２とそれぞれ電気的に接続することで、非接触通信の通信回路を形成できる。また、ＩＣモジュール７０が備える外部接続端子７１を通じて、接触式リーダライタ等と接触通信を行うことができる。

基板７２はガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の可撓性を有する絶縁性の樹脂フィルムの表裏に銅箔が接着剤を介して貼り込まれ、当該樹脂フィルムの表裏面に貼り込まれた銅箔を、所定のパターンを形成するように残存させたものである。具体的には、当該樹脂フィルムの一方の銅箔面に外部接続端子７１を、他方の銅箔面に端子７３ａおよび７３ｂを形成するように、感光材の塗付、所定パターンが形成されたフィルム版の載置、露光、非感光部位のエッチング除去、を順次行う。これにより、当該樹脂フィルムの表裏面に所定のパターンの銅箔が一部残存した基板７２が形成される。また、基板７２にはあらかじめ、外部接続端子７１へのワイヤボンディングのための貫通孔であるボンディングホール７６が複数箇所設けられている。

基板７２の厚さに特に制限はないが、カード基体２の曲げにある程度、追従できることを考慮して、例えば、０．０３ｍｍ以上、０．５０ｍｍ以下とすることができ、好ましくは、０．０７ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下とすることができる。

外部接続端子７１には、図４（ａ）に示すように、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６―２規格で定められた、外部端子の各区画が画定されている。これらの各区画とＩＣチップ７４ａとは、図４（ｂ）に示すように、基板７２に設けられた上述のボンディングホール７６を通じて、金ワイヤ等のワイヤ７５によって結線されている。また、端子７３ａおよび７３ｂとＩＣチップ７４ａとの間も同様に、ワイヤ７５によって結線されている。これらのボンディングホール７６やワイヤ７５は、モールド部７４ｂによって被覆保護されている。

基板７２の、外部接続端子７１の形成面とは反対側の面に、ＩＣチップ体７４が配置されている。ＩＣチップ体７４は、基板７２に接着剤を介して接着、固定されたＩＣチップ７４ａと、結線のためのボンディング用のワイヤ７５と、これらを保護するための封止樹脂であるモールド部７４ｂとから構成される。ＩＣチップ７４ａは、接触通信および非接触通信の両方の動作を制御するためのＣＰＵと、ＲＡＭやＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリー等の記憶装置を備えている。またＩＣチップ７４ａは、接触通信および非接触通信の入力信号解読と出力信号生成を行うインターフェース回路や電力発生回路等の各種回路と、を備えている。なお、各種回路はＩＣチップ７４ａとは別個の素子として設けられていてもよい。

モールド部７４ｂは、ＩＣチップ７４ａやワイヤ７５を外力負荷や環境負荷から保護するために、これらを被覆する突起状部位として設けられる。モールド部７４ｂとして、絶縁性の紫外線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂等が使用される。

ＩＣチップ体７４の厚さは、内部に備えるＩＣチップ７４ａの厚さやボンディングされたワイヤの形状にもよるが、例えば、０．４５ｍｍ以上、０．７５ｍｍ以下とすることができる。また、ＩＣモジュール７０の総厚は、例えば、０．３５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下とすることができ、好ましくは、０．４０ｍｍ以上、０．６５ｍｍ以下とすることができる。後者の範囲であることにより、第３凹部９３の深さを０．７ｍｍ以下にすることができ、デュアルインターフェースＩＣカード１の全体の厚さをＩＳＯ／ＩＥＣ７８１０規格に定められた０．８４ｍｍ以下に抑えることができるからである。

（ｃ）導電接着層
カード基体２に対してＩＣモジュール７０を埋設するための凹部９を、エンドミルによる切削加工等によって形成した後、ＩＣモジュール７０を当該凹部９に埋設固定し、電気的および機械的に接続する導電接着層１１について説明する。導電接着層１１は、図４（ｃ）に示すように、アンテナ線８３の一部が切削されて底面９２ｐに露出している部分のアンテナ保持層５と、その上方に埋設、配置されるＩＣモジュール７０の基板７２および基板７２に形成された端子７３ａとに挟まれるように配置される。導電接着層１１は、液状またはテープ状の部材である。

導電接着層１１は、あらかじめ、ＩＣモジュール７０の基板７２の外部接続端子７１とは反対側の面に塗付、貼付されていてもよく、カード基体２の凹部９の切削後の底面９２ｐ上に塗付、貼付されていてもよい。

典型的な導電接着層１１は、ＩＣモジュール７０と切削済みのカード基体２との機械的接続を兼ねるため、基板７２の裏面の全面または凹部９のうちの、第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂに対応する部位に塗付、貼付されていてもよい。こうすることで、ＩＣチップ７４ａおよびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続とを同一種類の導電接着層１１で行うことができ、工程の簡略化に寄与する。

一方、導電接着層１１が、基板７２の裏面のうち、端子７３ａおよび７３ｂの領域のみを覆うように塗付、貼付され、その他の基板７２の裏面には、導電性を有しない別の接着剤が塗付、貼付されていてもよい。当該別の接着剤が導電性を考慮しなくてもよいことにより、より機械的接続に有利なものを選定し易くできるからである。

電気的接続と機械的接続との兼用が図れる導電接着層１１としては、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、すなわち、異方性導電フィルムや、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）を使用できる。また、その他、エポキシ樹脂中に銀粒子をフィラーとして分散した、いわゆる導電性ペースト等を使用できる。中でも、ＡＣＦを使用すれば、ＩＣモジュール７０の基板７２の裏面全体にＡＣＦを熱ラミネートしておき、当該ＩＣモジュール７０を切削済みのカード基体２の凹部９に埋設後、これを所定温度、荷重でヒートプレスすることができる。これにより、ＩＣチップ７４ａとアンテナ８０との電気的接続が容易に図れる。さらには、ＩＣモジュール７０のカード基体２への機械的接続も同時に図れるため、ＩＣモジュール７０のカード基体２への実装工程を簡易化することができる。

導電接着層１１としてＡＣＦを使用した際の、ＩＣチップ７４ａおよびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続とは、図４（ｃ）に基づいて以下のように説明できる。導電接着層１１は、絶縁性の接着成分を含有するバインダーである接着剤１１ｂの中に、球状樹脂または球状金属の周りに金属膜が形成された導電粒子１１ａが分散した構成を有している。ここで、アンテナ線８３が一部、露出しているアンテナ保持層５と、ＩＣモジュール７０の基板７２および基板７２に形成された端子７３ａと、に挟まれるように配置された導電接着層１１が圧縮されるように、基板７２に対して＋Ｚ方向から－Ｚ方向に向かう熱圧を掛ける。

その結果、導電接着層１１のうち、特に間隔が狭い、アンテナ保持層５と端子７３ａとに挟まれた部位に強い熱圧が掛かる。そして、この部位の導電接着層１１の導電粒子１１ａが、導電接着層１１の厚さ方向に沿ってアンテナ保持層５の露出したアンテナ線８３および端子７３ａから押し付けられる。また、導電粒子１１ａが小さい場合は、導電粒子１１ａが導電接着層１１の厚さ方向に沿ってアンテナ線８３から端子７３ａまで数珠つなぎに重なる。すなわち、導電粒子１１ａを介して、露出したアンテナ線８３と端子７３ａとが導通する。

一方、アンテナ保持層５と、端子７３ａの存在しない領域の基板７２との間では、導電粒子１１ａが導電接着層１１の厚さ方向に沿ってアンテナ線８３および端子７３ａから押し付けられる程度、または、数珠つなぎに重なる程度にまでは圧縮されない。しかしながら、その熱圧によって生じた接着剤１１ｂの接着力によって、アンテナ保持層５と基板７２とが機械的に接続される。接着剤１１ｂの接着力の一つとして考えられるのは、接着剤１１ｂがアンテナ保持層５や基板７２の表面の微小な凹凸に入り込むことにより生じるくさび効果によるものが挙げられる。

上記より、ＩＣモジュール７０は、互いに対向する端子７３ａおよび７３ｂ並びに第１端部８１および第２端部８２が、例えばＡＣＦを介してそれぞれ電気的に接続される。ＡＣＦは、第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂとＺ軸方向に沿った平面視において重畳するように凹部９の外周９７に沿う領域に配置される。

（ｄ）凹部
カード基体２に対してＩＣモジュール７０を埋設するために形成される凹部９は、外周９７の一部を含み、互いに分離した第１凹部９１を有している。また、当該凹部９は、第１凹部９１と隣接し、互いに分離した第２凹部９２ａおよび９２ｂと、第１凹部９１と隣接し、かつ第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂよりも中央側に形成された第３凹部９３と、を有している。本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、第２凹部９２ａおよび９２ｂは、中央の第３凹部９３を挟むＸ軸に沿った両側にそれぞれ配置される、Ｚ軸に沿った平面視で略矩形の領域である。前述したように、アンテナ８０の第１端部８１および第２端部８２が、当該第２凹部９２ａおよび９２ｂとそれぞれ重畳し、その重畳した領域として、アンテナ線８３の露出部分である第１露出部８６および第２露出部８７がそれぞれ構成されている。

一方、第１凹部９１は、第２凹部９２ａおよび９２ｂのそれぞれと隣接し、中央の第３凹部９３を挟むＹ軸に沿った両側に分割して配置される領域である。本実施形態では、平面視で第１凹部９１と、第１端部８１および第２端部８２とは、Ｚ軸に沿った平面視で互いに重畳していない。第２凹部９２ａおよび９２ｂは略同一の深さであるものの、第１凹部９１よりも浅く形成され、かつ第３凹部９３が、第１凹部９１よりも深く形成されている。

ここで、図３（ｂ）に示すように、第１凹部９１の深さｄ１および第２凹部９２ａ、９２ｂの深さｄ２は、それぞれ異なる目的のために、最適な深さとして独立に設定できる。すなわち、第１凹部９１の深さｄ１は、ＩＣモジュール７０およびカード基体２を良好に機械的接続することを考慮して定めることができる。また、第２凹部９２ａ、９２ｂの深さｄ２は、ＩＣモジュール７０の端子７３ａ、７３ｂおよび露出したアンテナ線８３を良好に電気的接続することを考慮して、第１凹部９１の深さｄ１とは無関係に定めることができる。

まず、第１凹部９１の深さｄ１は、以下のように検討することができる。例えば、基板７２の厚さをＴｐ１とし、導電接着層１１の厚さをＴａｃｆ１とし、所定の熱圧を掛けた際の導電接着層１１の厚さ方向の収縮量をΔａｃｆ１とし、カード基体２の厚さ方向の収縮量をΔｃｂ１とする。このとき、ＩＣモジュール７０の外部接続端子７１の表面がカード基体２の表面と略同一となるようにすると、第１凹部９１の深さｄ１は、ｄ１＝Ｔｐ１＋Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ１－Δｃｂ１となる。ここで、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の接着力が最大となる、荷重、温度、時間等の条件である熱圧条件と、そのときのΔａｃｆ１およびΔｃｂ１を求めることにより、最適なｄ１を定めることができる。

次に、第２凹部９２ａ、９２ｂの深さｄ２は、以下のように検討することができる。例えば、基板７２から－Ｚ方向側に延在する端子７３ａの厚さをＴｐ２とし、所定の熱圧を掛けた際の導電接着層１１の厚さ方向の収縮量をΔａｃｆ２とし、カード基体２の厚さ方向の収縮量をΔｃｂ２とする。その他の寸法については上記の定義を流用する。このとき、第２凹部９２ａの深さｄ２は、ｄ２＝Ｔｐ１＋Ｔｐ２＋Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ２－Δｃｂ２となるが、Δｃｂ１およびΔｃｂ２は、第１凹部９１であるか第２凹部９２ａ、９２ｂであるかには関わらずほぼ同一と考えられる。ここで、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび露出したアンテナ線８３の電気的接続がもっとも良好となる熱圧条件と、そのときのΔａｃｆ２およびΔｃｂ２（またはΔｃｂ１）を求めることにより、最適なｄ２を定めることができる。

ここで、同一の導電接着層１１を、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続と、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよびアンテナ線８３の電気的接続の両方に兼用することを考える。この場合は、上述したＩＣモジュール７０に掛ける熱圧条件は第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂで同一となる。しかしながら、第１凹部９１と第２凹部９２ａ、９２ｂとは深さが異なるため、深さが浅い第２凹部９２ａ、９２ｂにおいて、導電接着層１１からの反発力がより強くなる。その結果、ＩＣモジュール７０に掛かる加圧条件は、第１凹部９１において比較的小さい荷重となり、第２凹部９２ａ、９２ｂにおいて比較的大きい荷重となる。これにより、導電接着層１１の厚さ方向の収縮量は、Δａｃｆ２がΔａｃｆ１よりも大きくなる。

なお、導電接着層１１がＡＣＦであり、その導電粒子の平均粒径がｄｃ１である場合、一般的には、Ｔａｃｆ１＞ｄｃ１であり、適切な電気的接続を図るためには、Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ２＝ｄｃ１またはＴａｃｆ１－Δａｃｆ２＜ｄｃ１であることが好ましい。

このとき、端子７３ａおよびアンテナ線８３の空隙を埋めるＡＣＦに含まれる導電粒子は、その状態のままあるいは圧縮されて端子７３ａおよびアンテナ線８３の両方と当接するため、確実な電気的接続が図れる。ただし、Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ２の値を極端に小さくしてしまうと、ＡＣＦの導電粒子が破壊されて良好な電気的接続が図れない可能性がある。このような導電粒子の破壊を抑制するため、例えば、Ｔａｃｆ１－Δａｃｆ２＞（ｄｃ１）／２であることが好ましい。

一方、導電接着層１１がＡＣＦである場合のＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続を良好にするためのΔａｃｆ１の適切値は、上述の適切な電気的接続を図るための条件であるΔａｃｆ２よりも小さくなると推定される。特に、導電接着層１１にＩＣモジュール７０およびカード基体２に対する接着剤成分のくさび効果による機械的接着力を期待する場合、導電接着層１１が、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の表面の微小な凹凸に入り込むことが必要である。そして、ある程度の導電接着層１１の厚さの確保が必要となる。これより、第２凹部９２ａの深さｄ２は、第１凹部９１の深さｄ１よりも、所定分だけ浅くすることが好ましい。

例示的には、第1凹部９１の深さは、例えば、０．１７ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下程度であり、第２凹部９２ａおよび９２ｂの深さは、例えば０．１２ｍｍ以上、０．４ｍｍ以下程度である。端子７３ａや７３ｂの厚さが０．０１５ｍｍ以上、０．１５ｍｍ以下である場合、第２凹部９２ａ、９２ｂの深さと第１凹部９１の深さとの差分は、第１の条件として、０．００５ｍｍ以上、０．１ｍｍ以下程度となることが好ましい。また、第２の条件として、０．００５ｍｍ以上、０．０３ｍｍ以下程度となることがより好ましい。さらには、第３の条件として、０．０１ｍｍ以上、０．０２ｍｍ以下程度となることが一層好ましい。

第１の条件であることにより、導電接着層１１の選択範囲を拡張できる。第２の条件であることにより、第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂの深さの差分が小さく抑えられ、導電接着層１１の接着剤成分の第２凹部９２ａ、９２ｂから第１凹部９１への流動が抑制できるため、第２凹部９２ａ、９２ｂでも良好な機械的接着が期待できる。また、第３の条件であることにより、第１凹部９１におけるＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続と、接着成分のＩＣモジュール７０の外周からのはみ出しの抑制の両立が効果的に図れる。

このようにして、ＩＣモジュール７０をカード基体２の凹部９に搭載した後の断面は、図３（ａ）および（ｂ）に示すようになる。すなわち、第１凹部９１における導電接着層１１の厚さはｄ１１となり、第２凹部９２ａおける導電接着層１１の厚さは、端子７３ａ以外の領域ではｄ２２となり、端子７３ａの領域ではｄ３となる。上述した当該機械的接続を良好にする条件と当該電気的接続を良好にする条件とを両立させる場合は、一般的にｄ１１＞ｄ２２＞ｄ３となる。

なお、このような凹部９をカード基体２に形成するための具体的な切削順番は、切削加工におけるミリング用プログラムに応じて任意に定めることができる。加工時間の効率化や切削品質の確保の観点から求まる例示的な加工順番は、以下のようになる。例えば図１（ｂ）において、まず、外周９７に沿って第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂに共通する領域を、第２凹部９２ａ、９２ｂの深さにて、左回りまたは右回りにミリングツールを移動させながら切削する。次にこれらの中央側の領域を、第１凹部９１よりも深い第３凹部９３の深さにて、同様に左回りまたは右回りにミリングツールを移動させながら切削する。

そして、最後に、第１凹部９１に共通する領域を、第２凹部９２ａ、９２ｂよりも深く、第３凹部９３よりも浅い深さにて、ミリングツールを移動させながら切削する。なお、第２凹部９２ａのみを左回りまたは右回りにミリングツールを移動させながら切削し、次に第２凹部９２ｂのみを同様に切削し、その後に第１凹部９１の切削を行ってもよい。あるいは、第２凹部９２ａ、９２ｂにまたがりながら、ミリングツールを左右方向に移動させて、これを順次上方から下方にずらしながら連続的に切削を行い、第２凹部９２ａ、９２ｂを同時に形成することとしてもよい。

（ｅ）デュアルインターフェースＩＣカードの製造方法
次に、上述したカード基体２、ＩＣモジュール７０および導電接着層１１を用いた、デュアルインターフェースＩＣカード１の製造方法の一例を説明する。

まず、アンテナ保持層５やインナー層４、ＩＣモジュール７０を含め、カード基体２やデュアルインターフェースＩＣカード１を構成するための必要な部材を準備する。次に、アンテナ保持層５のインナー層４と対向する側の表面に、絶縁部材で被覆された被覆導線をアンテナ線８３として、第１端部８１または第２端部８２のいずれか一方を始点とし、いずれか他方を終点として、巻き線形成機により埋め込む。具体的には、例えば、アンテナ保持層５に対して所定の熱圧を加えながら、図１（ａ）に示すようなループ形状にアンテナ供給ヘッドを描画させ、当該アンテナ供給ヘッドから供給されたアンテナ線８３をアンテナ保持層５に順次、埋め込む。アンテナ保持層５を第１の基材と称してもよい。

ここで、ＩＣモジュール７０の搭載予定位置の左右の所定位置に、第１端部８１および第２端部８２が左右方向に並ぶようにアンテナ線８３を配置し、その終点でアンテナ線８３を切断する。第１端部８１および第２端部８２は、アンテナ８０を構成するアンテナ線８３による、凹部９の外周９７から中心に向けた、繰り返しの折り返し構造によって構成されるように、巻き線形成機の動きを変更してアンテナ線８３の配置位置を調整する。また、アンテナ線８３の当該折り返し構造の屈曲部以外の部分が外周９７に沿う直線であるＹ軸と平行な直線に沿い、かつ、第１端部８１および第２端部８２が、それぞれ矩形の輪郭に沿うようにアンテナ８０がアンテナ保持層５に埋め込み形成される。

次に、アンテナ８０が形成されたアンテナシート１２であるアンテナ保持層５を用いて、図２（ａ）に示すとおり、厚さ方向の下側からオーバーシート層７、インナー層６、アンテナ保持層５、インナー層４およびオーバーシート層３をこの順に重ねる。その後、カードが縦横に多面付けで配置された大判シートの積層体の単位で、厚さ方向の上下からステンレス板で挟み込み、当該ステンレス板を介して、当該積層体に対して熱圧を加える。アンテナ保持層５と対向してアンテナ８０を挟みこむインナー層４や当該インナー層４を含めた複数層の積層物を第２の基材と称してもよい。

このような熱プレス工程を経ることにより、積層体の各層が一体化した大判シート単位のカード基体を得ることができる。また、オーバーシート層、インナー層およびアンテナ保持層のいずれかが、所定温度で熱融着しない耐熱性を有する場合は、以下のようにできる。すなわち、各層間に所定温度で熱融着する接着シートを挟み、あるいは、接着剤を塗付した上で、これらを熱プレス工程に掛けることにより、一体化した大判シート単位のカード基体を得る。

上記により得られた、カードが縦横に多面付けで配置された大判シート単位のカード基体を、打ち抜き機によりＩＳＯ／ＩＥＣ７８１０のカードサイズであるカード基体２として打ち抜く。また、当該カード基体２に、ＩＣモジュール７０を埋設するための凹部９を、エンドミルによる切削加工にて形成する。これにより、切削済みのカード基体２が得られる。凹部９は、ＩＣモジュール７０の平板状の基板７２を収納するための第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂと、凸状のＩＣチップ体７４を収納するための第３凹部９３と、の合計３段で構成されることは前述したとおりである。

ここで、第１凹部９１の深さは、ＩＣモジュール７０を埋設して、カード基体２に対して接着することと、外部接続端子７１の表面が、カード基体２の非切削領域の表面と略同一面となることとを考慮して定められる。また、第２凹部９２ａや９２ｂの深さは、アンテナ８０の第１端部８１および第２端部８２の埋設深さと対応付けられている。すなわち、第２凹部９２ａ、９２ｂを切削加工により形成したとき、その底面９２ｐには、第１端部８１および第２端部８２のアンテナ線８３の一部が露出する。

言い換えると、カード基体２の外部接続端子７１の露出する側の表面から第２凹部９２ａ、９２ｂの底面９２ｐまでの深さをｄ２とする。また、当該表面から第１端部８１および第２端部８２のいずれか一方のアンテナ線８３の上端までの距離をｄ２０１とし、当該表面から当該一方のアンテナ線８３の下端までの距離をｄ２０２とする。このとき、ｄ２、ｄ２０１およびｄ２０２の各値について、ｄ２０１＜ｄ２＜ｄ２０２が成り立つ。これが満たされない場合、切削加工によってアンテナ線８３が断線するか、底面９２ｐから露出しない不具合が生じてしまうからである。

一方、カード基体２の製造および凹部９を形成するための切削加工とは別に、ＩＣモジュール７０への導電接着層１１の貼付を行う。ＩＣモジュール７０としては、通常、１列取りまたは２列取りで連続的に長尺のテープに当該ＩＣモジュール７０が形成されているモジュールテープを使用する。このモジュールテープの外部接続端子７１の形成面とは反対側の基板７２の面に、テープ状のＡＣＦを一定の熱圧を加えながら貼り込んでいく。その後、ＡＣＦが貼り込まれたモジュールテープを、角に丸みを有する略長方形状のＩＣモジュール７０として打ち抜き機で打ち抜くことで、導電接着層１１の貼付がされた個片のＩＣモジュール７０を得る。

その後、凹部９が形成されたカード基体２に対し、導電接着層１１の貼付がされたＩＣモジュール７０を埋設し、外部接続端子７１に所定のヒートブロックを押し当てて、カード基体２側に向けて所定時間、所定の熱圧を加える。これにより、ＡＣＦで構成された導電接着層１１を溶融させることで、ＩＣモジュール７０の端子７３ａおよび７３ｂとアンテナ８０の第１端部８１および第２端部８２との電気的接続を図るとともに、ＩＣモジュール７０とカード基体２との機械的接続を図る。ＡＣＦは、その品種や組成により、熱圧条件に差異はあるが、一例としては、時間を０．５秒以上、１０．０秒以下とし、温度を１５０℃以上、２５０℃以下とし、圧力を２０ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下とすることができる。

（ｆ）第１実施形態のデュアルインターフェースＩＣカードについて
以上をまとめると、第１実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１は、カード基体２と、当該カード基体２の内部に配置された、少なくとも複数の端部８４である第１端部８１および第２端部８２を有するアンテナ８０と、を備える。さらに、デュアルインターフェースＩＣカード１は、ＩＣチップ７４ａ並びに当該ＩＣチップ７４ａと電気的に接続された複数の端子７３ａおよび７３ｂを有するＩＣモジュール７０を備える。ＩＣモジュール７０は、互いに対向する複数の端子７３ａおよび７３ｂ並びに複数の第１端部８１および第２端部８２が、それぞれ電気的に接続されるようにカード基体２に設けられた凹部９に配置される。

複数の端部８４である第１端部８１および第２端部８２は、アンテナ８０を構成するアンテナ線８３による、凹部９の外周９７から中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成され、かつ、その一部が凹部９、すなわち第２凹部９２ａおよび９２ｂに露出している。これにより、凹部９において露出している単位面積当たりのアンテナ線８３の露出面積を高め、ＩＣモジュール７０の端子７３ａや７３ｂとアンテナ８０との電気的接続の信頼性を向上できる。

この凹部９は、当該凹部９の外周９７の一部を含み、互いに分離した第１凹部９１と、第１凹部９１と隣接し、互いに分離した第２凹部９２ａ、９２ｂとを備える。さらに、凹部９は、第１凹部９１と隣接し、かつ当該第１凹部９１および第２凹部９２ａ、９２ｂよりも凹部９の中央側に形成された第３凹部９３を備える。また、第１凹部９１は、第２凹部９２ａ、９２ｂよりも深く形成され、かつ第１凹部９１よりも第３凹部９３が深く形成されている。

これにより、ＩＣモジュール７０に熱圧を掛けてカード基体２の側に押し付けたとき、第２凹部９２ａの深さを以下のように定めることができる。すなわち、導電接着層１１を介した基板７２から凸状に飛び出した構造の端子７３ａと第２凹部９２ａの底面９２ｐに露出したアンテナ線８３との距離が電気的接続のための適正範囲となるように上記深さを定める。また、端子７３ａからＹ軸方向に沿って離間した基板７２の領域では、基板７２とカード基体２との距離が機械的接続のための適正範囲となるように、第１凹部９１の深さを、第２凹部９２ａ、９２ｂの深さとは無関係に定めることができる。好ましくは、第１凹部９１の深さは、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続を良好とすべく、第２凹部９２ａ、９２ｂの深さよりも深くなるように調整され得る。

よって、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１は、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続との両方の信頼性を向上させることができる。また、同一の導電接着層１１を用いた場合でも、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続とを実現できる。また、第１凹部９１の深さが第２凹部９２ａ、９２ｂの深さよりも深いことにより、導電接着層１１の厚さが十分に確保でき、引張り等の外力に対して凝集破壊を起こし難くできる。さらには、導電接着層１１のくさび効果等による機械的接着力を十分に確保でき、接着剤成分のはみ出しを抑制することでデュアルインターフェースＩＣカード１の外観を良好とすることができる。

２．第２実施形態
次に、本開示の第２実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードについて説明する。

図５（ａ）は、第２実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ａに関する、図１（ｂ）に対応するアンテナ８０ａの端部８４ａである第１端部８１ａおよび第２端部８２ａ付近の構成を示す図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の第１端部８１ａの構成のみを示した図である。本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ａにおいて、第１端部８１ａおよび第２端部８２ａは、アンテナ８０ａを構成するアンテナ線８３による、凹部９ａの外周９７から中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成される。さらに、その一部が凹部９ａに露出しており、アンテナ８０ａの当該折り返し構造の屈曲部以外の部分が外周９７に沿う直線に対して傾斜している。

端部８４ａである第１端部８１ａおよび第２端部８２ａのうち、アンテナ線８３が露出している折り返し構造の屈曲部の領域は、Ｚ軸方向に沿った平面視で第２凹部９５ａおよび９５ｂと重畳する第１露出部８６ａおよび第２露出部８７ａである。端部８４ａである第１端部８１ａおよび第２端部８２ａにおいて、折り返し構造の上端および下端の屈曲部以外の部分が、それぞれ第１凹部９１および第２凹部９５ａ、９５ｂの外周９７に沿う辺９７ａおよび９７ｂに平行な直線ｍ１およびｍ２に対して斜めに傾斜している。直線ｍ１およびｍ２は、Ｙ軸と平行な直線である。さらに、第１端部８１ａおよび第２端部８２ａが、Ｘ軸方向に沿った幅がＷ３１であり、Ｙ軸方向に沿った幅がＷ２２である矩形の輪郭に沿うように形成されている。

ここで、外周形状がＩＣモジュール７０のそれと略同一の略矩形である凹部９ａを切削加工で形成する場合において、アンテナ線８３を露出させながら第２凹部９５ａおよび９５ｂを切削して形成する方法は、第1実施形態で説明したものと同様である。すなわち、図５（ａ）において、まず、外周９７に沿って第１凹部９１および第２凹部９５ａ、９５ｂに共通する領域を、第２凹部９５ａ、９５ｂの深さにて、左回りまたは右回りにミリングツールを移動させながら切削する。次にこれらの中央側の領域を、第１凹部９１よりも深い第３凹部９３の深さにて、同様に左回りまたは右回りにミリングツールを移動させながら切削する。

そして、最後に、第１凹部９１に共通する領域を、第２凹部９５ａ、９５ｂよりも深く、第３凹部９３よりも浅い深さにて、ミリングツールを移動させながら切削する。なお、第２凹部９５ａのみを左回りまたは右回りにミリングツールを移動させながら切削し、次に第２凹部９５ｂのみを同様に切削し、その後に第１凹部９１の切削を行ってもよい。あるいは、第２凹部９５ａ、９５ｂにまたがりながら、ミリングツールを左右方向に移動させて、これを順次上方から下方にずらしながら連続的に切削を行い、第２凹部９５ａ、９５ｂを同時に形成することとしてもよい。

ここで、第２凹部９５ａまたは９５ｂの切削加工時には、ミリングツールがＸ軸に沿った方向およびＹ軸に沿った方向のそれぞれに移動しながら切削することとなる。このとき、アンテナ線８３の配線方向とミリングツールの移動方向とが略平行となると、アンテナ線８３を途中の部分で切削することにより、アンテナ線８３の一部が分岐しながら意図しない枝分かれを生じる、いわゆるヒゲの発生が懸念され得る。しかし、本実施形態では、第１端部８１ａおよび第２端部８２ａの折り返し構造の上端および下端の屈曲部以外の部分が傾斜していることにより、上述する不具合が抑制できる。

第1端部８１ａにおいて、折り返し構造の屈曲部以外の部分は、凹部９ａの外周９７の辺９７ａに沿う直線であるＹ軸に対して所定角度である角度θだけ、時計回りに傾斜している。ここで、傾斜角θは、２度以上、２０度以下であることが好ましく、５度以上、１５度以下であることがさらに好ましい。また、傾斜角θは、すべての当該折り返し構造の屈曲部以外の部分において、厳密に同じである必要はなく、上述の範囲でばらついてもよい。傾斜角θが前者の範囲であることにより、アンテナ線８３が凹部９ａの切削加工時のエンドミルの移動方向であるＸ軸やＹ軸に沿う方向に対する傾斜を有するため、アンテナ線８３が意図せず分岐される不具合を抑制できる。

一方、傾斜角θが後者の範囲であることにより、アンテナ線８３の分岐であるヒゲの発生の抑制を一層図ることができる。また、凹部９ａの加工前の第１端部８１ａの＋Ｘ方向側の端が第２凹部９５ａと、第３凹部９３との境界よりも＋Ｘ方向側にある場合でも、第３凹部９３の切削時にアンテナ線８３を切削によるアンテナ線８３の断線領域を一層低減できる。これにより、アンテナ８０ａとＩＣモジュール７０の端子７３ａとの電気的接続の信頼性をさらに向上できる。

なお、本実施形態では、第１端部８１ａのＸ軸方向に沿った領域のうち、＋Ｘ方向側の端は第２凹部９５ａと第３凹部９３との境界と略同一位置であり、－Ｘ方向側の端は凹部９ａの外周９７である第２凹部９５ａの端よりも－Ｘ方向側にある。このように、第１端部８１ａの＋Ｘ方向側の端が第２凹部９５ａと第３凹部９３との境界と略同一位置であるか、これよりも－Ｘ方向側にある場合は、第３凹部９３の切削時にアンテナ線８３を切削しないか、アンテナ線８３の切削量を低減することができる。このため、切削する深さが深いほど生じやすくなるアンテナ線８３の分岐、すなわちヒゲの発生を抑制できる。

また、切削前の第１端部８１ａの＋Ｘ方向側の端が第２凹部９５ａと第３凹部９３との境界よりも＋Ｘ方向側にある場合は、第３凹部９３の切削時にアンテナ線８３を切削し、これが途中で断線する。しかし、傾斜角θが上述した範囲内であれば、アンテナ線８３の断線領域を低減することができ、アンテナ８０ａとＩＣモジュール７０の端子７３ａとの確実な電気的接続が図れる。

さらに、凹部９ａの加工前の第１端部８１ａの＋Ｘ方向側の端が第２凹部９５ａと第３凹部９３との境界よりも＋Ｘ方向側にある場合は、この領域にはアンテナ線８３のうち、折り返し構造の屈曲部を含み、当該屈曲部以外の部分を含まないように配置することが好ましい。このようにすることで、第３凹部９３の切削時に、エンドミルの移動方向であるＹ軸に沿った方向から大きく角度がずれている屈曲部からのアンテナ線８３の分岐は生じにくく、結果的に品質向上に寄与するからである。

なお、第２端部８２ａにおいて、折り返し構造の屈曲部以外の部分は、凹部９ａの外周９７の辺９７ｂに沿う直線であるＹ軸に対して所定角度である角度θだけ、第１端部８１ａとは逆に反時計回りに傾斜している。ここで、傾斜角θの範囲は、向きが逆であることを除けば、第１端部８１ａの説明と共通である。第１端部８１ａにおける、屈曲部以外の部分の外周９７に沿う直線に対する傾斜と、第２端部８２ａにおける、屈曲部以外の部分の外周９７に沿う直線に対する傾斜とは、互いにＹ軸に沿った直線に対して線対称に形成される。すなわち、第１端部８１ａおよび第２端部８２ａは、そのアンテナ線８３の屈曲部以外の部分の傾斜を含め、その構成の全体として、Ｙ軸に沿った軸線に対して左右対称に配置されている。

このことにより、アンテナ保持層５にアンテナ線８３を埋め込んでアンテナシート１２を形成する際の、アンテナ保持層５のひずみや内部応力が互いに相殺および分散され、ひずみや内部応力の少ない均一化されたアンテナシート１２を得ることが可能となる。

また、凹部９ａにＩＣモジュール７０を埋設する際の、第１端部８１ａと端子７３ａとの間に加わる熱圧条件と、第２端部８２ａと端子７３ｂとの間に加わる熱圧条件とが、互いに左右方向について対称的となる。これにより、熱圧条件の偏りが回避され、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続やＩＣモジュール７０およびカード基体２の機械的接続の安定化が図れる。

ただし、第１端部８１ａにおける、屈曲部以外の部分の外周９７に沿う直線に対する傾斜と、第２端部８２ａにおける、屈曲部以外の部分の外周９７に沿う直線に対する傾斜とは、互いに線対称ではなく、同一であってもよい。すなわち、第２端部８２ａのアンテナ線８３の構成は、第１端部８１ａのアンテナ線８３の構成をそのまま、＋Ｘ方向側に平行移動したものと略同一であってもよい。この場合、上述した第１端部８１ａの構成に関する作用効果がそのまま、第２端部８２ａにもあてはまる。

３．第３実施形態
次に、本開示の第３実施形態に係るデュアルインターフェースＩＣカードについて説明する。

図６（ａ）は、デュアルインターフェースＩＣカード１ｂを＋Ｚ方向から見た、図１（ａ）に対応する平面図であり、図６（ｂ）は、外部接続端子７１付近を拡大したアンテナ８０ｂの配置を説明する、図１（ｂ）に対応する図である。また、図７（ａ）は、図６（ｂ）のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂをＸ軸と平行なＤ－Ｄ線に沿った面で切った断面を－Ｙ方向から見た、図２（ａ）に対応する図である。図７（ａ）は、ＩＣモジュール７０を省略した、図２（ａ）に対応する図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）において、ＩＣモジュール７０が搭載された状態の、図２（ｂ）に対応する図である。また、図８は、図６（ｂ）のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂをＹ軸と平行なＥ－Ｅ線に沿った面で切った断面を－Ｘ方向から見た、図３（ａ）に対応する図である。

図６（ａ）や図６（ｂ）に示すように、デュアルインターフェースＩＣカード１ｂは、 アンテナ８０ｂのアンテナ線８３の両端部が、第２凹部９６ａおよび９６ｂの外周９７から凹部９ｂの中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成されない点が、前述した実施形態とは異なる。すなわち、本実施形態では、アンテナ線８３の両端に形成される端部１００を構成する第１端部および第２端部は、プレート状の導電部材から構成された端部である第１プレート１１０および第２プレート１２０が対応する。言い換えると、アンテナ８０ｂを構成するアンテナ線８３は、略矩形のカードの周囲を周回するように巻かれた上、その両端が一対の導電性のプレート状の端部１００である第１プレート１１０および第２プレート１２０と電気的に接続されている。

なお、デュアルインターフェースＩＣカード１ｂのカード基体２ｂの層構成は、基本的に第１実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１と同様である。ただし、アンテナ保持層５の一方の面に、アンテナ８０ｂとしてアンテナ線８３並びにその両端である第１端部８１および第２端部８２が設けられることに代えて、アンテナ線８３並びにその両端と溶接された第１プレート１１０および第２プレート１２０が設けられる点のみが異なる。よって、カード基体２ｂの詳細な説明は省略する。

図７（ａ）に示すように、第１プレート１１０は第１部材１１１と第２部材１１２とが積層した構成を有しており、その第２部材１１２の表面が第２凹部９６ａの底面９６ｐにおいて露出している。ただし、これは一例にすぎず、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、ともに単一の部材で構成されてもよく、あるいはともに３層以上の異なる部材の積層構成を備えていてもよい。

本実施形態では、第１部材１１１および第２部材１１２は、互いに異種の金属の導電部材から構成され、第２部材１１２は、第１部材１１１よりも酸化し難い金属の導電部材で構成される。一例として、第１部材１１１を銅、第２部材１１２を銀メッキとすることができるがこれには限られない。なお、第２プレート１２０の構成もこれと同じとすることができる。

ＩＣモジュール７０のカード基体２ｂ側を向く面には、前述したように、内包されるＩＣチップと電気的に接続している端子７３ａおよび７３ｂが設けられている。そして、図７（ｂ）に示すように、端子７３ａは、導電接着層１１を介して第１プレート１１０と電気的に接続するとともに、ＩＣモジュール７０は、カード基体２ｂと、導電接着層１１を介して機械的にも接合される。ここで、第１プレート１１０および第２プレート１２０は、第２部材１１２が凹部９ｂの開口側を向き、第１部材１１１が凹部９ｂの開口側とは反対側を向くように、カード基体２ｂに配置されている。凹部９ｂの開口側とは、図７（ｂ）における＋Ｚ方向側である。

アンテナ線８３の先端は、第１プレート１１０の＋Ｚ方向側、すなわち第２部材１１２と当接することにより、第１プレート１１０との電気的接続が図られている。また、ＩＣモジュール７０の端子７３ａも、導電接着層１１を介して、第１プレート１１０の第２部材１１２と当接することにより、第１プレート１１０との電気的接続が図られている。これにより、第１プレート１１０は、第２部材１１２の面側のみに必要な導電性があればよく、第１プレート１１０の部材の選択範囲が絶縁部材を含めて拡張できる。

また、第１プレート１１０が、導電部材である第１部材１１１と、第１部材１１１よりも酸化し難い導電部材である第２部材１１２と、が積層された構成を有することにより、以下の効果が期待できる。すなわち、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂを、いずれも第２部材１１２と対向して第１プレート１１０と電気的に接続でき、アンテナ線８３の先端および端子７３ａ、７３ｂと、第１プレート１１０との電気的接続の信頼性が向上する。比較的、酸化し難い第２部材１１２は、その表面に酸化被膜が形成され難くなり、アンテナ線８３の第１プレート１１０への溶接や、導電接着層１１として異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を使用した場合、これが含有する金属粒子との接合が良好に行える可能性が高い。

また、第２部材１１２の表面には酸化被膜が形成され難い。このため、エンドミル等の切削加工により凹部９ｂを形成する際、第２部材１１２の表面に積層されているインナー層４等の樹脂基材との水素結合等による接着力が得られ難くなり、第２部材１１２と樹脂基材との密着性が下がる傾向にある。このため、エンドミルの刃の切削深さの設定が多少浅めにずれたとしても、第２部材１１２の界面では、樹脂基材がはがれやすくなり、良好に凹部９ｂに第２部材１１２の表面を露出させることができる。よって、切削加工における刃の深さ設定範囲を広げることができ、歩留まりや生産性が向上する。以上は、第２プレート１２０についても同様にあてはまる。

図８に示すように、カード基体２ｂの凹部９ｂのうち、ＩＣモジュール７０の基板７２が埋設される箇所には、第１実施形態と同様に、第１凹部９１および第２凹部９６ａという２種類の深さの凹部が存在する。図示しないが、第２凹部９６ｂの深さや形状も第２凹部９６ａと同様である。このため、場所によって基板７２とカード基体２ｂとの隙間の距離が異なり、その結果、両者に挟まれた導電接着層１１の接着後の厚さが異なる。すなわち、基板７２のうち端子７３ａが形成された領域と、端子７３ａからＸ方向に沿って離間した領域とでは、これと対向するカード基体２ｂの凹部９ｂの深さが異なり、前者の領域には第２凹部９６ａが対向し、後者の領域には第２凹部９６ａよりも深い第１凹部９１が対向する。

すなわち、本実施形態では、端子７３ａからＹ軸方向に沿って離間した基板７２の領域では、基板７２とカード基体２ｂとの隙間が、ＩＣモジュール７０およびカード基体２ｂの接着力を向上し、両者の機械的接続を良好とするべく、カード基体２ｂの凹部９ｂの深さを変更している。具体的には、当該領域の凹部９ｂを、第２凹部９６ａよりも深い第１凹部９１としている。第２凹部９６ａの深さは、基板７２から－Ｚ方向に飛び出して延在する端子７３ａと第１プレート１１０との電気的接続を考慮して定めたものである。このことは、第２凹部９６ｂや第２プレート１２０についても同様にあてはまる。

よって、本実施形態のデュアルインターフェースＩＣカード１ｂは、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０ｂの電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２ｂの機械的接続との両方の信頼性を向上させることができる。具体的には、同一の導電接着層１１に対して、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０ｂの電気的接続を良好とする第２凹部９６ａ、９６ｂの深さと、ＩＣモジュール７０およびカード基体２ｂの機械的接続を良好とする第１凹部９１の深さとを異なるようにしている。すなわち、第１凹部９１よりも第２凹部９６ａ、９６ｂが浅く形成されている。

第１凹部９１および第２凹部９６ａ、９６ｂをこのように構成することで、ＩＣモジュール７０およびアンテナ８０の電気的接続と、ＩＣモジュール７０およびカード基体２ｂの機械的接続とを同一の導電接着層１１によって実現できる。このため、デュアルインターフェースＩＣカード１ｂの製造の効率化が図れる。また、その他、第１実施形態で述べた効果が本実施形態でも同様に得られる。

１、１ａ、１ｂ デュアルインターフェースＩＣカード
２、２ｂ カード基体
３、７ オーバーシート層
４、６ インナー層
５ アンテナ保持層
８、８ａ アンテナ
９、９ａ、９ｂ 凹部
１１ 導電接着層
１１ａ 導電粒子
１１ｂ 接着剤
１２ アンテナシート
７０ ＩＣモジュール
７１ 外部接続端子
７２ 基板
７３ａ、７３ｂ 端子
７４ ＩＣチップ体
７４ａ ＩＣチップ
７４ｂ モールド部
７４ｐ パッド
７５ ワイヤ
７６ ボンディングホール
８０、８０ａ、８０ｂ アンテナ
８１、８１ａ 第１端部
８２、８２ａ 第２端部
８３ アンテナ線
８４ 端部
８６、８６ａ、８６ｂ 第１露出部
８７、８７ａ、８７ｂ 第２露出部
９１ 第１凹部
９２ａ、９２ｂ、９５ａ、９５ｂ、９６ａ、９６ｂ 第２凹部
９２ｐ、９６ｐ 底面
９３ 第３凹部
９７ 外周
９７ａ、９７ｂ 辺
１００ 端部
１１０ 第１プレート
１１１ 第１部材
１１２ 第２部材
１２０ 第２プレート

Claims (8)

1. 外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードであって、
   凹部を備えたカード基体と、
   前記カード基体の内部に配置された、端部を有するアンテナと、
   ＩＣチップと電気的に接続された端子を有するＩＣモジュールと、を備え、
   前記凹部は、当該凹部の外周の一部を含み、互いに分離した第１凹部と、
   前記第１凹部と隣接し、互いに分離した第２凹部と、
   前記第１凹部と隣接し、かつ当該第１凹部および前記第２凹部よりも前記凹部の中央側に形成された第３凹部と、から構成され、
   前記ＩＣモジュールと対向する前記第２凹部において、前記端部が前記カード基体から前記ＩＣモジュールに向けて露出しており、
   前記ＩＣモジュールは、前記端子および前記端部が電気的に接続されるように前記凹部に配置され、
   前記第２凹部よりも前記第１凹部が深く形成され、かつ前記第１凹部よりも前記第３凹部が深く形成されている、デュアルインターフェースＩＣカード。
2. 前記端部は、前記アンテナを構成するアンテナ線による、前記凹部の外周から中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成されている、請求項１に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
3. 前記外周は、前記カード基体の短辺および長辺と略平行な辺を有する略矩形であり、前記端部は、前記アンテナを構成するアンテナ線による、前記凹部の前記カード基体の短辺と略平行な辺である前記外周から中心に向けた繰り返しの折り返し構造によって構成される、請求項１または請求項２に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
4. 前記アンテナの前記折り返し構造の屈曲部以外の部分が前記外周に沿う直線に対して傾斜している、請求項３に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
5. 前記端部は、前記アンテナを構成するアンテナ線の先端に溶接されたプレート状の導電部材によって構成されている、請求項１に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
6. 前記ＩＣモジュールは、互いに対向する前記端子および前記端部が、異方性導電フィルムを介してそれぞれ電気的に接続される、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
7. 前記異方性導電フィルムは、前記第１凹部および前記第２凹部と重畳するように配置される、請求項６に記載のデュアルインターフェースＩＣカード。
8. 外部機器との接触通信および非接触通信が可能なデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法であって、
   第１の基材、第２の基材、並びにＩＣチップと電気的に接続された端子を有するＩＣモジュール、を準備する工程と、
   前記第１の基材の一方の面に、端部を有するアンテナを形成する工程と、
   前記アンテナを挟むように前記第１の基材と前記第２の基材とを熱融着により、または接着剤を介して、積層して積層体を形成する工程と、
   前記積層体をカードサイズに打ち抜いてカード基体を形成する工程と、
   前記カード基体に、凹部を形成する工程と、
   前記ＩＣモジュールを、前記端子および前記端部が電気的に接続されるように前記凹部に配置する工程と、を備え、
   前記凹部は、当該凹部の外周の一部を含み、互いに分離した第１凹部と、
   前記第１凹部と隣接し、互いに分離した第２凹部と、
   前記第１凹部と隣接し、かつ当該第１凹部および前記第２凹部よりも前記凹部の中央側に形成された第３凹部と、から構成され、
   前記ＩＣモジュールと対向する前記第２凹部において、前記端部が前記カード基体から前記ＩＣモジュールに向けて露出しており、
   前記第２凹部よりも前記第１凹部が深く形成され、かつ前記第１凹部よりも前記第３凹部が深く形成されている、デュアルインターフェースＩＣカードの製造方法。