JP6183718B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る固体撮像装置の回路構成を示す図である。また、図2は、実施の形態1に係る固体撮像装置の単位画素セルのレイアウト平面図である。
図6は、実施の形態2に係る固体撮像装置の回路構成を示す図である。また、図7は、実施の形態2に係る固体撮像装置の単位画素セルのレイアウト平面図である。
2 N型拡散層
3 ゲート電極
4 ローカル配線
5 コンタクトプラグ
6 第1配線層
7 第2配線層
8 第3配線層
9 下部電極
10 光電変換膜
11 上部透明電極
12 カラーフィルタ
13 マイクロレンズ
20、50、520 単位画素セル
21 増幅トランジスタ
22 リセットトランジスタ
23 アドレストランジスタ
24 光電変換素子
25 電荷蓄積ノード
26、32 垂直信号線
27 電源配線
28 リセット信号線
29 アドレス信号線
30 フィードバック信号線
31 フィードバックアンプ
40 メタル配線
60 第4配線層
100、110、200 固体撮像装置
Claims (11)
- 行列状に配置され、入射光に応じた画素信号を生成する複数の画素セルと、
列毎に配置され、前記画素信号を周辺回路へ伝達する主信号線と、
列毎に配置され、対応する列に属する前記画素セルに電源電圧を供給する電源配線と、
列毎に配置され、前記周辺回路からのフィードバック信号を対応する列に属する前記画素セルに伝達するフィードバック信号線とを備え、
前記複数の画素セルのそれぞれは、
基板の上方に形成され、前記入射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子と、
前記基板と前記光電変換素子との間に形成され、前記信号電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタ及び当該増幅トランジスタのゲート端子をリセットするリセットトランジスタを構成する拡散層と、
前記拡散層と前記光電変換素子との間に配置され、前記拡散層と前記光電変換素子とを電気接続する配線であって、前記信号電荷を蓄積する電荷蓄積ノードとを備え、
前記フィードバック信号線と、前記電荷蓄積ノードの一部であるメタル配線と、前記主信号線及び前記電源配線の少なくとも一方とは、同じ層内に形成され、前記主信号線及び前記電源配線の少なくとも一方は、前記フィードバック信号線と前記メタル配線との間に配置されている
固体撮像装置。 - 前記フィードバック信号線と、前記メタル配線と、前記主信号線とは、同じ層内に形成され、前記主信号線は、前記フィードバック信号線と前記メタル配線との間に配置されている、
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記フィードバック信号線と、前記メタル配線と、前記電源配線とは、同じ層内に形成され、前記電源配線は、前記フィードバック信号線と前記メタル配線との間に配置されている、
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素セルのそれぞれは、さらに、
前記拡散層の上に形成され、前記増幅トランジスタのゲート端子と前記リセットトランジスタのソース端子とを接続するローカル配線を有し、
前記フィードバック信号線は、前記ローカル配線と前記光電変換素子との間に積層配置された複数の配線層のうち、前記ローカル配線側から2層目以上の配線層に形成されている
請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素セルのそれぞれは、さらに、
前記拡散層の上に形成され、前記増幅トランジスタのゲート端子と前記リセットトランジスタのソース端子とを接続する配線を有し、
前記配線と前記フィードバック信号線とは、前記拡散層と前記光電変換素子との間に積層配置された複数の配線層に形成されている
請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記フィードバック信号線、前記主信号線及び前記電源配線は、前記複数の画素セルにおいて互いに平行に配置されている
請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 行列状に配置され、入射光に応じた画素信号を生成する複数の画素セルと、
列毎に配置され、前記画素信号を周辺回路へ伝達し、かつ、前記画素信号に対応したフィードバック信号を対応する列に属する前記画素セルに伝達する主信号線と、
列毎に配置され、対応する列に属する前記画素セルに電源電圧を供給する電源配線とを備え、
前記複数の画素セルのそれぞれは、
基板の上方に形成され、前記入射光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換素子と、
前記基板と前記光電変換素子との間に形成され、前記信号電荷に応じた電圧を出力する増幅トランジスタ及び当該増幅トランジスタのゲート端子をリセットするリセットトランジスタを構成する拡散層と、
前記拡散層と前記光電変換素子との間に配置され、前記拡散層と前記光電変換素子とを電気接続する配線であって、前記信号電荷を蓄積する電荷蓄積ノードとを備え、
前記主信号線と、前記電荷蓄積ノードの一部であるメタル配線と、前記電源配線とは、同じ層内に形成され、前記電源配線は、前記主信号線と前記メタル配線との間に配置されている
固体撮像装置。 - 前記複数の画素セルのそれぞれは、さらに、
前記拡散層の上に形成され、前記増幅トランジスタのゲート端子と前記リセットトランジスタのソース端子とを接続するローカル配線を有し、
前記主信号線は、前記ローカル配線と前記光電変換素子との間に積層配置された複数の配線層のうち、前記ローカル配線側から2層目以上の配線層に形成されている
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素セルのそれぞれは、さらに、
前記拡散層の上に形成され、前記増幅トランジスタのゲート端子と前記リセットトランジスタのソース端子とを接続する配線を有し、
前記配線と前記主信号線とは、前記拡散層と前記光電変換素子との間に積層配置された複数の配線層に形成されている
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記主信号線及び前記電源配線は、前記複数の画素セルにおいて互いに平行に配置されている
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子は、光電変換膜を上部透明電極と下部画素電極とで挟まれた構造であり、
前記下部画素電極は、前記電荷蓄積ノードと電気的に接続されている
請求項1〜10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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