JP7400575B2 - 貫通電極基板 - Google Patents
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Description
このような貫通電極基板の貫通電極は、一般に、貫通孔の全体に充填される充填タイプ(フィルドビアとも呼ぶ)と、貫通孔の側面に設けられ中空状をなす非充填タイプ(コンフォーマルビアとも呼ぶ)と、に分類される。
貫通電極を形成する方法としては、例えば、貫通孔の側面にシード層を形成し、電解めっき法によりシード層の上にめっき層を形成する方法が知られている。
このヒートサイクル試験の熱ストレスにより、例えば、貫通電極が上記のフィルドビアの場合は、貫通孔の内部に充填された銅(Cu)などの導電性材料にクラックが生じてしまうという問題や、貫通電極と貫通孔の側面との間に隙間が生じてしまうという問題がある。
また、貫通電極が上記のコンフォーマルビアの場合は、貫通孔に充填された充填物(例えば、樹脂)にクラックが生じてしまうという問題や、充填物と貫通孔の側面に沿って形成された貫通電極との間に隙間が生じてしまうという問題がある。
以下、本開示の実施形態について説明する。まず、図1を用いて、本開示の一実施形態に係る貫通電極基板1の構成について説明する。ここで、図1は、貫通電極基板1の要部を示す断面図である。
すなわち、貫通電極基板1の貫通電極20は、上記のコンフォーマルビアの一形態に相当する。
また、図1においては、一例として、貫通電極基板1が有する1つの貫通電極(貫通電極20)の断面図を拡大して示しているが、通常、貫通電極基板1には複数の貫通電極が設けられている。
以下、貫通電極基板1の各構成要素について説明する。
図1に示すように、基板10は、第1面11、及び、第1面11の反対側に位置する第2面12を含む。また、基板10には、第1面11から第2面12に至る貫通孔13(図2参照)が設けられている。
基板10には、第1面11から第2面12に至る貫通孔13(図2参照)が設けられている。
図1に示す貫通電極基板1において、貫通孔13は、第1面11の側の開口の孔径(HF)が、第2面12の側の開口の孔径(HB)よりも大きい。換言すれば、断面視において、基板10に形成された貫通孔13の側面は、基板10の第1面11側から第2面12側に向けて先細りとなるテーパ状の形態を有している。
貫通孔13がテーパ状の形態を有している理由は、側面が垂直となる加工は困難であることや、側面が垂直な場合は、貫通電極20を形成するためのシード層を貫通孔13の内部に形成することが困難になるからである。
貫通電極20は導電性を有する部材であり、図1に示すように、貫通電極基板1において貫通孔13(図2参照)の側面の上に位置する。上記のように、貫通電極基板1の貫通電極20は、コンフォーマルビアの一形態に相当する。
ここで、貫通電極20は素子の端子と電気的に接合されるものであるが、上記の厚み(T)が小さ過ぎる場合は、電気的な抵抗が大きくなってしまうという不具合がある。一方、上記の厚み(T)が大き過ぎる場合は、熱ストレスによって、充填物にクラックが生じ易くなったり、充填物と貫通電極との間に隙間が生じ易くなったりするという不具合がある。
図1に示す貫通電極基板1において、充填物30は、貫通電極20の上(すなわち、貫通孔13の側面の上に位置する貫通電極20よりも貫通孔13の中心側)に位置し、貫通孔13を埋めるように形成されている。
本開示の実施形態に係る貫通電極基板は、この充填物30に特徴があり、充填物30を有するため、熱ストレスによって充填物30にクラックが生じることや、充填物30と貫通電極20との間に隙間が生じてしまうことを抑制することができる。
なお、上記の弾性率と熱膨張係数の積の数値は、貫通電極基板に充填されている状態の充填物の弾性率と熱膨張係数を測定したものである。
以下、充填物30を構成するフィラーと樹脂について説明する。
充填物30が有するフィラーは、熱膨張係数が-3×10-6/K以上9×10-6/K以下であり、後述する樹脂内に分散されている。上記のような熱膨張係数を有するフィラーとしては、溶融シリカを好適に挙げることができる。
例えば、デンカ製溶融シリカには、0℃~1000℃で熱膨張係数が0.5×10-6/Kというものがある。
また、充填物30における上記フィラーの含有量は、充填物30の70体積%以上80体積%以下であることが好ましい。上記フィラーの含有量がこの範囲であれば、後述する実施例のように、熱ストレスによって、貫通電極基板の貫通孔に充填された充填物にクラックが生じることや、充填物と貫通孔の側面に沿って形成された貫通電極との間に隙間が生じてしまうことを抑制することができる。
充填物30を構成する樹脂は、フッ素基とシリコーン基を有するブロックポリイミド共重合体を含むものである。
好ましくは、充填物30を構成する樹脂は、下記一般式(1)で示される高分子A、下記一般式(2)で示される高分子B、および、下記一般式(3)で示される高分子Cを含み、高分子A、高分子B、および、高分子Cの全てを合わせた含有率が100質量%以下の範囲で、高分子Aの含有率が15質量%より大きく40質量%以下であり、高分子Bの含有率が15質量%以上30質量%以下であり、高分子Cの含有率が30質量%以上70質量%以下である。
例えば、樹脂が感光性材料を含んでいれば、基板10の第1面11側および第2面12側に感光性材料を含む樹脂のフィルムを真空ラミネート等の手法により貼り付け、露光処理及び現像処理を施すことで、貫通孔13に充填物30を形成することもできる。
次に、図1に示す貫通電極基板1の製造方法の一例について、図2から図8を参照して説明する。
まず、第1面11及び第1面11の反対側に位置する第2面12を含む基板を準備し、貫通孔の開口が、より大きい孔径となる側(図1に示す貫通電極基板1においては、第1面11側)からレーザを照射することにより、図2に示すように、所望の形状の貫通孔13が設けられた基板10を製造する。
エッチング加工の方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。
次に、貫通電極20を形成する。
まず、スパッタリング法、蒸着法、またはこれらの組み合わせによって、図3に示すように、基板の第1面11の上、第2面12の上及び貫通孔13の側面の上に、シード層21Aを形成する。
続いて、図4に示すように、第1面11の上に形成されたシード層21Aの上にレジスト層41を部分的に形成し、第2面12の上に形成されたシード層21Aの上にレジスト層42を部分的に形成する。
続いて、図5に示すように、電解めっきによって、レジスト層41、42によって覆われていないシード層21Aの上にめっき層22を形成する。
続いて、図6に示すように、レジスト層41、42を除去し、さらに、図7に示すように、シード層21Aのうちレジスト層41、42によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。
以上のようにして、貫通電極20を形成することができる。
その後、上記のようにして製造した貫通電極基板1の貫通電極20の上(貫通孔13の中心側)に、図8に示すように、充填物30を形成する。
基板の第1面11側および第2面12側の余分なフィルムの部分は、例えば、スキージを用いて掻き取って除去することができる。また、酸素ガスを用いたディスカム処理を施して除去することもできる。
このようにして、図1に示す貫通電極基板1を得ることができる。
次に、他の実施形態について説明する。
まず、図9を用いて貫通電極基板2について説明する。ここで、図9は、貫通電極基板2の要部を示す断面図である。なお、上述の貫通電極基板1と同様の構成部分については、同一の符号を付して、以下の説明を行う。
なお、図示は省略するが、貫通電極基板2においても、貫通電極20は、貫通孔の側面の側にシード層を有し、シード層の上にめっき層を有する構成であって良い。
すなわち、図9に示す貫通電極基板2の形態は、いわゆるメタルキャップ構造に相当する。
このような構成の長所として、素子等の端子との接続を、平面視で貫通孔の開口位置(若しくは開口内)で行えるため、フィルドビアの場合と同様に、より高密度な実装が可能になる。
例えば、図9に示す貫通電極基板2においては、第1接続部51に開口部60が設けられている。
次に、図10を用いて貫通電極基板3について説明する。ここで、図10は、貫通電極基板3の要部を示す断面図である。なお、上述の貫通電極基板1と同様の構成部分については、同一の符号を付して、以下の説明を行う。
なお、図示は省略するが、貫通電極基板3においても、貫通電極20は、貫通孔の側面の側にシード層を有し、シード層の上にめっき層を有する構成であって良い。
より詳しくは、図10に示す貫通電極基板3の貫通孔においては、第1面11の側の開口の孔径と第2面12の側の開口の孔径が同じ大きさ(HF3)であり、狭窄部70の孔径(P)は上記の各開口の孔径(HF3)よりも小さい。
このような構成の長所としては、貫通電極基板の貫通孔の開口が、基板の厚みに応じて大きくなってしまうことを抑制できるため、より高密度な実装が可能になることを挙げることができる。
すなわち、図10に示す貫通電極基板3は、貫通孔に形成された充填物30の第1面11の側の上に、第1接続部を有しており、第2面12の側の上に、第2接続部を有しており、第1接続部および第2接続部が貫通電極20と電気的に接続されている構造であっても良い。
この場合も、素子等の端子との接続を、平面視で貫通孔の開口位置(若しくは開口内)で行えるため、フィルドビアの場合と同様に、より高密度な実装が可能になる。
実施例1~7の貫通電極基板として、図1に示す構造の貫通電極を有する貫通電極基板を製造した。
なお、フィラーには熱膨張係数が0.5×10-6/Kの溶融シリカを用い、樹脂には、上記の一般式(1)で示される高分子A、一般式(2)で示される高分子B、および、一般式(3)で示される高分子Cを、表1に示す各含有量で用いた。
FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)により各貫通電極基板の貫通孔の断面を得た。この断面をさらに酸素プラズマで50nmエッチングした。
得られた試料をSEM観察して画像を取り込み、画像からフィラー部分を判別し、フィラーの面積率を得て、これを含有率とした。
日本分光社製 FTIR4600の試料室にIRT-1000顕微測定ユニットを取り付け、ATR(Attenuated Total Reflection)測定プリズム越しに、IR(赤外分光)測定を行い、高分子A、B、Cが有する官能基に由来するピーク強度から、高分子A、B、Cの質量%を算出した。
イオンミリング装置(日立ハイテク社製、IM-4000)を用いて、各貫通電極基板の貫通孔の断面を得た。
この断面に対し、ISO14577に基づいて、KLA Corporation社 iNanoInForce50型装置を用いて、Berkovich圧子、アプローチ速度 100nm/s、50mN/sにて、弾性率(E)を測定した。
各貫通電極基板の第1面(表面)、第2面(裏面)を、貫通孔に形成した充填物が露出するまで研磨した後、フッ酸にて5μmエッチングして、充填物が基板表面から凸上に5μm突出している形状の試料を作成した。
この試料に対して、0℃~300℃に温度を変化させ、JISR3251―1995に準拠して、アドバンス理工社製レーザ熱膨張計(LIX-2)を用いて、二重光路マイケルソン型レーザ光干渉方式により測定し、変形量から、熱膨張係数(α)を算出した。
実施例1~7と同様にして、表2に示すフィラー含有量、樹脂組成を有する比較例1~6の貫通電極基板を製造した。
ここで、比較例1は、フィラー含有量が実施例1~7の値よりも少なく、比較例2は、フィラー含有量が実施例1~7の値よりも多い。また、比較例3~6は、樹脂組成が実施例1~7と異なる。
充填物の充填性の評価として、上記の実施例1~7および比較例1~6の各貫通電極基板の貫通孔の断面をSEM観察して、充填物が良好に貫通孔に充填されているか否かを評価した。ボイド等が発生しているものは不合格とした。
(評価2)
信頼性を評価するためのヒートサイクル試験として、-55℃から125℃への加熱、および、125℃から-55℃への冷却を、各貫通電極基板に1000回施した。
その後、各貫通電極基板の第1面および第2面を光学顕微鏡で観察して、貫通孔の充填物にクラックが生じているか否かを評価した。さらに、貫通孔の断面をSEM観察して、貫通孔の充填物にクラックが生じているか否か、および、充填物と貫通電極との間に隙間が生じているか否かを評価した。
クラックや隙間が生じているものは不合格と判定した。
(判定)
上記の評価1、評価2のいずれもが合格であるものを「合格」と判定した。一方、上記の評価1、評価2のいずれかが不合格なものは「不合格」と判定した。結果を表1、表2に示す。
10 基板
11 第1面
12 第2面
13 貫通孔
20 貫通電極
21、21A シード層
22 めっき層
30 充填物
41、42 レジスト層
51 第1接続部
52 第2接続部
60 開口部
70 狭窄部
Claims (5)
- 第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含むとともに貫通孔が設けられた基板と、
前記貫通孔の側面の上に位置する貫通電極と、
前記貫通電極の上に位置し、前記貫通孔を埋める充填物と、を備え、
前記充填物は、樹脂と前記樹脂内に分散されたフィラーを有し、
前記充填物は、弾性率と熱膨張係数の積が20Pa/K以上50Pa/K以下であり、
前記フィラーは、熱膨張係数が-3×10-6/K以上9×10-6/K以下であり、
前記フィラーが前記充填物の70体積%以上80体積%以下で含有されている、貫通電極基板。 - 前記樹脂は、フッ素基とシリコーン基を有するブロックポリイミド共重合体を含む、請求項1に記載の貫通電極基板。
- 前記樹脂は、
下記一般式(1)で示される高分子A、下記一般式(2)で示される高分子B、および、下記一般式(3)で示される高分子Cを含み、
前記高分子A、前記高分子B、および、前記高分子Cの全てを合わせた含有率が100質量%以下の範囲で、
前記高分子Aの含有率が15質量%より大きく40質量%以下であり、
前記高分子Bの含有率が15質量%以上30質量%以下であり、
前記高分子Cの含有率が30質量%以上70質量%以下である、請求項2に記載の貫通電極基板。
- 前記充填物の前記基板における前記第1面の側の上に第1接続部を有し、
前記充填物の前記基板における前記第2面の側の上に第2接続部を有し、
前記第1接続部および前記第2接続部は、前記貫通電極と電気的に接続されており、
前記第1接続部と前記第2接続部の両方、若しくは、前記第1接続部または前記第2接続部のいずれか一方において、前記充填物が部分的に露出する開口部が形成されている、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の貫通電極基板。 - 前記貫通孔は、
前記基板における前記第1面の側の開口の孔径、および、前記基板における前記第2面の側の開口の孔径よりも、孔径が小さい狭窄部を内部に有する、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
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