JP2022550171A5 - - Google Patents
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023165894A JP7695316B2 (ja) | 2019-09-30 | 2023-09-27 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
| JP2025028667A JP2025087745A (ja) | 2019-09-30 | 2025-02-26 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962908083P | 2019-09-30 | 2019-09-30 | |
| US62/908,083 | 2019-09-30 | ||
| PCT/US2020/052999 WO2021067150A1 (en) | 2019-09-30 | 2020-09-28 | Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023165894A Division JP7695316B2 (ja) | 2019-09-30 | 2023-09-27 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022550171A JP2022550171A (ja) | 2022-11-30 |
| JP2022550171A5 true JP2022550171A5 (enExample) | 2023-10-05 |
| JP7566895B2 JP7566895B2 (ja) | 2024-10-15 |
Family
ID=75338528
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022519790A Active JP7566895B2 (ja) | 2019-09-30 | 2020-09-28 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
| JP2023165894A Active JP7695316B2 (ja) | 2019-09-30 | 2023-09-27 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
| JP2025028667A Withdrawn JP2025087745A (ja) | 2019-09-30 | 2025-02-26 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023165894A Active JP7695316B2 (ja) | 2019-09-30 | 2023-09-27 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
| JP2025028667A Withdrawn JP2025087745A (ja) | 2019-09-30 | 2025-02-26 | 半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP7566895B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102874253B1 (enExample) |
| CN (1) | CN114466852A (enExample) |
| TW (1) | TWI864116B (enExample) |
| WO (1) | WO2021067150A1 (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119452061A (zh) | 2022-05-13 | 2025-02-14 | 恩特格里斯公司 | 氮化硅蚀刻组合物和方法 |
| EP4508676A1 (en) * | 2022-05-23 | 2025-02-19 | Versum Materials US, LLC | Formulated alkaline chemistry for polysilicon exhume |
| US20240309272A1 (en) * | 2023-03-15 | 2024-09-19 | Entegris, Inc. | Composition and method for selectively etching silicon nitride |
| KR102794133B1 (ko) * | 2023-11-27 | 2025-04-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각용 조성물 |
| US20260092212A1 (en) * | 2024-09-27 | 2026-04-02 | Entegris, Inc. | Selective etch inhibitor compounds and related methods |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1521565A (zh) | 2002-12-20 | 2004-08-18 | ϣ | 电子器件的制造 |
| CN105431506A (zh) * | 2013-07-31 | 2016-03-23 | 高级技术材料公司 | 用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂 |
| US10269591B2 (en) * | 2013-10-23 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of selectively removing silicon nitride and single wafer etching apparatus thereof |
| US9850402B2 (en) * | 2013-12-09 | 2017-12-26 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions and methods for selective removal of silicon nitride |
| JP6580397B2 (ja) | 2014-07-17 | 2019-09-25 | ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． | エッチング用組成物及びこれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| KR101728951B1 (ko) * | 2015-06-25 | 2017-04-21 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 |
| JP6446003B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2018-12-26 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液 |
| KR102415960B1 (ko) * | 2016-02-05 | 2022-07-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자 및 tft 어레이 기판의 제조방법 |
| US10167425B2 (en) * | 2016-05-04 | 2019-01-01 | Oci Company Ltd. | Etching solution capable of suppressing particle appearance |
| KR102424391B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
| US10995269B2 (en) | 2016-11-24 | 2021-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant composition and method of fabricating integrated circuit device using the same |
| CN110028971B (zh) * | 2017-12-28 | 2021-11-09 | Oci有限公司 | 蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法 |
| KR102484988B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-01-09 | 오씨아이 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
-
2020
- 2020-09-28 KR KR1020227014745A patent/KR102874253B1/ko active Active
- 2020-09-28 TW TW109133617A patent/TWI864116B/zh active
- 2020-09-28 JP JP2022519790A patent/JP7566895B2/ja active Active
- 2020-09-28 CN CN202080068430.0A patent/CN114466852A/zh active Pending
- 2020-09-28 WO PCT/US2020/052999 patent/WO2021067150A1/en not_active Ceased
-
2023
- 2023-09-27 JP JP2023165894A patent/JP7695316B2/ja active Active
-
2025
- 2025-02-26 JP JP2025028667A patent/JP2025087745A/ja not_active Withdrawn
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