TW202330257A - 低介電基板材料 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種加工性優異之低介電基板材料。 本發明之低介電基板材料1具備：金屬層2、及配置於厚度方向上之金屬層2之一面之多孔質樹脂層3。於沿厚度方向對多孔質樹脂層3進行4等分時，該多孔質樹脂層3包含朝向逐漸遠離金屬層2之方向依序分佈之第1區域31、第2區域32、第3區域33、及第4區域34。第1區域31具有於樹脂基質35中互相獨立之複數個封閉泡孔30，第1區域31中之複數個封閉泡孔30之縱橫比AR之平均值為0.80以上1.20以下。縱橫比AR之平均值係於剖面觀察下，與厚度方向正交之方向上之封閉泡孔30之長度L1相對於厚度方向上之封閉泡孔30之長度L2之比(L1/L2)。

Description

低介電基板材料

本發明係關於一種低介電基板材料。

已知有一種低介電基板材料，其具備：金屬層、及配置於厚度方向上之金屬層之一面之多孔質樹脂層(例如參照下述專利文獻1)。

低介電基板材料例如可加工成軟性配線板等。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2019-123851號公報

[發明所欲解決之問題]

對於低介電基板材料，要求其具有優異之加工性。然而，憑藉專利文獻1之低介電基板材料所能謀求之上述物性是有限的。

本發明提供一種加工性優異之低介電基板材料。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包括一種低介電基板材料，其具備金屬層、及配置於厚度方向上之上述金屬層之一面之多孔質樹脂層，且於沿厚度方向將上述多孔質樹脂層進行4等分時，上述多孔質樹脂層包含朝向逐漸遠離上述金屬層之方向依序分佈之第1區域、第2區域、第3區域及第4區域，至少上述第1區域具有於樹脂基質中互相獨立之複數個封閉泡孔，作為上述第1區域中之複數個上述封閉泡孔之縱橫比之平均值，即，於剖面觀察下，與厚度方向正交之方向上之上述封閉泡孔之長度L1相對於上述厚度方向上之上述封閉泡孔之長度L2之比即縱橫比(L1/L2)之平均值為0.80以上1.20以下。 [發明之效果]

本發明之低介電基板材料之加工性優異。

1. 低介電基板材料1

參照圖1對本發明之低介電基板材料之一實施方式進行說明。

低介電基板材料1具有厚度。低介電基板材料1沿面方向延伸。面方向與厚度方向正交。低介電基板材料1具有板狀。低介電基板材料1具有可撓性。低介電基板材料1之厚度並無特別限定。低介電基板材料1之厚度例如為5 μm以上，且例如為2,000 μm以下。

1.1 低介電基板材料1之層構成 低介電基板材料1朝向厚度方向之一側依序具備：金屬層2、多孔質樹脂層3、及表層4。即，低介電基板材料1具備：金屬層2、配置於厚度方向上之金屬層2之一面之多孔質樹脂層3、及配置於厚度方向上之多孔質樹脂層3之一面之表層4。於本實施方式中，較佳為低介電基板材料1僅具備金屬層2、多孔質樹脂層3及表層4。

1.2 金屬層2 金屬層2配置於厚度方向上之低介電基板材料1之另一端部。金屬層2形成厚度方向上之低介電基板材料1之另一面。金屬層2沿面方向延伸。具體而言，金屬層2為金屬膜。作為金屬，例如可例舉：銅、鐵、銀、金、鋁、鎳、及其等之合金(不鏽鋼、青銅)。作為金屬，較佳可例舉銅。金屬層2之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

1.3 多孔質樹脂層3 多孔質樹脂層3與厚度方向上之金屬層2之一面接觸。多孔質樹脂層3具有厚度。多孔質樹脂層3沿面方向延伸。多孔質樹脂層3於整個厚度方向上，具有於樹脂基質中互相獨立之複數個封閉泡孔30。封閉泡孔30完全被樹脂基質覆蓋，與相鄰之泡孔並不連通。又，封閉泡孔30並非內部朝向金屬層2或表層4之開放泡孔。

於沿厚度方向將多孔質樹脂層3進行4等分時，多孔質樹脂層3朝向逐漸遠離金屬層2之方向依序包含第1區域31、第2區域32、第3區域33、及第4區域34。於多孔質樹脂層3中，第1區域31、第2區域32、第3區域33、及第4區域34朝向厚度方向之一側依序分佈。

1.3.1 第1區域31 第1區域31在厚度方向上位於多孔質樹脂層3之另一側末端。第1區域31與厚度方向上之金屬層2之一面接觸。第1區域31具有上述封閉泡孔30。

第1區域31中之複數個封閉泡孔30之縱橫比之平均值為0.80以上1.20以下。

若第1區域中之複數個封閉泡孔30之縱橫比AR之平均值未達0.80、或超過1.20，則低介電基板材料1之加工性降低。加工性包括如下性質：即便藉由加熱而使完全硬化前(下述)之前驅物膜硬化，甚至對低介電基板材料1進行加壓，物性仍不易發生變動。物性包括：多孔質樹脂層3之厚度、介電常數及/或介電損耗因數。

上述縱橫比AR係以剖面形式觀察多孔質樹脂層3時，正交方向上之封閉泡孔之長度L1相對於厚度方向上之封閉泡孔30之長度L2之比。正交方向與厚度方向正交，相當於圖1中之左右方向。

第1區域中之複數個封閉泡孔30之縱橫比AR之平均值較佳為0.85以上，更佳為0.90以上，進而較佳為0.95以上，又，較佳為1.15以下，更佳為1.10以下，進而較佳為1.05以下。若第1區域中之複數個封閉泡孔30之縱橫比AR之平均值為上述上限以下、或上述下限以上，則可進一步提高低介電基板材料1之加工性。

封閉泡孔30之泡孔之長度方向長度之平均值例如為1 μm以上100 μm以下。再者，若縱橫比AR之平均值為1，則封閉泡孔30之泡孔之長度方向長度之平均值相當於泡孔直徑。

再者，第1區域31除封閉泡孔30以外，亦可包含上述開放泡孔。

1.3.2 第2區域32～第4區域34 第2區域32、第3區域33、及第4區域34分別具有與上述第1區域31同樣之構成。其中，第2區域32、第3區域33、及第4區域34各者中之複數個封閉泡孔30之縱橫比AR之平均值例如為0.80以上1.20以下。

就下述製造方法之觀點而言，於第1區域31～第4區域34中，第1區域31之縱橫比AR之平均值容易偏離1.0。然而，如本發明所述，於第1區域31～第4區域34中，第1區域31之縱橫比AR之平均值為0.80以上1.20以下，藉此第2區域32～第4區域34各者中之縱橫比AR之平均值亦自然地成為0.80以上1.20以下。

又，第2區域32～第4區域34中之封閉泡孔30之泡孔之長度方向長度之平均值例如與第1區域31相同或大於第1區域31。

1.3.3 多孔質樹脂層3之材料 多孔質樹脂層3之材料為樹脂。樹脂並無限定。具體而言，作為樹脂，例如可例舉：聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、含氟聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、矽酮樹脂、熱固性聚胺酯樹脂、氟樹脂(包括聚四氟乙烯(PTFE))、及液晶聚合物(LCP)。其等可單獨使用或併用兩種以上。於上述樹脂中，較佳可例舉聚醯亞胺樹脂。關於包含聚醯亞胺樹脂之物性及製造方法在內之詳情，例如於WO2018/186486號及日本專利特開2020-172667號公報中有所記載。再者，聚醯亞胺樹脂有時簡稱為聚醯亞胺。

1.3.4 多孔質樹脂層3之其他物性

將多孔質樹脂層3於450℃下加熱1小時後之質量減少率例如為3.0質量%以下，較佳為2.0質量%以下，更佳為1.8質量%以下，又，例如為0.1質量%以上，較佳為1.5質量%以上。

若多孔質樹脂層3之質量減少率為上述上限以下，則可抑制加熱及/或加壓時之多孔質樹脂層3之介電常數及/或介電損耗因數之變動。多孔質樹脂層3之質量減少率之測定方法記載於下述實施例中。

於多孔質樹脂層3包含聚醯亞胺之情形時，多孔質樹脂層3之醯亞胺化率例如為0.920以上，較佳為0.950以上。

若多孔質樹脂層3之醯亞胺化率為上述下限以上，則可抑制熱加工時之多孔質樹脂層3之介電常數及/或介電損耗因數之變動。多孔質樹脂層3之醯亞胺化率之測定方法記載於下述實施例中。

多孔質樹脂層3之孔隙率例如為50%以上，較佳為60%以上，更佳為70%以上。再者，多孔質樹脂層3之孔隙率例如未達100%，進而為99%以下。於多孔質樹脂層3包含聚醯亞胺之情形時，孔隙率係根據下述式而求出。

孔隙率(%)＝(1－多孔質樹脂層3之比重/聚醯亞胺之比重)×100

多孔質樹脂層3於頻率10 GHz下之介電常數例如為1.63以下，又，例如為1.55以上。多孔質樹脂層3之介電常數係藉由諧振器法而測定。

多孔質樹脂層3於頻率10 GHz下之介電損耗因數例如為0.006以下，較佳為0.005以下，更佳為0.004以下，進而較佳為0.003以下，又，例如為0.002以上。多孔質樹脂層3之介電損耗因數係藉由諧振器法而測定。

多孔質樹脂層3之厚度例如為2 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為1,000 μm以下，較佳為500 μm以下。

1.4 表層4 表層4配置於厚度方向上之低介電基板材料1之一端部。表層4形成厚度方向上之低介電基板材料1之一面。表層4沿面方向延伸。表層4與厚度方向上之多孔質樹脂層3之一面接觸。例如，表層4為包含與多孔質樹脂層3之樹脂相同之樹脂之緻密膜。表層4之厚度例如為1 μm以上，又，例如為50 μm以下。表層4之孔隙率為0.1%以下，進而為0%。

1.5 低介電基板材料1之製造方法 對低介電基板材料1之製造方法進行說明。

首先，準備金屬層2。

繼而，製備包含上述樹脂之前驅物、多孔化劑、成核劑及溶劑之清漆，繼而，將清漆塗佈於厚度方向上之金屬層2之一面而形成塗膜。關於清漆中之多孔化劑、成核劑及溶劑之種類及調配比率等，例如於WO2018/186486號中有所記載。

對樹脂為聚醯亞胺之情形進行說明。聚醯亞胺之前驅物例如為二胺成分與酸二酐成分之反應產物。作為二胺成分，例如可例舉芳香族二胺、及脂肪族二胺。就獲得上述上限以下之拉伸彈性模數之觀點而言，二胺成分較佳可例舉芳香族二胺。

又，二胺成分及酸二酐成分分別可單獨使用或併用。具體而言，較佳可例舉單獨使用芳香族二胺作為二胺成分。

作為芳香族二胺，可例舉：第一二胺、第二二胺、及第三二胺。

第一二胺含有單數芳香環。作為第一二胺，例如可例舉：苯二胺、二甲基苯二胺、及乙基甲基苯二胺。較佳可例舉苯二胺。作為苯二胺，例如可例舉：鄰苯二胺、間苯二胺、及對苯二胺。作為苯二胺，較佳可例舉對苯二胺。對苯二胺有時簡稱為PDA。

第二二胺含有：複數個芳香環、及配置於其等之間之醚鍵。作為第二二胺，例如可例舉氧二苯胺。作為氧二苯胺，例如可例舉：3,4'-氧二苯胺、及4,4'-氧二苯胺。較佳可例舉4,4'-氧二苯胺(別名：4,4-二胺基二苯醚)。4,4'-氧二苯胺有時簡稱為ODA。

第三二胺含有：複數個芳香環、及配置於其等之間之酯鍵。作為第三二胺，例如可例舉胺基苯基胺基苯甲酸酯，較佳可例舉4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯。4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯有時簡稱為APAB。

再者，作為芳香族二胺，除第一二胺至第三二胺以外，例如亦可例舉：4,4'-亞甲基二苯胺、4,4'-二亞甲基二苯胺、4,4'-三亞甲基二苯胺、及雙(4-胺基苯基)碸。

上述二胺成分可單獨使用，又，可將其等併用。作為二胺成分，較佳可例舉第一二胺、第二二胺及第三二胺之組合。更佳可例舉對苯二胺(PDA)、4,4'-氧二苯胺(ODA)及4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯(APAB)之組合。

二胺成分中之第一二胺之莫耳分率例如為10莫耳%以上，較佳為20莫耳%以上，又，例如為70莫耳%以下，較佳為65莫耳%以下。二胺成分中之第二二胺之莫耳分率例如為5莫耳%以上，較佳為10莫耳%以上，又，例如為40莫耳%以下，較佳為30莫耳%以下。二胺成分中之第三二胺之莫耳分率例如為5莫耳%以上，例如10莫耳%以上，又，例如為40莫耳%以下，較佳為30莫耳%以下。

又，相對於第一二胺與第二二胺之合計100莫耳份，第三二胺之莫耳份例如為5莫耳份以上，較佳為10莫耳份以上，更佳為20莫耳份以上，又，例如為100莫耳份以下，較佳為50莫耳份以下，更佳為30莫耳份以下。

酸二酐成分並無限定。酸二酐成分例如含有包含芳香環之酸二酐。作為包含芳香環之酸二酐，例如可例舉芳香族四羧酸二酐。作為芳香族四羧酸二酐，例如可例舉：苯四羧酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、聯苯碸四羧酸二酐、及萘四羧酸二酐。其等可單獨使用或併用。作為包含芳香環之酸二酐，較佳可例舉聯苯四羧酸二酐。作為聯苯四羧酸二酐，例如可例舉：3,3'-4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2'-3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、及3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐。作為聯苯四羧酸二酐，較佳可例舉3,3'-4,4'-聯苯四羧酸二酐。再者，3,3'-4,4'-聯苯四羧酸二酐有時簡稱為BPDA。

二胺成分與酸二酐成分之比率係以如下方式進行調整，即，將二胺成分之胺基(-NH ₂)之莫耳量與酸二酐成分之酸酐基(-CO-O-CO-)之莫耳量調整為例如等量。

於製備聚醯亞胺之前驅物時，調配上述二胺成分、上述酸二酐成分、及溶劑而製備清漆，加熱該清漆而製備前驅物溶液。繼而，於前驅物溶液中調配成核劑及多孔化劑，從而製備多孔前驅物溶液。

其後，將多孔前驅物溶液塗佈於厚度方向上之金屬層2之一面，形成塗膜。

其後，藉由加熱使塗膜乾燥，藉此形成前驅物膜。藉由上述加熱而去除溶劑，並且製備以成核劑作為核之具有聚醯亞胺前驅物與多孔化劑之相分離結構之前驅物膜。又，藉由對塗膜進行加熱，而於厚度方向上之前驅物膜之一面形成表層4。加熱時間例如為160℃以下。加熱時間例如為1000秒以下。

其後，例如，藉由使用超臨界二氧化碳作為溶劑之超臨界萃取法，自前驅物膜中萃取(提取或者去除)多孔化劑。藉此，形成硬化前之多孔質樹脂層3。

其後，藉由加熱使前驅物膜硬化。亦即，進行前驅物膜之醯亞胺化。溫度例如為340℃以上，較佳為350℃以上，更佳為360℃以上，又，例如為410℃以下，較佳為390℃以下，更佳為380℃以下，進而較佳為370℃以下。若溫度為上述下限以上，則可降低多孔質樹脂層3之質量減少率，適度地提高醯亞胺化率，並且可形成具有上述縱橫比AR之平均值之多孔質樹脂層3。若溫度為上述上限以下，則可形成具有上述縱橫比AR之平均值之多孔質樹脂層3。

藉此，形成包含硬化後之聚醯亞胺之多孔質樹脂層3。

藉由以上方式而製造低介電基板材料1。

1.6 低介電基板材料1之用途 低介電基板材料1之用途並無限定。低介電基板材料1例如可加工成軟性配線板。此時，低介電基板材料1例如於厚度方向上被加壓。

又，於加壓之前或之後，例如對金屬層2進行蝕刻而進行圖案化。

2. 一實施方式之作用效果 於該低介電基板材料1中，第1區域31中之複數個封閉泡孔30之縱橫比之平均值為0.80以上1.20以下，故加工性優異。

具體而言，可抑制低介電基板材料1之加工時之加壓前後之多孔質樹脂層3之厚度之變動，進而，可抑制多孔質樹脂層3之介電常數及/或介電損耗因數之變動。

3. 變化例 以下之變化例中，對與上述一實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細說明。又，只要未特別說明，變化例便可發揮與一實施方式相同之作用效果。進而，可適當地組合一實施方式及其變化例。

3.1 第1變化例 可將加熱(硬化)前之前驅物膜視作多孔質樹脂層3。

具備上述前驅物膜作為多孔質樹脂層3之低介電基板材料1可抑制隨後之加熱(硬化)所引起之厚度之變動。

3.2 第2變化例 於第1變化例中，如圖2所示，低介電基板材料1可進而具備另一金屬層5而不具備表層4。另一金屬層5配置於厚度方向上之低介電基板材料1之另一端部。

於多孔質樹脂層3中，另一金屬層5配置於多孔質樹脂層3之一面。具體而言，另一金屬層5與多孔質樹脂層3之一面接觸。另一金屬層5沿面方向延伸。另一金屬層5具有與金屬層2相同之構成。

可算出4等分區域中之兩個區域、即與金屬層2相鄰之區域、及與另一金屬層5相鄰之區域(假想線)各自之縱橫比AR之平均值，將其等中較小者之平均值定義為第1區域31之縱橫比AR之平均值。圖2中，於將與金屬層2相鄰之區域視為第1區域31之情形時，於括號外進行記載。圖2中，於將與另一金屬層5相鄰之區域視為第1區域31之情形時，於括號內進行記載。

3.3 其他變化例 雖未圖示，但低介電基板材料1可具備金屬層2及多孔質樹脂層3，且不具備表層4及另一金屬層5。

雖未圖示，但低介電基板材料1可具備金屬層2、多孔質樹脂層3、表層4、及另一金屬層5。

雖未圖示，但表層4可配置於厚度方向上之多孔質樹脂層3之一面及另一面。

雖未圖示，但接著劑層可配置於厚度方向上之多孔質樹脂層3之一面及另一面。

雖未圖示，但表層4可配置於厚度方向上之多孔質樹脂層3之一面或另一面。 [實施例]

以下，示出實施例及比較例以更具體地說明本發明。再者，本發明並不限定於任何實施例及比較例。又，以下之記載中所用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等之具體數值可替換為上述「實施方式」中所載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。

1. 低介電基板材料1之製造 實施例1 利用N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)將對苯二胺(PDA)(第一二胺)0.66莫耳、4,4'-氧二苯胺(ODA)(第二二胺)0.22莫耳、及4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯(APAB)(第三二胺)0.22莫耳進行溶解，而製備二胺成分溶液。繼而，向二胺成分溶液中添加3,3'-4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)1.00莫耳，於80℃下進行攪拌。停止攪拌，進行放冷，而製備聚醯亞胺前驅物溶液。 聚醯亞胺前驅物溶液之固形物成分濃度為13質量%。

相對於聚醯亞胺前驅物溶液100質量份，添加作為多孔化劑之重量平均分子量為400之聚氧乙烯二甲醚(日油製造 等級：MM400)150質量份、及作為成核劑之粒徑1 μm以下之PTFE粉末3質量份，對其等進行攪拌而獲得透明之均勻溶液。向所得之溶液中添加2-甲咪唑4質量份作為醯亞胺化觸媒，而製備清漆。將清漆塗佈於包含銅膜之金屬層2，形成塗膜，於120～160℃下加熱540秒而使其乾燥，藉此去除NMP。藉此，於厚度方向上之金屬層2之一面製作厚度50 μm左右之聚醯亞胺前驅物膜。

其後，藉由使用超臨界二氧化碳作為溶劑之超臨界萃取法，促進多孔化劑之萃取去除、殘留NMP之相分離、及孔隙(封閉泡孔)之形成。藉此，獲得具有孔隙之前驅物膜。繼而，於360℃下加熱前驅物膜而進行醯亞胺化。藉此，獲得低介電基板材料1。

實施例2、比較例1、及比較例2 與實施例1同樣地獲得低介電基板材料1。但，將醯亞胺化時之加熱溫度如表1中所記載般進行變更。

2. 評價 對於各實施例及各比較例之低介電基板材料1，評價下述事項。將其結果記載於表1中。

2.1 多孔質樹脂層3之質量減少率 收集2 mg之多孔質樹脂層3而獲得樣品。將樣品於450℃下加熱1小時。根據下述式求出加熱後之樣品質量減少率。

[加熱前之樣品之質量－加熱後之樣品之質量]/(加熱後之樣品之質量)×100

2.2 多孔質樹脂層3之醯亞胺化率 藉由下述裝置及方法，以利用紅外吸收光譜法(IR)所獲得之波峰之強度比之形式，算出多孔質樹脂層3之醯亞胺化率。

裝置：Nicolet IR-200 測定條件：ATR(Attenuated Total Reflection，衰減全反射法)，累計次數128次，解析度 2 cm ^-1醯亞胺化強度比：1773 cm ^-1、及3064 cm ^-1之強度比；根據以上裝置及方法而測定。繼而，以比較例2之多孔質樹脂層3(420℃加熱品)作為完全硬化品，以比較例2之醯亞胺化強度比作為基準(即1)，算出實施例1、實施例2及比較例1各自之醯亞胺率。

2.3 第1區域31中之封閉泡孔30之縱橫比AR之平均值 藉由下述裝置及條件，實施低介電基板材料1之剖面SEM觀察，獲得SEM圖像。求出於SEM圖像中在第1區域31中所觀察到之所有封閉泡孔30之縱橫比AR，求出其等之平均值。

SEM裝置：SU8020，日立公司製造 測定條件：加速電壓2.0 kV 觀察倍率：×750

2.4 多孔質樹脂層3之厚度 使用厚度計(HKT-1200，Fuji Work公司製造)測定多孔質樹脂層3之厚度。

2.5 多孔質樹脂層3之厚度之變動 將低介電基板材料1於450℃下加熱1小時。求出加熱後之低介電基板材料1之厚度。繼而，求出加熱後之低介電基板材料1之厚度之變動。

繼而，於5 MPa下對加熱後之低介電基板材料1加壓5分鐘。求出加壓後之低介電基板材料1之厚度。繼而，求出加壓後之低介電基板材料1之厚度之變動。

2.6 多孔質樹脂層3之介電常數及介電損耗因數 藉由下述裝置及方法分別求出多孔質樹脂層3於10 GHz下之介電常數及介電損耗因數。

裝置：PNA Network Analyzer(安捷倫科技公司製造) 分離柱電介質諧振器(SPDR)法；藉由上述裝置及方法而求出。

[表1]

表1
	實施例1	實施例2	比較例1	比較例2
加熱(醯亞胺化)溫度(℃)	360	380	330	420
多孔質樹脂層之質量減少率(%)	1.7	1.3	4.2	1.4
多孔質樹脂層之根據IR強度比所獲得之醯亞胺化率	0.972	0.994	0.917	1.000
多孔質樹脂層中之第1區域之封閉泡孔之縱橫比AR之平均值	1.01	0.80	1.38	0.60
低介電基板材料之厚度之變動(加熱後)(%)	-0.7	3.8	-6.5	9.7
低介電基板材料之厚度之變動(加壓後)(%)	-0.4	-0.6	-0.7	-3.5
多孔質樹脂層之介電常數	1.61	1.56	1.65	1.54
多孔質樹脂層之介電損耗因數	0.0025	0.0022	0.0069	0.0018

再者，上述發明係作為本發明之例示實施方式而提供，其僅為示例，不應限定性地進行解釋。該技術領域之從業者所知之本發明之變化例包含於下述發明申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]

低介電基板材料可加工成軟性配線板。

1:低介電基板材料 2:金屬層 3:多孔質樹脂層 4:表層 5:另一金屬層 30:封閉泡孔 31:第1區域 32:第2區域 33:第3區域 34:第4區域

圖1係本發明之低介電基板材料之一實施方式之剖視圖。 圖2係低介電基板材料之變化例之剖視圖。 圖3係實施例1之低介電基板材料之SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)照片之圖像處理圖。 圖4係實施例2之低介電基板材料之SEM照片之圖像處理圖。 圖5係比較例1之低介電基板材料之SEM照片之圖像處理圖。 圖6係比較例2之低介電基板材料之SEM照片之圖像處理圖。

1:低介電基板材料

2:金屬層

3:多孔質樹脂層

4:表層

30:封閉泡孔

31:第1區域

32:第2區域

33:第3區域

34:第4區域

Claims (1)

1. 一種低介電基板材料，其具備金屬層、及配置於厚度方向上之上述金屬層之一面之多孔質樹脂層，且 於沿厚度方向將上述多孔質樹脂層進行4等分時，上述多孔質樹脂層包含朝向逐漸遠離上述金屬層之方向依序分佈之第1區域、第2區域、第3區域及第4區域， 至少上述第1區域具有於樹脂基質中互相獨立之複數個封閉泡孔， 作為上述第1區域中之複數個上述封閉泡孔之縱橫比，即，於剖面觀察下，與厚度方向正交之方向上之上述封閉泡孔之長度L1相對於上述厚度方向上之上述封閉泡孔之長度L2之比即縱橫比(L1/L2)之平均值為0.80以上1.20以下。