JP2022151790A - 配線基板の製造方法及び配線基板 - Google Patents
配線基板の製造方法及び配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022151790A JP2022151790A JP2022046404A JP2022046404A JP2022151790A JP 2022151790 A JP2022151790 A JP 2022151790A JP 2022046404 A JP2022046404 A JP 2022046404A JP 2022046404 A JP2022046404 A JP 2022046404A JP 2022151790 A JP2022151790 A JP 2022151790A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- hydrofluoric acid
- glass substrate
- metal film
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
【課題】ガラス基板の伝送特性や電気特性を確保しつつ、簡便に安価で製造できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する。【選択図】図１
Description
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
従来、例えば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ－Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の実装技術として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）を用いた実装技術（ＴＳＶ技術という)が知られている。貫通電極を有するシリコン基板は、例えば、インターポーザとして広く用いられている。インターポーザは、配線のデザインルールがそれぞれ異なるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）及びプリント基板のように、端子間距離が異なる基板同士を中継する基板である。
しかしながら、シリコン基板は高価であり、さらに、シリコン自体が半導体であるため、貫通電極について絶縁処理が必要となる。具体的には、ＴＳＶ技術において、シリコン基板に貫通孔を形成した後に絶縁処理を行う必要があり、基板コストが高くなるという問題がある。そこで、例えば、インターポーザのコストを低減するために、安価で大面積のガラス基板に貫通孔（ＴＧＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｇｌａｓｓ Ｖｉａ）を形成した、貫通電極付ガラス基板が注目されている。
貫通電極付ガラス基板を採用する場合、ＴＧＶ技術においては、ガラス基板に貫通孔を形成する必要がある。ガラス基板に貫通孔を形成するための技術としては、例えば、特許文献１に記載されているように、パルス発振ＹＡＧレーザの照射によって貫通孔を形成する技術が知られている。
また、特許文献２には、感光性ガラス基板に微細な孔を形成する方法が記載されている。特許文献２に記載の方法では、感光性ガラス基板上の所定位置にフォトマスクを配置して、紫外線を照射し、潜像を形成する。次に、感光性ガラス基板を加熱処理して潜像を結晶化させる。その後、潜像が形成された部分の中央に潜像より小さい加工先穴をレーザ光により形成する。次に、フッ化水素を用いてエッチングを行い、それにより結晶化された部分が選択的にエッチングされて孔が形成される。
さらに特許文献３には、板ガラス両面から相対向した同一軸心上の上下一対のコアドリルにより板ガラスに孔を形成する方法が記載されている。
一方で、特許文献４には、インダクタとキャパシタを組み合わせたＬＣフィルタをガラス基板に内蔵する方法が記載されている。キャパシタは、配線基板の多層構造と平行に、金属層、誘電体層、金属層を重ねる、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ）と呼ばれる構造が、ひとつの例となる。インダクタは、様々な形態が可能である。例えば多層配線基板の導体層に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁体層を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、さらに絶縁体層に貫通電極を形成し、両導電体層上の配線と貫通電極を接続することによって、絶縁体層をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。ＬＣフィルタは、ＬＣ周波数フィルタともいい、インダクタ（Ｌ）とキャパシタ（Ｃ）を組み合わせて、共振現象を利用して、特定の周波数に関して電気信号を回路に流し、他の周波数に関しては遮断するものであり、バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ダイプレクサの機能を有するものをいう。
ところで、ガラス基板に貫通孔を形成することにより、ガラス基板の機械的強度が低下する可能性がある。特に、厚さが３００μｍ以下のガラスを採用した場合、機械的強度の低下の影響によって、回路など導電部を形成するときの搬送工程でガラス割れが発生するおそれがあり、ガラス基板の取扱いが困難となっている。
また、ＴＳＶ技術においては、ドライエッチングを応用したＢｏｓｃｈプロセスなどの手法が、シリコン基板に貫通孔を形成する方法として確立されている。しかしドライエッチングによるガラス基板への貫通孔の形成は、長時間を要し、実用的であるとは言い難い。特に、ガラス厚３００μｍ以下への貫通孔の形成、並びにインターポーザを代表とする電子デバイス基板への応用は技術的な難易度は非常に高く実用的であるとは言い難い。
これに対し、特許文献５には、一方のガラス基板面に配線を形成した後に、貫通孔の形成とガラス基板の薄板化をエッチングにより同時に行うことで、より簡便にガラス厚３００μｍ以下のガラスコアを有するガラスデバイスの製造方法が開示されている。特許文献５の技術によれば、ガラス基板をガラスキャリアでサポートした状態で、ガラスの薄板化と貫通孔の形成を同時に実施しているため、ガラス基板上に回路などを形成するときのガラス基板の取扱いのし易さが向上する。このため、安定的にガラス基板厚３００μｍ以下の貫通電極付のガラスデバイスを形成することが可能である。
上述した製造方法によれば、耐フッ酸金属膜（例えば、クロム、ニッケル、ニッケルクロム膜）がエッチングストッパー層となり、フッ化水素溶液とガラス上に形成された配線のシード層が接して、シード層が腐食することを抑制し、耐フッ酸金属膜貫通孔の形状や寸法安定性が向上するという効果があるが、以下のような課題もある。
（１）フッ化水素溶液によるガラスのエッチング後には、耐フッ酸金属膜上にはフッ化水素溶液では除去できなかったガラスのエッチング残差が付着することがある。このエッチング残差は、耐フッ酸金属膜上に点在しており、残差が付着した状態でシード層を形成した場合、耐フッ酸金属膜とシード層との密着性が低下し、貫通孔を介する接続信頼性を低下させるおそれがある。
（２）また、エッチング残差を介して貫通孔が導通化されるため、貫通孔の導通化された部位の電気抵抗が増加し、配線基板の伝送特性や電気特性が劣化したり、および貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性が劣化するおそれがある。
（３）耐フッ酸金属膜の材料は例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムであり、シード層の材料である銅と比較して抵抗率が高いため、耐フッ酸金属膜自体が、貫通孔を介する配線および貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性の劣化の要因となる。
（４）耐フッ酸金属膜とシード層の密着性に関しても、密着性の確保のために、耐フッ酸金属膜に適した密着層形成など追加で実施する必要があり、それにより工程数が増加する。
（２）また、エッチング残差を介して貫通孔が導通化されるため、貫通孔の導通化された部位の電気抵抗が増加し、配線基板の伝送特性や電気特性が劣化したり、および貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性が劣化するおそれがある。
（３）耐フッ酸金属膜の材料は例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムであり、シード層の材料である銅と比較して抵抗率が高いため、耐フッ酸金属膜自体が、貫通孔を介する配線および貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性の劣化の要因となる。
（４）耐フッ酸金属膜とシード層の密着性に関しても、密着性の確保のために、耐フッ酸金属膜に適した密着層形成など追加で実施する必要があり、それにより工程数が増加する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を確保しつつ、簡便に安価で製造できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、代表的な本発明の配線基板の製造方法の一つは、
ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、
を有する、ことにより達成される。
ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、
を有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の製造方法の一つは、
ガラス基板を支持体に接合する工程Ｘと、
前記ガラス基板と前記支持体双方の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記支持体を剥離除去する工程Ｙと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、ことにより達成される。
ガラス基板を支持体に接合する工程Ｘと、
前記ガラス基板と前記支持体双方の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記支持体を剥離除去する工程Ｙと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むMIMコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むMIMコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層でソレノイドコイルが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層でソレノイドコイルが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層又は前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層でソレノイドコイルが形成され、前記ＭＩＭコンデンサと前記ソレノイドコイルでＬＣフィルタが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層又は前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層でソレノイドコイルが形成され、前記ＭＩＭコンデンサと前記ソレノイドコイルでＬＣフィルタが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされており、前記貫通孔内は前記貫通電極のみで構成されている、ことにより達成される。
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされており、前記貫通孔内は前記貫通電極のみで構成されている、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされており、前記貫通孔内は前記貫通電極および前記貫通孔内に充填された絶縁樹脂で構成されている、ことにより達成される。
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされており、前記貫通孔内は前記貫通電極および前記貫通孔内に充填された絶縁樹脂で構成されている、ことにより達成される。
本発明によれば、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を確保しつつ、簡便に安価で製造できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１を参照して、第１実施形態を説明する。
図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１を参照して、第１実施形態を説明する。
（工程１）
厚さ５００μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１に対し、第一面１ａ側からレーザ光を照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、第一面１ａから、例えば垂直方向に対向する面１ｂに向かって延在し、その端がガラス基板１に留まるように、レーザ光量を調整する。
厚さ５００μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１に対し、第一面１ａ側からレーザ光を照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、第一面１ａから、例えば垂直方向に対向する面１ｂに向かって延在し、その端がガラス基板１に留まるように、レーザ光量を調整する。
なお、ここで用いるレーザの波長は５３５ｎｍ以下とするが、好ましいレーザの波長は３５５ｎｍ、以上５３５ｎｍ以下の範囲である。レーザの波長が３５５ｎｍ未満では十分なレーザ出力を得ることが難しく、安定的なレーザ改質が難しくなるおそれがある。一方、レーザの波長が５３５ｎｍより大きくなると、照射スポットが大きくなり小範囲のレーザ改質の形成が難しくなり、また、熱の影響により改質加工ではなく、マイクロクラックが発生しガラス基板が割れやすくなる。
また、パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅はピコ秒からフェムト秒の範囲であることが望ましい。レーザパルス幅がナノ秒以上になると、１パルス当たりのエネルギー量の制御が困難となり、マイクロクラックが発生しガラス基板１が割れやすくなる。
また、レーザパルスのエネルギーは、ガラスの材質や、どのようなレーザ改質を形成するかに応じて好ましい値が選択され、例えば５μＪ以上、１５０μＪ以下の範囲であると好ましい。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するようにレーザ改質部の長さを長くすることが可能となる。
なお、本実施形態においては、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程を工程Ａと称する。工程Ａは、上述の工程１に対応しているが、工程１の開示内容は工程Ａを限定するものではない。
なお、本実施形態においては、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程を工程Ａと称する。工程Ａは、上述の工程１に対応しているが、工程１の開示内容は工程Ａを限定するものではない。
（工程２）
次に、ガラス基板１の第一面１ａにスパッタ法などにより、耐フッ酸金属膜３を１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で形成する。その後、耐フッ酸金属膜３上にスパッタ法および無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、図１（ｂ）に示すように、耐フッ酸金属膜３上にシード層４を形成する。耐フッ酸金属膜３の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定する。
次に、ガラス基板１の第一面１ａにスパッタ法などにより、耐フッ酸金属膜３を１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で形成する。その後、耐フッ酸金属膜３上にスパッタ法および無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、図１（ｂ）に示すように、耐フッ酸金属膜３上にシード層４を形成する。耐フッ酸金属膜３の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定する。
（工程３）
次に、ガラス基板１の第一面１ａにパターンのフォトレジストを形成する。一例として昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（製品名ＲＤ１２２５）を用いて、第一面１ａ側のラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層４を露出させる。さらに、シード層４に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層４をエッチングすることによって、図１（ｃ）に示すように、耐フッ酸金属膜３とシード層４と銅層５とを積層した配線を、第一面１ａに形成する。
次に、ガラス基板１の第一面１ａにパターンのフォトレジストを形成する。一例として昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（製品名ＲＤ１２２５）を用いて、第一面１ａ側のラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層４を露出させる。さらに、シード層４に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層４をエッチングすることによって、図１（ｃ）に示すように、耐フッ酸金属膜３とシード層４と銅層５とを積層した配線を、第一面１ａに形成する。
ここで、第一面１aには、配線の他にキャパシタを形成しても良い。キャパシタについては、前述のように、二枚の導体板の間に誘電体を挟んだMIM構造とする。キャパシタの例としては、図２に示したように、ガラス基板１直上に、又はガラス基板１上に形成した絶縁樹脂層の上に、下電極６を形成し、下電極６の上に誘電体７を積層し、さらにその上に上電極８を積層したものである。下電極６と上電極８は、一般的に、前述の無電解ニッケルめっきやスパッタリング法などにより形成した薄い金属薄膜であるシード層と、そのシード層の上に形成した電解銅めっきなどの導電層からなる多層構造を有する。キャパシタのキャパシタンスは、誘電体７の誘電率と、下電極６に重なる上電極８の面積と、下電極６と上電極８との間隔により決定される。キャパシタは、ガラス基板１の第一面１aおよび第二面１ｂ’のいずれの側にも設けることができる。
また、下電極６の形成位置は任意であるが、下電極６からガラス基板１の第二面１ｂ’側に配線を接続する場合には、配線による電気抵抗抑制および配線長の短縮のため、図２に示したように、詳細を後述する貫通孔１５直上に形成することが好ましい。
（工程４）
次に、一例として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂９（製品名ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）を配線上にラミネートしプリキュア後に、レーザ加工によって絶縁樹脂９に対しブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施しレーザにより発生した残差物を除去し、スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、シード層を形成する。シード層上に昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジスト（製品名ＲＤ１２２５）をラミネートして、パターンを描画後、現像する。シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングして配線形成を行う。配線形成後にソルダーレジスト１０を形成し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターンニングし、図１（ｄ）に示すように、第一面１ａ側の配線である第一面配線層１１を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程を工程Bと称する。工程Bは、上述の工程２～４に対応しているが、工程２～４の開示内容は工程Bを限定するものではない。
次に、一例として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂９（製品名ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）を配線上にラミネートしプリキュア後に、レーザ加工によって絶縁樹脂９に対しブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施しレーザにより発生した残差物を除去し、スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、シード層を形成する。シード層上に昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジスト（製品名ＲＤ１２２５）をラミネートして、パターンを描画後、現像する。シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングして配線形成を行う。配線形成後にソルダーレジスト１０を形成し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターンニングし、図１（ｄ）に示すように、第一面１ａ側の配線である第一面配線層１１を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程を工程Bと称する。工程Bは、上述の工程２～４に対応しているが、工程２～４の開示内容は工程Bを限定するものではない。
（工程５）
次に、図１（ｅ）に示すように、第一面配線層１１上に、仮貼り用の接着剤１３（例えば日東電工社製の製品名リバアルファ）を介してガラスキャリア１４を貼り合わせる。ガラスキャリア１４の厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラスキャリア１４の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラスキャリア１４を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
次に、図１（ｅ）に示すように、第一面配線層１１上に、仮貼り用の接着剤１３（例えば日東電工社製の製品名リバアルファ）を介してガラスキャリア１４を貼り合わせる。ガラスキャリア１４の厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラスキャリア１４の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラスキャリア１４を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
（工程６）
次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１（ｆ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１（ｆ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
フッ化水素溶液によるエッチング量は、最終形態の配線基板の厚さに応じて適宜設定して構わない。例えば、工程１で用いたガラス基板１の厚さが４００μｍの場合、そのエッチング量は１００μｍ以上、３５０μｍ以下の範囲であることが望ましい。
薄板化後のガラス基板１の厚さは、５０μｍ以上、３００μｍ以下が好ましい。また、フッ化水素溶液によるエッチング液は、フッ化水素溶液として、硝酸、塩酸及び硫酸からなる群から選ばれる１種以上の無機酸を含む。
フッ化水素酸濃度は例えば１.０ｗｔ％以上、６.０ｗｔ％以下であり、好ましくは２.０ｗｔ％以上、５.０ｗｔ％以下が望ましい。また、無機酸濃度は１.０ｗｔ％以上、２０.０ｗｔ％以下の範囲であり、好ましくは３.０ｗｔ％以上、１６.０ｗｔ％以下が望ましい。上記範囲に設定したフッ化水素溶液で、尚且つエッチングレートが１.０μｍ/ｍｉｎ以下とすることが望ましい。エッチングの際のエッチング液の温度は、１０℃以上、４０℃以下が望ましい。
なお、本実施形態においては、前記第一面１aとは反対側の面１ｂをエッチングすることにより、前記レーザ改質部２に貫通孔１５を形成するとともに、前記ガラス基板１の第一面１aに対向する第二面１ｂ’を形成する工程を工程Cと称する。工程Cは、上述の工程６に対応しているが、工程６の開示内容は工程Cを限定するものではない。
なお、本実施形態においては、前記第一面１aとは反対側の面１ｂをエッチングすることにより、前記レーザ改質部２に貫通孔１５を形成するとともに、前記ガラス基板１の第一面１aに対向する第二面１ｂ’を形成する工程を工程Cと称する。工程Cは、上述の工程６に対応しているが、工程６の開示内容は工程Cを限定するものではない。
（工程７：貫通孔処理工程）
さらに本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）を除去するため、貫通孔処理工程として、表面改質処理を行う。より具体的には、貫通孔１５に対してＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを供給しつつ、プラズマを照射する（プラズマ処理を行う）ことで、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去し、さらに耐フッ酸金属膜３の表面の濡れ性を高める。
さらに本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）を除去するため、貫通孔処理工程として、表面改質処理を行う。より具体的には、貫通孔１５に対してＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを供給しつつ、プラズマを照射する（プラズマ処理を行う）ことで、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去し、さらに耐フッ酸金属膜３の表面の濡れ性を高める。
表面改質処理としては、乾式法などガラスのエッチング残差が除去できる方法であれば、方式は特に指定されない。ただし、ガラスのエッチング残差のみを除去し、耐フッ酸金属膜３は除去しない選択性を有すると好ましい。貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有するため、耐フッ酸金属膜３に対するプラズマの照射効率が向上し、ガラスのエッチング残差を除去しやすい。このようにすることで、耐フッ酸金属膜３からガラスのエッチング残差を除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。また、プラズマ処理により耐フッ酸金属膜３の濡れ性を高めることで、後工程における導体層形成時のめっき不良などを抑制できる。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’にスパッタ法などにより、貫通孔１５の表面に銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。貫通孔１５が円錐台形状を有するため、直線的に飛散する成膜粒子を遮ることが抑制され、効率的にシード層の形成が可能になる。ただし、無電解めっき法によりシード層を形成してもよい。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
（工程８）
次に、工程３及び工程４と同様に、第二面１ｂ’にドライフィルムレジストでパターン形成し、シード層１６に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきをし、銅層１７を形成した後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して、図１（ｇ）に示すように、貫通電極１８を形成する。その後不要となったシード層１６を除去し、絶縁樹脂９、もしくはソルダーレジスト１０等の外層保護膜をコートすることで、図１（ｈ）に示すように、第二面配線層１９を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程を工程Ｅと称する。工程Ｅは、上述の工程８に対応しているが、工程８の開示内容は工程Ｅを限定するものではない。
次に、工程３及び工程４と同様に、第二面１ｂ’にドライフィルムレジストでパターン形成し、シード層１６に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきをし、銅層１７を形成した後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して、図１（ｇ）に示すように、貫通電極１８を形成する。その後不要となったシード層１６を除去し、絶縁樹脂９、もしくはソルダーレジスト１０等の外層保護膜をコートすることで、図１（ｈ）に示すように、第二面配線層１９を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程を工程Ｅと称する。工程Ｅは、上述の工程８に対応しているが、工程８の開示内容は工程Ｅを限定するものではない。
ここで、第二面１ｂ’には、配線の他にキャパシタ、インダクタを形成しても良い。インダクタについては、らせん状のコイルと同様の性能を、貫通孔１５を備えたガラス基板１に内蔵することができる。図４は、２列に並んだ貫通孔１５を有する平行平板状のガラス基板１を透明化して、ガラス基板１に形成された貫通孔１５を使用してらせん状のコイルを形成した状態を例示している。具体的には、図示していないガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）において、らせん状のコイルを巻回する方向において隣接する貫通孔１５の開口部同士を接続するように配線２７を形成する。またガラス基板１の表裏面を連通する貫通孔１５の内壁に導体層を形成し、貫通電極１８とする。
この様にして、ガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）に形成された配線２７を、貫通電極１８によって順次、直列に接続することにより、らせん状のコイルを作製することができる。インダクタの特性は、たとえば巻き数を変えることで調整することができる。また、インダクタは前述の形態に限定されず、ガラス基板１の第一面配線層１１および第二面配線層１９に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁樹脂９を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、絶縁樹脂９にブラインドビアおよび貫通電極を形成し、両導体層上の配線を貫通電極により接続することによって、絶縁樹脂９をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。
この様にして、ガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）に形成された配線２７を、貫通電極１８によって順次、直列に接続することにより、らせん状のコイルを作製することができる。インダクタの特性は、たとえば巻き数を変えることで調整することができる。また、インダクタは前述の形態に限定されず、ガラス基板１の第一面配線層１１および第二面配線層１９に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁樹脂９を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、絶縁樹脂９にブラインドビアおよび貫通電極を形成し、両導体層上の配線を貫通電極により接続することによって、絶縁樹脂９をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。
また、貫通電極１８は、図５Ａに示すように、貫通孔１５の側壁に沿って電解めっき膜の銅層１７が形成され絶縁樹脂９が充填されたコンフォーマル形態、または図５Ｂに示すように、貫通孔１５内部全体を電解めっき膜の銅層１７で形成されたフィルド形態のどちらかを選択することができる。なお、図５Ｂに示すフィルド形態では貫通孔１５内部全体が電気抵抗が低い銅層１７で形成されているため、図５Ａに示すコンフォーマル形態と比較して貫通電極１８の電気特性や伝送特性を向上することができる。
また、図３のように、（ｂ）X字型、（ｃ）くびれ型の形状では径（断面）が極小となる位置が、第一面１ａから第二面１ｂ’側に移動するため、貫通電極１８と第一面１ａ界面に発生する応力を、（ａ）Ｖ字型と比較して小さくすることができ、貫通孔１５を介する接続信頼性を向上させることができる。
また、図３のように、（ｂ）X字型、（ｃ）くびれ型の形状では径（断面）が極小となる位置が、第一面１ａから第二面１ｂ’側に移動するため、貫通電極１８と第一面１ａ界面に発生する応力を、（ａ）Ｖ字型と比較して小さくすることができ、貫通孔１５を介する接続信頼性を向上させることができる。
ここで、第二面１ｂ’の給電用のシード層１６は、その後の工程でフッ酸水素溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属膜３と異なる材料からなる金属層が形成される。耐フッ酸金属と異なる材料としては、Ｔｉ、Ｃｕ、無電解Ｎｉ等が例示され、そのような材料からなる、少なくとも１層以上の金属層が少なくとも貫通孔１５の内周面に形成される。
材料、層数等は、上述のものに限られず、図１（ｈ）に示すように、必要に応じて材料、積層数を設定して構わない。第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９については、少なくとも一層以上積層されており、必要に応じて積層数を設定して構わない。また、第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９のうち、絶縁樹脂９上に平面状（例えば渦巻き状）のスパイラルコイル素子（第一面配線層と貫通電極と第二面配線層とで形成されるソレノイドコイル）や前述のMIMキャパシタ素子（ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサ）を形成することもでき、またソレノイドコイルとＭＩＭコンデンサとからなるＬＣフィルタを形成することもできる。また、上述の通り、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
（工程９）
さらに、図１（ｉ）に示すように、工程５で仮貼りしていたガラスキャリア１４を取り外し、貫通電極１８によって導通した第一面配線層１１及び第二面配線層１９を両面に形成した配線基板２０を完成させる。なお、工程９の後に工程４の方法で、配線基板２０の表裏にさらに配線層を複数層形成してもよい。工程９の後ではガラスキャリア１４を取り外しているため、配線層の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。また、工程９では、ガラス基板１表裏に配線層が形成されているため、配線基板２０の機械的強度がガラス基板１のみと比較して向上し、回路など導電部を形成するときの搬送工程でのガラス割れの発生を抑制できる。また、配線基板２０には外部接続端子１２を形成することも可能であり、さらに、外部接続端子１２にはんだボール２１を形成することも可能である。
さらに、図１（ｉ）に示すように、工程５で仮貼りしていたガラスキャリア１４を取り外し、貫通電極１８によって導通した第一面配線層１１及び第二面配線層１９を両面に形成した配線基板２０を完成させる。なお、工程９の後に工程４の方法で、配線基板２０の表裏にさらに配線層を複数層形成してもよい。工程９の後ではガラスキャリア１４を取り外しているため、配線層の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。また、工程９では、ガラス基板１表裏に配線層が形成されているため、配線基板２０の機械的強度がガラス基板１のみと比較して向上し、回路など導電部を形成するときの搬送工程でのガラス割れの発生を抑制できる。また、配線基板２０には外部接続端子１２を形成することも可能であり、さらに、外部接続端子１２にはんだボール２１を形成することも可能である。
（工程１０）
図１（ｊ）に示すように、配線基板２０の片面または両面に既存の実装技術を用いて半導体チップ２２、チップ部品２３を搭載し、ＭＩＭコンデンサ、ソレノイドコイル、ＬＣフィルタなどを搭載した高周波デバイス２４を完成させる。
図１（ｊ）に示すように、配線基板２０の片面または両面に既存の実装技術を用いて半導体チップ２２、チップ部品２３を搭載し、ＭＩＭコンデンサ、ソレノイドコイル、ＬＣフィルタなどを搭載した高周波デバイス２４を完成させる。
図６は、本実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。図６に示すように、ガラス基板１の第一面１ａ側において、貫通孔１５を覆うようにして耐フッ酸金属膜３が形成され、その上方にシード層４が積層され、さらにその上方に銅層５が形成されている。また、ガラス基板１の貫通孔１５の内周、耐フッ酸金属膜３の表面、及び第二面１ｂ’側における貫通孔１５の周囲には、給電用のシード層１６が形成されている。
本実施形態によれば、表面改質処理により、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差が除去されているため、貫通孔１５内に露出した耐フッ酸金属膜３と、シード層１６とが完全に密着しており、これにより配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
さらに本実施形態によれば、貫通電極１８と銅層５との間に、耐フッ酸金属膜３を含む２層以上の導体層（シード層４）が形成されており、ガラス基板1の第一面１ａ上に耐フッ酸金属膜３を形成することで、銅層５の密着性を高めることができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を説明する。図７は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。第２実施形態においては、上述した第１実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８，９については共通するため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第２実施形態を説明する。図７は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。第２実施形態においては、上述した第１実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８，９については共通するため、重複する説明は省略する。
(工程７：貫通孔処理工程（ドライエッチング処理）)
本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去するとともに、耐フッ酸金属膜３の一部を除去すべく、ドライエッチング処理を行う。ドライエッチングとしては、乾式法など耐フッ酸金属膜が除去できる方法であれば、方式は特に指定されない。例えば、反応性イオンエッチングやスパッタエッチングが好適に用いられる。貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有するため、イオンやスパッタが耐フッ酸金属膜３に届きやすくなる。このようにすることで、ガラスのエッチング残差および抵抗率が高い金属膜の一部を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去するとともに、耐フッ酸金属膜３の一部を除去すべく、ドライエッチング処理を行う。ドライエッチングとしては、乾式法など耐フッ酸金属膜が除去できる方法であれば、方式は特に指定されない。例えば、反応性イオンエッチングやスパッタエッチングが好適に用いられる。貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有するため、イオンやスパッタが耐フッ酸金属膜３に届きやすくなる。このようにすることで、ガラスのエッチング残差および抵抗率が高い金属膜の一部を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
ここで、貫通孔１５の耐フッ酸金属膜３の厚さは貫通孔１５以外の部分の厚さよりも薄くなっており、且つ貫通孔１５の耐フッ酸金属膜３はドライエッチングにより、貫通孔端部から垂直（略垂直を含む）にエッチングされている。すなわち、耐フッ酸金属膜３に形成された有底開口３ａ（図８）の内周は、第一面１ａに対して垂直である。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’にスパッタ法などにより、有底開口３ａの内面及び貫通孔１５の内表面に銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。耐フッ酸金属膜３はドライエッチングにより、貫通孔１５端部から第一面１ａに対して垂直にエッチングされている。貫通孔１５が円錐台形状であることも相まって、スパッタ法にてシード層１６を形成する際に、直線的に飛散する成膜粒子を遮ることが抑制され、貫通孔１５底部の成膜材料の付きまわり性が向上し、貫通孔１５部のボイド発生が抑制され、貫通電極１８の接続信頼性が向上する。ただし、無電解めっき法によりシード層１６を形成してもよい。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜３の一部を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜３の一部を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
また、処理後の耐フッ酸金属膜３は、処理前に比べて５０％以下の厚さであれば貫通孔１５を介する電気特性の低下を抑制できる。しかし耐フッ酸金属膜３の厚さが５０％を超えると、エッチング残差によっては十分に除去できず、金属との密着性の確保や良好な電気特性の確保を行えないおそれがある。
さらに本実施形態によれば、貫通電極１８と銅層５との間に、耐フッ酸金属膜３を含む２層以上の導体層（シード層４）が形成されており、ガラス基板1の第一面１ａ上に耐フッ酸金属膜３を形成することで、銅層５の密着性を高めることができる。
図８は、本実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。
また、図９は、比較例である配線基板の貫通孔近傍における断面図である。図９の比較例の製造においては、工程７を実施しない以外、本実施形態と同じ工程により形成する。
また、図９は、比較例である配線基板の貫通孔近傍における断面図である。図９の比較例の製造においては、工程７を実施しない以外、本実施形態と同じ工程により形成する。
図８に示すように、ガラス基板１の第一面１ａ側において、貫通孔１５を覆うようにして耐フッ酸金属膜３が形成され、その上方にシード層４が積層され、さらにその上方に銅層５が形成されている。また、ガラス基板１の貫通孔１５の内周、耐フッ酸金属膜３の表面、及び第二面側における貫通孔１５の周囲には、給電用のシード層１６が形成されている。
本実施の形態によれば、ドライエッチング処理工程により、耐フッ酸金属膜３の厚さは、貫通孔１５の上縁内側の部位において、貫通孔１５の上縁外側の部位よりも薄くなる。また、ドライエッチングの異方性により、耐フッ酸金属膜３は第一面１ａに対して略直交するようにエッチングされる。
図９に示す比較例によれば、ドライエッチング処理工程を経ていないため、貫通孔１５の上縁内周側において耐フッ酸金属膜３の下面に、ガラスのエッチング残差ＧＥＲが残存している。比較例によれば、エッチング残差ＧＥＲが、耐フッ酸金属膜３とシード層１６との間に介在することで、貫通電極１８における伝送特性や電気特性が悪化する。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性が悪化する。
これに対し本実施形態によれば、ドライエッチング処理工程により、耐フッ酸金属膜３の表面をエッチングしているため、比較例が有するようなガラスのエッチング残差ＧＥＲを完全に除去することができ、それにより配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
さらに、図９の比較例によれば、銅などと比較して電気抵抗が大きい耐フッ酸金属膜３が、膜厚が厚い状態で残存する。これに対し本実施形態によれば、耐フッ酸金属膜３の一部が除去されて薄肉となるから、配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
＜第３実施形態＞
次に、図１０は、第３実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１０を参照して、本発明の第３実施形態を説明する。第３実施形態においては、上述した第１実施形態に対して工程１と工程６のみが異なり、工程２～５、工程７～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
次に、図１０は、第３実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１０を参照して、本発明の第３実施形態を説明する。第３実施形態においては、上述した第１実施形態に対して工程１と工程６のみが異なり、工程２～５、工程７～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
（工程１）
厚さ１３０μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１０（a）に示すように、第一面と反対面１ｂ上に、仮貼り用の接着剤２５を介してガラス基板固定用ガラスキャリア２６を貼り合わせる。ガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは、加工時の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラス基板固定用ガラスキャリア２６を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
次に、ガラス基板１に対し、第一面１ａ側からレーザ光を照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、第一面１ａから、例えば垂直方向に対向する面１ｂに向かって延在し、その端がガラス基板１を通過し、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６に留まるように、レーザ光量を調整する。
厚さ１３０μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１０（a）に示すように、第一面と反対面１ｂ上に、仮貼り用の接着剤２５を介してガラス基板固定用ガラスキャリア２６を貼り合わせる。ガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは、加工時の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラス基板固定用ガラスキャリア２６を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
次に、ガラス基板１に対し、第一面１ａ側からレーザ光を照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、第一面１ａから、例えば垂直方向に対向する面１ｂに向かって延在し、その端がガラス基板１を通過し、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６に留まるように、レーザ光量を調整する。
（工程６）
図１０（ｆ）に示すように、工程１で仮貼りしていたガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外し、ガラス基板１を露出させる。次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１０（ｇ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
図１０（ｆ）に示すように、工程１で仮貼りしていたガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外し、ガラス基板１を露出させる。次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１０（ｇ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
ここで、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６にガラス基板１を形成してから、レーザ改質部を形成し、フッ化水素溶液によるエッチング前にガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外すことにより、ガラス基板１のレーザ改質部２は深さ方向に対して全面に形成されるため、第１実施形態と比較して改質部の深さばらつきが低減される。そのため、フッ化水素溶液によるエッチング後に形成される貫通孔の径のばらつきが抑制され、加工精度が向上する。
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態を説明する。第４実施形態においては、上述した第１実施形態および第２実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第４実施形態を説明する。第４実施形態においては、上述した第１実施形態および第２実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
(工程７：貫通孔処理工程（ドライエッチング処理））
本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去するとともに、貫通した開口が形成されるまで耐フッ酸金属膜３を除去すべく、ドライエッチングを行う。ドライエッチングとしては、乾式法など耐フッ酸金属膜が除去できる方法であれば、方式は特に指定されない。例えば、反応性イオンエッチングやスパッタエッチングが好適に用いられる。このようにすることで、ガラスのエッチング残差および抵抗率が高い金属膜を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去するとともに、貫通した開口が形成されるまで耐フッ酸金属膜３を除去すべく、ドライエッチングを行う。ドライエッチングとしては、乾式法など耐フッ酸金属膜が除去できる方法であれば、方式は特に指定されない。例えば、反応性イオンエッチングやスパッタエッチングが好適に用いられる。このようにすることで、ガラスのエッチング残差および抵抗率が高い金属膜を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’にスパッタ法などにより、貫通開口３ｂの内周面及び貫通孔１２の内表面に銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。耐フッ酸金属膜３はドライエッチングにより、貫通孔端部から第一面１ａに対して垂直にエッチングされている。貫通孔１５が円錐台形状であることも相まって、スパッタ法にてシード層を形成する際に、直線的に飛散する成膜粒子を遮ることが抑制され、貫通孔１５底部の成膜材料の付きまわり性が向上し、貫通孔１５部のボイド発生が抑制され、貫通電極１８の接続信頼性が向上する。ただし、無電解めっき法によりシード層１６を形成してもよい。
本実施形態においては、第２実施形態に対して、耐フッ酸金属膜３のエッチング時間を長くしている。このため、貫通孔１５に露出した耐フッ酸金属膜３が貫通して開口が形成され、その裏面側にあるシード層４が露出する。これにより、給電用のシード層１６が貫通孔１５の内周に形成されるとともに、耐フッ酸金属膜３の貫通した開口の内側、及びシード層４の表面まで形成される。
図１１は、本実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。本実施形態のドライエッチング処理工程によれば、ガラスのエッチング残差および抵抗率が高い耐フッ酸金属膜３を一度に除去することができるため、貫通電極１８の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。そのため、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
言い換えると、ガラス基板１の第一面１ａ側のシード層４と、第二面１ｂ’側から貫通孔１５を通って延在する給電用のシード層１６とが、例えば共通する素材同士で耐フッ酸金属膜３を介することなく直接接続されるため、貫通電極１８の伝送特性、電気特性がさらに向上する。そのため、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。また、耐フッ酸金属膜３を除去するため、耐フッ酸金属膜３との密着性確保のための、密着層形成などを追加で実施する必要がなくなり、工程数の増加を抑制することが可能となる。
さらに、本実施形態のドライエッチング処理工程を経ることにより、貫通孔１５部の耐フッ酸金属膜３は、貫通孔１５の上端から第一面１ａに対して垂直にエッチングされた貫通開口３ｂを有する。このことにより、スパッタ法にてシード層を形成した場合の貫通孔底部の成膜材料の成膜材料の付きまわり性が向上し、貫通孔部のボイド発生が抑制され、貫通電極１８の接続信頼性が向上する。
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態を説明する。第５実施形態においては、上述した第３実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第２実施形態の工程７と共通する。そのため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第５実施形態を説明する。第５実施形態においては、上述した第３実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第２実施形態の工程７と共通する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態を説明する。第６実施形態においては、上述した第３実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第４実施形態の工程７と共通する。そのため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第６実施形態を説明する。第６実施形態においては、上述した第３実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第４実施形態の工程７と共通する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第７実施形態＞
図１２は、第７実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。第７実施形態は、第１実施形態における工程１のレーザ改質工程をガラス基板１に支持体を張り付け後に行う点で異なっている。以下、図１２を参照して、第７実施形態を説明する。
図１２は、第７実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。第７実施形態は、第１実施形態における工程１のレーザ改質工程をガラス基板１に支持体を張り付け後に行う点で異なっている。以下、図１２を参照して、第７実施形態を説明する。
（工程１）
厚さ５００μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。
厚さ５００μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。
さらに、ガラス基板１の第一面１ａにスパッタ法などにより、耐フッ酸金属膜３を１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で形成する。その後、耐フッ酸金属膜３上にスパッタ法および無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、図１２（ａ）に示すように、耐フッ酸金属膜３上にシード層４を形成する。耐フッ酸金属膜３の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定する。
（工程２）
次に、ガラス基板１の第一面１ａにパターンのフォトレジストを形成する。一例として昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（製品名ＲＤ１２２５）を用いて、第一面１ａ側のラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層４を露出させる。シード層４に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層４をエッチングすることによって、図１２（ｂ）に示すように、耐フッ酸金属膜３とシード層４と銅層５とを積層した配線を、第一面１ａに形成する。
次に、ガラス基板１の第一面１ａにパターンのフォトレジストを形成する。一例として昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（製品名ＲＤ１２２５）を用いて、第一面１ａ側のラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層４を露出させる。シード層４に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層４をエッチングすることによって、図１２（ｂ）に示すように、耐フッ酸金属膜３とシード層４と銅層５とを積層した配線を、第一面１ａに形成する。
ここで、第一面１aには、配線の他にキャパシタを形成しても良い。キャパシタについては、前述のように、二枚の導体板の間に誘電体を挟んだMIM構造とする。キャパシタの例としては、図２に示したように、ガラス基板１直上に、又はガラス基板１上に形成した絶縁樹脂層の上に、下電極６を形成し、下電極６の上に誘電体７を積層し、さらにその上に上電極８を積層したものである。下電極６と上電極８は、一般的に、前述の無電解ニッケルめっきやスパッタリング法などにより形成した薄い金属薄膜であるシード層と、そのシード層の上に形成した電解銅めっきなどの導電層からなる多層構造を有する。キャパシタのキャパシタンスは、誘電体７の誘電率と、下電極６に重なる上電極８の面積と、下電極６と上電極８との間隔により決定される。キャパシタは、ガラス基板１の第一面１aおよび第二面１ｂ’のいずれの側にも設けることができる。
また、下電極６の形成位置は任意であるが、下電極６からガラス基板１の第二面１ｂ’側に配線を接続する場合には、配線による電気抵抗抑制および配線長の短縮のため、図２に示したように、貫通孔１５直上に形成することが好ましい。
（工程３）
次に、一例として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂９（製品名ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）を配線上にラミネートしプリキュア後に、レーザ加工によって絶縁樹脂９に対しブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施しレーザにより発生した残差物を除去し、スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、シード層を形成する。シード層上に昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジスト（製品名ＲＤ１２２５）をラミネートして、パターンを描画後、現像する。シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングして配線形成を行う。配線形成後にソルダーレジスト１０を形成し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターンニングし、図１２（ｃ）に示すように、第一面１ａ側の配線である第一面配線層１１を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程を工程Ｂと称する。工程Ｂは、上述の工程１～３に対応しているが、工程１～３の開示内容は工程Ｂを限定するものではない。
次に、一例として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂９（製品名ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）を配線上にラミネートしプリキュア後に、レーザ加工によって絶縁樹脂９に対しブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施しレーザにより発生した残差物を除去し、スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、シード層を形成する。シード層上に昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジスト（製品名ＲＤ１２２５）をラミネートして、パターンを描画後、現像する。シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングして配線形成を行う。配線形成後にソルダーレジスト１０を形成し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターンニングし、図１２（ｃ）に示すように、第一面１ａ側の配線である第一面配線層１１を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程を工程Ｂと称する。工程Ｂは、上述の工程１～３に対応しているが、工程１～３の開示内容は工程Ｂを限定するものではない。
（工程４）
次に、図１２（ｄ）に示すように、第一面配線層１１上に、仮貼り用の接着剤１３（例えば日東電工社製の製品名リバアルファ）を介してガラスキャリア１４を貼り合わせる。ガラスキャリア１４の厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラスキャリア１４の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラスキャリア１４を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
次に、図１２（ｄ）に示すように、第一面配線層１１上に、仮貼り用の接着剤１３（例えば日東電工社製の製品名リバアルファ）を介してガラスキャリア１４を貼り合わせる。ガラスキャリア１４の厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラスキャリア１４の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラスキャリア１４を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
（工程５）
次に、図１２（ｅ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａとは反対側の面１ｂからレーザを照射し、ガラス基板１に対し貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、工程１で形成した耐フッ酸金属膜３に対して垂直に形成し、下端が、ガラス基板１の内部に留まるように、レーザ光量を調整する。使用するレーザについては、第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程を工程Ａと称する。工程Ａは、上述の工程５に対応しているが、工程５の開示内容は工程Ａを限定するものではない。
次に、図１２（ｅ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａとは反対側の面１ｂからレーザを照射し、ガラス基板１に対し貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、工程１で形成した耐フッ酸金属膜３に対して垂直に形成し、下端が、ガラス基板１の内部に留まるように、レーザ光量を調整する。使用するレーザについては、第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程を工程Ａと称する。工程Ａは、上述の工程５に対応しているが、工程５の開示内容は工程Ａを限定するものではない。
（工程６）
次に、第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。レーザ改質部２が形成されていない部分のガラスはフッ化水素溶液によってエッチングされ、図１２（ｆ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。使用するフッ化水素溶液については、第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、前記第一面１aとは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に２貫通孔１５を形成するとともに、前記ガラス基板１の第一面１aに対向する第二面１ｂ’を形成する工程を工程Ｃと称する。工程Ｃは、上述の工程６に対応しているが、工程６の開示内容は工程Ｃを限定するものではない点も第１の実施形態の場合と同様である。
次に、第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。レーザ改質部２が形成されていない部分のガラスはフッ化水素溶液によってエッチングされ、図１２（ｆ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。使用するフッ化水素溶液については、第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、前記第一面１aとは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に２貫通孔１５を形成するとともに、前記ガラス基板１の第一面１aに対向する第二面１ｂ’を形成する工程を工程Ｃと称する。工程Ｃは、上述の工程６に対応しているが、工程６の開示内容は工程Ｃを限定するものではない点も第１の実施形態の場合と同様である。
（工程７：貫通孔処理工程）
さらに本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）を除去するため、貫通孔処理工程として、表面改質処理を行う。より具体的には、貫通孔１５に対してＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを供給しつつ、プラズマを照射する（プラズマ処理を行う）ことで、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去し、さらに耐フッ酸金属膜３の表面の濡れ性を高める。このようにすることで、ガラスのエッチング残差を除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
さらに本実施形態においては、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）を除去するため、貫通孔処理工程として、表面改質処理を行う。より具体的には、貫通孔１５に対してＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを供給しつつ、プラズマを照射する（プラズマ処理を行う）ことで、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差を除去し、さらに耐フッ酸金属膜３の表面の濡れ性を高める。このようにすることで、ガラスのエッチング残差を除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’にスパッタ法などにより、貫通孔１５の内表面に銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。貫通孔１５が円錐台形状を有するため、直線的に飛散する成膜粒子を遮ることが抑制され、効率的にシード層の形成が可能になる。ただし、無電解めっき法によりシード層を形成してもよい。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
本実施形態においても、図６の実施形態と同様に、表面改質処理により、耐フッ酸金属膜３に付着したガラスのエッチング残差が除去されているため、貫通孔１５内に露出した耐フッ酸金属膜３と、シード層１６とが完全に密着しており、これにより配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
さらに本実施形態によれば、貫通電極１８と銅層５との間に、耐フッ酸金属膜３を含む２層以上の導体層（シード層４）が形成されており、ガラス基板1の第一面１ａ上に耐フッ酸金属膜３を形成することで、銅層５の密着性を高めることができる。
（工程８）
次に、工程２及び工程３と同様に、第二面１ｂ’にドライフィルムレジストでパターン形成し、シード層１６に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきをし、銅層１７を形成した後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して図１２（ｇ）に示すように、貫通電極１８を形成する。その後不要となったシード層１６を除去し、絶縁樹脂９、もしくはソルダーレジスト１０等の外層保護膜をコートすることで、図１２（ｈ）に示すように、第二面配線層１９を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。上述のように貫通電極１８、第二面配線層１９等についても、第１実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程を工程Ｅと称する。工程Ｅは、上述の工程８に対応しているが、工程８の開示内容は工程Ｅを限定するものではない。
次に、工程２及び工程３と同様に、第二面１ｂ’にドライフィルムレジストでパターン形成し、シード層１６に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきをし、銅層１７を形成した後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して図１２（ｇ）に示すように、貫通電極１８を形成する。その後不要となったシード層１６を除去し、絶縁樹脂９、もしくはソルダーレジスト１０等の外層保護膜をコートすることで、図１２（ｈ）に示すように、第二面配線層１９を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。上述のように貫通電極１８、第二面配線層１９等についても、第１実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程を工程Ｅと称する。工程Ｅは、上述の工程８に対応しているが、工程８の開示内容は工程Ｅを限定するものではない。
ここで、第二面１ｂ’には、配線の他にキャパシタ、インダクタを形成しても良い。インダクタについては、らせん状のコイルと同様の性能を、貫通孔１５を備えたガラス基板１に内蔵することができる。図４は、２列に並んだ貫通孔１５を有する平行平板状のガラス基板１を透明化して、ガラス基板１に形成された貫通孔１５を使用してらせん状のコイルを形成した状態を例示している。具体的には、図示していないガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）において、らせん状のコイルを巻回する方向において隣接する貫通孔１５の開口部同士を接続するように配線２７を形成する。またガラス基板１の表裏面を連通する貫通孔１５の内壁に導体層を形成し、貫通電極１８とする。
この様にして、ガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）に形成された配線２７を、貫通電極１８によって順次、直列に接続することにより、らせん状のコイルを作製することができる。インダクタの特性は、たとえば巻き数を変えることで調整することができる。また、インダクタは前述の形態に限定されず、ガラス基板１の第一面配線層１１および第二面配線層１９に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁樹脂９を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、絶縁樹脂９にブラインドビアおよび貫通電極を形成し、両導体層上の配線を貫通電極により接続することによって、絶縁樹脂９をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。
この様にして、ガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）に形成された配線２７を、貫通電極１８によって順次、直列に接続することにより、らせん状のコイルを作製することができる。インダクタの特性は、たとえば巻き数を変えることで調整することができる。また、インダクタは前述の形態に限定されず、ガラス基板１の第一面配線層１１および第二面配線層１９に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁樹脂９を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、絶縁樹脂９にブラインドビアおよび貫通電極を形成し、両導体層上の配線を貫通電極により接続することによって、絶縁樹脂９をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。
また、貫通電極１８は、図５Ａに示すように、貫通孔１５の側壁に沿って電解めっき膜の銅層１７が形成され絶縁樹脂９が充填されたコンフォーマル形態、または図５Ｂに示すように、貫通孔１５内部全体を電解めっき膜の銅層１７で形成されたフィルド形態のどちらかを選択することができる。なお図５Ｂに示すフィルド形態では貫通孔１５内部全体が電気抵抗が低い銅層１７で形成されているため、図５Ａに示すコンフォーマル形態と比較して貫通電極１８の電気特性や伝送特性を向上することができる。
ここで、第二面１ｂ’の給電用のシード層１６は、その後の工程でフッ酸水素溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属膜３と異なる材料からなる金属層が形成される。耐フッ酸金属と異なる材料としては、Ｔｉ、Ｃｕ、無電解Ｎｉ等が例示され、そのような材料からなる、少なくとも１層以上の金属層が少なくとも貫通孔１５の内周面に形成される。
材料、層数等は、上述のものに限られず、図１２（ｈ）に示すように、必要に応じて材料、積層数を設定して構わない。第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９については、少なくとも一層以上積層されており、必要に応じて積層数を設定して構わない。また、第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９のうち、絶縁樹脂９上に平面状（例えば渦巻き状）のスパイラルコイル素子（コイル）や前述のMIMキャパシタ素子を形成することもできる。また、上述の通り、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
（工程９）
さらに、図１２（ｉ）に示すように、工程５で仮貼りしていたガラスキャリア１４を取り外し、貫通電極１８によって導通した第一面配線層１１及び第二面配線層１９を両面に形成した配線基板２０を完成させる。なお、工程９の後に工程３の方法で、配線基板２０の表裏にさらに配線層を複数層形成してもよい。工程９の後ではガラスキャリア１４を取り外しているため、配線層の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。また、工程９では、ガラス基板１表裏に配線層が形成されているため、配線基板２０の機械的強度がガラス基板１のみと比較して向上し、回路など導電部を形成するときの搬送工程でのガラス割れの発生を抑制できる。また、配線基板２０には外部接続端子１２を形成することも可能であり、さらに、外部接続端子１２にはんだボール２１を形成することも可能である。
さらに、図１２（ｉ）に示すように、工程５で仮貼りしていたガラスキャリア１４を取り外し、貫通電極１８によって導通した第一面配線層１１及び第二面配線層１９を両面に形成した配線基板２０を完成させる。なお、工程９の後に工程３の方法で、配線基板２０の表裏にさらに配線層を複数層形成してもよい。工程９の後ではガラスキャリア１４を取り外しているため、配線層の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。また、工程９では、ガラス基板１表裏に配線層が形成されているため、配線基板２０の機械的強度がガラス基板１のみと比較して向上し、回路など導電部を形成するときの搬送工程でのガラス割れの発生を抑制できる。また、配線基板２０には外部接続端子１２を形成することも可能であり、さらに、外部接続端子１２にはんだボール２１を形成することも可能である。
（工程１０）
図１２（ｊ）に示すように、配線基板２０の片面および両面に既存の実装技術を用いて半導体チップ２２、チップ部品２３を搭載し、高周波デバイス２４を完成させる。
図１２（ｊ）に示すように、配線基板２０の片面および両面に既存の実装技術を用いて半導体チップ２２、チップ部品２３を搭載し、高周波デバイス２４を完成させる。
＜第８実施形態＞
次に、図１３は、第８実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１３を参照して、第８実施形態を説明する。第８実施形態は、第３実施形態における工程１のレーザ改質工程をガラス基板１に支持体を張り付け後に行う点で異なっている。そのため、上述した第３実施形態に対して工程１と工程６のみが異なり、工程２～５、工程７～１０（については共通するため、重複する説明は省略する。
次に、図１３は、第８実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１３を参照して、第８実施形態を説明する。第８実施形態は、第３実施形態における工程１のレーザ改質工程をガラス基板１に支持体を張り付け後に行う点で異なっている。そのため、上述した第３実施形態に対して工程１と工程６のみが異なり、工程２～５、工程７～１０（については共通するため、重複する説明は省略する。
（工程１）
厚さ１３０μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１３（a）に示すように、第一面と反対１ｂ上に、仮貼り用の接着剤２５を介してガラス基板固定用ガラスキャリア２６を貼り合わせる。ガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは、加工時の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラス基板固定用ガラスキャリア２６を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。工程Ｘは、上述の工程１に対応しているが、工程１の開示内容は工程Ｘを限定するものではない。
厚さ１３０μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１３（a）に示すように、第一面と反対１ｂ上に、仮貼り用の接着剤２５を介してガラス基板固定用ガラスキャリア２６を貼り合わせる。ガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは、加工時の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラス基板固定用ガラスキャリア２６を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。工程Ｘは、上述の工程１に対応しているが、工程１の開示内容は工程Ｘを限定するものではない。
（工程６）
図１３（ｅ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａとは反対側の面１ｂからレーザを照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する（工程Ａ）。レーザ改質部２は、第一面の反対面１ｂから、例えば垂直方向に対向する面１aに向かって延在し、その端がガラス基板１を通過し、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６に留まるように、レーザ光量を調整する。使用するレーザについては、第１の実施形態と同様である。その後、上述のように第一面配線層を形成する工程（工程Ｂ）を実行する。
また図１３（ｆ）に示すように、工程１で仮貼りしていたガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外し（剥離除去し）、ガラス基板１を露出させる（工程Ｙ）。次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う（工程Ｃ）。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１３（ｇ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。その後、上述のように貫通孔処理工程（工程Ｄ）と、貫通電極形成工程（工程Ｅ）を実行する。
また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
図１３（ｅ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａとは反対側の面１ｂからレーザを照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する（工程Ａ）。レーザ改質部２は、第一面の反対面１ｂから、例えば垂直方向に対向する面１aに向かって延在し、その端がガラス基板１を通過し、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６に留まるように、レーザ光量を調整する。使用するレーザについては、第１の実施形態と同様である。その後、上述のように第一面配線層を形成する工程（工程Ｂ）を実行する。
また図１３（ｆ）に示すように、工程１で仮貼りしていたガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外し（剥離除去し）、ガラス基板１を露出させる（工程Ｙ）。次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う（工程Ｃ）。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１３（ｇ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。その後、上述のように貫通孔処理工程（工程Ｄ）と、貫通電極形成工程（工程Ｅ）を実行する。
また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
ここで、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６にガラス基板１を形成してから、レーザ改質部を形成、フッ化水素溶液によるエッチング前にガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外すことにより、ガラス基板１のレーザ改質部２は深さ方向に対して全面に形成されるため、第１実施形態と比較して改質部の深さばらつきが低減される。そのため、フッ化水素溶液によるエッチング後に形成される貫通孔の径のばらつきが抑制され、加工精度が向上する。
＜第９実施形態＞
次に、本発明の第９実施形態を説明する。第９実施形態においては、上述した第７実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第２実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第９実施形態を説明する。第９実施形態においては、上述した第７実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第２実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第１０実施形態＞
次に、本発明の第１０実施形態を説明する。第１０実施形態においては、上述した第７実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第４実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第１０実施形態を説明する。第１０実施形態においては、上述した第７実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第４実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第１１実施形態＞
次に、本発明の第１１実施形態を説明する。第１１実施形態においては、上述した第８実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第２実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第１１実施形態を説明する。第１１実施形態においては、上述した第８実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第２実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第１２実施形態＞
次に、本発明の第１１実施形態を説明する。第１２実施形態においては、上述した第８実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第４実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第１１実施形態を説明する。第１２実施形態においては、上述した第８実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第４実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
（比較試験１）
本発明者らは、エッチング前における膜厚が５００ｎｍである耐フッ酸金属膜に対して、エッチング率を変えた場合における抵抗の低減率を、貫通電極の長さごとに求めた。その結果を、表１に示す。
本発明者らは、エッチング前における膜厚が５００ｎｍである耐フッ酸金属膜に対して、エッチング率を変えた場合における抵抗の低減率を、貫通電極の長さごとに求めた。その結果を、表１に示す。
ここで、エッチング率とは、エッチング前の耐フッ酸金属膜の膜厚をＡとし、エッチング後の耐フッ酸金属膜の平均膜厚をＢとしたとき、（１－Ｂ／Ａ）×１００で表される値である。一方、抵抗低減率とは、エッチング率０％の時の、貫通電極を挟んだ第一面配線層と第二面配線層との間の電気抵抗値を１００とした場合において、各エッチング率における電気抵抗値が低下した割合を負値で示したものである。
表１の結果によれば、貫通電極の長さに関わらず、エッチング率０％を超えて増大するにつれて、抵抗低減効果が高くなることがわかる。また、貫通電極の長さが短いほど、抵抗低減効果が高いことがわかる。
ただし、エッチング率が５０％を下回ると、ガラスのエッチング残差が耐フッ酸金属膜に残存する恐れがある。このため、エッチングを行う場合には、エッチング率を５０％以上とすることが望ましい。
図６に示す第１実施形態（または第３実施形態、第７実施形態、第８実施形態）は、図９に示す比較例と同様にエッチング率０％であるが、比較例は耐フッ酸金属膜にガラスのエッチング残差が残存するため、第１実施形態より電気抵抗値は高くなる。また、図８に示す第２実施形態(または第５実施形態、第９実施形態、第１１実施形態)においては、エッチング率０％を超え、エッチング率１００％未満である。ここで、ガラスのエッチング残差除去と、ウェットエッチング処理工程の工数低減と、抵抗低減率とのバランスを考慮する場合、エッチング率は７０％～９０％とすることが望ましい。
一方、図１１に示す第４実施形態(または第６実施形態、第１０実施形態、第１２実施形態)においては、エッチング率１００％となる。ドライエッチング処理工程の工数低減よりも抵抗低減率確保を優先する場合には、エッチング率１００％とすることが望ましい。ただし、エッチング率１００％とする場合、耐フッ酸金属膜の背面側にある銅被膜のダメージを極力抑えるため、ドライエッチング処理工程の時間などの適正条件については、シミュレーションや実験等で予め定めることが望ましい。
（比較試験２）
本発明者らは、エッチング前における膜厚が５００ｎｍである耐フッ酸金属膜に対して、エッチング率を変えた場合における、貫通孔１５直上に形成したＭＩＭキャパシタ、貫通電極１８を配線の一部として使用したソレノイドコイルのＱ値の変化率、上述のＭＩＭキャパシタとソレノイドコイルを直列に接続して構成されたＬＣフィルタの共振周波数部のＳパラメータ（Ｓ２１）の変化率を求めた。ただし、貫通孔長を１００μｍとした。その結果を表２に示す。
本発明者らは、エッチング前における膜厚が５００ｎｍである耐フッ酸金属膜に対して、エッチング率を変えた場合における、貫通孔１５直上に形成したＭＩＭキャパシタ、貫通電極１８を配線の一部として使用したソレノイドコイルのＱ値の変化率、上述のＭＩＭキャパシタとソレノイドコイルを直列に接続して構成されたＬＣフィルタの共振周波数部のＳパラメータ（Ｓ２１）の変化率を求めた。ただし、貫通孔長を１００μｍとした。その結果を表２に示す。
ここで、Ｑ値増加率とは、エッチング率０％の時の、ＭＩＭキャパシタおよびソレノイドコイルのＱ値を１００とした場合において、各エッチング率におけるＱ値が向上した割合を正値で示したものである。また、Ｓ２１値低減率とは、エッチング率０％の時の、共振周波数でのＬＣフィルタのＳパラメータ（Ｓ２１）値を１００とした場合において、各エッチング率におけるＳパラメータ（Ｓ２１）値が低下した割合を負値で示したものである。
表２の結果によれば、エッチング率０％を超えて増大するにつれて、ＭＩＭキャパシタおよびソレノイドコイルのＱ値向上効果が高くなることがわかる。また、ＬＣフィルタのＳパラメータ（Ｓ２１）値もエッチング率０％を超えて増大するにつれて、低下しており、急峻なフィルタ特性となっていることがわかる。
ただし、エッチング率が５０％を下回ると、ガラスの残差が耐フッ酸金属膜に残存する恐れがある。このため、エッチング率を５０％以上とすることが望ましい。
図６に示す比較例は、エッチング率０％である。これに対し、図８に示す第２実施形態（または第５実施形態、第９実施形態、第１１実施形態）においては、エッチング率０％を超え、エッチング率１００％未満である。ここで、ガラスの残差除去と、ウェットエッチング処理の工数低減と、抵抗低減率とのバランスを考慮する場合、エッチング率は７０％～９０％とすることが望ましい。
一方、図１１に示す第４実施形態（または第６実施形態、第１０実施形態、第１２実施形態）においては、エッチング率１００％となる。ウェットエッチング処理の工数低減よりも抵抗低減率確保を優先する場合には、エッチング率１００％とすることが望ましい。ただし、エッチング率１００％とする場合、耐フッ酸金属膜の背面側にある銅被膜のダメージを極力抑えるため、ウェットエッチング処理の処理液や時間などの適正条件については、シミュレーションや実験等で予め定めることが望ましい。
（実施例１と比較例１との比較）
本発明者らは、第1実施形態にかかる配線基板（実施例１）と、貫通孔の径を第一面側と第二面側とで略同じとした配線基板（比較例１）とを、それぞれ２０個だけ準備した。実施例１と比較例１とは、貫通孔の形状のみが異なり、それ以外の製造工程及び構造を共通とした。
本発明者らは、第1実施形態にかかる配線基板（実施例１）と、貫通孔の径を第一面側と第二面側とで略同じとした配線基板（比較例１）とを、それぞれ２０個だけ準備した。実施例１と比較例１とは、貫通孔の形状のみが異なり、それ以外の製造工程及び構造を共通とした。
実施例１と比較例1とに対して、貫通電極の導通試験を行ったところ、比較例１において、導通不良が１０％程度生じた。これに対し、実施例１では、導通不良を０．５％以下に抑えることができた。その理由は、実施例１では貫通孔が、第一面側において径が小さい円錐台形状であるため、例えばスパッタ法により貫通孔内にシード層を形成する際に、成膜材料の粒子が貫通孔の内周及び底部に付着しやすいからである。以上の結果より、貫通孔が円錐台形状である他の実施形態においても、導通不良を抑止する効果があることは明らかである。
（実施例２と比較例２との比較）
本発明者は、第1実施形態にかかる配線基板（実施例２）と、耐フッ酸金属膜３を用いることなくシード層４をガラス基板に直接密着させた配線基板（比較例２）とを、それぞれ２０個だけ準備した。実施例２と比較例２とは、耐フッ酸金属膜の有無以外、製造工程及び構造を共通とした。
本発明者は、第1実施形態にかかる配線基板（実施例２）と、耐フッ酸金属膜３を用いることなくシード層４をガラス基板に直接密着させた配線基板（比較例２）とを、それぞれ２０個だけ準備した。実施例２と比較例２とは、耐フッ酸金属膜の有無以外、製造工程及び構造を共通とした。
実施例２と比較例２とをクロスカット試験に供試し、シード層４の剥がれ率（ｎ／１００）を求めた。その結果、耐フッ酸金属膜３を有しない配線基板のうち、２５％にシード層４の剥がれが確認された。一方、本実施形態では、シード層４の剥がれがなく(剥がれ率：０％）、耐フッ酸金属膜３がシード層４の剥がれ抑止に効果があることを確認できた。以上の結果より、他の実施形態においても、耐フッ酸金属膜３がシード層４の剥がれ抑止に効果があることは明らかである。
（実施例３、４との比較例３との比較）
本発明者らは、実施例３として第２実施形態の配線基板（エッチング率７０％）と、実施例４として第４実施形態の配線基板（エッチング率１００％）と、比較例３として図６の配線基板（エッチング率０％）とを、それぞれ５０個準備し、これらを熱冷衝撃試験機に取り付けて、比較試験を行った。
本発明者らは、実施例３として第２実施形態の配線基板（エッチング率７０％）と、実施例４として第４実施形態の配線基板（エッチング率１００％）と、比較例３として図６の配線基板（エッチング率０％）とを、それぞれ５０個準備し、これらを熱冷衝撃試験機に取り付けて、比較試験を行った。
かかる比較試験において、－４０℃～＋１２５℃の範囲で配線基板の雰囲気温度を変動させることを１サイクルとし、これを１０００サイクル繰り返し、その後に貫通電極の導通確認を行った。その結果、比較例３の配線基板では３０％の導通不良が生じたが、エッチング率７０％の配線基板では導通不良は５％程度に抑えられた。その理由は、スパッタ法により貫通孔底部の成膜材料の付きまわり性が向上し、シード層１６にボイドなどの欠陥が生じることを抑制でき、強いシード層１６により耐フッ酸金属膜３とガラス基板1との分離を抑制できるからである。
さらに、エッチング率１００％の配線基板では導通不良は２％程度に抑えられた。その理由は、エッチング率１００％の配線基板の場合、エッチング率１００％未満の配線基板に比べて、抵抗率が比較的高い耐フッ酸金属膜が完全に除去された状態でシード層が形成されるため、貫通孔部の表裏の接続部がすべて（ほぼ）同じ材料となり、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性がより向上するからである。なお、その構造上の同一性より、実施例３の実験結果は第５実施形態、第９実施形態、第１１実施形態にも適用され、実施例４の実験結果は第６実施形態、第１０実施形態、第１２実施形態にも適用されることは明らかである。
１・・・ガラス基板、
２・・・レーザ改質部、
３・・・耐フッ酸金属膜、
４・・・シード層、
５・・・銅層、
６・・・下電極、
７・・・誘電体、
８・・・上電極、
９・・・絶縁樹脂、
１０・・・ソルダーレジスト、
１１・・・第一面配線層、
１２・・・外部接続端子、
１３・・・接着剤、
１４・・・ガラスキャリア、
１５・・・貫通孔、
１６・・・シード層、
１７・・・銅層、
１８・・・貫通電極、
１９・・・第二面配線層、
２０・・・配線基板、
２１・・・はんだボール、
２２・・・半導体チップ、
２３・・・チップ部品、
２４・・・高周波デバイス、
２５・・・接着剤、
２６・・・ガラス基板固定用ガラスキャリア、
２７・・・配線、
GER・・・エッチング残差
２・・・レーザ改質部、
３・・・耐フッ酸金属膜、
４・・・シード層、
５・・・銅層、
６・・・下電極、
７・・・誘電体、
８・・・上電極、
９・・・絶縁樹脂、
１０・・・ソルダーレジスト、
１１・・・第一面配線層、
１２・・・外部接続端子、
１３・・・接着剤、
１４・・・ガラスキャリア、
１５・・・貫通孔、
１６・・・シード層、
１７・・・銅層、
１８・・・貫通電極、
１９・・・第二面配線層、
２０・・・配線基板、
２１・・・はんだボール、
２２・・・半導体チップ、
２３・・・チップ部品、
２４・・・高周波デバイス、
２５・・・接着剤、
２６・・・ガラス基板固定用ガラスキャリア、
２７・・・配線、
GER・・・エッチング残差
Claims (21)
- ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、
を有する、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。 - ガラス基板を支持体に接合する工程Ｘと、
前記ガラス基板と前記支持体双方の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記支持体を剥離除去する工程Ｙと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記耐フッ酸金属膜に付着したガラスのエッチング残差を除去する貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、前記ガラスのエッチング残差に対してプラズマ処理を行う、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。 - 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、ドライエッチング処理により前記耐フッ酸金属膜に付着した前記ガラスのエッチング残差を除去するとともに、前記耐フッ酸金属膜の一部を除去する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。 - 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、ドライエッチング処理により前記耐フッ酸金属膜に付着した前記ガラスのエッチング残差を除去するとともに、貫通した開口が形成されるまで前記耐フッ酸金属膜を除去する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。 - 前記工程Ａを前記工程Ｂの前に実行する、
ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記工程Ｂを前記工程Ａの前に実行する、
ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記工程Ｂの後であって前記工程Ｃの前に、前記第一面配線層にキャリアを貼り付ける、
ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、前記貫通孔にスパッタ法にてシード層を形成する、
ことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、
ことを特徴とする配線基板。 - ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、
ことを特徴とする配線基板。 - ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層でソレノイドコイルが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、
ことを特徴とする配線基板。 - ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層又は前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層でソレノイドコイルが形成され、前記ＭＩＭコンデンサと前記ソレノイドコイルでＬＣフィルタが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされている、
ことを特徴とする配線基板。 - ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされており、前記貫通孔内は前記貫通電極のみで構成されている
ことを特徴とする配線基板。 - ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔から前記第一面に対して垂直方向にエッチングされており、前記貫通孔内は前記貫通電極および前記貫通孔内に充填された絶縁樹脂で構成されている
ことを特徴とする配線基板。 - 前記貫通電極は前記耐フッ酸金属膜を貫通していない、
ことを特徴とする請求項１０～１５のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記貫通電極は前記耐フッ酸金属膜を貫通して、前記銅層に接続されている、
ことを特徴とする請求項１０～１５のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記貫通孔は、前記第一面側の径が第二面側の径よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１０～１７のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記貫通孔は、前記第一面側および前記第二面側のどちらか一方に断面極大値を有し、前記ガラス基板の厚さをＴとしたとき、前記第一面からの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有する、
ことを特徴とする請求項１０～１７のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記貫通孔は、前記第一面側および前記第二面側のどちらか一方に断面極大値を有し、前記ガラス基板の厚さをＴとしたとき、前記第一面からの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有する、
ことを特徴とする請求項１０～１７のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記耐フッ酸金属膜は、クロム、ニッケル、ニッケルクロムの少なくとも一つからなる、
ことを特徴とする請求項１０～２０のいずれか一項に記載の配線基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021052626 | 2021-03-26 | ||
| JP2021052626 | 2021-03-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022151790A true JP2022151790A (ja) | 2022-10-07 |
Family
ID=83464642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022046404A Pending JP2022151790A (ja) | 2021-03-26 | 2022-03-23 | 配線基板の製造方法及び配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022151790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116454020A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-07-18 | 苏州森丸电子技术有限公司 | 一种埋入式高平坦性的tgv互连工艺及tgv互连结构 |
-
2022
- 2022-03-23 JP JP2022046404A patent/JP2022151790A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116454020A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-07-18 | 苏州森丸电子技术有限公司 | 一种埋入式高平坦性的tgv互连工艺及tgv互连结构 |
| CN116454020B (zh) * | 2023-03-22 | 2024-02-09 | 苏州森丸电子技术有限公司 | 一种埋入式高平坦性的tgv互连工艺及tgv互连结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11881414B2 (en) | Method for manufacturing glass device, and glass device | |
| EP3220417B1 (en) | Wiring circuit board, semiconductor device, wiring circuit board manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP7083600B2 (ja) | キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びその製造方法 | |
| CN109964544B (zh) | 电子部件以及电子部件制造方法 | |
| JP6840935B2 (ja) | 配線回路基板の製造方法 | |
| TW201601262A (zh) | 中介層、半導體裝置、中介層的製造方法及半導體裝置的製造方法 | |
| JP6672859B2 (ja) | 配線回路基板用のコア基板の製造方法、配線回路基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 | |
| JP6467814B2 (ja) | 配線基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP2004311912A (ja) | 回路基板モジュール及びその製造方法 | |
| WO2023100586A1 (ja) | 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 | |
| US20240021439A1 (en) | Wiring board manufacturing method and wiring board | |
| WO2016039223A1 (ja) | 構造体及びその製造方法 | |
| JP2022159478A (ja) | キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びキャパシタ内蔵ガラス回路基板の製造方法 | |
| WO2001052322A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur, plaque metallique stratifiee pour fabriquer un circuit sur semi-conducteur, et procede de fabrication de circuit | |
| JP2022151790A (ja) | 配線基板の製造方法及び配線基板 | |
| JP2006332346A (ja) | 基板、電子部品、及び、これらの製造方法 | |
| JP2022151789A (ja) | 配線基板の製造方法及び配線基板 | |
| WO2024062808A1 (ja) | 配線基板 | |
| JP4520665B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法並びに部品実装構造 | |
| TW202431908A (zh) | 配線基板 | |
| WO2024106066A1 (ja) | 配線基板及び配線基板の製造方法 | |
| JP2024083846A (ja) | 配線基板及び配線基板の製造方法 | |
| TW202423199A (zh) | 玻璃核心積層構造體及玻璃核心積層構造體的製造方法 | |
| JP2024134681A (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 | |
| JPH0745950A (ja) | 薄膜多層回路基板 |