JP2023110636A - 低誘電基板材 - Google Patents

Abstract

【課題】加工性に優れる低誘電基板材を提供すること。【解決手段】低誘電基板材１は、金属層２と、厚み方向における金属層２の一方面に配置される多孔質樹脂層３とを備える。多孔質樹脂層３は、多孔質樹脂層３を厚み方向に４等分したときに、金属層２から離れる方向に向かって順に位置する第１領域３１と、第２領域３２と、第３領域３３と、第４領域３４とを含む。第１領域３１は、樹脂マトリクス３５中に互いに独立する複数の閉セル３０を有し、第１領域３１における複数の閉セル３０のアスペクト比ＡＲの平均は、０．８０以上、１．２０以下である。アスペクト比ＡＲの平均は、断面視において、厚み方向における閉セル３０の長さＬ２に対する、厚み方向に直交する方向における閉セル３０の長さＬ１の比（Ｌ１／Ｌ２）である。【選択図】 図１

Description

本発明は、低誘電基板材に関する。

金属層と、厚み方向における金属層の一方面に配置される多孔質樹脂層とを備える低誘電基板材が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

低誘電基板材は、例えば、フレキシブル配線板などに加工される。

特開２０１９－１２３８５１号公報

低誘電基板材には、優れた加工性が要求される。しかし、特許文献１の低誘電基板材では、上記した物性を要求するには、限界がある。

本発明は、加工性に優れる低誘電基板材を提供する。

本発明（１）は、金属層と、厚み方向における前記金属層の一方面に配置される多孔質樹脂層とを備え、前記多孔質樹脂層は、前記多孔質樹脂層を厚み方向に４等分したときに、前記金属層から離れる方向に向かって順に位置する第１領域と、第２領域と、第３領域と、第４領域とを含み、少なくとも前記第１領域は、樹脂マトリクス中に互いに独立する複数の閉セルを有し、前記第１領域における複数の前記閉セルのアスペクト比の平均であって、断面視において、厚み方向における前記閉セルの長さＬ２に対する、前記厚み方向に直交する方向における前記閉セルの長さＬ１の比であるアスペクト比（Ｌ１／Ｌ２）の平均は、０．８０以上、１．２０以下である、低誘電基板材を含む。

本発明の低誘電基板材は、加工性に優れる。

図１は、本発明の低誘電基板材の一実施形態の断面図である。 低誘電基板材の変形例の断面図である。 実施例１の低誘電基板材のＳＥＭ写真の画像処理図である。 実施例２の低誘電基板材のＳＥＭ写真の画像処理図である。 比較例１の低誘電基板材のＳＥＭ写真の画像処理図である。 比較例２の低誘電基板材のＳＥＭ写真の画像処理図である。

１． 低誘電基板材１

本発明の低誘電基板材の一実施形態を、図１を参照して説明する。

低誘電基板材１は、厚みを有する。低誘電基板材１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。低誘電基板材１は、板形状を有する。低誘電基板材１は、可撓性を有する。低誘電基板材１の厚みは、特に限定されない。低誘電基板材１の厚みは、例えば、５μｍ以上、例えば、２，０００μｍ以下である。

１．１ 低誘電基板材１の層構成
低誘電基板材１は、金属層２と、多孔質樹脂層３と、スキン層４とを、厚み方向の一方側に向かって順に備える。すなわち、低誘電基板材１は、金属層２と、厚み方向における金属層２の一方面に配置される多孔質樹脂層３と、厚み方向における多孔質樹脂層３の一方面に配置されるスキン層４とを備える。本実施形態では、好ましくは、低誘電基板材１は、金属層２と、多孔質樹脂層３と、スキン層４とのみを備える。

１．２ 金属層２
金属層２は、厚み方向における低誘電基板材１の他端部に配置される。金属層２は、厚み方向における低誘電基板材１の他方面を形成する。金属層２は、面方向に延びる。具体的には、金属層２は、金属フィルムである。金属としては、例えば、銅、鉄、銀、金、アルミニウム、ニッケル、および、それらの合金（ステンレス、青銅）が挙げられる。金属として、好ましくは、銅が挙げられる。金属層２の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

１．３ 多孔質樹脂層３
多孔質樹脂層３は、厚み方向における金属層２の一方面に接触する。多孔質樹脂層３は、厚みを有する。多孔質樹脂層３は、面方向に延びる。多孔質樹脂層３は、厚み方向全体にわたって、樹脂マトリクス中に互いに独立する複数の閉セル３０を有する。閉セル３０は、樹脂マトリクスによって完全に覆われており、隣接するセルに連通しない。また、閉セル３０は、その内部が、金属層２またはスキン層４に面される開放セルではない。

多孔質樹脂層３は、多孔質樹脂層３を厚み方向に４等分したときに、第１領域３１と、第２領域３２と、第３領域３３と、第４領域３４とを、金属層２から離れる方向に向かって順に含む。多孔質樹脂層３において、第１領域３１と、第２領域３２と、第３領域３３と、第４領域３４とは、厚み方向の一方側に順に向かって位置する。

１．３．１ 第１領域３１
第１領域３１は、厚み方向において多孔質樹脂層３の最他方側に位置する。第１領域３１は、厚み方向における金属層２の一方面に接触する。第１領域３１は、上記した閉セル３０を有する。

第１領域３１における複数の閉セル３０のアスペクト比の平均は、０．８０以上、１．２０以下である。

第１領域における複数の閉セル３０のアスペクト比ＡＲの平均が０．８０未満、または、１．２０超過であれば、低誘電基板材１の加工性が低下する。加工性は、完全硬化前（後述）の前駆体フィルムを加熱により硬化すること、さらには、低誘電基板材１をプレスすることによっても、物性が変動しにくい性質を含む。物性は、多孔質樹脂層３の厚み、誘電率および／または誘電正接を含む。

上記したアスペクト比ＡＲは、多孔質樹脂層３を断面で見たときに、厚み方向における閉セル３０の長さＬ２に対する、直交方向における閉セルの長さＬ１の比である。直交方向は、厚み方向に直交しており、図１における左右方向に相当する。

第１領域における複数の閉セル３０のアスペクト比ＡＲの平均は、好ましくは、０．８５以上、より好ましくは、０．９０以上、さらに好ましくは、０．９５以上であり、また、好ましくは、１．１５以下、より好ましくは、１．１０以下、さらに好ましくは、１．０５以下である。第１領域における複数の閉セル３０のアスペクト比ＡＲの平均が上記した上限以下、または、上記した下限以上であれば、低誘電基板材１の加工性をより一層向上できる。

閉セル３０のセルの長手方向長さの平均は、例えば、１μｍ以上、１００μｍ以下である。なお、閉セル３０のセルの長手方向長さの平均は、アスペクト比ＡＲの平均が１であれば、セル径に相当する。

なお、第１領域３１は、閉セル３０の他に、上記した開放セルを含んでもよい。

１．３．２ 第２領域３２～第４領域３４
第２領域３２と第３領域３３と第４領域３４とのそれぞれは、上記した第１領域３１と同様の構成を有する。ただし、第２領域３２と第３領域３３と第４領域３４とのそれぞれにおける複数の閉セル３０のアスペクト比ＡＲの平均は、例えば、０．８０以上、１．２０以下である。

後述する製造方法の観点から、第１領域３１～第４領域３４中、第１領域３１のアスペクト比ＡＲの平均が１．０から離れやすい傾向にある。しかし、本発明のように、第１領域３１～第４領域３４において、第１領域３１についてアスペクト比ＡＲの平均が０．８０以上、１．２０以下であることによって、第２領域３２～第４領域３４のそれぞれにおけるアスペクト比ＡＲの平均も、自ずと０．８０以上、１．２０以下となる。

また、第２領域３２～第４領域３４における閉セル３０のセルの長手方向長さの平均は、例えば、第１領域３１のそれと同一またそれよりも大きい。

１．３．３ 多孔質樹脂層３の材料
多孔質樹脂層３の材料は、樹脂である。樹脂は、限定されない。具体的には、樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレー０．ト樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含む）、および、液晶ポリマー（ＬＣＰ）が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。上記した樹脂のうち、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ポリイミド樹脂の物性および製造方法を含む詳細は、例えば、ＷＯ２０１８／１８６４８６号、および、特開２０２０－１７２６６７号公報に記載されている。なお、ポリイミド樹脂は、単にポリイミドと称呼することがある。

１．３．４ 多孔質樹脂層３における他の物性

多孔質樹脂層３を、４５０℃、１時間、加熱した後の質量減少率は、例えば、３．０質量％以下、好ましくは、２．０質量％以下、より好ましくは、１．８質量％以下であり、また、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、１．５質量％以上である。

多孔質樹脂層３の質量減少率が上記した上限以下であれば、加熱および／またはプレスにおける多孔質樹脂層３の誘電率および／または誘電正接の変動を抑制できる。多孔質樹脂層３の質量減少率の測定方法は、後の実施例で記載される。

多孔質樹脂層３がポリイミドからなる場合には、多孔質樹脂層３のイミド化率は、例えば、０．９２０以上、好ましくは、０．９５０以上である。

多孔質樹脂層３のイミド化率が上記した下限以上であれば、熱加工時における多孔質樹脂層３の誘電率および／または誘電正接の変動を抑制できる。多孔質樹脂層３のイミド化率の測定方法は、後の実施例で記載される。

多孔質樹脂層３の空孔率は、例えば、５０％以上、好ましくは、６０％以上、より好ましくは、７０％以上である。なお、多孔質樹脂層３の空孔率は、例えば、１００％未満、さらには、９９％以下である。多孔質樹脂層３がポリイミドからなる場合には、空孔率は下記式から求められる。

空孔率（％）＝（１－多孔質樹脂層３の比重／ポリイミドの比重）×１００

多孔質樹脂層３の周波数１０ＧＨｚにおける誘電率は、例えば、１．６３以下、また、例えば、１．５５以上である。多孔質樹脂層３の誘電率は、共振器法により、測定される。

多孔質樹脂層３の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接は、例えば、０．００６以下、好ましくは、０．００５以下、より好ましくは、０．００４以下、さらに好ましくは、０．００３以下であり、また、例えば、０．００２以上である。多孔質樹脂層３の誘電正接は、共振器法により、測定される。

多孔質樹脂層３の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

１．４ スキン層４
スキン層４は、厚み方向における低誘電基板材１の一端部に配置される。スキン層４は、厚み方向における低誘電基板材１の一方面を形成する。スキン層４は、面方向に延びる。スキン層４は、厚み方向における多孔質樹脂層３の一方面に接触する。例えば、スキン層４は、多孔質樹脂層３の樹脂と同一の樹脂からなる緻密膜である。スキン層４の厚みは、例えば、１μｍ以上、また、例えば、５０μｍ以下である。スキン層４の空孔率は、０．１％以下、さらには、０％である。

１．５ 低誘電基板材１の製造方法
低誘電基板材１の製造方法を説明する。

まず、金属層２を準備する。

次いで、上記した樹脂の前駆体と、多孔化剤と、核剤と、溶媒とを含むワニスを調製し、次いで、ワニスを、厚み方向における金属層２の一方面に塗布して塗膜を形成する。ワニスにおける多孔化剤、核剤および溶媒の、種類および配合割合等は、例えば、ＷＯ２０１８／１８６４８６号に記載されている。

樹脂がポリイミドである場合を説明する。ポリイミドの前駆体は、例えば、ジアミン成分と、酸二無水物成分との反応生成物である。ジアミン成分としては、例えば、芳香族ジアミン、および、脂肪族ジアミンが挙げられる。ジアミン成分として、好ましくは、上記した上限以下の引張弾性率を得る観点から、芳香族ジアミンが挙げられる。

また、ジアミン成分と、酸二無水物成分とは、それぞれ、単独使用または併用することができる。具体的には、ジアミン成分として、好ましくは、芳香族ジアミンの単独使用が挙げられる。

芳香族ジアミンとしては、第１ジアミン、第２ジアミン、および、第３ジアミンが挙げられる。

第１ジアミンは、単数の芳香環を含有する。第１ジアミンとしては、例えば、フェニレンジアミン、ジメチルベンゼンジアミン、および、エチルメチルベンゼンジアミンが挙げられる。好ましくは、フェニレンジアミンが挙げられる。フェニレンジアミンとしては、例えば、ｏ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、および、ｐ－フェニレンジアミンが挙げられる。フェニレンジアミンとして、好ましくは、ｐ－フェニレンジアミンが挙げられる。ｐ－フェニレンジアミンは、ＰＤＡと略称される場合がある。

第２ジアミンは、複数の芳香環と、それらの間に配置されるエーテル結合とを含有する。第２ジアミンとしては、例えば、オキシジアニリンが挙げられる。オキシジアニリンとしては、例えば、３，４’－オキシジアニリン、および、４，４’－オキシジアニリンが挙げられる。好ましくは、４，４’－オキシジアニリン（別名：４，４－ジアミノジフェニルエーテル）が挙げられる。４，４’－オキシジアニリンは、ＯＤＡと略称される場合がある。

第３ジアミンは、複数の芳香環と、それらの間に配置されるエステル結合とを含有する。第３ジアミンとしては、例えば、アミノフェニルアミノベンゾエートが挙げられ、好ましくは、４－アミノフェニル－４－アミノベンゾエートが挙げられる。４－アミノフェニル－４－アミノベンゾエートは、ＡＰＡＢと略称される場合がある。

なお、芳香族ジアミンとして、第１ジアミンから第３ジアミンの他に、例えば、４，４’－メチレンジアニリン、４，４’－ジメチレンジアニリン、４，４’－トリメチレンジアニリン、および、ビス（４－アミノフェニル）スルホンも挙げられる。

上記したジアミン成分は、単独使用でき、また、それらを併用できる。ジアミン成分として、好ましくは、第１ジアミン、第２ジアミン、および、第３ジアミンの組合せが挙げられる。より好ましくは、ｐ－フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）、および、４－アミノフェニル－４－アミノベンゾエート（ＡＰＡＢ）の組合せが挙げられる。

ジアミン成分における第１ジアミンのモル分率は、例えば、１０モル％以上、好ましくは、２０モル％以上であり、また、例えば、７０モル％以下、好ましくは、６５モル％以下である。ジアミン成分における第２ジアミンのモル分率は、例えば、５モル％以上、好ましくは、１０モル％以上であり、また、例えば、４０モル％以下、好ましくは、３０モル％以下である。ジアミン成分における第３ジアミンのモル分率は、例えば、５モル％以上、例えば、１０モル％以上であり、また、例えば、４０モル％以下、好ましくは、３０モル％以下である。

また、第１ジアミンと第２ジアミンとの合計１００モル部に対する第３ジアミンのモル部は、例えば、５モル部以上、好ましくは、１０モル部以上、より好ましくは、２０モル部以上であり、また、例えば、１００モル部以下、好ましくは、５０モル部以下、より好ましくは、３０モル部以下である。

酸二無水物成分は、限定されない。酸二無水物成分は、例えば、芳香環を含む酸二無水物を含有する。芳香環を含む酸二無水物としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、および、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。これらは、単独使用または併用できる。芳香環を含む酸二無水物として、好ましくは、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。ビフェニルテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、３，３’－４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’－３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、および、３，３’，４，４’－ジフェニルエ－テルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。ビフェニルテトラカルボン酸二無水物として、好ましくは、３，３’－４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。なお、３，３’－４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物は、ＢＰＤＡと略称される場合がある。

ジアミン成分と酸二無水物成分との割合は、ジアミン成分のアミノ基（－ＮＨ_２）のモル量と、酸二無水物成分の酸無水物基（－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）のモル量が、例えば、等量となるように、調整される。

ポリイミドの前駆体を調製するには、上記したジアミン成分と、上記した酸二無水物成分と、溶媒とを配合して、ワニスを調製し、かかるワニスを加熱して、前駆体溶液を調製する。続いて、前駆体溶液に核剤および多孔化剤を配合して、多孔前駆体溶液を調製する。

その後、多孔前駆体溶液を、厚み方向における金属層２の他方面に塗布して、塗膜を形成する。

その後、塗膜を加熱により乾燥することにより、前駆体フィルムを形成する。上記した加熱によって、溶媒の除去が進行しつつ、核剤を核とした、ポリイミド前駆体と多孔化剤との相分離構造を有する前駆体フィルムが調製される。また、塗膜の加熱によって、厚み方向における前駆体フィルムの一方面にスキン層４が形成される。加熱時間は、例えば、１６０℃以下である。加熱時間は、例えば、１０００秒以下である。

その後、例えば、超臨界二酸化炭素を溶媒として用いる超臨界抽出法により、多孔化剤を前駆体フィルムから抽出する（引き抜く、あるいは、除去する）。これによって、硬化前の多孔質樹脂層３が形成される。

その後、前駆体フィルムを加熱により硬化させる。つまり、前駆体フィルムのイミド化を進行させる。温度は、例えば、３４０℃以上、好ましくは、３５０℃以上、より好ましくは、３６０℃以上であり、また、例えば、４１０℃以下、好ましくは、３９０℃以下、より好ましくは、３８０℃以下、さらに好ましくは、３７０℃以下である。温度が上記した下限以上であれば、多孔質樹脂層３の質量減少率を低減して、イミド化率を適度に高めながら、上記したアスペクト比ＡＲの平均を有する多孔質樹脂層３を形成できる。温度が上記した上限以下であれば、上記したアスペクト比ＡＲの平均を有する多孔質樹脂層３を形成できる。

これによって、硬化後のポリイミドからなる多孔質樹脂層３を形成する。

以上によって、低誘電基板材１を製造する。

１．６ 低誘電基板材１の用途
低誘電基板材１の用途は、限定されない。低誘電基板材１は、例えば、フレキシブル配線板に加工される。その際、低誘電基板材１は、例えば、厚み方向にプレスされる。

また、プレスの前または後には、金属層２は、例えば、エッチングされて、パターンニングされる。

２． 一実施形態の作用効果
この低誘電基板材１では、第１領域３１における複数の閉セル３０のアスペクト比の平均は、０．８０以上、１．２０以下であるので、加工性に優れる。

具体的には、低誘電基板材１の加工時のプレス前後における多孔質樹脂層３の厚みの変動を抑制でき、さらには、多孔質樹脂層３の誘電率および／または誘電正接の変動を抑制できる。

３．変形例
以下の変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

３．１ 第１変形例
加熱（硬化）前の前駆体フィルムを多孔質樹脂層３として取り扱うこともできる。

上記した前駆体フィルムを多孔質樹脂層３として備える低誘電基板材１は、その後の加熱（硬化）による厚みの変動を抑制できる。

３．２ 第２変形例
第１変形例では、図２に示すように、低誘電基板材１は、スキン層４を備えず、別の金属層５をさらに備えることができる。別の金属層５は、厚み方向における低誘電基板材１の他端部に配置される。

多孔質樹脂層３において、別の金属層５は、多孔質樹脂層３の一方面に配置される。具体的には、別の金属層５は、多孔質樹脂層３の一方面に接触する。別の金属層５は、面方向に延びる。別の金属層５は、金属層２と同一の構成を有する。

４等分された領域のうちの２つの領域であって、金属層２に隣接する領域、および、別の金属層５に隣接する領域（仮想線）のそれぞれのアスペクト比ＡＲの平均を算出し、それらのうち低い方の平均を、第１領域３１のアスペクト比ＡＲの平均と定義できる。図２中、金属層２に隣接する領域が第１領域３１とされる場合を括弧外に記載する。図２中、第２金属層４に隣接する領域が第１領域３１とされる場合を括弧内に記載する。

３．３ 他の変形例
図示しないが、低誘電基板材１は、金属層２と、多孔質樹脂層３とを備え、スキン層４および別の金属層５を備えない。

図示しないが、低誘電基板材１は、金属層２と、多孔質樹脂層３と、スキン層４と、別の金属層５とを備える。

図示しないが、スキン層４は、厚み方向における多孔質樹脂層３の一方面および他方面に配置されてもよい。

図示しないが、接着剤層が、厚み方向における多孔質樹脂層３の一方面および他方面に配置されてもよい。

図示しないが、スキン層４は、厚み方向における多孔質樹脂層３の一方面または他方面に配置されてもよい。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

１． 低誘電基板材１の製造
実施例１
ｐ－フェニレンジアミン（ＰＤＡ）（第１ジアミン）０．６６モルと、４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）（第２ジアミン）０．２２モルと、４－アミノフェニル－４－アミノベンゾエート（ＡＰＡＢ）（第３ジアミン）０．２２モルとをＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）で溶解し、ジアミン成分溶液を調製した。続いて、ジアミン成分溶液に３，３’－４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１．００モルを加え、８０℃にて攪拌した。攪拌を止め、放冷して、ポリイミド前駆体溶液を調製した。ポリイミド前駆体溶液の固形分濃度は、１３質量％であった。

ポリイミド前駆体溶液１００質量部に対して、多孔化剤としての重量平均分子量が４００のポリオキシエチレンジメチルエーテル（日油製 グレード：ＭＭ４００）１５０質量部と、核剤としての粒径１μｍ以下のＰＴＦＥ粉末３質量部とを添加し、それらを攪拌して透明な均一溶液を得た。得られた溶液にイミド化触媒として２－メチルイミダゾール４質量部を添加し、ワニスを調製した。ワニスを銅フィルムからなる金属層２へ塗布して、塗膜を形成し、１２０～１６０℃で５４０秒間、加熱して乾燥することによって、ＮＭＰを除去した。これにより、厚み５０μｍ程度のポリイミド前駆体フィルムを、厚み方向における金属層２の一方面に作製した。

その後、超臨界二酸化炭素を溶媒として用いる超臨界抽出法により、多孔化剤の抽出除去、残存ＮＭＰの相分離、および、空孔（閉セル）形成を促進した。これにより、空孔を有する前駆体フィルムを得た。続いて、前駆体フィルムを３６０℃で加熱して、イミド化した。これによって、低誘電基板材１を得た。

実施例２、比較例１、および、比較例２
実施例１と同様にして、低誘電基板材１を得た。但し、イミド化時の加熱温度は、表１に記載の通り、変更した。

２． 評価
各実施例および各比較例の低誘電基板材１に関し、下記の事項を評価した。その結果を表１に記載する。

２．１ 多孔質樹脂層３の質量減少率
多孔質樹脂層３ ２ｍｇを採取して、サンプルを得た。サンプルを４５０℃、１時間、加熱した。加熱後のサンプル質量減少率を下記式に基づいて求めた。

［加熱前のサンプルの質量－加熱後のサンプルの質量］／（加熱後のサンプルの質量）×１００

２．２ 多孔質樹脂層３のイミド化率
下記の装置および方法によって、赤外吸収分光法（ＩＲ）により得られるピークの強度比として、多孔質樹脂層３のイミド化率を算出した。

装置：Ｎｉｃｏｌｅｔ ＩＲ－２００
測定条件：ＡＴＲ ， 積算回数１２８回 ， 分解能 ２ｃｍ^－１
イミド化強度比：１７７３ ｃｍ^－１、および、３０６４ ｃｍ^－１の強度比から、を測定した。続いて、比較例２の多孔質樹脂層３（４２０℃加熱品）を完全硬化品とし、比較例２のイミド化強度比を基準（すなわち、１）として、実施例１、実施例２および比較例１のそれぞれのイミド率を算出した。

２．３ 第１領域３１における閉セル３０のアスペクト比ＡＲの平均
下記の装置および条件によって、低誘電基板材１の断面ＳＥＭ観察を実施して、ＳＥＭ画像を取得した。ＳＥＭ画像において、第１領域３１において観察されるすべて閉セル３０のアスペクト比ＡＲを求め、それらの平均を求めた。

ＳＥＭ装置：ＳＵ８０２０、日立社製
測定条件：加速電圧２．０ ｋＶ
観察倍率：×７５０

２．４ 多孔質樹脂層３の厚み
多孔質樹脂層３の厚みを、厚み計（ＨＫＴ－１２００、フジワーク社製）を用いて測定した。

２．５ 多孔質樹脂層３の厚みの変動
低誘電基板材１を、４５０℃で、１時間加熱した。加熱後の低誘電基板材１の厚みを求めた。そして、加熱後の低誘電基板材１の厚みの変動を求めた。

続いて、加熱後の低誘電基板材１を、５ＭＰａで、５分間プレスした。プレス後の低誘電基板材１の厚みを求めた。そして、プレス後の低誘電基板材１の厚みの変動を求めた。

２．６ 多孔質樹脂層３の誘電率および誘電正接
１０ＧＨｚにおける多孔質樹脂層３の誘電率および誘電正接のそれぞれを、下記の装置および方法により、求めた。

装置：ＰＮＡネットワークアナライザー（アジレント・テクノロジー社製）
Ｓｐｌｉｔ Ｐｏｓｔ 誘電体共振器（ＳＰＤＲ）法により、求めた。

１ 低誘電基板材
２ 金属層
３ 多孔質樹脂層
５ 金属層

Claims (1)

1. 金属層と、厚み方向における前記金属層の一方面に配置される多孔質樹脂層とを備え、
   前記多孔質樹脂層は、前記多孔質樹脂層を厚み方向に４等分したときに、前記金属層から離れる方向に向かって順に位置する第１領域と、第２領域と、第３領域と、第４領域とを含み、
   少なくとも前記第１領域は、樹脂マトリクス中に互いに独立する複数の閉セルを有し、
   前記第１領域における複数の前記閉セルのアスペクト比であって、断面視において、厚み方向における前記閉セルの長さＬ２に対する、前記厚み方向に直交する方向における前記閉セルの長さＬ１の比であるアスペクト比（Ｌ１／Ｌ２）の平均は、０．８０以上、１．２０以下である、低誘電基板材。