JP2002373929A - ウエハ支持体 - Google Patents

ウエハ支持体

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光博 湯浅
Keiichi Enjoji
啓一 円城寺
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハンドリング時にウエハの反りを生じること
がなく、また、ウエハの冷却を効率的に行うことができ
るとともにウエハ裏面に設けた熱伝導性部材の熱による
劣化を生じることがないウエハ支持体を提供する。 【解決手段】 ウエハ支持体１０は、基体１２と熱伝導
性部材１４とで構成される。基体１２は、ニッケル材料
により形成される。熱伝導性部材１４は、シリコーンゴ
ム１６を主材料とし、このシリコーンゴム１６にＡｇ微
粉１８が配合されて、薄板状に形成される。Ａｇ微粉１
８を部分的に高密度に配合されて、複数の柱状領域２０
が、一端を上側に向け、他端を下側に向けて複数形成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として半導体素
子の製造プロセスにおいて、薄層化したウエハを支持し
てハンドリングするためのウエハ支持体に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造プロセスでは、ウエハ
をウエハ支持体（あるいはウエハ保持体）に支持（ある
いは保持）した状態で処理を施し、また工程間を搬送す
ることが行われる。
【０００３】例えば、バックグラインド工程では、ウエ
ハを切断してチップに分離するに先立ち、ウエハを研削
して、通常２００μｍ以下程度の厚さまでウエハを薄層
化している。薄層化したウエハは、例えばバックグライ
ンダ用の保護テープを貼り付けたままの状態で次工程に
搬送され、金属台等に配置してダイシング処理されるこ
とが多い。
【０００４】また、イオン注入装置等においては、処理
中にウエハが高温となるため、支持体上にシリコーンゴ
ム等の熱伝導体を取り付け、この熱伝導体の上にウエハ
を配置するようにしたウエハ支持体を用いて、ウエハの
熱を支持体に伝達させることが行われている。また、こ
のようなウエハ支持体はシリコーンゴム等の熱伝導体の
熱伝導性が充分ではないとして、熱伝達体として金属多
孔体の孔部にシリコーンゴムを充填したものを用いるこ
とも検討されている（特開昭６２−７６１４６号公
報）。この場合、熱伝達体材料自体の熱伝導率の向上を
図るとともにウエハと熱伝達体との密着性の向上による
熱伝達性の改善にも配慮することにより総合的な熱伝達
の改善を図ることができるとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術のうち、前者のウエハに単に保護テープを貼り付
けただけのものは、薄層化して機械的強度が低下したウ
エハに反りが生じ易く、ハンドリングに支障を来たすお
それがある。また、ウエハの処理を行うときに、保護テ
ープを貼り付けたウエハが金属台上で反ると、ウエハか
ら金属台への熱伝達が阻害され、ウエハの冷却を充分に
行うことができず、また、高熱状態に曝された保護テー
プが短時間で変質して使用できなくなる不具合もある。
【０００６】一方、後者の支持体上に熱伝導体を取付け
たものは、ウエハの冷却効果が必ずしも充分ではない。
【０００７】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、ハンドリング時にウエハの反りを生じること
がなく、また、ウエハ処理時にウエハの熱を効率的にウ
エハ支持体に逃がすことで、ウエハの冷却を効率的に行
うことができるとともにウエハ裏面に設けた熱伝導性部
材の熱による劣化を生じることがないウエハ支持体を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハ支持
体は、基体上に熱伝導性ゴムを主材料とする熱伝導性部
材を配設し、該熱伝導性部材上にウエハを配置するよう
に構成してなるウエハ支持体において、該熱伝導性部材
は、該熱伝導性ゴム中にウエハ配置側と該基体側とを繋
ぐ柱状領域を形成するように熱伝導性粉体材料を密集配
合してなることを特徴とする。
【０００９】ここで、ウエハ支持体は、ウエハを支持
（保持）した状態で、工程間を搬送しあるいはまた所定
の工程においてウエハを処理する際に用いるものをい
う。また、熱伝導性ゴムは、高い熱伝導率を有するゴム
であれば特に限定するものではないが、さらにウエハ保
護テープとの高い密着性を得るために良好な粘着性をも
有する観点からはシリコーンゴムが好適である。また、
熱伝導性粉体材料は、高い熱伝導率を有する粉体材料で
あれば特に限定するものではないが、金属やカーボンの
微粉体が好適である。金属としては、Ａｇ、Ｃｕ等が特
に好ましい。このような粉体を溶融状態の熱伝導性ゴム
に配合した後、熱伝導性ゴム中に粉体が高密度に分散さ
れた柱状領域を形成することができる。これにより、ウ
エハ配置側と基体側とを繋ぐ良熱伝達経路としての柱状
領域を得ることができる。
【００１０】また、本発明に係るウエハ支持体は、該熱
伝導性部材の該熱伝導性ゴム中に熱伝導性繊維材料を分
散配合してなることを特徴とする。
【００１１】ここで、熱伝導性繊維材料は、高い熱伝導
率を有する繊維材料であれば特に限定するものではない
が、金属繊維材料やカーボン繊維材料を好適に用いるこ
とができる。
【００１２】この場合、前記熱伝導性部材は、前記熱伝
導性ゴム中にウエハ配置側と該基体側とを繋ぐ柱状領域
を形成するように前記熱伝導性繊維材料を密集配合して
なると好適である。
【００１３】本発明に係るウエハ支持体は、上記の構成
により、熱伝導性部材および基体からなるウエハ支持体
を用いるため、ウエハに保護テープを貼り付けだけの状
態でハンドリングする従来例に比べて、ウエハの反りを
生じることがないため、ハンドリングが良好である。ま
た、熱伝導性部材は、熱伝導性ゴム中に熱伝導性粉体材
料または熱伝導性繊維材料を配合したものであるため、
単に熱伝導性ゴムのみを用いた従来例に比べて、ウエハ
処理時にウエハの熱を効率的にウエハ支持体に逃がすこ
とができ、したがって、ウエハの冷却を効率的に行うこ
とができるとともにウエハ裏面に設けた熱伝導性部材の
熱による劣化を生じることがない。
【００１４】また、本発明に係るウエハ支持体は、前記
熱伝導性部材の前記熱伝導性ゴム中にウエハ配置面のウ
エハの半径方向に相当する方向に上記の熱伝導性粉体材
料または上記の熱伝導性繊維材料を密度を傾斜して配合
してなることを特徴とする。
【００１５】本発明の上記の構成により、例えば、熱伝
導材が存在しないため熱伝達効率が低い熱伝導性部材の
外周側に熱伝導性粉体材料または熱伝導性繊維材料を高
密度に配合することで、熱伝導性部材全体として高い熱
伝導均一性を得ることができる。
【００１６】また、前記熱伝導性部材は、前記熱伝導性
ゴム中に上記の熱伝導性粉体材料または上記の熱伝導性
繊維材料をウエハの配置される側の該熱伝導性ゴムの表
面に露出しないように配合してなると、良好な粘着性を
有する熱伝導性ゴムのみがウエハに接することで、ウエ
ハとの良好な密着性を得ることができる。これにより、
ウエハの冷却をより効率的に行うことができ、また、ウ
エハをウエハ支持体上に確実に支持することができる。
【００１７】また、本発明に係るウエハ支持体は、前記
熱伝導性部材のウエハ配置面を円形状に形成し、該熱伝
導性部材の径をウエハの径からウエハ配置時の該熱伝導
性部材とウエハとの位置決め誤差を差し引いた寸法より
も小さく形成してなることを特徴とする。
【００１８】例えば、ウエハの径が２００ｍｍの場合、
ウエハの径の１％（±０．５％）に相当する２ｍｍの位
置決め誤差（搬送、配置誤差）を見込んで、熱伝導性部
材の径を１９８ｍｍに設定する。
【００１９】本発明の上記の構成により、ウエハ支持体
にウエハを配置して支持した状態において、位置決め誤
差を生じたときであっても熱伝導性部材がウエハの周縁
から露出することがないため、ウエハ処理時の例えばエ
ッチング材等の処理材料が熱伝導性部材に直接かかって
熱伝導性部材を変質させるおそれがない。
【００２０】また、本発明に係るウエハ支持体は、前記
基体は金属材料で形成されるとともに円柱形状の凹部を
有し、該凹部に前記熱伝導性部材が配設されるととも
に、さらにウエハが該凹部に配置されるように構成して
なることを特徴とする。
【００２１】本発明の上記の構成により、例えばプラズ
マエッチングや反応性イオンエッチング、スパッタエッ
チング等のウエハ処理を行ったときに、プラズマやラジ
カルからウエハの側面および熱伝導性部材を保護するこ
とができる。
【００２２】この場合、前記基体は、少なくとも前記熱
伝導性部材が配設された部位を除く表面がセラミックス
材料で被覆されてなると、基体についてもプラズマやラ
ジカルから保護することができる。
【００２３】ここで、セラミックス材料は、広義のもの
をいい、例えばアルミナ等が好適である。また、被覆方
法は、接着法、コーティング法等適宜の方法を用いるこ
とができ、例えばアルミナを用いるときは溶射法が好適
である。
【００２４】また、この場合、配置されるウエハの寸法
に対応して複数の寸法に形成される前記熱伝導性部材の
寸法に関わらず、前記基体を所定の一の外形寸法に形成
してなると、寸法の異なるウエハをウエハの寸法に対応
して寸法の異なる熱伝導性部材を配設したウエハ支持体
を用いてハンドリングする場合であっても、基体を所定
の一の外形寸法に形成しているため、同一形態の一の搬
送装置や、固定装置等ウエハ支持体を取付けてハンドリ
ングすることができ、複数形態の搬送装置や、固定装置
等を準備する必要がない。
【００２５】また、本発明に係るウエハ支持体は、所定
の情報を記録した識別標識が設けられていることを特徴
とする。
【００２６】ここで、識別標識に記録される所定の情報
は、ウエハ支持体自身の情報を含む支持体（トレイＩ
Ｄ）に関する情報である。ウエハ支持体自身以外の情報
として、処理ウエハや処理プロセスの情報等も、好適に
付与することができる。
【００２７】本発明の上記の構成により、例えば、ウエ
ハ支持体の汚損状態を適正に管理することができ、ウエ
ハ支持体に付着した汚損物質がウエハに再付着してウエ
ハを汚損することがない。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明に係るウエハ支持体の好適
な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）につい
て、図を参照して、以下に説明する。
【００２９】本実施の形態の第１の例に係るウエハ支持
体について、図１を参照して説明する。
【００３０】ウエハ支持体１０は、基体１２と基体１２
の上に配設した熱伝導性部材１４とで構成される。
【００３１】基体１２は、例えば、金属材料であるニッ
ケルを材料として、０．３〜３ｍｍ程度の厚みの板状あ
るいは円板状に形成される。
【００３２】熱伝導性部材１４は、例えば、熱伝導性ゴ
ムであるシリコーンゴム１６を主材料とし、このシリコ
ーンゴム１６に、Ａｇ微粉１８が配合されて、０．０５
〜３ｍｍ程度の厚みの薄板状に形成される。
【００３３】この場合、例えば、シリコーンゴム１６の
原料としてジメチルジクロロシランを用い、Ａｇ微粉１
８を添加した後、成形処理を行う。これにより、図１に
示すように、シリコーンゴム１６中にＡｇ微粉１８が部
分的に高密度に配合された複数の柱状領域２０が、一端
を上側に向け、他端を下側に向けて複数形成される。
【００３４】上記のように構成したウエハ支持体１０の
上に、図示しない保護テープを介してウエハ２２が配置
され、ウエハ２２は、例えば、固定部材を用いてウエハ
支持体に固定され、あるいは、ウエハ支持体１０に設け
た吸着機構によって吸着、固定される（図示せず。）。
そして、ウエハ支持体１０に固定されたウエハ２２は、
所定の処理が施され、あるいは、次工程に搬送される。
【００３５】上記本実施の形態の第１の例に係るウエハ
支持体は、熱伝導性部材および基体からなるウエハ支持
体を用いるため、ウエハに保護テープを貼り付けだけの
状態でハンドリングする従来例に比べて、ウエハの反り
を生じることがないため、ハンドリングが良好である。
また、熱伝導性部材は、熱伝導性ゴム中に熱伝導性粉体
材料を配合したものであるため、単に熱伝導性ゴムのみ
を用いた従来例に比べて、ウエハ処理時にウエハの熱を
効率的にウエハ支持体に逃がすことができ、したがっ
て、ウエハの冷却を効率的に行うことができるとともに
ウエハ裏面に設けた熱伝導性部材および保護テープの熱
による劣化を生じることがない。
【００３６】つぎに、上記本実施の形態の第１の例に係
るウエハ支持体１０の２つの変形例について、図２、図
３を参照して以下説明する。
【００３７】図２に示す第１の変形例のウエハ支持体１
０ａは、熱伝導性部材１４ａが主材料であるシリコーン
ゴム１６中に、Ａｇ金属繊維１８ａが分散して配合され
ている点が本実施の形態の第１の例に係るウエハ支持体
１０と相違する。
【００３８】また、図３に示す第２の変形例のウエハ支
持体１０ｂは、熱伝導性部材１４ｂが主材料であるシリ
コーンゴム１６中に、例えば、第１の変形例のＡｇ金属
繊維１８ａが部分的に密集して、本実施の形態の第１の
例の場合と同様に柱状領域２０ａを形成している点が第
１の変形例と相違する。
【００３９】上記第１および第２の変形例のウエハ支持
体１０ａ、１０ｂは、本実施の形態の第１の例に係るウ
エハ支持体１０に比べて高熱伝導体が連続しているた
め、より高い熱伝導率を得ることができる。
【００４０】つぎに、本実施の形態の第２の例に係るウ
エハ支持体について、図４を参照して説明する。
【００４１】本実施の形態の第２の例に係るウエハ支持
体２４は、基本構成は本実施の形態の第１の例あるいは
第１、第２の変形例と同様である。
【００４２】ウエハ支持体２４は、熱伝導性部材２６が
熱伝導性粉体材料として本実施の形態の第１の例のＡｇ
微粉１８を分散して配合されているが、この場合、配置
されるウエハ２２の半径方向（図４（ａ）中矢印Ｒ１、
Ｒ２）に相当する方向において、外側になるにつれてＡ
ｇ微粉１８が高密度になるように、密度を傾斜して配合
している点が本実施の形態の第１の例等と相違する。
【００４３】上記本実施の形態の第２の例に係るウエハ
支持体２４は、例えば、外周部の外側に伝熱経路がない
等の理由で熱伝達効率が低い熱伝導性部材の外周側に熱
伝導性粉体材料または熱伝導性繊維材料を高密度に配合
することで、ウエハ支持体２４の周辺部の熱伝導性が向
上し、熱伝導性部材全体、さらにはウエハ支持体２４全
体として高い熱伝導均一性を得ることができる。
【００４４】なお、ウエハ中心側の冷却を強化する必要
があるときは、上記本実施の形態の第２の例に係るウエ
ハ支持体２４とは逆に、ウエハ２２の半径方向に相当す
る方向において、中心側になるにつれてＡｇ微粉１８が
高密度になるように、密度を傾斜して配合すればよい。
【００４５】また、上記本実施の形態の第２の例に係る
ウエハ支持体２４のＡｇ微粉１８に代えて、第１、第２
の変形例のＡｇ金属繊維１８ａを用いてもよい。
【００４６】つぎに、本実施の形態の第３の例に係るウ
エハ支持体について、図５を参照して説明する。
【００４７】本実施の形態の第３の例に係るウエハ支持
体２８は、基本構成は本実施の形態の第１の例等と同様
であり、図５では、例えば本実施の形態の第１の例に係
るウエハ支持体１０と略同じ構成である。
【００４８】ウエハ支持体２８は、熱伝導性部材３０の
Ａｇ微粉１８がウエハ２２の配置される側のシリコーン
ゴム１６の表面（図５中Ａ部）に露出しないように配合
される。
【００４９】なお、この場合、Ａｇ微粉１８に代えてＡ
ｇ金属繊維１８ａを用いてもよい。
【００５０】上記本実施の形態の第３の例に係るウエハ
支持体２８は、良好な粘着性を有するシリコーンゴム１
６のみがウエハ２２に接することで、ウエハ２２との良
好な密着性を得ることができる。これにより、ウエハ２
２から熱伝導性部材３０への熱伝導が良好に行われ、ま
た、例えば、吸着法等によるウエハ２２のウエハ支持体
２８への固定をより確実に行うことができる。また、保
護テープを設けていない場合でも、ウエハがＡｇ微粉や
Ａｇ金属繊維からダメージを受けることがない。
【００５１】つぎに、本実施の形態の第４の例に係るウ
エハ支持体について、図６を参照して説明する。
【００５２】本実施の形態の第４の例に係るウエハ支持
体３０は、基本構成は本実施の形態の第１の例等と同様
である。
【００５３】ウエハ支持体３０は、熱伝導性部材３２の
ウエハ配置面を円形状に形成している。なお、図６で
は、熱伝導性部材３２はウエハ配置面のみでなく基体配
設面についても同様に円形状に形成され、全体として、
円形シート状に形成されている。
【００５４】そして、熱伝導性部材３２の径Ｄ１は、配
置されるウエハの径Ｄ２に対して、ウエハ２２を配した
ときの熱伝導性部材３２とウエハ２２との位置決め誤差
の分だけ、あるいは、位置決め誤差の分を越えて、小さ
く形成される。
【００５５】すなわち、所定の装置において、ウエハ２
２を搬送してウエハ支持体３０に位置決めするときの誤
差が例えばウエハ２２の径Ｄ２の１％（片側０．５％）
であることが既知の場合、ウエハ２２の径Ｄ２が２００
ｍｍのときは熱伝導性部材３２の径Ｄ１を、例えば１９
８ｍｍとする。
【００５６】上記本実施の形態の第４の例に係るウエハ
支持体３０は、図６（ａ）に示すように、ウエハ２２の
中心Ｏ１が熱伝導性部材３２の中心Ｏ２よりも図中上方
に１ｍｍずれて位置決めされたとき、言いかえれば、ウ
エハ２２の上端に対して熱伝導性部材３２の上端が２ｍ
ｍ中心側にずれて、上端部側においてウエハ２２に熱伝
導性部材３２が多く隠れた状態であっても、熱伝導性部
材３２の下端がウエハ２２の下端から下方にはみ出して
露出することがない。
【００５７】逆に、図６（ｂ）に示すように、ウエハ２
２の中心Ｏ１が熱伝導性部材３２の中心Ｏ２よりも図中
下方に１ｍｍずれて位置決めされたときも同様である。
【００５８】したがって、ウエハ支持体３０にウエハ２
２を配置して支持した状態において、位置決め誤差を生
じたときであっても熱伝導性部材３２がウエハ２２の周
縁から露出することがないため、ウエハ処理時の例えば
エッチング材等の処理材料が熱伝導性部材に直接かかっ
て熱伝導性部材３２を変質させるおそれがない。
【００５９】つぎに、本実施の形態の第５の例に係るウ
エハ支持体について、図７を参照して説明する。
【００６０】本実施の形態の第５の例に係るウエハ支持
体３４は、基本構成は本実施の形態の第１の例等と同様
である。
【００６１】ウエハ支持体３４は、基体３６が例えばニ
ッケル金属材料で形成される。また、基体３６の上面に
は円柱形状の凹部３８が形成される。
【００６２】そして、凹部３８に熱伝導性部材４０が配
設されるとともに、さらにウエハ２２が熱伝導性部材４
０上に配置され、ウエハ２２が凹部３８内に収容され
る。言いかえれば、ウエハ２２の側面および熱伝導性部
材４０が基体３６の凹部３８に落とし込まれた状態で配
置される。
【００６３】上記本実施の形態の第５の例に係るウエハ
支持体３４は、例えば上方からウエハ２２に対して、プ
ラズマエッチングや反応性イオンエッチング、スパッタ
エッチング等のウエハ処理を行ったときに、基体３６を
保護壁としてプラズマやラジカルからウエハ２２の側面
および熱伝導性部材４０を保護することができる。
【００６４】つぎに、本実施の形態の第６の例に係るウ
エハ支持体について、図８を参照して説明する。
【００６５】本実施の形態の第６の例に係るウエハ支持
体７０は、基本構成は本実施の形態の第５の例と略同様
である。
【００６６】ウエハ支持体７０は、基体７２の上面の凹
部が大径の第１の凹部７４ａと小径の第２の凹部７４ｂ
とに段差状に形成され、いわば２段トレー状になってい
る点が本実施の形態の第５の例のウエハ支持体４２と相
違する。そして、第２の凹部７４ｂに完全に埋没した状
態で熱伝導性部材４０が配置され、さらに熱伝導性部材
４０よりも大きな寸法のウエハ２２が第１の凹部７４ａ
内に収容され、熱伝導性部材４０上に配置される。
【００６７】上記本実施の形態の第６の例に係るウエハ
支持体７０は、熱伝導性部材４０の側面が基体７２に覆
われるとともに上面がウエハ２２で覆われているため、
本実施の形態の第５の例と比べて、さらにより確実に熱
伝導性部材４０を保護することができる。
【００６８】つぎに、本実施の形態の第７の例に係るウ
エハ支持体について、図９を参照して説明する。
【００６９】本実施の形態の第７の例に係るウエハ支持
体４２は、基本構成は本実施の形態の第５の例と同様で
ある。
【００７０】ウエハ支持体４２は、基体４４が熱伝導性
部材の４０の配設された部位を除く表面をセラミックス
材料４６で被覆されている点が、本実施の形態の第５の
例のウエハ支持体４２と相違する。この場合、セラミッ
クス材料４６としてのアルミナが基体４４の表面に溶射
される。
【００７１】上記本実施の形態の第６の例に係るウエハ
支持体４２は、金属製の基体４４の表面がセラミックス
材料４６で覆われているため、基体４４についてもプラ
ズマやラジカルから保護することができる。なお、基体
４４の下面は、通常冷却装置等の他の部材上に載置され
ているため、あるいはプラズマやラジカルが直接衝突す
るおそれがないため、セラミックス材料４６で被覆する
必要がない。
【００７２】つぎに、本実施の形態の第８の例に係るウ
エハ支持体について、図１０を参照して説明する。
【００７３】本実施の形態の第８の例に係るウエハ支持
体は、基本構成は例えば本実施の形態の第７の例と同様
である。
【００７４】但し、ウエハ支持体は、配置されるウエハ
の寸法に対応して複数の寸法に形成される熱伝導性部材
の寸法に関わらず、基体が所定の一の外形寸法に形成さ
れる。
【００７５】すなわち、例えば、図１０（ａ）に示す、
１２インチ径のウエハ２２ａを配置するウエハ支持体４
６ａは、熱伝導性部材４８ａがウエハ２２ａと同一の径
またはウエハ２２ａより僅かに小さい径に形成され、ウ
エハ２２ａおよび熱伝導性部材４８ａの径に対応した径
を有する基体５０ａの凹部５２ａにウエハ２２ａおよび
熱伝導性部材４８ａが収容される。一方、図１０（ｂ）
に示す、４インチ径のウエハ２２ｂを配置するウエハ支
持体４６ｂは、熱伝導性部材４８ｂがウエハ２２ｂと同
一の径またはウエハ２２ａより僅かに小さい径に形成さ
れ、ウエハ２２ｂおよび熱伝導性部材４８ｂの径に対応
した径を有する基体５０ｂの凹部５２ｂにウエハ２２ｂ
および熱伝導性部材４８ｂが収容される。このとき、基
体５０ａ、５０ｂの外形寸法、すなわち、外径Ｄ３、Ｄ
４は同一寸法に形成される。
【００７６】上記本実施の形態の第８の例に係るウエハ
支持体４６ａ、４６ｂは、寸法の異なるウエハをウエハ
支持体に支持してハンドリングする場合であっても、基
体を所定の一の外形寸法に形成しているため、同一形態
の一の搬送装置や、固定装置等にウエハ支持体を取付け
てハンドリングすることができ、複数形態の搬送装置
や、固定装置等を準備する必要がない。
【００７７】つぎに、ウエハ支持体へのウエハ固定方法
について、図１１を参照して説明する。
【００７８】ウエハ支持体５４は、本実施の形態の第８
の例に係るウエハ支持体４６ａと略同様に構成されてい
る。この場合、ウエハ２２は回動可能な固定部材５６に
よってウエハ支持体５４に固定される。なお、固定部材
５６を設けることなく、粘着シートを用いてウエハ２２
をウエハ支持体５４に固定してもよい。
【００７９】ウエハ２２を支持したウエハ支持体５４
は、磁性チャック５７に配置される。磁性チャック５７
は、複数本の棒状永久磁石６４および上下駆動機構６６
を有する。そして、棒状永久磁石６４の磁力によってウ
エハ支持体５４を磁性チャック５６に確実に固定する。
【００８０】つぎに、ウエハ支持体を多数回繰り返して
使用する時のウエハ支持体の管理方法を述べる。
【００８１】上記のウエハ支持体５４は、ウエハ２２の
処理を行った際に、例えば、エッチング剤やエッチング
残滓等が一部付着残存することがある。これらウエハ支
持体５４に付着するエッチング剤等の汚損物質は一回の
処理における量は微量であるが、、ウエハ２２の処理が
多数回繰り返されると蓄積され、ウエハ２２の取り扱い
上無視できない程度の量に至る。このため、ウエハ支持
体５４を適宜洗浄等する必要がある。
【００８２】本発明では、ウエハ支持体５４の適当な部
位に識別標識を設けておく。この識別標識には、ウエハ
支持体５４自身の情報を含む支持体（トレイＩＤ）に関
する情報が付与（記録）される。支持体に関する情報
は、例えば電子ビーム等を用いてウエハ支持体５４表面
を食刻加工するなどして付与される。
【００８３】そして、ウエハ２２を支持したウエハ支持
体５４を搬送して磁性チャック５７に固定してウエハ処
理を行う都度に、センサで識別標識の情報を読み取って
ウエハ支持体５４を識別する（図示せず。）。センサで
読み取られたウエハ支持体５４の識別情報は、コンピュ
ータに送られ、ウエハ支持体５４毎の使用回数の累積値
が記憶される（図示せず。）。
【００８４】ウエハ支持体５４の使用回数が所定の値、
例えば１００回に達すると、コンピュータから洗浄指示
が出され、ウエハ支持体５４の洗浄を行う。以後、使用
回数１００回毎に洗浄を繰り返す。さらに、累積使用回
数が所定の値、例えば、１０００回に達すると、ウエハ
支持体５４を新品に交換する。
【００８５】以上説明したウエハ支持体の管理方法によ
れば、ウエハ支持体５４に支持体情報が含まれた識別標
識が設けられ、ウエハ支持体の汚損状態が適正に管理さ
れるため、ウエハ支持体に付着した汚損物質がウエハに
再付着してウエハを汚損することがない。
【００８６】なお、上記識別標識に付与されるウエハ支
持体自身以外の情報としては、処理ウエハや処理プロセ
スの情報等を、好適に付与することができる。
【００８７】
【発明の効果】本発明に係るウエハ支持体によれば、熱
伝導性部材は、熱伝導性ゴム中にウエハ配置側と基体側
とを繋ぐ柱状領域を形成するように熱伝導性粉体材料を
密集配合してなり、また、熱伝導性ゴム中に熱伝導性繊
維材料を分散配合してなり、また、熱伝導性ゴム中にウ
エハ配置側と基体側とを繋ぐ柱状領域を形成するように
熱伝導性繊維材料を密集配合してなるため、ウエハの反
りを生じることがなく、また、ウエハの冷却を効率的に
行うことができるとともにウエハ裏面に設けた熱伝導性
部材の熱による劣化を生じることがない。
【００８８】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、熱伝導性部材は、熱伝導性繊維材料を密度を傾斜し
て配合してなるため、熱伝導性部材全体として高い熱伝
導均一性を得ることができる。
【００８９】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、熱伝導性部材は、熱伝導性ゴム中に熱伝導性粉体材
料または熱伝導性繊維材料をウエハの配置される側の熱
伝導性ゴムの表面に露出しないように配合してなるた
め、ウエハとの良好な密着性を得ることができる。これ
により、ウエハの冷却をより効率的に行うことができ、
また、ウエハをウエハ支持体上に確実に支持することが
できる。
【００９０】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、熱伝導性部材の径をウエハの径からウエハ配置時の
熱伝導性部材とウエハとの位置決め誤差を差し引いた寸
法よりも小さく形成してなるため、ウエハ処理時の例え
ばエッチング材等の処理材料が直接熱伝導性部材にかか
って熱伝導性部材を変質させるおそれがない。
【００９１】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、基体の凹部に熱伝導性部材およびウエハが配置され
るため、ウエハ処理を行ったときに、プラズマやラジカ
ルからウエハの側面および熱伝導性部材を保護すること
ができる。
【００９２】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、基体は、表面がセラミックス材料で被覆されてなる
ため、基体についてもプラズマやラジカルから保護する
ことができる。
【００９３】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、配置されるウエハの寸法に対応して複数の寸法に形
成される前記熱伝導性部材の寸法に関わらず、基体を所
定の一の外形寸法に形成してなるため、寸法の異なるウ
エハをウエハの寸法に対応して寸法の異なる熱伝導性部
材を配設したウエハ支持体を用いてハンドリングする場
合であっても、同一形態の一の搬送装置や、固定装置等
ウエハ支持体を取付けてハンドリングすることができ、
複数形態の搬送装置や、固定装置等を準備する必要がな
い。
【００９４】また、本発明に係るウエハ支持体によれ
ば、所定の情報を記録した識別標識が設けられているた
め、例えば、ウエハ支持体の汚損状態を適正に管理する
ことができ、ウエハ支持体に付着した汚損物質がウエハ
に再付着してウエハを汚損することがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態の第１の例に係るウエハ支持体の
概略側面図であり、熱伝導性部材中の熱伝導性粉体材料
の配合状態を模式的に表示したものである。
【図２】本実施の形態の第１の例の第１の変形例に係る
ウエハ支持体の概略側面図であり、熱伝導性部材中の熱
伝導性繊維材料の配合状態を模式的に表示したものであ
る。
【図３】本実施の形態の第１の例の第２の変形例に係る
ウエハ支持体の概略側面図であり、熱伝導性部材中の熱
伝導性繊維材料の配合状態を模式的に表示したものであ
る。
【図４】本実施の形態の第２の例に係るウエハ支持体を
説明するためのものであり、図４（ａ）はウエハ支持体
の概略平面図であり、図４（ｂ）はウエハ支持体の概略
側面図であり、それぞれ熱伝導性部材中の熱伝導性粉体
材料の配合状態を模式的に表示したものである。
【図５】本実施の形態の第３の例に係るウエハ支持体の
概略側断面図であり、熱伝導性部材中の熱伝導性粉体材
料の配合状態を模式的に表示したものである。
【図６】本実施の形態の第４の例に係るウエハ支持体を
説明するためのものであり、図６（ａ）はウエハ支持体
に対してウエハが上方に位置ずれした状態を示す図であ
り、図６（ｂ）はウエハ支持体に対してウエハが下方に
位置ずれした状態を示す図である。
【図７】本実施の形態の第５の例に係るウエハ支持体の
概略側断面図である。
【図８】本実施の形態の第６の例に係るウエハ支持体の
概略側断面図である。
【図９】本実施の形態の第７の例に係るウエハ支持体の
概略側断面図である。
【図１０】本実施の形態の第８の例に係るウエハ支持体
を説明するためのものであり、図１０（ａ）はウエハの
径が大きい場合を示す図であり、図１０（ｂ）はウエハ
の径が小さい場合を示す図である。
【図１１】本発明のウエハ支持体の固定方法を説明する
ためのものであり、ウエハ支持体および磁性チャックの
概略側断面図を示す。
【符号の説明】
１０、１０ａ、１０ｂ、２４、２８、３０、３４、４
２、４６ａ、４６ｂ、５４ ウエハ支持体 １２、３６、４４ 基体 １４、１４ａ、２６、３０、３２、４０、４８ａ、４８
ｂ 熱伝導性部材 １６ シリコーンゴム １８ Ａｇ微粉 １８ａ Ａｇ金属繊維 ２０、２０ａ 柱状領域 ２２、２２ａ、２２ｂ ウエハ ３８、５２ａ、５２ｂ 凹部 ４６ セラミックス材料 ５６ 固定部材 ５７ 磁性チャック ６４ 棒状永久磁石 ６６ 上下駆動機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 円城寺 啓一 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 本間 孝治 東京都東大和市立野２丁目703番地 株式 会社ケミトロニクス内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 GA13 GA33 HA02 HA03 HA05 HA12 HA50 JA49 JA51 MA17 PA07 PA14 PA23

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体上に熱伝導性ゴムを主材料とする熱
    伝導性部材を配設し、該熱伝導性部材上にウエハを配置
    するように構成してなるウエハ支持体において、 該熱伝導性部材は、該熱伝導性ゴム中にウエハ配置側と
    該基体側とを繋ぐ柱状領域を形成するように熱伝導性粉
    体材料を密集配合してなることを特徴とするウエハ支持
    体。
  2. 【請求項２】 基体上に熱伝導性ゴムを主材料とする熱
    伝導性部材を配設し、該熱伝導性部材上にウエハを配置
    するように構成してなるウエハ支持体において、 該熱伝導性部材は、該熱伝導性ゴム中に熱伝導性繊維材
    料を分散配合してなることを特徴とするウエハ支持体。
  3. 【請求項３】 前記熱伝導性部材は、前記熱伝導性ゴム
    中にウエハ配置側と該基体側とを繋ぐ柱状領域を形成す
    るように前記熱伝導性繊維材料を密集配合してなること
    を特徴とする請求項２記載のウエハ支持体。
  4. 【請求項４】 前記熱伝導性部材は、前記熱伝導性ゴム
    中にウエハ配置面のウエハの半径方向に相当する方向に
    請求項1記載の熱伝導性粉体材料または請求項２若しく
    は３記載の熱伝導性繊維材料を密度を傾斜して配合して
    なることを特徴とするウエハ支持体。
  5. 【請求項５】 前記熱伝導性部材は、前記熱伝導性ゴム
    中に請求項1記載の熱伝導性粉体材料または請求項２若
    しくは３記載の熱伝導性繊維材料をウエハの配置される
    側の該熱伝導性ゴムの表面に露出しないように配合して
    なることを特徴とするウエハ支持体。
  6. 【請求項６】 前記熱伝導性部材のウエハ配置面を円形
    状に形成し、 該熱伝導性部材の径をウエハの径からウエハ配置時の該
    熱伝導性部材とウエハとの位置決め誤差を差し引いた寸
    法よりも小さく形成してなることを特徴とする請求項１
    〜５のいずれか１項に記載のウエハ支持体。
  7. 【請求項７】 前記基体は金属材料で形成されるととも
    に円柱形状の凹部を有し、該凹部に前記熱伝導性部材が
    配設されるとともに、さらにウエハが該凹部に配置され
    るように構成してなることを特徴とする請求項１〜６の
    いずれか１項に記載のウエハ支持体。
  8. 【請求項８】 前記基体は、少なくとも前記熱伝導性部
    材が配設された部位を除く表面がセラミックス材料で被
    覆されてなることを特徴とする請求項７記載のウエハ支
    持体。
  9. 【請求項９】 配置されるウエハの寸法に対応して複数
    の寸法に形成される前記熱伝導性部材の寸法に関わら
    ず、前記基体を所定の一の外形寸法に形成してなること
    を特徴とする請求項７または８に記載のウエハ支持体。
  10. 【請求項１０】 所定の情報を記録した識別標識が設け
    られていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１
    項に記載のウエハ支持体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153410A (ja) * 2008-11-27 2010-07-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具及び半導体ウェーハの加工方法
JP2011077171A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置
KR20150023376A (ko) * 2012-06-12 2015-03-05 에리히 탈너 기판 정렬 장치 및 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2872502B1 (fr) * 2004-07-05 2006-11-10 Ecole Norm Superieure Lyon Dispositif de microstructuration de surface
DE102011115498A1 (de) * 2011-10-11 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Lagervorrichtung zur Lagerung eines Substrats und mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Lagervorrichtung
JP6663442B2 (ja) * 2015-03-11 2020-03-11 エンベー ベカルト ソシエテ アノニムＮＶ Ｂｅｋａｅｒｔ ＳＡ 一時的に接着されるウェハ用のキャリア
WO2016142240A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4256792A (en) * 1980-01-25 1981-03-17 Honeywell Inc. Composite electronic substrate of alumina uniformly needled through with aluminum nitride
JPS6231860A (ja) 1985-08-02 1987-02-10 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体用電荷発生物質の粒子化方法
JPS6231860U (ja) * 1985-08-12 1987-02-25
JPS6276146A (ja) 1985-09-27 1987-04-08 Nissin Electric Co Ltd イオン処理装置用熱伝導体
JPH01115255A (ja) 1987-10-29 1989-05-08 Sony Corp 電話回線接続制御回路
JP2511979Y2 (ja) * 1988-01-27 1996-09-25 シャープ株式会社 半導体装置
JPH0492447A (ja) * 1990-08-08 1992-03-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 無機薄膜の成膜方法
JP2981795B2 (ja) * 1991-10-24 1999-11-22 東京エレクトロン株式会社 静電チャック
JP3176481B2 (ja) 1993-05-28 2001-06-18 株式会社山形信越石英 認識記号付石英ガラス治具および認識記号の付与方法
EP0661916B1 (en) * 1993-07-06 2000-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermal conductivity sheet
JPH0758041A (ja) 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
US5688358A (en) * 1995-03-08 1997-11-18 Applied Materials, Inc. R.F. plasma reactor with larger-than-wafer pedestal conductor
TW323387B (ja) * 1995-06-07 1997-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5872051A (en) * 1995-08-02 1999-02-16 International Business Machines Corporation Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate
JP3013782B2 (ja) * 1996-07-30 2000-02-28 関西日本電気株式会社 ドライエッチング装置
EP0908932B1 (en) * 1997-09-03 2003-11-19 Nippon Pillar Packing Co., Ltd. Semiconductor wafer holder with cvd silicon carbide film coating
US6019164A (en) * 1997-12-31 2000-02-01 Temptronic Corporation Workpiece chuck
JP2000058473A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Toshiba Microelectronics Corp 半導体製造装置
JP3585385B2 (ja) * 1998-12-24 2004-11-04 電気化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン成形体の製造方法
JP4489861B2 (ja) * 1999-02-05 2010-06-23 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート
JP2000273196A (ja) * 1999-03-24 2000-10-03 Polymatech Co Ltd 熱伝導性樹脂基板および半導体パッケージ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153410A (ja) * 2008-11-27 2010-07-08 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具及び半導体ウェーハの加工方法
JP2011077171A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置
KR20150023376A (ko) * 2012-06-12 2015-03-05 에리히 탈너 기판 정렬 장치 및 방법
JP2015527728A (ja) * 2012-06-12 2015-09-17 エリッヒ・タールナー 基板を位置合わせする装置及び方法
US10014202B2 (en) 2012-06-12 2018-07-03 Erich Thallner Device and method for aligning substrates
KR101944148B1 (ko) * 2012-06-12 2019-01-30 에리히 탈너 기판 정렬 장치 및 방법

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