JP2024083846A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＴＧＶを有するガラス基板の表面及び裏面にそれぞれ設けられたキャパシタの下部電極間で寄生静電容量が発生するのを抑制する。【解決手段】配線基板は、第１面Ｓ１と第１面に対向する第２面Ｓ２とを有し、第１面から第２面まで達する貫通孔が設けられたガラス基板１０と、貫通孔に設けられたビア７０ｄと、第１面と向かい合う第３面Ｓ３が第１面及びビア７０ｄに接する第１電極２０ａと、第１電極の上に設けられる第１誘電体層２５と、第１誘電体層の上に設けられる第２電極３０とを含む第１キャパシタＣ１と、第２面と向かい合う第４面Ｓ４ａ／Ｓ４ｂが第２面に接し且つビア７０ｄに接していない第３電極７０ａ／７０ｂと、第３電極の上に設けられる第２誘電体層７５と、第２誘電体層の上に設けられる第４電極８０ａ／８０ｂとを含む第２キャパシタＣ２ａ／Ｃ２ｂとを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

従来から、例えば、大規模集積回路（ＬＳＩ）の実装技術として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いた実装技術が知られている。ＴＳＶが設けられたシリコン基板、即ち、シリコンインターポーザは、配線のデザインルールが互いに異なる集積回路（ＩＣ）チップ及びプリント基板のように、端子間距離が異なる部品を中継する配線基板である。

シリコンインターポーザでは、半導体であるシリコンを貫通電極から電気的に絶縁する必要がある。具体的には、貫通孔を形成した後に、シリコン基板へ絶縁処理を行う必要がある。また、シリコン基板は、それ自体が高価である。それ故、シリコンインターポーザには、製造コストが高いという問題がある。そこで、安価で大面積のガラス基板にガラス貫通電極（ＴＧＶ）等を形成し、これを個片化することにより得られるガラスインターポーザが注目されている。

ＴＧＶ技術においては、ガラス基板へ貫通孔を形成する必要がある。ガラス基板には、様々な方法で貫通孔を形成することができる。

例えば、特許文献１に記載されているように、パルス発振ＹＡＧレーザを使用したレーザ光照射によって、ガラス基板へ貫通孔を形成する技術が知られている。

特許文献２には、感光性ガラス基板に微細な孔を形成する方法が記載されている。この方法では、先ず、フォトマスクを介して感光性ガラス基板へ紫外線を照射して、感光性ガラス基板に潜像を形成する。次に、感光性ガラス基板を加熱処理して、潜像が形成された部分で結晶化を生じさせる。次いで、潜像を形成した部分の中央に、潜像よりも小さな穴をレーザ光照射により形成する。その後、弗酸を用いてエッチングを行い、結晶化させた部分を選択的にエッチングする。このようにして、レーザ光照射によって形成した孔よりも大きな孔を生じさせる。

特許文献３には、同軸上に配置され、板ガラスを間に挟んで向き合った一対のコアドリルによって、板ガラスへ穿孔する方法が記載されている。

特許文献４には、ガラス基板への貫通孔の形成とガラス基板の薄板化とをエッチングによって同時に行う方法が記載されている。この方法では、先ず、ガラス基板へレーザ光を照射して、改質部を生じさせる。次に、ガラス基板の一方の面を弗酸でエッチングして、ガラス基板を薄板化するとともに、改質部を除去して貫通孔を形成する。

ガラスインターポーザには、インダクタやキャパシタを設けることもできる。特許文献５には、インダクタとキャパシタとを組み合わせたＬＣフィルタを内蔵したガラスコア配線基板が記載されている。この配線基板において、キャパシタは、ガラスコア基板の厚さ方向へ、金属層、誘電体層及び金属層を重ねた、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ）と呼ばれる構造を有している。また、この配線基板において、インダクタは、螺旋軸がガラスコア基板の主面に対して平行であり、ガラスコア基板に設けられた二列の貫通孔を通って螺旋状に伸びた構造を有している。

特許文献６には、基板の両面の上にＭＩＭ構造のキャパシタを形成した構造が記載されている。

特開２０００－６１６６７号公報 特開２００１－１０５３９８号公報 特開昭５４－１２６２１５号公報 国際公開第２０１９／２３５６１７号 特開２０２１－１６６２５７号公報 特表２０１９－５０７９７２号公報

本発明は、ＴＧＶを有するガラス基板の表面及び裏面にそれぞれ設けられたキャパシタの下部電極間で寄生静電容量が発生するのを抑制し得る技術を提供することを目的とする。

本発明の一側面によると、第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで達する貫通孔が設けられたガラス基板と、前記貫通孔に設けられたビアと、前記第１面と向かい合う第３面が前記第１面及び前記ビアに接する第１電極と、前記第１電極の上に設けられる第１誘電体層と、前記第１誘電体層の上に設けられる第２電極とを含む第１キャパシタと、前記第２面と向かい合う第４面が前記第２面に接し且つ前記ビアに接していない第３電極と、前記第３電極の上に設けられる第２誘電体層と、前記第２誘電体層の上に設けられる第４電極とを含む第２キャパシタとを備える配線基板が提供される。

本発明の他の側面によると、前記第１電極は、前記第１面に接する耐フッ酸金属層を含む上記側面に係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記耐フッ酸金属層は、クロム、ニッケル、及びニッケルクロム合金からなる群より得られる材料からなる上記側面に係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記第３電極は、前記ビアと電気的に接続されている上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記第１電極は、耐フッ酸金属層と、第１シード層と、第１銅層とを積層した構造を有し、前記第２電極は、第２シード層と、第２銅層とを積層した構造を有し、前記ビアは、密着層と、第３シード層と、第３銅層とを積層した構造を有し、前記第３電極は、前記密着層と、前記第３シード層と、前記第３銅層とを積層した構造を有し、前記第４電極は、第４シード層と、第４銅層とを積層した構造を有する上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記貫通孔は、テーパ形状を有し、前記貫通孔の前記第１面側の断面積は、前記貫通孔の前記第２面側の断面積よりも小さい上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記ビアは、前記貫通孔の側壁、及び前記第１電極のうち前記貫通孔に接する部分を被覆している上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記密着層は、チタン、クロム及びニッケルからなる群より選ばれる１以上の材料又はその酸化物からなる上記側面に係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記貫通孔は、テーパ形状を有する第１部分と、テーパ形状を有する第２部分とを含み、前記第１部分の前記第２面側の断面積は、前記第１部分の前記第１面側の断面積よりも小さく、前記第２部分の前記第１面側の断面積は、前記第２部分の前記第２面側の断面積よりも小さい上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記ビアは、前記貫通孔の全体に埋め込まれている上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第１面及び前記第１キャパシタを覆う絶縁層を更に備え、前記絶縁層は、絶縁樹脂であり、前記絶縁樹脂のガラス転移温度は、１５０℃以上２００℃以下である上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第１面及び前記第１キャパシタを覆う絶縁層を更に備え、前記絶縁層は、絶縁樹脂であり、前記絶縁樹脂の弾性率は、６ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であり、前記絶縁樹脂の線膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。

本発明の更に他の側面によると、ガラス基板にレーザ光を照射して、前記ガラス基板に改質部を形成することと、前記ガラス基板の第１面側において、前記改質部の上に、第１導体層と、第１誘電体層と、第２導体層とを形成して第１キャパシタを形成することと、前記ガラス基板の前記改質部の位置に前記第１面と前記第１面に対向する第２面とを貫通する貫通孔を形成することと、前記ガラス基板の前記第２面及び前記貫通孔に第３導体層を形成し、前記貫通孔内にビアを形成することと、前記ガラス基板の前記第２面側において、前記第３導体層の上であり且つ前記ビアと異なる位置に、第２誘電体層と、第４導体層とを形成して、第２キャパシタを形成することとを備える配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記第１導体層を形成することは、前記ガラス基板の前記第１面の上に、耐フッ酸金属層を形成することと、前記耐フッ酸金属層の上に、第１シード層を形成することと、前記第１シード層の上に、第１銅層を形成することとを含み、前記第３導体層を形成することは、前記ガラス基板の前記第２面及び前記貫通孔内に、密着層を形成することと、前記密着層の上に、第３シード層を形成することと、前記第３シード層の上に、第３銅層を形成することとを含む上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板への前記レーザ光の照射の前に、前記ガラス基板の前記第２面側に第１支持体を設けることと、前記貫通孔を形成する前に、前記第１支持体を除去することとを更に備える上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記第１キャパシタの形成の後に、前記ガラス基板の前記第１面側に第２支持体を設けることを更に備え、前記改質部を形成することは、前記第２支持体を設けた後に、前記ガラス基板に前記第２面側からレーザ光を照射して、前記ガラス基板に前記改質部を形成することを含む上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記第１キャパシタの形成の前に、前記ガラス基板の前記第２面側に第３支持体を設けることと、前記貫通孔を形成する前に、前記第３支持体を除去することとを更に備える上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。

本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第１面及び前記第１キャパシタを覆う絶縁層を形成することを更に備え、前記絶縁層は、絶縁樹脂であり、前記第２キャパシタの形成は、前記絶縁樹脂のガラス転移温度以下の温度で行われる上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、ＴＧＶを有するガラス基板の表面及び裏面にそれぞれ設けられたキャパシタの下部電極間で寄生静電容量が発生するのを抑制し得る技術が提供される。

図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の断面図である。 図２は、図１に示す配線基板の一部を拡大して示す断面図である。 図３は、図１に示す配線基板の第３導体層の一部をガラス基板の裏面側から見た平面図である。 図４は、図１に示す配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図５は、図１に示す配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。 図６は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図７は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図８は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図９は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図１０は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図１１は、図１に示す配線基板の製造方法における更に他の工程を示す断面図である。 図１２は、図１に示す配線基板を使用して製造可能なパッケージ化デバイスの一例を示す断面図である。 図１３は、第１比較例に係る配線基板の断面図である。 図１４は、第１変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。 図１５は、第２変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。 図１６は、第３変形例に係る配線基板の一部を示す斜視図である。 図１７は、第４変形例に係る配線基板の断面図である。 図１８は、第２比較例に係る配線基板の断面図である。 図１９は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２０は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。 図２１は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２２は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。 図２３は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２４は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。

また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。

＜１＞第１実施形態
＜１．１＞配線基板
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の断面図である。

図１に示す配線基板１は、ガラスコア配線基板である。一例によれば、配線基板１は、インターポーザとして使用する配線基板、即ち、ガラスインターポーザである。

配線基板１は、ガラス基板１０と、第１導体層２０と、第１誘電体層２５と、第２導体層３０と、層間絶縁膜４０と、導体層５０と、絶縁層６０と、第３導体層７０と、第２誘電体層７５と、第４導体層８０と、層間絶縁膜９０と、導体層１００と、絶縁層１１０とを含んでいる。

ガラス基板１０は、光透過性を有する透明のガラス材料である。ガラス基板１０の成分、及び成分の配合比率は、特に限定されない。ガラス基板１０の例としては、珪酸塩を主成分とするガラス材料が挙げられるが、その他のガラス材料であってもよい。ガラス基板１０の具体例としては、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、感光性ガラス等が挙げられるが、無アルカリガラスがより好ましい。

ガラス基板１０は、第１面Ｓ１と、第１面Ｓ１に対向する第２面Ｓ２とを有している。第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とは、平行である。

以下では、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２と平行な面をＸＹ平面とする。ＸＹ平面内で互いに交差する方向をＸ方向及びＹ方向とする。ＸＹ平面と交差する方向をＺ方向とする。また、第１面Ｓ１は、ガラス基板１０の表面とも表記する。第２面Ｓ２は、ガラス基板１０の裏面とも表記する。

ガラス基板１０には、各々が第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで達する１以上の貫通孔、ここでは、複数の貫通孔が設けられている。換言すると、貫通孔の各々は、ガラス基板１０をＺ方向に貫通している。また、貫通孔の各々は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りしている。具体的には、貫通孔の各々は、テーパ形状を有し、貫通孔の第１面Ｓ１側の開口径（又は断面積）は、貫通孔の第２面Ｓ２側の開口径（又は断面積）よりも小さい。

第１導体層２０は、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に設けられている。第１導体層２０は、第３導体層７０及び導体層５０に接続される配線部と、後述するキャパシタＣ１の下部電極とを含んでいる。

第１導体層２０は、ガラス基板１０の貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆っている。

第１導体層２０は、多層構造を有している。具体的には、第１導体層２０は、耐弗酸金属層２１と、第１シード層２２と、第１銅層２３とを積層した構造を有している。

耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に設けられている。換言すると、耐弗酸金属層２１は、第１面Ｓ１に接している。耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０と比較して、弗酸によるエッチングに対する耐性に優れた金属材料からなる。耐弗酸金属層２１は、例えば、クロム、ニッケル及びニッケルクロム合金からなる群より得られる材料からなる。耐弗酸金属層２１の厚さは、１０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、２０ｎｍ乃至８０ｎｍの範囲内（例えば、５０ｎｍ前後）にあることがより好ましい。なお、耐弗酸金属層２１のうちガラス基板１０の貫通孔上に位置する部分は、除去されてもよい。換言すると、耐弗酸金属層２１は、第１面Ｓ１の貫通孔の位置に貫通孔を有していてもよい。この場合、第１導体層２０のガラス基板１０側の面は、第１面Ｓ１の貫通孔の位置に凹部を有した構造となる。第１導体層２０の凹部の径（又は断面積）は、ガラス基板１０の貫通孔の第１面Ｓ１側の開口径（又は断面積）より大きくてもよい。

第１シード層２２は、耐弗酸金属層２１上に設けられている。第１シード層２２は、例えば、銅からなる。第１シード層２２は、第１銅層２３を電解めっきによって形成する場合に設けられ、給電層として用いられる。第１銅層２３を無電解めっきやスパッタリング等の他の方法を利用して形成する場合、第１シード層２２を省略してもよい。なお、耐弗酸金属層２１と第１シード層２２との間に密着層を設けてもよい。密着層は、第１シード層２２の耐弗酸金属層２１に対する密着性を高める。密着層には、後述する密着層７１について例示する材料を使用することができる。

第１銅層２３は、第１シード層２２上に設けられている。

第１誘電体層２５及び第２導体層３０は、第１導体層２０の一部の上に、この順に積層されている。積層された第１導体層２０、第１誘電体層２５及び第２導体層３０は、キャパシタＣ１を、具体的にはＭＩＭ構造のキャパシタ（以下、ＭＩＭキャパシタと表記する）を構成している。即ち、キャパシタＣ１は、第１導体層２０の一部と第１誘電体層２５と第２導体層３０とを含む。第２導体層３０は、キャパシタＣ１の上部電極である。第１導体層２０のうち第２導体層３０と向き合った部分は、キャパシタＣ１の下部電極である。以下、キャパシタＣ１の下部電極の第１面Ｓ１と向かい合う面を第３面Ｓ３と表記する。

図１に示す例では、キャパシタＣ１の下部電極は、貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆っている。キャパシタＣ１の下部電極は、貫通孔から離間させてもよいが、貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆うように設けた場合、貫通孔から離間させて設けた場合よりも、キャパシタＣ１の下部電極と貫通孔に設けられる第３導体層７０との間の配線の長さが短縮できるため、配線に起因した電気抵抗を小さくすることができる。このため、キャパシタＣ１の電気特性の劣化を抑制できる。

第１誘電体層２５は、例えば、アルミナ、シリカ、シリコンナイトライド、タンタルオキサイド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、及びチタン酸ストロンチウムから選択される少なくとも１つの材料を用いることができる。

第２導体層３０は、多層構造を有している。具体的には、第２導体層３０は、第２シード層３１と、第２銅層３２とを積層した構造を有している。

第２シード層３１は、第１誘電体層２５上に設けられている。第２シード層３１は、例えば、銅からなる。第２シード層３１は、第２銅層３２を電解めっきによって形成する場合に設けられ、給電層として用いられる。第２銅層３２を無電解めっきやスパッタリング等の他の方法を利用して形成する場合、第２シード層３１を省略してもよい。なお、第１誘電体層２５と第２シード層３１との間に密着層を設けてもよい。密着層は、第２シード層３１の第１誘電体層２５に対する密着性を高める。密着層には、後述する密着層７１について例示する材料を使用することができる。

第２銅層３２は、第２シード層３１上に設けられている。

層間絶縁膜４０は、ガラス基板１０の第１面Ｓ１、第１導体層２０、第１誘電体層２５、及び第２導体層３０を被覆する。換言すると、層間絶縁膜４０は、第１面Ｓ１及びキャパシタＣ１を覆っている。層間絶縁膜４０には、第１導体層２０が含む第３導体層７０及び導体層５０に接続される配線部の位置及び第２導体層３０の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜４０は、絶縁樹脂層である。

層間絶縁膜４０の材料として絶縁樹脂が用いられる場合、用いられる絶縁樹脂は、例えば、以下のように決めることができる。

例えば、配線基板１の製造工程において、層間絶縁膜４０として絶縁樹脂を形成した後、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側に、後述するキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂが形成される。キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成には、比較的高い温度が用いられる。このため、層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂は、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成において、熱による絶縁樹脂の溶融や変性を抑制することを考慮して決めることができる。具体的には、例えば、絶縁樹脂のガラス転移温度は、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成における最大加工温度以上であることが好ましい。具体的には、絶縁樹脂のガラス転移温度は、例えば、１５０℃以上２００℃以下の範囲内にあることが好ましい。絶縁樹脂のガラス転移温度が上記条件を満たす場合、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成における絶縁樹脂の溶融や変性を抑制できる。

また、層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂は、第１面Ｓ１側のみに第１導体層２０、第１誘電体層２５、第２導体層３０及び層間絶縁膜４０等が形成されたことにより生じるガラス基板１０の反り量を抑制することを考慮して決めることができる。具体的には、例えば、絶縁樹脂の弾性率は、６ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であることが好ましい。絶縁樹脂の線膨張係数（ＣＴＥ）は、１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。絶縁樹脂の弾性率が上記条件を満たし、且つ絶縁樹脂のＣＴＥが上記条件を満たす場合、第１面Ｓ１側のみに第１導体層２０、第１誘電体層２５、第２導体層３０及び層間絶縁膜４０等が形成されたことにより生じるガラス基板１０の反り量を抑制できる。

導体層５０は、第１導体層２０の一部、第２導体層３０、及び層間絶縁膜４０の上に設けられている。導体層５０は、層間絶縁膜４０に設けられた貫通孔に埋め込まれたビア部と、このビア部及び層間絶縁膜４０の上に設けられたパッド部とを含んでいる。ビア部の各々は、第１導体層２０が含む第３導体層７０に接続される配線部又は第２導体層３０をパッド部へ接続している。パッド部は、外部接続端子である。

導体層５０は、シード層５１と銅層５２とを含んでいる。シード層５１及び銅層５２は、第１導体層２０の一部、第２導体層３０、及び層間絶縁膜４０の上に、この順に積層されている。シード層５１は、例えば、銅からなる。なお、層間絶縁膜４０とシード層５１との間に密着層を設けてもよい。密着層は、シード層５１の層間絶縁膜４０に対する密着性を高める。密着層には、後述する密着層７１について例示する材料を使用することができる。

絶縁層６０は、層間絶縁膜４０及び導体層５０の一部を被覆する。絶縁層６０には、導体層５０が含むパッド部の位置に貫通孔が設けられている。絶縁層６０は、例えば、ソルダーレジストからなる。

第３導体層７０は、ガラス基板１０の第２面Ｓ２、ガラス基板１０に設けられた貫通孔の側壁、及び第１導体層２０のうちガラス基板１０の貫通孔に接する部分（以下、貫通孔の底部とも表記する）を被覆している。第３導体層７０は、ガラス基板１０の貫通孔に設けられたビア部と、後述するキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの下部電極と、第２面Ｓ２上に設けられ、ビア部及びキャパシタＣ２ｂの下部電極に接続される配線部とを含んでいる。ビア部は、ガラス基板１０の貫通孔の側壁、及び貫通孔の底部を被覆している。ビア部は、ガラス基板１０を貫通する電極（貫通電極）である。以下、ビア部をビア又は貫通電極とも表記する。

第３導体層７０は、多層構造を有している。具体的には、第３導体層７０は、密着層７１と、第３シード層７２と、第３銅層７３とを積層した構造を有している。

密着層７１は、ガラス基板１０の貫通孔の側壁、貫通孔の底部、及び第２面Ｓ２の一部を被覆している。

密着層７１は、第３シード層７２のガラス基板１０に対する密着性を高める。密着層７１は、チタン、クロム及びニッケルからなる群より選ばれる１以上の材料又はその酸化物からなることが好ましく、チタン又はチタン酸化物からなることがより好ましい。密着層７１の厚さは、１０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、２０ｎｍ乃至８０ｎｍの範囲内（例えば、５０ｎｍ前後）にあることがより好ましい。ここで、密着層７１の厚さは、密着層７１のうち第２面Ｓ２上に設けられた部分の厚さである。なお、密着層７１は設けられなくてもよい。また、耐弗酸金属層２１のうちガラス基板１０の貫通孔上に位置する部分が除去されている場合、即ち、第１導体層２０のガラス基板１０側の面が第１面Ｓ１の貫通孔の位置に凹部を有した構造の場合、密着層７１は、第１導体層２０の凹部にも形成される。この場合、密着層７１をガラス基板１０から引きはがす方向に力が印加された場合でも、これに抗することができる。

第３シード層７２は、密着層７１を被覆している。第３シード層７２は、例えば、銅からなる。第３シード層７２は、第３銅層７３を電解めっきによって形成する場合に設けられ、給電層として用いられる。第３シード層７２の厚さは、１００ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、２００ｎｍ乃至４００ｎｍの範囲内（例えば、３００ｎｍ前後）にあることがより好ましい。ここで、第３シード層７２の厚さは、第３シード層７２のうち第２面Ｓ２上に設けられた部分の厚さである。

第３銅層７３は、第３シード層７２を被覆している。第３銅層７３の厚さは、例えば、２μｍ乃至１０μｍの範囲内にある。ここで、第３銅層７３の厚さは、第３銅層７３のうち第２面Ｓ２上に設けられた部分の厚さである。

第２誘電体層７５及び第４導体層８０は、第３導体層７０のうち第２面Ｓ２を被覆した部分の一部の上に、この順に積層されている。積層された第３導体層７０、第２誘電体層７５及び第４導体層８０は、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂを、具体的にはＭＩＭキャパシタを構成している。即ち、キャパシタＣ２ａは、第３導体層７０の一部と、第２誘電体層７５の一部と、第４導体層８０の一部とを含む。キャパシタＣ２ｂは、第３導体層７０の他の一部と、第２誘電体層７５の他の一部と、第４導体層８０の他の一部とを含む。第４導体層８０の一部は、キャパシタＣ２ａの上部電極である。第３導体層７０のうち第４導体層８０の一部と向き合った部分は、キャパシタＣ２ａの下部電極である。第４導体層８０の他の一部は、キャパシタＣ２ｂの上部電極である。第３導体層７０のうち第４導体層８０の他の一部と向き合った部分は、キャパシタＣ２ｂの下部電極である。以下、キャパシタＣ２ａの下部電極の第２面Ｓ２と向かい合う面を第４面Ｓ４ａと表記する。キャパシタＣ２ｂの下部電極の第２面Ｓ２と向かい合う面を第４面Ｓ４ｂと表記する。

図１に示す例では、第３導体層７０の一部であるキャパシタＣ２ａの下部電極、及び第３導体層７０の他の一部であるキャパシタＣ２ｂの下部電極は、第３導体層７０のビア部から離れた位置に設けられ、互いに離間している。即ち、キャパシタＣ２ａの下部電極及びキャパシタＣ２ｂの下部電極は、第３導体層７０のビア部の上に設けられていない。キャパシタＣ２ａの下部電極上に設けられる第２誘電体層７５の一部、及びキャパシタＣ２ｂの下部電極上に設けられる第２誘電体層７５の他の一部は、互いに離間している。第２誘電体層７５の一部の上に設けられる第４導体層８０の一部（キャパシタＣ２ａの上部電極）、及び第２誘電体層７５の他の一部の上に設けられる第４導体層８０の他の一部（キャパシタＣ２ｂの上部電極）は、互いに離間している。

第４導体層８０は、多層構造を有している。具体的には、第４導体層８０は、第４シード層８１と、第４銅層８２とを積層した構造を有している。

第４シード層８１は、第２誘電体層７５上に設けられている。第４シード層８１は、例えば、銅からなる。第４シード層８１は、第４銅層８２を電解めっきによって形成する場合に設けられ、給電層として用いられる。第４銅層８２を無電解めっきやスパッタリング等の他の方法を利用して形成する場合、第４シード層８１を省略してもよい。なお、第２誘電体層７５と第４シード層８１との間に密着層を設けてもよい。密着層は、第４シード層８１の第２誘電体層７５に対する密着性を高める。密着層には、前述した密着層７１について例示する材料を使用することができる。

第４銅層８２は、第４シード層８１上に設けられている。

層間絶縁膜９０は、ガラス基板１０の第２面Ｓ２、第３導体層７０、第２誘電体層７５、及び第４導体層８０を被覆する。層間絶縁膜９０には、第３導体層７０が含むビア部に接続される配線部の位置及び第４導体層８０の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜９０は、絶縁樹脂層である。

導体層１００は、第３導体層７０の一部、第４導体層８０、及び層間絶縁膜９０の上に設けられている。導体層１００は、層間絶縁膜９０に埋め込まれたビア部と、このビア部及び層間絶縁膜９０の上に設けられたパッド部とを含んでいる。ビア部の各々は、第３導体層７０が含むビア部に接続される配線部又は第４導体層８０をパッド部へ接続している。パッド部は、外部接続端子である。

導体層１００は、シード層１０１と銅層１０２とを含んでいる。シード層１０１及び銅層１０２は、第３導体層７０の一部、第４導体層８０、及び層間絶縁膜９０の上に、この順に積層されている。シード層１０１は、例えば、銅からなる。なお、層間絶縁膜９０とシード層１０１との間に密着層を設けてもよい。密着層は、シード層１０１の層間絶縁膜９０に対する密着性を高める。密着層には、前述した密着層７１について例示する材料を使用することができる。

絶縁層１１０は、層間絶縁膜９０及び導体層１００の一部を被覆する。絶縁層１１０には、導体層１００が含むパッド部の位置に貫通孔が設けられている。絶縁層１１０は、例えば、ソルダーレジストからなる。

次に、第１導体層２０及び第３導体層７０の詳細について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、図１に示す配線基板１の一部を拡大して示す断面図である。図３は、図１に示す配線基板１の第３導体層７０の一部をガラス基板１０の裏面側から見た平面図である。

図２に示すように、第３導体層７０は、キャパシタＣ２ａの下部電極７０ａと、キャパシタＣ２ｂの下部電極７０ｂと、配線部７０ｃと、ビア部（ビア）７０ｄと、配線部７０ｅとを含んでいる。

ビア部７０ｄは、ガラス基板１０の貫通孔に設けられている。詳細には、ビア部７０ｄは、ガラス基板１０の貫通孔の側壁、及び貫通孔の底部を被覆している。

下部電極７０ａ及び７０ｂ、並びに配線部７０ｃ及び７０ｅは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２の一部を被覆している。

下部電極７０ａ及び７０ｂは、互いに離間している。配線部７０ｃは、下部電極７０ｂに接続されている。ビア部７０ｄは、配線部７０ｃ及び７０ｅに接続されている。

下部電極７０ａの第４面Ｓ４ａは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２に接している。下部電極７０ａは、ビア部７０ｄに接していない。下部電極７０ｂの第４面Ｓ４ｂは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２に接している。下部電極７０ｂは、ビア部７０ｄに接していない。下部電極７０ｂは、配線部７０ｃを介してビア部７０ｄと電気的に接続されている。第２誘電体層７５の一部は、下部電極７０ａ上に設けられている。キャパシタＣ２ａの上部電極８０ａは、下部電極７０ａの上に設けられた第２誘電体層７５の上に設けられている。第２誘電体層７５の他の一部は、下部電極７０ｂ上に設けられている。キャパシタＣ２ｂの上部電極８０ｂは、下部電極７０ｂの上に設けられた第２誘電体層７５の上に設けられている。

キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、ガラス基板１０の貫通孔上に設けられていない。即ち、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、ガラス基板１０の貫通孔から離れた位置に設けられている。

第１導体層２０は、キャパシタＣ１の下部電極２０ａを含んでいる。下部電極２０ａの第３面Ｓ３は、ガラス基板１０の第１面Ｓ１及びビア部７０ｄに接している。第１誘電体層２５は、下部電極２０ａの上に設けられている。第２導体層３０は、第１誘電体層２５の上に設けられている。

キャパシタＣ１は、ガラス基板１０の貫通孔上に設けられている。

なお、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側に設けられるＭＩＭキャパシタの数は、１つでもよい。即ち、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側に、キャパシタＣ２ａのみ設けられていてもよいし、キャパシタＣ２ｂのみ設けられていてもよい。また、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側に設けられるＭＩＭキャパシタの数は、３つ以上でもよい。

図３に示すように、第３導体層７０は、ガラス基板１０の貫通孔の側壁、貫通孔の底部、及びガラス基板１０の第２面Ｓ２の一部を被覆している。

配線部７０ｃは、ビア部７０ｄに接続されている。配線部７０ｃは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側から見て、例えば、略矩形の形状を有する。配線部７０ｃは、Ｘ方向において、ビア部７０ｄとの接続部から下部電極７０ｂの方向に延びている。配線部７０ｃのＹ方向の長さは、例えば、貫通孔の第２面Ｓ２側の開口径よりも短い。

下部電極７０ｂは、配線部７０ｃに接続されている。下部電極７０ｂは、第３導体層７０のうち第４導体層８０ｂと向き合った部分である。下部電極７０ｂは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側から見て、例えば、略矩形の形状を有する。下部電極７０ｂのＹ方向の長さは、例えば、配線部７０ｃのＹ方向の長さよりも長い。

下部電極７０ａは、配線部７０ｃに接続されていない。下部電極７０ａは、第３導体層７０のうち第４導体層８０ａと向き合った部分である。下部電極７０ａは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側から見て、例えば、略矩形の形状を有する。下部電極７０ａのＹ方向の長さは、例えば、配線部７０ｃのＹ方向の長さよりも長い。

配線部７０ｅは、ビア部７０ｄに接続されている。配線部７０ｅは、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側から見て、例えば、略矩形の形状を有する。配線部７０ｅは、Ｘ方向において、ビア部７０ｄとの接続部から下部電極７０ｂとは反対方向に延びている。配線部７０ｅのＹ方向の長さは、例えば、貫通孔の第２面Ｓ２側の開口径よりも短い。

キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、ビア部７０ｄ上に設けられていない。即ち、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、ビア部７０ｄから離れた位置に設けられている。

＜１．２＞配線基板の製造方法
上記の配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。

図４乃至図１１は、図１に示す配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。

＜１．２．１＞第１工程
この方法では、先ず、互いに対向する第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを有しているガラス基板１０を準備する。例えば、厚さ５００μｍの無アルカリガラス板の表面から、超音波洗浄などで汚染物を除去して、ガラス基板１０を得る。なお、この段階のガラス基板１０は、配線基板１が含むガラス基板１０と比較してより厚い。また、この段階のガラス基板１０は、後述するパッケージ化デバイスが含むガラス基板１０と比較して、厚さ方向に対して垂直な方向の寸法がより大きな大判のガラス基板である。

＜１．２．２＞第２工程
次に、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図４に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、例えば、レーザ光照射によって加熱されることにより、レーザ光未照射部との間で結晶性等に相違を生じた部分である。改質部１１は、貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達しないように調整することが望ましい。

ここで用いるレーザ光の波長は、５３５ｎｍ以下である。レーザ光の好ましい波長は、３５５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下である。レーザ光の波長を３５５ｎｍ未満とすると、十分なレーザ出力を得ることが難しく、安定的なレーザ改質が難しくなるおそれがある。一方、レーザ光の波長を５３５ｎｍより大きくすると、照射スポットが大きくなり、小範囲のレーザ改質が難しくなる。また、熱の影響により、マイクロクラックが発生し、ガラス基板１０が割れやすくなる。

パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅はピコ秒からフェムト秒の範囲内にあることが望ましい。レーザパルス幅がナノ秒以上になると、１パルス当たりのエネルギー量の制御が困難となり、マイクロクラックが発生して、ガラス基板１０が割れやすくなる。

レーザパルスのエネルギーは、ガラスの組成や、どのようなレーザ改質を生じさせるかに応じて好ましい値が選択され、５μＪ以上１５０μＪ以下の範囲内にあることが好ましい。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するように改質部１１の長さを大きくすることが可能となる。

＜１．２．３＞第３工程
次に、第１面Ｓ１上に、耐弗酸金属層２１と第１シード層２２と第１銅層２３とを含んだ第１導体層２０を、改質部１１を覆うように形成する。

例えば、先ず、図５に示すように、第１面Ｓ１上に、耐弗酸金属層２１及び第１シード層２２をこの順に形成する。ここでは、耐弗酸金属層２１及び第１シード層２２の各々は、連続膜として形成する。耐弗酸金属層２１は、例えば、スパッタリングにより形成する。耐弗酸金属層２１には、前述した材料を使用することができる。第１面Ｓ１上に形成される耐弗酸金属層２１の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。第１シード層２２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより形成する。第１シード層２２には、前述した材料を使用することができる。耐弗酸金属層２１上に形成される第１シード層２２の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。第１シード層２２を形成するのに先立ち、耐弗酸金属層２１上に、密着層を形成してもよい。密着層は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。密着層を形成すると、耐弗酸金属層２１と第１シード層２２との間の密着性が向上する。

次に、第１シード層２２上に、絶縁体からなり、第１銅層２３に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第１シード層２２上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジストであるＲＤ１２２５を第１シード層２２へラミネートし、このドライフィルムレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。

続いて、第１シード層２２を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置で第１シード層２２上に銅を堆積させて、図６に示す第１銅層２３を得る。第１シード層２２上に形成される第１銅層２３の厚さは、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。

その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第１銅層２３とガラス基板１０とを含んだ複合体の第１銅層２３側の面全体をエッチングして、第１シード層２２の露出部を除去する。なお、第１シード層２２と耐弗酸金属層２１との間に密着層が存在している場合には、この複合体の第１銅層２３側の面全体を、密着層のうち、第１シード層２２の露出部を除去することによって露出した部分も除去されるまで更にエッチングする。続いて、この複合体の第１銅層２３側の面全体を、耐弗酸金属層２１のうち、第１シード層２２の露出部を除去することによって露出した部分が除去されるまで更にエッチングする。

以上のようにして、図６に示す第１導体層２０を得る。なお、第１導体層２０は、上記の通り、配線部と下部電極とを含んでいる。

＜１．２．４＞第４工程
次に、第１導体層２０が含む下部電極上に、第１誘電体層２５及び第２導体層３０をこの順に形成して、図６に示すキャパシタＣ１を得る。第１誘電体層２５には、前述した材料を使用することができる。第２導体層３０は、例えば、第１導体層２０が含む第１シード層２２及び第１銅層２３について上述したのと同様の方法により形成することができる。そのような第２導体層３０は、第２シード層３１と第２銅層３２とを含んだ多層構造を有している。第２シード層３１を形成するのに先立ち、第１誘電体層２５上に、密着層を形成してもよい。密着層は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。密着層を形成すると、第１誘電体層２５と第２シード層３１との間の密着性が向上する。キャパシタＣ１のキャパシタンスは、第１誘電体層２５の誘電率と、上部電極（第２導体層３０）の面積と、下部電極（第１導体層２０の一部）と上部電極との間隔により決定される。

第３工程と第４工程により、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側において、改質部１１の上に、第１導体層２０と、第１誘電体層２５と、第２導体層３０とが形成される。これにより、キャパシタＣ１が形成される。

＜１．２．５＞第５工程
次に、キャパシタＣ１とガラス基板１０とを含んだ複合体のキャパシタＣ１側の面に、絶縁樹脂層を設ける。一例によれば、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（３２．５μｍ厚）を上記の面へラミネートし、これをプリキュアする。次いで、レーザ加工によって絶縁樹脂層にブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施して、レーザ加工によって発生した残渣を除去する。以上のようにして、図７に示す層間絶縁膜４０を得る。即ち、ガラス基板１０の第１面Ｓ１及びキャパシタＣ１を覆う層間絶縁膜４０が形成される。

層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂としては、例えば、層間絶縁膜４０の形成後に実施されるキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成において、熱による絶縁樹脂の溶融や変性を抑制することを考慮して、ガラス転移温度がキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成における最大加工温度以上である絶縁樹脂が好ましい。キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成における最大加工温度は、例えば、第３導体層７０の形成、第２誘電体層７５の形成、及び第４導体層８０の形成における処理温度のうちの最大の処理温度であり、例えば、１３０℃以上である。具体的には、例えば、ガラス転移温度が１５０℃以上２００℃以下の範囲内にある絶縁樹脂が好ましい。換言すると、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成は、絶縁樹脂のガラス転移温度以下の温度で行われるのが好ましい。

また、層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂としては、例えば、第１面Ｓ１側のみに第１導体層２０、第１誘電体層２５、第２導体層３０及び層間絶縁膜４０等が形成されたことにより生じるガラス基板１０の反り量を抑制することを考慮して、弾性率が６ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であり、且つＣＴＥが１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である絶縁樹脂が好ましい。

次いで、スパッタリング又は無電解めっきにより、シード層５１を形成する。ここでは、シード層５１は、層間絶縁膜４０の上面、層間絶縁膜４０に設けられた貫通孔の側壁、及び、第１導体層２０及び第２導体層３０のうちこれら貫通孔の位置で露出した部分を被覆するように形成する。シード層５１には、前述した材料を使用することができる。形成されるシード層５１の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。

次に、シード層５１上に、絶縁体からなり、銅層５２に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層５１上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジストであるＲＤ１２２５をシード層５１へラミネートし、このドライフィルムレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。

続いて、シード層５１を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層５１上に銅を堆積させて、図７に示す銅層５２を得る。シード層５１上に形成される銅層５２の厚さは、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。

その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、銅層５２とガラス基板１０とを含んだ複合体の銅層５２側の面全体をエッチングして、シード層５１の露出部を除去する。以上のようにして、導体層５０を得る。

次いで、層間絶縁膜４０上に、図７に示す絶縁層６０を設ける。例えば、層間絶縁膜４０上にソルダーレジストを設け、フォトリソグラフィ法などを用いてこれをパターニングする。以上のようにして、図７の構造を得る。

＜１．２．６＞第６工程
次に、図８に示すように、ガラス基板１０と絶縁層６０とを含んだ複合体を、第１支持体１２１に、絶縁層６０が第１支持体１２１と向き合うように支持させる。ここでは、仮貼り用の接着剤１２２を介して、第１支持体１２１を上記複合体へ貼り合わせる。第１支持体１２１は、次工程でのガラス基板１０の薄板化に伴うその破損を生じ難くし、ガラス基板１０を含んだ複合体の取り扱いを容易にする。

接着剤１２２としては、例えば、日東電工社製のリバアルファ（登録商標）を使用する。第１支持体１２１としては、例えば、薄板状のガラスキャリアを使用する。第１支持体１２１は、ガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでもよい。

第１支持体１２１の厚さは、ガラス基板１０の薄板化後の搬送性を鑑み、０．７ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内にあることが望ましい。第１支持体１２１の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。

第６工程により、キャパシタＣ１及び層間絶縁膜４０等の形成の後に、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側に第１支持体１２１が設けられる。

＜１．２．７＞第７工程
次に、第１支持体１２１に支持させた上記複合体の第２面Ｓ２を、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングして、図９に示すように、第２面Ｓ２を後退させるとともに、改質部１１の位置に貫通孔１２をそれぞれ形成する。第２面Ｓ２をエッチングすると、ガラス基板１０は薄くなり、改質部１１が露出する。ガラス基板１０のうち、改質部１１は、他の部分と比較して、エッチングレートが高い。従って、このエッチングによって、ガラス基板１０の薄板化と貫通孔１２の形成とを同時に達成できる。

なお、このエッチングにおいて、耐弗酸金属層２１は、エッチングストッパ膜としての役割を果たす。換言すると、耐弗酸金属層２１によって、弗化水素を含んだエッチング液と第１シード層２２が接して、第１シード層２２が腐食することが抑制される。また、上記のエッチングによって得られる貫通孔１２は、図９の例では、第２面Ｓ２側の径（又は断面積）が第１面Ｓ１側の径（又は断面積）よりも大きい円錐台形状を有している。

ガラス基板１０のエッチング量は、配線基板１の厚さに応じて適宜設定して構わない。例えば、エッチング前のガラス基板１０の厚さが４００μｍである場合、そのエッチング量は１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲内とすることが望ましい。薄板化後のガラス基板１０の厚さは、５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。

弗化水素を含んだエッチング液は、例えば、弗化水素水溶液である。エッチング液は、硝酸、塩酸及び硫酸からなる群から選ばれる１種以上の無機酸を更に含むことができる。

エッチング液の弗化水素濃度は、例えば１.０質量％以上６.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは２.０質量％以上５.０質量％以下の範囲内にある。無機酸濃度は、例えば１.０質量％以上２０.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは３.０質量％以上１６.０質量％以下の範囲内にある。各成分の濃度を上記範囲内に設定したエッチング液を使用して、１．０μｍ／ｍｉｎ以下のエッチングレートでエッチングを行うことが望ましい。エッチングの際のエッチング液の温度は、１０℃以上４０℃以下の範囲内とすることが望ましい。

第７工程により、ガラス基板１０の改質部１１の位置に第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを貫通する貫通孔１２が形成される。

＜１．２．８＞第８工程
次に、第２面Ｓ２上及び貫通孔１２に、密着層７１と第３シード層７２と第３銅層７３とを含んだ第３導体層７０を形成する。

例えば、先ず、図１０に示すように、第２面Ｓ２及び貫通孔１２内に、密着層７１を形成する。ここでは、密着層７１は、貫通孔１２の側壁、貫通孔１２の底部、及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成する。密着層７１は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。密着層７１を形成すると、ガラス基板１０と第３シード層７２との間の密着性が向上する。密着層７１には、前述した材料を使用することができる。形成される密着層７１の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。

次いで、密着層７１上に、図１０に示す第３シード層７２を形成する。第３シード層７２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。第３シード層７２には、前述した材料を使用することができる。密着層７１上に形成される第３シード層７２の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の厚さとすることができる。

次に、第３シード層７２上に、絶縁体からなり、第３銅層７３に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第３シード層７２上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジストであるＲＤ１２２５を第３シード層７２へラミネートし、このドライフィルムレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。

続いて、第３シード層７２を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置で第３シード層７２上に銅を堆積させて、図１０に示す第３銅層７３を得る。第３シード層７２上に形成される第３銅層７３の厚さは、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲の厚さとすることができる。

その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第３銅層７３とガラス基板１０とを含んだ複合体の第３銅層７３側の面全体をエッチングして、第３シード層７２の露出部を除去する。続いて、この複合体の第３銅層７３側の面全体を、密着層７１のうち、第３シード層７２の露出部を除去することによって露出した部分が除去されるまで更にエッチングする。

以上のようにして、図１０に示す第３導体層７０を得る。なお、第３導体層７０は、上記の通り、ビア部と下部電極と配線部とを含んでいる。

第８工程により、ガラス基板１０の第２面Ｓ２及び貫通孔１２に第３導体層７０が形成され、貫通孔１２内にビア部（ビア）が形成される。

なお、密着層７１を形成する前に、耐弗酸金属層２１のうち貫通孔１２上に位置する部分を、ウェットエッチングにより除去することにより、耐弗酸金属層２１のうち第１面Ｓ１の貫通孔１２の位置に貫通孔を形成してもよい。この除去方法は、腐食溶液を用いた湿式法で耐弗酸金属層２１が除去できる方法であればよい。エッチング液としては、例えば、クロムエッチング液が好ましい。

＜１．２．９＞第９工程
次に、第３導体層７０が含む下部電極上に、第２誘電体層７５及び第４導体層８０をこの順に形成して、図１０に示すキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂを得る。第２誘電体層７５の形成には、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）処理装置を用いる。処理温度は、例えば、１３０℃以上である。第２誘電体層７５には、前述した材料を使用することができる。第４導体層８０は、例えば、第３導体層７０が含む第３シード層７２及び第３銅層７３について上述したのと同様の方法により形成することができる。そのような第４導体層８０は、第４シード層８１と第４銅層８２とを含んだ多層構造を有している。第４シード層８１を形成するのに先立ち、第２誘電体層７５上に、密着層を形成してもよい。密着層は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。密着層を形成すると、第２誘電体層７５と第４シード層８１との間の密着性が向上する。キャパシタＣ２ａのキャパシタンスは、第２誘電体層７５の一部の誘電率と、上部電極（第４導体層８０の一部）の面積と、下部電極（第３導体層７０の一部）と上部電極との間隔により決定される。キャパシタＣ２ｂのキャパシタンスは、第２誘電体層７５の他の一部の誘電率と、上部電極（第４導体層８０の他の一部）の面積と、下部電極（第３導体層７０の他の一部）と上部電極との間隔により決定される。

第９工程により、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側において、第３導体層７０の上であり且つビア部（ビア）と異なる位置に、第２誘電体層７５と、第４導体層８０とが形成される。これにより、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂが形成される。

＜１．２．１０＞第１０工程
次いで、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂとガラス基板１０とを含んだ複合体のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂ側の面に対して、第５工程と同様の処理を実施して、図１１に示す、層間絶縁膜９０、導体層１００及び絶縁層１１０を設ける。

＜１．２．１１＞第１１工程
その後、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第３導体層７０等を含んだ複合体から、第１支持体１２１と接着剤１２２とを除去する。以上のようにして、図１に示す配線基板１を得る。

＜１．３＞パッケージ化デバイス
上記の配線基板１は、パッケージ化デバイスの製造に使用することができる。

図１２は、図１に示す配線基板を使用して製造可能なパッケージ化デバイスの一例を示す断面図である。図１２に示すパッケージ化デバイスは、例えば、ＬＣフィルタを搭載した高周波デバイスである。図１２に示すパッケージ化デバイスは、配線基板１と、機能デバイス２と、チップ部品３と、接合用導体４及び５とを含んでいる。

配線基板１は、図１等を参照しながら説明した配線基板を個片化したものである。配線基板１は、接合用導体４及び５の少なくとも一方を更に含むことができる。

接合用導体４及び５は、ここでは、はんだボールである。接合用導体４は、導体層５０が含むパッド部上に設けられている。接合用導体４は、機能デバイス２を配線基板１へ接合している。接合用導体５は、導体層１００が含むパッド部上に設けられている。接合用導体５は、パッケージ化デバイスを、他の配線基板、例えばマザーボードへ接合することを可能とする。

機能デバイス２は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作するデバイス、外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイス、又は、電力及び電気信号の少なくとも一方が供給されることにより動作し且つ外部からの刺激により電力及び電気信号の少なくとも一方を出力するデバイスである。機能デバイス２は、例えば、半導体チップや、ガラス基板などの半導体以外の材料からなる基板上に回路や素子が形成されたチップのように、チップの形態にある。機能デバイス２は、例えば、ＬＳＩ、メモリ、撮像素子、発光素子、及びＭＥＭＳの１以上を含むことができる。ＭＥＭＳは、例えば、圧力センサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、傾斜センサ、マイクロフォン、及び音響センサの１以上である。一例によれば、機能デバイス２は、ＬＳＩを含んだ半導体チップである。

機能デバイス２は、配線基板１へ実装されている。ここでは、機能デバイス２は、フリップチップボンディングによって、配線基板１へ実装されている。機能デバイス２は、他の表面実装技術によって、配線基板１へ実装されていてもよい。パッケージ化デバイスは、２以上の機能デバイス２を含んでいてもよい。

チップ部品３は、チップ抵抗、チップキャパシタ及びチップインダクタなどの、表面実装が可能な受動部品である。チップ部品３は、配線基板１へ実装されている。ここでは、チップ部品３は、ダイボンディング及びワイヤボンディングによって、配線基板１へ実装されている。チップ部品３は、他の表面実装技術によって、配線基板１へ実装されていてもよい。パッケージ化デバイスは、２以上のチップ部品３を含んでいてもよい。チップ部品３は、省略してもよい。ここでは、一例として、チップ部品３は、チップインダクタであり、キャパシタＣ１とともにＬＣフィルタを構成していることとする。

＜１．４＞効果
上述した技術は、例えば、以下に記載する効果を奏する。

＜１．４．１＞設計制約
上述した方法によれば、以下に説明するように、配線基板１の設計の制約が軽減される。

ガラス基板にＭＩＭキャパシタと貫通孔を形成する方法として、ガラス基板に貫通孔を形成した後、ガラス基板上にＭＩＭキャパシタを形成する方法がある。この方法では、貫通孔が形成された状態でＭＩＭキャパシタを形成するため、ＭＩＭキャパシタを貫通孔上に配置することが難しい。このため、ＭＩＭキャパシタは、ガラス基板上の貫通孔から離れた位置に配置される。この場合、貫通孔上のスペースがデッドスペースになり、設計の自由度が低下し、設計の制約が生じるおそれがある。

上述した方法では、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に下部電極２０ａ（第１導体層２０）を形成した後、ガラス基板１０の下部電極２０ａの下方の位置に貫通孔１２を形成する。このため、下部電極２０ａを貫通孔１２上に配置することができる。換言すると、下部電極２０ａを第３導体層７０のビア部７０ｄ上に配置することができる。これにより、ＭＩＭキャパシタがガラス基板上の貫通孔から離れた位置に配置される場合と比べて、配線基板１の設計の制約が軽減される。

＜１．４．２＞加工性
上述した方法により得られる配線基板１は、以下に説明するように、加工性を担保した構造となる。

ＭＩＭキャパシタをガラス基板の表面及び裏面に形成する際には、ガラス基板の表面に一方のＭＩＭキャパシタ及びこのＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂等を作製した後、ガラス基板の裏面に他方のＭＩＭキャパシタを作製する必要がある。ここで、ＭＩＭキャパシタの誘電体層の形成には、例えば、ＣＶＤ処理装置が用いられ、処理温度は、例えば、１３０℃以上である。このため、ＣＶＤ処理装置を用いてガラス基板の裏面側にＭＩＭキャパシタの誘電体層を形成する際には、ガラス基板の表面に作製されたＭＩＭキャパシタ及びこのＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂等も、１３０℃以上の温度に晒される。ガラス基板の表面側のＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂の耐熱性が不十分であると、ＣＶＤ処理時にこの絶縁樹脂が溶融し、表面側のＭＩＭキャパシタの下部電極を含む配線の位置ずれが生じるおそれがある。また、表面側のＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂が熱により変性し、誘電特性が低下することで伝送線路の伝送特性が低下し、表面側のＭＩＭキャパシタの性能が低下するおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１を覆う層間絶縁膜４０として、絶縁樹脂を採用し、その絶縁樹脂のガラス転移温度を第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの形成における最大加工温度以上とする。例えば、絶縁樹脂のガラス転移温度を１５０℃以上２００℃以下とする。これにより、ＣＶＤ処理装置を用いて第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂを形成する際に、絶縁樹脂の溶融が抑制され、第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１の下部電極２０ａを含む配線の位置ずれを抑制できる。また、絶縁樹脂の熱による変性が抑制され、誘電特性の低下、及び第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１の性能の低下を抑制できる。よって、配線基板１の加工性を担保することができる。

また、上述した方法により得られる配線基板１は、以下に説明するように、加工性を向上させることができる。

上述のように、ガラス基板の裏面にＭＩＭキャパシタを作製するのは、ガラス基板の表面にＭＩＭキャパシタ及びこのＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂等を作製した後である。ここで、表面にＭＩＭキャパシタ及びこのＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂等を作製したとき、ガラス基板は、表面側のみにＭＩＭキャパシタ及びこのＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂等が作製された状態となるため、このとき、ガラス基板の反り量が最も大きくなる可能性が高い。このため、裏面側にＭＩＭキャパシタを作製する際には、ガラス基板が大きく反った状態であるため、フォトリソグラフィの加工精度の低下、及びこれに伴う配線形成精度の低下や、装置内での搬送時のガラス基板の落下、及びこれに伴うガラス基板の欠けや割れの発生などの加工性の低下が発生するおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１を覆う層間絶縁膜４０として、絶縁樹脂を採用し、その絶縁樹脂の弾性率を６ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下とし、絶縁樹脂のＣＴＥを１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下とする。これにより、ガラス基板１０とキャパシタＣ１の下部電極２０ａを含む配線との間に発生する応力などを調整することができ、第１面Ｓ１側にキャパシタＣ１及び絶縁樹脂等を形成する際のガラス基板１０の反り量を抑制できる。このため、フォトリソグラフィの加工精度の低下の抑制、及びこれに伴う配線形成精度の低下の抑制や、装置内での搬送時のガラス基板１０の落下の抑制、及びこれに伴うガラス基板１０の欠けや割れの発生の抑制などの加工性を向上させることができる。

＜１．４．３＞視認性
上述した方法により得られる配線基板１は、以下に説明するように、視認性を向上させることができる。

図１３は、第１比較例に係る配線基板の断面図である。

第１比較例に係る製造方法は、第３工程において耐弗酸金属層２１を形成しないこと以外は、図４乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

図１３に示すように、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上には、耐弗酸金属層２１が形成されていない。このため、第１面Ｓ１上には、第１シード層２２が形成される。第１シード層２２の材料は、第１銅層２３及び第３銅層７３と同様の材料が好ましい。このため、第１シード層２２には、例えば、銅を採用することができる。ガラス基板１０などの透明度が高い基板の場合には、第２面Ｓ２側の配線（第３導体層７０）の検査時に、光が検査面と反対側の第１面Ｓ１側の配線（第１導体層２０）も透過し、第１シード層２２と第３銅層７３が同系色の色となるため、ガラス基板１０の両面の配線が視認できる状態となる。このため、配線検査時の検査面の配線の視認性が低下するおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に耐弗酸金属層２１が形成される。ここで、耐弗酸金属層２１の材料は弗酸に薬液耐性を有することが好ましいため、クロムなどを採用することができる。クロムの色は第１シード層２２に採用される銅や第３銅層７３などと比較して明度が低いため、耐弗酸金属層２１と第３銅層７３を区別する際の視認性は第１シード層２２と第３銅層７３を区別する場合よりも向上する。これにより、耐弗酸金属層２１が設けられない場合と比べて、配線検査時の検査面の配線の視認性を向上させることができる。

また、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１は貫通孔１２上に形成され、第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、第２面Ｓ２の一部に形成される。換言すると、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１はビア部７０ｄ上に形成され、第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、第２面Ｓ２のうちビア部７０ｄから離れた位置に形成される。このため、第２面Ｓ２側の配線の検査時には、第２面Ｓ２側の配線と重なることなく、必ず検査面と反対側の第１面Ｓ１側の配線の裏面も透過し、視認できる状態となる。これにより、視認性の向上効果をより高めることができる。

＜１．４．４＞電気特性
上述した方法により得られる配線基板１は、以下に説明するように、ＭＩＭキャパシタの電気特性に優れている。

ＭＩＭキャパシタがガラス基板の表面及び裏面に設けられる場合において、ガラス基板の両面ともにＭＩＭキャパシタをガラス基板の貫通孔上に形成すると、貫通孔の開口の両側に形成された配線同士で寄生静電容量が発生し、ＭＩＭキャパシタの特性値が設計値から乖離するなどの悪影響を及ぼすおそれがある。また、特性値が設計値から乖離したＭＩＭキャパシタをＬＣフィルタに使用すると、フィルタ特性にも悪影響を及ぼすおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１は、ビア部７０ｄ上に配置されている。第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、第２面Ｓ２のうちビア部７０ｄから離れた位置に配置されている。換言すると、キャパシタＣ１は、貫通孔１２上に形成されているが、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、貫通孔１２上に形成されていない。キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、貫通孔１２から離れており、ビア部７０ｄからも離れている。このため、ガラス基板の両面ともにＭＩＭキャパシタがガラス基板の貫通孔上に設けられる場合と比べて、ガラス基板１０を介した下部電極２０ａ及び７０ｂの間の距離、並びにガラス基板１０を介した下部電極２０ａ及び７０ａの間の距離が長くなり、下部電極２０ａ及び７０ｂの間、並びに下部電極２０ａ及び７０ａの間に発生する寄生静電容量が抑制される。これにより、キャパシタＣ１、Ｃ２ａ及びＣ２ｂの電気特性の低下を抑制できる。また、キャパシタＣ１、Ｃ２ａ又はＣ２ｂを用いて形成されるＬＣフィルタの伝送特性やフィルタ特性の劣化も抑制できる。さらに、第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１は、ビア部７０ｄ上に配置されているので、設計制約の軽減と寄生静電容量の発生の抑制を両立させることができる。

＜１．４．５＞歩留まり
上述した方法により得られる配線基板１では、以下に説明するように、高い歩留まりを達成することができる。

上述のように、ガラス基板の表面にＭＩＭキャパシタ及びこのＭＩＭキャパシタを覆う絶縁樹脂等を作製したとき、ガラス基板の反り量が最も大きくなる可能性が高い。これに対応して、ガラス基板の貫通孔の底部に発生する応力も最も大きく可能性が高い。このため、ガラス基板と表面側のＭＩＭキャパシタを含む配線界面との密着性が不十分な場合、表面側のＭＩＭキャパシタの下部電極を含む貫通孔の底部の配線が剥離するおそれがある。例えば、図１３に示すように、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に耐弗酸金属層２１が形成されていない場合、キャパシタＣ１の下部電極を含む貫通孔の底部の配線が剥離するおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に耐弗酸金属層２１が形成される。上述のように、耐弗酸金属層２１の材料はクロムなどを採用することができる。ここで、クロムはガラス基板１０との密着層としても作用することができるため、応力が最も大きくなる貫通孔１２の底部に耐弗酸金属層２１を成膜することによりガラス基板１０と第１シード層２２界面の密着力が高まり、キャパシタＣ１の下部電極２０ａを含む貫通孔１２の底部の配線の剥離を抑制することができる。これにより、高い歩留まりを達成することができる。

ガラス基板の表面側の貫通孔上にＭＩＭキャパシタを形成した後、ガラス基板の裏面側の貫通孔上にＭＩＭキャパシタを形成する場合には、貫通孔内部の導体層形成とＭＩＭキャパシタ形成とを両立させる必要がある。しかしながら、例えば、貫通孔の側壁、貫通孔の底部、及びガラス基板の裏面に、密着層及びシード層を積層した後、ドライフィルムレジストを形成すると、ドライフィルムレジストが貫通孔内に入り、気泡が発生する可能性がある。貫通孔内に気泡が発生した状態でフォトリソグラフィによりパターニングすると、気泡の影響でドライフィルムレジストにゆがみが発生するおそれがある。ドライフィルムレジストにゆがみが発生すると、ドライフィルムレジストのゆがみの影響により、裏面側の貫通孔上に設けられるＭＩＭキャパシタの下部電極の寸法精度が低下するおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、第２面Ｓ２の一部に形成される。換言すると、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、貫通孔１２から離れた位置に形成される。これにより、下部電極７０ａ及び７０ｂは、ドライフィルムレジストのゆがみの影響を受けることなく形成される。このため、裏面側の下部電極を貫通孔上に設ける場合と比べて、下部電極７０ａ及び７０ｂの寸法精度の低下を抑制することができる。よって、高い歩留まりを達成することができる。さらに、第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１は、ビア部７０ｄ上に配置されているので、設計制約の軽減と下部電極７０ａ及び７０ｂの寸法精度の低下の抑制を両立させることができる。

＜１．４．６＞接続信頼性
上述した方法により得られる配線基板１は、以下に説明するように、ガラス基板１０上に設けられた配線と、このガラス基板１０に設けられたＴＧＶとの間の接続信頼性に優れている。

両面ともにガラス基板のＴＧＶ上にＭＩＭキャパシタを形成する場合には、温度サイクル試験などの信頼性試験の際には、ガラス基板のＴＧＶ部の応力により、ガラス基板両面に形成されたＭＩＭキャパシタの配線が断線および剥離するおそれがある。

上述した方法により得られる配線基板１では、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側のキャパシタＣ１はビア部７０ｄ上に形成され、第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、第２面Ｓ２のうちビア部７０ｄから離れた位置に形成される。このため、ガラス基板の両面ともにＭＩＭキャパシタがガラス基板のＴＧＶ上に設けられる場合と比べて、キャパシタＣ１、Ｃ２ａ及びＣ２ｂにかかる応力を軽減できる。これにより、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側及び第２面Ｓ２側の両方において、配線の断線や剥離を抑制することができる。よって、ガラス基板１０上に設けられた配線と、ガラス基板１０に設けられたＴＧＶとの間の接続信頼性に優れている。

＜１．４．７＞ハンドリング性
上述した製造方法によると、以下に説明するように、ガラス基板１０の破損を生じ難く、優れたハンドリング性を実現し得る。

ガラス基板に貫通孔を形成すると、その機械的強度が低下する可能性がある。また、厚さが小さなガラス基板、例えば、厚さが３００μｍ以下であるガラス基板は、回路など導電部を形成するための搬送時などに割れを生じ易く、取扱いが困難である。

上述した方法では、第１面Ｓ１へ第１導体層２０等を形成する際には、ガラス基板１０は相対的に厚いため、その破損は生じ難い。また、ガラス基板１０と第１導体層２０とを含んだ複合体は、ガラス基板１０の薄板化及び貫通孔１２の形成を行った後でも、高い強度を有している。それ故、その後の工程においても、ガラス基板１０の破損は生じ難い。そして、第１支持体１２１は、ガラス基板１０の破損を更に生じ難くする。また、第１支持体１２１を取り除く前に第２導体層３０等を形成することにより、複合体の強度は高められているので、この複合体から第１支持体１２１を取り除いた後であっても、ガラス基板１０の破損は生じ難い。従って、上述した製造方法によると、ガラス基板１０の破損を生じ難く、その取扱いが容易である。

＜１．４．８＞生産性
また、上述した製造方法によると、以下に説明するように、高い生産性を達成可能である。

ＴＳＶ技術においては、ドライエッチングを応用したＢｏｓｃｈプロセスなどの手法が、シリコン基板に貫通孔を形成する方法として確立されている。しかしながら、ドライエッチングによるガラス基板への貫通孔の形成は、長時間を要し、実用的であるとは言い難い。

上述した製造方法では、ガラス基板１０を薄板化するためのウェットエッチングによって、貫通孔１２の形成も行う。そして、貫通孔１２は、レーザ光照射で生じさせた改質部１１の位置に形成する。ガラス基板１０のうち、改質部１１は、他の部分と比較して高いエッチングレートでエッチングすることができる。従って、上述した製造方法によると、高い生産性を達成可能である。

＜１．５＞変形例
上述した配線基板１及びパッケージ化デバイスには、様々な変形が可能である。

＜１．５．１＞貫通孔
図１４は、第１変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。図１５は、第２変形例に係る配線基板のガラス基板に設けられた貫通孔を示す断面図である。第１及び第２変形例に係る配線基板は、貫通孔１２に図１４及び図１５の構造をそれぞれ採用したこと以外は、上記の配線基板１と同様である。

上述した配線基板１において、ガラス基板１０に設けられた貫通孔１２は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りしている。即ち、貫通孔１２は順テーパ形状を有する。貫通孔１２は、図１４及び図１５に示すように、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りした順テーパ形状を有する部分（順テーパ形状部）と、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて先細りした逆テーパ形状を有する部分（逆テーパ形状部）とを含んでいてもよい。図１、図１４及び図１５に示すような断面形状の異なる貫通孔１２は、改質部１１の位置や弗化水素を含んだエッチング液の濃度や処理温度などのエッチング条件を変更することにより形成することができる。

ここでは、順テーパ形状部は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて伸びるとともに、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて縮径している。即ち、順テーパ形状部の第１面Ｓ１側の開口径（又は断面積）は、順テーパ形状部の第２面側の開口径（又は断面積）よりも小さい。また、逆テーパ形状部は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて伸びるとともに、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて縮径している。即ち、逆テーパ形状部の第２面Ｓ２側の開口径（又は断面積）は、逆テーパ形状部の第１面Ｓ１側の開口径（又は断面積）よりも小さい。

図１４の構造では、貫通孔１２が径の極小値を有する位置は、第１面Ｓ１からの距離が、ガラス基板１０の厚さの０．４倍乃至０．６倍の範囲内にある。図１５の構造では、貫通孔１２が径の極小値を有する位置は、第１面Ｓ１からの距離が、ガラス基板１０の厚さの０．２倍以下である。

図１４及び図１５に示す構造では、貫通孔１２が径の極小値を有する位置（又は、第１面Ｓ１に対して平行な断面の面積が極小値を有する位置）は、第１面Ｓ１から離間している。それ故、貫通孔１２に図１４又は図１５の構造を採用した場合、図１の構造を採用した場合と比較して、径（断面積）が極小となる位置が、第１面Ｓ１側よりも第２面Ｓ２側の位置であるため、第１導体層２０と第３導体層７０との接続部に加わる応力を小さくすることができ、従って、ガラス基板１０上に設けられた配線と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの間の接続信頼性を更に向上させることができる。

＜１．５．２＞インダクタ
上記のパッケージ化デバイスは、インダクタをチップ部品３として含んでいる。上記の通り、インダクタとキャパシタＣ１とを組み合わせて、ＬＣフィルタを構成することができる。

インダクタは、配線基板１に内蔵させてもよい。インダクタを配線基板１に内蔵させた場合、例えば、配線長の短縮、これに伴う電気特性及び伝送特性の向上、又は、パッケージ化デバイスの小型化若しくは低背化が可能である。

配線基板１に内蔵させるインダクタは、例えば、スパイラルコイルである。配線基板１は、第１導体層２０の一部をスパイラルコイルとして含んでいてもよく、第３導体層７０の一部をスパイラルコイルとして含んでいてもよい。或いは、配線基板１は、第１導体層２０の一部をスパイラルコイルとして含み、第３導体層７０の一部を他のスパイラルコイルとして含んでいてもよい。

配線基板１は、インダクタとして、以下に説明するソレノイドコイルを内蔵していてもよい。

図１６は、第３変形例に係る配線基板の一部を示す斜視図である。図１６には、配線基板１が内蔵し得るインダクタの一例として、ソレノイドコイルＬ１を描いている。第３変形例に係る配線基板は、ソレノイドコイルＬ１を含んでいること以外は、上記の配線基板１と同様である。

ソレノイドコイルＬ１は、第１導体層２０の一部と第３導体層７０の一部とによって構成されている。具体的には、ソレノイドコイルＬ１は、第１導体路２０ｐと、第２導体路７０ｐと、第３導体路７０ｑとを含んでいる。

第１導体路２０ｐの各々は、第１導体層２０の一部である。第１導体路２０ｐは、第１面Ｓ１に対して平行な第１方向へ伸びた形状を有し、第１面Ｓ１に対して平行であり且つ第１方向に対して交差する第２方向へ一定のピッチで配列している。各第１導体路２０ｐは、第１端と第２端とを有している。ガラス基板１０には、第１端の位置と第２端の位置とに、貫通孔１２が設けられている。

第２導体路７０ｐの各々は、第３導体層７０のうち、第２面Ｓ２上に位置した部分の一部である。第２導体路７０ｐは、第２面Ｓ２に対して平行であり且つ第１及び第２方向に対して交差する第３方向へ伸びた形状を有し、第２方向へ一定のピッチで配列している。各第２導体路７０ｐは、或る第１導体路２０ｐの第１端と向き合った第３端と、先の第１導体路２０ｐと隣り合った第１導体路２０ｐの第２端と向き合った第４端とを有している。

第３導体路７０ｑの各々は、第３導体層７０のうち、貫通孔１２内に位置した部分の一部である。第３導体路７０ｑは、各第２導体路７０ｐの第３端及び第４端を、それぞれ、或る第１導体路２０ｐの第１端と、これと隣り合った第１導体路２０ｐの第２端とへ接続している。

ソレノイドコイルＬ１は、第１導体路２０ｐ、第３導体路７０ｑ、第２導体路７０ｐ及び第３導体路７０ｑをこの順に各々が含んだ複数のセグメントを直列に連ねた構造を有している。また、ソレノイドコイルＬ１の螺旋軸は、上記の第２方向に対して平行である。ソレノイドコイルＬ１は、キャパシタＣ１と組み合わせて、ＬＣフィルタを構成し得る。

上述したソレノイドコイルＬ１では、第１導体路２０ｐと第３導体路７０ｑとの接続部は、図１を参照しながら説明した構造を有している。図１の構造では、第１導体層２０と第３導体層７０との接続抵抗が小さい。それ故、ソレノイドコイルＬ１では、第１導体路２０ｐと第３導体路７０ｑとの接続抵抗が小さい。従って、このソレノイドコイルＬ１は、キャパシタＣ１と組み合わせた場合に、電気特性及び伝送特性に優れたＬＣフィルタを実現し得る。

ソレノイドコイルＬ１は、第１導体層２０の一部と第３導体層７０の一部とによって構成されている。同様の構造を有するソレノイドコイルは、第１導体層２０の一部と導体層５０の一部とによって構成することができ、第３導体層７０の一部と導体層１００の一部とによって構成することもできる。

＜１．５．３＞銅層
図１７は、第４変形例に係る配線基板の断面図である。第４変形例に係る配線基板は、第３銅層７３に後述する構造を採用したこと以外は、上記の配線基板１と同様である。

図１の構造では、貫通孔１２の位置で、第３銅層７３は第３シード層７２を被覆している。これに対し、図１７の構造では、側壁及び底部に密着層７１及び第３シード層７２が形成された貫通孔１２の全体を、第３銅層７３が埋め込んでいる。換言すると、ビア部は、貫通孔１２の全体に埋め込まれている。即ち、前者の構造はコンフォーマル形態であり、後者の構造はフィルド形態である。

各ビアにおいて銅層には、コンフォーマル形態及びフィルド形態の何れを採用しても構わない。但し、フィルド形態を採用した場合、コンフォーマル形態を採用した場合と比較して、貫通孔１２内に比較的電気抵抗が低い銅が多く形成されるため、ガラス基板１０上に設けられた配線と、このガラス基板に設けられたＴＧＶとの接続部の電気特性や伝送特性を向上させることができる。

図１８は、第２比較例に係る配線基板の断面図である。

第２比較例に係る製造方法は、以下に説明するように、第８工程において第３銅層７３をフィルド形態で形成すること、及び上部電極８０ｂの配置位置を変更したこと以外は、図４乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

図１８に示すように、側壁及び底部に密着層７１及び第３シード層７２が形成された貫通孔１２の全体を、第３銅層７３が埋め込んでいる。即ち、ビア部の構造は、フィルド形態である。キャパシタＣ２ｂは、ビア部上に形成されている。

図１８の構造では、第１実施形態で述べたように、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側の貫通孔１２上に設けられるキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂの下部電極７０ａ及び７０ｂの寸法精度が低下するおそれがある。

これに対し、第４変形例に係る配線基板１では、第２面Ｓ２側のキャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、第２面Ｓ２の一部に形成される。換言すると、キャパシタＣ２ａ及びＣ２ｂは、貫通孔１２から離れた位置に形成される。これにより、下部電極７０ａ及び７０ｂは、ドライフィルムレジストのゆがみの影響を受けることなく形成される。このため、裏面側の下部電極を貫通孔上に設ける場合と比べて、下部電極７０ａ及び７０ｂの寸法精度の低下を抑制することができる。

＜１．５．４＞他の変形例
上記の配線基板１及びパッケージ化デバイスには、更に他の変形も可能である。

例えば、図１の配線基板１は、第１面Ｓ１上に、層間絶縁膜４０と導体層５０との積層体を１つのみ含んでいる。第１面Ｓ１上には、この積層体を２以上積層してもよい。或いは、この積層体は、省略してもよい。

同様に、図１の配線基板１は、第２面Ｓ２上に、層間絶縁膜９０と導体層１００との積層体を１つのみ含んでいる。第２面Ｓ２上には、この積層体を２以上積層してもよい。或いは、この積層体は、省略してもよい。

これらの場合、第１１工程の後に第５工程と同様の処理を実施して、配線基板１の表面及び裏面に更に層間絶縁膜と導体層との積層体を２以上形成してもよい。第１１工程の後では第１支持体１２１を取り外しているため、層間絶縁膜と導体層との積層体の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。

＜２＞第２実施形態
本発明の第２実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。

＜２．１＞配線基板の製造方法
図１９は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。図２０は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

第２実施形態に係る製造方法は、以下に説明するように、第１及び第２工程の代わりに第１２及び第１３工程を実施し、第６工程と第７工程との間に第１４工程を実施すること以外は、図４乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

＜２．１．１＞第１２工程
この方法では、先ず、互いに対向する第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを有しているガラス基板１０を準備する。ガラス基板１０は、第１工程で使用するものよりも厚さが小さいものであることが好ましい。例えば、厚さ１３０μｍの無アルカリガラス板の表面から、超音波洗浄などで汚染物を除去して、ガラス基板１０を得る。なお、この段階のガラス基板１０は、パッケージ化デバイスが含むガラス基板１０と比較して、厚さ方向に垂直な方向の寸法がより大きな大判のガラス基板である。

次に、図１９に示すように、第２面Ｓ２に、仮貼り用の接着剤１３２を介して第２支持体１３１を貼り合わせる。第２支持体１３１としては、例えば、薄板状のガラスキャリアを使用する。第２支持体１３１は、ガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでもよい。第２支持体１３１の厚さは、ガラス基板１０の搬送性を鑑み、０．７ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内にあることが望ましい。第２支持体１３１の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。

第１２工程により、ガラス基板１０へのレーザ光の照射の前、及びキャパシタＣ１の形成前に、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側に第２支持体１３１が設けられる。

＜２．１．２＞第１３工程
次に、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図１９に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達するが、第２支持体１３１の第２面Ｓ２と向き合った面の裏面までは到達しないように調整することが望ましい。

＜２．１．３＞第３乃至第６工程
次いで、第２支持体１３１に支持させたガラス基板１０に対して、第３乃至６工程を順次実施する。これにより、図２０に示す構造を得る。

＜２．１．４＞第１４工程
その後、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第１支持体１２１等を含んだ複合体から、第２支持体１３１と接着剤１３２とを除去する。

第１４工程により、貫通孔１２を形成する前に、第２支持体１３１が除去される。

＜２．１．５＞第７乃至第１１工程
更に、ガラス基板１０及び第１導体層２０等を含んだ複合体に対して、第７乃至第１１工程を順次実施する。これにより、図１に示す配線基板１を得る。

＜２．２＞効果
第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。

また、第２実施形態では、改質部１１を、第１面Ｓ１から伸び、第２面Ｓ２まで到達するように形成する。それ故、ガラス基板１０における改質部１１の長さにばらつきがない。従って、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較して、貫通孔１２の径のばらつきを小さくすることが容易であり、より高い加工精度を達成できる。

＜２．３＞変形例
上記の製造方法、この製造方法によって得られる配線基板、及びこの配線基板を含んだパッケージ化デバイスには、例えば、第１実施形態において説明したのと同様の変形が可能である。

＜３＞第３実施形態
本発明の第３実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。

＜３．１＞配線基板の製造方法
図２１は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。図２２は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

第３実施形態に係る製造方法は、以下に説明するように、第２工程を省略し、第６工程と第７工程との間に第１５工程を実施すること以外は、図４乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

＜３．１．１＞第１及び第３乃至第６工程
先ず、第１工程を実施し、次いで、第２工程を実施することなしに、第３工程を実施する。第３工程では、先ず、図２１の構造を得る。図２１の構造は、改質部１１が設けられていないこと以外は、図５の構造と同様である。その後、第３工程における残りの処理を実施し、更に、第４乃至第６工程をこの順に実施する。以上のようにして、図２２の構造を得る。

＜３．１．２＞第１５工程
次に、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図８に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達しないように調整することが望ましい。レーザ光の照射条件は、例えば、第２工程と同様とすることができる。

第１５工程により、第１支持体１２１を設けた後に、ガラス基板１０に第２面Ｓ２側からレーザ光を照射して、ガラス基板１０に改質部１１が形成される。

＜３．１．３＞第７乃至第１１工程
更に、ガラス基板１０及び第１導体層２０等を含んだ複合体に対して、第７乃至第１１工程を順次実施する。これにより、図１に示す配線基板１を得る。

＜３．２＞効果
第３実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。

＜３．３＞変形例
上記の製造方法、この製造方法によって得られる配線基板、及びこの配線基板を含んだパッケージ化デバイスには、例えば、第１実施形態において説明したのと同様の変形が可能である。

＜４＞第４実施形態
本発明の第４実施形態は、配線基板を以下の方法により製造すること以外は、第１実施形態と同様である。

＜４．１＞配線基板の製造方法
図２３は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における一工程を示す断面図である。図２４は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の製造方法における他の工程を示す断面図である。

第４実施形態に係る製造方法は、以下に説明するように、第１工程の代わりに第１２工程を実施し、第２工程を省略し、第６工程と第７工程との間に第１６及び第１４工程をこの順に実施すること以外は、図４乃至図１１を参照しながら説明した製造方法と同様である。

＜４．１．１＞第１２及び第３乃至第６工程
先ず、第１工程の代わりに第１２工程を実施し、次いで、第２工程を実施することなしに、第３工程を実施する。第３工程では、先ず、図２３の構造を得る。図２３の構造は、改質部１１が設けられておらず、第１面Ｓ１に耐弗酸金属層２１及び第１シード層２２がこの順に形成されていること以外は、図１９の構造と同様である。その後、第３工程における残りの処理を実施し、更に、第４乃至第６工程をこの順に実施する。以上のようにして、図２４の構造を得る。

＜４．１．２＞第１６工程
次に、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けてガラス基板１０へレーザ光を照射して、図２０に示すように、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。改質部１１は、貫通孔に対応した位置に形成する。改質部１１は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けて、例えば、ガラス基板１０の厚さ方向へ伸びている。レーザ光量は、第１面Ｓ１から伸びた改質部１１が第２面Ｓ２まで到達するが、第２支持体１３１の第２面Ｓ２と向き合った面の裏面までは到達しないように調整することが望ましい。レーザ光の照射条件は、例えば、第２工程と同様とすることができる。

＜４．１．３＞第１４及び第７乃至第１１工程
次いで、第１４工程を実施して、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第１支持体１２１等を含んだ複合体から、第２支持体１３１と接着剤１３２とを除去する。

その後、ガラス基板１０及び第１導体層２０等を含んだ複合体に対して、第７乃至第１１工程を順次実施する。これにより、図１に示す配線基板１を得る。

＜４．２＞効果
第４実施形態は、第１及び第２実施形態と同様の効果を奏する。

＜４．３＞変形例
上記の製造方法、この製造方法によって得られる配線基板、及びこの配線基板を含んだパッケージ化デバイスには、例えば、第１実施形態において説明したのと同様の変形が可能である。

以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。

＜試験１＞
図１を参照しながら説明した配線基板１を製造した。この配線基板１の層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂として、ガラス転移温度がキャパシタＣ２ｂ形成時の最大加工温度以上の絶縁樹脂（ガラス転移温度が１５０℃以上２００℃以下（以下、条件１と表記する）である絶縁樹脂）を採用した。また、層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂として、ガラス転移温度が最大加工温度よりも低い絶縁樹脂（ガラス転移温度が上記条件１を満たさない絶縁樹脂）を採用したこと以外は上記と同様の配線基板を製造した。これら配線基板１について、第１面Ｓ１上の第１導体層２０における設計値からの配線の位置ずれ量を測定した。

その結果、絶縁樹脂として、ガラス転移温度が最大加工温度よりも低い絶縁樹脂を採用した配線基板では、位置ずれ量は１０μｍであった。これに対し、図１の構造を採用した配線基板では、位置ずれ量は０μｍであった。

＜試験２＞
図１を参照しながら説明した配線基板１を５０個製造した。これら配線基板１について、ガラス基板１０上に設けられた配線とＴＧＶとの間の接続信頼性を調べた。具体的には、配線基板１の各々を熱冷衝撃試験機に取り付けて、－４０℃から＋１２５℃まで配線基板の雰囲気温度を変動させるサイクルを１０００回繰り返した。その後、上記配線とＴＧＶとの間の導通確認を行った。上記配線とＴＧＶとの間の導通は、第１導体層２０が含む配線と第３導体層７０が含む配線との間の電気抵抗をテスターで測定することにより行った。

また、図１の構造の代わりに図１３の構造を採用したこと以外は上記と同様の配線基板を５０個製造した。これらについても、上記と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線とＴＧＶとの間の接続信頼性を調べた。

更に、図１の構造の代わりに図１８の構造を採用したこと以外は上記と同様の配線基板を５０個製造した。これらについても、上記と同様の方法により、ガラス基板１０上に設けられた配線とＴＧＶとの間の接続信頼性を調べた。

その結果、図１３の構造を採用した配線基板では、導通不良の頻度は３０％であった。これに対し、図１８の構造を採用した配線基板では、導通不良の頻度は２０％であった。また、図１の構造を採用した配線基板では、導通不良の頻度は３％以下であった。

＜試験３＞
図１を参照しながら説明した配線基板１を製造した。この配線基板１の層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂としては、弾性率が６ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下、且つＣＴＥが１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下（以下、条件２と表記する）である絶縁樹脂を採用した。また、層間絶縁膜４０に用いられる絶縁樹脂として、弾性率及びＣＴＥが上記条件２を満たさない絶縁樹脂を採用したこと以外は上記と同様の配線基板を製造した。これら配線基板１について、両面に何も形成されていないガラス基板１０の第１面Ｓ１に対する、第１導体層２０、第１誘電体層２５、第２導体層３０及び層間絶縁膜４０等が形成された第１面Ｓ１の反り量を測定した。

その結果、絶縁樹脂として、弾性率及びＣＴＥが上記条件２を満たさない絶縁樹脂を採用した配線基板では、反り量は１．８ｍｍであった。これに対し、図１の構造を採用した配線基板では、反り量は１．２ｍｍであった。

１…配線基板、２…機能デバイス、３…チップ部品、４…接合用導体、５…接合用導体、１０…ガラス基板、１１…改質部、１２…貫通孔、２０…第１導体層、２０ａ…下部電極、２１…耐弗酸金属層、２２…第１シード層、２３…第１銅層、２５…第１誘電体層、３０…第２導体層、３１…第２シード層、３２…第２銅層、４０…層間絶縁膜、５０…導体層、５１…シード層、５２…銅層、６０…絶縁層、７０…第３導体層、７０ａ、７０ｂ…下部電極、７０ｃ…配線部、７０ｄ…ビア部、７０ｅ…配線部、７１…密着層、７２…第３シード層、７３…第３銅層、８０…第４導体層、８０ａ、８０ｂ…上部電極、８１…第４シード層、８２…第４銅層、９０…層間絶縁膜、１００…導体層、１０１…シード層、１０２…銅層、１１０…絶縁層、１２１…第１支持体、１２２…接着剤、１３１…第２支持体、１３２…接着剤、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面、Ｓ３…第３面、Ｓ４ａ、Ｓ４ｂ…第４面、Ｃ１、Ｃ２ａ、Ｃ２ｂ…キャパシタ、Ｌ１…ソレノイドコイル

Claims (18)

1. 第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで達する貫通孔が設けられたガラス基板と、
   前記貫通孔に設けられたビアと、
   前記第１面と向かい合う第３面が前記第１面及び前記ビアに接する第１電極と、前記第１電極の上に設けられる第１誘電体層と、前記第１誘電体層の上に設けられる第２電極とを含む第１キャパシタと、
   前記第２面と向かい合う第４面が前記第２面に接し且つ前記ビアに接していない第３電極と、前記第３電極の上に設けられる第２誘電体層と、前記第２誘電体層の上に設けられる第４電極とを含む第２キャパシタと
   を備える、配線基板。
2. 前記第１電極は、前記第１面に接する耐フッ酸金属層を含む、
   請求項１記載の配線基板。
3. 前記耐フッ酸金属層は、クロム、ニッケル、及びニッケルクロム合金からなる群より得られる材料からなる、
   請求項２記載の配線基板。
4. 前記第３電極は、前記ビアと電気的に接続されている、
   請求項１記載の配線基板。
5. 前記第１電極は、耐フッ酸金属層と、第１シード層と、第１銅層とを積層した構造を有し、
   前記第２電極は、第２シード層と、第２銅層とを積層した構造を有し、
   前記ビアは、密着層と、第３シード層と、第３銅層とを積層した構造を有し、
   前記第３電極は、前記密着層と、前記第３シード層と、前記第３銅層とを積層した構造を有し、
   前記第４電極は、第４シード層と、第４銅層とを積層した構造を有する、
   請求項１記載の配線基板。
6. 前記貫通孔は、テーパ形状を有し、前記貫通孔の前記第１面側の断面積は、前記貫通孔の前記第２面側の断面積よりも小さい、
   請求項１記載の配線基板。
7. 前記ビアは、前記貫通孔の側壁、及び前記第１電極のうち前記貫通孔に接する部分を被覆している、
   請求項１記載の配線基板。
8. 前記密着層は、チタン、クロム及びニッケルからなる群より選ばれる１以上の材料又はその酸化物からなる、
   請求項５記載の配線基板。
9. 前記貫通孔は、テーパ形状を有する第１部分と、テーパ形状を有する第２部分とを含み、
   前記第１部分の前記第２面側の断面積は、前記第１部分の前記第１面側の断面積よりも小さく、
   前記第２部分の前記第１面側の断面積は、前記第２部分の前記第２面側の断面積よりも小さい、
   請求項１記載の配線基板。
10. 前記ビアは、前記貫通孔の全体に埋め込まれている、
    請求項１記載の配線基板。
11. 前記ガラス基板の前記第１面及び前記第１キャパシタを覆う絶縁層
    を更に備え、
    前記絶縁層は、絶縁樹脂であり、
    前記絶縁樹脂のガラス転移温度は、１５０℃以上２００℃以下である、
    請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の配線基板。
12. 前記ガラス基板の前記第１面及び前記第１キャパシタを覆う絶縁層
    を更に備え、
    前記絶縁層は、絶縁樹脂であり、
    前記絶縁樹脂の弾性率は、６ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であり、
    前記絶縁樹脂の線膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、
    請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の配線基板。
13. ガラス基板にレーザ光を照射して、前記ガラス基板に改質部を形成することと、
    前記ガラス基板の第１面側において、前記改質部の上に、第１導体層と、第１誘電体層と、第２導体層とを形成して第１キャパシタを形成することと、
    前記ガラス基板の前記改質部の位置に前記第１面と前記第１面に対向する第２面とを貫通する貫通孔を形成することと、
    前記ガラス基板の前記第２面及び前記貫通孔に第３導体層を形成し、前記貫通孔内にビアを形成することと、
    前記ガラス基板の前記第２面側において、前記第３導体層の上であり且つ前記ビアと異なる位置に、第２誘電体層と、第４導体層とを形成して、第２キャパシタを形成することと
    を備える、
    配線基板の製造方法。
14. 前記第１導体層を形成することは、
    前記ガラス基板の前記第１面の上に、耐フッ酸金属層を形成することと、
    前記耐フッ酸金属層の上に、第１シード層を形成することと、
    前記第１シード層の上に、第１銅層を形成することと
    を含み、
    前記第３導体層を形成することは、
    前記ガラス基板の前記第２面及び前記貫通孔内に、密着層を形成することと、
    前記密着層の上に、第３シード層を形成することと、
    前記第３シード層の上に、第３銅層を形成することと
    を含む、
    請求項１３記載の配線基板の製造方法。
15. 前記ガラス基板への前記レーザ光の照射の前に、前記ガラス基板の前記第２面側に第１支持体を設けることと、
    前記貫通孔を形成する前に、前記第１支持体を除去することと
    を更に備える、
    請求項１３記載の配線基板の製造方法。
16. 前記第１キャパシタの形成の後に、前記ガラス基板の前記第１面側に第２支持体を設けること
    を更に備え、
    前記改質部を形成することは、前記第２支持体を設けた後に、前記ガラス基板に前記第２面側からレーザ光を照射して、前記ガラス基板に前記改質部を形成することを含む、
    請求項１３記載の配線基板の製造方法。
17. 前記第１キャパシタの形成の前に、前記ガラス基板の前記第２面側に第３支持体を設けることと、
    前記貫通孔を形成する前に、前記第３支持体を除去することと
    を更に備える、
    請求項１６記載の配線基板の製造方法。
18. 前記ガラス基板の前記第１面及び前記第１キャパシタを覆う絶縁層を形成すること
    を更に備え、
    前記絶縁層は、絶縁樹脂であり、
    前記第２キャパシタの形成は、前記絶縁樹脂のガラス転移温度以下の温度で行われる、
    請求項１３乃至請求項１７のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。