JP2022174523A - 貫通電極基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 貫通孔の側面から貫通電極基板にクラックが生じてしまうことや貫通電極と貫通孔の側面との間に隙間が生じることを抑制し得る貫通電極基板を提供する。【解決手段】 本開示の貫通電極基板は、第１面及び第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板と貫通孔に位置する貫通電極とを備え、貫通孔は、孔径が最小となる狭窄部を有しており、貫通電極は、狭窄部を含む位置に貫通孔を塞ぐように形成された導電充填部と、貫通孔の側面の上に形成され、導電充填部から第１面に向かって延びる第１面側薄肉部と、貫通孔の側面の上に形成され、導電充填部から第２面に向かって延びる第２面側薄肉部と、を有しており、狭窄部における貫通孔の孔径ｐが１０μｍ以上５０μｍ以下であり、導電充填部の第１面の側から第２面の側に向かう長さｆが３０μｍ以上１００μｍ以下である。【選択図】 図１

Description

本発明は、貫通電極を備える貫通電極基板に関する。

貫通電極基板は、例えば特許文献１に開示されるように、第１面及び第２面を含む基板と、基板に設けられた複数の貫通孔と、基板の第１面の側から第２面の側に至るように貫通孔の内部に設けられた貫通電極と、を備えている。このような貫通電極基板は、従来から様々な用途で利用されており、例えば携帯電話等の電子機器に実装されたりする。
このような貫通電極基板の貫通電極は、一般に、導電性の材料（典型的には銅）が貫通孔の全体に充填される充填タイプ（フィルドビアとも呼ぶ）と、導電性の材料層が貫通孔の側面に設けられ中空状をなす非充填タイプ（コンフォーマルビアとも呼ぶ）と、に分類される。

貫通電極を形成する方法としては、例えば、貫通孔の側面にシード層を形成し、電解めっき法によりシード層の上にめっき層を形成する方法が知られている。

特開２０１８－１６３９８６号公報

貫通電極基板に実装されるＬＳＩデバイスにおいては高集積化が著しく、この高集積化に伴って、貫通電極基板に設けられる貫通電極にも高密度化および微細化が求められている。そして、高密度化により複雑化する貫通電極基板には、高信頼性が求められている。
この高信頼性の試験として、ヒートサイクル試験がある。ヒートサイクル試験は、例えば、貫通電極基板を１時間かけて－５５℃から１２５℃まで加熱し、１２５℃で１時間保ち、その後、１時間かけて１２５℃から－５５℃まで冷却する試験である。このヒートサイクルを貫通電極基板に１０００回施す試験もある。

しかしながら、上記のようなヒートサイクル試験の熱ストレスにより、貫通孔の側面から貫通電極基板にクラックが生じてしまうという問題や、貫通電極と貫通孔の側面との間に隙間が生じてしまうという問題があった。

本開示の実施形態は、上記のような課題を効果的に解決し得る貫通電極基板を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態の貫通電極基板は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板と、前記基板の前記貫通孔に位置する貫通電極と、を備え、前記貫通孔は、孔径が最小となる狭窄部を有しており、前記貫通電極は、前記貫通孔の側面側から前記貫通孔の中心側に向かって順に、密着層と、シード層と、導電層と、を有しており、前記密着層が、チタン、窒化チタン、または酸化亜鉛のいずれか１種を含み、前記導電層が、銅を含み、さらに、前記貫通電極は、前記狭窄部を含む位置に前記貫通孔を塞ぐように形成された導電充填部と、前記貫通孔の側面の上に形成され、前記導電充填部から前記基板の前記第１面に向かって延びる第１面側薄肉部と、前記貫通孔の側面の上に形成され、前記導電充填部から前記基板の前記第２面に向かって延びる第２面側薄肉部と、前記基板の前記第２面の上に形成された第２面側接続部と、を有しており、前記狭窄部における貫通孔の孔径ｐが１０μｍ以上５０μｍ以下であり、前記貫通孔の平面視の中心位置における前記導電充填部の前記基板の前記第１面の側から前記第２面の側に向かう長さｆが３０μｍ以上１００μｍ以下である。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記基板の前記第２面の高さ位置における前記貫通電極の前記第２面側薄肉部の厚みｔが、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記基板の前記第１面から前記第２面の側に向かって距離ｄの位置に、前記貫通孔の前記狭窄部があり、前記距離ｄの大きさが、２０μｍ以上であって、前記基板の厚みｇの１／２以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記基板の厚みｇが、２００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、断面視で前記貫通孔を構成する一対の側面のうちの片側の側面における、前記狭窄部の縁部と前記基板の前記第２面の側の前記貫通孔の開口の縁部とを結ぶ線と、前記基板の前記第２面の法線とのなす角度θが、１．２５°以上６．２５°以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記貫通孔における前記貫通電極の前記導電充填部の前記基板の前記第２面の側から前記基板の前記第２面に向かって、埋設樹脂部が形成されていてもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記基板の前記第２面の法線方向において、前記埋設樹脂部の前記基板の前記第２面の側の面から前記基板の前記第２面までの長さｆＪが、０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記埋設樹脂部の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接が、０．００３以上０．０２以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板において、前記埋設樹脂部は、埋設樹脂フィラーを含有し、前記埋設樹脂フィラーは、熱重量変化が２５０℃で３重量％以内であり、熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下であり、前記埋設樹脂フィラーが前記埋設樹脂部の３０体積％以上８０体積％以下で含有されていてもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記基板の前記第２面の側、および、前記貫通孔における前記埋設樹脂部の前記基板の前記第２面の側から前記基板の前記第２面の側に向かって、絶縁樹脂層を有していてもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板においては、前記絶縁樹脂層の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接が、０．００１以上０．０１以下であってもよい。

本開示の一実施形態に係る貫通電極基板において、前記絶縁樹脂層は、絶縁樹脂フィラーを含有し、前記絶縁樹脂フィラーは、熱重量変化が２５０℃で３重量％以内であり、熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下であり、前記絶縁樹脂フィラーが前記絶縁樹脂層の０体積％より多く、４０体積％以下で含有されていてもよい。

本開示の実施形態によれば、貫通孔の側面から貫通電極基板にクラックが生じてしまうことや貫通電極と貫通孔の側面との間に隙間が生じることを抑制し得る貫通電極基板を提供することができる。

一実施形態に係る貫通電極基板の要部を示す断面図 図１に示す貫通電極基板の貫通孔について示す断面図 図１に示す貫通電極基板の貫通電極について示す断面図 他の実施形態に係る貫通電極基板を示す断面図 他の実施形態に係る貫通電極基板を示す断面図 貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図６に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図７に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図８に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図９に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図１０に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図１１に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図１２に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図 図１３に続く貫通電極基板の製造工程の一例を示す図

以下、本開示の実施形態に係る貫通電極基板及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

＜貫通電極基板＞
以下、本開示の実施形態について説明する。まず、図１から図３を用いて、本開示の一実施形態に係る貫通電極基板１の構成について説明する。ここで、図１は、貫通電極基板１の要部を示す断面図であり、図２は、貫通電極基板１に設けられた貫通孔１３について示す断面図であり、図３は、貫通電極基板１に設けられた貫通電極２０について示す断面図である。

図１に示すように、貫通電極基板１は、第１面１１及び前記第１面１１の反対側に位置する第２面１２を含むとともに貫通孔１３が設けられた基板１０と、基板１０の貫通孔１３に位置する貫通電極２０と、を備える。
ここで、図１においては、一例として、貫通電極基板１が有する１つの貫通電極（貫通電極２０）の断面図を拡大して示しているが、通常、貫通電極基板１には複数の貫通電極が設けられている。
以下、貫通電極基板１の各構成要素について説明する。

（基板）
図１および図２に示すように、基板１０は、第１面１１、及び、第１面１１の反対側に位置する第２面１２を含む。また、基板１０には、第１面１１から第２面１２に至る貫通孔１３が設けられている。

基板１０は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。温度変化に対して基板１０の膨張若しくは収縮を小さくできることから、基板１０の熱膨張係数は小さいことが好ましい。例えば、基板１０の熱膨張係数は、２ｐｐｍ／Ｋ以上８ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、貫通電極基板の高周波における伝送ロスを小さく抑制するために、基板１０の誘電正接は小さいことが好ましい。例えば、基板１０の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接は、０．０００３以上０．００５以下であることが好ましい。

例えば、基板１０は、ガラス基板、石英基板である。基板１０で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。

無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ－Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。

基板１０の厚みｇは、２００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。貫通電極基板の製造工程では、研磨工程、典型的にはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）工程が含まれるが、基板１０の厚みｇが２００μｍよりも小さい場合、厚みが薄いため強度が不足し、研磨工程で破損してしまう場合がある。

また、貫通電極基板の製造工程では、貫通電極を電解めっきで肉厚に形成するためにシード層を形成する工程が含まれるが、基板１０の厚みｇが５００μｍよりも大きい場合、貫通孔の深さが開口に対して大きくなってしまい、シード層をスパッタリング法で形成すると、貫通孔の奥では必要な膜厚のシード層を形成できない場合があり、その後の電解めっきで形成される貫通電極も所望のものが得られない場合がある。

一方、基板１０の厚みｇが、２００μｍ以上５００μｍ以下である場合は、上記のような問題が生じることなく、貫通電極基板１を良好に得ることができる。

（貫通孔）
図２に示すように、基板１０に形成された貫通孔１３は、基板１０の第１面１１から第２面１２の側に向かって距離ｄの位置に、貫通孔１３の孔径が最小となる狭窄部１４を有している。

換言すれば、断面視において、基板１０に形成された貫通孔１３の側面は、基板１０の第１面１１側から狭窄部１４に向けて先細りとなるテーパ状の第１面側部分１５と、基板１０の第２面１２側から狭窄部１４に向けて先細りとなるテーパ状の第２面側部分１６と、第１面側部分１５と第２面側部分１６とが結合される狭窄部１４と、を有している。

平面視における貫通孔１３の第１面１１側及び第２面１２側の開口の形態は、通常、円形状であることから、貫通孔１３は、面積が小さい方の底面（上底）が同じである２つの円錐台を、それぞれの上底同士で結合した形態と表現することもできる。この場合、上記結合された上底の部分が、狭窄部１４に相当する。

なお、上述したテーパ状とは、大局的に見た場合に「テーパ」であることを意味し、図２に示すような貫通孔１３の断面視において、各部分の側面が直線的に延びる態様に限らず、曲線状に延びていたり、一部に曲線部分を含んでいたり、直線状部分と曲線状部分とを有していたりする場合でも、大局的に見て「テーパ」であれば、これらの形状はテーパ状の概念に含まれる。

図２に示す貫通孔１３において狭窄部１４の位置は、基板１０の第１面１１から前記第２面の側に向かって距離ｄの位置であり、この距離ｄの大きさは、２０μｍ以上であって、基板１０の厚みｇの１／２以下であることが好ましい。

上記のように、貫通電極基板の製造工程では、研磨工程、典型的にはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）工程が含まれるが、距離ｄの大きさが２０μｍよりも小さい場合、貫通孔１３の第１面１１側の開口の縁部が、この研磨工程で欠けやすくなる。

また、貫通電極基板の製造工程では、基板１０の第１面１１の上側にレジストを塗布形成する工程や除去する工程が含まれる場合があるが、距離ｄの大きさが基板１０の厚みｇの１／２よりも大きい場合、図１に示す貫通電極基板１において、貫通電極２０の第１面１１側の中央部の凹部（図３に示す貫通電極２０の第１面側薄肉部２０ａで囲まれる凹部）の深さが大きくなってしまい、レジスト塗布異常や、レジスト除去が不十分になって異物が生じてしまうという問題が生じやすくなる。

一方、距離ｄの大きさが２０μｍ以上であって、基板１０の厚みｇの１／２以下である場合には、後述する実施例のように、上記のような問題が生じることなく、貫通電極基板１を良好に得ることができる。

また、図２に示す貫通孔１３において狭窄部１４における貫通孔１３の孔径ｐは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

貫通孔１３の形成はレーザ加工等によって行われるが、狭窄部１４における貫通孔１３の孔径ｐが１０μｍよりも小さい場合、狭窄部１４が狭くなり過ぎてしまい、所望の形状の貫通孔１３を形成することが困難になる。

また、後述するように、図１および図３に示す貫通電極基板１の貫通電極２０は、狭窄部１４を含む位置に貫通孔１３を塞ぐように形成された導電充填部２０ｂを有するものであり、上記のように、貫通電極基板の製造工程では貫通電極を電解めっきで肉厚に形成するが、狭窄部１４における貫通孔１３の孔径ｐが５０μｍよりも大きい場合、狭窄部１４における孔径が大きくなり過ぎて、後述する第２面側薄肉部２０ｃの厚みｔとの関係から、狭窄部１４を含む位置で貫通孔１３を塞ぐように貫通電極を形成することが困難になる。

一方、狭窄部１４における貫通孔１３の孔径ｐが１０μｍ以上５０μｍ以下である場合には、上記のような問題が生じることなく、貫通電極基板１を良好に得ることができる。

なお、基板１０の第１面１１側の貫通孔１３の開口の孔径は、狭窄部１４の孔径ｐよりも大きく、また、基板１０の第２面１２側の貫通孔１３の開口の孔径も、狭窄部１４の孔径ｐよりも大きい。

また、図２に示す貫通孔１３においては、断面視で、貫通孔１３を構成する一対の側面のうちの片側の側面における狭窄部１４の縁部（Ｒ１）と基板１０の第２面１２の側の貫通孔１３の開口の縁部（Ｒ２）とを結ぶ線と、基板１０の第２面１２の法線Ｎとの、なす角度θが、１．２５°以上６．２５°以下であることが好ましい。

上記のように、貫通電極基板の製造工程では、貫通電極を電解めっきで肉厚に形成するためにシード層を形成する工程が含まれるが、上記の角度θが１．２５°よりも小さい場合、貫通孔の側面の傾斜が垂直に近く、シード層をスパッタリング法で形成すると、貫通孔の奥では必要な膜厚のシード層を形成できない場合があり、その後の電解めっきで形成される貫通電極も所望のものが得られない場合がある。

また、後述するように、図１および図３に示す貫通電極基板１の貫通電極２０は、狭窄部１４を含む位置に貫通孔１３を塞ぐように形成された導電充填部２０ｂを有するものであり、上記のように、貫通電極基板の製造工程では貫通電極を電解めっきで肉厚に形成するが、上記の角度θが１．２５°よりも小さい場合、貫通孔１３の狭窄部１４と第２面側部分１６（より詳しくは、図２に示す狭窄部１４の縁部（Ｒ１）と基板１０の第２面１２の側の貫通孔１３の開口の縁部（Ｒ２）との間の側面で構成される部分）との孔径差も小さくなり、図１および図３に示す貫通電極２０において導電充填部２０ｂを所望の長さｆに形成することが困難になる。

また、上記の角度θが６．２５°よりも大きい場合、貫通孔１３の第２面１２側の開口が大きくなってしまい、高密度実装に適さなくなる場合がある。

一方、上記角度θが、１．２５°以上６．２５°以下である場合には、上記のような問題が生じることなく、貫通電極基板１を良好に得ることができる。

（貫通電極）
貫通電極２０は導電性を有する部材であり、図１に示すように、貫通電極基板１において貫通孔１３に位置する。
より詳しくは、図３に示すように、貫通電極２０は、貫通孔１３の狭窄部１４を含む位置に貫通孔１３を塞ぐように形成された導電充填部２０ｂと、貫通孔１３の側面の上に形成され、導電充填部２０ｂから基板１０の第１面１１に向かって延びる第１面側薄肉部２０ａと、貫通孔１３の側面の上に形成され、導電充填部２０ｂから基板１０の第２面１２に向かって延びる第２面側薄肉部２０ｃと、基板１０の第２面１２の上に形成された第２面側接続部２０ｄと、を有している。
図１および図３に示すように、導電充填部２０ｂは貫通孔１３を塞ぐように形成されているが、第１面側薄肉部２０ａと第２面側薄肉部２０ｃとは、貫通孔１３の中心側に空間を残す形態で貫通孔１３の側面を覆うように形成されている。

ここで、貫通電極が貫通孔の側面に設けられ、貫通孔の中央は中空状をなす非充填タイプ（コンフォーマルビア）の場合、貫通孔の孔径が小さくなると、それに伴って、貫通孔の側面に形成される貫通電極の厚みも小さくすることになる。特に貫通孔の狭窄部において、貫通電極の厚みを小さくする必要がある。このため、貫通電極の電気的な抵抗が大きくなってしまい、電気特性が低下してしまうという問題があった。また、厚みが過度に小さい場合、均一な厚みに形成することも困難になるという問題があった。
一方、貫通電極基板１の貫通電極２０においては、上記のような構成を有するため、貫通孔１３の孔径が小さくなっても、貫通孔１３の狭窄部１４を含む位置には導電充填部２０ｂを有することで、貫通孔の側面に形成される貫通電極の厚み（例えば、第２面側薄肉部２０ｃの厚み）を過度に小さくするといった必要は無く、電気特性が低下してしまうという問題を解消できる。また、上記厚みを過度に小さくするといった必要が無いため、均一な厚みに形成することも容易になる。

また、貫通電極が貫通孔の全体に充填される充填タイプ（フィルドビア）の場合は、ヒートサイクル試験の熱ストレスにより、貫通孔の内部全体に充填された貫通電極材料（典型的には銅（Ｃｕ））と基板との熱膨張係数の差で、基板にクラックが生じやすいという問題があった。また、貫通電極と貫通孔の側面との間に隙間が生じやすいという問題もあった。
一方、貫通電極基板１の貫通電極２０においては、貫通孔の全体ではなく、貫通孔の一部に導電充填部２０ｂを有するため、上記のようなクラックや隙間が生じてしまうことを、効果的に抑制できる。

図３に示す導電充填部２０ｂの基板１０の厚み方向（図中のＺ方向）の大きさ、より詳しくは、図１に示すように、貫通孔１３の平面視の中心位置（開口中心位置）における導電充填部２０ｂの基板１０の第１面１１の側から第２面１２の側に向かう長さｆの大きさは、３０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

上記の長さｆの大きさが３０μｍよりも小さい場合、めっきによる蓋が困難になるおそれがある。より詳しくは、めっきを行う際に、貫通孔１３の第１面１１の側を塞ぐように（換言すれば、蓋をするように）して厚くめっきを行うが、上記の長さｆの大きさが３０μｍよりも小さい場合、めっき厚分布があるため、塞がらない部分（換言すれば、蓋ができない部分）が生じてしまうおそれがある。

また、上記の長さｆの大きさが１００μｍよりも大きい場合、ヒートサイクル試験の熱ストレスにより、導電充填部２０ｂが位置する部分の貫通孔の側面から貫通電極基板にクラックが生じ易くなる。

一方、上記長さｆの大きさが３０μｍ以上１００μｍ以下である場合には、上記のような問題が生じることなく、貫通電極基板１を良好に得ることができる。

また、図１においては、煩雑となることを避けるため図示を省略しているが、貫通電極２０は、通常、複数の層から構成されている。例えば、図３に示す例において、貫通電極２０は、貫通孔１３の側面の側に密着層２１を有し、密着層２１の上にシード層２２を有し、シード層２２の上に導電層２３を有している。換言すれば、貫通電極２０は、貫通孔１３の側面側から貫通孔１３の中心側に向かって順に、密着層２１と、シード層２２と、導電層２３と、を有している。

密着層２１は、基板１０とシード層２２との間に設けられ、基板１０とシード層２２との密着性を高める効果を奏する。密着層２１は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいずれか１種を含み、スパッタイオン蒸着、ＰＶＤ、若しくはゾルゲル法により形成される。密着層２１の厚みは、例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

シード層２２は導電性を有する層であり、電解めっき処理によって導電層２３を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させて導電層２３を成長させるための土台となる。シード層２２の材料としては、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、これらの組み合わせなどの導電性を有する材料を用いることができる。シード層２２の材料は、導電層２３の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。シード層２２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。このシード層２２を形成するには、例えば、スパッタリング法、蒸着法、またはスパッタリング法及び蒸着法の組み合わせの手法を用いることができる。

導電層２３は、シード層２２の上に電解めっきによって形成される、導電性を有する層である。導電層２３を構成する材料としては、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）などの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。

貫通電極基板１における第２面側薄肉部２０ｃの厚みｔ、より詳しくは、図１および図３に示すように、基板１０の第２面１２の高さ位置における貫通電極２０の第２面側薄肉部２０ｃの厚みｔは、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
なお、図３に示す貫通電極２０において、上記の第２面側薄肉部２０ｃの厚みｔは、密着層２１と、シード層２２と、導電層２３と、を合わせた厚みである。ただし、通常、密着層２１の厚み、及びシード層２２の厚みは、導電層２３の厚みに比べて小さいため、この厚みｔは、導電層２３の厚みと近似であるとして扱ってもよい。

貫通電極２０は素子の端子と電気的に接合されるものであるが、上記の厚みｔが５μｍよりも小さい場合、電気的な抵抗が大きくなってしまい、電気特性が低下してしまうという問題がある。

また、上記の厚みｔが１５μｍよりも大きい場合、この厚みｔの増大化に伴って導電充填部２０ｂの基板１０の長さｆも大きくなってしまい、その結果、長さｆの大きさが１００μｍを越えてしまい、上述のように、ヒートサイクル試験の熱ストレスにより、導電充填部２０ｂが位置する部分の貫通孔の側面から貫通電極基板にクラックが生じ易くなる。

一方、上記の厚みｔが５μｍ以上１５μｍ以下である場合には、上記のような問題が生じることなく、貫通電極基板１を良好に得ることができる。

（他の実施形態）
以下、図４、図５を用いて、本開示の他の実施形態について説明する。
まず、図４を用いて、貫通電極基板２について説明する。ここで、図４は、貫通電極基板２の要部を示す断面図である。なお、上述の貫通電極基板１と同様の構成部分については、同一の符号を付して、以下の説明を行う。

図１に例示した貫通電極基板１においては、図３に示す貫通電極２０の第２面側薄肉部２０ｃの上側（貫通孔１３の中心側）には、特に何も形成されておらず、空間を残す形態であったが、本開示の貫通電極基板は、これに限定されず、例えば、図４に例示する貫通電極基板２のように、埋設樹脂部３０を有する形態であっても良い。

より詳しくは、図４に例示する貫通電極基板２は、図１に例示した貫通電極基板１が有する構成に加えて、図３に示した貫通電極２０の第２面側薄肉部２０ｃの上に、貫通電極２０の導電充填部２０ｂの基板１０の第２面１２の側から基板１０の第２面１２に向かって、埋設樹脂部３０が形成されている形態を有している。

図４に示す貫通電極基板２においては、埋設樹脂部３０を有するため、応力の緩和や、第２面１２の側にレジスト製版等の手法を用いて配線形成する際に、貫通電極２０の第２面側薄肉部２０ｃの上側（貫通孔１３の中心側）の空間に異物が残留してしまうことを抑制する効果を奏することができる。

ここで、基板１０の第２面１２の法線方向において、埋設樹脂部３０の基板１０の第２面１２の側の面から基板１０の第２面１２までの長さｆＪが０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。上記の長さｆＪが、５０μｍより大きい場合、後工程が困難になるからである。

埋設樹脂部３０の形成方法としては、例えば、図１に示す貫通電極基板１に対して、埋設樹脂部３０を構成する材料からなるフィルムを、基板１０の第２面１２の側に貼り付け、真空ラミネート等の手法により貫通孔に埋設樹脂部３０を埋め込む方法を挙げることができる。基板１０の第２面１２の側に残る余分なフィルムの部分は、例えば、スキージを用いて掻き取って除去することができる。また、酸素ガスを用いたディスカム処理を施して除去することもできる。

（埋設樹脂部）
埋設樹脂部３０は、有機材料を含み、絶縁性を有している。埋設樹脂部３０は、感光性材料を含んでいても良い。
埋設樹脂部３０の有機材料の例としては、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ－４、ＦＲ－５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は、単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂が組み合わせて用いられてもよい。

埋設樹脂部３０は、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等のフィラー（埋設樹脂フィラーと呼ぶ）を含んでいても良い。ヒートサイクル試験を受けても埋設樹脂部３０にクラックが生じることを抑制するために、埋設樹脂フィラーは、熱重量変化が２５０℃で３重量％以内であり、熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、埋設樹脂フィラーは埋設樹脂部３０の３０体積％以上８０体積％以下で含有されていることが好ましい。

また、図４に示す貫通電極基板２においては、埋設樹脂部３０の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接は、０．００３以上０．０２以下であることが好ましい。貫通孔１３に設ける埋設樹脂部３０の高周波における誘電正接を、所定の範囲の小さい値とすることで、貫通電極基板２の高周波における伝送ロスを小さくできるからである。
なお、埋設樹脂部３０には、同時に貫通孔内の充填性（例えば、ボイドが無いこと）が要求され、粘弾性制御のために、フィラーなどの成分が追加される。このため、結果として、埋設樹脂部３０の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接は０．００３以上となる。

次に、図５を用いて、貫通電極基板３について説明する。ここで、図５は、貫通電極基板３の要部を示す断面図である。なお、上述の貫通電極基板１および貫通電極基板２と同様の構成部分については、同一の符号を付して、以下の説明を行う。

図５に示す貫通電極基板３は、図４に示す貫通電極基板２の形態に加えて、絶縁樹脂層４０を有するものである。より詳しくは、図５に示す貫通電極基板３は、図４に示す貫通電極基板２の形態に加えて、基板１０の第２面１２の側、および、貫通孔１３における埋設樹脂部３０の基板１０の第２面１２の側から基板１０の第２面１２の側に向かって、絶縁樹脂層４０を有する。

図５に示す貫通電極基板３においては、埋設樹脂部３０に加えて絶縁樹脂層４０を有するため、応力の緩和や、第２面１２の側にレジスト製版等の手法を用いて配線形成する際に、貫通電極２０の第２面側薄肉部２０ｃの上側（貫通孔１３の中心側）の空間に異物が残留してしまうことを、さらに抑制することができる。

絶縁樹脂層４０の形成方法としては、例えば、図４に示す貫通電極基板２に対して、絶縁樹脂層４０を構成する材料からなるフィルムを、基板１０の第２面１２の側に貼り付けて、真空ラミネート等の手法により貫通孔に絶縁樹脂層４０を埋め込む方法を挙げることができる。基板１０の第２面１２の側に残る余分なフィルムの部分は、例えば、スキージを用いて掻き取って除去することができる。また、酸素ガスを用いたディスカム処理を施して除去することもできる。

（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層４０は、有機材料を含み、絶縁性を有している。絶縁樹脂層４０は、感光性材料を含んでいても良い。
絶縁樹脂層４０の有機材料の例としては、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ－４、ＦＲ－５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記樹脂は、単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂が組み合わせて用いられてもよい。

絶縁樹脂層４０は、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等のフィラー（絶縁樹脂フィラーと呼ぶ）を含んでいても良い。ヒートサイクル試験を受けても絶縁樹脂層４０にクラックが生じることを抑制するために、絶縁樹脂フィラーは、熱重量変化が２５０℃で３重量％以内であり、熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、絶縁樹脂フィラーは絶縁樹脂層４０の０体積％より多く４０体積％以下で含有されていることが好ましい。

また、図５に示す貫通電極基板３において、絶縁樹脂層４０の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接は、０．００１以上０．０１以下であることが好ましい。絶縁樹脂層４０の高周波における誘電正接を、所定の範囲の小さい値とすることで、貫通電極基板３の高周波における伝送ロスを小さくできるからである。

＜貫通電極基板の製造方法＞
次に、本開示の貫通電極基板の製造方法の一例について、図６から図１４を参照して説明する。

（貫通孔を有する基板の製造）
まず、第１面１１及び第１面１１の反対側に位置する第２面１２を含む基板を準備し、第１面１１および第２面１２の各側からレーザを照射することにより、図６に示すように、所望の形状の貫通孔１３が設けられた基板１０を製造する。
例えば、第１面１１の側からレーザを照射することにより、貫通孔１３の基板１０の第１面１１から狭窄部１４に至る部分（第１面側部分１５に相当）を形成し、第２面１２の側からレーザを照射することにより、貫通孔１３の基板１０の第２面１２から狭窄部１４に至る部分（第２面側部分１６に相当）を形成することができる。

レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、別の製造方法として、まず、基板の第１面１１の上、および第２面１２の上に、貫通孔１３に対応する位置に開口を有するレジスト層を設け、次に、レジスト層の開口からエッチング加工することにより、貫通孔１３を形成しても良い。

なお、上記の加工は、基板の第１面１１側および第２面１２側から同一工程で加工するものであっても良く、どちらか一方の側を先に加工し、その後、もう一方の側を加工するものであっても良い。
例えば、まず、基板の第１面１１の上に貫通孔１３に対応する位置に開口を有するレジスト層を設け、レジスト層の開口からエッチング加工して、第１面１１側の貫通孔１３の部分（第１面側部分１５に相当）を形成し、次に、基板の第２面１２に貫通孔１３に対応する位置に開口を有するレジスト層を設け、レジスト層の開口からエッチング加工して、第２面１２側の貫通孔１３の部分（第２面側部分１６に相当）を形成する加工であっても良い。

エッチング加工の方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。

また、上記のレーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。例えば、まず、レーザ照射によって基板の貫通孔１３が形成されるべき領域に変質層を形成し、続いて、基板をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。このような方法によって、貫通孔１３を形成しても良い。

その他にも、基板に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって、貫通孔１３を形成しても良い。

（貫通電極の形成）
次に、貫通電極２０を形成する。
貫通電極２０を形成するには、まず、スパッタイオン蒸着、ＰＶＤ、若しくはゾルゲル法、またはこれらの組み合わせによって、基板１０の第１面１１の上、第２面１２の上、及び貫通孔１３の側面の上に、密着層２１を形成し、続いて、スパッタリング法、蒸着法、またはこれらの組み合わせによって、密着層２１の上にシード層２２を形成する。
ここで理解を容易とするために、図７～図１４においては、上記の密着層２１およびシード層２２を、下地層２４（黒色の厚膜）として示しているが、密着層２１およびシード層２２は、通常、導電層２３に比べて厚みが小さいため、上述した図１、図３～図５においては、この下地層２４の図示は省略している。
次に、図８に示すように、基板１０の第１面１１の上に形成された下地層２４の上にレジスト層５１を形成し、第２面１２の上に形成された下地層２４の上にレジスト層５２を部分的に形成する。
続いて、図９に示すように、電解めっき法によって、レジスト層５１、５２によって覆われていない下地層２４の上に導電層２３を形成する。
次に、図１０に示すように、レジスト層５１、５２を除去し、さらに、図１１に示すように、下地層２４のうちレジスト層５１、５２によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。
その後、図１２に示すように、第１面１１の側をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）による手法で研磨して、所望の形状の貫通電極２０を形成する。
このようにして、図１に示す貫通電極基板１を得ることができる。なお、図１に示す貫通電極基板１においては、煩雑となることを避けるため、下地層２４の図示を省略している。

ここで、上記の電解めっき法によって導電層２３を形成する工程（図９）について詳しく説明すると、本実施形態では、レジスト層５１、５２を形成した基板１０を、めっき液中に浸漬し、基板１０の第１面１１の側および第２面１２の側にアノード電極を配置し、下地層２４に給電して、レジスト層５１、５２によって覆われていない下地層２４の上に導電層２３を成長させる。
この際、導電層２３は、まず、レジスト層５１、５２によって覆われていない下地層２４の上で成長して厚みが増していき、やがて、狭窄部１４の部分で、下地層２４の上に成長していた導電層２３が互いに接触して貫通孔を塞ぐように導電充填部２０ｂが形成される。
その後は、所望の形状の貫通電極２０となる時点で下地層２４への給電を断てばよい。

（埋設樹脂部の形成）
図４に例示する貫通電極基板２を製造するには、図１３に示すように、上記のようにして製造した貫通電極基板１の貫通電極２０の第２面側薄肉部２０ｃの上に埋設樹脂部３０を形成すればよい。

例えば、まず基板１０の第２面１２の側の貫通孔１３の開口に、埋設樹脂部３０となる材料から構成されるフィルムであって、感光性材料を含むフィルムを真空ラミネート等の手法により貼り付ける。続いて、当該フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、上記フィルムから構成される埋設樹脂部３０を形成することができる。
このようにして、図４に示す貫通電極基板２を得ることができる。なお、図４に示す貫通電極基板２においては、煩雑となることを避けるため、下地層２４の図示を省略している。

（絶縁樹脂層の形成）
図５に例示する貫通電極基板３を製造するには、図１４に示すように、上記のようにして製造した貫通電極基板２の基板１０の第２面１２の側、および、貫通孔１３における埋設樹脂部３０の基板１０の第２面１２の側から基板１０の第２面１２の側に向かって、絶縁樹脂層４０を形成すればよい。

例えば、まず基板１０の第２面１２の側の貫通孔１３の開口に、絶縁樹脂層４０となる材料から構成されるフィルムであって、感光性材料を含むフィルムを真空ラミネート等の手法により貼り付ける。続いて、当該フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、上記フィルムから構成される絶縁樹脂層４０を形成することができる。
このようにして、図５に示す貫通電極基板３を得ることができる。なお、図５に示す貫通電極基板３においては、煩雑となることを避けるため、下地層２４の図示を省略している。

以下に、本開示の実施形態について実施例及び比較例を示して詳細に説明する。ただし、本開示の実施形態は、実施例に限定されない。

（実施例１～１３）
直径２００ｍｍの無アルカリガラス基板（旭硝子製ＥＮ－Ａｌ）にレーザ加工とフッ化水素を用いたウェットエッチング加工を施して、表１に示す各種寸法の貫通孔を形成した。
また、貫通孔の側面等、所定の箇所に、ゾルゲル法により、５０ｎｍ厚の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を有する構成の密着層を形成し、次いで、無電解めっき法により、０．５μｍ厚の銅（Ｃｕ）を有する構成のシード層を形成した。
その後、電解めっきにより、銅（Ｃｕ）から構成される導電層を形成して、表１に示す各種寸法の貫通電極を形成した。このようにして、表１に示す各種寸法を有する実施例１～１３の貫通電極基板を準備した。

（各寸法の測定）
イオンミリング装置（日立ハイテク社製、ＩＭ－４０００）を用いて、各貫通電極基板に対して図１に示すような断面を得た。ここで、得られた断面は、測長光学顕微鏡（オリンパス社製、ＳＴＭ－６－ＬＭ）を用いて貫通孔の直径を測定し、断面を得る前の平面視における貫通孔の直径と比較して、貫通孔の開口中心から±５％以内を通過する断面であることを確認した。
図１に示す孔径ｐ、長さｆ、厚みｔ、距離ｄ、厚みｇは、上記断面を測長光学顕微鏡（オリンパス社製、ＳＴＭ－６－ＬＭ）で測定して得た。

ここで、表１に示す孔径ｐは、断面において貫通孔１３の左右の側面が最も近接する２点間の距離を測定した値である。また、表１に示す長さｆは、貫通孔１３の断面の開口中心を通る線と、導電充填部２０ｂの上面（第１面１１の側の面）および下面（第２面１２の側の面）が交わる２点間の距離を測定した値である。また、表１に示す距離ｄは、得られた貫通孔１３の断面の左側側面と右側側面における数値の平均値とした。

また、表１に示す角度θは、断面写真から、貫通孔１３の断面の右側側面における狭窄部１４の縁部（断面において貫通孔１３の左右の側面が最も近接する部位）と基板１０の第２面１２の側の貫通孔１３の開口の縁部とを結ぶ線（図２に示すＲ１とＲ２を結ぶ線）を引き、この線と基板１０の第２面１２の法線Ｎとでなす角度とした。

（比較例１～４）
実施例１と同様にして、表２に示す各種寸法を有する比較例１～４の貫通電極基板を準備した。
ここで、比較例１は、孔径ｐの値が実施例１～１３の値よりも小さく、比較例２は、孔径ｐの値が実施例１～１３の値よりも大きく、比較例３は、長さｆの値が実施例１～１３の値よりも小さく、比較例４は、長さｆの値が実施例１～１３の値よりも大きい。

（評価）
上記の実施例１～１３および比較例１～４の各貫通電極基板を、真空中で１時間かけて－５５℃から１２５℃まで加熱し、１２５℃で１時間保ち、その後、１時間かけて１２５℃から－５５℃まで冷却した。これを１０００サイクル繰り返し、その後、光学顕微鏡（オリンパス社製ＳＴＭ－６－ＬＭ）により各貫通電極基板の表裏を観察し、クラック及び隙間の発生を評価した。結果を表１、表２に示す。

表１に示すように、実施例１～１３においては、いずれもクラックや隙間は見つからず、良好なものであった。
一方、表２に示すように、比較例１～４においては、いずれもクラックまたは隙間が見つかり不良であることが判明した。

（実施例１４～３３）
上記の実施例１～１３の貫通電極基板に、表３に示す各種の埋設樹脂部及び絶縁樹脂層を形成し、図５に示す形態を有する実施例１４～３３の貫通電極基板を準備した。ここで、絶縁樹脂部の厚み（より詳しくは、図５において、基板１０の第２面１２から絶縁樹脂層４０の最外面までの厚み）は、２５μｍとした。

（評価）
上記の実施例１４～３３の貫通電極基板を、真空中で１時間かけて－５５℃から１２５℃まで加熱し、１２５℃で１時間保ち、その後、１時間かけて１２５℃から－５５℃まで冷却した。これを１０００サイクル繰り返し、その後、光学顕微鏡（オリンパス社製ＳＴＭ－６－ＬＭ）により各貫通電極基板の表裏を観察し、クラック及び隙間の発生を評価した。結果を表３に示す。

ここで、表３において、「ｆＪ」とは、図４に示すように、基板１０の第２面１２の法線方向において、埋設樹脂部３０の基板１０の第２面１２の側の面から基板１０の第２面１２までの長さｆＪ（単位：μｍ）のことである。
また、「ｔａｎδ」とは、埋設樹脂部および絶縁樹脂層の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接のことである。
また「重量変化量」とは、埋設樹脂部においては、埋設樹脂部に含有されている埋設樹脂フィラーの２５０℃における重量変化量（単位：重量％）のことであり、絶縁樹脂層においては、絶縁樹脂層に含有されている絶縁樹脂フィラーの２５０℃における重量変化量（単位：重量％）のことである。
また「ＣＴＥ」とは、埋設樹脂部においては、埋設樹脂部に含有されている埋設樹脂フィラーの熱膨張係数（単位：ｐｐｍ／Ｋ）のことであり、絶縁樹脂層においては、絶縁樹脂層に含有されている絶縁樹脂フィラーの熱膨張係数（単位：ｐｐｍ／Ｋ）のことである。
また、「体積率」とは、埋設樹脂部においては、埋設樹脂部に含有されている埋設樹脂フィラーの２５℃における体積率（単位：％）のことであり、絶縁樹脂層においては、絶縁樹脂層に含有されている絶縁樹脂フィラーの２５℃における体積率（単位：％）のことである。

表３に示すように、実施例１４～３３においては、いずれもクラックや隙間は見つからず、良好なものであった。

１、２、３ 貫通電極基板
１０ 基板
１１ 第１面
１２ 第２面
１３ 貫通孔
１４ 狭窄部
１５ 第１面側部分
１６ 第２面側部分
２０ 貫通電極
２０ａ 第１面側薄肉部
２０ｂ 導電充填部
２０ｃ 第２面側薄肉部
２０ｄ 第２面側接続部
２１ 密着層
２２ シード層
２３ 導電層
２４ 下地層
３０ 埋設樹脂部
４０ 絶縁樹脂層
５１、５２ レジスト層

Claims (12)

1. 第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに貫通孔が設けられた基板と、
   前記基板の前記貫通孔に位置する貫通電極と、を備え、
   前記貫通孔は、孔径が最小となる狭窄部を有しており、
   前記貫通電極は、
   前記貫通孔の側面側から前記貫通孔の中心側に向かって順に、密着層と、シード層と、導電層と、を有しており、
   前記密着層が、チタン、窒化チタン、または酸化亜鉛のいずれか１種を含み、
   前記導電層が、銅を含み、
   さらに、前記貫通電極は、
   前記狭窄部を含む位置に前記貫通孔を塞ぐように形成された導電充填部と、
   前記貫通孔の側面の上に形成され、前記導電充填部から前記基板の前記第１面に向かって延びる第１面側薄肉部と、
   前記貫通孔の側面の上に形成され、前記導電充填部から前記基板の前記第２面に向かって延びる第２面側薄肉部と、
   前記基板の前記第２面の上に形成された第２面側接続部と、
   を有しており、
   前記狭窄部における貫通孔の孔径ｐが１０μｍ以上５０μｍ以下であり、
   前記貫通孔の平面視の中心位置における前記導電充填部の前記基板の前記第１面の側から前記第２面の側に向かう長さｆが３０μｍ以上１００μｍ以下である、貫通電極基板。
2. 前記基板の前記第２面の高さ位置における前記貫通電極の前記第２面側薄肉部の厚みｔが、５μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１に記載の貫通電極基板。
3. 前記基板の前記第１面から前記第２面の側に向かって距離ｄの位置に、前記貫通孔の前記狭窄部があり、
   前記距離ｄの大きさが、２０μｍ以上であって、前記基板の厚みｇの１／２以下である、請求項１または請求項２に記載の貫通電極基板。
4. 前記基板の厚みｇが、２００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
5. 断面視で前記貫通孔を構成する一対の側面のうちの片側の側面における、前記狭窄部の縁部と前記基板の前記第２面の側の前記貫通孔の開口の縁部とを結ぶ線と、前記基板の前記第２面の法線とのなす角度θが、１．２５°以上６．２５°以下である、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
6. 前記貫通孔における前記貫通電極の前記導電充填部の前記基板の前記第２面の側から前記基板の前記第２面に向かって、埋設樹脂部が形成されている、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
7. 前記基板の前記第２面の法線方向において、前記埋設樹脂部の前記基板の前記第２面の側の面から前記基板の前記第２面までの長さｆＪが、０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項６に記載の貫通電極基板。
8. 前記埋設樹脂部の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接が、０．００３以上０．０２以下である、請求項６または請求項７に記載の貫通電極基板。
9. 前記埋設樹脂部は、埋設樹脂フィラーを含有し、
   前記埋設樹脂フィラーは、
   熱重量変化が２５０℃で３重量％以内であり、
   熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下であり、
   前記埋設樹脂フィラーが前記埋設樹脂部の３０体積％以上８０体積％以下で含有されている、請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
10. 前記基板の前記第２面の側、および、前記貫通孔における前記埋設樹脂部の前記基板の前記第２面の側から前記基板の前記第２面の側に向かって、絶縁樹脂層を有する、請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
11. 前記絶縁樹脂層の周波数２０ＧＨｚにおける誘電正接が、０．００１以上０．０１以下である、請求項１０に記載の貫通電極基板。
12. 前記絶縁樹脂層は、絶縁樹脂フィラーを含有し、
    前記絶縁樹脂フィラーは、
    熱重量変化が２５０℃で３重量％以内であり、
    熱膨張係数が１ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下であり、
    前記絶縁樹脂フィラーが前記絶縁樹脂層の０体積％より多く、４０体積％以下で含有されている、請求項１０または請求項１１に記載の貫通電極基板。

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