JP2023065500A - 撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
撮像装置およびその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023065500A JP2023065500A JP2023025760A JP2023025760A JP2023065500A JP 2023065500 A JP2023065500 A JP 2023065500A JP 2023025760 A JP2023025760 A JP 2023025760A JP 2023025760 A JP2023025760 A JP 2023025760A JP 2023065500 A JP2023065500 A JP 2023065500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- pixel electrode
- imaging device
- capacitive element
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 265
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 104
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 87
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 35
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 24
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
効的に感度が異なるように見せかけられる。1画素上に2つのセルが搭載されているので、同時に撮像が可能となり、画像の同時性は確保される。
。また、飽和電子数とは、撮像セルに蓄積される電子数の許容量を意味し、単位(e-)
で表される。感度および飽和電子数は原則、光電変換素子の有効面積に比例する。ただし、感度は、マイクロレンズの設計にも依存する。
図4から図12Bを参照して、本実施形態による撮像装置100の構造、機能および駆動方法を説明する。以下、半導体基板としてP型シリコンの基板を用いた例を説明する。また、信号電荷として正孔を利用する例を示す。なお、信号電荷として電子を用いても構
わない。
まず、図4を参照しながら、撮像装置100の構造を説明する。
次に、図5を参照しながら、第1および第2の撮像セル31、31’の回路構成の一例を説明する。なお、第1および第2の撮像セル31、31’はそれぞれ、独立した実質的に同じ回路構成を有している。
アドレストランジスタ42とを含んでいる。
図6は、本実施形態による撮像装置100中の単位画素30のデバイス構造の断面を模式的に示している。
ランジスタ40のゲート電極3およびこれらを電気的に接続する配線(不図示)も、正孔を蓄積する電荷蓄積ノードとして機能し得る。これらの電荷蓄積ノードとして機能するものを総称して「電荷蓄積ノード44」(図5を参照)と称する。ゲート電極3はポリシリコンから形成され得る。
の画素電極8を配置している。このように配置することにより、マイクロレンズ12の集光を利用して、面積の小さい第2の撮像セル31’を高感度用の撮像セルとして機能させ、第1の撮像セル31を低感度用の撮像セルとして機能させている。その結果、第1の撮像セル31によって低感度の画像を撮像し、第2の画像セル31’によって高感度の画像を撮像することができる。例えば、高感度の画像とは、暗い環境下で得られる暗い被写体などの画像を指し、低感度の画像とは、明るい環境下で得られる明るい被写体など画像を指す。
が導通状態にあるときに、アドレストランジスタ42の出力値を負端子に受ける。増幅トランジスタ40のゲート電位が所定のフィードバック電圧となるように、フィードバックアンプ50はフィードバック動作を行う。
図10を参照しながら、撮像装置100の動作シーケンスの一例を説明する。
、間隙を介してその周囲に第1の画素電極7を配置してもよい。または、図12Bに示すように第1の画素電極7を単位画素30の中央に配置し、間隙を介してその周囲に第2の画素電極8を配置してもよい。第2の画素電極8の面積が第1の画素電極7の面積よりも大きい限りにおいて、画素電極の形状を任意に決定し得る。
図13から図16を参照しながら、第2の実施形態による撮像装置100を説明する。
ノードに蓄積される。その結果、そのリーク電流は暗時のノイズ成分となってしまう。
図18を参照しながら、本実施形態による撮像モジュール200を説明する。
関するリセット電圧を示す。なお、リセット電圧は、フィードバック信号線49または垂直信号線45から伝達されたフィードバック信号であってもよい。撮像装置100とDSP300とは、一つの半導体装置(いわゆるSoC(System on a Chip))として製造することも可能である。これにより、撮像装置100を用いた電子機器を小型化することができる。
2 STI分離層
3 ゲート電極
4 ローカル配線
5 コンタクトプラグ
6 MOM容量
7 第1の画素電極
8 第2の画素電極
9 光電変換膜
10 上部電極
11 カラーフィルタ
12 マイクロレンズ
13、13’ MIM容量素子
14 上部電極
15 絶縁体
16 下部電極
22 第1の拡散層
23 第2の拡散層
30、30A、30B、30C 単位画素
31 第1の撮像セル
31’ 第2の撮像セル
32 第1の電荷蓄積ノード
32’ 第2の電荷蓄積ノード
33 第1の光電変換領域
33’ 第2の光電変換領域
40、40’ 増幅トランジスタ
41、41’ リセットトランジスタ
42、42’ アドレストランジスタ
43、 第1の光電変換部
43’ 第2の光電変換部
44、44’ 電荷蓄積ノード
45、45’ 垂直信号線
46、46’ 電源配線
47、47’ リセット信号線
48、48’ アドレス信号線
49、49’ フィードバック信号線
50、50’ フィードバックアンプ
51 第1の電荷検出回路
51’ 第2の電荷検出回路
52 第1の垂直走査回路
52’ 第2の垂直走査回路
53 第1の水平走査回路
53’ 第2の水平走査回路
54 第1の列AD変換回路
54’ 第2の列AD変換回路
55 端子
60 第1の電荷検出回路の面積
61 第2の電荷検出回路の面積
100 撮像装置
200 撮像モジュール
300 DSP
Claims (23)
- 第1セルと、前記第1セルに隣接する第2セルと、を備え、
前記第1セルは、
入射光を第1電荷に変換する第1光電変換膜と、
前記第1電荷を収集する第1画素電極と、
前記第1光電変換膜を挟んで第1画素電極と対向する第2上部電極と、
前記第1画素電極と電気的に接続する第1電荷蓄積ノードと、
前記第1電荷蓄積ノードと電気的に接続する容量素子と、
を有し、
前記第2セルは、
入射光を第2電荷に変換する第2光電変換膜と、
前記第2電荷を収集する第2画素電極と、
前記第2光電変換膜を挟んで第2画素電極と対向する第2上部電極と、
前記第2光電変換部と電気的に接続する第2電荷蓄積ノードと、
を有し、
前記第1セルの感度は、前記第2セルの感度より小さく、
前記第1電荷蓄積ノードの容量は、前記第2電荷蓄積ノードの容量より大きい、
撮像装置。 - さらに半導体基板を備え、
前記容量素子は前記半導体基板の上方に位置し、
前記光電変換膜は前記容量素子の上方に位置する、
請求項1に記載の撮像装置。 - さらにカラーフィルタとマイクロレンズとを備え、
前記カラーフィルタは前記光電変換膜の上方に位置し、
前記マイクロレンズは前記カラーフィルタの上方に位置する、
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記容量素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた絶縁体と、を含む、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記容量素子はMOM容量素子である、請求項1に記載の撮像装置。
- 平面視において、前記容量素子は前記第1光電変換膜と前記第2光電変換膜との間に少なくとも位置する、請求項2に記載の撮像装置。
- 平面視において、前記容量素子の面積は、前記第2画素電極の面積よりも小さい、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1画素電極は、前記第2画素電極とは異なる平面形状を有する、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1画素電極は、前記第2画素電極とは異なる面積を有する、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1画素電極の面積は、前記第2画素電極の面積より小さい、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1光電変換膜の上方に位置する第1マイクロレンズと、
前記第2光電変換膜の上方に位置する第2マイクロレンズと、をさらに有し、
前記第2マイクロレンズの集光面積は、前記第1マイクロレンズの集光面積よりも大き
い、請求項1に記載の撮像装置。 - さらに、請求項1に記載の撮像装置から出力されたデジタル画素信号を処理するDSPを備える、撮像モジュール。
- 第1光電変換部と、
前記第1光電変換部と接続する容量素子と、
第2光電変換部と、
前記第2光電変換部に接続された電荷検出回路と、を備え、
平面視において、前記電荷検出回路は前記容量素子の少なくとも一部と重なる、撮像装置。 - 入射光を電荷に変換する光電変換膜と、
前記電荷を収集する第1画素電極と、
前記第1画素電極と接続する容量素子と、
前記電荷を収集する第2画素電極と、
を備え、
平面視において、前記第2画素電極は前記容量素子の少なくとも一部と重なる、撮像装置。 - 入射光を電荷に変換する第1光電変換部と、
前記第1 光電変換部と接続する容量素子と、
入射光を電荷に変換する第2光電変換部と、
前記第2光電変換部の上方に位置する第1マイクロレンズと、
を備え、
平面視において、前記第1マイクロレンズは前記容量素子の少なくとも一部と重なる、撮像装置。 - 入射光を電荷に変換する第1光電変換部と、
前記第1 光電変換部と接続する容量素子と、
入射光を電荷に変換する第2光電変換部と、
前記第2 光電変換部に光を集める第1 マイクロレンズと、
を備え、
平面視において、前記第1マイクロレンズは前記容量素子の少なくとも一部と重なる、撮像装置。 - さらに半導体基板を備え、
前記容量素子は前記半導体基板の上方に位置し、
前記光電変換膜は前記容量素子の上方に位置する、
請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置。 - さらにカラーフィルタとマイクロレンズとを備え、
前記カラーフィルタは前記光電変換膜の上方に位置し、
前記マイクロレンズは前記カラーフィルタの上方に位置する、
請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記容量素子は第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた絶縁体と、を含む、請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置。
- 前記容量素子はMOM容量素子である、請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置。
- さらに、前記第1光電変換部に電気的に接続する信号検出回路を備える、請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置。
- さらに、前記第1光電変換部に電気的に接続する増幅トランジスタを備える、請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置。
- さらに、請求項13から16のいずれか一項に記載の撮像装置から出力されたデジタル画素信号を処理するDSPを備える、撮像モジュール。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014207305 | 2014-10-08 | ||
JP2014207305 | 2014-10-08 | ||
JP2017170281A JP6671056B2 (ja) | 2014-10-08 | 2017-09-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2020025651A JP6982823B2 (ja) | 2014-10-08 | 2020-02-18 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2021180964A JP7241308B2 (ja) | 2014-10-08 | 2021-11-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021180964A Division JP7241308B2 (ja) | 2014-10-08 | 2021-11-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023065500A true JP2023065500A (ja) | 2023-05-12 |
Family
ID=55951868
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015165895A Active JP6213743B2 (ja) | 2014-10-08 | 2015-08-25 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2017170281A Active JP6671056B2 (ja) | 2014-10-08 | 2017-09-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2020025651A Active JP6982823B2 (ja) | 2014-10-08 | 2020-02-18 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2021180964A Active JP7241308B2 (ja) | 2014-10-08 | 2021-11-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2023025760A Pending JP2023065500A (ja) | 2014-10-08 | 2023-02-22 | 撮像装置およびその駆動方法 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015165895A Active JP6213743B2 (ja) | 2014-10-08 | 2015-08-25 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2017170281A Active JP6671056B2 (ja) | 2014-10-08 | 2017-09-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2020025651A Active JP6982823B2 (ja) | 2014-10-08 | 2020-02-18 | 撮像装置およびその駆動方法 |
JP2021180964A Active JP7241308B2 (ja) | 2014-10-08 | 2021-11-05 | 撮像装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (5) | JP6213743B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017119477A1 (ja) * | 2016-01-08 | 2018-11-22 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP6808463B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および光電変換システム |
JP6929643B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
CN108337409B (zh) | 2017-01-19 | 2021-06-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及照相机系统 |
JP6920652B2 (ja) | 2017-02-03 | 2021-08-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN109300923B (zh) | 2017-07-25 | 2023-11-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN109494302B (zh) | 2017-09-12 | 2024-04-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 电容元件、图像传感器以及电容元件的制造方法 |
TWI785043B (zh) | 2017-09-12 | 2022-12-01 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | 電容元件、影像感測器、電容元件之製造方法及影像感測器之製造方法 |
WO2019107083A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7005331B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP7145438B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-10-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
CN111656511A (zh) | 2018-04-04 | 2020-09-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 电子设备 |
CN108646499B (zh) * | 2018-06-21 | 2024-04-05 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、电子纸显示面板及其驱动方法与显示装置 |
JP2020136813A (ja) | 2019-02-15 | 2020-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
CN116195267A (zh) * | 2020-09-29 | 2023-05-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN116711321A (zh) * | 2021-01-15 | 2023-09-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及相机系统 |
WO2023026565A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び電子機器 |
WO2023074068A1 (ja) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004320119A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録装置 |
JP4500574B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-07-14 | 富士フイルム株式会社 | 広ダイナミックレンジカラー固体撮像装置及びこの固体撮像装置を搭載したデジタルカメラ |
JP2007116437A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 撮像素子および撮像システム |
JP2007324405A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
JP2011015219A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US8648948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-02-11 | Infrared Newco, Inc. | Imaging systems with multiple imaging pixel types and related methods |
FR2959320B1 (fr) * | 2010-04-26 | 2013-01-04 | Trixell | Detecteur de rayonnement electromagnetique a selection de gamme de gain |
JP5470181B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-04-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5857444B2 (ja) * | 2011-05-12 | 2016-02-10 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP5646421B2 (ja) | 2011-09-22 | 2014-12-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像システム |
JPWO2013065645A1 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置、プログラムおよび放射線画像撮影方法 |
JP5745085B2 (ja) * | 2011-11-01 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置、放射線撮影システム及び放射線撮影方法 |
JP6057511B2 (ja) | 2011-12-21 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
JP5925713B2 (ja) | 2013-02-26 | 2016-05-25 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
KR102241072B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2021-04-16 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
-
2015
- 2015-08-25 JP JP2015165895A patent/JP6213743B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-05 JP JP2017170281A patent/JP6671056B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-18 JP JP2020025651A patent/JP6982823B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-05 JP JP2021180964A patent/JP7241308B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-22 JP JP2023025760A patent/JP2023065500A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7241308B2 (ja) | 2023-03-17 |
JP2016076921A (ja) | 2016-05-12 |
JP2018014740A (ja) | 2018-01-25 |
JP2020109971A (ja) | 2020-07-16 |
JP6671056B2 (ja) | 2020-03-25 |
JP2022010091A (ja) | 2022-01-14 |
JP6213743B2 (ja) | 2017-10-18 |
JP6982823B2 (ja) | 2021-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7241308B2 (ja) | 撮像装置およびその駆動方法 | |
US11895419B2 (en) | Imaging device | |
JP7246009B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6785433B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP7460345B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 | |
JP7018593B2 (ja) | 撮像装置、および、カメラシステム | |
JP6183718B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20070043656A (ko) | 고체 촬상 장치 및 카메라 | |
JP7133799B2 (ja) | 撮像装置、および、カメラシステム | |
JP2014165286A (ja) | フォトダイオード、固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP6399488B2 (ja) | 撮像装置および画像取得装置 | |
JP2006108497A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20230215882A1 (en) | Imaging device | |
JP7496512B2 (ja) | 撮像装置 | |
WO2023199560A1 (ja) | 撮像装置およびカメラシステム | |
JP2013008989A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240416 |