JP2014103229A - 剥離装置、処理装置、剥離方法および処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハの外周部に回り込んだ接着剤を効率よく除去することができる剥離装置を提供する。
【解決手段】剥離装置100は、剥離剤浸透部110、サポートガラス剥離部120および接着剤剥離部130を備える。剥離剤浸透部110は、半導体ウェハ210に対する接着剤230の接着力を弱める剥離剤150を半導体ウェハ積層体200における接着剤230に浸透させる。サポートガラス剥離部120は、剥離剤浸透部110によって処理された半導体ウェハ積層体200からサポートガラス220を剥離させる。接着剤剥離部130は、サポートガラス剥離部120によってサポートガラス220が剥離された半導体ウェハ積層体200から接着剤230を剥離させる。
【選択図】図2
【解決手段】剥離装置100は、剥離剤浸透部110、サポートガラス剥離部120および接着剤剥離部130を備える。剥離剤浸透部110は、半導体ウェハ210に対する接着剤230の接着力を弱める剥離剤150を半導体ウェハ積層体200における接着剤230に浸透させる。サポートガラス剥離部120は、剥離剤浸透部110によって処理された半導体ウェハ積層体200からサポートガラス220を剥離させる。接着剤剥離部130は、サポートガラス剥離部120によってサポートガラス220が剥離された半導体ウェハ積層体200から接着剤230を剥離させる。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ウェハに付着した接着剤を除去する剥離装置、この剥離装置を備える処理装置、半導体ウェハに付着した接着剤を除去する剥離方法、および、この剥離方法を備える処理方法に関する。
半導体ウェハは、カーボン製のスライスベースを半導体用接着剤により接着した状態で、スライサーによりスライスベースごとスライスされて処理される。半導体ウェハからスライスベースを剥離するためには、接着剤を除去する必要がある。
そこで、半導体ウェハとスライスベースを貼り合わせている接着剤を軟化させるための温水槽の水温を半導体ウェハとスライスベースの接着剤の接着力に応じた適正な温度に制御することにより、良好なスライスベース剥離が可能となるスライスベース自動剥離方法が開発されている(例えば、特許文献1参照。)。
ところで、半導体ウェハを処理する装置として、貼合装置および剥離装置がある。貼合装置は、まず、半導体ウェハに接着剤を塗布し、次に、半導体ウェハを接着剤を介してLTHC膜の付いたガラスと貼り合わせ、最後に、接着剤をUV硬化させて半導体ウェハ積層体を製造する。剥離装置は、まず、半導体ウェハ積層体における半導体ウェハを薄片化し、次に、レーザをLTHC膜に照射してガラスを剥がし、最後に、接着剤をテープにて取り除く。
剥離装置において半導体ウェハの全体を薄片化すると、半導体ウェハを支持する部材が別途必要になるため、近年では、半導体ウェハの中心部のみ薄片化する技術が主流となりつつある。
しかしながら、このような半導体ウェハに接着剤を塗布すると、接着剤が半導体ウェハの外周部に回り込むため、半導体ウェハに接着した接着剤を除去する際に半導体ウェハの外周部の接着剤が除去されずに残る問題があった。
そこで、本発明の目的は、上記課題に鑑み、半導体ウェハの外周部に回り込んだ接着剤を効率よく除去することにある。
本発明に係る剥離装置は、半導体ウェハ積層体を処理する。半導体ウェハ積層体は、半導体ウェハ、半導体ウェハをサポートするサポート部材および半導体ウェハとサポート部材を貼り合わせる接着剤から構成される。
本発明に係る剥離装置は、剥離剤浸透部、サポート部材剥離部および接着剤剥離部を備える。
剥離剤浸透部は、半導体ウェハに対する接着剤の接着力を弱める剥離剤を半導体ウェハ積層体における接着剤に浸透させる。サポート部材剥離部は、剥離剤浸透部によって処理された半導体ウェハ積層体からサポート部材を剥離させる。接着剤剥離部は、サポート部材剥離部によってサポート部材が剥離された半導体ウェハ積層体から接着剤を剥離させる。
この構成では、半導体ウェハの外周部に付着した接着剤の半導体ウェハに対する接着力を剥離剤によって弱めることで、半導体ウェハ上の接着剤を剥離させる際に半導体ウェハの外周部に接着剤が残ることを防止することができる。
本発明に係る剥離装置は、半導体ウェハの外周部に回り込んだ接着剤を効率よく除去することができる。
以下、本発明の実施形態に係る剥離装置を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
最初に、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体ウェハ積層体200の構成を示す図である。図2は、剥離装置100の主要な構成を示すブロック図である。
剥離装置100は、半導体ウェハ積層体200を処理する。半導体ウェハ積層体200は、半導体ウェハ210、サポートガラス220および接着剤230から構成される。サポートガラス220は、半導体ウェハ210をサポートするサポート部材である。サポートガラス220には、LTHC膜が付着している。接着剤230は、半導体ウェハ210とサポートガラス220を貼り合わせる。接着剤230は、光硬化性および熱可塑性を有する。
剥離装置100は、剥離剤浸透部110、サポートガラス剥離部120、接着剤剥離部130、CPU140、ROM141およびRAM142を備える。
剥離剤浸透部110は、半導体ウェハ210に対する接着剤230の接着力を弱める剥離剤150を半導体ウェハ積層体200における接着剤230に浸透させる。そうすると、半導体ウェハ210の外周部に回り込んだ接着剤230は、半導体ウェハ210から少し浮いた状態になる。
半導体ウェハ積層体200における接着剤230に剥離剤150を浸透させる方法としては、例えば、図3に示すように、半導体ウェハ積層体200を剥離剤150に浸漬させる、または、図4に示すように、剥離剤150の液体または蒸気を半導体ウェハ積層体200における接着剤230に吹きつけるベーパー処理を行うことが考えられる。
剥離剤150は、2−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの混合溶液、アセトン、N−メチル−2−ピロリドンまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートから任意に選択することができる。
サポートガラス剥離部120は、剥離剤浸透部110によって処理された半導体ウェハ積層体200からサポートガラス220を剥離させるサポート部材剥離部である。サポートガラス220にレーザを照射するとLTHC膜が発熱し、接着剤230がその熱によって可塑化するため、サポートガラス220は、サポートガラス剥離部120によって容易に剥離される。
接着剤剥離部130は、サポートガラス剥離部120によってサポートガラス220が剥離された、図5に示すような半導体ウェハ積層体200から接着剤230を剥離させる。接着剤剥離部130は、テープを接着剤230に貼り付けてそのテープを剥がすことで接着剤230を半導体ウェハ210から剥離させる。そうすると、図6に示すような半導体ウェハ210単体となる。
CPU140は、ROM141から所定の制御プログラムを読み出して実行し、剥離装置100の各部を総括的に制御する。ROM141は、剥離装置100の制御プログラムを格納する。RAM142は、CPU140のワーキングエリアとして活用される。
図7は、剥離装置100におけるCPU140の制御内容を示すフローチャートである。
CPU140は、剥離剤浸透部110によって、半導体ウェハ積層体200における接着剤230に剥離剤150を浸透させる(S110)。次に、CPU140は、サポートガラス剥離部120によって、半導体ウェハ積層体200からサポートガラス220を剥離させる(S120)。最後に、CPU140は、接着剤剥離部130によって、サポートガラス220が剥離された半導体ウェハ積層体200から接着剤230を剥離させて(S130)、本実施形態の制御を終了する。
この構成では、半導体ウェハ210の外周部に付着した接着剤230の半導体ウェハ210に対する接着力を剥離剤150によって弱めることで、半導体ウェハ210上の接着剤230を剥離させる際に半導体ウェハ210の外周部に接着剤230が残ることを防止することができる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、本実施形態においては、第1実施形態と重複する内容の説明を適宜省略する。
図8は、本発明の第2実施形態に係る処理装置300の主要な構成を示すブロック図である。
処理装置300は、接着剤塗布部310、ワイプ処理部320、貼合処理部330、剥離装置100、CPU340、ROM341およびRAM342を備える。
接着剤塗布部310は、図6に示すような半導体ウェハ210上に均一となるように接着剤230を塗布する。そうすると、図9に示すような半導体ウェハ210となる。
ワイプ処理部320は、接着剤塗布部310によって処理された半導体ウェハ210の外周部をワイプ処理する。ワイプ処理部320は、布およびローラを有する。ワイプ処理を具体的に説明すると、図10に示すように、半導体ウェハ210を回転させながらワイプ処理部320を接着剤230に押し当てて、半導体ウェハ210の外周部に回り込んだ接着剤230を拭い取る。
貼合処理部330は、ワイプ処理部320によって処理された半導体ウェハ210に接着剤230を介してサポートガラス220を貼り合わせる。貼合処理部330は、接着剤230にUVを照射して光硬化させて、サポートガラス220を接着剤230に固着させる。そうすると、図1に示すような半導体ウェハ210(半導体ウェハ積層体200)となる。
剥離装置100は、貼合処理部330によって処理された半導体ウェハ210を処理する。具体的には、第1実施形態において説明したとおりである。
CPU340は、ROM341から所定の制御プログラムを読み出して実行し、処理装置300の各部を総括的に制御する。ROM341は、処理装置300の制御プログラムを格納する。RAM342は、CPU340のワーキングエリアとして活用される。
図11は、処理装置300におけるCPU340の制御内容を示すフローチャートである。
CPU340は、接着剤塗布部310によって、半導体ウェハ210に接着剤230を塗布する(S210)。次に、CPU340は、ワイプ処理部320によって、半導体ウェハ210の外周部をワイプ処理する(S220)。次に、CPU340は、貼合処理部330によって、半導体ウェハ210に接着剤230を介してサポートガラス220を貼り合わせる(S230)。最後に、CPU340は、半導体ウェハ積層体200を剥離処理して(S240)、本実施形態の制御を終了する。
この構成では、半導体ウェハ210への接着剤230塗布後にその半導体ウェハ210の外周部をワイプ処理することで、半導体ウェハ210の外周部への接着剤230の回り込み量を低減することができるため、半導体ウェハ210上の接着剤230を剥離させる際に半導体ウェハ210の外周部に接着剤230が残ることを防止することができる。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
100−剥離装置
110−剥離剤浸透部
120−サポートガラス剥離部(サポート部材剥離部)
130−接着剤剥離部
150−剥離剤
200−半導体ウェハ積層体
210−半導体ウェハ
220−サポートガラス(サポート部材)
230−接着剤
300−処理装置
310−接着剤塗布部
320−ワイプ処理部
330−貼合処理部
110−剥離剤浸透部
120−サポートガラス剥離部(サポート部材剥離部)
130−接着剤剥離部
150−剥離剤
200−半導体ウェハ積層体
210−半導体ウェハ
220−サポートガラス(サポート部材)
230−接着剤
300−処理装置
310−接着剤塗布部
320−ワイプ処理部
330−貼合処理部
Claims (9)
- 半導体ウェハ、前記半導体ウェハをサポートするサポート部材および前記半導体ウェハと前記サポート部材を貼り合わせる接着剤から構成される半導体ウェハ積層体を処理する剥離装置であって、
前記半導体ウェハに対する前記接着剤の接着力を弱める剥離剤を前記半導体ウェハ積層体における前記接着剤に浸透させる剥離剤浸透部と、
前記剥離剤浸透部によって処理された前記半導体ウェハ積層体から前記サポート部材を剥離させるサポート部材剥離部と、
前記サポート部材剥離部によって前記サポート部材が剥離された半導体ウェハ積層体から前記接着剤を剥離させる接着剤剥離部と、
を備える剥離装置。 - 前記剥離剤は、2−プロパノールから構成される
請求項1に記載の剥離装置。 - 前記剥離剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの混合溶液から構成される
請求項1に記載の剥離装置。 - 前記剥離剤は、アセトンから構成される
請求項1に記載の剥離装置。 - 前記剥離剤は、N−メチル−2−ピロリドンから構成される
請求項1に記載の剥離装置。 - 前記剥離剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートから構成される
請求項1に記載の剥離装置。 - 半導体ウェハに接着剤を塗布する接着剤塗布部と、
前記接着剤塗布部によって処理された半導体ウェハの外周部をワイプ処理するワイプ処理部と、
前記ワイプ処理部によって処理された半導体ウェハに前記接着剤を介してサポート部材を貼り合わせる貼合処理部と、
前記貼合処理部によって処理された半導体ウェハを処理する請求項1〜6のいずれか1項に記載の剥離装置と、
を備える処理装置。 - 半導体ウェハ、前記半導体ウェハをサポートするサポート部材および前記半導体ウェハと前記サポート部材を貼り合わせる接着剤から構成される半導体ウェハ積層体を処理する剥離方法であって、
前記半導体ウェハに対する前記接着剤の接着力を弱める剥離剤を前記半導体ウェハ積層体における前記接着剤に浸透させる溶液浸透工程と、
前記溶液浸透工程によって処理された前記半導体ウェハ積層体から前記サポート部材を剥離させるサポート部材剥離工程と、
前記サポート部材剥離工程によって前記サポート部材が剥離された半導体ウェハ積層体から前記接着剤を剥離させる接着剤剥離工程と、
を備える剥離方法。 - 半導体ウェハに接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
前記接着剤塗布工程によって処理された半導体ウェハの外周部をワイプ処理するワイプ処理工程と、
前記ワイプ処理工程によって処理された半導体ウェハに前記接着剤を介してサポート部材を貼り合わせる貼合処理工程と、
前記貼合処理工程によって処理された半導体ウェハを処理する請求項8に記載の剥離方法と、
を備える処理方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012253836A JP2014103229A (ja) | 2012-11-20 | 2012-11-20 | 剥離装置、処理装置、剥離方法および処理方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2019088103A1 (ja) * | 2017-11-01 | 2019-05-09 | 日産化学株式会社 | ノボラック樹脂を剥離層として含む積層体 |
-
2012
- 2012-11-20 JP JP2012253836A patent/JP2014103229A/ja active Pending
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