JP5888842B2 - 埋め込み型脆化層が分割によって暴露された表面から基板を超音波平坦化する方法 - Google Patents
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Description
1.イオンを十分な濃度で注入して、マイクロキャビティによって脆化された埋め込み型層の生成をもたらすために、ドナー基板の一面にガス種(Hまたは希ガス)を衝突させるステップと、
2.基板のこの面を補強材と密着配置するステップと、
3.熱処置および/または分離ストレスを付加することによって(例えば、2つの基板間へのブレードの挿入、および/またはけん引力および/または屈曲力および/または剪断力、および/または便宜的に選択されたパワーおよび周波数での超音波もしくはマイクロ波の印加によって)マイクロキャビティの層を分割するステップ。
まず、ドナー基板(ならびに補強材を形成するハンドル基板)は通常、縁部が面取りされているウェーハである。ウェーハ縁部の非接着というこの問題は、マイクロ技術(Si、Ge、GaAs、GaN、サファイア、SiGe、LiTaO3、LiNbO3、SiC、InPなど)で使用される全材料、および(通常5cmから30cm、つまり2から12インチの)全ウェーハ直径について生じ、
さらに、意図的(例えば、フォトリソグラフィによって生成された中空/レリーフパターンによる)または無意識(例えば、エピタキシャル層の場合は成長欠陥により、または初期基板の層の堆積と関連した欠陥による)に構成された基板や層の場合、表面で「中空にされた」パターンや欠陥は非接着ゾーン(NBZと略す)を局所的に生じさせ、
最後に、無効なクリーニングの場合、接着表面の粒子の存在はまた非接着ゾーンを生じさせる。
浴の超音波パワー/容積>5W/l
パワー>10W
継続時間>1分
1℃から100℃の温度
埋め込み型脆化層が、このドナー基板の自由面の下にイオン注入によって形成され、この自由面と埋め込み型脆化層間に含まれる材料厚さは後の薄層の厚さを画定するステップと、
このドナー基板が、ドナー基板のこの自由面とハンドル基板の自由面間の分子付着によってハンドル基板と密着配置されるステップと、
ドナー基板の残りの部分から前記薄層を解放するように、この埋め込み型脆化層に沿って分割が誘導され、一方でこの薄層およびこの残りの部分のそれぞれの面を暴露するステップと、
この残りの部分がドナー基板を構成する新たなサイクルのために、ドナー基板の残りの部分の前記暴露表面に処置が適用されるステップとを備え、
前記暴露表面の前記処置が、前記面に沿ったキャビテーションをもたらすのに適した条件下で、10kHzから80kHzの周波数の超音波が印加される浴にこの暴露表面を配置するステップを備えることを特徴とする。
浴の超音波パワー/容積>5W/l
パワー>10W
継続時間>1分
1℃から100℃の温度。
超音波の周波数は、5W/lから60W/lの(例えば20W/lより高い)パワーで、10kHzから40kHzで選択され、
超音波処置の継続時間は1分から20時間(例えば、1時間より長い)であり、
埋め込み型脆化層は、1016イオン.cm2から5.1017イオン.cm2のドーズで、水素イオン注入によって形成され、
浴の流体は水であり(または基本的に水で形成され)、
浴の流体は水とアセトンの混合物であり(アセトンの量は、浴が基本的に水で形成されているとみなされることができる程度に十分少ない)、
浴の温度は40℃から60℃であり、
前記面に沿ってキャビテーションをもたらすのに適した条件下で超音波が印加される浴への配置ステップは、分割ステップ後に中間表面処置なしで実行され、したがって、正確には分割から生じる状態において、超音波が施されるのは暴露表面であり、
中間処置なしのドナー基板のリサイクルは、前記超音波が印加される浴への配置ステップ後に実行され、これは本発明の特に簡単なバージョンであるが、このような簡単な化学的機械的研磨の簡略化表面処置は、超音波の印加と新サイクルの開始の間で想定可能であり、
キャビテーションをもたらすのに適した条件下で超音波が印加される浴への配置ステップが、このような分割ステップによって暴露される複数の基板のそれぞれの面に一括して実行される。
浴の超音波パワー/容積>5W/l(好ましくは少なくとも20W/lまたはさらには30W/l、好ましくは最大60W/l)、
パワー>10W、
継続時間>1分(好ましくは少なくとも1時間)、
1℃から100℃の温度、例えば室温または40℃から60℃。
蒸気泡は低圧力で形成され、
気泡を囲む液体の高圧力ゆえに、内部圧力および内部温度を増大させつつ収縮する傾向があり、
臨界サイズに達すると、非常に激しい破裂メカニズムが生じ、これは音響衝撃波をもたらし(内部圧力は数千Kに達することがあり、圧力は数百気圧に達することがあり)、またこれは、400km/hの何倍にも達し得る速度のジェットの形成をもたらす可能性があり、
固体表面に沿ったキャビテーション気泡の破裂は、材料の局所的分離および場合によっては剥離によって、クリーニングや、剥離や、疲労による局所的破裂さえも招く。
多様なサイズおよび形状を有し得るアイテムをクリーニングすることができ、
分離された粒子が自然に分散され、表面に再堆積されるリスクがなく、
超音波によるこの平坦化は従来のプロセスよりも高速のクリーニングプロセスであり、
溶媒を使用するという選択がなされると、この溶媒が従来の平坦化に使用される場合よりもかなり低い濃度で使用されることができ、
超音波処置によって、知られているプロセスと比較して改良された安定性および再生性で電子コントロール、ひいては自動化を可能にし、
基板は一括してかつ低コストで処理可能であり、このことは、工業化、特に光起電用途などに特に有用である。
第1の実施例では、厚さ400nmの酸化Siで被覆されたSi基板が、以下の条件下でH+イオンを注入される:
エネルギー=76keV、
ドーズ=6.1016イオン.cm−2
第2の実施例では、結晶GaN基板(70Ga14N)は、900℃でLPCVD(低圧化学気相成長法)によって堆積された厚さ500nmのSiO2接着層で被覆されている。この基板は、以下の条件下でH+イオンを注入される:
エネルギー=90keV、
ドーズ=4E17イオン.cm−2
2 ハンドル基板
3 粒子
4 薄層
5 暴露表面
6 浴
11、12、21 接着層
12、22 周縁
13、14、14’ 層
A、A’ 縁部
B アイランド
S 界面
US 超音波
Claims (10)
- マイクロ技術ドナー基板から複数の薄層を形成する方法であって、
埋め込み型脆化層がこのドナー基板の自由面の下にイオン注入によって形成され、この自由面と埋め込み型脆化層間に含まれる材料厚さは後の薄層の厚さを画定するステップと、
このドナー基板が、ドナー基板のこの自由面とこのハンドル基板の自由面間の分子付着によってハンドル基板と密着配置されるステップと、
ドナー基板の残りの部分から前記薄層を解放するためにこの埋め込み型脆化層に沿って分割が誘導され、一方でこの薄層およびこの残りの部分のそれぞれの面を暴露するステップと、
この残りの部分がドナー基板を構成する新たなサイクルのために、ドナー基板の残りの部分の前記暴露面に処置が適用されるステップと
を含むサイクルが実行され、
前記暴露面の前記処置が、前記暴露面に沿ってキャビテーションをもたらすのに適した浴の超音波パワーおよび温度に関する条件下で、10kHzから80kHzの周波数の超音波が印加される浴にこの暴露面を配置することで、前記暴露面を平坦化することを含み、
前記キャビテーションが、前記暴露面の粗さを低減させるように、誘導された分割の後に存在する残りの非転写領域を、暴露面の残部を劣化させることなく消失させる、方法。 - 埋め込み型脆化層が、1016イオン/cm 2 から5×1017イオン/cm 2 のドーズの水素イオン注入によって形成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 超音波が以下の条件下:
浴の超音波パワー/容積>5W/l
パワー>10W
継続時間>1分
1℃から100℃の温度で印加されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。 - 浴が基本的に水によって形成されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 浴の流体が水とアセトンの混合物であることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 5W/lから60W/lのパワーについて、10kHzから40kHzの間で超音波の周波数が選択され、超音波処置の継続時間が1分から20時間であることを特徴する、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記暴露面に沿ってキャビテーションをもたらすのに適した浴の超音波パワーおよび温度に関する条件下で超音波が印加される浴への配置ステップが、分割ステップ後の中間表面処置なしで実行されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 中間処置なしのドナー基板のリサイクルが、前記超音波が印加される浴への配置ステップ後に実行されることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記暴露面に沿ってキャビテーションをもたらすのに適した条件下で超音波が印加される浴への配置ステップが、このような分割ステップによって暴露された複数の基板のそれぞれの面に対して一括して実行されることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- ドナー基板がシリコンからなることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101047985B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2011-07-13 | 한국지질자원연구원 | 초음파를 이용한 고효율 우라늄 침출 방법 |
KR101039595B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2011-06-09 | 한국지질자원연구원 | 초음파를 이용한 우라늄 이온교환 흡착 방법 |
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
JP2000150837A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Canon Inc | 半導体基体の作製方法 |
US7427526B2 (en) * | 1999-12-20 | 2008-09-23 | The Penn State Research Foundation | Deposited thin films and their use in separation and sacrificial layer applications |
JP2001284622A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
JP2004507880A (ja) * | 2000-04-17 | 2004-03-11 | ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション | 堆積された薄膜、並びに分離及び犠牲層への適用におけるその使用 |
TW537954B (en) * | 2002-06-20 | 2003-06-21 | Far East College | Method for separating substrate and film material of optical recording medium by means of ultrasonic waves |
EP1427002B1 (en) * | 2002-12-06 | 2017-04-12 | Soitec | A method for recycling a substrate using local cutting |
EP1427001A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-09 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. | A method for recycling a surface of a substrate using local thinning |
JP2005005303A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Sharp Corp | 溶液塗布方法および溶液塗布装置 |
FR2868599B1 (fr) * | 2004-03-30 | 2006-07-07 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement chimique optimise de type sc1 pour le nettoyage de plaquettes en materiau semiconducteur |
US7402520B2 (en) * | 2004-11-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer |
US7790565B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-09-07 | Corning Incorporated | Semiconductor on glass insulator made using improved thinning process |
FR2910179B1 (fr) * | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
-
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Cited By (1)
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