JP2018511172A - 一時的に接着されるウェハ用のキャリア - Google Patents

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Abstract

ウェハが一時的に接着され得るキャリア。キャリアは、板状の積層体を含む。板状の積層体は、第１の層を含む。第１の層は、金属箔または金属シートを含む。板状の積層体は、三次元開口孔を有する有孔金属媒体を含む第２の層を含む。有孔金属媒体は、金属繊維を含む。第１の層は、有孔金属媒体に永続的に接着されており、それにより、第１の層が位置する側において有孔金属媒体の孔を閉鎖している。

Description

本発明は、ウェハ用キャリアの分野に関する。キャリアは、例えばウェハの薄化において、その処理中のウェハの一時的接着のために使用され得る。
キャリアへのウェハの一時的接着を利用してウェハの処理を可能にすることがよく知られている。問題は、続いて行うキャリアからのウェハの剥離である。溶剤によって剥離を可能とする異なるキャリアが記載されてきた。このような処理では、一時的接着のために使用された接着剤を化学的に分解する。
米国特許出願公開第２００９／１９７０７０Ａ号明細書では、基板を支持するように基板に接着される支持板が記載されている。支持板には、複数の開口が接着面から非接着面へと貫通している。接着面は基板に対面し、非接着面は接着面に対面している。接着面には、第１の領域と第１の領域を取り囲む第２の領域とを有する有孔領域が形成されており、第１の領域の開口率は、第２の領域の開口率よりも高い。このようにして、溶剤によって半導体ウェハから容易に剥離できるが、半導体ウェハの処理作業中には基板から容易に剥がれない支持板を実現することができる。
米国特許出願公開第２００５／０１７３０６４Ａ１号明細書では、基板が薄化された後の短時間で、支持板と半導体ウェハ等の基板との間の接着層に溶剤を供給できる構造を有する支持板が提供されている。この文献では、支持板を剥離するための方法も開示されている。支持板の直径は半導体ウェハより大きくてもよく、貫通孔が支持板に形成されている。支持板の外周部は、貫通孔が形成されない平坦部となっている。アルコールが支持板の上から注がれると、アルコールが貫通孔を通って接着層に到達し、接着層を分解し取り除く。
米国特許第８８８２０９６Ｂ２号明細書では、接着層を介在させることによってウェハの表面を支持する穿孔支持板が開示されている。穿孔支持板は、貫通孔を有している。穿孔支持板をウェハに接着する接着剤を分解する溶剤が、支持板の穿孔を通って浸透する。穿孔支持板は、撓み防止のための補強部分を含む。
米国特許出願公開第２００４／０２３１７９３Ａ１号明細書では、ウェハ用の一時的キャリアとして有孔焼結金属を使用することが開示されている。溶剤が、一時的キャリアへのウェハの接着に使用された接着剤を分解するために、一時的キャリアの孔を通ってその厚さを通過することにより、キャリアを取り外すことができる。
米国特許出願公開第２００９３２５４６７Ａ号明細書では、窪みの発生なくウェハを薄化できる処理が記載されている。支持板は、多数の貫通孔を有している。支持板の一面には、ウェハの表面を形成する回路が接着部材によって接着され、他面には、１００μｍ以上の厚さを有し一面に接着層を含む窪み防止部材が接着されている。したがって、貫通孔の両端部における開口が閉鎖されている。支持板は、窪み防止部材を介して支持台へと真空吸着され、ウェハは、ウェハを薄化するために研削／研磨される。窪み防止部材が剥離され、支持板からウェハを取り外すために、溶剤が貫通孔を通って接着部材へと浸透する。
米国特許出願公開第２００１００５０４３Ａ号明細書では、多い生産量かつ短時間でウェハの薄化およびその支持基板からの分離を行う技術が開示されている。無孔の支持基板が、加熱によって溶解した接着層により、孔を有する支持基板の第２の表面に接着され、これによって孔が閉鎖されている。ウェハが、溶剤によって溶解した接着層により、孔を有する支持基板の第１の表面に接着されている。ウェハが研磨およびエッチングによって薄化される。接着層が加熱によって溶解し、孔を有する支持基板が無孔支持基板に対して摺動されて、これによって無孔支持基板から孔を有する支持基板が分離される。その後、接着層は、孔を有する支持基板に画定された孔を通過した溶剤によって分解される。これにより、ウェハは、孔を有する支持基板から分離される。ウェハに負荷を掛けないため、ウェハの損傷が防止される。
本発明の目的は、一時的なウェハの接着のためのキャリアを提供することである。改善された特性を有するキャリアを提供することが目的である。本発明の目的は、キャリアの孔を通って浸透する溶剤を使用して接着剤を分解することにより、ウェハの容易な剥離を可能にするキャリアを提供することである。本発明の目的は、ウェハを薄化して必要な品質仕様を取得することを可能にするキャリアを提供することである。
本発明の第１の態様は、例えば、ウェハの薄化を可能にするために、ウェハが一時的に接着され得るキャリアである。キャリアは、板状の積層体を含む。板状の積層体は、第１の層を含む。第１の層は、金属箔または金属シートを含む。板状の積層体は、三次元開口孔を有する有孔金属媒体を含む第２の層を含む。有孔金属媒体は、金属繊維を含む。第１の層は、有孔金属媒体に永続的に接着されており、それにより、第１の層が位置する側において有孔金属媒体の孔を閉鎖している。
第１の層は、キャリアに一時的に接着されたウェハの剥離中および剥離後、第１の層が有孔金属媒体に接着されたままとなるように有孔金属媒体に永続的に接着されている。
好適には、キャリアは円板形状を有しており、その円板は、線状側部によって円形状の円周から逸脱している場合がある。線状側部は、作業キャリアに接着するウェハの形状に適合させるために設けられている。好適には、円板の円形断面の直径は、６インチ、８インチ、または１２インチのウェハに対して適したものとなっている。すなわち、円板の直径は、ウェハの直径と同じであるか、または若干大きいことになる。
キャリアは、剥離溶剤が、ウェハに接着接合されたキャリアの側縁部から有孔金属媒体の体積全体を通って有孔金属媒体の三次元開口孔を流通できるという利点を有している。このようにして、剥離溶剤は、ウェハをキャリアに取り付けている接着層に迅速に到達できる。キャリアは、屈曲またはその他の機械的な変形を発生させずに、異なる処理工程にわたり、接着されたウェハを輸送するのに十分な剛性を有している。キャリアは、トータルシックネスバリエーション（ＴＴＶ）、ＢｏｗおよびＷａｒｐ等、薄化されたウェハの必要な寸法特性を達成可能とするために、例えば剛性等の十分な機械的特性を有するという利点をさらに有している。本発明のさらなる利点は、キャリアを複数回再利用できることである。
有孔金属媒体の具体例として、焼結または溶接不織金属繊維が挙げられる。第２の層中に複数の層を設けることも可能である。これらの層は、金属繊維、金属粉末、もしくは金属発泡体を含むか、または金属繊維、金属粉末、または金属発泡体からなる層から選択できるが、少なくとも１つの層は、金属繊維を含む。
好適には、第１の層は、第２の層の少なくとも１つの平面側を覆い、より好適には、第１の層は、第２の層の少なくとも１つの平面側の全面を覆う。
好適な実施形態では、第１の層は、第２の層の１つの平面側の全面を覆う。
好適には、第１の層は、有孔金属媒体と同じ金属もしくは合金から形成されるか、または有孔金属媒体と同じ金属もしくは合金を含むように設けられる。
好適には、有孔金属媒体は、ステンレス鋼、チタン、パラジウム、もしくはタングステンを含むか、またはステンレス鋼、チタン、パラジウム、もしくはタングステンから形成されているか、またはチタン、パラジウム、もしくは５０重量％超のタングステンを含む合金から形成されている。より好適には、第１の層は、有孔金属媒体と同じ金属もしくは金属合金を含むか、または有孔金属媒体と同じ金属もしくは金属合金から形成されている。
好適な実施形態では、第１の層は、金属結合により、好適には焼結等の拡散接合により、または溶接により（好適には、溶接処理において追加の充填材を使用しない溶接により）、有孔金属媒体に永続的に接着されている。使用可能な溶接処理の例は、容量放電溶接（ＣＤＷ）である。
好適な実施形態では、第１の層は、接着剤によって有孔金属媒体に永続的に接着されている。接着剤は、一時的に接着されたウェハをキャリアから剥離するときに使用される剥離液によって攻撃されることがない広範囲の接着剤から選択できる。適する接着剤の例として、エポキシ系接着剤が挙げられる。
好適には、キャリアの厚さは、６５０μｍ〜７５０μｍである。
好適には、第１の層の厚さは、２０μｍ〜６５０μｍであり、より好適には１５０μｍ〜６５０μｍである。
好適には、有孔金属媒体の厚さは、５０μｍ〜１５０μｍであり、より好適には５０μｍ〜１５０μｍである。
好適には、有孔金属媒体の気孔率は、３０〜８０％であり、より好適には５０〜８０％であり、さらにより好適には６０〜８０％である。
このような実施形態が相乗的に合わさりキャリアの機械的特性を向上させ、ウェハは、キャリアに接着されている間に行われたウェハの処理後、寸法的特性の要件を満たすことができるようになる。
好適には、金属繊維の相当直径は、２〜５０μｍであり、より好適には２〜４０μｍであり、さらにより好適には２〜２５μｍである。さらにより好適には、１０〜２５μｍである。相当直径は、円形形状から逸脱し得る断面形状である繊維の断面と同じ面積を有する円形の直径を意味する。
好適には、有孔金属媒体は、ウェハに接着されるための表面を有しており、この表面は、第１の層と平行である。この表面は、好適には、キャリアが１０μｍ未満、より好適には５μｍ未満、さらにより好適には２μｍ未満のトータルシックネスバリエーション（ＴＴＶ）を有するように研磨される。トータルシックネスバリエーション（ＴＴＶ）は、材料の表面上で無作為に選択された５点におけるドロップ計による計測によって計測される。この検査方法のためのドロップ計は、直径が５．９９ｍである。ＴＴＶは、計測された最大厚さと計測された最小厚さとの間の差として定義される。
好適には、ウェハが一時的に接着されることになる第２の層の表面は、１μｍ未満、より好適には０．５μｍ未満の表面粗さＲａを有している。当業者には周知の通り、Ｒａは、計測された粗さ点について、これらの平均からのそれぞれの偏差の算術平均である。
好適には、有孔金属媒体は、第１の有孔層および第２の有孔層を有するか、または第１の有孔層および第２の有孔層からなっている。第１の有孔層は、第１の層と第２の有孔層との間に設けられている。第１の有孔層の気孔率は、第２の有孔層の気孔率よりも高い。好適には、第２の有孔層は、ウェハをその上に一時的に接着するために設けられている。
より好適な実施形態では、第１の有孔層は、第１の層に直接接着されている。さらに好適な実施形態では、第２の有孔層は、第１の有孔層に直接接着されている。さらなる実施形態では、第２の有孔層は、ウェハに接着されるために設けられている。
より好適な実施形態では、第１の有孔層は、第１の相当直径（例えば、２２μｍ）を有する金属繊維を含み、第２の有孔層は、第２の相当直径（例えば、１４μｍ）を有する金属繊維を含む。さらにより好適な実施形態では、第１の相当直径は、第２の相当直径より大きい。
好適には、第２の層は、ウェハに接着されるための接触層を含む。接触層は、金属繊維と金属粉末との混合体を含むことができる。金属繊維と金属粉末とは、その接触点において互いに対して永続的に接着されている。このような好適な実施形態では、有孔金属媒体の気孔率は、２０％より高く、好適には３０％より高く、より好適には４０％より高く、さらにより好適には５０％より高く、さらにより好適には５５％より高い。また、好適には、気孔率は、８０％未満であり、より好適には６０％未満である。
このような好適な実施形態では、接触層の気孔率は、２０％より高く、好適には３０％より高い。また、好適には、接触層の気孔率は、５０％未満であり、より好適には４０％未満である。
好適な実施形態では、有孔金属媒体は、第１の層と接触層との間に設けられた追加の有孔層を含む。追加の有孔層は、金属繊維、金属粉末、または金属発泡体を含むことができる。追加の有孔層の具体例として、焼結または溶接不織金属繊維、焼結金属粉末、および金属発泡体が挙げられる。
好適には、接触層内の金属粉末の直径は、２〜３０μｍの範囲内であり、好適には２〜２０μｍの範囲内であり、より好適には２〜１０μｍの範囲内である。
好適な実施形態では、有孔金属媒体の側縁部は、有孔金属媒体の側縁部において開口孔が存在しないように永続的に密封されている。好適には、側縁部は金属によって完全に密封されている。
側縁部は、有孔金属媒体の大きさおよび形状に対する縁部の溶接によりもしくはレーザ切断作業により、または第１の層を第２の層へ接着した後の第１の層と第２の層との組み合わせの大きさおよび形状に対する縁部の溶接によりもしくはレーザ切断作業により密封することができる。
密封縁部を生成するための代替の方法は、直立縁部が生成されるように板を機械加工し、機械加工によって生成されたコップ状部に有孔金属媒体を挿入し、続いて有孔金属媒体を第１の層上に接着することである。
永続的に密封された縁部を有するキャリアから一時的に接着されたウェハを剥離するとき、最初は、有孔金属媒体において剥離液のウィッキングは起こらない。キャリアとウェハとの間の薄い接着層において最初の剥離が発生する。この薄い接着層が分解されると、縁部における接着剤層の分解によって生成された開口を通って有孔金属媒体内において剥離液のウィッキングが増加することにより、剥離速度が上昇する。
好適な実施形態では、４バールの圧力をキャリアに加えたとき、キャリアの永続的な変形が、圧力を加える前のその元の厚さの５％未満となるようにキャリアが提供される。これは、２０秒の時間にわたり４バールの圧力を加えて、その前後のキャリアの厚さを計測することによって検査できる。この実施形態に従ったキャリアは、後の永続的な変形を制限するように、キャリアまたはキャリア内の１つもしくは複数の有孔金属層を事前に押圧処理することによって形成できる。このような実施形態は、キャリアに一時的に接着されている間に行われるウェハの処理（例えば、薄化）後のウェハの特性を驚くほど相乗的に向上させる。
本発明の第２の態様は、ウェハと本発明の第１の態様に記載されているキャリアとの組立体（積層物）である。ウェハは、接着剤によって第２の層に接着されている。好適には、接着剤は、適する剥離液を接着剤に接触させることによって取り除くことができる接着剤である。
本発明の第３の態様は、ウェハの処理のための方法である。本方法は、
− 接着剤により、本発明の第１の態様に記載されているキャリアにウェハを一時的に接着する工程と、
− 例えばウェハを薄化する等、キャリアに一時的に接着されたウェハを処理する工程と、
− ウェハとキャリアとの間の一時的な接着剤接着を分解する剥離液により、キャリアからウェハを剥離する工程であって、剥離液は、接着剤によってキャリアに接着されたウェハの組立体の側縁部から有孔金属媒体に浸透する、工程と
を含む。
キャリアに一時的に接着されたウェハの剥離中および剥離後、第１の層は、有孔金属媒体に接着されたままとなる。
好適な方法では、キャリアは、剥離後、別のウェハをその上に一時的に接着するために、１回以上の回数にわたり再利用される。好適には、キャリアは、少なくとも５回使用可能であり、より好適には少なくとも１０回使用可能である。
本発明に従った例示的なキャリアの上面図を示す。 本発明に従った例示的なキャリアの断面を示す。 本発明に関するキャリアに一時的に接着されたウェハの組立体の例を示す。
図１は、本発明に従ったキャリア１００の上面図を示す。キャリア１００は、線状側部１０２によって円形の円周（直径がＤである）から逸脱した円板形状を有している。線状側部１０２は、作業キャリアに接着するウェハの形状に適合するように設けられている。
図２は、本発明に従った例示的なキャリア２００の断面を示す。キャリア２００は、第１の層２１０を含み、第１の層は、金属箔または金属シートである。キャリア２００は、金属繊維２２８をさらに含む（例えば、焼結されたまたは容量放電溶接によって接合された）不織金属繊維ウェブ２２０を含む。好適には、金属箔または金属シートと、金属繊維とは、同じ金属または合金から形成されている。不織金属繊維ウェブ２２０は、例えば、接着剤（例えば、エポキシ系接着剤）、焼結、または溶接（例えば、容量放電溶接）等により、第１の層２１０に永続的に接着されている。
図３は、本発明に従った例示的なキャリア３００の断面を示す。キャリア３００は、第１の層３１０を含み、第１の層は、金属箔または金属シートである。キャリア３００は、例えば焼結不織金属繊維ウェブ３２２等の第１の有孔層と、他の焼結不織金属繊維ウェブ３２４等の第２の有孔層とをさらに含む。第１の有孔層の気孔率は、第２の有孔層の気孔率よりも高い。
好適には、金属箔または金属シートと、両方の焼結不織金属繊維ウェブの金属繊維とは、同じ金属または合金から形成されている。
不織金属繊維ウェブ３２２および３２４は、例えば、接着剤（例えば、エポキシ系接着剤）、焼結、または溶接（例えば、容量放電溶接）等により、互いにおよび第１の層３１０に対して永続的に接着されている。
不織金属繊維ウェブのうちの１つまたは両方の代わりに、第１の有孔層のためにおよび／または第２の有孔層のために焼結有孔粉末層および／または金属発泡体層を使用できる。
図４は、本発明に従った例示的なキャリア４００の断面を示す。キャリア４００は、第１の層４１０を含み、第１の層は、金属箔または金属シートである。キャリア４００は、例えば前述の例で記載した通り、有孔金属媒体４２３をさらに含む。有孔金属媒体の側縁部４５０は、有孔金属媒体４２３の側縁部４５０に開口孔が存在しないように永続的に密封されている。側縁部は、有孔金属媒体４２３の縁部に対する溶接もしくはレーザ切断作業により、または第１の層を第２の層に接着した後の第１の層と第２の層との組み合わせに対する溶接もしくはレーザ切断作業により密封できる。
密封縁部を生成するための代替の方法は、直立縁部を生成するように板を機械加工することである。その後、有孔金属媒体が機械加工によって生成されたコップ状部内に挿入される。続いて、第１の層への有孔金属媒体の接着が実行される。一時的に接着されたウェハをこのキャリアから剥離するとき、最初は、有孔金属媒体において剥離液のウィッキングは起こらず、キャリアとウェハとの間の薄い接着層において最初の剥離が発生する。この薄い接着層が分解されると、縁部における接着剤層の分解によって生成された開口を通って有孔金属媒体内において剥離液のウィッキングが増加することにより、剥離速度が上昇する。
図５は、本発明に従った例示的なキャリア５００の断面を示す。キャリア５００は、第１の層５１０を含み、第１の層は、金属箔または金属シートである。キャリア５００は、例えば焼結不織金属繊維ウェブ等の追加の有孔層５２６をさらに含む。キャリアは、接触点で互いに対して焼結された金属粉末粒子と金属繊維との混合体からなる接触層５６０を含む。
好適には、金属箔または金属シートと、金属繊維および金属粉末とは、同じ金属または合金から形成されている。
異なる層が焼結または溶接（例えば、容量放電溶接）によって互いに対して永続的に結合されている。
追加層としての不織金属繊維ウェブの代わりに、焼結有孔粉末層および／または金属発泡体層を使用できる。
図６は、例えば図２の例のキャリア２００等のキャリアに一時的に接着されたウェハの組立体または積層物６０１の例を示す。図２と同じ参照番号は、図２について記載したものと同じ意味を有する。一時的接着層６７０がキャリア２００の有孔金属媒体に塗布され、ウェハ６８０がこの接着層６７０を介してキャリア２００に一時的に接着されている。
本発明の例として、キャリアを形成した。キャリアは、厚さ１００μｍのチタン箔と、厚さ６００μｍの有孔不織チタン繊維媒体とを含む。キャリアの厚さは、合計７００μｍである。不織チタン繊維媒体をチタン箔に直接焼結した。また、不織チタン繊維媒体は、直径２２μｍの繊維を密度１０００ｇ／ｍ２、すなわち気孔率５６％で配置した繊維シートである。
本発明の例として、キャリアを形成した。キャリアは、厚さ１００μｍのチタン箔と、厚さ６００μｍの有孔不織チタン繊維媒体とを含む。有孔金属媒体は、第１の有孔層と第２の有孔層とを含む。第１の有孔層は、相当直径が２２μｍであるチタン繊維を含み、厚さは７４μｍである。第２の有孔層は、相当直径が１４μｍであるチタン繊維を含み、厚さは５２６μｍである。
本発明の例として、厚さ１５０μｍのチタン箔から形成された第１の層を有するキャリアを形成した。相当直径が２２μｍであり、繊維長が１４ｍｍであるチタン繊維からなる５００ｇ／ｍ２の不織チタン繊維媒体をチタン箔に焼結し、これにより、一方では接触するチタン繊維間で、また他方ではチタン繊維とチタン箔との間で焼結結合を成立させ、結果として合計で厚さ４００μｍの構造を形成した。有孔層の気孔率は、５６％であった。ウェハに接着されるキャリアの表面は、キャリアのトータルシックネスバリエーション（ＴＴＶ）を１０μｍ未満として研磨できる。
１５０ｍｍ×１５０ｍｍの正方形サイズのキャリアを、標準的な入手可能なシリコン系接着剤を使用して、同じサイズのガラス基板に一時的に接着した。ガラス基板は、ウェハを模している。溶液を剥離液に入れると（硬化シリコンを取り除くための市販の溶剤系であるＤａｅｃｌｅａｎ３００を使用した）、キャリアの側縁部からチタン媒体内部において剥離液がウィッキングし、これによって適切に剥離が行われた。ウィッキングは、ガラス板を介した視認での観察によって追跡できるであろう。剥離液は、２分４０秒という短時間で有孔金属媒体内部において完全にウィッキングし、その結果、ガラス板からキャリアが十分に剥離された。金属繊維不織ウェブと同様に、焼結金属粉末層または金属発泡体を有孔金属媒体として使用できることは当業者にとって明らかであろう。しかし、不織金属繊維が好適である。その理由は、繊維の細長い形状により、異なる孔サイズを取得でき、これによってウィッキングが最適化されると考えられるからである。
好適には、４バールの圧力をキャリアに加えたとき、キャリアの永続的な変形が、圧力を加える前のその元の厚さの５％未満となるようにキャリアが提供される。これは、２０秒の時間にわたり４バールの圧力を加えて、その前後のキャリアの厚さを計測することによって検査できる。この実施形態に従ったキャリアは、後の永続的な変形を制限するように、キャリアまたはキャリア内の１つもしくは複数の有孔金属層を事前に押圧処理することによって形成できる。このような実施形態は、キャリアに一時的に接着されている間に行われるウェハの処理（例えば、薄化）後のウェハの特性を驚くほど相乗的に向上させる。

Claims (13)

  1. ウェハが一時的に接着され得るキャリアであって、板状の積層体を含み、前記板状の積層体は、
    − 金属箔または金属シートを含む第１の層と、
    − 三次元開口孔を有する有孔金属媒体を含む第２の層であって、前記有孔金属媒体は金属繊維を含む、第２の層と
    を含み、前記第１の層は、前記有孔金属媒体に永続的に接着されており、それにより、前記第１の層が位置する側において前記有孔金属媒体の前記孔を閉鎖している、キャリア。
  2. 前記第１の層は、前記有孔金属媒体と同じ金属または合金を含む、請求項１に記載のキャリア。
  3. 前記有孔金属媒体は、ステンレス鋼、チタン、パラジウム、もしくはタングステンを含むか、または５０重量％超のチタン、パラジウム、もしくはタングステンを含む合金を含む、請求項１または２に記載のキャリア。
  4. 前記第１の層は、金属結合によって前記有孔金属媒体に永続的に接着されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア。
  5. 前記第１の層は、接着剤によって前記有孔金属媒体に永続的に接着されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア。
  6. 前記有孔金属媒体の気孔率は３０〜８０％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア。
  7. 前記金属繊維の相当直径は２〜５０μｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア。
  8. 前記有孔金属媒体は、ウェハに接着されるための表面を有し、前記表面は、前記第１の層と平行であり、前記表面は、前記キャリアが１０μｍ未満のトータルシックネスバリエーション（ＴＴＶ）を有するように研磨される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のキャリア。
  9. 前記有孔金属媒体は、第１の有孔層と第２の有孔層とを含み、
    前記第１の有孔層は、前記第１の層と前記第２の有孔層との間に設けられており、
    前記第１の有孔層の気孔率は、前記第２の有孔層の気孔率よりも高い、請求項１〜８のいずれか一項に記載のキャリア。
  10. 前記第２の層は、ウェハに接着されるための接触層を含み、
    前記接触層は、金属繊維と金属粉末との混合体を含み、
    前記金属繊維と前記金属粉末とは、その接触点において互いに対して永続的に接着されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のキャリア。
  11. 前記有孔金属媒体の側縁部は、前記有孔金属媒体の前記側縁部において開口孔が存在しないように永続的に密封されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のキャリア。
  12. ウェハと請求項１〜１１のいずれか一項に記載のキャリアとの組立体であって、前記ウェハは接着剤によって前記第２の層に接着されている、組立体。
  13. ウェハの処理のための方法であって、
    − 接着剤により、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のキャリアにウェハを一時的に接着する工程と、
    − 前記キャリアに一時的に接着された前記ウェハを処理する工程と、
    − 前記ウェハと前記キャリアとの間の前記一時的な接着剤接着を分解する剥離液により、前記キャリアから前記ウェハを剥離する工程であって、前記剥離液は、接着剤によって前記キャリアに接着された前記ウェハの組立体の側縁部から前記有孔金属媒体に浸透する、工程と
    を含む方法。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170126899A (ko) * 2015-03-11 2017-11-20 엔브이 베카에르트 에스에이 임시 결합된 웨이퍼용 캐리어
WO2018097265A1 (ja) * 2016-11-28 2018-05-31 三井金属鉱業株式会社 多層配線板の製造方法
JP7034547B2 (ja) * 2018-02-02 2022-03-14 株式会社ディスコ 環状の砥石、及び環状の砥石の製造方法
KR102477355B1 (ko) 2018-10-23 2022-12-15 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용한 기판 처리 장치
EP3971647A1 (en) * 2020-09-16 2022-03-23 ASML Netherlands B.V. Base plate and substrate assembly
WO2022058094A1 (en) * 2020-09-16 2022-03-24 Asml Netherlands B.V. Base plate and substrate assembly
CN112201573B (zh) * 2020-09-29 2024-04-12 武汉新芯集成电路制造有限公司 多层晶圆键合方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185519A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
FR2835242A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-01 Karl Suss France Dispositif pour le support avec maintien de plaquettes
JP2004202684A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Infineon Technologies Ag 加工品の処理方法および加工品キャリア
JP2005093938A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具
JP2007188967A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Sony Corp 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP2009188036A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート
JP2009191230A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Mitsui Chemicals Inc テープおよびこのテープを使用した半導体素子の製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4902420A (en) * 1987-03-27 1990-02-20 Pall Corporation Segmented filter disc with slotted support and drainage plate and support spacer
US5267607A (en) * 1991-05-28 1993-12-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JPH0985616A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Sony Corp 薄板状基板の研磨装置
US5858537A (en) * 1996-05-31 1999-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Compliant attachment
US6439984B1 (en) * 1998-09-16 2002-08-27 Entegris, Inc. Molded non-abrasive substrate carrier for use in polishing operations
DE19956250C1 (de) * 1999-11-23 2001-05-17 Wacker Siltronic Halbleitermat Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben
US7066800B2 (en) * 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6541989B1 (en) * 2000-09-29 2003-04-01 Motorola, Inc. Testing device for semiconductor components and a method of using the device
US7137879B2 (en) * 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
JP2002373929A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Tokyo Electron Ltd ウエハ支持体
KR20040098559A (ko) * 2003-05-15 2004-11-20 실트로닉 아게 반도체 웨이퍼의 연마 방법
US7008308B2 (en) * 2003-05-20 2006-03-07 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer carrier
JP2006135272A (ja) 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
DE10357698A1 (de) 2003-12-09 2005-07-14 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Träger für zu behandelnde Gegenstände sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP4727218B2 (ja) * 2004-12-10 2011-07-20 株式会社住友金属ファインテック 両面研磨用キャリア
DE102005010841A1 (de) * 2005-03-07 2006-09-14 ASTRA Gesellschaft für Asset Management mbH & Co. KG Textilinformationsträger und Verfahren zur Herstellung eines Textilinformationsträgers
DE102005034119B3 (de) * 2005-07-21 2006-12-07 Siltronic Ag Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird
JP5074719B2 (ja) 2006-07-14 2012-11-14 東京応化工業株式会社 ウエハを薄くする方法及びサポートプレート
US20080146121A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Platen assembly for electrochemical mechanical processing
JP4922752B2 (ja) 2006-12-28 2012-04-25 東京応化工業株式会社 孔あきサポートプレート
JP2009136136A (ja) * 2007-09-26 2009-06-18 Asml Netherlands Bv 合成キャリヤを有するローレンツアクチュエータを有するリソグラフィ装置
CN201112364Y (zh) * 2007-10-18 2008-09-10 郑州华硕精密陶瓷有限公司 承载盘
US7833884B2 (en) * 2007-11-02 2010-11-16 International Business Machines Corporation Strained semiconductor-on-insulator by Si:C combined with porous process
DE102009038942B4 (de) * 2008-10-22 2022-06-23 Peter Wolters Gmbh Vorrichtung zur beidseitigen Bearbeitung von flachen Werkstücken sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung mehrerer Halbleiterscheiben
WO2010058812A1 (ja) * 2008-11-21 2010-05-27 国立大学法人長岡技術科学大学 基板処理装置
US8764026B2 (en) * 2009-04-16 2014-07-01 Suss Microtec Lithography, Gmbh Device for centering wafers
US8801497B2 (en) * 2009-04-30 2014-08-12 Rdc Holdings, Llc Array of abrasive members with resilient support
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
US20110141448A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-16 Nikon Corporation Substrate carrier device, substrate carrying method, substrate supporting member, substrate holding device, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
DE102010013520B4 (de) * 2010-03-31 2013-02-07 Siltronic Ag Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe
US8816253B2 (en) * 2011-01-21 2014-08-26 Tp Solar, Inc. Dual independent transport systems for IR conveyor furnaces and methods of firing thin work pieces
WO2013151704A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Water sterilization devices and uses thereof
WO2013185804A1 (de) * 2012-06-12 2013-12-19 Erich Thallner Substrat-produktsubstrat-kombination sowie vorrichtung und verfahren zur herstellung einer substrat-produktsubstrat-kombination
US9349804B2 (en) * 2013-02-12 2016-05-24 Infineon Technologies Ag Composite wafer for bonding and encapsulating an SiC-based functional layer
US10549268B2 (en) * 2013-07-05 2020-02-04 Nitto Denko Corporation Filter element for decomposing contaminants, system for decomposing contaminants and method using the system
JP6286215B2 (ja) * 2014-01-28 2018-02-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR20170126899A (ko) * 2015-03-11 2017-11-20 엔브이 베카에르트 에스에이 임시 결합된 웨이퍼용 캐리어
DE102015106811B4 (de) * 2015-04-30 2022-02-03 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verwendung einer Folienstruktur in einem Energiespeicher und Energiespeicher
JP6615134B2 (ja) * 2017-01-30 2019-12-04 日本碍子株式会社 ウエハ支持台

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185519A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
FR2835242A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-01 Karl Suss France Dispositif pour le support avec maintien de plaquettes
JP2004202684A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Infineon Technologies Ag 加工品の処理方法および加工品キャリア
JP2005093938A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具
JP2007188967A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Sony Corp 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP2009188036A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート
JP2009191230A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Mitsui Chemicals Inc テープおよびこのテープを使用した半導体素子の製造方法

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Publication number Publication date
US10354905B2 (en) 2019-07-16
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