JP2022529764A - エッジリングエロージョンのインサイチュ監視用センサとシステム - Google Patents

Abstract

本開示は、概して、プラズマ処理チャンバ内のエッチングで使用されるリングアセンブリのエロージョンに関するメトリックを決定するための方法及び装置に関する。一実施例では、装置を構成して、プラズマ処理チャンバ内の基板支持アセンブリ上に配置されたエッジリングのエロージョンを表すメトリックを得る。センサによりエッジリングのメトリックを得る。メトリックはエッジリングのエロージョンの量と相関している。別の一実施例では、リングセンサを、基板支持アセンブリの周囲の外側に配置してもよい。メトリックを、プラズマスクリーンを介してリングセンサによって取得してもよい

Description

背景

（取り組み分野）
本明細書に記載の実施例は、概して基板処理方法及び装置に関し、より具体的には、エッジリングのエロージョンを検出するための改善された装置に関する。

（関連技術の説明）
半導体処理チャンバでは、基板は様々なプラズマ処理操作を受けることができる。その処理操作とは、プラズマ処理チャンバ内での堆積、エッチング、アニーリングなどであり、そのプラズマ処理チャンバとは、物理気相堆積法（ＰＶＤ）、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）又は他法のチャンバなどである。基板は基板支持体の上面に配置される。その基板支持体とは、プラズマ処理のために基板を保持するための静電チャック（ＥＳＣ）などであり、そのプラズマ処理とはエッチング操作などである。リングアセンブリを、基板を囲む基板支持体の上面の外周に沿って配置してもよい。エッチング処理の間、リングアセンブリは基板支持体のエロージョンを防止し、さらに、基板支持体の外周に沿ってプラズマを形づくる。その目的は、基板の中心から端まで均一なプラズマ分布を形成することである。

リングアセンブリは、石英、シリコン、ＳｉＣ、又は他の適切な材料から製作され得る。エッチング処理の間、リングアセンブリには、エッチングガス、プラズマ、又はその両方への曝露によりエロージョンが発生する可能性がある。リングアセンブリのエロージョンは、リングから除去された材料が基板のエッジに沿った処理プラズマの分布に影響を与えることによる処理ドリフトをもたらす可能性がある。このような処理ドリフトは必然的に基板上の欠陥につながる。著しいエロージョンが処理結果に影響を与える前に、リングアセンブリは予防保守の間に交換されて、処理の整合性を確保し、製造上の欠陥が処理歩留まりに影響を与えるのを防ぐ。ただし、保守作業中は処理装置を停止しなければならないため、リングアセンブリの交換にはかなりの時間と費用が必要になる。

リングのエロージョンは、生産性と技術開発の両方にとって長期的な問題であった。エッジリングのエロージョン速度はプラズマの化学的性質と処理条件に大きく依存するため、リングの耐用年数を正確に決定することは非常に困難であり、その結果、生産が非効率になり得る。エッジリングエロージョンを決定するための以前のアプローチは主として発見的方法であり、ここでは、オペレータが一定期間後にエッジリングの交換をスケジュールに入れている。オペレータによって観察されたエロージョンの深刻さに基づいて、その期間が短縮される場合も、延長される場合もあり得る。製造業者は、リングアセンブリを交換するために製造設備を停止させることの代償と利点を、エッジリングのエロージョンが欠陥をもたらす前に比較検討しなければならない。こうして、製造歩留まりが低下する。

したがって、当技術分野では、良好な処理結果を維持しながら製造停止時間を短縮する必要がある。

概要

プラズマ処理チャンバを構成して、エッジリングの方法を監視する。チャンバはチャンバ本体を有し、このチャンバ本体は、内部容積を画定する複数の壁を備える。基板支持アセンブリが内部容積内に配置される。基板支持アセンブリは外周を有する。基板支持アセンブリは、外周まで延在する基板支持体を備える。基板支持アセンブリは上面を有する。上部面を有するエッジリングが、外周に近接する上面に配置されている。少なくとも第１センサがチャンバ本体内において基板支持アセンブリの上面の下でかつ外周の外側に配置されている。リングセンサを構成して、エッジリングのメトリックを検出する。

本明細書に開示される別の一実施例では、内部容積を画定する複数の壁を有するチャンバ本体を備えるプラズマ処理チャンバが提供される。基板支持アセンブリが内部容積内に配置される。基板支持アセンブリは外周を有する。基板支持アセンブリはまた、外周まで延在する基板支持体と、上面とを有する。エッジリングは上部面を有し、外周に近接する上面に配置されている。センサがチャンバ本体内において基板支持アセンブリの上面の下に配置される。リングセンサを構成して、エッジリングのメトリックを検出する。メトリックは、少なくとも変位、インピーダンス、及び／又はエッジリングを通る音波の伝播に対応する。

さらに別の一実施例では、基板を処理する方法が提供される。この方法は、外周に近接する上面にエッジリングを配置する工程を含む。エッジリングは上部面を有している。この方法はまた、チャンバ本体内において上面の下にセンサを配置する工程を含む。エッジリングのメトリックが、リングセンサを利用して取得される。メトリックは、エッジリングの変位、インピーダンス、又は音波に対応する。この方法は、メトリックに基づいてエッジリングの高さを調整する工程をさらに含む。この方法はまた、チャンバ本体内でプラズマに曝すことによって基板を処理する工程を含む。

本開示の上記の構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、添付図面にそのいくつかが示されている本願明細書における実施例を参照して行う。しかしながら、添付図面は例示的な実施例を示しているに過ぎず、従ってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、他の同等に効果的な実施例を認めてもよいことに留意すべきである。
基板支持アセンブリのエッジリングのエロージョンを監視するためのリングセンサを有する例示的な処理チャンバの概略側面図である。 図１Ａの線Ｂ－Ｂに沿った処理チャンバの概略断面平面図である。 図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図であり、基板支持アセンブリ内に配置されたリングセンサの一実施例を示している。 図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図であり、基板支持アセンブリの周囲の外側に配置されたリングセンサの別の一実施例を示している。 リングセンサの一実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。 リングセンサの代替実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。 リングセンサの代替実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。 リングセンサの代替実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。 図１の処理チャンバ内で基板を処理する例示的な方法である。 図１Ａの基板支持アセンブリ内のリングセンサの様々な位置を示す。 図５に示す石英管の一部の断面図である。 プラズマ処理チャンバの様々な実施例を実行するのに適したコンピュータシステム、並びにリングアセンブリのエロージョンに関連するメトリックを決定するための方法及び装置の概略図である。

理解を容易にするため、可能な場合には、同一の符号を使用して、これらの図面に共通の同一の要素を示す。一実施例の要素及び構成は、さらなる記載がなくとも、他の実施例に有益に組み込まれ得ると考えられる。

詳細な説明

本明細書に開示される諸実施例は、概して、エッジリングの方法を監視するように構成されたプラズマ処理チャンバに関する。有益なことに、エッジリングのエロージョンを監視することにより、エロージョンを低減するための処理レシピ調整が可能になる。エッジリングの寿命を正確に監視することで、生産性が向上するだけでなく、リングアセンブリの交換頻度が減ることで、運用コストも削減される。エッジリングのインサイチュ（in-situ、その場での）監視により、エッジリング位置のリアルタイム制御も可能になり、処理動作中のプラズマ均一性が向上する。

本明細書の諸実施例は、基板をエッチングするように構成されたシステムでの使用に関連して以下で例示的に説明される。ただし、開示された主題は、他のシステム構成において有用性を有することを理解するべきである。そのシステム構成とは、化学気相堆積システム、物理気相堆積システム、及び基板支持体上のリングアセンブリが処理チャンバ内でプラズマに曝される他のシステムなどである。本明細書に開示される諸実施例は、様々なサイズと寸法の基板を処理するように構成された他の処理チャンバでの実施に適合され得ることも理解するべきである。

有益なことに、本明細書の開示の諸実施例は、リングアセンブリのエロージョンのインサイチュ測定を可能にする。エロージョンをより正確に決定することにより、より一貫したプラズマ分布を処理チャンバ内で維持することができる。一貫したプラズマ分布を維持することで、生産される基板の品質は影響を受ける。したがって、本明細書に開示される装置及び方法を適用することにより、基板処理の歩留まりを向上させることができる。また、リングアセンブリのエロージョンの実際のレベルに基づいて予防保守をスケジュールに入れられる。これは、固定タイムスケジュールを遵守するオペレータに単に依存する従来のアプローチとは対照的である。さらに、リングの実際のエロージョンに基づいて予防保守をスケジュールに入れることにより、運転休止期間の間の平均時間が長くなると、所有コストが削減される。さらに、オペレータは、定期的時間ベースでスケジュールされた保守中に生産を中止したものの、リングアセンブリの交換を正当化できるだけの十分なエロージョンが発生していないことを発見しただけだったという状況を回避できるため、コストが削減される。

センサは、基板支持アセンブリの上面の下に配置されているものとして上述されているが、本明細書に開示されるセンサはまた、上面に配置されてもよいことを理解するべきである。したがって、上面の下と記載されているセンサの各説明が上面に配置でもよく、上面に配置されるセンサの各説明が上面の下に配置でもよいことに、注意するべきである。

図１Ａは、リングアセンブリ１２８を有するプラズマ処理チャンバ１００の断面図である。プラズマ処理チャンバ１００は、プラズマエッチングチャンバ、プラズマ強化化学気相堆積チャンバ、物理気相堆積チャンバ、プラズマトリートメントチャンバ、イオン注入チャンバ、又は他の適切な真空処理チャンバであってもよい。図示のように、プラズマ処理チャンバ１００は、基板Ｗをエッチングするのに適したエッチングチャンバである。基板Ｗは、半導体ウェハ、ガラスパネル、又は他のワークピースであってもよい。

プラズマ処理チャンバ１００を、様々なプラズマ処理に使用してもよい。一実施例では、プラズマ処理チャンバ１００を使用して、１つ以上のエッチング剤でエッチングを実行してもよい。例えば、処理チャンバを、ガスからのプラズマを維持するために使用してもよい。そのガスとは、Ｃ_ｘＦ_ｙ（ｘとｙは、許容される種々の組み合わせを取り得る）、Ｏ_２、ＮＦ_３、ＳＦ_６、ＣＨ_ｘＦ_ｙ、若しくはそれらの組み合わせ、又はＣｌ_２、ＨＢｒ、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４などである。プラズマ処理チャンバ１００はチャンバ本体１０２を含み、このチャンバ本体は、複数の側壁１９１と、チャンバ蓋１９２と、チャンバ底部１９３とを含む。複数の側壁１９１、チャンバ蓋１９２、及びチャンバ底部１９３は、内部容積１０３を囲むと共に画定する。

ガスノズル１０８は、チャンバ蓋１９２を貫通して形成された穴１１６に結合されている。穴１１６は、導管１０６に結合されている。ガスパネル１０４は、導管１０６によって穴１１６に結合され、ノズル１０８を通ってチャンバ本体１０２の内部容積にガスを供給するように構成されている。

チャンバ本体１０２は、チャンバ底部１９３を貫通して形成された第２穴１１６を含む。第２穴１１６は、ポンプ１１８に流体的に結合されており、このポンプは、チャンバ本体１０２の内部容積１０３からガスを除去し、内部容積１０３で真空を維持するように構成されている。

複数のコイル１１４がチャンバ本体１０２の上方に配置されている。コイル１１４は、高周波電源などの電源１１２に結合されている。内部容積１０３に存在するガスは、コイル１１４によってガスに誘導的に結合された電力によってエネルギーを与えられて、プラズマを形成する。

基板支持アセンブリ１２０は、チャンバ本体１０２の内部容積１０３に配置される。基板支持アセンブリ１２０は、上面１３１と外周１３２とを有する。基板支持体１２２は、基板支持アセンブリ１２０の一部である。基板支持体１２２は、静電チャックであってもよい。基板支持体１２２は基板取付面１３３を有しており、この基板取付面は、処理中に基板Ｗをその上に受け入れるように構成されている。リングアセンブリ１２８及び基板支持体１２２は、部分的に、基板支持アセンブリ１２０の上面１３１を形成する。

リングアセンブリ１２８は、基板支持体１２２上に配置される。基板支持体１２２の上部面２０１（図２に示す）は、基板支持アセンブリ１２０の上面１３１と同一平面上にある。リングアセンブリ１２８は、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２に近接する上面１３１に配置される。

１つ以上のリングセンサ１４０が、リングアセンブリ１２８に隣接して配置される。一実施例では、リングセンサ１４０は、基板支持アセンブリ１２０の上面１３１の下に示されている。別の一実施例では、リングセンサ１４０は、プラズマスクリーン１２４の上面の下に示されている。リングセンサ１４０は、導電性ロッド１４１によって支持されている。導電性ロッド１４１を、アルミニウムを含む任意の適切な導電性金属で作製してもよい。導電性ロッド１４１は、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２の横方向外側に配置される。これにより、リングセンサ１４０も外周１３２の横方向外側に配置される。別の一実施例では、１つ以上のリングセンサ１４０は、導電性スリーブ１４２内に配置される。この実施例では、導電性スリーブ１４２は、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２の横方向内側に配置されている。この実施例では、１つ以上のリングセンサ１４０もまた、外周１３２の横方向内側に配置される。

プラズマスクリーン１２４が、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２の外側に隣接して配置されている。プラズマスクリーン１２４は、基板支持アセンブリ１２０の上面１３１と平行に配置された上部面１２５を有する。一実施例では、プラズマスクリーン１２４の上部面１２５は、リングアセンブリ１２８において上面１３１と同一平面上にある。別の一実施例では、プラズマスクリーン１２４の上部面１２５は、基板支持体１２２の基板取付面１３３と同一平面上にある。プラズマスクリーン１２４は、複数の開口部１２６を有し、これら開口部は、ガスが開口部１２６を通過することを可能にする一方で、プラズマが通過することを実質的に防止するように構成されている。例えば、開口部１２６は、角度が付いていてもよく、プラズマスクリーン１２４の上部面１２５の上方の領域から開口部１２６を通ってプラズマスクリーン１２４の下方の領域への垂直な視線を防止する他の形状であってもよい。

一時的に図１Ｂを参照する。図１Ｂは、図１Ａの線Ｂ－Ｂに沿った処理チャンバの概略断面平面図である。一実施例では、各リングセンサ１４０は、基板支持アセンブリ１２０の中心軸１９９から距離１９７の位置に配置されている。各リングセンサ１４０は、中心軸１９９からエッジリング２２８の下に配置された隣接するリングセンサ１４０まである角度１９８で配置される。一実施例では、３つのリングセンサ１４０は、１２０度の角度で等間隔に配置されている。別の一実施例では、４つのリングセンサ１４０は、９０度の角度で等間隔に配置されている。ただし、リングセンサ１４０が等しい間隔であることは必須ではなく、いくつかの実施例では、リングセンサは、基板支持アセンブリ１２０の構造体を収容するなどのために、不規則な間隔で配置されている場合にも同様に有効であることを、理解するべきである。

ここで図２Ａを参照する。図２Ａは、図１Ａの基板支持アセンブリ１２０の一部の平面図であり、基板支持アセンブリ１２０内に配置されたリングセンサ１４０の一実施例を示している。基板支持アセンブリ１２０は、静電チャック（ＥＳＣ）２０２、すなわち基板支持体１２２、リングアセンブリ１２８、及び導電性スリーブ２１０を含む。リングアセンブリ１２８は、単一のリング又は複数部品のアセンブリであってもよい。一実施例では、リングアセンブリ１２８は、内側リング２０４とエッジリング２２８とを有する。

内側リング２０４は、少なくとも部分的に、静電チャック２０２によって支持されている。内側リング２０４は、縁部上面２０５、縁部底面２０７、及び縁部垂直面２０９を有する。縁部垂直面２０９は、エッジリング２２８の内面２２４と平行である。エッジリング２２８の外面２２６は、プラズマスクリーン１２４に隣接して配置されている。

エッジリング２２８は、基板支持アセンブリ１２０内の内側リング２０４及び導電性スリーブ２１０によって部分的に支持されている。エッジリング２２８は、上部面２２０、下部面２２２、内面２２４、及び外面２２６を含む。上部面２２０は、下部面２２２と実質的に平行である。内面２２４は、外面２２６と実質的に平行であり、下部面２２２と実質的に垂直である。エッジリング２２８の断面輪郭は実質的に長方形であるが、代替的に他の構成を有してもよい。

リングセンサ１４０は、導電性スリーブ２１０内に配置されており、この導電性スリーブは、エッジリング２２８の下部面２２２に近接して配置されている。エッジリング２２８の下部面２２２と導電性スリーブ２１０との間に隙間又は間隔が存在してもよい。リングセンサ１４０は、基板支持アセンブリ１２０の上面１３１の下に配置されている。各リングセンサ１４０はさらに、エッジリング２２８に隣接して配置されている。リングセンサ１４０は、近接センサ（例えば、容量センサ）、変位センサ、インピーダンスセンサ、又は音響センサであってもよい。配線２０６は、リングセンサ１４０の出力を通信回路２０８に結合し、この通信回路は、リングセンサ１４０によって取得されたデータを図６に示すコントローラ６１８へ送信する。データはデジタルでもアナログでもよい。リングセンサ１４０によって取得されたデータは、エッジリング２２８のメトリックを表す。さらに、このメトリックはエッジリング２２８のエロージョンに対応する。リングセンサ１４０はまた、通信回路２０８を介してＣＰＵ６２０から命令を受信し得る。

図２Ｂは、プラズマ処理チャンバ１００の一部の部分断面図の別の一実施例を示す。リングセンサ１４０は、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２の外側に配置されている。リングセンサ１４０を、導電性ロッド２３０内に配置してもよい。導電性ロッド２３０は、プラズマスクリーン１２４の下部面に当接している。プラズマスクリーン１２４は、リングアセンブリ１２８に電気的に結合されている。いくつかの実施例では、プラズマスクリーン１２４は追加の外側リングを有し、この追加の外側リングは、エッジリング２２８、静電チャック２０２、又はその両方に当接している。リングセンサ１４０を、プラズマスクリーン１２４内に埋め込んでもよい。また、リングセンサ１４０を、プラズマスクリーン１２４の表面と同一平面上としてもよい。図２Ａの実施例と実質的に同様の方法で、配線２０６は、リングセンサ１４０を通信回路２０８に結合し、この通信回路は、リングセンサ１４０によって取得されたデータをコントローラ６１８へ送信する（図６に示すと共に、以下で説明する）。リングセンサ１４０はまた、通信回路２０８を介してＣＰＵ６２０から命令を受信し得る。

（センサの実施例）
上記のように、リングセンサ１４０を、変位センサ、インピーダンスセンサ、又は音響センサのうちのいずれか１つ、及び近接センサとしてもよい。この近接センサについては、以下で詳しく説明する。以下の各実施例では、通信回路２０８は、処理のためにリングセンサ１４０とコントローラ６１８との間でデータを送信する。このデータから、エッジリング２２８のエロージョン特性を決定することができる。リングセンサ１４０によって取得されたエッジリング２２８のメトリックを利用して、プラズマ均一性を促進する方法でエッジリング２２８の位置を制御してもよい。また、メトリックを利用して、エッジリング２２８の整備又は交換が必要になる時期を予測又は表示するチャンバ本体１０２内でプラズマ分布を一定に維持してもよい。こうして、本明細書に開示される方法及び装置を採用することで、エッジリング２２８の予防交換のタイミングを正確に決定又は予測し得る。

（変位センサ）
図３Ａは、リングセンサの一実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。変位センサはエッジリング２２８のエロージョンを間接的に測定することができる。リングセンサ１４０は可撓性膜３１０を含む。エッジリング２２８のエロージョンを、可撓性膜３１０の変位を測定することによって決定し得る。一実施例では、リングセンサ１４０は導電性スリーブ２１０の開口部３１２内に少なくとも部分的に配置される。開口部３１２は１つ以上の側壁３１１を含む。可撓性膜３１０は開口部３１２内に配置され、側壁３１１に取り付けられる。いくつかの実施例では、アタッチメント３１５がエッジリング２２８に取り付けられ、開口部３１２の上方に配置される。アタッチメント３１５は可撓性膜３１０と接触して、これを変位させる。このとき、アタッチメント３１５がエッジリング２２８の重量を完全に支持している。

さらに図５を参照する。図５は基板支持アセンブリ１２０内のリングセンサ１４０の様々な位置を示す。一実施例では、アタッチメント３１５はまた、エッジリング２２８の下方の第１位置５１２に配置される。図３Ａに示すように、アタッチメント３１５は、エッジリング２２８及び可撓性膜３１０に結合される。可撓性膜３１０は、距離Δｄだけ撓むように構成されている。可撓性膜３１０が撓む距離Δｄは、エッジリング２２８の重量に対応する。リング材料のエロージョンが増加するにつれて、エッジリング２２８の重量は減少する。以下のいくつかの実施例では、リングセンサ１４０は、導電性スリーブ５２０内に取り付けられている。

本開示の別の一実施例では、代替的に、リングセンサ１４０は導電性スリーブ５２０の下の第２位置５１４に取り付けられる。リングセンサ１４０、側壁３１１及び開口部３１２は、上記の説明と同様に構成される。この実施例では、アタッチメント３１５はまた、可撓性膜３１０に結合される。

図５Ａは、石英管５０２の一部の断面図である。図５Ａに示すように、リングセンサ１４０を石英管５０２のヒール５２２に配置してもよい。石英管５０２のヒール５２２内にリングセンサ１４０を配置することにより、配線２０６又は通信回路２０８へのアクセスが可能になる。この実施例では、リングセンサ１４０は、エッジリング２２８に対して実質的に静止している。リングセンサ１４０を構成して、導電性スリーブ２１０の重量及びエッジリング２２８の重量によって生じる力を測定する。この測定構成では、エッジリング２２８は内側リング２０４に当接しない。測定された力は、導電性スリーブ２１０が受ける摩擦力の影響を受け得る。導電性スリーブ２１０は、エッジリング２２８が基板支持体１２２に取り付けられているときに摩擦力を経験し得る。導電性スリーブ５２０は、プッシュピン５０４の動きによって調整されるので、石英管５０２に当接して摩擦を引き起こす可能性がある。導電性スリーブ５２０はまた、他の構成要素（基板支持体１２２など）に当接して、同様に摩擦を引き起こす可能性がある。コントローラ６１８又は通信回路２０８によってフィルター処理で摩擦を除外し得る。

別の一実施例では、代替的に、リングセンサ１４０は、導電性スリーブ５２０の底部の第３位置５１６に取り付けられる。リングセンサ１４０はまた、第３位置５１６でプッシュピン５０４内に取り付けられ得る。この実施例では、アタッチメント３１５はまた、導電性スリーブ５２０及び可撓性膜３１０に結合される。リングセンサ１４０は、導電性スリーブ５２０の内側に取り付けられている。

さらに別の一実施例では、代替的に、リングセンサ１４０は、プッシュピン５０４の下の第４位置５１８に取り付けられる。また、リングセンサ１４０を、ベース部材５０８の上方に配置してもよい。こうして、リングセンサ１４０を、ベース部材５０８の内側に配置してもよい。また、リングセンサ１４０を、この第４位置５１８でプッシュピン５０４内に取り付けることができる。プッシュピン５０４は、ベース部材５０８に取り付けられている。リングセンサ１４０は、プッシュピン５０４の底部５０６に当接する。リングセンサ１４０を構成して、エッジリング２２８の重量を検出する。また、リングセンサを構成して、導電性スリーブ５２０の重量を検出する。また、リングセンサ１４０を構成して、プッシュピン５０４の重量を検出する。上記の実施例と同様に、エッジリング２２８が基板支持体１２２に取り付けられているときに、プッシュピン５０４は摩擦力を受ける可能性がある。プッシュピン５０４はまた、プッシュピン５０４がベアリング５１０に当接するときに摩擦力を受ける可能性がある。この実施例では、ベアリング５１０は、プッシュピン５０４の相対運動を所望の方向に拘束する。ベアリング５１０を、ベース部材５０８内に配置してもよい。

リングアセンブリ１２８を、プッシュピン５０４を介して導電性スリーブ５２０に結合してもよい。プッシュピン５０４は、チャンバ本体１０２のチャンバ底部１９３の表面を貫通して延在してもよい。導電性スリーブ５２０は、リングアセンブリ１２８をチャンバ本体１０２内で複数の下方位置といくつかの上昇位置との間で上下に移動させるのに適している。導電性スリーブ５２０を、図６に示すアクチュエータ６２４（モーターなど）に結合してもよく、又はねじ、若しくは基板支持体１２２に対してリングアセンブリ１２８を位置決めするための他の適切な装置としてもよい。

導電性スリーブ５２０により、エッジリング２２８をチャンバ本体１０２内で下部移送部分といくつかの上昇処理位置との間で垂直方向に移動させることができる。本明細書に開示されるいくつかの実施例では、エッジリング２２８は、導電性スリーブ５２０と連結する。いくつかの実施例では、導電性スリーブ５２０を、アクチュエータ６２４によって駆動してもよい。他の実施例では、導電性スリーブ１４２を、導電性スリーブ５２０内に配置してもよい。

このように、エッジリング２２８のエロージョンを間接的に検出するいくつかの技術が本明細書に開示される。この検出のために、リングセンサ１４０の一実施例では可撓性膜３１０の撓みを測定する。以下のセンサの各々を、図２Ａ及び２Ｂに示すように、リングセンサ１４０として制限なく配置してもよいことを理解するべきである。

（容量リングセンサ）
リングセンサ１４０は容量リングセンサを利用して可撓性膜３１０の撓みを検出してもよい。リングセンサ１４０を、ピエゾ抵抗効果を利用するピエゾ抵抗歪みゲージに結合して、加えられる圧力による歪みを検出してもよい。ピエゾ抵抗材料内では、リングセンサ１４０に結合された薄いダイヤフラム（図示せず）の材料を圧力が変形させるにつれて、測定可能な抵抗が増加する。

加えられる圧力が、薄いダイヤフラム（すなわち、コンデンサのプレート）を長さΔｌだけ撓ませ、静電容量を変化させる。加えられる圧力は、エッジリング１２８の重量から生じる力によって引き起こされる。エッジリング１２８の重量の変化は、薄いダイヤフラムの撓みと比例する。したがって、静電容量の変化を使用して、発振器の周波数を制御してもよく、又はネットワークを介するＡＣ信号の結合を変化させてもよい。また、静電容量を、スイッチトキャパシタ回路などの電子回路を使用して直接測定してもよい。容量リングセンサはダイヤフラム及び圧力キャビティを使用して、加えられる圧力による歪みを検出する可変コンデンサを生成する。エッジリングから加えられる圧力（すなわち、力）は、薄いダイヤフラムを測定可能な長さΔｌだけ変形させる。圧力がダイヤフラムを変形させると、静電容量は減少する。静電容量（Ｃ）はプレート間の材料の誘電率に比例する。静電容量（Ｃ）は次の式で表される。Ｃ＝μＡ／ｄ、μ＝プレート間の材料の誘電率、Ａ＝プレートの面積、ｄ＝プレート間の間隔。リングセンサ１４０の静電容量の変化を監視することにより、エッジリング１２８のエロージョンを検出することができる。

（歪みゲージリングセンサ）
上記のように、リングセンサ１４０はまた、歪みゲージを利用して可撓性膜３１０の撓みを検出してもよい。歪みゲージを、可撓性膜３１０に物理的に貼りつけてもよい。歪みゲージは、電気コンダクタンスの物理的性質、及び可撓性膜３１０の形状に対するその依存性を巧みに利用する。可撓性膜３１０が伸びると、歪みゲージが細長くなり、その電気抵抗は増加する。逆に、導電性材料が圧縮されると太く、短くなり、その電気抵抗は減少する。測定された歪みゲージの電気抵抗から、誘発された応力の量を決定してもよい。この応力の量は、エッジリング１２８の重量に比例する。

例えば、歪みゲージを、電気抵抗（Ｒ）を有する金属材料の細片としてもよい。この電気抵抗は、Ｒ＝ρＬ／ＷＴで表される。ここで、ρ＝抵抗率、Ｌ＝長さ、Ｗ＝幅、Ｔ＝厚さ。金属歪みゲージは、寸法変化に依存して抵抗の変化を引き起こす。細片に応力が加わると、細片はわずかに長く、細く、薄くなり、その結果、次の抵抗が生じる。Ｒ＝ρ（Ｌ＋ΔＬ）／（Ｗ－ΔＷ）（Ｔ－ΔＴ）。出力電圧は、金属材料の細片の歪みによって引き起こされる抵抗の変化に比例する。

（光学干渉センサ）
リングセンサ１４０を、光学干渉計に結合してもよい。また、光学干渉計を構成して、可撓性膜３１０の撓みを検出してもよい。光学干渉計は、少なくとも１つの発光素子を有する。発光素子は、光又は何らかの他の形態の電磁波を放出し得る。ほとんどの干渉計では、単一の光源からの光は、異なる光路を進む２つのビームに分割されて、その後、光ビームは再合流して干渉を生じさせる。

発光素子から放出された光ビームは可撓性膜３１０の表面に入射すると、屈折面で方向を変える。各光ビームは異なる経路を進み、その後、検出器に到達する前に再合流する。経路差、すなわち、各ビームが移動する距離の差により、光ビーム間に位相差が生じる。位相差は、最初は同一であった光波間に干渉縞を作り出す。単一の電磁ビームが２つの経路に沿って分割されている場合、位相差は、経路長自体の物理的変化、又は経路に沿った屈折率の変化に対応する。屈折率（ｎ）はｎ＝ｃ／ｖとして定義される。ここで、ｃは真空中の光の速度であり、ｖは媒質内の光の位相速度である。

圧力又は力の変化に応じて、薄いダイヤフラムの変形は変化する。エッジリング１２８の重量によって引き起こされる圧力又は力の変化は、干渉縞の変化を引き起こし得る。干渉縞の変化を検出することにより、エッジリング１２８のエロージョンを監視することが可能になる。

出願人は、リングセンサ１４０の別の一実施例を利用してエッジリング２２８のエロージョンを直接検出するいくつかの技術を本明細書で開示する。

（近接センサ）
近接センサが、リングセンサ１４０の別の一実施例である。この実施例では、図３Ｃ及び３Ｄに示す第１電極３５０及び第２電極３６０を含む電極対を、エッジリング２２８に埋め込んでもよい。リングセンサ１４０を、エッジリング２２８の上部面２２０の下方埋め込んでもよい。リングセンサ１４０を、エッジリング２２８の下部面２２２の上方に埋め込んでもよい。他の諸実施例では、追加の電極対があってもよい。２つの電極３５０及び３６０を、抵抗及びコンデンサとして並列にモデル化してもよい。電極３５０と３６０の間の静電容量が測定される。エッジリング２２８が高抵抗半導体又は絶縁材料で作られている場合、エッジリング２２８は高い抵抗を発生させるので、第１電極３５０と第２電極３６０の間の静電容量を測定することができる。例えば、静電容量の変化は、エッジリング２２８の厚さの変化に対応する。エッジリング２２８が金属材料などの導電性材料で作られている場合、エッジリング２２８は高い静電容量を発生させるので、第１電極３５０と第２電極３６０との間の抵抗を測定することができる。この実施例では、抵抗の変化は、エッジリング２２８の厚さの変化に対応する。厚さの変化を、エッジリング２２８の元の厚さから（リング静電容量の情報を介して）測定された厚さを差し引くことによって決定して、エッジリング２２８の全体的なエロージョンを決定し得る。代替的に、測定された静電容量は、エッジリング２２８の絶対厚さに対応し得る。静電容量を、エッジリング２２８の所定の限界最小厚さに対応する閾値と比較してもよい。また、厚さの変化又は測定された厚さが限界最小厚さに近づく速度を使用して、エッジリング２２８のエロージョン速度を決定してもよい。エッジリング２２８の厚さの変化、厚さの絶対値、又はエロージョン速度のいずれを決定するかにかかわらず、厚さ情報を利用してエッジリング２２８が整備又は交換を必要とする時期を予測又は表示してもよい。

近接センサを構成して、電磁場又は電磁放射（赤外放射など）を放出し得る。電磁場の変化は、リングセンサ１４０によって検出される。近接センサを構成して、エッジリング１２８を検出する。近接センサの種類はエッジリング１２８の材料に対応する。例えば、容量近接センサ又は光電センサは半導体材料又はポリマーの検出に適するだろう。別の一実施例では、誘導近接センサが金属材料を検出するのに適する場合がある。

（圧電音響センサ）
図３Ｂは、リングセンサの代替実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。リングセンサ１４０は、音響センサとして示されており、この音響センサは送信要素及び受信要素、すなわちトランシーバなどの送受信要素３３０を含む。一実施例では、送信要素及び受信要素は２つの別個の要素である。別の一実施例では、送信要素及び受信要素は２つの明確に分かれた要素である。音響センサは、エッジリング２２８のエロージョンを直接測定することができる。いくつかの実施例では、送信要素及び受信要素は、単一の送受信要素であってもよい。バッファ層３２８がリングセンサ１４０とエッジリング２２８との間に配置されている。バッファ層３２８は、リングセンサ１４０からエッジリング２２８へ、及びその逆へ、音波を効果的に結合する。送受信要素３３０はバッファ層３２８に当接する。放出される音波３２４が第１時間に送受信要素３３０から発生し、反射音波３２６が第１時間より遅い第２時間に送受信要素３３０で受信される。

音波リングセンサ１４０は圧電材料を使用して、音波を発生させ、これを検出し得る。音波が基板の表面を伝播する場合、それは表面波として知られており、音波が基板を通って伝播する場合、それはバルク波と呼ばれている。圧電材料は電気的応答と機械的応答との間の変換、及び電気信号から機械音波への変換並びにその逆を提供する。この実施例では、音波が励起され、エッジリング２２８を通って又はその表面を伝播する。音波伝播経路の特性の変化は、音波の速度及び／又は振幅に影響を与える。速度／振幅の変化を、リングセンサ１４０の固有周波数又は位相特性を測定することによって監視することができ、測定されている対応の物理量と相関させることができる。この実施例では、測定される物理量は、エッジリング２２８の元の厚さとエッジリング２２８の現在の厚さとの差である。エッジリング２２８の厚さの変化は、エッジリング２２８のエロージョンに対応する。

リングセンサ１４０を構成して、エッジリング２２８のエロージョンを測定する。エッジリング２２８のエロージョンを、音波がエッジリング２２８を通って伝播するときの音波の飛行時間ｔ_ｏｆを測定することによって決定することも可能である。ここで、音波は、放出された音波３２４と反射された音波３２６とを含む。飛行時間は、式ｔ_ｏｆ＝２ｄ／ｖで表される。変数のｔは飛行時間を表し、ｖは、エッジリング２２８を通って進行する音波の速度を表し、ｄは、放出された音波３２４又は反射された音波３２６が進行した距離を表す。距離ｄはエッジリング２２８の厚さに対応する。飛行時間に加えて、エッジリング２２８の厚さを、音波減衰を計算することによって決定してもよい。媒体を通る音波の減衰は、Ａ＝Ａ_ｏｅ^－αｘとして表される。ここで、ｘはエッジリング２２８の厚さであり、Ａは減衰する音波Ａ_ｏの振幅変化であり、αは、エッジリング２２８の材料に基づく減衰係数である。

表面音波は、縦方向と垂直方向の剪断成分の重ね合わせからなる。表面音波は表面に拘束され、表面からの距離とともに指数関数的に減衰する。表面音波（ＳＡＷ）デバイスの一般的な構造は圧電材料で構成されており、その上にインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）がパターン形成されている。圧電効果によって入力ＩＤＴにＡＣ電圧が印加されると、音波が励起され、表面に沿って進行する。ＳＡＷデバイスの動作周波数（ｆ_ｒｅｓ）は１０ｋＨｚから１ＧＨｚの範囲である。圧電材料の動作周波数（ｆ_ｒｅｓ）を、次式で表すことができる。ｆ_ｒｅｓ＝Ｖ_Ｒ／λ、ここで、Ｖ_Ｒは材料特性によって決定されるレイリー波速度であり、λはＩＤＴの周期性として定義される波長である。バルク音波は圧電材料を通って進行し、表面音波よりも速い。それは、縦波又は剪断波を含むからである。バルク音波では、周波数の変化はアクティブエリアＡに反比例し、圧電材料の密度及び圧電材料の剪断弾性係数の平方根に反比例する。エッジリング２２８を通る音波の飛行時間を解析することによって、メトリックを取得してもよい。また、音波が媒体を通って伝播するときの信号の減衰を解析することによって、メトリックを取得してもよい。

（インピーダンスリングセンサ）
ここで図３Ｃ及び３Ｄを参照する。図３Ｃ及び３Ｄは、リングセンサ１４０の代替実施例を有する図１Ａの基板支持アセンブリの一部の平面図である。リングセンサ１４０を、インピーダンスリングセンサとして組み込んでもよい。インピーダンスリングセンサは、エッジリング２２８のエロージョンを直接測定することができる。インピーダンス（Ｚ）は、一般に、デバイス又は回路が所与の周波数で交流電流（ＡＣ）の流れに与える全体の抵抗として定義され、ベクトルとして表すことができる複素量として表される。インピーダンスベクトルは、実数部（抵抗、Ｒ）と虚数部（リアクタンス、Ｘ）から構成される。

少なくとも１つの実施例では、第１電極３５０及び第２電極３６０は、配線２０６を介して通信回路２０８に結合されている。電流が第１及び第２電極３５０及び３６０を介してエッジリング２２８を通過するとき、リングセンサ１４０は、等価な回路モデル３６２を利用することにより、エッジリング２２８のメトリックを決定する。この回路モデルは、エッジリング２２８と、第１及び第２電極３５０及び３６０と、周囲とを含む。信号源部が交流信号を生成する。一実施例では、ＡＣ信号は高周波信号である。高周波信号は所与の周波数でエッジリング２２８に印加され、この周波数を１０Ｈｚから１０ＧＨｚの間としてもよい。別の一実施例では、周波数を１０キロヘルツから１ギガヘルツの間としてもよい。高周波電流電圧法は、オームの法則で表される、電圧電流比とインピーダンスの線形関係に基づいている。回路全体の抽出されたインピーダンス、抵抗性インピーダンス及び容量性インピーダンスは、エッジリング２２８の厚さに正比例する。このようにして、エッジリング２２８のエロージョンの直接監視を行うことができる。例えば、数オーム、数１０オーム、又は数１００オームのインピーダンス変化は、約１ミクロン以上のエッジリング２２８のエロージョンに対応し得る。本明細書の開示により、エッジリング２２８のエロージョンの高解像度監視は、１ミクロン未満まで実現することができる。他の各実施例と同様に、通信回路２０８はＣＰＵ６２０と通信する。

関連する一実施例では、電気機械（ＥＭ）インピーダンスを、圧電センサを用いて決定してもよい。圧電トランスデューサ３４０が、エッジリング２２８のエッジ底面２０７に接合されている。交流電圧で励起すると、圧電トランスデューサ３４０は、エッジリング２２８の下部面２２２に平行な局所歪みを加え、弾性波をエッジリング２２８へ伝達する。

リングセンサ構成を、ばね－質量－ダンパシステムとしてモデル化してもよい。ここで、ｍはエッジリング２２８の質量を表し、ばね定数ｋはエッジリング２２８の抵抗に対応し、減衰係数ｃはエッジリング２２８の材料特性に対応する。一般に、圧電トランスデューサは非常に高いＤＣ出力インピーダンスを有しており、比例電圧源としてモデル化され得る。比例電圧源における電圧Ｖは、加えられる力、圧力、又は歪みに正比例する。出力電圧信号はこの機械的な力に、あたかもばね－質量－ダンパモデルで表された等価な回路を通過したかのように関連付けられる。エッジリング２２８のエロージョンは、エッジリング２２８内の音波特性の変化をもたらし得る。音波特性の変化は、等価な質量ｍ、ばね定数ｋ、及び減衰係数Ｃに影響を与え得る。したがって、ＥＭインピーダンスのインピーダンス出力特性は、エッジリング１２８のエロージョンが続くにつれて変化する。固有周波数シフトを含むＥＭインピーダンススペクトルを監視して、エッジリング２２８のエロージョンを決定し得る。

本明細書に開示される様々なセンサの実施例を、図４に示すように、基板を処理する方法４００で利用することができる。図４は、図１の処理チャンバ内で基板を処理するための例示的な方法である。方法４００は、ブロック４０２から始まる。ここで、基板Ｗはプラズマ処理チャンバ内で処理される。ブロック４０４で、エッジリング２２８のメトリックが、基板支持アセンブリ１２０の上面１３１の下に配置されたリングセンサ１４０を利用して取得される。メトリックはエッジリング２２８の変位、インピーダンス、又は音波に対応する。一実施例では、リングセンサ１４０は、チャンバ本体１０２内の基板支持アセンブリ１２０の上面１３１の下に配置される。また、リングセンサ１４０を、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２の外側に配置してもよい。別の一実施例では、リングセンサ１４０を、基板支持アセンブリ１２０の外周１３２の内側、すなわち基板支持アセンブリ１２０の内側に配置する。ブロック４０６で、エッジリング２２８の高さは、メトリックに基づいて調整される。ブロック４０８で、第２基板がプラズマ処理チャンバ内で処理される。エッジリング２２８の高さを調整して、リングの如何なるエロージョンをも補償し、第２基板のプラズマ処理の均一性を確保する。

ここでさらに図６を参照する。図６は、プラズマ処理チャンバの様々な実施例を実行するのに適したコンピュータシステム、並びにリングアセンブリ１２８のエロージョンに関連するメトリックを決定するための方法及び装置の概略図である。導電性スリーブ５２０の制御を、中央処理装置（ＣＰＵ）６２０に結合されたコントローラ６１８によって制御してもよい。ＣＰＵ６２０は、メモリ６２２並びに大容量記憶装置、入力制御ユニット、及び表示ユニット（図示せず）（電源、クロック、キャッシュ、入力／出力（Ｉ ／ Ｏ）回路、ライナーなど）と共に動作可能であり、処理システムの様々な構成要素に結合されて、基板処理の制御を容易にする。上記のように、リングセンサ１４０はまた、配線２０６を介してＣＰＵ６２０と通信する。

上述のプラズマ処理チャンバ１００の制御を容易にするために、ＣＰＵ６２０は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）などの、産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサのうちの１つであってもよい。メモリ６２２はＣＰＵ６２０に結合されており、メモリ６２２は非一時的なものであり、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、又は任意の他の形態のローカル又はリモートのデジタル記憶装置など、容易に入手可能なメモリのうちの１つ以上であってもよい。通信回路２０８は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ６２０に結合されている。荷電種の生成、加熱、及び他の処理は、一般に、しばしばソフトウェアルーチンとしてメモリ６２２に格納される。エッジリング２２８の厚さ及びエッジリング２２８の厚さの変化を含むエロージョン監視情報もメモリ６２２に格納される。メモリ６２２はまた、エロージョン監視に関連する前述の変数の各々を格納し得る。ソフトウェアルーチンはまた、第２ＣＰＵ（図示せず）によって格納され、及び／又は実行され、この第２ＣＰＵが、ＣＰＵ６２０によって制御されているプラズマ処理チャンバ１００から離れた位置にあってもよい。

メモリ６２２は、命令を含むコンピュータ可読記憶媒体の形態をしており、この命令はＣＰＵ６２０によって実行されると、プラズマ処理チャンバ１００の動作を容易にする。メモリ６２２内の命令はプログラム製品（本開示の方法を実行するプログラムなど）の形態をしている。プログラムコードは、多数の異なるプログラミング言語のいずれに合わせてもよい。一実施例では、本開示を、コンピュータシステムと共に使用するためのコンピュータ可読記憶媒体に格納されたプログラム製品として実施してもよい。プログラム製品のプログラムは、諸実施例（本明細書に記載されている方法を含む）の機能を明らかにしている。例示的なコンピュータ可読記憶媒体には、以下のものが含まれるが、これらには限定されない。（ｉ）書き込み不可の記憶媒体（例えば、ＣＤ－ＲＯＭドライブで読み取り可能なＣＤ－ＲＯＭディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、又は任意の種類のソリッドステート不揮発性半導体メモリなどの、コンピュータ内の読み取り専用メモリデバイス）ここには、情報が恒久的に保存されている。（ｉｉ）書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ内のフロッピーディスクやハードディスクドライブ、又は任意の種類のソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ）ここには、変更可能な情報が格納されている。そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載の方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を伝達するならば、本開示の実施例である。

上記は特定の実施例を対象としているが、その基本的範囲から逸脱することなく他の及びさらなる実施例を創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (15)

1. 内部容積を画定する複数の壁を有するチャンバ本体と、
   内部容積内に配置された基板支持アセンブリであって、基板支持アセンブリは、
   外周と、
   外周まで延在し、上面を有する基板支持体とを備えている、基板支持アセンブリと、
   外周に近接する上面に配置されたエッジリングであって、上部面を有するエッジリングと、
   チャンバ本体内において基板支持アセンブリの上面の下でかつ外周の外側に配置された第１センサであって、エッジリングのメトリックを検出するように構成された第１センサとを備えるプラズマ処理チャンバ。
2. メトリックはエッジリングの上部面のエロージョンを表している、請求項１に記載のプラズマ処理チャンバ。
3. 第２センサと、
   第３センサとをさらに備え、
   第１センサ、第２センサ、及び第３センサはそれぞれ、エッジリングのエロージョンを検出するように構成されている、請求項２に記載のプラズマ処理チャンバ。
4. 第１センサ、第２センサ、及び第３センサは、エッジリングに対して等距離に離間されている、請求項３に記載のプラズマ処理チャンバ。
5. 内部容積を画定する複数の壁を有するチャンバ本体と、
   内部容積内に配置された基板支持アセンブリであって、基板支持アセンブリは、
   外周と、
   外周まで延在し、上面を有する基板支持体とを備えている、基板支持アセンブリと、
   外周に近接する上面に配置されたエッジリングであって、上部面を有するエッジリングと、
   チャンバ本体内において基板支持アセンブリの上面の下に配置されたリングセンサであって、エッジリングの変位、インピーダンス、又は音波に対応するメトリックを検出するように構成されたリングセンサとを備えるプラズマ処理チャンバ。
6. 基板支持アセンブリの外周に結合されたプラズマスクリーンをさらに備え、
   プラズマスクリーンは上部スクリーン面と、それを貫通して延びる複数のオリフィスとを有し、
   プラズマスクリーンの上部面は基板支持体の上面と平行である、請求項２又は請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理チャンバ。
7. リングセンサは、近接センサ、変位センサ、インピーダンスリングセンサ、又は音響センサのうちの１つである、請求項２又は請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理チャンバ。
8. メトリックはエッジリングの等価な回路モデルを含んでいる、請求項２又は請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理チャンバ。
9. 第１センサ又はリングセンサは可撓性部材を含み、
   可撓性部材の撓みは、エッジリングのエロージョンを表すメトリックに対応している、請求項２又は請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理チャンバ。
10. 基板支持アセンブリ上に配置された基板をプラズマ処理する工程であって、
    基板支持アセンブリは、基板支持アセンブリの外周に近接する上面に配置されたエッジリングを有し、
    基板支持アセンブリ、エッジリングは上部面を有している、工程と、
    上面の下に配置された１つ以上のリングセンサを利用してエッジリングのメトリックを取得する工程であって、メトリックはエッジリングの変位、インピーダンス、又は音波に対応している、工程と、
    メトリックに基づいてエッジリングの高さを調整する工程とを含む、基板を処理する方法。
11. メトリックはエッジリングの上面のエロージョンを表している、請求項５に記載のプラズマ処理チャンバ、又は請求項１０に記載の基板を処理する方法。
12. メトリックを取得する工程は１つ以上のリングセンサの少なくとも一部の寸法の変化に部分的に基づいている、請求項１０に記載の基板を処理する方法。
13. １つ以上のリングセンサは等距離の方位に置かれている、請求項１０に記載の基板を処理する方法。
14. メトリックを感知する工程は、プラズマスクリーンを通る点で行われ、
    プラズマスクリーンは基板支持アセンブリの外周に結合され、
    プラズマスクリーンは上部スクリーン面と、それを貫通して延びる複数のオリフィスとを有し、
    プラズマスクリーンの上部面は基板支持アセンブリの上面と平行である、請求項１０に記載の基板を処理する方法。
15. メトリックを取得する工程は、エッジリングの等価な回路モデルに部分的に基づいている、請求項１０に記載の基板を処理する方法。

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