JP2024009740A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明では、多層配線基板に発生する反りを防止することを可能とする技術を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の多層配線基板の製造方法の一つは、第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を含むことを特徴とする。【選択図】図１０

Description

本発明は、多層配線基板およびその製造方法に関する。

近年、モバイル通信機器の高性能化が進展し、これらの機器に用いられる電子部品や多層配線基板について、さらなる高密度化、小型化が求められている。同時に高周波特性についての要求レベルも高まっている。

これまでに、モバイル通信機器に用いる多層配線板の材料としては、セラミック、ガラス、絶縁性有機樹脂などが採用されている。このうちガラス材料は、平坦・平滑性に優れ電気的絶縁性も高いため、５Ｇ以降のミリ波が用いられる高周波用の多層配線基板の材料として大きな需要が見込まれている。

ガラスを採用したパッケージング技術としては、ガラスをコア基板の材料とし、コア基板の表裏面に導電層を形成するとともに、コア基板に貫通電極を形成して、コア基板の表裏面を接続した多層配線基板が採用されている。そして、こうした多層配線基板は、その表裏面にさらに導電層と絶縁層を設け、サブトラクティブ法やセミアディティブ法でそれぞれのパターン化が行われている。

ところで、ガラスは、低誘電率・低誘電正接を持ち高周波特性に優れるものの、脆弱性がある材料である。このため、例えば、特許文献１では、支持体にコアガラスを貼り付けた状態で導電層の形成を行い、その後に支持体からこれを剥離したものを多層配線基板としている。

特開２０２１－１６６２５７号公報

コア基板を支持体に貼り付けた状態でコア基板に導電層を形成する工法(片面積層工法)では、支持体の片側に対して導電層を形成するプロセス処理が行われるため、コア基板および支持体に反りが発生しやすい。ここで発生した反りは、アライメントマークの読み取り不良ならびにウェットプロセスおよびドライプロセスでの加工に障害を生じさせる原因の一つとなる。

そこで、本発明では、多層配線基板に発生する反りを防止することを可能とする技術を提供することを目的とする。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、代表的な本発明の多層配線基板の製造方法の一つは、第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、多層配線基板に発生する反りを防止することが可能となる。上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。

図１は、支持体の両面にコア基板を貼付する工程を示す図である。 図２は、コア基板にレーザを照射し改質部を形成する工程を示す図である。 図３Ａは、フッ酸耐性膜を形成する工程を示す図である。 図３Ｂは、フッ酸耐性膜上に第１導電層を形成する工程を示す図である。 図３Ｃは、コア基板に絶縁樹脂層を形成する工程を示す図である。 図４は、第２支持体を貼付する工程を示す図である。 図５は、第１支持体とコア基板を分離する工程を示す図である。 図６は、第１支持体とコア基板を含む層を、第２支持体に移載する工程を示す図である。 図７は、第１支持体とコア基板を分離する工程を示す図である。 図８は、改質層をエッチングする工程を示す図である。 図９は、貫通孔に導通処理をする工程を示す図である。 図１０は、本発明の実施形態１に係る多層配線基板の中間生成物を示す図である。 図１１は、第２支持体９を除去する工程を示す図である。 図１２は、多層配線基板の例を示す図である。 図１３は、コア基板にレーザを照射し改質部を形成する工程を示す図である。 図１４は、導電層を形成する工程を示す図である。 図１５は、絶縁樹脂層を形成する工程を示す図である。 図１６、支持体とコア基板を分離する工程を示す図である。 図１７は、改質部をエッチングする工程を示す図である。 図１８は、貫通孔に導電処理をする工程を示す図である。 図１９は、導電層を形成する工程を示す図である。 図２０は、支持体を分離する工程を示す図である。 図２１は、従来例の製造方法によって製造される多層配線基板を示す図である。 図２２は、第１支持体にレーザ吸収層を形成したうえで、コア基板を積層した工程を示す図である。 図２３は、実施形態２の変形例１を示す図である。 図２４は、実施形態２の変形例２を示す図である。 図２５は、コア基板にレーザを照射し改質部を形成する工程を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
同一あるいは同様の機能を有する構成要素が複数ある場合には、同一の符号に異なる添字を付して説明する場合がある。また、これらの複数の構成要素を区別する必要がない場合には、添字を省略して説明する場合がある。

なお、図面において示す構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。

さらに本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も示すことがある。
また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方、または、下方に示される面を意味する。

また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層のアルミの部分を意味する。さらに、面の一部およびこれと正反対の下方については、これらを＋Ｚ軸方向、－Ｚ軸方向ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。

［従来例］
図１３～図２１を参照して、従来例の多層配線基板の製造方法について説明する。
図１３は、コア基板にレーザを照射し改質部を形成する工程を示す図である。ここでは、コア基板２の材料としてガラスを採用した多層配線基板の断面図が示されている。この工程において、コア基板１０２の片面に支持体１０１を貼付し、コア基板１０２側からレーザを照射して、改質部１０４が形成される。改質部１０４は、コア基板１０２の片方の面からもう一方の面に至るまで貫通するように形成されている。また、改質部１０４は、支持体１０１の内部にまで到達している。

図１４は、導電層を形成する工程を示す図である。この工程では、改質を施したコア基板１０２の露出した方の面にフッ酸耐性膜１０５、導電層１０６を形成し、その後に回路パターンを形成する。

図１５は、絶縁樹脂層を形成する工程を示す図である。この工程では、フッ酸耐性膜１０５および導電層１０６によって構成される回路パターンが形成された層の上面に絶縁樹脂層１０７を形成し、回路パターンを保護する。さらに支持体１０９を、接着材１１０を介して絶縁樹脂１０７に貼付する。

図１６は、支持体１０１とコア基板１０２を分離する工程を示す図である。この工程では、貼付けされた支持体１０１とコア基板１０２の間を剥離し、コア基板１０２から支持体１０１を分離させる。

図１７は、改質部１０４をエッチングする工程を示す図である。この工程では、改質部１０４に対して、フッ酸エッチングを実施し、コア基板１０２に貫通孔１１１を形成する。

図１８は、導電処理をする工程を示す図である。この工程では、貫通孔１１１の開口部とコア基板１０２の下面に対して、導電処理を施す。導通処理によって、貫通孔１１１の内側およびコア基板１０２の下面に貫通電極１１２が形成される。

図１９は、導電層を形成する工程を示す図である。この工程では、絶縁層１１３を形成し、貫通ビア１１４の形成、及び、導電層１１５を行い、回路を形成する。

図２０は、支持体１０９を剥離する工程を示す図である。この工程では、接着材１１０の間からコア基板１０２と支持体１０９とを剥離して、支持体１０９を分離する。支持体１０９に接着している状態を積層体１１６といい、支持体１０９から離れた部分は多層配線基板１００という。

図２１は、従来例の製造方法によって製造される多層配線基板を示す図である。多層配線基板１１６は、コア基板１０２、導通処理された貫通電極１１２、回路パターンを内蔵する絶縁樹脂層１０７、貫通ビア１１５を含む絶縁層１１３、第３導電層１１５を含む。

以上、従来例の製造方法の概要を説明した。ここで、従来例の製造方法では、図１７（貫通孔１１を形成する工程）、図１８（導電処理をする工程）、図１９（回路を形成する工程）の工程で、支持体１０９の片側に多層配線基板がビルドアップされる（以下、「積層される」ともいう。）。このため、積層体１１６の上下で線膨張係数の違いから偏りを持つ応力が生じ、支持体１０９に貼付された状態でも応力に対向するような力が発生しないため、結果としてコア基板１０２に反りが生じるという問題があった。

［実施形態１］
ここで、図１０を参照して説明する。図１０は、本発明の実施形態１に係る多層配線基板の中間生成物を示す図である。詳細は後述するが、実施形態１は、従来例と比較すると、図１０に示される第２支持体９の上下面に多層配線基板を両面側に積層する工程がある点で相違する。以下の説明において、上述の従来例と同一または同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略または省略することがある。

（コア基板）
コア基板２および３の材質は、電気絶縁性を有し、シリコンの線膨張係数に近い材料が好ましい。このような材質として、例えば、ガラス、ガラスセラミックなどの無機材料を用いることができる。実施形態１においては、１ＧＨｚを超える周波数帯域において７０×１０^－４以下の損失係数（ｔａｎδ）を有し、また４０ＧＨｚ以下の周波数において５０×１０^－４以下の損失係数（ｔａｎδ）を有する。

実施形態１ではコア基板２および３としてガラス基板を用いている。ガラスは、表面の平滑性と寸法安定性の点でコア基板として適している。なお、コア基板２および３として用いられるガラス基板は表面を当分野で一般的に行われている方法を用いて処理されたものであってもよい。例えば、表面をフッ酸処理したものであってもよく、またコア基板２および３の表面にシリコン処理を施したものであってもよい。

（ビルドアップ層）
コア基板２および３の上下の厚さ方向（Ｚ軸方向）の表面上に順次形成される導電層と絶縁層をまとめてビルドアップ層と称する。絶縁樹脂層７は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。後述する図１１では、表裏それぞれ１層ずつの導電層を有するビルドアップ基板としたが、積層の数は任意に定めることができる。なお絶縁樹脂層は必ずしもコア基板２の両面に形成する必要はなく、コア基板２の表裏のどちらかに片面積層としてもよく、コア基板２を中心に上下方向でシンメトリックであってもよいし、アシンメトリックでもよい。

（導電材料と導電層）
第１導電層６および第２導電層１３に用いる導電材料は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。
なお、第１導電層６および第２導電層１３は導電層の形成方法は、これらに限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷などの方法を用いることができる。好ましくは、セミアディティブ法である。

（絶縁性材料）
絶縁樹脂層７および層間絶縁層１４は、エポキシ樹脂系材料、エポキシアクリルレート系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は、充填剤を含んでもよい。本発明の絶縁性材料には線膨張係数が７ｐｐｍ／Ｋ以上１３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲のエポキシ配合樹脂が一般的に入手しやすく好ましい。

また、絶縁樹脂層７および層間絶縁層１４は液状であっても、フィルム状であってもよい。絶縁性材料が液状の場合、絶縁樹脂層７および層間絶縁層１４は、スピンコート法、ダイコータ法、カーテンコート法、ルールコータ法、ドクターブレード法、スクリーン印刷などの方法により形成することができる。絶縁性材料がフィルム状の場合、例えば、真空ラミネート法により絶縁樹脂層７および層間絶縁層１４を形成することができる。上記のように形成された絶縁樹脂層７および層間絶縁層１４は加熱または光照射により硬化させてもよい。

＜多層配線基板の製造方法＞
以下、図１～図１２を参照して、実施形態１に係る多層配線基板の製造方法を説明する。

（改質部の形成）
まず、図１および図２を参照して、コア基板２にレーザによる改質部４を形成する工程を説明する。図１は、支持体の両面にコア基板を貼付する工程を示す図である。ここでは、第１支持体１の第１面１ａにコア基板２が貼付され、第１支持体１の第２面１ｂにコア基板３が貼付される。貼付する際には、支持体とコア基板の間に水酸基を含む接着層を形成し水素結合によって支持体とコア基板の間に接着力を生じさせる。また、支持体とコア基板の間に接着剤を用いる方法も採用してもよい。以下の実施形態１においては接着剤を用いる方法を説明するが、貼付する方法はこれらに限定されない。

なお、第１支持体１は、＋Ｚ軸方向にある面を第１面１ａ、および－Ｚ軸方向にあり第１面に対向する１ｂを有するものが用いられる。同様に、コア基板２の第１面２ａおよび第２面２ｂ、コア基板３の第１面３ａおよび第２面３ｂ、をそれぞれ定義する。また、後述する第２支持体は、第１支持体１と同様の構成を有してもよい。

図２は、コア基板にレーザを照射し改質部を形成する工程を示す図である。ここでは、コア基板２の第１面１ａ側からレーザを照射しコア基板２に改質部４を形成し、コア基板３の第１面３ａ側からレーザを照射しコア基板３に改質部４を形成する。レーザの焦点は第１支持体１内に留まるように設定される。このようにすることで、改質部４は、コア基板２の第１面２ａ側から第１支持体１に到達する直前まで一様に改質部４が形成される。同様に、コア基板３の第２面３ｂ側から第１支持体１の第１面側に向かって改質部４が形成される。
なお、コア基板２およびコア基板３の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）をｄ１とする。また、第１支持体１および後述する第２支持体９の厚さＴは、コア基板２および３の薄膜化後の搬送性を鑑みて、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲が望ましいが、支持体の厚さは、コア基板２、コア基板３の厚さによって適宜設定してよい。なお、コア基板２およびコア基板３の厚さを異なるものとしてもよいし、第１支持体１と第２支持体９の厚さを異なるものとしてもよい。
また、第１支持体および第２支持体としてガラス製キャリア基板を例示しているが、支持体はガラス製ではなく、金属製や樹脂製などでもよい。
こうしてコア基板２の第１面２ａから支持体１に到達する改質部４、およびコア基板３の第２面３ｂから第１支持体１に到達する改質部４が、それぞれ形成される。

（レーザ加工条件・波長）
改質部を形成するときに用いられるレーザに関して説明する。例えば、使用されるレーザの波長は、５３５ｎｍ以下が好ましい。波長は、さらに好ましくは３５５ｎｍ以上５３５ｎｍ以下の範囲である。一方、波長が５３５ｎｍより大きくなると照射スポットが大きくなり、形成する改質部の位置や大きさを制御するのが難しくなる恐れがある。また、熱の影響により改質加工ではなくアブレーション加工となり、コア基板に微小なクラックであるマイクロクラック（以下、「μクラック」ともいう。）が発生し、割れやすくなる。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するように改質部４の長さ（深さ）を長くすることが可能となる。
また以下に示す様に、加工時にマイクロクラックを発生させ無い条件であれば、３５５ｎｍ未満の紫外線領域や、１０６４ｎｍ付近の赤外線領域を用いることも可能である。 レーザ改質部４加工については、フェムト秒、ピコ秒レーザを使用することが望ましい。レーザのパルス幅が２５ピコ秒以上では、レーザ改質部４の周辺に１０μｍ以上のμクラックが発生し易くなることから、レーザパルス幅は２５ピコ秒以下であることが望ましい。また、複数回の加工を行うと、μクラックが発生し易くなることから、可能な限り１パルスでレーザ改質部４を形成することが望ましい。レーザ改質部４の周辺に１０μｍ以上のμクラックが発生しない条件であれば、レーザ発振波長、出力は、コア基板２およびコア基板３の厚さに応じて、適宜設定して構わない。

（第１導電層の形成）
次に、図３Ａから図３Ｃを参照して、第１配線層の形成工程を説明する。ここでは、コア基板２および３に金属膜が形成される。金属膜は、フッ酸耐性膜、めっき、シード層を含むものである。まず、図３Ａから図３Ｂでは、コア基板２の第１面２ａ側とコア基板３の第２面３ｂ側にフッ酸耐性膜５の形成を行う。前記フッ酸耐性膜５を形成する目的は、前記ガラスの改質部４をエッチングして開口を形成する際のエッチング保護膜とするためである。

（フッ酸耐性膜の形成）
図３Ａは、フッ酸耐性膜５を形成する工程を示す図である。ここに示すように、コア基板２の第１面２ａおよびコア基板３第２面３ｂに、スパッタ法などによりフッ酸耐性膜５が形成される。フッ酸耐性膜５の膜厚は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で形成される。

フッ酸耐性膜５の材料は、例えばクロム、ニッケル、ニッケルクロムから適宜選定することが可能である。これによりガラス製のコア基板２および３がエッチング工程において腐食することが抑制される。エッチング工程の影響が貫通孔の形状や寸法に及ぶのを防止でき、寸法安定性が向上する。本実施態様では、以降、フッ酸耐性膜５の材料としてクロムを採用した場合について説明する。

（めっきの形成）
次に、図３Ｂを参照して、フッ酸耐性膜５の上面に第１導電層６を形成する工程を説明する。ここでは、コア基板２および３に、めっき処理がされる。図３Ｂは、フッ酸耐性膜上に第１導電層６を形成する工程を示す図である。ここでは、最初に、フッ酸耐性膜５の上にスパッタ法および無電解めっき法などによりシード層となる銅皮膜を形成する。シード層の膜厚は１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で成膜する。

次に、コア基板３の第１面２ａ、コア基板３の第２面３ｂにフォトレジストをパターンニングする。一例として、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストを用いて、第１面２ａ側、第２面３ｂ側にラミネートを行い、パターンを描画後、現像することにより、シード層を露出させる。

続いて、シード層に給電し、２μｍ以上、１０μｍ以下の厚さの電解銅のめっき層の形成を行う。その後、電解めっき後に不要になったフォトレジストの溶解剥離を行い、シード層をエッチングする。更にクロムエッチング液を用いて、フッ酸耐性膜５を除去することによって、図３Ｂに示すようなパターンを有するフッ酸耐性膜５、シード層、めっき層からなる第１導電層６が形成される。

（絶縁樹脂層の形成）
最後に絶縁樹脂層７（以下、「第１樹脂層」ともいう。）を形成する。図３Ｃは、コア基板に絶縁樹脂層７を形成する工程を示す図である。ここでは、コア基板２および３に絶縁樹脂層７が形成される。コア基板２および３に絶縁樹脂を塗布した後、図に示される積層構造を一体として熱処理をする。

絶縁樹脂層７は熱硬化樹脂によって形成される。絶縁樹脂層７の材料となる絶縁樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂のうちの少なくとも１つ以上およびＳｉＯ_２のフィラー材料を含み、液状もしくはフィルム状の材料であることが望ましい。液状樹脂の場合は、スピンコート法、フィルム状樹脂の場合は、真空ラミネーターを用いて、真空下で加熱・加圧を行って絶縁層を形成することができる。絶縁樹脂層７の材料は、必要に応じて適宜選択することができる。但し、感光性絶縁樹脂材料を用いる場合は、フォトリソグラフィ性を確保するためにＳｉＯ_２のフィラー材料の充填が困難となるため、非感光性の熱硬化性樹脂を用いることが望ましい。

（第２支持体に移送）
次に、図４から図７を参照して、コア基板２およびコア基板３を第２支持体９に移送する工程について説明する。図４は、第２支持体９を貼付する工程を示す図である。ここでは、接着剤８が、コア基板２に形成された絶縁樹脂層７に塗布される。第２支持体９は、接着剤８を介してコア基板２に貼付される。なお、第２支持体９の＋Ｚ軸方向側にある面を第１面９ａ、－Ｚ軸方向側にある面を第２面９ｂとする。このようにして、コア基板３に形成された絶縁樹脂層７と第２支持体９の第２面９ｂが貼付される。

図５は、第１支持体１とコア基板２を分離する工程を示す図である。ここでは、第１支持体１とコア基板２ｂはその間の界面から剥離される。たとえば、第１支持体１とコア基板２の界面に物理的な力を加えてけがき処理をし、けがきを起点にして第１支持体１の間の界面を剥離させる。ここでは、コア基板２の第２面２ｂに残渣がないように工程が行われる必要がある。残渣が残る場合には、必要に応じて、機械的な剥離と組み合わせてレーザーアブレーション、薬液処理、プラズマ洗浄、超音波洗浄などを行ってもよい。
また、第１支持体１はコア基板２と分離した後、洗浄等を行って、再度第１支持体１として再利用することも可能である。

図６は、第１支持体１とコア基板３を含む層を、第２支持体９に移載する工程を示す図である。第２支持体９の第１面９ａに接着剤１０を塗布し、コア基板３に形成された絶縁樹脂層７と第２支持体９の第１面９ａを貼付する。

図７は、第１支持体１とコア基板３を分離する工程を示す図である。ここでは、第１支持体１とコア基板３の界面を剥離する。図５に示される場合と同様に、コア基板３の第１面３ａに残渣がないようにする。

（貫通孔の形成）
図８は、改質部をエッチングする工程を示す図である。ここでは、第２支持体９にコア基板３とコア基板２を張り付けた状態のままフッ化水素溶液に浸漬させる。このようにすることによって、コア基板２および３を同時に、改質部４を除去し貫通孔を形成できる。また、のちに埋没配線を形成する箇所に形成する溝である埋設配線溝形成、およびコア基板２および３の薄膜化についても、コア基板２および３に同時に行うことができる。

フッ化水素溶液によるエッチング量は、ガラスデバイスの厚さに応じて適宜設定することができる。例えば、薄化前に用いたコア基板２およびコア基板３の厚さｄ１が４００μｍの場合、そのエッチング量は１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲であることが望ましい。薄板化後のコア基板２およびコア基板３の厚さｄ２は、５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲であることが望ましい。
実施形態１の製造方法によれば、コア基板３と貫通孔１１の形成とガラス薄化を同時に行うので、回路形成は、基板が平坦に近い安定した状態で精度よく行うことができる。

（貫通孔／配線溝への導電化処理と絶縁樹脂形成）
次に、図９及び図１０を参照して、導電化処理の工程を説明する。図９は、貫通孔に導通処理をする工程を示す図である。まず、貫通孔１１が形成されたコア基板２の第２面２ｂ側、コア基板３の第１面３ａ側から給電用のシード層を形成し、その後ドライフィルムのフォトレジストを用いて回路パターンを形成する。続いて、シード層に給電し、２μｍ以上１０μｍ以下の厚さの電解めっきを形成する。その後、不要となったドライフィルムのフォトレジストを溶解剥離する。こうして、貫通孔１１の内面に形成された貫通電極１２、およびコア基板２の第２面２ｂおよびコア基板３の第１面３ａに形成された所定のパターンを持つ第２導電層１３が形成される。なお、ドライフィルムのフォトレジストを溶解後に露出したシード層は、エッチングにより除去される。

図１０は、層間絶縁層１４（以下、「第２樹脂層」ともいう。）、層間ビア電極１５（以下、「層間電極」ともいう。）および第３導電層１６を形成する工程を示す図である。

まず、コア基板２の第２面２ｂおよび貫通孔１１、コア基板３の第１面３ａおよび貫通孔１１に熱硬化性の絶縁樹脂を塗布し、第２支持体９に貼付された積層構造の状態で熱処理をする。こうして、層間絶縁層１４を形成する。なお、図３Ｃに示した絶縁層の形成方法と同様の方法を採用することが可能である。
次に、層間絶縁層１４にレーザでビアを形成した後、ビア上にシード層を形成し、その後、セミアディティブ工法（すなわち、レジストパターン形成、めっき処理、レジストの剥離、シード層の除去、絶縁層の形成、の一連の処理を行う）を用いて、層間ビア電極１５を形成する。層間ビア電極１５は、層間絶縁層１４を貫通する層間電極である。
最後に、シード層および金属層を塗布し、レジストパターンを用いて必要な回路層を形成して、第３導電層１６を形成する。第３導電層１６は、層間ビア１５と層間絶縁層１４の上方に形成され、層間ビア電極１５と接続する導電層である。

なお、ここでは、層間ビア電極１５は、導通された貫通孔１１に層間絶縁層１４を埋め込み、貫通孔１１がコンフォーマル（内周面に沿った）ビアを有するが、完全に導体がフィルドされていてもよい。また、貫通孔１１の直上に高周波デバイスとしてキャパシタ等の受動部品が形成された状態としてもよい。また、貫通孔内部の導体層厚はガラス表面の導体層に必要な厚さも鑑みて選択することが可能である。

（第２支持体からの剥離）
図１１は、第２支持体９を除去する工程を示す図である。接着剤８および１０から剥離するときには、コア基板２および３側に接着剤の残渣が生じない方法でコア基板を第２支持体９から剥離する。残渣が発生する場合、必要に応じてレーザーアブレーション、薬液、超音波洗浄などでコア基板側の基板を剥離した表面の残渣を除去する。

なお、図１２は、多層配線基板の例を示す図である。ここで示される多層配線基板１９ａおよび１９ｂは、第２支持体９から分離されたあとの積層構造を活用したものであり、層間ビア電極１７、第４導電層１８が形成されている

［実施形態２］
実施形態２では、コア基板２とコア基板３の間にレーザ吸収層を備える構成とした点で、実施形態１と異なる。図２２から図２４を参照して、実施形態２について説明する。なお、以下の説明において、上述の実施形態１と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

図２２は、第１支持体１にレーザ吸収層２０を形成したうえで、コア基板２を積層した工程を示す図である。レーザ吸収層２０は、改質部を形成する工程に用いられるレーザを吸収する材料から構成される。レーザ吸収層２０の材料としては、金属、樹脂、金属酸化物、セラミックスなどを用いることができ、スパッタ、塗布、焼結などそれぞれの材用に適した方法で、第１支持体１上に製膜したり、積層したりすることが可能である。
レーザ吸収層２０に用いる金属としては、例えばクロム、ニッケル、または双方からなる合金層であり、スパッタ処理にて１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下の範囲で形成することができる。その後、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ_３Ｎ_４から適宜設定することができる。
レーザ吸収層２０に用いる樹脂としては、例えばアクリル、エポキシ、フェノール、メラミン、ユリア、シリコン、ポリウレタン、ポリアセタール、液晶ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレンで有り、塗布などの方法にて０．５μｍ以上１，０００μｍの範囲で形成することができる。
レーザ吸収層２０に用いるセラミックスとしては、酸化シリコン、酸化アルミ、ジルコニアなど金属酸化物や、窒化ケイ素などから適宜選択することができる。

なお、コア基板２とコア基板３の間にレーザ吸収層を形成する構成は、上述の構成に限られない。レーザ吸収層２０を第１支持体１とコア基板３の間に形成する構成としてもよい。

（実施形態２の変形例１および変形例２）
コア基板２とコア基板３の間にレーザ吸収層を形成する構成は、上述の構成に限られず、種々の変形例を採用することも可能である。

図２３は、実施形態２の変形例１を示す図である。ここでは、第１支持体１－１と第１支持体１－２の間にレーザ吸収層２０が形成される。なお、図２２および図２３において形成されるレーザ吸収層２０は１層で構成されているが、複数の層を形成する構成としてもよい。

また、図２４は、実施形態２の変形例２を示す図である。ここでは、第１支持体１－３は、第１支持体としての機能および改質部の形成工程において用いられるレーザを吸収するレーザ吸収層としてのレーザ吸収機能の両方の機能を有する。別の言い方をすると、第１支持体１－３はレーザ吸収層を兼ねる、ともいうことができる。第１支持体はガラス製、金属製、樹脂製のものがあるところ、例えば、染料や顔料などの材料を添加し、改質部を形成する工程にもいて用いられるレーザの波長に吸収機能を付加してもよい。また、第１支持体１００ｃとして、ガラスエポキシ基板およびシリコン等のレーザ吸収層２０に用いた材料などのレーザ光を透過しない材料を用いてもよい。

また、第１支持体１－３に、一般的にすりガラスと呼ばれるような凹凸処理を施してレーザ光を散乱させる面を設ける構成としてもよい。この場合は、屈折率の異なる接着剤等を用いて積層する構成としてもよい。

なお、コア基板２とコア基板３の間に設ける層は、コア基板２と積層する必要があるため、コア基板と同じ程度にうねりの発生を抑制できることが求められる。

また、コア基板２とコア基板３の間の層の厚み（言い換えると、図２２の場合におけるコア基板１とレーザ吸収層２０の合計の厚み、図２３における第１支持体１－１とレーザ吸収層２０と第１支持体１－２の合計の厚み、図２４における第１支持体１－３の厚み）については、コア基板２の厚みに応じて、適宜設定することができる。ただし、製造工程中に搬送可能な厚みであることが好ましく、例えば、３００μｍ以上１，５００μｍ以下が望ましい。

（改質部の形成）
図２５は、コア基板にレーザを照射し改質部を形成する工程を示す図である。ここでは、変形例１の場合を例示しており、レーザ吸収層２０が第１支持体１－４と第１支持体１－５の間に形成されている。

レーザ改質部４は、コア基板２の第１面２ａ側からレーザを照射しコア基板２に改質部４を形成し、コア基板３の第１面３ａ側からレーザを照射しコア基板３に改質部４を形成する。

ここで、レーザ吸収層２０を設けることによって、改質部を形成する工程において用いるレーザの条件範囲を、大きく拡大することが可能となる。実施形態１における図２に示されるように、レーザ吸収層２０を設けない場合は、第１支持体１の内部においてレーザが減衰しコア基板１を貫通しない条件を設定したうえで、レーザによる改質部を形成する必要があった。
これに対し、図２５に示されるように、レーザ吸収層２０を用いた場合は、レーザ吸収層２０によってレーザが吸収されるので、コア基板をより深く改質する条件を適用することが可能となり、結果として、レーザ加工条件の余地が大きくなる。また、レーザ吸収層２０に、金属などの熱伝導率の高い材質を用いた場合には、レーザ加工によって発生する加工熱をレーザ吸収層２０によって吸収しかつ伝熱することによって、コア基板２およびコア基板３の加工熱を逃がすことが可能となる。レーザによる改質部の形成工程において改質時の基板の熱変形や、熱に起因するコア基板のクラックの発生が発生する可能性がある。実施形態２は、これらの抑制にも有効である。

（効果）
以下、図１０、図２、図２５および図１８を参照して、実施形態１と実施形態２と従来例の効果について説明する。
表１は、実施形態１と実施形態２と従来例の多層配線基板の反りの測定の結果を比較して示したものである。

測定の前提となる主な条件は、以下のとおりである。実施形態１および２のサンプルは図１０の状態である。コア基板２および３の薄化を行ったあとのコア基板厚寸法ｄ２を０．１５ｍｍとした。絶縁樹脂層７および層間絶縁層１４の厚さは０．０２ｍｍとし、コア基板の表裏に１層ずつ形成した。支持体の厚さは１ｍｍとした。
実施形態１は、図２に示したように、第１支持体１にコア基板２およびコア基板３を積層した構造を用いた。第１支持体１の厚さは６００μｍとした。
実施形態２は、図２５に示したように、レーザ吸収層２０を用いた構成とした。厚さ５００ｕｍのガラス部材を第１支持体１－５として、レーザ吸収層２０としてエポキシ樹脂を塗布して、さら厚さ５００μｍのガラスの第１支持体１－４を積層した状態で熱硬化させた。
一方、従来例のサンプルは図１８の状態である。コア基板厚寸法及び絶縁樹脂の厚さは実施形態１および２のサンプルと共通とし、コア基板の片面にのみ形成した。

今回作製した基板は、１００ｍｍ角の５つのサンプルを従来例、実施形態１および２の条件で用意した。Ｘを反り量とした。基板の反りは、Ａｃｍｅｔｒｉｘ社製サーモレイにて常温での測定を実施した。

従来例の５サンプルの場合、コア基板のそりＸはいずれも１．５ｍｍより大きくなった。一方、実施形態１の場合、２サンプルで反りが０．５ｍｍ以下、３サンプルで反りＸが０．５ｍｍより大きく１．５ｍｍ以下に納めることができた。実施形態２の場合でも同様の結果であった。

このように、本発明にかかる製造方法では、そりを抑えることができた。

本開示では、図３Ｃに示されるように、第１支持体１の両面にコア基板２および３を貼付した状態で、絶縁樹脂層７の熱処理がコア基板一体として行われる。また、図１０に示されるように、第１支持体から第２支持体に移送したあと、第２支持体の両面にコア基板２および３を貼付した状態で、層間絶縁層１４の熱処理がコア基板一体として行われる。このように、熱処理が、支持体の両面にある基板に同時に行われる。支持体の両面に同じ線膨張係数のコア基板が積層されるため、熱処理を通じて仮に反りが発生したとしても、積層構造全体としては反りが抑制されることになる。

また、片面工法に比べて両面工法を行うことで、製造工程全体に含まれる処理数を低減することができる。これにより生産性の向上が期待される。

このように、本発明によれば、多層配線基板に発生する反りを防止することができる。

（その他の発明）
本開示は、次の発明も含む。
（発明１）
第１面および第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、
前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、
前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明２）
前記第１コア基板および前記第２コア基板に、めっき処理をするめっき処理ステップと、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に、第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成ステップと、
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第２支持体を用い、前記第１コア基板に形成された前記第１樹脂層と第２支持体の前記第２面を貼付する第２貼付ステップと、
前記第１コア基板と前記第１支持体の界面を剥離する第１剥離ステップと、をさらに含むことを特徴とする発明１に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明３）
前記第１樹脂層は熱硬化樹脂によって形成される、ことを特徴とする発明２に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明４）
前記第２コア基板に形成された前記第１樹脂層と前記第２支持体の前記第１面を貼付する第３貼付ステップ、をさらに有することを特徴とする発明１から２のいずれかひとつに記載の多層配線基板の製造方法。
（発明５）
前記第１支持体と前記第１コア基板の界面を剥離する第２剥離ステップと、
前記第１コア基板と前記第２コア基板を同時に、前記第１改質部および前記第２改質部を除去し貫通孔を形成する貫通孔形成ステップと、
前記第１コア基板と前記第２コア基板に、前記貫通孔上に貫通電極を形成し、所定のパターンを持つ導体層を形成する導電処理ステップと、
前記第１コア基板と前記第２コア基板に、第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成ステップと、
前記第１コア基板と前記第２コア基板に、前記第２樹脂層を貫通する層間電極および、前記前記層間電極と前記第２樹脂層の上方に形成され、前記層間電極と接続する導電層を形成する第２導電処理ステップと、をさらに含むことを特徴とする発明２から４のいずれかひとつに記載の多層配線基板の製造方法。
（発明６）
前記第２支持体を除去する第２除去ステップと、をさらに含むことを特徴とする発明５に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明７）
前記めっき処理ステップにおいて、
前記第１コア基板および前記第２コア基板を同時に、フォトレジストを用いて回路パターンを形成し、前記金属膜に給電してめっき処理をし、フォトレジストを除去する、ことを特徴とする発明２から６のいずれかひとつに記載の多層配線基板の製造方法。
（発明８）
前記第１支持体は、前記第１改質ステップおよび前記第２改質ステップにおいて用いられるレーザを吸収するレーザ吸収層を含む、ことを特徴とする発明１に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明９）
前記レーザ吸収層は、金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、ことを特徴とする発明８に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明１０）
前記第１支持体は、前記第１改質ステップおよび前記第２改質ステップにおいて用いられるレーザを吸収するレーザ吸収機能を有する、ことを特徴とする発明１に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明１１）
前記第１支持体は、金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、ことを特徴とする発明１０に記載の多層配線基板の製造方法。
（発明１２）
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体と、
前記第１面に貼付された第１コア基板と、
前記第２面に貼付された第２コア基板と、
前記第１コア基板に形成された第１改質部と、
前記第２コア基板に形成された第２改質部と、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された金属膜と、を備える多層配線基板。
（発明１３）
前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された第１導電層と、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された第１樹脂層と、
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第２支持体であって、前記第２支持体は、
前記第２支持体の前記第２面には、前記第１支持体から分離された前記第１コア基板上に形成された前記第１樹脂層が貼付され、
前記第２支持体の前記第１面には、前記第１支持体から分離された前記第２コア基板上に形成された前記第１樹脂層が貼付され、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された第２導電層と、
前記第１コア基板および前記第２コア基板を貫通し、前記第１導電層と前記第２導電層の間を接続する第１貫通電極と、を備える発明１２に記載の多層配線基板。
（発明１４）
前記第２導電層および前記第１貫通電極に形成された第２樹脂層と、
前記第２樹脂層に形成された第３導電層と、
前記第２樹脂層を貫通し、前記第２導電層と前記第３導電層を貫通する層間ビア電極と、を備える発明１２または１３に記載の多層配線基板。
（発明１５）
第１面および第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付し、前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質し、前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質をする多層配線基板において、
前記第１支持体はレーザ吸収層を備える、ことを特徴とする多層配線基板。
（発明１６）
前記レーザ吸収層が金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、こと特徴とする発明１５に記載の多層配線基板。
（発明１７）
前記第１支持体がレーザ吸収層を含むこと特徴とする発明１５に記載の多層配線基板。
（発明１８）
前記レーザ吸収層が金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成され、前記第１支持体がレーザ吸収層を含む、こと特徴とする発明１５に記載の多層配線基板。
（発明１９）
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、
前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、
前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップと、
前記第１支持体にレーザ吸収を形成するステップ、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明２０）
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、
前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、
前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップと、
前記第１支持体にレーザ吸収層を形成するステップ、
を含み前記レーザ吸収層が金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、もしくは支持体１がレーザ吸収層を兼ねる、もしくはその両方である
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（発明２１）
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、
前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、
前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、
前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップとを有する多層配線基板の形成プロセスに用いる支持体１において、
前記支持体１にレーザ吸収層を形成するステップを含み、
前記レーザ吸収層が金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、もしくは支持体１がレーザ吸収層を兼ねる、もしくはその両方である
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

１、１－２、１－３、１－４、１－５ 第１支持体
２ コア基板
３ コア基板
４ 改質部
５ フッ酸耐性膜
６ 第１導電層
７ 絶縁樹脂層
８ 接着剤
９ 第２支持体
１０ 接着剤
１１ 貫通孔
１２ 貫通電極
１３ 第２導電層
１４ 層間絶縁層
１５ 層間ビア電極
１６ 第３導電層
１７ 層間ビア電極
１８ 第４導電層
２０ レーザ吸収層

Claims (14)

1. 第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体を用い、前記第１支持体の前記第１面に第１コア基板を貼付し、前記第１支持体の前記第２面に第２コア基板を貼付する第１貼付ステップと、
   前記第１面側からレーザを照射し前記第１コア基板に第１改質部を形成する第１改質ステップと、
   前記第２面側からレーザを照射し前記第２コア基板に第２改質部を形成する第２改質ステップと、
   前記第１コア基板および前記第２コア基板に、金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記第１コア基板および前記第２コア基板に、めっき処理をするめっき処理ステップと、
   前記第１コア基板および前記第２コア基板に、第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成ステップと、
   第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第２支持体を用い、前記第１コア基板に形成された前記第１樹脂層と第２支持体の前記第２面を貼付する第２貼付ステップと、
   前記第１コア基板と前記第１支持体の界面を剥離する第１剥離ステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記第１樹脂層は熱硬化樹脂によって形成される、ことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記第２コア基板に形成された前記第１樹脂層と前記第２支持体の前記第１面を貼付する第３貼付ステップ、をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
5. 前記第１支持体と前記第１コア基板の界面を剥離する第２剥離ステップと、
   前記第１コア基板と前記第２コア基板を同時に、前記第１改質部および前記第２改質部を除去し貫通孔を形成する貫通孔形成ステップと、
   前記第１コア基板と前記第２コア基板に、前記貫通孔上に貫通電極を形成し、所定のパターンを持つ導体層を形成する導電処理ステップと、
   前記第１コア基板と前記第２コア基板に、第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成ステップと、
   前記第１コア基板と前記第２コア基板に、前記第２樹脂層を貫通する層間電極および、前記前記層間電極と前記第２樹脂層の上方に形成され、前記層間電極と接続する導電層を形成する第２導電処理ステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記第２支持体を除去する第２除去ステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法。
7. 前記めっき処理ステップにおいて、
   前記第１コア基板および前記第２コア基板を同時に、フォトレジストを用いて回路パターンを形成し、前記金属膜に給電してめっき処理をし、フォトレジストを除去する、ことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板の製造方法。
8. 前記第１支持体は、前記第１改質ステップおよび前記第２改質ステップにおいて用いられるレーザを吸収するレーザ吸収層を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
9. 前記レーザ吸収層は、金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、ことを特徴とする請求項８に記載の多層配線基板の製造方法。
10. 前記第１支持体は、前記第１改質ステップおよび前記第２改質ステップにおいて用いられるレーザを吸収するレーザ吸収機能を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
11. 前記第１支持体は、金属、樹脂、金属酸化物のいずれかによって構成される、ことを特徴とする請求項１０に記載の多層配線基板の製造方法。
12. 第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第１支持体と、
    前記第１面に貼付された第１コア基板と、
    前記第２面に貼付された第２コア基板と、
    前記第１コア基板に形成された第１改質部と、
    前記第２コア基板に形成された第２改質部と、
    前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された金属膜と、を備える多層配線基板。
13. 前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された第１導電層と、
    前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された第１樹脂層と、
    第１面および前記第１面に対向する第２面を有する第２支持体であって、前記第２支持体は、
    前記第２支持体の前記第２面には、前記第１支持体から分離された前記第１コア基板上に形成された前記第１樹脂層が貼付され、
    前記第２支持体の前記第１面には、前記第１支持体から分離された前記第２コア基板上に形成された前記第１樹脂層が貼付され、
    前記第１コア基板および前記第２コア基板に形成された第２導電層と、
    前記第１コア基板および前記第２コア基板を貫通し、前記第１導電層と前記第２導電層の間を接続する第１貫通電極と、を備える請求項１２に記載の多層配線基板。
14. 前記第２導電層および前記第１貫通電極に形成された第２樹脂層と、
    前記第２樹脂層に形成された第３導電層と、
    前記第２樹脂層を貫通し、前記第２導電層と前記第３導電層を貫通する層間ビア電極と、を備える請求項１３に記載の多層配線基板。

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