JP2022151789A - 配線基板の製造方法及び配線基板 - Google Patents

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健央 高田
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【課題】ガラス基板の伝送特性や電気特性を確保しつつ、簡便に安価で製造できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、ガラス基板の第一面から反対側の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、前記第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、前記反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、前記貫通孔から露出する前記耐フッ酸金属膜に対してウェットエッチング処理を施した後、前記貫通孔を通して貫通電極を形成する工程Ｄと、前記第二面に、前記貫通電極を介して前記第一面配線層に接続される第二面配線層を形成する工程Ｅと、を有し、前記工程Ｄにおける、前記耐フッ酸金属膜のエッチング率は０％を超えている。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
従来、例えば、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ－Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の実装技術として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）を用いた実装技術（ＴＳＶ技術という)が知られている。貫通電極を有するシリコン基板は、例えば、インターポーザとして広く用いられている。インターポーザは、配線のデザインルールがそれぞれ異なるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）及びプリント基板のように、端子間距離が異なる基板同士を中継する基板である。
しかしながら、シリコン基板は高価であり、さらに、シリコン自体が半導体であるため、貫通電極について絶縁処理が必要となる。具体的には、ＴＳＶ技術において、シリコン基板に貫通孔を形成した後に絶縁処理を行う必要があり、基板コストが高くなるという問題がある。そこで、例えば、インターポーザのコストを低減するために、安価で大面積のガラス基板に貫通孔（ＴＧＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｇｌａｓｓ Ｖｉａ）を形成した、貫通電極付ガラス基板が注目されている。
貫通電極付ガラス基板を採用する場合、ＴＧＶ技術においては、ガラス基板に貫通孔を形成する必要がある。ガラス基板に貫通孔を形成するための技術としては、例えば、特許文献１に記載されているように、パルス発振ＹＡＧレーザの照射によって貫通孔を形成する技術が知られている。
また、特許文献２には、感光性ガラス基板に微細な孔を形成する方法が記載されている。特許文献２に記載の方法では、感光性ガラス基板上の所定位置にフォトマスクを配置して、紫外線を照射し、潜像を形成する。次に、感光性ガラス基板を加熱処理して潜像を結晶化させる。その後、潜像が形成された部分の中央に潜像より小さい加工先穴をレーザ光により形成する。次に、フッ化水素を用いてエッチングを行い、それにより結晶化された部分が選択的にエッチングされて孔が形成される。
さらに特許文献３には、板ガラス両面から相対向した同一軸心上の上下一対のコアドリルにより板ガラスに孔を形成する方法が記載されている。
一方で、特許文献４には、インダクタとキャパシタを組み合わせたＬＣフィルタをガラス基板に内蔵する方法が記載されている。キャパシタは、配線基板の多層構造と平行に、金属層、誘電体層、金属層を重ねる、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ）と呼ばれる構造が、ひとつの例となる。インダクタは、様々な形態が可能である。例えば多層配線基板の導体層に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁体層を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、さらに絶縁体層に貫通電極を形成し、両導電体層上の配線と貫通電極を接続することによって、絶縁体層をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。ＬＣフィルタは、ＬＣ周波数フィルタともいい、インダクタ(L)とキャパシタ(C)を組み合わせて、共振現象を利用して、特定の周波数に関して電気信号を回路に流し、他の周波数に関しては遮断するものであり、バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ダイプレクサの機能を有するものをいう。
特開２０００－６１６６７号公報 特開２００１－１０５３９８号公報 特開昭５４－１２６２１５号公報 特開２０２１－１６６２５７号公報 国際公開第２０１９／２３５６１７号
ところで、ガラス基板に貫通孔を形成することにより、ガラス基板の機械的強度が低下する可能性がある。特に、厚さが３００μｍ以下のガラスを採用した場合、機械的強度の低下の影響によって、回路など導電部を形成するときの搬送工程でガラス割れが発生するおそれがあり、ガラス基板の取扱いが困難となっている。
また、ＴＳＶ技術においては、ドライエッチングを応用したＢｏｓｃｈプロセスなどの手法が、シリコン基板に貫通孔を形成する方法として確立されている。しかしドライエッチングによるガラス基板への貫通孔の形成は、長時間を要し、実用的であるとは言い難い。特に、ガラス厚３００μｍ以下への貫通孔の形成、並びにインターポーザを代表とする電子デバイス基板への応用は技術的な難易度は非常に高く実用的であるとは言い難い。
これに対し、特許文献５には、一方のガラス基板面に配線を形成した後に、貫通孔の形成とガラス基板の薄板化をエッチングにより同時に行うことで、より簡便にガラス厚３００μｍ以下のガラスコアを有するガラスデバイスの製造方法が開示されている。特許文献５の技術によれば、ガラス基板をガラスキャリアでサポートした状態で、ガラスの薄板化と貫通孔の形成を同時に実施しているため、ガラス基板上に回路などを形成するときのガラス基板の取扱いのし易さが向上する。このため、安定的にガラス基板厚３００μｍ以下の貫通電極付のガラスデバイスを形成することが可能である。
上述した製造方法によれば、耐フッ酸金属膜（例えば、クロム、ニッケル、ニッケルクロム膜）がエッチングストッパー層となり、フッ化水素溶液とガラス上に形成された配線のシード層が接して、シード層が腐食することを抑制し、耐フッ酸金属膜貫通孔の形状や寸法安定性が向上するという効果があるが、以下のような課題もある。
（１）フッ化水素溶液によるガラスのエッチング後には、耐フッ酸金属膜上にはフッ化水素溶液では除去できなかったガラスのエッチング残差が付着することがある。このエッチング残差は、耐フッ酸金属膜上に点在しており、残差が付着した状態でシード層を形成した場合、耐フッ酸金属膜とシード層との密着性が低下し、貫通孔を介する接続信頼性を低下させるおそれがある。
（２）また、エッチング残差を介して貫通孔が導通化されるため、貫通孔の導通化された部位の電気抵抗が増加し、配線基板の伝送特性や電気特性が劣化したり、および貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性が劣化するおそれがある。
（３）耐フッ酸金属膜の材料は例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムであり、シード層の材料である銅と比較して抵抗率が高いため、耐フッ酸金属膜自体が、貫通孔を介する配線および貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性の劣化の要因となる。
（４）耐フッ酸金属膜とシード層の密着性に関しても、密着性の確保のために、耐フッ酸金属膜に適した密着層形成など追加で実施する必要があり、それにより工程数が増加する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を確保しつつ、簡便に安価で製造できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、代表的な本発明の配線基板の製造方法の一つは、
ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記貫通孔から露出する前記耐フッ酸金属膜に対してウェットエッチング処理を施す貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の製造方法の一つは、
ガラス基板を支持体に接合する工程Ｘと、
前記ガラス基板と前記支持体双方の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
前記支持体を剥離除去する工程Ｙと、
前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
前記貫通孔から露出する前記耐フッ酸金属膜に対してウェットエッチング処理を施す貫通孔処理工程Ｄと、
前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むMIMコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層とでソレノイドコイルが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むMIMコンデンサと、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層又は前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極、前記第二面配線層でソレノイドコイルを形成し、前記MIMコンデンサと前記ソレノイドコイルとでLCフィルタが形成され、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、
ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有し、前記貫通孔内は前記貫通電極のみで構成されている、ことにより達成される。
さらに、代表的な本発明の配線基板の一つは、
ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有し、前記貫通孔内は前記貫通電極および前記貫通孔内に充填された絶縁樹脂で構成されている、ことにより達成される。
本発明によれば、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を確保しつつ、簡便に安価で製造できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。 図２は、本実施形態により形成したキャパシタの断面図である。 図３は、本実施形態により形成できる配線基板の貫通孔における断面図である。 図４は、本実施形態により形成したインダクタの鳥瞰図である。 図５Ａは、本実施形態により形成したコンフォーマル形態の貫通電極の断面図（ａ）と、その貫通電極を用いた配線基板の断面図（ｂ）である。 図５Ｂは、本実施形態により形成したフィルド形態の貫通電極の断面図（ａ）と、その貫通電極を用いた配線基板の断面図（ｂ）である。 図６は、本実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。 図７は、比較例である配線基板の貫通孔近傍における断面図である。 図８は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。 図９は、第３実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。 図１０は、第５実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。 図１１は、第６実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。
なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１を参照して、第１実施形態を説明する。
（工程１）
厚さ５００μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１に対し、第一面１ａ側からレーザ光を照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、第一面１ａから、例えば垂直方向に対向する面１ｂに向かって延在し、その端がガラス基板１に留まるように、レーザ光量を調整する。
なお、ここで用いるレーザの波長は５３５ｎｍ以下とするが、好ましいレーザの波長は３５５ｎｍ、以上５３５ｎｍ以下の範囲である。レーザの波長が３５５ｎｍ未満では十分なレーザ出力を得ることが難しく、安定的なレーザ改質が難しくなるおそれがある。一方、レーザの波長が５３５ｎｍより大きくなると、照射スポットが大きくなり小範囲のレーザ改質の形成が難しくなり、また、熱の影響により改質加工ではなく、マイクロクラックが発生しガラス基板が割れやすくなる。
また、パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅はピコ秒からフェムト秒の範囲であることが望ましい。レーザパルス幅がナノ秒以上になると、１パルス当たりのエネルギー量の制御が困難となり、マイクロクラックが発生しガラス基板１が割れやすくなる。
また、レーザパルスのエネルギーは、ガラスの材質や、どのようなレーザ改質を形成するかに応じて好ましい値が選択され、例えば５μＪ以上、１５０μＪ以下の範囲であると好ましい。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するようにレーザ改質部の長さを長くすることが可能となる。
なお、本実施形態においては、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程を工程Ａと称する。工程Ａは、上述の工程１に対応しているが、工程１の開示内容は工程Ａを限定するものではない。
（工程２）
次に、ガラス基板１の第一面１ａにスパッタ法などにより、耐フッ酸金属膜３を１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で形成する。その後、耐フッ酸金属膜３上にスパッタ法および無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、図１（ｂ）に示すように、耐フッ酸金属膜３上にシード層４を形成する。耐フッ酸金属膜３の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定する。
（工程３）
次に、ガラス基板１の第一面１ａにパターンのフォトレジストを形成する。一例として昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（製品名ＲＤ１２２５）を用いて、第一面１ａ側のラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層４を露出させる。さらに、シード層４に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層４をエッチングすることによって、図１（ｃ）に示すように、耐フッ酸金属膜３とシード層４と銅層５とを積層した配線を、第一面１ａに形成する。
ここで、第一面１ａには、配線の他にキャパシタを形成しても良い。キャパシタについては、前述のように、二枚の導体板の間に誘電体を挟んだＭＩＭ構造とする。キャパシタの例としては、図２に示したように、ガラス基板１直上に、又はガラス基板１上に形成した絶縁樹脂層の上に、下電極６を形成し、下電極６の上に誘電体７を積層し、さらにその上に上電極８を積層したものである。下電極６と上電極８は、一般的に、前述の無電解ニッケルめっきやスパッタリング法などにより形成した薄い金属薄膜であるシード層と、そのシード層の上に形成した電解銅めっきなどの導電層からなる多層構造を有する。キャパシタのキャパシタンスは、誘電体７の誘電率と、下電極６に重なる上電極８の面積と、下電極６と上電極８との間隔により決定される。キャパシタは、ガラス基板１の第一面１ａおよび第二面１ｂ’のいずれの側にも設けることができる。
また、下電極６の形成位置は任意であるが、下電極６からガラス基板１の第二面１ｂ’側に配線を接続する場合には、配線による電気抵抗抑制および配線長の短縮のため、図２に示したように、後述する貫通孔１５直上に形成することが好ましい。
（工程４）
次に、一例として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂９（製品名ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）を配線上にラミネートしプリキュア後に、レーザ加工によって絶縁樹脂９に対しブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施しレーザにより発生した残差物を除去し、スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、シード層を形成する。シード層上に昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジスト（製品名ＲＤ１２２５）をラミネートして、パターンを描画後、現像する。シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングして配線形成を行う。配線形成後にソルダーレジスト１０を形成し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターンニングし、図１（ｄ）に示すように、第一面１ａ側の配線である第一面配線層１１を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程を工程Bと称する。工程Bは、上述の工程２～４に対応しているが、工程２～４の開示内容は工程Bを限定するものではない。
（工程５）
次に、図１（ｅ）に示すように、第一面配線層１１上に、仮貼り用の接着剤１３（例えば日東電工社製の製品名リバアルファ）を介してガラスキャリア１４を貼り合わせる。ガラスキャリア１４の厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラスキャリア１４の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラスキャリア１４を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
（工程６）
次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１（ｆ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
フッ化水素溶液によるエッチング量は、最終形態の配線基板の厚さに応じて適宜設定して構わない。例えば、工程１で用いたガラス基板１の厚さが４００μｍの場合、そのエッチング量は１００μｍ以上、３５０μｍ以下の範囲であることが望ましい。
薄板化後のガラス基板１の厚さは、５０μｍ以上、３００μｍ以下が好ましい。また、フッ化水素溶液によるエッチング液は、フッ化水素溶液として、硝酸、塩酸及び硫酸からなる群から選ばれる１種以上の無機酸を含む。
フッ化水素酸濃度は例えば１.０ｗｔ％以上、６.０ｗｔ％以下であり、好ましくは２.０ｗｔ％以上、５.０ｗｔ％以下が望ましい。また、無機酸濃度は１.０ｗｔ％以上、２０.０ｗｔ％以下の範囲であり、好ましくは３.０ｗｔ％以上、１６.０ｗｔ％以下が望ましい。上記範囲に設定したフッ化水素溶液で、尚且つエッチングレートが１.０μｍ/ｍｉｎ以下とすることが望ましい。エッチングの際のエッチング液の温度は、１０℃以上、４０℃以下が望ましい。
なお、本実施形態においては、前記第一面１aとは反対側の面１ｂをエッチングすることにより、前記レーザ改質部２に貫通孔１５を形成するとともに、前記ガラス基板１の第一面１aに対向する第二面１ｂ’を形成する工程を工程Cと称する。工程Cは、上述の工程６に対応しているが、工程６の開示内容は工程Cを限定するものではない。
（工程７：貫通孔処理工程（ウェットエッチング処理））
さらに本実施形態においては、図１（ｇ）に示すように、フッ化水素溶液により形成された貫通孔１５から露出した耐フッ酸金属膜３領域の一部を、貫通孔処理工程であるウェットエッチング処理により除去する。その除去には、腐食溶液を用いた湿式法で耐フッ酸金属膜３が除去できる方法であれば、方式は指定されず、例えばクロムエッチング液が好適に用いられる。
具体的には、鋭意検証した結果、エッチングする耐フッ酸金属膜３とエッチング不要の耐フッ酸金属膜３以外のガラスや銅、絶縁樹脂のエッチング選択性の観点から、フェリシアン化カリウムおよび水酸化カリウムが含有している日本化学産業社製のアルカリ性クロムエッチング溶液を用いて、温度４０℃で１．５分処理する。そうすることで、耐フッ酸金属膜３以外のガラス基板１や絶縁樹脂９などにダメージを与えることなく、耐フッ酸金属膜３のみをエッチングすることができる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有するため、貫通孔１５内のエッチング液の循環を促進し、効率よく処理を実現できる。さらに、エッチングの前には、前処理として処理箇所に、ＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを用いたプラズマ処理や超音波洗浄を実施して濡れ性を向上させると好ましく、プラズマ処理と超音波洗浄を両方実施することで濡れ性向上効果はさらに高まるため、さらに好ましい。以上のようにすることで、ガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）および抵抗率が高い金属膜の一部を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’に無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。ここでは、アンダーカットへの層材料の付着性向上を狙って、無電解めっき法を採用したが、形状によってはスパッタ法によりシード層形成を行ってもよい。
また、処理後の耐フッ酸金属膜３は、処理前に比べて５０％以下の厚さであれば貫通孔１５を介する電気特性の低下を抑制できる。しかし耐フッ酸金属膜３の厚さが５０％を超えると、エッチング残差によっては十分に除去できず、金属との密着性の確保や良好な電気特性の確保を行えないおそれがある。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜３の一部を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
（工程８）
次に、工程３及び工程４と同様に、第二面１ｂ’にドライフィルムレジストでパターン形成し、シード層１６に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきをし、銅層１７を形成した後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して図１（ｈ）に示すように、貫通電極１８を形成する。その後不要となったシード層１６を除去し、絶縁樹脂９、もしくはソルダーレジスト１０等の外層保護膜をコートすることで、図１（ｉ）に示すように、第二面配線層１９を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程を工程Ｅと称する。工程Ｅは、上述の工程８に対応しているが、工程８の開示内容は工程Ｅを限定するものではない。
ここで、第二面１ｂ’には、配線の他にキャパシタ、インダクタを形成しても良い。インダクタについては、らせん状のコイルと同様の性能を、貫通孔１５を備えたガラス基板１に内蔵することができる。図４は、２列に並んだ貫通孔１５を有する平行平板状のガラス基板１を透明化して、ガラス基板１に形成された貫通孔１５を使用してらせん状のコイルを形成した状態を例示している。具体的には、図示していないガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）において、らせん状のコイルを巻回する方向において隣接する貫通孔１５の開口部同士を接続するように配線２７を形成する。またガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）を連通する貫通孔１５の内壁に導体層を形成し、貫通電極１８とする。
この様にして、ガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）に形成された配線２７を、貫通電極１８によって順次、直列に接続することにより、らせん状のコイルを作製することができる。インダクタの特性は、たとえば巻き数を変えることで調整することができる。また、インダクタは前述の形態に限定されず、ガラス基板１の第一配線層１１および第二面配線層１９に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁樹脂９を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、絶縁樹脂９にブラインドビアおよび貫通電極を形成し、両導体層上の配線を貫通電極により接続することによって、絶縁樹脂９をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。
また、貫通電極１８は、図５Ａに示すように、貫通孔１５の側壁に沿って電解めっき膜の銅層１７が形成され絶縁樹脂９が充填されたコンフォーマル形態、または図５Ｂに示すように、貫通孔１５内部全体を電解めっき膜の銅層１７で形成されたフィルド形態どちらかを選択することができる。なお、図５Ｂに示すフィルド形態では貫通孔１５内部全体が電気抵抗が低い銅層１７で形成されているため、図５Ａに示すコンフォーマル形態と比較して貫通電極１８の電気特性や伝送特性を向上することができる。
また、図３のように、（ｂ）X字型（ｃ）くびれ型の形状では径（断面）が極小となる位置が、第一面１ａから第二面１ｂ’側に移動するため、貫通電極１８と第一面１ａ界面に発生する応力を、（ａ）Ｖ字型と比較して小さくすることができ、貫通孔１５を介する接続信頼性を向上させることができる。
ここで、第二面１ｂ’の給電用のシード層１６は、その後の工程でフッ酸水素溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属膜３と異なる材料からなる金属層が形成される。耐フッ酸金属と異なる材料としては、Ｔｉ、Ｃｕ、無電解Ｎｉ等が例示され、そのような材料からなる、少なくとも１層以上の金属層が少なくとも貫通孔１５の内周面に形成される。
材料、層数等は、上述のものに限られず、図１（ｉ）に示すように、必要に応じて材料、積層数を設定して構わない。第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９については、少なくとも一層以上積層されており、必要に応じて積層数を設定して構わない。また、第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９のうち、絶縁樹脂９上に平面状（例えば渦巻き状）のスパイラルコイル素子（第一面配線層と貫通電極と第二面配線層とで形成されるソレノイドコイル）や前述のＭＩＭキャパシタ素子（ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサ）を形成することもでき、またソレノイドコイルとＭＩＭコンデンサとからなるＬＣフィルタを形成することもできる。また、上述の通り、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
（工程９）
さらに、図１（ｊ）に示すように、工程５で仮貼りしていたガラスキャリア１４を取り外し、貫通電極１８によって導通した第一面配線層１１及び第二面配線層１９を両面に形成した配線基板２０を完成させる。なお、工程９の後に工程４の方法で、配線基板２０の表裏にさらに配線層を複数層形成してもよい。工程９の後ではガラスキャリア１４を取り外しているため、配線層の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。また、工程９では、ガラス基板１表裏に配線層が形成されているため、配線基板２０の機械的強度がガラス基板１のみと比較して向上し、回路など導電部を形成するときの搬送工程でのガラス割れの発生を抑制できる。また、配線基板２０には外部接続端子１２を形成することも可能であり、さらに、外部接続端子１２にはんだボール２１を形成することも可能である。
（工程１０）
図１（ｋ）に示すように、配線基板２０の片面または両面に既存の実装技術を用いて半導体チップ２２、チップ部品２３を搭載し、ＭＩＭコンデンサ、ソレノイドコイル、ＬＣフィルタなどを搭載した高周波デバイス２４を完成させる。
図６は、本実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。
また図７は、比較例である配線基板の貫通孔近傍における断面図である。図７の比較例の製造においては、工程７のエッチング処理を実施しない以外、本実施形態と同じ工程により形成する。
図６に示すように、ガラス基板１の第一面１ａ側において、貫通孔１５を覆うようにして耐フッ酸金属膜３が形成され、その上方にシード層４が積層され、さらにその上方に銅層５が形成されている。また、ガラス基板１の貫通孔１５の内周、耐フッ酸金属膜３の表面、及び第二面１ｂ’側における貫通孔１５の周囲には、給電用のシード層１６が形成されている。
本実施の形態によれば、ウェットエッチング処理により、耐フッ酸金属膜３の厚さは、貫通孔１５の上縁内側の部位において、貫通孔１５の上縁外側の部位よりも薄くなる。また、ウェットエッチングの選択性により、耐フッ酸金属膜３がエッチングされても貫通孔１５のエッチングは抑制されるため、耐フッ酸金属膜３は貫通孔１５の上縁よりも側方（径方向外側）にエッチングされる。これにより形成される耐フッ酸金属膜３のくぼみを、アンダーカットＵＣという。
図７に示す比較例によれば、耐フッ酸金属膜３の平面状の下面が貫通孔１５の上端を覆っており、アンダーカットは生じていない。また、ウェットエッチング処理を経ていないため、貫通孔１５の上縁内周側において耐フッ酸金属膜３の下面に、ガラスのエッチング残差ＧＥＲが残存している。比較例によれば、エッチング残差ＧＥＲが、耐フッ酸金属膜３とシード層１６との間に介在することで、貫通電極１８における伝送特性や電気特性が悪化する。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性が悪化する。
これに対し本実施形態によれば、ウェットエッチング処理により、耐フッ酸金属膜３の表面をエッチングしているため、比較例が有するようなガラスのエッチング残差ＧＥＲを完全に除去することができ、それにより配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板１内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
さらに、図７の比較例によれば、耐フッ酸金属膜３がアンダーカットを有しないため、耐フッ酸金属膜３とシード層１６との電気的接続は、貫通孔１５の上縁内側の範囲に限られるとともに、銅などと比較して電気抵抗が大きい耐フッ酸金属膜３が、膜厚が厚い状態で残存する。これに対し本実施形態によれば、アンダーカットＵＣを有するように、貫通孔１５の上縁から耐フッ酸金属膜３がドーム状にエッチングされるため、耐フッ酸金属膜３とシード層１６の接触面積を増大させることができ、加えて耐フッ酸金属膜３の一部が除去されて薄肉となるから、配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
また、図７の比較例によれば、耐フッ酸金属膜３がアンダーカットを有しないため、耐フッ酸金属膜３とシード層１６との接合は、貫通孔１５の上縁内側の範囲のみに限られる。これに対し本実施形態によれば、耐フッ酸金属膜３がアンダーカットＵＣを有するため、シード層１６の上端部が貫通孔１５の上縁外側に回りこんでアンダーカットＵＣに密着するようになる。すなわち、シード層１６の上端最大外径は、貫通孔１５の上端最大内径よりも大きくなるため、シード層１６をガラス基板１から引きはがす方向に力が印加された場合でも、これに抗することができる。
＜第２実施形態＞
次に、図８は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図８を参照して、本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態においては、上述した第１実施形態に対して工程１と工程６のみが異なり、工程２～５、工程７～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
（工程１）
厚さ１３０μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図８（a）に示すように、第一面と反対面１ｂ上に、仮貼り用の接着剤２５を介してガラス基板固定用ガラスキャリア２６を貼り合わせる。ガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは、加工時の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラス基板固定用ガラスキャリア２６を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
次に図８（ｂ）に示すように、ガラス基板１に対し、第一面１ａ側からレーザ光を照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、第一面１ａから、例えば垂直方向に対向する面１ｂに向かって延在し、その端がガラス基板１を通過し、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６に留まるように、レーザ光量を調整する。
（工程６）
図８（ｆ）に示すように、工程１で仮貼りしていたガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外し、ガラス基板１を露出させる。次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図８（ｇ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
ここで、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６にガラス基板１を形成してから、レーザ改質部を形成し、フッ化水素溶液によるエッチング前にガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外すことにより、ガラス基板１のレーザ改質部２は深さ方向に対して全面に形成されるため、第１実施形態と比較して改質部の深さばらつきが低減される。そのため、フッ化水素溶液によるエッチング後に形成される貫通孔の径のばらつきが抑制され、加工精度が向上する。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態を説明する。第３実施形態においては、上述した第１実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
(工程７：貫通孔処理工程(ウェットエッチング処理））
フッ化水素溶液により形成された貫通孔から露出した耐フッ酸金属膜領域の一部を、貫通孔処理工程であるウェットエッチング処理により除去する。その除去には、腐食溶液を用いた湿式法で耐フッ酸金属膜が除去できる方法であれば、方式は指定されず、例えばクロムエッチング液が好適に用いられる。具体的には、鋭意検証した結果、エッチングする耐フッ酸金属膜３とエッチング不要の耐フッ酸金属膜３以外のガラスや銅、絶縁樹脂のエッチング選択性の観点から、フェリシアン化カリウムおよび水酸化カリウムが含有している日本化学産業社製のアルカリ性クロムエッチング溶液を用いて、温度４０℃で１．５分処理する。そうすることで、耐フッ酸金属膜３以外のガラス基板１や絶縁樹脂９などにダメージを与えることなく、耐フッ酸金属膜３のみをエッチングすることができる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有するため、貫通孔１５内のエッチング液の循環を促進し、効率よく処理を実現できる。さらに、エッチングの前には、前処理として処理箇所に、ＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを用いたプラズマ処理や超音波洗浄を実施して濡れ性を向上させると好ましく、プラズマ処理と超音波洗浄を両方実施することで濡れ性向上効果はさらに高まるため、さらに好ましい。
以上のようにすることで、ガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）および抵抗率が高い金属膜の一部を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’に無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。ここでは、アンダーカットへの層材料の付着性向上を狙って、無電解めっき法を採用したが、形状によってはスパッタ法によりシード層形成を行ってもよい。
また、処理後の耐フッ酸金属膜３は、処理前に比べて５０％以下の厚さであれば貫通孔１５を介する電気特性の低下を抑制できる。しかし耐フッ酸金属膜３の厚さが５０％を超えると、エッチング残差によっては十分に除去できず、金属との密着性の確保や良好な電気特性の確保を行えないおそれがある。
本実施形態においては、第１実施形態に対して、耐フッ酸金属膜３のエッチング時間を長くしている。このため、腐食溶液が耐フッ酸金属膜３を貫通し、その裏面側にあるシード層４まで至る。このため、給電用のシード層１６が貫通孔１５の内周に形成されるとともに、耐フッ酸金属膜３の貫通した開口の内側、及びシード層４の表面まで形成される。
図９は、本実施形態により形成した配線基板の貫通孔近傍における断面図である。本実施形態のウェットエッチング処理によれば、ガラスのエッチング残差および抵抗率が高い耐フッ酸金属膜３を一度に除去することができるため、貫通電極１８の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。そのため、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
言い換えると、ガラス基板１の第一面１ａ側のシード層４と、第二面１ｂ’側から貫通孔１５を通って延在する給電用のシード層１６とが、例えば共通する素材同士で耐フッ酸金属膜３を介することなく直接接続されるため、貫通電極１８の伝送特性、電気特性がさらに向上する。そのため、ガラス基板の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔に接続されるキャパシタや貫通孔を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。また、耐フッ酸金属膜３を除去するため、耐フッ酸金属膜３との密着性確保のための、密着層形成などを追加で実施する必要がなくなり、工程数の増加を抑制することが可能となる。
さらに、本実施形態のウェットエッチング処理によれば、耐フッ酸金属膜３が貫通されるとともに、貫通する開口の径が広がってアンダーカットＵＣを形成することができる。給電用のシード層１６は、アンダーカットＵＣを埋めるように形成されるため、シード層１６の上端部は、貫通孔１５の上端内径よりも大きな径の円盤状となる。このため、シード層１６をガラス基板１から引きはがす方向の力に抗する力は、第１実施形態よりも大きなものとなる。
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態を説明する。第４実施形態においては、上述した第２実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第３実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第５実施形態＞
図１０は、第５実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。第５実施形態は、第１実施形態における工程１のレーザ改質工程をガラス基板１に支持体を張り付け後に行う点で異なっている。以下、図１０を参照して、第５実施形態を説明する。
（工程１）
厚さ５００μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。
さらに、ガラス基板１の第一面１ａにスパッタ法などにより、耐フッ酸金属膜３を１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で形成する。その後、耐フッ酸金属膜３上にスパッタ法および無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、図１０（ａ）に示すように、耐フッ酸金属膜３上にシード層４を形成する。耐フッ酸金属膜３の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定する。
（工程２）
次に、ガラス基板１の第一面１ａにパターンのフォトレジストを形成する。一例として昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジスト（製品名ＲＤ１２２５）を用いて、第一面１ａ側のラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層４を露出させる。シード層４に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要なったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層４をエッチングすることによって、図１０（ｂ）に示すように、耐フッ酸金属膜３とシード層４と銅層５とを積層した配線を、第一面１ａに形成する。
ここで、第一面１aには、配線の他にキャパシタを形成しても良い。キャパシタについては、前述のように、二枚の導体板の間に誘電体を挟んだMIM構造とする。キャパシタの例としては、図２に示したように、ガラス基板１直上に、又はガラス基板１上に形成した絶縁樹脂層の上に、下電極６を形成し、下電極６の上に誘電体７を積層し、さらにその上に上電極８を積層したものである。下電極６と上電極８は、一般的に、前述の無電解ニッケルめっきやスパッタリング法などにより形成した薄い金属薄膜であるシード層と、そのシード層の上に形成した電解銅めっきなどの導電層からなる多層構造を有する。キャパシタのキャパシタンスは、誘電体７の誘電率と、下電極６に重なる上電極８の面積と、下電極６と上電極８との間隔により決定される。キャパシタは、ガラス基板１の第一面１aおよび第二面１ｂ’のいずれの側にも設けることができる。
また、下電極６の形成位置は任意であるが、下電極６からガラス基板１の第二面１ｂ’側に配線を接続する場合には、配線による電気抵抗抑制および配線長の短縮のため、図２に示したように、貫通孔１５直上に形成することが好ましい。
（工程３）
次に、一例として味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂９（製品名ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、３２．５μｍ厚）を配線上にラミネートしプリキュア後に、レーザ加工によって絶縁樹脂９に対しブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施しレーザにより発生した残差物を除去し、スパッタ法および無電解めっき法により銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、シード層を形成する。シード層上に昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジスト（製品名ＲＤ１２２５）をラミネートして、パターンを描画後、現像する。シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきを行う。めっき後に不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離し、シード層をエッチングして配線形成を行う。配線形成後にソルダーレジスト１０を形成し、フォトリソグラフィー法などを用いてパターンニングし、図１０（ｃ）に示すように、第一面１ａ側の配線である第一面配線層１１を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
なお、本実施形態においては、前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程を工程Ｂと称する。工程Ｂは、上述の工程１～３に対応しているが、工程１～３の開示内容は工程Ｂを限定するものではない。
（工程４）
次に、図１０（ｄ）に示すように、第一面配線層１１上に、仮貼り用の接着剤１３（例えば日東電工社製の製品名リバアルファ）を介してガラスキャリア１４を貼り合わせる。ガラスキャリア１４の厚さは、薄板化後の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラスキャリア１４の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラスキャリア１４を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。
（工程５）
次に、図１０（ｅ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａとは反対側の面１ｂからレーザを照射し、ガラス基板１に対し貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する。レーザ改質部２は、工程１で形成した耐フッ酸金属膜３に対して垂直に形成し、下端が、ガラス基板１の内部に留まるように、レーザ光量を調整する。使用するレーザについては、第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程を工程Ａと称する。工程Ａは、上述の工程５に対応しているが、工程５の開示内容は工程Ａを限定するものではない。
（工程６）
次に、第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う。レーザ改質部２が形成されていない部分のガラスはフッ化水素溶液によってエッチングされ、図１０（ｆ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。使用するフッ化水素溶液については、第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、前記第一面１aとは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に２貫通孔１５を形成するとともに、前記ガラス基板１の第一面１aに対向する第二面１ｂ’を形成する工程を工程Ｃと称する。工程Ｃは、上述の工程６に対応しているが、工程６の開示内容は工程Ｃを限定するものではない点も第１の実施形態の場合と同様である。
（工程７：貫通孔処理工程(ウェットエッチング処理））
さらに本実施形態においては、図１０（ｇ）に示すように、フッ化水素溶液により形成された貫通孔１５から露出した耐フッ酸金属膜３領域の一部を、貫通孔処理工程であるウェットエッチング処理により除去する。その除去には、腐食溶液を用いた湿式法で耐フッ酸金属膜が除去できる方法であれば、方式は指定されず、例えばクロムエッチング液が好適に用いられる。具体的には、鋭意検証した結果、エッチングする耐フッ酸金属膜３とエッチング不要の耐フッ酸金属膜３以外のガラスや銅、絶縁樹脂のエッチング選択性の観点から、フェリシアン化カリウムおよび水酸化カリウムが含有している日本化学産業社製のアルカリ性クロムエッチング溶液を用いて、温度４０℃で１．５分処理する。そうすることで、耐フッ酸金属膜３以外のガラス基板１や絶縁樹脂９などにダメージを与えることなく、耐フッ酸金属膜３のみをエッチングすることができる。
貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有するため、貫通孔１５内のエッチング液の循環を促進し、効率よく処理を実現できる。さらに、エッチングの前には、前処理として処理箇所に、ＣＦ４ガス、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガスなどを用いたプラズマ処理や超音波洗浄を実施して濡れ性を向上させると好ましく、プラズマ処理と超音波洗浄を両方実施することで濡れ性向上効果はさらに高まるため、さらに好ましい。
以上のようにすることで、ガラスのエッチング残差（ガラス残差ともいう）および抵抗率が高い金属膜の一部を一度に除去することができるため、貫通孔部の接続信頼性の向上および伝送特性、電気特性の向上が可能となる。
その後、貫通孔１５が形成された第二面１ｂ’に無電解めっき法などにより、銅被膜を１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲で成膜し、給電用のシード層１６の形成を行う。ここでは、アンダーカットへの層材料の付着性向上を狙って、無電解めっき法を採用したが、形状によってはスパッタ法によりシード層形成を行ってもよい。
また、処理後の耐フッ酸金属膜３は、処理前に比べて５０％以下の厚さであれば貫通孔１５を介する電気特性の低下を抑制できる。しかし耐フッ酸金属膜３の厚さが５０％を超えると、エッチング残差によっては十分に除去できず、金属との密着性の確保や良好な電気特性の確保を行えないおそれがある。
なお、本実施形態においては、前記耐フッ酸金属膜３の一部を除去する工程を貫通孔処理工程Ｄと称する。貫通孔処理工程Ｄは、上述の工程７に対応しているが、工程７の開示内容は貫通孔処理工程Ｄを限定するものではない。
本実施形態においても、図６の実施形態と同様に、ウェットエッチング処理により、耐フッ酸金属膜３のアンダーカットＵＣが形成されるため、耐フッ酸金属膜３とシード層１６の接触面積を増大させることができ、それにより配線基板の第一面１ａと第二面１ｂ’間の伝送特性や電気特性を向上させることができる。そのため、ガラス基板１の配線およびガラス基板内に内蔵された貫通孔１５に接続されるキャパシタや貫通孔１５を用いて形成されるインダクタ、それらを組み合わせたLCフィルタの伝送特性や電気特性を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、耐フッ酸金属膜３がアンダーカットＵＣを有するため、シード層１６の上端部が貫通孔１５の上縁外側に回りこんで耐フッ酸金属膜３に密着するようになる。すなわち、シード層１６の上端最大外径は、貫通孔１５の上端最大内径よりも大きくなるため、シード層１６をガラス基板１から引きはがす方向に力が印加された場合でも、これに抗することができる。
（工程８）
次に、工程２及び工程３と同様に、第二面１ｂ’にドライフィルムレジストでパターン形成し、シード層１６に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅めっきをし、銅層１７を形成した後、不要となったドライフィルムレジストを溶解剥離して図１０（ｈ）に示すように、貫通電極１８を形成する。その後不要となったシード層１６を除去し、絶縁樹脂９、もしくはソルダーレジスト１０等の外層保護膜をコートすることで、図１０（ｉ）に示すように、第二面配線層１９を形成する。また、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。上述のように貫通電極１８、第二面配線層１９等についても、第１実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、前記貫通孔に貫通電極を形成する工程を工程Ｅと称する。工程Ｅは、上述の工程８に対応しているが、工程８の開示内容は工程Ｅを限定するものではない。
ここで、第二面１ｂ’には、配線の他にキャパシタ、インダクタを形成しても良い。インダクタについては、らせん状のコイルと同様の性能を、貫通孔１５を備えたガラス基板１に内蔵することができる。図４は、２列に並んだ貫通孔１５を有する平行平板状のガラス基板１を透明化して、ガラス基板１に形成された貫通孔１５を使用してらせん状のコイルを形成した状態を例示している。具体的には、図示していないガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）において、らせん状のコイルを巻回する方向において隣接する貫通孔１５の開口部同士を接続するように配線２７を形成する。またガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）を連通する貫通孔１５の内壁に導体層を形成し、貫通電極１８とする。
この様にして、ガラス基板１の表裏面（１ａ、１ｂ’）に形成された配線２７を、貫通電極１８によって順次、直列に接続することにより、らせん状のコイルを作製することができる。インダクタの特性は、たとえば巻き数を変えることで調整することができる。また、インダクタは前述の形態に限定されず、ガラス基板１の第一面配線層１１および第二面配線層１９に、他の配線と同様に加工し、渦巻き状にコイルを形成することも可能であるし、絶縁樹脂９を挟んだ二つの導体層にそれぞれ配線を施し、絶縁樹脂９にブラインドビアおよび貫通電極を形成し、両導体層上の配線を貫通電極により接続することによって、絶縁樹脂９をらせん状に巻く形態のコイルとして形成することも可能である。
また、貫通電極１８は、図５Ａに示すように、貫通孔１５の側壁に沿って電解めっき膜の銅層１７が形成され絶縁樹脂９が充填されたコンフォーマル形態、または図５Ｂに示すように、貫通孔１５内部全体を電解めっき膜の銅層１７で形成されたフィルド形態どちらかを選択することができる。なお、図５Ｂに示すフィルド形態では貫通孔１５内部全体が電気抵抗が低い銅層１７で形成されているため、図５Ａに示すコンフォーマル形態と比較して貫通電極１８の電気特性や伝送特性を向上することができる。
ここで、第二面１ｂ’の給電用のシード層１６は、その後の工程でフッ酸水素溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属膜３と異なる材料からなる金属層が形成される。耐フッ酸金属と異なる材料としては、Ｔｉ、Ｃｕ、無電解Ｎｉ等が例示され、そのような材料からなる、少なくとも１層以上の金属層が少なくとも貫通孔１５の内周面に形成される。
材料、層数等は、上述のものに限られず、図１０（ｉ）に示すように、必要に応じて材料、積層数を設定して構わない。第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９については、少なくとも一層以上積層されており、必要に応じて積層数を設定して構わない。また、第一面配線層１１、並びに第二面配線層１９のうち、絶縁樹脂９上に平面状（例えば渦巻き状）のスパイラルコイル素子（コイル）や前述のMIMキャパシタ素子を形成することもできる。また、上述の通り、外部接続端子１２などの必要がある場合、開口部を設けてもよい。
（工程９）
さらに、図１０（ｊ）に示すように、工程５で仮貼りしていたガラスキャリア１４を取り外し、貫通電極１８によって導通した第一面配線層１１及び第二面配線層１９を両面に形成した配線基板２０を完成させる。なお、工程９の後に工程３の方法で、配線基板２０の表裏にさらに配線層を複数層形成してもよい。工程９の後ではガラスキャリア１４を取り外しているため、配線層の両面同時形成が可能となり、片面形成と比較して工程の短縮化が可能となる。また、工程９では、ガラス基板１表裏に配線層が形成されているため、配線基板２０の機械的強度がガラス基板１のみと比較して向上し、回路など導電部を形成するときの搬送工程でのガラス割れの発生を抑制できる。また、配線基板２０には外部接続端子１２を形成することも可能であり、さらに、外部接続端子１２にはんだボール２１を形成することも可能である。
（工程１０）
図１０（ｋ）に示すように、配線基板２０の片面および両面に既存の実装技術を用いて半導体チップ２２、チップ部品２３を搭載し、高周波デバイス２４を完成させる。
＜第６実施形態＞
次に、図１１は、第６実施形態に係る配線基板の製造方法にかかる工程を示す図である。図１１を参照して、第６実施形態を説明する。第６実施形態は、第２実施形態における工程１のレーザ改質工程をガラス基板１に支持体を張り付け後に行う点で異なっている。そのため、上述した第２実施形態に対して工程１と工程６のみが異なり、工程２～５、工程７～１０については共通するため、重複する説明は省略する。
（工程１）
厚さ１３０μｍの無アルカリガラスを用意し、超音波洗浄などで表面の汚染物を除去してガラス基板１とする。その後、図１１（a）に示すように、第一面と反対面１ｂ上に、仮貼り用の接着剤２５を介してガラス基板固定用ガラスキャリア２６を貼り合わせる。ガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは、加工時の搬送性を鑑み０．７ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の範囲が望ましい。ガラス基板１の厚さによってガラス基板固定用ガラスキャリア２６の厚さは適宜設定して構わない。また、支持体としてガラス基板固定用ガラスキャリア２６を例示しているが、支持体はガラス製ではなくてもよく、金属製や樹脂製などでも良い。工程Ｘは、上述の工程１に対応しているが、工程１の開示内容は工程Ｘを限定するものではない。
（工程６）
次に図１１（ｅ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａとは反対側の面１ｂからレーザを照射し、貫通孔の起点となるレーザ改質部２を形成する（工程Ａ）。レーザ改質部２は、第一面の反対面１ｂから、例えば垂直方向に対向する面１aに向かって延在し、その端がガラス基板１を通過し、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６に留まるように、レーザ光量を調整する。使用するレーザについては、第１の実施形態と同様である。その後、上述のように第一面配線層を形成する工程Ｂを実行する。
また、図１１（ｆ）に示すように、工程１で仮貼りしていたガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外し（剥離除去し）、ガラス基板１を露出させる（工程Ｙ）。次に第一面配線層１１とは反対側のガラス基板１の面１ｂから、フッ化水素溶液でエッチングを行う（工程Ｃ）。ガラス基板１の面１ｂは、フッ化水素溶液によってエッチングされ、図１１（ｇ）に示すように、ガラス基板１の第一面１ａと平行に薄板化される。フッ化水素溶液がレーザ改質部２に接触すると、レーザ改質部２が優先的に溶解され、貫通孔１５が形成される。これによって、ガラス基板１は、貫通孔１５の形成と共に薄板化する。すなわち、ガラス基板１の薄板化と貫通孔１５の形成とが、一つのエッチング処理で行われる。薄板化したガラス基板１の下面が、第二面配線層が形成される第二面１ｂ’となる。貫通孔１５は、第二面１ｂ’側の径（または断面積）が第一面１ａ側の径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有する。その後、上述のように貫通孔処理工程（工程Ｄ）と、貫通電極形成工程（工程Ｅ）を実行する。
また、貫通孔１５の断面形状はレーザ改質部の改質位置やフッ化水素溶液の濃度や処理温度などのエッチング条件の変更により、図３のように、前述の第一面１ａ側の径が第二面１ｂ’側の径よりも小さくなるような（ａ）Ｖ字型や、第一面１ａ側および前記第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｂ）Ｘ字型、および第一面１ａ側および第二面１ｂ’側のどちらか一方に断面極大値を有し、ガラス基板１の厚さをＴとしたときに、第一面１ａからの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有するような（ｃ）くびれ型の形状に制御することができ、任意に決定することができる。
ここで、ガラス基板固定用ガラスキャリア２６にガラス基板１を形成してから、レーザ改質部を形成、フッ化水素溶液によるエッチング前にガラス基板固定用ガラスキャリア２６を取り外すことにより、ガラス基板１のレーザ改質部２は深さ方向に対して全面に形成されるため、第１実施形態と比較して改質部の深さばらつきが低減される。そのため、フッ化水素溶液によるエッチング後に形成される貫通孔の径のばらつきが抑制され、加工精度が向上する。
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態を説明する。第７実施形態においては、上述した第５実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第３実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
＜第８実施形態＞
次に、本発明の第８実施形態を説明する。第８実施形態においては、上述した第６実施形態に対して工程７（工程Ｄ）のみが異なり、工程１～６、工程８～１０については共通する。また、工程７は第３実施形態の工程７と一致する。そのため、重複する説明は省略する。
（比較試験１）
本発明者らは、エッチング前における膜厚が５００ｎｍである耐フッ酸金属膜に対して、エッチング率を変えた場合における抵抗の低減率を、貫通電極の長さごとに求めた。その結果を、表１に示す。
Figure 2022151789000002
ここで、エッチング率とは、エッチング前の耐フッ酸金属膜の膜厚をＡとし、エッチング後の耐フッ酸金属膜の平均膜厚をＢとしたとき、（１－Ｂ／Ａ）×１００で表される値である。一方、抵抗低減率とは、エッチング率０％の時の、貫通電極を挟んだ第一面配線層と第二面配線層との間の電気抵抗値を１００とした場合において、各エッチング率における電気抵抗値が低下した割合を負値で示したものである。
表１の結果によれば、貫通電極の長さに関わらず、エッチング率０％を超えて増大するにつれて、抵抗低減効果が高くなることがわかる。また、貫通電極の長さが短いほど、抵抗低減効果が高いことがわかる。
ただし、エッチング率が５０％を下回ると、ガラスの残差が耐フッ酸金属膜に残存する恐れがある。このため、エッチング率を５０％以上とすることが望ましい。
図７に示す比較例は、エッチング率０％である。これに対し、図６に示す第１実施形態(または第２実施形態、第５実施形態、第６実施形態)においては、エッチング率０％を超え、エッチング率１００％未満である。ここで、ガラスの残差除去と、ウェットエッチング処理の工数低減と、抵抗低減率とのバランスを考慮する場合、エッチング率は７０％～９０％とすることが望ましい。
一方、図９に示す第３実施形態(または第４実施形態、第７実施形態、第８実施形態)においては、エッチング率１００％となる。ウェットエッチング処理の工数低減よりも抵抗低減率確保を優先する場合には、エッチング率１００％とすることが望ましい。ただし、エッチング率１００％とする場合、耐フッ酸金属膜の背面側にある銅被膜のダメージを極力抑えるため、ウェットエッチング処理の処理液や時間などの適正条件については、シミュレーションや実験等で予め定めることが望ましい。
（比較試験２）
本発明者らは、エッチング前における膜厚が５００ｎｍである耐フッ酸金属膜に対して、エッチング率を変えた場合における、貫通孔１５直上に形成したＭＩＭキャパシタ、貫通電極１８を配線の一部として使用したソレノイドコイルのＱ値の変化率、上述のＭＩＭキャパシタとソレノイドコイルを直列に接続して構成されたＬＣフィルタの共振周波数部のＳパラメータ（Ｓ２１）の変化率を求めた。（貫通孔長１００μｍ）その結果を表２に示す。
Figure 2022151789000003
ここで、Ｑ値増加率とは、エッチング率０％の時の、ＭＩＭキャパシタおよびソレノイドコイルのＱ値を１００とした場合において、各エッチング率におけるＱ値が向上した割合を正値で示したものである。また、Ｓ２１値低減率とは、エッチング率０％の時の、共振周波数でのＬＣフィルタのＳパラメータ（Ｓ２１）値を１００とした場合において、各エッチング率におけるＳパラメータ（Ｓ２１）値が低下した割合を負値で示したものである。
表２の結果によれば、エッチング率０％を超えて増大するにつれて、ＭＩＭキャパシタおよびソレノイドコイルのＱ値向上効果が高くなることがわかる。また、ＬＣフィルタのＳパラメータ（Ｓ２１）値もエッチング率０％を超えて増大するにつれて、低下しており、急峻なフィルタ特性となっていることがわかる。
ただし、エッチング率が５０％を下回ると、ガラスの残差が耐フッ酸金属膜に残存する恐れがある。このため、エッチング率を５０％以上とすることが望ましい。
図７に示す比較例は、エッチング率０％である。これに対し、図６に示す第１実施形態（または第２実施形態、第５実施形態、第６実施形態）においては、エッチング率０％を超え、エッチング率１００％未満である。ここで、ガラスの残差除去と、ウェットエッチング処理の工数低減と、抵抗低減率とのバランスを考慮する場合、エッチング率は７０％～９０％とすることが望ましい。
一方、図９に示す第３実施形態（または第４実施形態、第７実施形態、第８実施形態）においては、エッチング率１００％となる。ウェットエッチング処理の工数低減よりも抵抗低減率確保を優先する場合には、エッチング率１００％とすることが望ましい。ただし、エッチング率１００％とする場合、耐フッ酸金属膜の背面側にある銅被膜のダメージを極力抑えるため、ウェットエッチング処理の処理液や時間などの適正条件については、シミュレーションや実験等で予め定めることが望ましい。
（比較試験３）
本発明者らは、実施例１として第１実施形態の配線基板(エッチング率７０％）と、実施例２として第３実施形態の配線基板(エッチング率１００％）と、比較例１として耐フッ酸金属膜をウェットエッチングしないこと以外、共通の工程を経て形成した配線基板とを、それぞれ５０個準備し、これらを熱冷衝撃試験機に取り付けて、比較試験を行った。
かかる比較試験において、－４０℃～＋１２５℃の範囲で配線基板の雰囲気温度を変動させることを１サイクルとし、これを１０００サイクル繰り返し、その後に貫通電極の導通確認を行った。その結果、比較例１の配線基板では３０％の導通不良が生じたが、実施例１の配線基板では導通不良は３％以下であり、耐フッ酸金属膜のアンダーカットによるアンカー効果が導通不良抑止に有効であることを確認できた。加えて、実施例２の配線基板では導通不良は１％以下であり、より高いアンカー効果を発揮できることを確認できた。なお、その構造上の同一性より、実施例1の実験結果は第２実施形態、第５実施形態、第６実施形態にも適用され、実施例２の実験結果は第４実施形態、第７実施形態、第８実施形態にも適用されることは明らかである。
１・・・ガラス基板、
２・・・レーザ改質部、
３・・・耐フッ酸金属膜、
４・・・シード層、
５・・・銅層、
６・・・下電極、
７・・・誘電体、
８・・・上電極、
９・・・絶縁樹脂、
１０・・・ソルダーレジスト、
１１・・・第一面配線層、
１２・・・外部接続端子、
１３・・・接着剤、
１４・・・ガラスキャリア、
１５・・・貫通孔、
１６・・・シード層、
１７・・・銅層、
１８・・・貫通電極、
１９・・・第二面配線層、
２０・・・配線基板、
２１・・・はんだボール、
２２・・・半導体チップ、
２３・・・チップ部品、
２４・・・高周波デバイス、
２５・・・接着剤、
２６・・・ガラス基板固定用ガラスキャリア、
２７・・・配線
UC・・・アンダーカット、
GER・・・エッチング残差

Claims (22)

  1. ガラス基板の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
    前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
    前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
    前記貫通孔から露出する前記耐フッ酸金属膜に対してウェットエッチング処理を施す貫通孔処理工程Ｄと、
    前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、
    ことを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. ガラス基板を支持体に接合する工程Ｘと、
    前記ガラス基板と前記支持体双方の一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射して、レーザ改質部を形成する工程Ａと、
    前記ガラス基板の第一面に耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層を形成する工程Ｂと、
    前記支持体を剥離除去する工程Ｙと、
    前記第一面とは反対側の面をエッチングすることにより、前記レーザ改質部に貫通孔を形成するとともに、前記ガラス基板の第一面に対向する第二面を形成する工程Ｃと、
    前記貫通孔から露出する前記耐フッ酸金属膜に対してウェットエッチング処理を施す貫通孔処理工程Ｄと、
    前記貫通孔に貫通電極を形成する工程Ｅと、を有する、
    ことを特徴とする配線基板の製造方法。
  3. 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、前記ウェットエッチング処理は、前記耐フッ酸金属膜の膜厚が７０％～９０％となるまで実施される、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
  4. 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、前記ウェットエッチング処理は、前記耐フッ酸金属膜の膜厚が１００％となるまで実施される、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
  5. 前記工程Ａを前記工程Ｂの前に実行する、
    ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  6. 前記工程Ｂを前記工程Ａの前に実行する、
    ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  7. 前記工程Ｂの後であって前記工程Ｃの前に、前記第一面配線層にキャリアを貼り付ける、
    ことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  8. 前記工程Ｃにおいて、前記反対側の面にウェットエッチング処理を施す前にプラズマ処理を施す、
    ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  9. 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、前記ウェットエッチング処理は、前処理にプラズマ処理および超音波洗浄を実施し、その後、フェリシアン化カリウムおよび水酸化カリウムが含有したアルカリ性溶液で、温度４０℃で浸漬する、
    ことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  10. 前記貫通孔処理工程Ｄにおいて、前記貫通孔に無電解めっき法にてシード層を形成する、
    ことを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  11. ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
    前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
    前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
    前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
    前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、
    ことを特徴とする配線基板。
  12. ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサと、
    前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
    前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
    前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
    前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、
    ことを特徴とする配線基板。
  13. ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
    前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
    前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
    前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極と前記第二面配線層とでソレノイドコイルが形成され、
    前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、
    ことを特徴とする配線基板。
  14. ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と下部電極および前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極を含むＭＩＭコンデンサと、
    前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
    前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
    前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層又は前記下部電極と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、前記第一面配線層と前記貫通電極、前記第二面配線層でソレノイドコイルを形成し、前記ＭＩＭコンデンサと前記ソレノイドコイルとでＬＣフィルタが形成され、
    前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有する、
    ことを特徴とする配線基板。
  15. ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
    前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
    前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
    前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
    前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有し、前記貫通孔内は前記貫通電極のみで構成されている、
    ことを特徴とする配線基板。
  16. ガラス基板の第一面に形成された耐フッ酸金属膜と銅層とを含む第一面配線層と、
    前記ガラス基板の第一面に対向する第二面に形成された第二面配線層と、
    前記第一面と前記第二面とを連通する貫通孔と、
    前記耐フッ酸金属膜に向かう前記貫通孔内に形成され、前記第一面配線層と前記第二面配線層とを接続する貫通電極と、を有し、
    前記耐フッ酸金属膜は、前記貫通孔との間にアンダーカットを有し、前記貫通孔内は前記貫通電極および前記貫通孔内に充填された絶縁樹脂で構成されている、
    ことを特徴とする配線基板。
  17. 前記貫通電極は前記耐フッ酸金属膜を貫通していない、
    ことを特徴とする請求項１１～１６のいずれか一項に記載の配線基板。
  18. 前記貫通電極は前記耐フッ酸金属膜を貫通して、前記銅層に接続されている、
    ことを特徴とする請求項１１～１６のいずれか一項記載の配線基板。
  19. 前記貫通孔は、前記第一面側の径が第二面側の径よりも小さい、
    ことを特徴とする請求項１１～１８のいずれか一項に記載の配線基板。
  20. 前記貫通孔は、前記第一面側および前記第二面側のどちらか一方に断面極大値を有し、前記ガラス基板の厚さをＴとしたとき、前記第一面からの距離が０．４Ｔ以上～０．６Ｔ以下の範囲に断面極小値を有する、
    ことを特徴とする請求項１１～１８のいずれか一項に記載の配線基板。
  21. 前記貫通孔は、前記第一面側および前記第二面側のどちらか一方に断面極大値を有し、前記ガラス基板の厚さをＴとしたとき、前記第一面からの距離が０より大きく、０．２Ｔ以下の範囲に断面極小値を有する、
    ことを特徴とする請求項１１～１８のいずれか一項に記載の配線基板。
  22. 前記耐フッ酸金属膜は、クロム、ニッケル、ニッケルクロムの少なくとも一つからなる、
    ことを特徴とする請求項１１～２１のいずれか一項に記載の配線基板。
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