KR102276085B1 - 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 고온에서 안정적인 식각 속도를 유지하기 위한 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 식각 조성물 및 이 식각 조성물을 이용한 식각 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 플루오르, 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기 로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 및 X2는 적어도 하나가 플루오르이며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기 로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4는 적어도 하나는 C1~C10의 알킬기이며,
R2 및 R3는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 플루오르, 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기 로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 및 X2는 적어도 하나가 플루오르이며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기 로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4는 적어도 하나는 C1~C10의 알킬기이며,
R2 및 R3는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 고온에서 안정적인 식각 속도를 유지하기 위한 화합물을 포함하는 식각 조성물 및 이 식각 조성물을 이용한 식각 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 있어서, 실리콘 산화막(SiO2) 등의 산화막 및 실리콘 질화막(SiNx) 등의 질화막은 대표적인 절연막으로 각각 단독으로, 또는 1층 이상의 막들이 교대로 적층되어 사용된다. 상기 실리콘 질화막은 실리콘 산화막, 폴리 실리콘막, 실리콘 웨이퍼 표면 등과 접촉하는 구조로CVD (Chemical vapor deposition) 공정을 통해서 증착되며, 이는 건식 식각 및 습식 식각을 통해서 제거되는데, 인산(phosphoric acid)을 이용한 습식 식각이 널리 이용되고 있다.
상기 실리콘 질화막을 제거하기 위한 습식 식각 공정에서는 일반적으로 인산과 탈이온수(deionized water)의 혼합물이 사용되고 있다. 상기 탈이온수는 식각율 감소 및 산화막에 대한 식각 선택성의 변화를 방지하기 위하여 첨가되는 것이나, 공급되는 탈이온수의 양의 미세한 변화에도 질화막 식각 제거 공정에 불량이 발생하는 문제가 있다. 또한, 인산은 강산으로서 부식성을 가지고 있어 취급에 어려움이 있다.
이를 해결하기 위하여, 종래에는 인산(H3PO4)에 불산(HF) 또는 질산(HNO3) 등을 포함하는 식각 조성물을 이용하여 질화막을 제거하는 기술이 공지되었으나, 오히려 산화막의 식각 속도 증가로 질화막과 산화막의 식각 선택비를 저해시키는 문제가 나타나게 된다.
일반적으로 식각 속도를 올리기 위해 반도체 식각 조성물에는 불소이온이 포함되는데, 이를 위하여 불화수소(HF), 불화암모늄(NH4F), 중불화암모늄(NH4HF2) 등을 사용한다. 인산에 원하는 양의 불소이온을 넣어서 알맞은 온도에 도달이 되면 웨이퍼를 집어넣고 식각을 하게 된다.
이 경우 상기 불소이온은 고온에서 안정성이 떨어지는 문제점이 있다. 인산 식각 조성물은 150 내지 185의 고온 공정에서 사용되는데, 물의 분자들이 수소결합을 통하여 불산의 증발을 막아 주기는 하나, 약 90를 넘어가는 순간 암모니아와 불산으로 분해되어 증발이 일어난다. 따라서, 온도가 올라갈수록, 불소이온의 농도가 낮아져, 식각 조성물의 조성이 계속 변화하게 되어 식각 속도가 저하되고 동시에 선택비도 현저히 줄어드는 문제점이 있다.
따라서, 고온에서 수행되는 식각 공정에서도 식각 속도가 안정적으로 유지되고 선택비가 저하되지 않는 새로운 식각 조성물이 요구되고 있는 실정이므로, 본 발명은 고온에서 수행되는 식각 공정에서 식각 속도가 안정적으로 유지되고 선택비가 저하되지 않는 식각 조성물을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 상기 식각 조성물을 이용한 식각 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 인산 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 식각 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 플루오르, 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 및 X2 중 적어도 하나는 플루오르이며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 C1~C10의 알킬기이며,
R2 및 R3는 서로 결합하여 5원 내지 8원고리를 형성할 수 있다.
본 발명은 상기 식각 조성물을 이용한 식각 방법을 제공한다.
본 발명은 인산에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 첨가 한 식각 조성물을 제공함으로써, 고온에서 불소이온을 천천히 방출함으로 불소이온의 농도가 긴 시간 동안 유지 될 수 있게 한다.
또한 본 발명은 인산에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 첨가 한 식각 조성물을 제공함으로써, 고온에서 수행되는 식각 공정에서도 식각 속도가 안정적으로 유지되고 질화막/산화막 선택비가 높고, 질화막의 빠른 식각과 산화막의 식각 억제 효율이 뛰어난 식각 조성물을 제공한다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현 가능하다.
아래 열거된 정의는 본 발명을 기술하기 위해 사용된 다양한 용어들의 정의이다. 이들 정의는 달리 제한되지 않는 한, 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.
본 발명에서의 용어 “알킬”은 특별한 언급이 없는 한 탄소수 1 내지 10개의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 직쇄 또는 측쇄 알킬기는 이의 주쇄에 10개 이하(예를 들어, C1-C10의 직쇄, C3-C10의 측쇄), 바람직하게는 4개 이하, 보다 바람직하게는 3개 이하의 탄소 원자를 가진다. “알킬”의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서의 용어 “시클로알킬”은 탄소수 3 내지 10개의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 시클로알킬의 예로는 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 바이시클로[2.1.1]헥실, 바이시클로[2.2.1]헵틸 등이 있으나 이에 한정되지 않으며, 바람직한 시클로알킬은 이의 고리 구조에 3,4,5,6 또는 7개의 탄소원자를 가진다.
본 발명에서의 용어“아릴”은 특별한 언급이 없는 한 단독 고리 또는 2 이상의 고리가 조합된, 탄소수 6 내지 20개의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 또한, 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함(예를 들어, 탄소수는 8 내지 20개일 수 있음)하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 치환기도 포함될 수 있다. 이러한 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴, 플루오레닐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서 치환기에서 *는 결합이 이루어지는 부분을 의미한다.
본 발명은 인산 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 식각 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 플루오르, 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기 로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 및 X2는 적어도 하나가 플루오르이며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기 로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4는 적어도 하나는 C1~C10의 알킬기이며,
R2 및 R3는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
본 발명은 고온의 식각 공정에서 불소이온의 농도가 유지되므로, 식각 조성물의 조성을 일정하게 유지하게 하여 시간이 지날수록 식각 속도가 떨어지는 것을 방지하고 높은 선택비를 유지하게 한다.
본 발명의 일 구현예에서, X1 및 X2는 모두 플루오르인, 식각 조성물일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 모두 C1~C10의 알킬기인, 식각 조성물일 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현예에 따르면, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 및 펜틸기 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명에서 R2 및 R3는 서로 결합하여 5원 내지 8원고리를 형성할 수 있으며, 바람직하게는 5원 및 6원고리를 형성 할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, X1 및 X2는 모두 플루오르이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 모두 C1~C5의 알킬기이며, R2 및 R3이 서로 결합하여 5원 내지 6원고리를 형성하는, 식각 조성물일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면 본 발명은 인산 및 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 식각 조성물을 제공할 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 또는 3에서,
R5 내지 R9는 각각 독립적으로 플루오르, C6~C20의 아릴기 및 트라이플루오르메틸기로 이루어진 군에서 선택되고,
R5 내지 R8은 하나 이상의 플루오르, 및 하나 이상의 C6~C20의 아릴기 또는 트라이플루오르메틸기를 가진다.
본 발명의 일 구현예에서, 화학식 2 또는 3의 R5 내지 R9는 각각 독립적으로 플루오르, 트라이플루오르메틸기 및 하기 화학식 4로 표시되는 치환기로 이루어진 군에서 선택되고, R5 내지 R8은 하나 이상의 플루오르, 및 하나 이상의 트라이플루오르메틸기 또는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기를 가지는, 식각 조성물일 수 있다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
n는 0 내지 5의 정수이며, R10은 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 4에서, n는 0 내지 5의 정수이며, R10는 C1~C5의 알킬기인, 식각 조성물일 수 있다.
본 발명의 바람직한 한 구현예에 따르면, R10은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 및 펜틸기 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물은 2,2-다이플루오로-1,3-다이메틸이미다졸리딘, 1,1-다이플루오로-N, N, N', N'-테트라메틸메탄다이아민, 2,2-다이플루오로-1,3-다이메틸헥사하이드로피리미딘, N, N'-다이에틸-1,1-다이플루오로-N, N'-다이메틸메탄다이아민, 디플루오로트리페닐실리케이트(Ⅳ), 트리플루오로디페닐실리케이트(Ⅳ), 트리플루오로(페닐)실란, 디플루오로비스(트리플루오로메틸)실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 식각 조성물일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 인산을 80 내지 90 중량%, 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 0.1 내지 10 중량%로 포함하는 식각 조성물일 수 있다.
상기 식각 조성물은, 상기 인산을 80 내지 90 중량%, 바람직하게는 85 내지 90 중량%, 더욱 바람직하게는 85 내지 89 중량%로 포함할 수 있다.
상기 인산을 80 중량% 미만으로 포함하는 경우, 이물질이 발생하거나 실리콘 질화막 식각 속도가 저하되어 질화막이 용이하게 제거되지 않을 우려가 있다.
또한, 상기 인산을 90 중량%를 초과하여 포함하는 경우, 인산의 농도가 지나치게 높아져 식각 효과가 더디게 된다.
상기 식각 조성물은, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 1 내지 8 중량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 6 중량%로 포함할 수 있다.
상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 0.1 미만으로 투입되는 경우, 실리콘 질화막 식각 속도가 향상되지 않거나, 고온에서 식각 공정의 안정성이 유지되지 않아 이물질 발생의 우려가 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 10 중량%를 초과하여 투입되는 경우, 오히려 산화막의 식각 속도 증가로 질화막과 산화막의 식각 선택비를 저해시키는 문제가 나타나게 된다.
본 발명은 고온의 식각 공정에서 불소이온의 농도를 긴 시간 유지하기 때문에, 공정 시간이 진행됨에 따라 식각 조성물의 조성이 변하지 않는다. 따라서, 상기 범위로 인산 및 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 경우 식각 조성물은 반도체 공정시 적정 수준의 고온 안정성을 유지하면서도 높은 실리콘 산화막/질화막 선택비 및 향상된 실리콘 질화막 식각 속도를 구현할 수 있어 안정적인 식각 공정을 가능하게 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 100 내지 300의 온도에서 상기 식각 조성물의 실리콘 질화막의 식각 속도는 20 내지 150Å/min 이며, 실리콘 산화막의 식각 속도는 0.2 내지 10Å/min인, 식각 조성물일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 100 내지 300의 온도에서 상기 식각 조성물의 실리콘 질화막/산화막 선택비는 5 이상인, 식각 조성물일 수 있다.
상기 식각 조성물은 다음과 같이 제조할 수 있다.
상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 인산에 첨가한다. 첨가되는 불소이온의 농도는 10 PPM 내지 50000 PPM까지 가능하나 바람직하게는 100 PPM 내지 10000PPM이다.
상기 식각 조성물을 상온에서 10분 내지 3시간을 섞는데 바람직하게는 30분 내지 1시간 이다. 그 뒤 인산을 끓이는데 100내지 300가 가능하나 바람직하게는 130 내지 200 이다
본 발명의 일 구현예에서, 식각 속도 향상을 위한 기타 첨가제가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는, 식각 조성물일 수 있다.
상기 기타 첨가제는 식각 성능을 향상시키기 위하여 당업계에서 통상적으로 사용되는 임의의 첨가제를 말하는데, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 등이 있다.
특히, 식각 속도 향상을 위한 기타 첨가제가 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 0.5 중량% 이상 포함되는 것이 고선택비 구현 측면에서 바람직하다.
본 발명은 상기 식각 조성물을 이용하여 실리콘 산화막에 대하여 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 식각 방법 일 수 있다.
본 발명은 상기 식각 조성물을 이용하여 수행되는 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법일 수 있다.
본 발명은 상기 식각 공정은 실리콘 산화막에 대하여 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 것이며, 100 내지 300의 온도에서 수행되는 것인 반도체 소자의 제조 방법 일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실험예에 한정되지 않는다.
실험예
실시예
1 내지 8:
식각
조성물의 제조
초기 불소이온의 농도가 500PPM이 되도록 인산에 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 첨가하여 식각 조성물을 제조하였다.
실시예 1 내지 8 및 비교예 1에 따른 식각 조성물은 [표 1]과 같다.
| 식각 조성물 | 화학식 1내지 3의 화합물 | |
| 실시예 1 | 인산(85중량% 수용액) + 2,2-다이플루오로-1,3-다이메틸이미다졸리딘 (0.025중량%) |
 |
| 실시예 2 | 인산(-85중량% 수용액) + 1,1-다이플루오로-N, N, N', N'-테트라메틸메탄다이아민 (0.025중량%) |
 |
| 실시예 3 | 인산(85중량% 수용액) + 2,2-다이플루오로-1,3-다이메틸헥사하이드로피리미딘 (0.025중량%) |
 |
| 실시예 4 | 인산(85중량% 수용액) + N, N'-다이에틸-1,1-다이플루오로-N, N'-다이메틸메탄다이아민 (0.025중량%) |
 |
| 실시예 5 | 인산(85중량% 수용액) + 디플루오로트리페닐실리케이트(Ⅳ)(0.025중량%) |
 |
| 실시예 6 | 인산(85중량% 수용액) + 트리플루오로디페닐실리케이트(Ⅳ)(0.017중량%) |
 |
| 실시예 7 | 인산(85중량% 수용액) + 트리플루오로(페닐)실란(0.017중량%) |
 |
| 실시예 8 | 인산(85중량% 수용액) + 디플루오로비스(트리플루오로메틸)실란(0.025중량%) |
 |
| 비교예 1 | 인산(90중량% 수용액) + 불화 암모늄 (0.05중량%) |
NH4F |
[물성 측정]
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 식각 조성물을 온도를 달리하면서, 시간의 경과에 따른 불소이온의 농도를 측정하였다.
그 결과값은 하기 [표 2]와 같다.
| 구분 | 불소이온의 양 (PPM) | ||||||||
| 140 | 160 | 180 | |||||||
| 1시간 | 2시간 | 3시간 | 1시간 | 2시간 | 3시간 | 1시간 | 2시간 | 3시간 | |
| 실시예 1 | 487.5 | 479 | 470.5 | 461 | 447 | 435.5 | 425 | 390.5 | 355 |
| 실시예 2 | 457.5 | 427.5 | 397.5 | 439.5 | 379.5 | 322.5 | 359.5 | 309.5 | 260.5 |
| 실시예 3 | 439.5 | 395.5 | 343.5 | 401.5 | 359.5 | 305.5 | 397 | 309 | 259.5 |
| 실시예 4 | 392 | 359.5 | 324.5 | 401.5 | 356 | 309.5 | 393.5 | 304.5 | 250 |
| 실시예 5 | 461.5 | 437.5 | 375.5 | 443.5 | 376.5 | 305 | 378 | 262.5 | 156 |
| 실시예 6 | 473.7 | 434 | 388 | 450.7 | 399 | 329 | 403 | 326 | 216.3 |
| 실시예 7 | 435 | 399.3 | 333.7 | 400.7 | 343.7 | 303.7 | 369.3 | 326 | 266.3 |
| 실시예 8 | 487.5 | 479 | 470.5 | 461 | 447 | 435.5 | 425 | 390.5 | 355 |
| 비교예 1 | 371 | 215 | 89 | 102 | 23 | 0 | 51 | 7 | 0 |
상기 [표2]에 나타난 바와 같이, 실시예 1내지 8의 식각 조성물은 고온에서도 불소이온이 높은 농도로 유지되고 있음을 알 수 있다.
이에 반해 비교예 1의 식각 조성물은 시간에 따라 불소이온의 농도가 급격하게 줄어가는 것을 볼 수 있다. 또한 고온에서 매우 불안정하여 불소이온의 농도가 일정하게 유지되지 않는 것을 알 수 있다.
[식각 속도 측정]
상기 실험예 및 비교예에 따라 제조된 식각 조성물을 식각 온도를 달리하면서 실리콘 질화막 기판을 넣어 식각을 진행하였다.
실리콘 질화막은 식각 조성물에 넣기 전 평탄화 작업을 진행하였으며, 평탄화작업은 50질량% 불산을 200:1로 희석한 후 희석 불산에 30초간 담가 진행하였다.
식각 속도는 엘립소미트리(Nano-View, SE MG-1000; Ellipsometery)를 이용하여 실리콘 질화막을 300초 동안 식각한 후, 양 막의 식각 전의 두께와 식각 후의 두께의 차이를 식각 시간(분)으로 나누어 산출하였다.
하기 표3에 시간에 따른 식각 속도의 결과값을 나타내었다.
| 구분 | 공정온도 (℃) | 가열시간 (H) |
선택비 (질화막/ 산화막) |
| 실시예 1 | 160 | 1 | 5.2 |
| 3 | 5.6 | ||
| 실시예 2 | 160 | 1 | 3.9 |
| 3 | 4.4 | ||
| 실시예 3 | 180 | 1 | 3.5 |
| 3 | 3.8 | ||
| 실시예 4 | 180 | 1 | 4.3 |
| 3 | 5.4 | ||
| 비교예 1 | 160 | 1 | 3.5 |
| 3 | 4.2 | ||
| 비교예 1 | 180 | 1 | 3.0 |
| 3 | 3.8 |
상기 [표3]에 나타난 바와 같이 실시예 1내지 4의 식각 조성물은 질화막의 식각 속도가 증가하고 산화막의 식각 속도가 억제함을 알 수 있다.
이는 본 발명에 따른 식각 조성물의 고온 안정성을 나타내는 것으로, 고온의 식각 공정에서 본 발명의 효과를 확인할 수 있었다.
이에 반해, 비교예 1및 2는 고온에서 가열 시간의 차이에 따라 질화막 식각 속도의 차이(%)도 매우 큰 바, 고온에서 불안정하여 식각 조성물의 농도가 일정하게 유지되지 않는 것을 나타낸다.
Claims (8)
- 인산; 및
하기 화학식 1로 표시되는 화합물;
을 포함하는, 식각 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 플루오르, 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 및 X2 중 적어도 하나는 플루오르이며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 알킬기 및 C3~C10의 시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 C1~C10의 알킬기이며,
R2 및 R3는 서로 결합하여 5원 내지 8원고리를 형성할 수 있다.
- 제 1항에 있어서,
X1 및 X2는 모두 플루오르인, 식각 조성물.
- 제 1항에 있어서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 모두 C1~C10의 알킬기인, 식각 조성물.
- 제 1항에 있어서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 C1~C5의 알킬기 또는 C3~C10의 시클로알킬기이며, R2 및 R3은 서로 결합하여 5원 내지 6원고리를 형성하는, 식각 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 화합물은 2,2-다이플루오로-1,3-다이메틸이미다졸리딘, 1,1-다이플루오로-N, N, N', N'-테트라메틸메탄다이아민, 2,2-다이플루오로-1,3-다이메틸헥사하이드로피리미딘, N, N'-다이에틸-1,1-다이플루오로-N, N'-다이메틸메탄다이아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 식각 조성물.
- 제 1항에 있어서,
인산을 80 내지 90중량%,
화학식 1로 표시되는 화합물을 0.1 내지 10중량%,
로 포함하는, 식각 조성물.
- 제 1항에 있어서
식각 속도 향상을 위한 첨가제가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는, 식각 조성물.
- 제 1항에 따른 식각 조성물을 이용하여 실리콘 산화막에 대하여 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 식각 방법.
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| Date | Code | Title | Description |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |