JP6936965B2

JP6936965B2 - 配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP6936965B2
Application number: JP2017065833A
Authority: JP
Inventors: 持悟倉; 岡義孝福
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2017-03-29
Filing date: 2017-03-29
Publication date: 2021-09-22
Anticipated expiration: 2037-03-29
Also published as: JP2018170372A

Description

本開示の実施形態は、配線基板及びその製造方法に関する。

第１面及び第２面を含む基板と、基板に設けられた複数の孔と、基板の第１面側から第２面側へ至るように孔の内部に設けられた電極部と、を備える貫通電極基板が知られている（特許文献１参照）。このような貫通電極基板は、配線基板を作製する際に利用され得る。なお、以下の説明では、上記電極部のことを貫通電極と呼ぶ。

特開２０１１−３９２５号公報

上述のような貫通電極基板から作製される配線基板は、例えば、貫通電極基板上に設けられる絶縁層と、絶縁層上に設けられる配線層と、絶縁層を貫通するように設けられる接続電極と、を備え、当該接続電極によって配線層と貫通電極とを電気的に接続する多層型の配線基板として作製される場合がある。

このような配線基板における接続電極は、スパッタリングや蒸着で形成した導電層をパターニングすることで形成されてもよい。しかしながら、この場合、接続電極の密度が高くなることで、貫通電極側で生じたガスが外部に抜けづらくなる。その結果、絶縁層と基板との間にガスが流入して絶縁層が膨らみ易くなるため、品質の低下が懸念される。

また、上述のようにスパッタリングや蒸着で形成した導電層をパターニングして接続電極を形成する場合、その工数が比較的多くなるため、生産性の向上にも課題がある。

本開示の実施形態は、上記の実情に鑑みてなされたものであり、内部で生じるガスに対する良好な通気性を簡易に確保でき且つ容易に作製することができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに、前記第１面から前記第２面に貫通する貫通孔または前記第１面及び前記第２面のうちの一方から他方にへこむ有底孔が設けられた基板と、前記貫通孔または前記有底孔に位置する第１電極と、絶縁層及び前記絶縁層を貫通するように設けられた第２電極を有し、前記基板から露出する前記第１電極を覆うように前記第１面及び前記第２面のうちの両方または一方の面上に設けられた被覆層と、前記被覆層上に設けられ、前記第２電極と電気的に接続された配線層と、を備え、前第２電極は導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有し、前記第１電極と前記配線層とを電気的に接続している、配線基板、である。

本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記第２電極は、前記第１面上または前記第２面上に設けられた導電性接続層を介して前記第１電極に電気的に接続してもよい。

また本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記導電性粒子は、金属を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記バインダは、エポキシ樹脂を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記絶縁層は、非感光性樹脂を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記絶縁層は、前記非感光性樹脂を含むプリプレグからなる、ものでもよい。

また本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記絶縁層は、ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る配線基板において、前記基板は、ガラス基板からなる、ものでもよい。

また本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに、前記第１面から前記第２面に貫通する貫通孔または前記第１面及び前記第２面のうちの一方から他方にへこむ有底孔が設けられた基板と、前記貫通孔または前記有底孔に位置する第１電極とを有する電極基板を準備する工程と、絶縁層及び前記絶縁層を貫通するように設けられた第２電極を含む被覆層と、前記被覆層上に設けられ前記第２電極と電気的に接続された配線層とを有し、前記第２電極が導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有して前記絶縁層から突出している配線形成部材を準備する工程と、前記第２電極が前記第１電極に電気的に接続されるように、前記配線形成部材を前記電極基板に接合する工程と、を備える配線基板の製造方法、である。

本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記配線形成部材は、前記絶縁層が前記基板に溶着することで前記電極基板に接合されてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記配線形成部材は、前記基板に向けて加熱及び加圧されて前記電極基板に接合されてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記第２電極は、前記第１面上または前記第２面上に設けられた導電性接続層を介して前記第１電極に電気的に接続されてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記導電性部材は、導電性ペーストを用いて形成されていてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記バインダは、エポキシ樹脂を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記絶縁層は、非感光性樹脂を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記絶縁層は、前記非感光性樹脂を含むプリプレグからなる、ものでもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記絶縁層は、ポリイミド樹脂を含んでいてもよい。

また本開示の一実施形態に係る製造方法において、前記基板は、ガラス基板からなる、ものでもよい。

本開示の実施形態によれば、内部で生じるガスに対する良好な通気性を簡易に確保でき且つ容易に作製することができる配線基板を提供できる。

一実施形態に係る配線基板を示す断面図である。配線基板の製造工程を示す図である。配線基板の製造工程を示す図である。配線基板の製造工程を示す図である。配線基板の製造工程を示す図である。配線基板の製造工程を示す図である。配線基板の製造工程を示す図である。他の実施形態に係る配線基板を示す断面図である。配線基板が搭載される製品の例を示す図である。

以下、本開示の実施形態に係る配線基板及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示は実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」などの用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

配線基板
以下、本開示の実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る配線基板１の構成について説明する。図１は、配線基板１を示す断面図である。

配線基板１は、電極基板１０、被覆層３０及び配線層４０を備える。以下、配線基板１の各構成要素について説明する。

（電極基板）
まず、電極基板１０について説明する。電極基板１０は、基板１２と、第１電極２２と、を有している。本例の電極基板１０は、貫通電極基板である。

＜基板＞
基板１２は、第１面１３、及び、第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。また、基板１２には、第１面１３から第２面１４に貫通する複数の貫通孔２０が設けられている。

基板１２は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al₂O₃)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO₂)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。

基板１２で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ−Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。基板１２がガラスを含むことにより、基板１２の絶縁性を高めることができる。

また基板１２がガラスを含む場合、基板１２の厚みは、例えば２５０μｍ以上且つ４５０μｍ以下である。

貫通孔２０は、円柱状の孔であるが、貫通孔２０は、第１面１３及び第２面１４から基板１２の厚み方向の中央部に向かうにつれて幅が小さくなる形状を有していてもよい。また、貫通孔２０は、第１面１３から第２面１４まで先細りとなるテーパ状となっていてもよい。

貫通孔２０の長さ、すなわち第１面１３の法線方向における貫通孔２０の寸法は、基板１２の厚みに等しい。また貫通孔２０の幅、すなわち基板１２の面内方向における最大幅は、例えば４０μｍ以上１５０μｍ以下である。また、貫通孔２０の幅に対する長さの比、すなわち貫通孔２０のアスペクト比は、例えば４以上且つ１０以下である。

＜第１電極＞
第１電極２２は、貫通孔２０の内部に位置し、且つ導電性を有する部材である。本実施形態において、第１電極２２の厚みは、貫通孔２０の幅よりも小さく、このため、貫通孔２０の内部には、第１電極２２が存在しない空間がある。すなわち、第１電極２２は、貫通孔２０の側壁２１に設けられる、いわゆるコンフォーマルビアである。第１電極２２の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下である。

第１電極２２は、例えば貫通孔２０の側壁２１側から貫通孔２０の中心側へ順に並ぶシード層及びめっき層を含む状態で形成されてよい。

シード層は、電解めっき処理によってめっき層を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層の材料としては、銅、チタン、これらの組み合わせなどの導電性を有する材料を用いることができる。シード層の材料は、めっき層の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。このシード層は、スパッタリング法、蒸着法、またはスパッタリング法及び蒸着法の組み合わせによって形成される。

めっき層は、めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層を構成する材料としては、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。

また、図示の例では、中空状の第１電極２２の内部空間に樹脂からなるコア２３が充填されている。なお、図示の例では、第１電極２２がコンフォーマルビアであるが、第１電極２２は、貫通孔２０の内部に充填される充填タイプであってもよい。

また、図示の例では、第１面１３上及び第２面１４上に、導電性を有する導電性接続層２４が設けられている。第１面１３側の導電性接続層２４は、第１電極２２の第１面１３側の端部に電気的に接続され、第２面１４側の導電性接続層２４は、第１電極２２の第２面１４側の端部に電気的に接続されている。

導電性接続層２４は、第１電極２２と同様に、第１面１３上及び第２面１４上に順に積層されたシード層及びめっき層を含んでいてもよい。この場合、導電性接続層２４のうちのシード層は、第１電極２２のシード層と同時に形成され、スパッタリング法、蒸着法、またはスパッタリング法及び蒸着法の組み合わせによって形成されてもよい。また導電性接続層２４のうちのめっき層は、第１電極２２のめっき層と同時に形成されてもよい。なお、導電性接続層２４の厚みは、例えば1μｍ以上２０μｍ以下である。

（被覆層）
被覆層３０は、絶縁層３１、及び絶縁層３１を貫通するように設けられた第２電極３２を有する。

図示の例では、二つの被覆層３０が設けられている。各被覆層３０は、基板１２から露出する第１電極２２を覆うように設けられ、一方の被覆層３０は、第１面１３上に設けられ、他方の被覆層３０は、第２面１４上に設けられている。

被覆層３０のうちの絶縁層３１は、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。絶縁層３１の有機材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。絶縁層３１の有機材料は、好ましくは０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する。

絶縁層３１が、エポキシ樹脂などの非感光性樹脂を有するものである場合、絶縁層３１は、例えばエポキシ樹脂を含むプリプレグからなるものでもよい。このような絶縁層３１の厚みは、例えば1μｍ以上且つ２０μｍ以下である。ただし、絶縁層３１の厚みは、導電性接続層２４の厚みよりも大きくする。

第２電極３２は導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有し、第１電極２２に電気的に接続されている。第２電極３２が有する導電性部材は、導電性ペーストを用いることにより形成することができる。第２電極３２は、絶縁層３１の一対の主面を貫通する孔３１Ａに充填されている。

図示の例では、第１面１３側の第２電極３２が、第１面１３上に設けられた導電性接続層２４を介して第１電極２２に電気的に接続している。第２面１４側の第２電極３２が、第２面１４上に設けられた導電性接続層２４を介して第１電極２２に電気的に接続している。より正確に説明すると、第１面１３側の第２電極３２は、第１面１３上に設けられた導電性接続層２４のうちの貫通孔２０上に延び出した部分を介して第１電極２２に接続し、第２面１４側の第２電極３２は、第２面１４上に設けられた導電性接続層２４のうちの貫通孔２０上に延び出した部分を介して第１電極２２に接続している。

第２電極３２が有する導電性部材は、導電性粒子と、バインダとを少なくとも含む。導電性部材には、さらに添加剤、溶媒、可塑剤などが含まれてもよい。導電性粒子は、導電性を有していればよく、具体的には、金属粒子を使用することができる。金属粒子に用いられる金属としては、銅、銀、またはこれらを用いた合金等を挙げることができる。導電性粒子は、複数種類の金属粒子を組み合わせて使用してもよい。また、バインダには、樹脂を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂等を挙げることができる。なお、上記導電性部材を導電性ペーストにより形成する場合、導電性ペーストには、導電性粒子及びバインダが少なくとも含まれ、必要に応じて溶媒、添加剤などが含まれてもよい。

また第２電極３２は、第１電極２２側に向けて先細りとなる台形状となっている。

（配線層）
配線層４０は、被覆層３０上に設けられ、第２電極３２と電気的に接続されている。したがって、第２電極３２は、第１電極２２と配線層４０とを電気的に接続することになる。図１に示される配線層４０は、所望のパターンにパターニングされている。

配線層４０は、導電性を有する層である。配線層４０を構成する材料は、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属またはこれらを用いた合金であってもよい。配線層４０の厚みは、例えば1μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

配線基板の製造方法
以下、上述の配線基板１の製造方法の一例について、図２乃至図７を参照して説明する。

（貫通孔形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、第１面１３及び第２面１４の少なくともいずれかにレジスト層を設ける。その後、レジスト層のうち貫通孔２０に対応する位置に開口を設ける。次に、レジスト層の開口において基板１２を加工することにより、図２に示すように、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。基板１２を加工する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。

なお、基板１２にレーザを照射することによって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。この場合、レジスト層は設けられていなくてもよい。レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。その他にも、基板１２に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。
（第１電極形成工程）
次に、図３に示すように、貫通孔２０の側壁２１に第１電極２２を形成する。本実施形態においては、第１電極２２と同時に、第１面１３上及び第２面１４上に導電性接続層２４が形成される。これにより、電極基板１０が準備されることになる。

ここでは、第１電極２２及び導電性接続層２４が、スパッタリング法、蒸着法、またはこれらの組み合わせによってシード層を形成した後に、めっき層を成長させることで、形成される。

（コア充填工程）
次に、図４に示すように、第１電極２２の内部にコア２３が充填される。コア２３は、例えば、第１面１３上及び第２面１４上に樹脂のフィルムを配置し、圧力差を利用してフィルムを第１電極２２の内部に押し込むことで充填されてもよい。また、このようなフィルムは、ローラーによって第１電極２２の内部に押し込まれてもよい。

（配線形成工程）
次に、被覆層３０及び配線層４０を含む配線部分を形成する。この際、まず、図５に示すように、配線形成部材５０が準備される。配線形成部材５０は、電極基板１０に設けられる前の被覆層３０及び配線層４０を一体化した部材である。すなわち、配線形成部材５０は、絶縁層３１及び絶縁層３１を貫通するように設けられた第２電極３２を含む被覆層３０と、被覆層３０上に設けられ第２電極３２と電気的に接続された配線層４０とを一体に有している。ただし、配線形成部材５０上においては、第２電極３２が絶縁層３１から突出している。また配線形成部材５０上の配線層４０は、パターニングされておらず、シート状に延び広がった状態となっている。

本例では、第１面１３側の配線形成部材５０と第２面１４側の配線形成部材５０とが準備され、図６に示すように、各配線形成部材５０は、第２電極３２が第１電極２２に電気的に接続されるように、基板１２から第１電極２２が露出する側から電極基板１０に接合される。

この際、配線形成部材５０は、絶縁層３１が基板１２に溶着することで電極基板１０に接合される。詳しくは、配線形成部材５０は、基板１２に向けて加熱及び加圧される。これにより、絶縁層３１が熔解して基板１２に付着し、配線形成部材５０が電極基板１０に接合される。このとき、図６に示すように、加熱及び加圧により、第２電極３２は押しつぶされて接合前の状態よりも幅広になる。

その後、図７に示すように、配線層４０上にレジスト６０が設けられ、レジスト６０をマスクとして、配線層４０がエッチングされることで、配線層４０にパターンが形成される。

以上に説明した本実施形態に係る配線基板１では、第２電極３２が導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有して第１電極２２と配線層４０とを電気的に接続する。このように第２電極３２が導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有することで、ガスに対する通気性が確保される。これにより、内部、具体的に第１電極２２側で生じたガスを、第２電極３２を通過させて被覆層３０と配線層４０との間から外部に放出することができる。また第２電極３２は、パターニング等を行うことなく形成されるため、作製に手間がかからない。したがって、内部で生じるガスに対する良好な通気性を簡易に確保でき且つ容易に作製することができる。

とりわけ被覆層３０及び配線層４０を含む配線部分は、被覆層３０及び配線層４０を一体化した配線形成部材５０を電極基板１０に接合することで作製されるため、本実施形態によれば、極めて容易に配線基板１を作製することが可能となる。

（他の実施形態）
次に、図８を参照しつつ他の実施形態について説明する。図８に示すように、この実施形態では、第１面１３から第２面１４にへこむ有底孔２０’が基板１２に設けられ、有底孔２０’の内部に第１電極２２が位置する。図８では、第１電極２２がフィルドビアとなっているが、コンフォーマルビアであってもよい。本実施形態にかかる電極基板も、上述の実施形態と同様の手順で製造され得る。

配線基板が搭載される製品の例
図９は、本開示の実施形態に係る配線基板１が搭載されることができる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る配線基板１は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。

１…配線基板
１０…電極基板
１２…基板
１３…第１面
１４…第２面
２０…貫通孔
２０’…有底孔
２１…側壁
２２…第１電極
２３…コア
２４…導電性接続層
３０…被覆層
３１…絶縁層
３１Ａ…孔
３２…第２電極
４０…配線層
５０…配線形成部材

Claims

第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに、前記第１面から前記第２面に貫通する貫通孔または前記第１面及び前記第２面のうちの一方から他方にへこむ有底孔が設けられた基板と、前記貫通孔または前記有底孔に位置する第１電極とを有する電極基板を準備する工程と、
絶縁層及び前記絶縁層を貫通するように設けられた第２電極を含む被覆層と、前記被覆層上に設けられ前記第２電極と電気的に接続された配線層とを有し、前記第２電極が導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有して前記絶縁層から突出している配線形成部材を準備する工程と、
前記配線形成部材を前記基板に向けて加熱及び加圧し、前記絶縁層が前記基板に溶着し且つ前記第２電極が前記第１電極に電気的に接続されるように、前記配線形成部材を前記電極基板に接合する工程と、
前記電極基板に接合された前記配線形成部材における前記配線層にエッチングによりパターンを形成する工程と、を備え、
前記第１電極はコンフォーマルビアであり、
前記配線形成部材を前記電極基板に接合する工程では、前記配線形成部材を加熱及び加圧することで、前記第１電極側に向けて先細りとなる台形状の前記第２電極が接合前の状態よりも幅広になるようにするとともに、前記第２電極が、前記第１面上または前記第２面上に設けられた導電性接続層を介して前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２電極は、前記導電性接続層のうちの前記第１面上または前記第２面上から前記貫通孔の一部上に延び出した部分を介して前記第１電極に接続され、且つ、中空状の前記第１電極の内部空間上に位置する配線基板の製造方法。
前記導電性部材は、導電性ペーストを用いて形成されている、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
前記バインダは、エポキシ樹脂を含む、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
前記絶縁層は、非感光性樹脂を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
前記絶縁層は、前記非感光性樹脂を含むプリプレグからなる、請求項４に記載の配線基板の製造方法。
前記絶縁層は、ポリイミド樹脂を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
前記基板は、ガラス基板からなる、請求項１乃至６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含むとともに、前記第１面から前記第２面に貫通する貫通孔または前記第１面及び前記第２面のうちの一方から他方にへこむ有底孔が設けられた基板と、
前記貫通孔または前記有底孔に位置する第１電極と、
絶縁層及び前記絶縁層を貫通するように設けられた第２電極を有し、前記基板から露出する前記第１電極を覆うように前記第１面及び前記第２面のうちの両方または一方の面上に設けられた被覆層と、
前記被覆層上に設けられ、前記第２電極と電気的に接続された配線層と、を備え、
前記第２電極は導電性粒子とバインダとを含む導電性部材を有し、前記第１電極と前記配線層とを電気的に接続しており、
前記第１電極はコンフォーマルビアであり、
前記第２電極は、前記第１面上または前記第２面上に設けられた導電性接続層を介して前記第１電極に電気的に接続しており、
前記第２電極は、前記導電性接続層のうちの前記第１面上または前記第２面上から前記貫通孔の一部上に延び出した部分を介して前記第１電極に接続され、且つ、中空状の前記第１電極の内部空間上に位置する、配線基板。