JP2023086789A5

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Publication number: JP2023086789A5
Application number: JP2023064328A
Authority: JP
Filing date: 2023-04-11
Publication date: 2023-09-13

Description

（剥離層形成組成物２）
市販のビフェニルノボラック樹脂３０ｇ（式（Ｃ１－３－１－３）、日本化薬社製）に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３３１ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、レーザーデボンドに用いる剥離層形成組成物２の溶液を調製した。

Claims

支持体と被加工物との間に剥離可能に接着した中間層を有し被加工物を加工するための積層体であり、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）は窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基、（Ｃ２）は第２級炭素原子、第４級炭素原子、又は芳香族環を側鎖に有する第３級炭素原子を形成する基、（Ｃ３）は脂肪族多環化合物に由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂であり、
ヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）とポリジメチルシロキサンを含む成分（Ｂ）とを含む接着層を前記中間層に含み、
前記成分（Ｂ）が１０００ｍｍ ^２／ｓ～２００００００ｍｍ ^２／ｓの粘度を有するポリジメチルシロキサンである、
上記積層体。
支持体と樹脂で固定された複数のチップの再配線層との間に剥離可能に接着した中間層を有し、支持体を剥離した後に樹脂で固定化された再配線層付チップを複数個のチップから少数個のチップに切断するための積層体であって、該中間層は少なくとも支持体側に接
した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）は窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基、（Ｃ２）は第２級炭素原子、第４級炭素原子、又は芳香族環を側鎖に有する第３級炭素原子を形成する基、（Ｃ３）は脂肪族多環化合物に由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂であり、
ヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）とポリジメチルシロキサンを含む成分（Ｂ）とを含む接着層を前記中間層に含み、
前記成分（Ｂ）が１０００ｍｍ ^２／ｓ～２００００００ｍｍ ^２／ｓの粘度を有するポリジメチルシロキサンである、
上記積層体。
支持体とウェハーの回路面との間に剥離可能に接着した中間層を有しウェハーの裏面を研磨するための積層体であり、該中間層はウェハー側に接した接着層と支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）は窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基、（Ｃ２）は第２級炭素原子、第４級炭素原子、又は芳香族環を側鎖に有する第３級炭素原子を形成する基、（Ｃ３）は脂肪族多環化合物に由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂であり、
ヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）とポリジメチルシロキサンを含む成分（Ｂ）とを含む接着層を前記中間層に含み、
前記成分（Ｂ）が１０００ｍｍ ^２／ｓ～２００００００ｍｍ ^２／ｓの粘度を有するポリジメチルシロキサンである、
上記積層体。
支持体と被加工物との間に剥離可能に接着した中間層を有し被加工物を加工するための積層体であり、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）はカルバゾール、又はフェニルナフチルアミンに由来する基、（Ｃ２）は第２級炭素原子、第４級炭素原子、又は芳香族環を側鎖に有する第３級炭素原子を形成する基、（Ｃ３）は脂肪族多環化合物に由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂である上記積層体。
支持体と樹脂で固定された複数のチップの再配線層との間に剥離可能に接着した中間層を有し、支持体を剥離した後に樹脂で固定化された再配線層付チップを複数個のチップから少数個のチップに切断するための積層体であって、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）はカルバゾール、又はフェニルナフチルアミンに由来する基、（Ｃ２）は第２級炭素原子、第４級炭素原子、又は芳香族環を側鎖に有する第３級炭素原子を形成する基、（Ｃ３）は脂肪族多環化合物に由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂である上記積層体。
支持体とウェハーの回路面との間に剥離可能に接着した中間層を有しウェハーの裏面を研磨するための積層体であり、該中間層はウェハー側に接した接着層と支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）はカルバゾール、又はフェニルナフチルアミンに由来する基、（Ｃ２）は第２級炭素原子、第４級炭素原子、又は芳香族環を側鎖に有する第３級炭素原子を形成する基、（Ｃ３）は脂肪族多環化合物に由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂である上記積層体。
支持体と被加工物との間に剥離可能に接着した中間層を有し被加工物を加工するための積層体であり、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）は窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基、（Ｃ２）は１－ナフトアルデヒド、１－ピレンカルボキシアルデヒド、又は４－（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒドに由来する基、（Ｃ３）はジシクロペンタジエンに由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂である上記積層体。
支持体と樹脂で固定された複数のチップの再配線層との間に剥離可能に接着した中間層を有し、支持体を剥離した後に樹脂で固定化された再配線層付チップを複数個のチップから少数個のチップに切断するための積層体であって、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）は窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基、（Ｃ２）は１－ナフトアルデヒド、１－ピレンカルボキシアルデヒド、又は４－（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒドに由来する基、（Ｃ３）はジシクロペンタジエンに由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂である上記積層体。
支持体とウェハーの回路面との間に剥離可能に接着した中間層を有しウェハーの裏面を研磨するための積層体であり、該中間層はウェハー側に接した接着層と支持体側に接した
剥離層を含み、
該剥離層が下記（Ｃ１－１）単位構造、（Ｃ１－２）単位構造、（Ｃ１－３）単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせ：

（上記式中、（Ｃ１）は窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基、（Ｃ２）は１－ナフトアルデヒド、１－ピレンカルボキシアルデヒド、又は４－（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒドに由来する基、（Ｃ３）はジシクロペンタジエンに由来する基、（Ｃ４）はフェノール、ビスフェノール、ナフトール、ビフェノール、又はそれらの組み合わせに由来する基である。）を含むポリマー（Ｃ）を含み、
そして、該ポリマー（Ｃ）が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂である上記積層体。
剥離層の光透過率が波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの範囲で１～９０％である請求項１乃至請求項９の何れか１項に記載の積層体。
上記波長の光の吸収により生ずる変質が、ノボラック樹脂の光分解である請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載の積層体。
成分（Ａ）が、ＳｉＯ_２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ^１乃至Ｒ^６はそれぞれＳｉ－Ｃ結合又はＳｉ－Ｈ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１～１０のアルキル基と炭素原子数２～１０のアルケニル基を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１～１０のアルキル基と水素原子を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含むものである請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の積層体。
成分（Ａ）が更に抑制剤（Ａ３）を含む請求項１乃至請求項３及び請求項１２の何れか１項に記載の積層体。
成分（Ｂ）が１００００ｍｍ^２／ｓ～１００００００ｍｍ^２／ｓの粘度を有するポリジメチルシロキサンである請求項１乃至請求項３、請求項１２及び請求項１３の何れか１項に記載の積層体。
接着剤中の成分（Ａ）と成分（Ｂ）が質量％で８０：２０～５０：５０の割合である請求項１乃至請求項３及び請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項に記載の積層体。
ウェハーの回路面に請求項１乃至請求項３及び請求項１０乃至請求項１５の何れか１項に記載の接着層を形成するための接着剤を塗布し接着層を形成する工程と、支持体上に請求項１乃至請求項１５の何れか１項に記載の剥離層を形成するための剥離層形成組成物を塗布し剥離層を形成する工程と、接着層と剥離層が接するように貼り合わせ１２０℃～３００℃で加熱して接合する工程とを含む請求項３、請求項６、請求項９乃至請求項１１の
何れか１項に記載の積層体の製造方法。
上記貼り合わせが１０Ｐａ～１００００Ｐａの減圧下で行われる請求項１６に記載の積層体の製造方法。
支持体がガラス基板であり、支持体側から波長１９０ｎｍ～４００ｎｍの光を照射する請求項１乃至請求項１１の何れか１項に記載の支持体と被加工物の剥離方法。
請求項１８に記載の被加工物がウェハーであり、支持体とウェハーの剥離後、支持体又はウェハーから接着層又は剥離層をテープにより取り除く除去方法。