JP2024006905A - 多層配線基板、多層配線基板の製造方法、および母材基板 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明では、コア基板に損傷が生じることを回避し、多層配線基板の信頼性を確保することを可能とする技術を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の多層配線基板は、第１面および前記第１面に対向する第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、を有する多層配線基板であって、少なくとも前記コア基板の側面が、絶縁樹脂によって覆われる。前記コア基板は、前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔を通じて、前記第１面と前記第２面との間を導通させる貫通電極と、が形成され、前記第１配線層には前記貫通電極に接続する第１導電部が配置され、前記第２配線層には、前記貫通電極と接続する第２導電部が配置され、前記第１導電部と前記第２導電部とが、前記貫通電極を通じて導通する。【選択図】図１

Description

本発明は、多層配線基板、多層配線基板の製造方法、および母材基板に関する。

電子機器の高機能化および小型化に伴って、半導体装置を構成する配線基板の高密度化の要求が高まっている。その中で、回路配線の微細化に合わせて、抵抗、キャパシタ、インダクタ等の受動部品についても小型化が求められている。しかしながら、これら受動部品の小型化と基板表面への高密度実装のみではさらなる小型化には限界がある。そこで、実装基板に受動素子を内蔵化する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この技術では、受動素子を印刷や真空成膜法等で形成することで多層基板内に内蔵させている。そして、小型化に加えて配線長が短くなることにより、高周波ノイズを軽減する効果も得ることができる。

一方、配線基板の材料としては、ガラスエポキシ樹脂に代表される有機材料が一般的に用いられている。近年、ガラス材料への穴あけ技術の進歩により、例えば、３００μｍ厚のガラス基板に対して１００μｍ以下の小径スルーホールを１５０μｍピッチ以下で形成することが可能となっている。このことから、電子回路基板の材料としてガラスに注目が集まっている。
ガラス材料をコア基板に用いた回路基板（以下、「ガラス回路基板」という。）は、ガラスの線熱膨張係数（ＣＴＥ）が２ｐｐｍ～８ｐｐｍと小さくシリコンチップのＣＴＥと整合するため、実装信頼性が高い。さらに平坦性にも優れるため、高精度な実装が可能となり、微細配線形成性、高速伝送性の面でもプラスに作用する。

特開２０００－１５１１１４号公報

しかし、上述したガラス回路基板内にキャパシタを形成すると、次のような問題があった。
ガラス基板をコア基板に用いてガラス基板の上下面に配線層を形成させて多層配線基板を形成しようとする場合、母材基板から多層配線基板を個片化をする際に配線層の応力によって、ガラス基板にμクラックが発生する場合がある。マイクロクラック（以下、「μクラック」ともいう。）は、ガラス基板が破断する現象の原因となる。このため、ガラス材料をコア基板とする多層配線基板について、信頼性を確保することが難しくなっていた。

そこで、本発明では、コア基板に損傷が生じることを回避し、多層配線基板の信頼性を確保することを可能とする技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、代表的な本発明の多層配線基板は、第１面および前記第１面に対向する第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、を有する多層配線基板であって、少なくとも前記コア基板の側面が、絶縁樹脂によって覆われる、ことを特徴とする。

本発明によれば、コア基板に損傷が生じることを回避し、多層配線基板の信頼性を確保することが可能となる。上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。

図１は、第１実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。 図２は、第１実施形態に係る多層基板配線のうち、貫通電極の構造を示す断面図である。 図３は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体の接着工程を説明する断面図である。 図４は、第１実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。 図５は、第１実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成箇所を説明する図である。 図６は、第１実施形態に係る製造方法において、第１配線層の形成工程を説明する断面図である。 図７は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を説明する断面図である。 図８は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体の剥離工程を説明する断面図である。 図９Ａは、第１実施形態に係る製造方法において、エッチングによる貫通孔の形成工程を説明する断面図である。 図９Ｂは、分離溝を形成した場合の下面図である。 図９Ｃは、分離溝の下面図の一部を拡大して模式的に示す図である。 図９Ｄは、分離溝の側面を模式的に示す図である。 図９Ｅは、分離溝を拡大して模式的に示す図である。 図９Ｆは、分離溝の下面図の一部を拡大して模式的に示す図である。 図１０は、第１実施形態に係る製造方法において、第２配線層の形成工程を説明する断面図である。 図１１は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の剥離工程を説明する断面図である。 図１２は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の剥離工程が行われた後を示す断面図である。 図１３は、第１実施形態に係る製造方法において、ビルドアップ層の形成工程を説明する断面図である。 図１４は、第１実施形態に係る製造方法において、接続パッドの形成工程を説明する断面図である。 図１５は、第１実施形態に係る製造方法において、個片化工程を説明する断面図である。 図１６は、第１実施形態に係る製造方法のフローチャートを示す図である。 図１７は、第１変形例に係る製造方法において、第１配線層の形成工程を説明する断面図である。 図１８は、第１変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。 図１９は、第１変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。 図２０は、第２変形例に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を説明する断面図である。 図２１は、第２変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。 図２２は、第２変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。 図２３は、レーザ改質部と貫通孔の重複率を説明した図である。 図２４は、第２実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。

以下、発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
なお、以下の説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。

なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方または下方に示される面を意味する。なお、「上面」、「下面」については、「第１面」、「第２面」と称することもある。

また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚さの部分を意味する。さらに、面の一部および側面を合わせて「端部」ということがある。
また、「上方」とは、板状部材または層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」およびこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸プラス方向」、「Ｚ軸マイナス方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。
また、「底部」とは、図面において紙面に垂直な方向にある箇所を指すことがある。

＜第１実施形態＞
（多層配線基板の構造）
図１および図２を参照して、第１実施形態に係る多層配線基板を説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。図２は、第１実施形態に係る多層配線基板のうち、貫通電極の構造を示す断面図である。ここに示すように多層配線基板１は、ガラス基板であるコア基板１０を有している。コア基板１０は、Ｚ軸プラス方向の上面（以下、「第１面２０」ともいう。）に第１配線層２１が形成され、Ｚ軸マイナス方向の下面（以下、「第２面３０」ともいう。）に第２配線層２２が形成されている。

コア基板１０は、第１面２０と第１面２０に対向する第２面３０を有している。コア基板１０には、第１面２０から第２面３０までを貫通する、言い換えると表裏面を貫通する貫通孔１１が形成されている。この貫通孔１１の内壁面にシード金属層が形成されており、これによって貫通電極１２が形成され、コア基板１０の第１面２０側と第２面３０側の間を導通させている。また、図２に示すように第１配線層２１において貫通電極１２の上方にキャパシタ電極１３が配置されている。なお、キャパシタ以外の他の回路素子、例えばインダクタを第１配線層２１に内蔵することも可能である。

コア基板１０の第１面２０上に形成された配線層である第１配線層２１の構成について説明する。貫通電極接続部４１（以下、「第１導電部」ともいう。）は、第１配線層２１内に配置され、耐フッ酸金属層１５を介して貫通電極１２と接続する電極であり、貫通電極接続部４１上には導通電極３１が設けられている。キャパシタ電極１３と、誘電体層１４と、貫通電極接続部４１（および耐フッ酸金属層１５）は、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）構造を形成する。また、配線１６は、第１配線層２１内に配置された配線であり、貫通電極１２や導通電極３１等と接続する。貫通電極接続部４１、導通電極３１、キャパシタ電極１３、誘電体層１４、配線１６は、いずれも絶縁樹脂層２５によって保護されている。また、多層配線基板１を複数の半導体素子を接続する中継用の基板、すなわちインターポーザ基板として用いる場合、半導体素子用接合パッド５１は他の半導体素子を搭載したり他の半導体素子と接続するときに用いられるバンプである。ソルダーレジスト５５は、多層配線基板１を保護するための絶縁性の部材からなる膜である。ここで、導通電極３１は、第１配線層２１内に２つ重ねて設けられている。これは、第１配線層２１が２つの配線層を重ねて作成されたものであることを示している。

コア基板１０の第２面３０上に形成された配線層である第２配線層２２の構成について説明する。貫通電極接続部４２（以下、「第２導電部」ともいう。）は、第２配線層２２内に配置され、貫通電極１２と接続する電極であり、貫通電極１２の開口端の形状に合わせて形成されている。貫通電極接続部４２には導通電極３２が接続されている。第２配線層２２に配置された貫通電極接続部４２と第１配線層２１に配置された貫通電極接続部４１のうちの所定の組合せは、貫通電極１２を通じて導通する。基板用接合はんだ５４は、プリント配線基板と接続するときに用いられるバンプである。ソルダーレジスト５５は、多層配線基板１を保護するための絶縁性の部材からなる膜である。ここで、導通電極３２は、第２配線層２２内において、重ねてまたは他の配線層を介して導通経路を形成している。これは、第２配線層２２が２つの配線層を重ねて作成されたものであることを示している。

第１配線層２１および第２配線層２２には絶縁樹脂層２５が含まれているところ、コア基板１０の側面は、絶縁樹脂層２５を構成する絶縁樹脂と同じ種類の絶縁樹脂によって覆われている。

（多層配線基板の寸法、組成）
貫通電極１２の第１面２０側の開口径Ｄ１と第２面３０側の開口径Ｄ２の関係(第１面側開口径Ｄ１／第２面側開口径Ｄ２)は、０．３５以上０．６５以下の範囲となる。第１面２０側の開口径を第２面３０側の開口径に比べて小さくすることで、貫通電極１２上にキャパシタ電極１３を安定的に形成できる。

コア基板１０の厚さは５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であり、第１配線層２１に形成するキャパシタ電極１３、インダクタ、抵抗等の特性値に合わせて、その厚さを設定することが可能である。コア基板１０の厚さが２００μｍ以上となる場合は、第１面２０側の開口径Ｄ１と第２面３０側の開口径Ｄ２の関係（第１面側の開口径Ｄ１／第２面側の開口径Ｄ２）が０．３５以上０．６５以下となり、貫通電極１２上にキャパシタ電極１３の形成、並びに貫通電極１２の接続信頼性の確保が難しくなる。より望ましくは、コア基板１０の厚さは１００μｍ以上１５０μｍ以下の範囲である。
なお、第１面２０側の開口径Ｄ１と第２面３０側の開口径Ｄ２の間の関係は、上記範囲内であれば、適宜設定して構わない。

絶縁樹脂層２５は、比誘電率が３．１以上３．５以下の範囲に含まれ、かつ誘電正接が０．００２以上０．０１２以下の範囲に含まれる。絶縁樹脂層２５は、熱硬化性樹脂で形成されている。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂およびこれらの複合材料であり、かつ少なくともＳｉＯ_２を成分とするフィラー材料が６５％以上８０％以下の範囲で充填されているものが用いられる。ＳｉＯ_２のフィラー材料の充填率が６５％以下の場合、比誘電率および誘電正接が上記範囲外となり、伝送特性の低下の要因となる。より望ましくは、ＳｉＯ_２のフィラー材料の充填率を７２％以上とする。
また、上記複合材料のうち、ＳｉＯ_２のフィラー材料が高充填された材料は、絶縁樹脂の線膨張係数が低く、ガラス材の線膨張係数と近い値となる。よって、このような材料を用いることで、コア基板１０に配線層を形成した時に生じうる応力を低減させることが可能となる。このようにすることで、比誘電率および誘電正接の値を上記範囲に抑えることができ、伝送特性に影響が及ぶことを回避することができる。

多層配線基板１の側面は、第１配線層２１および第２配線層２２に含まれる絶縁樹脂層２５およびコア基板１０の側面に形成された絶縁樹脂が露出している。多層配線基板１の側面部分にある絶縁樹脂の厚さｗｉは、水平方向（多層配線基板１が広がる方向）に測定した場合、少なくとも５０μｍ以上である。コア基板１０の側面は、第１面２０から第２面３０に向かう垂直な直線を仮定し当該直線と側面のなす角度をθ１とした場合、第１配線層２１のコア基板１０の端部を基準として、θ１が２１°以上３５°以下の範囲で傾斜して第２配線層２２に到達する。また、多層配線基板１の側面の形状は、垂直な直線の方向と同じ垂直方向に延びる形状である。
コア基板１０の側面を含む多層配線基板１の側面は、絶縁樹脂の材料で覆われており、結果として絶縁樹脂材料で保護されている。これによって、コア基板１０の上下面に形成される第１配線層２１または第２配線層２２で発生する応力を、コア基板１０の側面にある絶縁樹脂を通じて他方の配線層に分散させることが可能となる、また、コア基板１０の端部でのμクラック、チッピングを抑制でき、多層配線基板１の信頼性を高めることが可能となる。

多層配線基板１の第１配線層２１に形成されるキャパシタはＭＩＭ構造を持つ。キャパシタを形成する誘電体層１４は、絶縁性、非誘電率の観点から、アルミナ、シリカ、シリコンナイトライド、タンタルオキサイド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムの少なくとも１つを選択することができる。また、ＭＩＭ構造の上下電極に用いられる材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、Ｃｕのうちの少なくともひとつを適用することができる。例えば、Ｃｕは望ましい材料である。

多層配線基板１に用いられるコア基板１０は、光透過性を有する透明のガラス材料である。ガラスの成分またはガラスに含有される各成分の配合比率、更にガラスの製造方法は、特に限定されない。例えば、ガラスとしては、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、感光性ガラス等が挙げられるが、ケイ酸塩を主成分とするいずれのガラス材料を用いてもよい。さらに、その他のいわゆるガラス材料を用いてもよい。但し、本実施形態に係る多層配線基板では、無アルカリガラスを用いることが望ましい。

コア基板１０には、フロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、アップドロー法、ロールアウト法等によって製造されたガラスが用いられるが、いずれの方法によって作製されたガラス材料を用いてもよい。ガラスの線膨張係数は－１ｐｐｍ／Ｋ以上１５．０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲であることが望ましい。その理由として、－１ｐｐｍ/Ｋ以下である場合、ガラス材料を選定すること自体が困難である。一方、１５．０ｐｐｍ／Ｋ以上である場合、他層との熱膨張係数の差異が大きくなり多層配線基板に用いる場合に信頼性が低下する。また、本実施形態の多層配線基板１にシリコンチップを実装する場合は、シリコンチップとの接続信頼性が低下する。なお、ガラスの線膨張径数は、より望ましくは０．５ｐｐｍ／Ｋ以上８．０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲であり、更に望ましくは１．０ｐｐｍ／Ｋ以上４．０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲である。

＜本発明の実施形態に係る第１製造方法＞
以下では、図３から図１５を参照して、第１実施形態における多層配線基板１の製造方法について説明する。

（第１支持体の接着）
まず、図３を参照して、母材基板であるガラス基板６０に第１支持体６１を接着する工程を説明する。図３は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体６１の接着工程を説明する断面図である。
ガラス基板６０は、第１面２０および第２面３０を有している。ここに示すように、第１接着層６２を用いて、ガラス基板６０に第１支持体６１を貼り合わせ、ガラス基板６０、第１接着層６２、第１支持体６１からなる積層構造体６３を形成する。
なお、図面においては、第１接着層は、本来であればガラス基板６０と第１支持体６１と比較して厚さを無視できるほどであり、ガラス基板６０と第１支持体６１の間の界面と表現することも可能であるところ、見やすくするため厚さを有する層状に図示している。また、ガラス基板６０はＹ軸方向に広がりを持つところ、図面においては一部を抜粋して表示しており、そのためＹ軸方向の端部は直線で示されている。

第１接着層６２は、ガラス基板６０に対して第１支持体６１を仮固定するための接着層である。第１接着層６２は、ガラス基板６０の第２面３０上に形成された、水酸基（ヒロドキシル基）を含む面である。接着界面の構成は、水酸基（ヒロドキシル基）を含んでいれば、複数の他の官能基を含んでいても構わない。このため、第１接着層６２の材料は、ＵＶ光などの光を吸収して発熱、昇華、または変質によって剥離可能となる樹脂、熱によって発泡により剥離可能となる樹脂、もしくは、官能基等から、適宜選択することができる。
ガラス基板６０に第１支持体６１を貼り合わせるためには、例えば、ラミネーター、真空加圧プレス、減圧貼り合わせ機等を使用することができる。
このように、水酸基（ヒロドキシル基）を含んだ界面をガラス基板６０の第２面３０に形成することにより、ガラス基板６０と第１支持体６１の間に、水酸基を用いた水素結合を形成することが可能となる。なお、水酸基（ヒロドキシル基）を含む接着層は、ガラス基板６０の第１面２０上にも形成することが可能である。

第１支持体６１は、ガラス基板６０と同一の材料で構成されることが望ましい。ガラス基板６０の材料が無アルカリガラスである場合、第１支持体６１の材料も無アルカリガラスであることが望ましい。また第１支持体６１の厚さについては、ガラス基板６０の厚さＴ１に応じて、適宜設定することができる。ただし、製造工程中に搬送可能な厚さであることが望ましく、例えば、ガラス基板６０の厚さＴ１は７５μｍ以上２００μｍ以下の範囲であり、第１支持体６１の厚さは３００μｍ以上１，５００μｍ以下の範囲に設定することが可能である。

なお、本実施形態では、第１支持体６１はガラス材料で構成されており、接着界面として水酸基（ヒロドキシル基）並びに複数の官能基を使用している。

ガラス基板６０と第１支持体６１の間の密着強度は、０．１５Ｊ／ｃｍ^２以上０．４５Ｊ／ｃｍ^２以下の範囲に入ることが好ましい。上記の範囲の強度が得られない場合には、水酸基を形成後にアニール処理を行い、密着強度を向上させてもよい。密着強度は０．１５Ｊ／ｃｍ^２以下では、工程流動中にガラス基板６０と第１支持体６１の界面で剥離する可能性が高くなる。また逆に、密着強度は０．４５Ｊ／ｃｍ^２以上では、密着強度が別途記載の剥離工程で不具合が発生し易くなる。より望ましくは、０．２５Ｊ／ｃｍ^２以上０．４Ｊ／ｃｍ^２以下の範囲となる。なお、密着強度はクラックオープン法を用いて測定したが、測定方法はこれに限定されない。

（レーザ改質部の形成）
次に、図４を参照して、レーザ改質部の形成工程について説明する。図４は、第１実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。図４において、破線がレーザ改質部６５を示す。図４に示すように、積層構造体６３に対し、第１面２０側からレーザを照射し、レーザ改質部６５を形成する。レーザ改質部６５は、ガラス基板６０に対し、例えば垂直方向に延在し、ガラス基板６０のほぼ全面にわたって所望の位置に形成することができる。このとき、レーザ改質部６５は、第１接着層６２および第１支持体６１まで到達するように形成されていても構わない。

本実施形態においては、ガラス基板６０に第１支持体６１を重ねた状態でレーザを照射することによって、レーザ照射の処理条件（ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｉｎｄｏｗ）を広くとることが可能となり、かつ、ガラス基板６０に対して所望の位置にレーザ改質部６５を形成することが可能となる。

ここで、第１接着層６２として樹脂からなる接着層を用いると、レーザ照射によって接着剤の樹脂にクラックが発生し、第１支持体６１をガラス基板６０から剥離する際に接着樹脂がガラス基板６０上に残留する事象が発生する場合がある。このような接着樹脂がガラス基板６０上に残留した場合には、後のフッ酸エッチングによる貫通孔形成工程において、不具合の原因となり得る。例えば、ガラス基板６０における表面凹凸の発生などにつながる虞がある。このため、ガラス基板６０および第１支持体６１の接着には、樹脂接着層を用いるよりも、水酸基（ヒロドキシル基）を含んだ界面を用いることが望ましい。

また、図５は、第１実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成箇所を説明する図である。図５（ａ）はガラス基板６０をＺ軸プラス方向からみた平面図であり、図５（ｂ）はガラス基板６０の一部を拡大して示す一例である。ここで、一点鎖線で示されたものは個片化ライン６４である。個片化ラインは、ガラス基板６０から多層配線基板を分離させるときの分離溝が形成される位置を示す。また、貫通孔１１の起点となるレーザ改質部６５は黒丸で示されている。レーザ改質部６５は、貫通孔１１または分離溝が形成される箇所である。

また、図５（ｃ）は別例におけるガラス基板の一部を拡大して示す他の例である。ここに示すように、分離溝のレーザ改質部を形成する場合、レーザの照射位置をずらして複数のレーザ改質部を形成して個片化ライン６４とすることも可能である。

（第１配線層の形成）
次に図６を参照して、第１配線層２１の形成工程について説明する。図６は、第１実施形態に係る製造方法おいて、第１配線層の形成工程を説明する断面図である。ここに示すように、積層構造体６３のガラス基板６０上の第１面２０に、導電層と絶縁層を含む第１配線層２１を形成する。

まず、ガラス基板６０上に耐フッ酸金属層１５を含むシード層を形成する。ガラス基板６０上の耐フッ酸金属層１５は、クロムまたはニッケルの少なくともいずれかを含む合金層であり、スパッタ処理にて１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下の範囲で形成する。その後、耐フッ酸金属層１５上に導電金属皮膜を所望の厚さで形成する。導電金属皮膜の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ_３Ｎ_４から適宜設定することができる。

電極接続部（電極）および配線の形成は、例えばセミアディティブ（ＳＡＰ）工法によって行う。セミアディティブ工法では、フォトレジストを使用し、所望のパターンを形成する。一般的には、ドライフィルムレジストを用いるが、液体のレジストを用いても構わない。レジストに露光、現像をし、所望のパターンを形成した後に、電解めっきにて２μｍ以上２０μｍ以下の厚さのめっき被膜を形成する。不要となったレジストパターンを剥離し、シード層をエッチングすることでレーザ改質部の上方に位置する貫通電極接続部４１とレーザ改質部６５の間に位置する配線１６が形成される。

貫通電極接続部４１上の誘電体層１４の形成は、絶縁性、比誘電率の観点からアルミナ、シリカ、シリコンナイトライド、タンタルオキサイド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムのうちの少なくともひとつを用いて行う。誘電体層１４の厚さは、１０ｎｍ以上５μｍ以下の範囲であることが望ましい。誘電体層１４の厚さが、１０ｎｍ以下である場合、絶縁性を保つことができずにキャパシタとしての機能が発現しない。誘電体層１４の厚さが５μｍ以上の場合、成膜時間がかかりすぎて量産性に欠けるばかりでなく、不要部分を除去する工程でさらに時間がかかってしまう。誘電体層１４の厚さは、より望ましくは５０ｎｍ以上１μｍ以下の範囲である。

キャパシタ電極１３の形成は、下部電極層と上部電極層に分けて形成する。下部電極層としては、密着性、電気伝導性の観点から、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、Ｃｕのうちの少なくともひとつを材料として用いて形成する。例えばＴｉは、密着性、電気伝導性、製造の容易性の観点およびコスト面で優れている。

キャパシタ電極１３の上部電極には、シード金属層を形成し、さらに電解メッキ層を形成する。シード金属層として、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、Ｃｕのうちのすくなくともひとつを適用することができる。後のエッチング除去が簡便となるという観点では、銅を用いることが望ましい。シード金属層の厚さは、１０ｎｍ以上５μｍ以下の範囲であることが望ましい。シード金属層の厚さが１００ｎｍ未満である場合、続く電解めっき工程において通電不良が発生する可能性がある。シード金属層の厚さが５μｍを超えると、エッチング除去に時間がかかってしまう。シード金属層１１３の厚さは、より望ましくは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲である。

その後、キャパシタ電極１３の上部電極として電解めっき層を形成する。電解銅めっきは簡便で安価であり、電気伝導性も良好である。電解銅めっきの他、電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解Ｐｄめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等であってもよい。上部電極形成後は、シード金属層を除去する。ウエットエッチング、ドライエッチング等、用途に応じて適宜設定することが可能である。

キャパシタ電極１３の形成について、貫通孔１１が事前に形成された基板を用いて多層配線基板を製造する従来の製造方法では、貫通孔上に導電性の材料を堆積させることができないため、貫通孔を避けてＭＩＭ構造を形成する必要があった。一方、本実施形態に係る製造方法によれば、配線の形成工程とキャパシタ電極の形成工程が貫通孔の形成工程の前に行われるため、キャパシタ電極１３を貫通孔近傍並びに貫通孔の上方に、言い換えると貫通孔の位置の制限を受けずに、形成することができる。たとえば、貫通孔の直上にキャパシタ電極１３を設けることも可能である。このことにより、キャパシタまでの伝送距離を短くすることができ、伝送特性の低下を回避することができる。さらに、キャパシタ電極１３を形成するときに下部電極層を形成することによって、キャパシタ容量のばらつきを低減させることが可能となる。

最後に、絶縁樹脂層２５の形成を行う。絶縁樹脂層２５は熱硬化性樹脂で構成され、その材料は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂のうちの少なくとも１以上を含み、ＳｉＯ_２のフィラー材料を含み、液状、もしくはフィルム状の材料であることが望ましい。液状樹脂の場合は、スピンコート法、フィルム状樹脂の場合は、真空ラミネーターを用いて、真空下で加熱・加圧を行って絶縁層を形成することができる。絶縁樹脂層２５の材料は、必要に応じて適宜選択することができる。但し、感光性絶縁樹脂材料を用いる場合は、フォトリソグラフィ性を確保するためにＳｉＯ_２のフィラー材料の充填が困難となるため、非感光性の熱硬化性樹脂に限られる。

（第２支持体の接着）
次に図７を参照して、第２支持体の接着工程について説明する。図７は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を説明する断面図である。ここに示すように、積層構造体６３の第１配線層２１上に第２接着層７１を形成し、第２接着層７１に第２支持体７０を接着する。

第２接着層７１については、第１接着層６２と同様にＵＶ光などの光を吸収して発熱、昇華、または変質によって剥離可能となる樹脂、熱によって発泡により剥離可能となる樹脂、もしくは、ガラス基板６０、第１支持体６１を仮固定する官能基等から適宜選択することができるが、第１接着層６２と異なる材料で形成されることが好ましい。

第２支持体７０については、ガラス基板６０と同一の材料であることが好ましい。ガラス基板６０が無アルカリガラスである場合、第１支持体６１も無アルカリガラスであることが望ましい。また第２支持体の厚さについては、ガラス基板６０の厚さに応じて、適宜設定することができる。ただし、搬送可能な厚さであることが望ましく、３００μｍ以上１，５００μｍ以下の範囲である。

（第１支持体の剥離）
次に、図８を参照して、第１支持体の剥離工程について説明する。図８は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体６１の剥離工程を説明する断面図である。ここに示すように、ガラス基板６０と第１接着層６２の界面を剥離し、ガラス基板６０から第１接着層６２と第１支持体６１を分離させる。

ガラス基板６０から第１支持体６１を分離させるにあたっては、第１接着層６２の側面に物理的な力を加えて剥離開始部を形成し、この剥離開始部を起点にして力を加えることによって、第１接着層６２の界面を剥離することができる。
より具体的には、第１接着層６２の側面にカッター等でけがき処理を施した箇所を剥離開始部とし、第１支持体６１とガラス基板を引き離す方向に力をかけることによって、ガラス基板６０と第１支持体６１を分離することができる。
なお、第１支持体６１とガラス基板を引き離すように力をかけた状態で、けがき処理を施すと、剥離処理を円滑に行うことができる。第１接着層６２に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から使用材料に応じた剥離方式を適宜選択することとなる。また、ガラス基板６０に第１接着層６２の残差が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗、アルコールを使用した溶剤洗浄などを行ってもよい。

（エッチングによる貫通孔の形成）
次に、図９Ａから図９Ｆを参照して、エッチングによる貫通孔の形成工程について説明する。図９Ａは、第１実施形態に係る製造方法において、エッチングによる貫通孔の形成工程を説明する断面図である。図９Ａにフッ酸エッチング後のガラス基板６０の形状を示す。フッ酸エッチングにより、貫通孔１１と後述する分離溝１７が同時に形成されており、分離溝１７では、絶縁樹脂層２５が露出する構造となる。ここに示すように、ガラス基板６０の第２面３０側からレーザ改質部６５をエッチングで選択的に除去する。これにより貫通孔１１が形成される。エッチングはフッ化水素水溶液を使用した湿式エッチングが適している。フッ化水素水溶液によるエッチング量は、ガラス多層配線基板の厚さに応じて、適宜設定する。例えば、ガラス基板６０の厚さＴ１が２００μｍである場合、そのエッチング量は５０μｍ以上１７５μｍ以下の範囲であることが望ましい。なお、ここでは絶縁樹脂層２５が露出する構造を示しているが、構造はこれに限定されない。分離溝１７に第一配線層２７の耐フッ酸金属層１５を含むシード層を残した場合、第一配線層１７のシード層が個片化ライン部に残る。
なお、レーザ改質部６５のエッチングに伴い、ガラス基板６０も同様にエッチングされる。エッチング後のガラス基板６０の厚さＴ２は、２５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であることが望ましい。ここで、従来の多層配線基板では、コア基板の厚さは一般的に３００μｍ以上４００μｍ以下であった。第１実施形態では薄型のコア基板を実現できるため、伝送特性への影響を抑えることができる。

次に、図９Ｂは、分離溝１７を形成した場合の下面図である。図９Ｃは、分離溝の下面図の一部を拡大して模式的に示す図である。図９Ｃは、図９Ｂの範囲６０Ｓを示す図である。図９Ｄは、分離溝の側面を模式的に示す図である。図９Ｄは、図９Ｂの範囲６０Ｓを側面から見た場合を模式的に示す図である。図９Ｄは、たとえばＳＥＭ（走査電子顕微鏡）によって取得することができる。図９Ｃにおける分離溝１７では、分離溝１７を形成するためのレーザ改質部の加工ピッチに沿ってガラス基板６０の側面には、ガラス基板の法線方向（ｚ軸方向）に凸部が連なって視認される縦稜線が形成される。また、図９Ｄに示される実線は、ガラス基板６０の側面に形成された縦稜線および縦稜線と略直行した横稜線からなる、凹凸の稜線を示している。このため、ガラス基板６０の側面には、略矩形の凹部が多数形成された状況となっている。これら矩形の寸法は、例えば、レーザ改質部がピッチ１０μｍで加工された場合、図９Ｃに示される分離溝１７の下面に形成される稜線の間隔Ｒ１または図９Ｄに示される側面に形成される稜線の間隔Ｒ１は、１０μｍ以下となる。稜線の間隔Ｒ１に応じて、レーザ改質部の加工ピッチを任意に設定することが可能となる。また、図９Ｃの分離溝１７の上面では、稜線に沿って形成された凹凸の幅（以下、「稜線のＰＶ］ともいう。（Peak To Valley：ＰＶ））はおおよそ１０μｍ以下となる。

前記コア基板の側面は、複数の縦稜線および横稜線からなる略矩形の複数の凹部を有し、前記矩形の横方向の寸法は、一例として、５μｍ以上２０μｍ以下、縦方向の寸法は、２μｍ以上２５μｍ以下となり、前記複数の凹部の深さは、０．５μｍ以上から１１μｍ以下である。

ガラス基板６０の分離溝１７が形成された面に表れる凹凸は、微小であり、後述する第２配線層２２の絶縁樹脂層２５とガラス基板６０との間の密着性を向上させる効果がある。なお、図９Ａは、図９ＢにおけるＡＡ断面図である。

また、図９Ｅは、分離溝を拡大して模式的に示す図である。図９Ｅは、図９ＢにおけるＢＢ断面図である。分離溝１７では、図９Ｅに示す様に底部の加工巾１７Ｂと開口部の開口巾１７Ｔの関係（底部の加工巾１７Ｂ／開口巾１７Ｔ）は、レーザ改質部のピッチ間隔、本数を変更することで０．８５以上１．０以下の範囲で形成することが可能となる。分離溝１７の底部の加工巾１７Ｂの範囲を所望の巾で加工することによって、加工巾１７Ｂと開口巾１７Ｔの違いによって生じる分離溝の傾斜部分にのちの工程で形成する絶縁樹脂層の量を調整することができるため、多層配線基板の個片化後のガラス基板６０側面の絶縁樹脂層の厚みを所望の厚みに形成することが容易となる。

図９Ｆは、分離溝１７の下面図の一部を拡大して模式的に示す図である。図９Ｆは、図９Ｂの領域１７Ｅを示す図である。分離溝１７の底部では、フッ酸エッチング後に底部のＣｒ、ＣＵ、絶縁樹脂層にレーザ改質部の転写痕６５Ｔが形成されており、微小な凹凸が形成される。上記凹凸については、その後の配線形成、第二配線層の絶縁樹脂を形成した際に、アンカー効果を生み出し、絶縁樹脂層２５ガラス基板６０との間の密着性を向上させることが可能となる。

（第２配線層の形成）
次に、図１０を参照して、第２配線層の形成工程について説明する。図１０は、第１実施形態に係る製造方法において、第２配線層の形成工程を説明する断面図である。ここに示すように、ガラス基板６０の第２面３０に貫通電極接続部４２と絶縁樹脂層２５からなる第２配線層２２を形成する。貫通電極１２および貫通電極接続部４２の形成には、給電用のシード層の形成、レジストによるパターン形成を行い、２μｍ以上２０μｍ以下の厚さをめっきを形成するようにめっき処理をする。その後に、不要となったレジストパターンを剥離し、シード層を除去し、貫通電極１２および貫通電極接続部４２が形成される。最後に絶縁樹脂層２５を形成し、第２配線層２２が形成される。絶縁樹脂層２５は、貫通電極１２内にも充填されている。なお、ここに示される例では、第１配線層２１と第２配線層２２に形成された絶縁樹脂層２５が同じ材料で形成されたこととしているが、これに限定されない。異なる材料で絶縁樹脂層を形成してもよい。
第２配線層２２では、その後の工程でフッ化水素水溶液によるエッチング処理がないことから、耐フッ酸金属層１５と異なる材料を使用することができる。この場合、貫通孔１１の側面に、耐フッ酸金属層１５と異なる材料からなる金属層が形成され、貫通電極接続部４２が形成される。耐フッ酸金属層１５と異なる材料として、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ等が挙げられ、それらの材料からなる少なくとも１層以上の金属層が、貫通孔１１の側面、並びにガラス基板６０の第２面３０上に形成される。材料、層数等は、実施の形態の開示内容に限られたものだけでなく、必要に応じて適宜設定することができる。
なお、貫通孔１１のうち貫通電極１２とならなかった部分は、分離溝１７となる。分離溝１７にも絶縁樹脂層２５が充填される。

（第２支持体の剥離）
次に、図１１および図１２を参照して、第２支持体７０の剥離工程について説明する。図１１は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体７０の剥離工程を説明する図である。また、図１２は、本発明の実施形態に係る製造方法において、第２支持体７０の剥離工程が行われた後を示す図である。図１１に示すように、第１配線層２１と第２支持体７０の界面を剥離し、第２支持体７０と第２接着層７１が分離される。これによって、図１２に示すように、ガラス基板６０の第１面２０側に第１配線層２１、第２面３０側に第２配線層２２が形成されたガラス基板６０が得られる。
第２支持体７０を第２配線層２２から分離するにあたっては、第２接着層７１に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から使用材料に応じた適宜の剥離方式を選択することができる。また、第１配線層２１と第２接着層７１との接合面に、第２接着層７１の残差が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗、アルコールを使用した溶剤洗浄などを行ってもよい。

（ビルドアップ層の形成）
次に、図１３を参照して、ビルドアップ層、言い換えると第１配線層２１および第２配線層２２の積層された層の形成工程について説明する。図１３は、第１実施形態に係る製造方法において、ビルドアップ層の形成工程を説明する図である。
図１３に示すように、ガラス基板６０の第１面２０側の第１配線層２１、第２面３０側の第２配線層２２に、第１面側の第１配線層を導通させるための導通電極３１、第２面側の第２配線層を導通させるための導通電極３２を形成する。導通電極３１および３２は、絶縁樹脂層２５にレーザでビアを形成した後、ビア上にシード層を形成し、その後、セミアディティブ工法（すなわち、レジストパターン形成、めっき処理、レジストの剥離、シード層の除去、絶縁樹脂層の形成、の一連の処理を行う）を用いて形成する。
なお、第１配線層２１および第２配線層２２は、少なくとも１層以上積層されており、必要に応じて、適宜の層数を設定することができる。図１３においては、第１配線層２１および第２配線層２２のいずれも２層が積層されている。

導通電極３１および導通電極３２を形成するために使用するレーザは、レーザ改質部６５の形成に用いるレーザとは異なるレーザを用いることが可能である。例えば、炭酸ガスレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザといったパルスレーザを用いることが望ましく、パルス幅がμｓオーダーのレーザが適している。

（接続パッドの形成）
次に、図１４を参照して、接続パッドの形成について説明する。図１４は、第１実施形態に係る製造方法において、接続パッドの形成工程を説明する図である。ここに示すように、第１配線層２１および第２配線層２２にソルダーレジスト５５等の外層保護膜を形成した後に、第１配線層２１上に半導体素子用接合パッド５１を形成し、第２配線層２２上に基板用接合パッド５３を形成する。半導体素子用接合パッド５１および基板用接合パッド５３にＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、ＩＴ、ＯＳＰ（水溶性プリフラックス）等の表面処理を施し、必要に応じて半導体素子接合用はんだ５２、基板接合用はんだ５４を形成し、多層配線基板を完成させる。なお、Ｎｉ／ＡｕはＮｉとＡｕの両方を用いる意味であり、Ｎｉ／Ｐｄ／ＡｕはＮｉとＰｄとＡｕのいずれをも用いる意味である。

（個片化）
次に、図１５を参照して、多層配線基板の個片化について説明する。図１５は、第１実施形態に係る製造方法において、個片化工程を説明する断面図である。多層配線基板の個片化については、図１５に示すにようにレーザ、フッ酸エッチングで形成した個片化ラインに沿って個片化を行う。図１５では、ブレード７２を用いるブレードダイシングを想定した場合を示しているが、ブレードダイシング以外にも、レーザ、スクライブ等を使用しても構わない。また、ブレードダイシング、レーザ、スクラブを組合わせて個片化してもよい。

（第１実施形態に係る製造方法のフローチャート）
以上説明した工程を、フローチャートにまとめる。図１６は、第１実施形態に係る製造方法のフローチャートを示す図である。

ステップＳ１は、第１支持体の接着工程である。母材基板に第１支持体を接着する。第１実施形態においては水酸基を含む接着層を用いることを例示した。
ステップＳ２は、レーザ改質層の形成工程である。レーザは第１支持体を接着した面とは反対側の面から照射する。レーザ改質部は、貫通孔および分離溝の起点となる。
ステップＳ３は、第１配線層の形成工程である。第１配線層には、電極、配線、キャパシタ、インダクタなどを形成することができる。
ステップＳ４は、第２支持体の接着工程である。第２支持体は、第１配線層上に接着させる。
ステップＳ５は、第１支持体の剥離工程である。接着層の部分から母材基板と第１支持体を分離させる。
ステップＳ６は、エッチングによる貫通孔の形成工程である。改質部が除去された部分は、貫通孔１１または分離溝１７となる。
ステップＳ７は、第２配線層の形成工程である。母材基板の貫通孔に貫通電極を形成し、貫通電極と導通する電極および配線が形成される。
ステップＳ８は、第２支持体の剥離工程である。第２支持体を、母材基板から分離させる。
ステップＳ９は、ビルドアップ層の形成工程である。第１配線層および第２配線層に電極や配線を形成する。
ステップＳ１０は、接続パッドの形成工程である。第１配線層および第２配線層に保護膜を形成したうえで、接続パッドを形成する。
ステップＳ１１は、個片化工程である。母材基板にダイシング等を行い、多層配線基板を分離させる。

＜第１変形例＞
次に、第１変形例としての製造方法を、図１７から図１９を参照して説明する。
第１変形例は、レーザ改質部の形成工程を第１配線層の形成工程の後に行う点で、第１実施形態と異なる。
以下の説明において、上述の第１実施形態と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略する。

図１７は、第１変形例に係る製造方法において、第１配線層の形成工程を説明する断面図である。第１変形例においては、第１支持体の接着工程に続いて、積層構造体６３のガラス基板６０上に第１配線層２１の形成を行う。このとき、ガラス基板６０上には耐フッ酸金属層１５を含むシード層を形成した後に、セミアディティブ（ＳＡＰ）工法で貫通電極接続部４１、配線１６を形成し、不要となるシード層を除去した後に、絶縁樹脂層２５を形成する。
なお、耐フッ酸金属層および貫通電極接続部等の材料や成膜方法などは、第１実施形態の場合と同様である。

（レーザ改質部の形成）
次に、図１８を参照して、第１変形例におけるレーザ改質部の形成工程について説明する。図１８は、第１変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。ここに示すように、積層構造体６３に対し、レーザを第１支持体６１の面から照射し、レーザ改質部６５を形成する。
本工程で多層配線基板１の個片化ラインに沿ってレーザ改質部も形成されるため、第１実施形態に説明した多層配線基板１の側面形状と同じ形状を得ることが可能となる。

（第２支持体の接着以降の工程）
図１９は、第１変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。第１変形例においては、第１配線層の形成工程（ステップＳ１２）およびレーザ改質部の形成工程（ステップＳ１３）の他は、第１実施形態に係る製造方法と同じである。

＜第２変形例＞
次に、第２変形例としての製造方法を、図２０から図２２を参照して説明する。
第２変形例は、レーザ改質の工程を、第２支持体の接着工程の後に行う点で第１実施形態と異なる。
以下の説明において、上述の第１実施形態、第１変形例と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略する。

（第１支持体の接着および第１配線層の形成）
第２変形例に係る製造方法において、最初の工程である第１支持体の接着工程および第１配線層の形成工程は、第１実施形態の工程と同一であるので説明を省略する。

（第２支持体の接着）
次に、図２０を参照して、第２変形例における第２支持体の接着工程について説明する。図２０は、第２変形例に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を説明する断面図図である。第２変形例においては、ここに示すように、積層構造体６３の第１配線層２１上に第２接着層７１、第２支持体７０を形成する。

（レーザ改質部の形成）
図２１は、第２変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。ここに示すように、積層構造体６３に対してレーザを第１支持体６１側から照射し、レーザ改質部６５を形成する。
本工程で多層配線基板１の個片化ラインに沿ってレーザ改質部も形成されるため、第１実施形態に説明した多層配線基板１の側面形状と同じ形状を得ることが可能となる。

（第１支持体の剥離以降の工程）
図２２は、第２変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。第２変形例においては、レーザ改質部の形成工程（ステップＳ２２）の順序が異なる点のほかは、第１実施形態に係る製造方法と同じである。

＜作用・効果＞
本発明の第１実施形態、第１変形例、第２変形例によれば、多層配線基板のコア基板の側面を保護することによって、コア基板に損傷が生じることを回避することができる。以下、実施例、比較例を使用し、詳細な内容について説明を行う。なお、以下に示す各実施例は、本発明の実施例の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。

<第１実施形態、第１、第２変形例に係る実施例、比較例>
実施例および比較例については、多層配線基板のコア基板１０の側面の絶縁樹脂の有無が分かれるように実装工程を行い、温度サイクル試験を行った。表１は、実施例および比較例の製造条件、貫通孔の重複率と稜線の間隔を示す。実施例１～３では、レーザ改質部の加工ピッチを変化させ、フッ酸エッチングで形成されるガラス基板６０の貫通孔１１の重複率が４０、６５、９０％になるように加工を実施している。ここで示す図２３はレーザ改質部６５と貫通孔１１の重複率を説明する図である。重複率とは、図２３に示すようにレーザ改質部６５がフッ酸エッチングによって、貫通孔１１が形成される際に、貫通孔１１が隣接する貫通孔１１と重なり合う割合を示している。重複率が高くなることで、貫通孔１１が隣接する貫通孔と重複する割合が高いことを示している。図２３（１）はレーザ改質部が２つの場合を示す図であり、図２３（２）はレーザ改質部が複数形成され分離溝が形成される場合を示す図である。図２３（１）に示されるように、分離溝１７において、レーザ改質部６５ａに対して貫通孔１１ａが形成され、レーザ改質部６５ｂに対して貫通孔１１ｂが形成される。貫通孔１１ａと貫通孔１１ｂの間の重複領域をＤＲとする。重複率は、貫通孔１１ａの大きさまたは貫通孔１１ｂの大きさに対する重複領域ＤＲの大きさである。図２３（２）に示されるように、複数のレーザ改質部６５および貫通孔１１が形成されることによって、分離溝１７が形成される。
比較例１では、分離溝１７におけるレーザ改質部の加工ピッチを実施例１～３と比較して大きい値に設定し、フッ酸エッチングで形成されるガラス貫通孔１２の重複率が３０％になるように加工を行った。比較例２では、分離溝を形成せずに、多層配線基板を作成し、作成後にダイシング加工を行い、個片化をしている。表１に各実施例、比較例にを示す。ここで、稜線の間隔は、ガラス基板６０の第１面２０および第２面３０に対し、垂直方向に発生する稜線を示しており、重複率が低くなることで、稜線の間隔が広くなることがわかる。

次に各実施例、比較例の分割溝の上部開口径、底部開口径、稜線のＰＶについて表２を使用し説明する。なお、表２では、分割溝の上部開口径が３００ｕｍになるように加工を行っている。表２に示すように、重複率、稜線の間隔が広くなることで、底部の開口巾の平均が小さくなり、バラつき（標準偏差）σが大きくなることがわかる。また、重複率、稜の線間隔が広くなることで、稜線のＰＶが大きくなり、分離溝の側面が粗くことが確認された。上記内容より、重複率、稜線間隔を広く設定することで、分離溝の側面が粗くなり、分離溝の側面の平滑性が低下することが示唆される。

次いで、表３は温度サイクル試験を行った結果を示す。表３に示されるように、比較例１では５００サイクルまで温度サイクル試験に合格することができたが、６００サイクル以降は不合格となった。比較例２では５０サイクル以降では温度サイクル試験が不合格であった。不合格の場合、微小なクラックの発生等の不具合が確認された。また、実施例１、２、３では１０００サイクルでも温度サイクル試験に合格することができた。比較例１では、実施例１～３と同様に分離溝を形成しているが、表２で示したように稜線のＰＶが大きい。このため、例えば、分割溝に沿ってダイシングで個片化をする場合において部分的にダイシングブレードがガラス基板６０に接触し、ガラス基板６０に研削痕、すなわちマイクロクラックが発生したことによって、温度サイクル試験に不合格であったと考えることができる。

なお、分割溝に沿ったダイシング加工、温度サイクル試験条件、評価方法は以下となる。
＜ダイシング加工＞
使用ブレード：Ｒ０７－ＳＤ６００－ＢＢ２００－７５ ５４ Ｘ ０．１５Ａ２ Ｘ ４０
使用装置：ＤＡＤ３２２
＜温度サイクル試験＞
試験条件－５５℃、ＲＴ（室温）、１２５℃までの変化を１サイクル（ｃｙｃｌｅ）とし、各温度にて３０分保持したうえで、１０００ｃｙｃｌｅｓまで行う。
観察方法：基板側面を金属顕微鏡×１００、×５００倍で観察しガラス基板の破壊の有無を評価する。

<応用例>
次に、表４を使用して、本発明の実施形態の応用例を説明する。表４では、実施例３の分離溝である個片化ラインの数、個片化ラインの間隔を１とした場合に、個片化ライン数の比率を０．８９、１．１１、１．２２とした。また、この場合の分離溝の開口部、底部の加工巾、稜線のＰＶを示している。なお、重複率は実施例３と同様の値を使用している。表４からわかるように、改質ライン比率を高く設定することで、底部の加工巾が向上し、底部の加工巾/開口巾を高く設定することが可能となる。応用例１～３については、開口巾、並びに底部の加工巾が実施例１～３以上に大きくなっており、個片化した後に温度サイクル試験実施しても、実施例１～３と同様の温度サイクル試験を問題なくクリアしている。第２配線層２２の絶縁樹脂層２５とガラス基板６０との間の密着性を向上させる効果が生じたためと考えられる。

以上の実施例および応用例から、重複率は４０％以上９０％以下の範囲、コア基板の側面の樹脂厚は５２．８μｍ以上、底部の加工巾／開口巾は０．８８以上、稜線のＰＶは１．８μｍ以上１０．６μｍ以下、とすることが望ましい。

＜第２実施形態＞
第２実施形態は、第１配線層にインダクタが形成される点で、第１実施形態と異なる。
図２４は、第２実施形態に係る多層配線基板１００を示す断面図である。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一または同等の構成要素については同一の符号を付し、説明を簡略または省略する。

第１配線層１２１は３層の配線層から構成され、第２配線層１２２も３層の配線層から構成されている。図２４（ｂ）は、図２４（ａ）の一点鎖線で囲まれた部分ｃｌにある回路素子の斜視図である。ここに示されるように、隣接する導通電極３１が、貫通電極接続部４１および配線１６を介して接続され、一体としてコイルを形成している。コイルは例えばキャパシタ電極１３と接続して、ＬＣ回路としての特性を発揮する。
製造方法としては、第１配線層の形成工程において、インダクタを形成するように貫通電極接続部４１および配線１６の配置を設定する。

＜作用・効果＞
コア基板１０の側面を絶縁樹脂で保護することで高い信頼性を得ることが可能となる。そのうえで、インダクタは多層配線基板１００に設けられるため、配線距離が短縮化でき、良好な伝送特性を得ることができる。

＜その他の発明＞
本開示は、次の発明も含む。
（発明１）
第１面と第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、を有する多層配線基板であって、
少なくとも前記コア基板の側面が、絶縁樹脂によって覆われる、ことを特徴とする多層配線基板。
（発明２）
前記コア基板は、
前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔を通じて、前記第１面と前記第２面との間を導通させる貫通電極と、が形成され、
前記第１配線層には前記貫通電極に接続する第１導電部が配置され、前記第２配線層には、前記貫通電極と接続する第２導電部が配置され、前記第１導電部と前記第２導電部とが、前記貫通電極を通じて導通する、ことを特徴とする発明１に記載の多層配線基板。
（発明３）
前記第１配線層および前記第２配線層には絶縁樹脂層が含まれており、
前記絶縁樹脂は、前記絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂と同じ種類の絶縁樹脂である、ことを特徴とする発明１または２に記載の多層配線基板。
（発明４）
前記コア基板の側面を覆う前記絶縁樹脂の厚さは５０μｍ以上であり、
前記コア基板の厚さが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に含まれ、
前記絶縁樹脂は、比誘電率が３．１以上３．５以下の範囲に含まれ、かつ誘電正接が０．００２以上０．０１２以下の範囲に含まれる、ことを特徴とする発明１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（発明５）
前記コア基板の側面は、複数の縦稜線および横稜線からなる略矩形の複数の凹部を有し、前記矩形の横方向の寸法は、５μｍ以上２０μｍ以下、縦方向の寸法は、２μｍ以上２５μｍ以下である、ことを特徴とする発明１から４のいずれか１に記載の多層配線基板。
（発明６）
前記稜線のＰＶは、１．８μｍ以上１０．６μｍ以下である、ことを特徴とする発明１から５のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（発明７）
前記複数の凹部の深さは、０．５μｍ以上１１μｍ以下である、ことを特徴とする発明１から６のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（発明８）
前記コア基板の側面の樹脂厚は５２．８μｍ以下である、発明１から７のいずれか１つに記載の多層配線基板。
（発明９）
第１面および第２面を有する母材基板を用いて多層配線基板を製造する製造方法において、
前記母材基板の第１面および第２面のうち、前記第２面に支持体を接着する第１の工程と、
前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔を形成する位置である貫通孔位置と、前記母材基板から多層配線基板を分離させる分離溝の位置を示す個片化ライン位置に、前記母材基板の前記第１面側からレーザを照射し改質部を形成する第２の工程と、
前記第１面側において第１導電部を形成し、樹脂部材を堆積させて第１配線層を形成する第３の工程と、
前記母材基板から前記支持体を剥離する第４の工程と、
前記第２面側からエッチングにより前記改質部を除去し、前記貫通孔および前記分離溝を形成する第５の工程と、
前記第２面側から前記貫通孔に導電部材を導入し、前記第１導電部と前記第２面とを導通させる貫通電極を形成する第６の工程と、
前記第２面側に前記樹脂部材と同じ種類の絶縁樹脂を堆積させ、前記第２面上に第２配線層を形成する第７の工程と、
前記分離溝に従って個片化して、多層配線基板を分離させる第８の工程と、
を有する多層配線基板の製造方法。
（発明１０）
発明９に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記個片化された多層配線基板の側面は前記絶縁樹脂によって覆われる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明１１）
発明９または１０に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第５の工程において、前記エッチングにより前記母材基板の厚さを５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に含まれ、
前記多層配線基板の側面を覆う前記絶縁樹脂の厚さは５０μｍ以上であり、
前記絶縁樹脂は、比誘電率が３．１以上３．５以下の範囲に含まれ、かつ誘電正接が０．００２以上０．０１２以下の範囲に含まれる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明１２）
発明９から１１のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第２の工程において、前記分離溝における前記貫通孔の重複率は４０％以上９０％以下である、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明１３）
発明９から１２のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第２の工程において、前記分離溝における前記貫通孔の底部の加工巾／開口巾は０．８８以上である、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明１４）
第１面と第２面を有し、複数の多層配線基板を含み母材基板であって、
前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、
前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、
前記複数の多層配線基板を個片化するために用いられる分離溝と、を有し、
前記分離溝には絶縁樹脂が充填されている、ことを特徴とする母材基板。

本発明の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
さらに、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含むものである。

例えば、本開示は第１支持体をガラス基板に接着させたうえでレーザ改質部を形成し、その後、第１支持体を剥離することを示しているが、これに限定されない。例えば、第１支持体を用いずにレーザ改質部を形成し、貫通孔形成工程において、所望の厚さまでレーザ改質部をエッチングすることとしていもよい。

１、１００：多層配線基板
１０：コア基板
１１：貫通孔
１２：貫通電極
１３：キャパシタ電極
１４：誘電体層
１５：耐フッ酸金属層
１６：配線
１７：分離溝
１７Ｔ：分離溝の開口巾
１７Ｂ：分離溝の底部の加工巾
２１、１２１：第１配線層
２２、１２２：第２配線層
２５：絶縁樹脂層
３１、３２：導通電極
４１、４２：貫通電極接続部
５１：半導体素子用接合パッド
５２：半導体素子用接合はんだ
５３：基板用接合パッド
５４：基板用接合はんだ
５５：ソルダーレジスト
６０：ガラス基板
６１：第１支持体
６２：第１接着層
６３：積層構造体
６５、６５ａ、６５ｂ：レーザ改質部
６５Ｔ：レーザ改質部の転写痕
７０：第２支持体
７１：第２接着層
７２：ブレード

Claims (14)

1. 第１面および前記第１面に対向する第２面を有するコア基板と、前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、を有する多層配線基板であって、
   少なくとも前記コア基板の側面が、絶縁樹脂によって覆われる、ことを特徴とする多層配線基板。
2. 前記コア基板は、
   前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔を有し、
   前記貫通孔を通じて、前記第１面と前記第２面との間を導通させる貫通電極と、が形成され、
   前記第１配線層には前記貫通電極に接続する第１導電部が配置され、前記第２配線層には、前記貫通電極と接続する第２導電部が配置され、前記第１導電部と前記第２導電部とが、前記貫通電極を通じて導通する、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 前記第１配線層および前記第２配線層には絶縁樹脂層が含まれており、
   前記絶縁樹脂は、前記絶縁樹脂層を構成する絶縁樹脂と同じ種類の絶縁樹脂である、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
4. 前記コア基板の側面を覆う前記絶縁樹脂の厚さは５０μｍ以上であり、
   前記コア基板の厚さが５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に含まれ、
   前記絶縁樹脂は、比誘電率が３．１以上３．５以下の範囲に含まれ、かつ誘電正接が０．００２以上０．０１２以下の範囲に含まれる、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
5. 前記コア基板の側面は、複数の縦稜線および横稜線からなる略矩形の複数の凹部を有し、前記矩形の横方向の寸法は、５μｍ以上２０μｍ以下、縦方向の寸法は、２μｍ以上２５μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
6. 前記稜線のＰＶは、１．８μｍ以上１０．６μｍ以下である、ことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板。
7. 前記複数の凹部の深さは、０．５μｍ以上１１μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
8. 前記コア基板の側面の樹脂厚は５２．８μｍ以下である、請求項１に記載の多層配線基板。
9. 第１面および前記第１面に対向する第２面を有する母材基板を用いて多層配線基板を製造する製造方法において、
   前記母材基板の第１面および第２面のうち、前記第２面に支持体を接着する第１の工程と、
   前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔を形成する位置である貫通孔位置と、前記母材基板から多層配線基板を分離させる分離溝の位置を示す個片化ライン位置に、前記母材基板の前記第１面側からレーザを照射し改質部を形成する第２の工程と、
   前記第１面側において第１導電部を形成し、樹脂部材を堆積させて第１配線層を形成する第３の工程と、
   前記母材基板から前記支持体を剥離する第４の工程と、
   前記第２面側からエッチングにより前記改質部を除去し、前記貫通孔および前記分離溝を形成する第５の工程と、
   前記第２面側から前記貫通孔に導電部材を導入し、前記第１導電部と前記第２面とを導通させる貫通電極を形成する第６の工程と、
   前記第２面側に前記樹脂部材と同じ種類の絶縁樹脂を堆積させ、前記第２面上に第２配線層を形成する第７の工程と、
   前記分離溝に従って個片化して、多層配線基板を分離させる第８の工程と、
   を有する多層配線基板の製造方法。
10. 請求項９に記載の多層配線基板の製造方法であって、
    前記個片化された多層配線基板の側面は前記絶縁樹脂によって覆われる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
11. 請求項１０に記載の多層配線基板の製造方法であって、
    前記第５の工程において、前記エッチングにより前記母材基板の厚さを５０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲に含まれ、
    前記多層配線基板の側面を覆う前記絶縁樹脂の厚さは５０μｍ以上であり、
    前記絶縁樹脂は、比誘電率が３．１以上３．５以下の範囲に含まれ、かつ誘電正接が０．００２以上０．０１２以下の範囲に含まれる、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
12. 請求項９に記載の多層配線基板の製造方法であって、
    前記第２の工程において、前記分離溝における前記貫通孔の重複率は４０％以上９０％以下である、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
13. 請求項９に記載の多層配線基板の製造方法であって、
    前記第２の工程において、前記分離溝における前記貫通孔の底部の加工巾／開口巾は０．８８以上である、ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
14. 第１面と第２面を有し、複数の多層配線基板を含み母材基板であって、
    前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、
    前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、
    前記複数の多層配線基板を個片化するために用いられる分離溝と、を有し、
    前記分離溝には絶縁樹脂が充填されている、ことを特徴とする母材基板。

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