JP2018056515A - 有孔基板の製造方法及び有孔基板 - Google Patents

Abstract

【課題】貫通孔中空部に樹脂を充填し、樹脂を硬化させ、その後、樹脂のうち不要な部分を研磨により除去する工程により、基板に応力が加わり、割れなどの損傷が生じてしまうことを防ぐ。【解決手段】貫通電極基板１０は、第１面１３及び第２面１４を有する。第１面から第２面へ貫通する貫通孔２０が設けられた基板１２を準備する準備工程と、少なくとも第１面側で貫通孔の内部及び外部に跨がるように樹脂材を位置付けて、貫通孔の内部に樹脂材を充填する充填工程と、基板の法線方向に沿って基板を見た場合に、樹脂材のうちの貫通孔と重なる部分を硬化状態に移行又は維持させるように、基板に向けて電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程と、樹脂材のうちの、照射工程で硬化状態に移行又は維持されていない非硬化状態の部分を除去する除去工程と、樹脂材を熱硬化させる熱硬化工程と、を備える。【選択図】図２

Description

本開示の実施形態は、有孔基板の製造方法及び有孔基板に関する。

第１面及び第２面を含み、第１面から第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板と、基板の第１面側から第２面側へ至るように貫通孔の内部に設けられた貫通電極と、を備える貫通電極基板が知られている。貫通電極基板の貫通電極の例としては、いわゆるフィルドビアやコンフォーマルビアが知られている。フィルドビアの場合、貫通電極は、貫通孔の内部に充填された銅などの導電性材料を含む。コンフォーマルビアの場合、貫通電極は、貫通孔に中空部が存在するよう、貫通孔の側壁に沿って広がっている。

ところで、貫通孔に中空部が存在していると、貫通孔に貫通電極を形成した後の工程において、導電性材料の屑などが残渣として貫通孔の中空部に入ってしまうことがある。このような課題を解決する手段として、中空部に樹脂を充填することが挙げられる。例えば特許文献１，２は、まず、基板の第１面側から中空部に樹脂を充填し、樹脂を硬化させ、その後、樹脂のうち不要な部分を研磨により除去するとともに中空部に充填された樹脂を平坦化する、という手段を開示している。

特開２０１５−２１１０７７号公報 特開２００１−１５９０９号公報

樹脂の不要部分を研磨する工程を実施すると、基板に応力が加わり、この結果、基板に割れなどの損傷が生じてしまうことがある。また、研磨装置の大きさによって、研磨を可能な基板のサイズが制約されるため、基板の大型化が阻害されることがある。

本開示の実施形態は、このような課題を解決することができる有孔基板の製造方法及び有孔基板を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、有孔基板の製造方法であって、第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板を準備する準備工程と、少なくとも前記第１面側で前記貫通孔の内部及び外部に跨がるように樹脂材を位置付けて、前記貫通孔の内部に樹脂材を充填する充填工程と、前記基板の法線方向に沿って前記基板を見た場合に、前記樹脂材のうちの前記貫通孔と重なる部分を硬化状態に移行又は維持させるように、前記基板に向けて電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程と、前記樹脂材のうちの、前記照射工程で硬化状態に移行又は維持されていない非硬化状態の部分を除去する除去工程と、前記樹脂材を熱硬化させる熱硬化工程と、を備える、製造方法、である。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記充填工程は、前記基板の前記貫通孔を、少なくとも前記第１面側から、前記樹脂材を含むフィルムで覆う工程と、前記フィルムに、前記フィルムによって覆われた前記貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えることにより、前記フィルムを記貫通孔の内部及び外部に跨がるように位置付けて、前記樹脂材を前記貫通孔の内部に押し込んで充填する工程と、を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記充填工程は、前記フィルムの前記樹脂材を加熱する工程をさらに含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記充填工程は、加熱された押圧部材を介して、少なくとも前記第１面側の前記フィルムを前記基板の前記第１面に向けて押圧する工程をさらに含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記樹脂材は、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記樹脂材は、ポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記充填工程では、液状の前記樹脂材が少なくとも前記第１面上に塗布されることにより、少なくとも前記第１面側で前記貫通孔の内部及び外部に跨がるように前記樹脂材を位置付けて、前記貫通孔の内部に前記樹脂材を充填してもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記準備工程において準備される前記基板の前記貫通孔の側壁には、貫通電極が設けられており、且つ、前記基板の少なくとも前記第１面には、前記貫通電極に接続され、前記第１面に位置する第１配線が設けられており、前記熱硬化工程では、前記樹脂材のうちの前記貫通孔と重なる部分における少なくとも前記第１面側の表面と、これに隣接する前記第１面に位置する前記第１配線の表面とが、前記基板の面方向に沿って連なるように、前記樹脂材を硬化させてもよい。
この場合、前記熱硬化工程では、前記基板の厚み方向における、前記樹脂材のうちの前記貫通孔と重なる部分における少なくとも前記第１面側の表面と、前記第１配線の表面との間の距離が5μｍ以下になるまで、前記樹脂材を硬化させてもよい。

また、本開示の一実施形態は、第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板と、前記基板の前記貫通孔に充填された樹脂材を含む充填部を備え、前記充填部の少なくとも前記第１面側の表面は、凸又は凹のすり鉢状であり、中央部分の領域が平滑面を有している、有孔基板である。

本開示の一実施形態による有孔基板において、前記充填部は、前記樹脂材として、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を構成する光重合開始剤を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板において、前記充填部は、前記樹脂材として、ポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板において、前記基板の厚み方向における、前記充填部の少なくとも前記第１面側の表面と前記第１面との表面との位置の差が、１０μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による有孔基板において、前記基板の前記貫通孔の側壁には、貫通電極が設けられており、且つ、前記基板の少なくとも前記第１面には、前記貫通電極に接続され、前記第１面に位置する第１配線が設けられており、前記基板の厚み方向における、前記充填部の少なくとも前記第１面側の表面と前記第１配線との表面との位置の差が、１０μｍ以下であってもよい。

本開示の実施形態によれば、基板に割れなどの損傷が生じてしまうことを抑制しつつ、基板の貫通孔を埋めるための樹脂の不要部分を除去できる。また、基板が大型であっても、樹脂の不要部分を除去し易くなることで、適正に樹脂の不要部分が除去された大型の基板を容易に提供することができる。

一実施形態に係る有孔基板を示す平面図である。 図１の有孔基板をII−II方向から見た断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 一実施形態に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 第１の変形例に係る有孔基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 第２の変形例に係る有孔基板を示す断面図である。 第３の変形例に係る有孔基板を示す断面図である。 貫通電極基板が搭載される製品の例を示す図である。

以下、本開示の実施形態に係る有孔基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

以下、図１乃至図１３を参照して、本開示の実施形態について説明する。ここでは、有孔基板が、貫通孔の側壁に設けられた貫通電極を備える貫通電極基板である例について説明する。

貫通電極基板
図１及び図２を参照して、本実施形態に係る貫通電極基板１０について説明する。図１は、貫通電極基板１０を示す平面図である。図２は、一点鎖線に沿って切断した図１の貫通電極基板１０をII−II方向から見た断面図である。

図１及び図２に示すように、貫通電極基板１０は、複数の貫通孔２０が設けられた基板１２、貫通電極２２、第１配線２５、第２配線２７、及び充填部３０を備える。以下、貫通電極基板１０の各構成要素について説明する。

（基板）
基板１２は、第１面１３及び第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。基板１２は、一定の絶縁性を有する材料から構成されている。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al₂O₃)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO₂)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を含んでいてもよい。

基板１２の厚さは特に制限はないが、例えば、１００μｍ以上且つ６００μｍ以下の厚さの基板１２を使用することが好ましい。より好ましくは、基板１２は、２００μｍ以上且つ５００μｍ以下の厚さを有する。基板１２の厚さを１００μｍ以上とすることにより、基板１２のたわみが大きくなることを抑制できる。このため、製造工程における基板１２のハンドリングが困難になったり、基板１２上に形成する薄膜等の内部応力に起因して基板１２が反ってしまったりすることを抑制できる。また、基板１２の厚さを５００μｍ以下とすることにより、基板１２に貫通孔２０を形成する工程に要する時間が長くなって貫通電極基板１０の製造コストが上昇してしまうことを抑制できる。

図２に示すように、貫通孔２０は、基板１２の第１面１３から第２面１４に至るよう基板１２に設けられる。第１面１３の面方向Ｄ１における貫通孔２０の寸法Ｓ１は、例えば４０μｍ以上且つ２００μｍ以下の範囲内である。なお、面方向Ｄ１とは、第１面１３及び第２面１４に平行な方向である。

（貫通電極）
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に設けられた、導電性を有する部材である。貫通電極２２は、図２に示すように、貫通孔２０の側壁２１に沿って広がっている。すなわち、貫通電極２２はいわゆるコンフォーマルビアである。

貫通電極２２が導電性を有する限りにおいて、貫通電極２２の形成方法は特には限定されない。例えば、貫通電極２２は、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成されていてもよく、化学成膜法やめっき法で形成されていてもよい。また、貫通電極２２は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。以下、貫通電極２２が、シード層と、シード層上に設けられためっき層と、を含む例について説明する。

シード層は、めっき層を形成するめっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層の材料としては、例えば、銅などの、めっき層と同一の金属材料を用いることができる。また、シード層の材料として、めっき層に比べて基板１２の材料に対する高い密着性を有する導電性材料を用いてもよい。例えば、シード層の材料として、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金など、又はこれらを積層したものを使用することができる。

シード層に堆積されるめっき層が銅を含む場合、シード層の材料としては、好ましくは、銅が基板１２の内部に拡散することを抑制する材料を使用する。例えば、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル等、又はこれらを積層したものを用いることができる。シード層の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上且つ１０００ｎｍ以下の範囲内である。

めっき層は、貫通電極２２の導電性を高めるためにシード層上に設けられる、導電性を有する層である。めっき層の材料としては、好ましくは、シード層に対する高い密着性を有し、且つ高い導電性を有する導電性材料が用いられる。例えば、めっき層の材料として、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。めっき層の厚さは、例えば、１μｍ以上且つ２０μｍ以下の範囲内である。

めっき層の厚みは、貫通電極２２に対して求められる導電性に応じて定められる。例えば、貫通電極２２が電源ラインや接地ラインを導通させるための部材である場合、十分な厚さを有するめっき層が用いられる。また、貫通電極２２が微弱な電気信号を導通させるための部材である場合、小さな厚みを有するめっき層を用いてもよい。又は、図示はしないが、めっき層を設けることなくシード層のみを貫通孔２０に設けてもよい。

（第１配線）
第１配線２５は、基板１２の第１面１３に設けられた、導電性を有する部材である。第１配線２５は、図２に示すように、貫通電極２２の第１面１３側の端部に接続されている。また、図１に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って第１配線２５を見た場合、第１配線２５は、貫通孔２０を囲っている。言い換えると、第１配線２５は、貫通孔２０を囲う内縁２５ｘと、内縁２５ｘを囲う外縁２５ｙとを有する。

なお、第１面１３に位置し、且つ導電性を有する限りにおいて、第１配線２５の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、図１においては、複数の第１配線２５が離散的に設けられているが、これに限られることはなく、隣り合う第１配線２５が互いに接続されていてもよい。

第１配線２５が導電性を有する限りにおいて、第１配線２５の形成方法は特には限定されない。例えば、第１配線２５を構成する導電層が、貫通電極２２を構成する導電層に連続していてもよい。この場合、第１配線２５は、貫通電極２２と同時に一体的に形成される。

（第２配線）
第２配線２７は、基板１２の第２面１４に設けられた、導電性を有する部材である。第２配線２７は、図２に示すように、貫通電極２２の第２面１４側の端部に接続されている。図示はしないが、第１配線２５の場合と同様に、基板１２の第２面１４の法線方向に沿って第２配線２７を見た場合、第２配線２７は、貫通孔２０を囲っている。

なお、第２面１４に位置し、且つ導電性を有する限りにおいて、第２配線２７の具体的な構成が特に限られることはない。

第２配線２７が導電性を有する限りにおいて、第２配線２７の形成方法は特には限定されない。例えば、第２配線２７を構成する導電層が、貫通電極２２を構成する導電層に連続していてもよい。この場合、第２配線２７は、第１配線２５の場合と同様に、貫通電極２２と同時に一体的に形成される。

（充填部）
充填部３０は、貫通孔２０に充填された、樹脂材を含む部材である。充填部３０は、図２に示すように、第１面１３側の第１樹脂層３１と、第２面１４側の第２樹脂層３２とを含む。第１樹脂層３１と第２樹脂層３２とは、貫通孔２０の内部において界面３５で接する。貫通孔２０に充填部３０を設けることにより、導電性材料の屑などが残渣として貫通孔２０の内部に入ってしまうことを抑制することができる。

第１樹脂層３１と第２樹脂層３２は、本実施形態では、樹脂材として、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含んでいる。例えば、第１樹脂層３１と第２樹脂層３２に含まれる硬化性樹脂は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などの、絶縁性を有する有機材料、及び、光重合開始剤を含んでいてもよい。また、第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２に含まれる硬化性樹脂は、フェノール系樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ（ポリベンザオキサゾール）樹脂等を含んでいてもよい。なお、第１樹脂層３１と第２樹脂層３２に含まれる樹脂材は、電磁波又は荷電粒子線に対する反応性を有する、具体的には、電磁波又は荷電粒子線を照射されることによって溶解性が増大する樹脂、例えばポジ型感光性樹脂であってもよい。なお第１樹脂層３１を構成する材料と、第２樹脂層３２を構成する材料とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。

第１樹脂層３１と第２樹脂層３２との間の界面３５は、例えば光学顕微鏡や電子顕微鏡を用いることによって確認され得る。第１樹脂層３１を構成する材料と、第２樹脂層３２を構成する材料とが異なる場合、基板１２の厚み方向において第１面１３側又は第２面１４側から充填部３０の組成を分析することによっても、確認され得る。

第１樹脂層３１の表面及び第２樹脂層３２の表面は、後述するように、機械研磨、化学機械研磨等の研磨をされることなく、平坦化されている。このため、第１樹脂層３１の表面及び第２樹脂層３２の表面には、研磨痕が存在しない。なお、第１樹脂層３１の表面とは、第１樹脂層３１の第２樹脂層３２側の面とは反対側の面を意味し、第２樹脂層３２の表面とは、第２樹脂層３２の第１樹脂層３１側の面とは反対側の面を意味する。なお、研磨痕が存在するか否かは、例えば光学顕微鏡で第１樹脂層３１の表面又は第２樹脂層３２の表面を観察することにより、確認され得る。

図２に示すように、本実施形態では、第１樹脂層３１の表面と第１配線２５の表面とが、面方向Ｄ１に沿って連なっている。また、第２樹脂層３２の表面と第２配線２７の表面とが、面方向Ｄ１に沿って連なっている。第１樹脂層３１の表面と第１配線２５の表面との基板１２の厚み方向での位置の差は、２０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更に好ましい。同様に、第２樹脂層３２の表面と第２配線２７の表面との基板１２の厚み方向での位置の差は、２０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更に好ましい。

なお、第１面１３に第１配線２５が設けられない場合には、第１樹脂層３１の表面と第１面１３との基板１２の厚み方向での位置の差は、20μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更に好ましい。同様に、第２面１４に第２配線２７が設けられない場合には、第２樹脂層３２の表面と第２面１４との基板１２の厚み方向での位置の差は、20μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更に好ましい。

また、後述するが、第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２は、電磁波又は荷電粒子線、具体的に本実施の形態では光による硬化後に、熱硬化されて形成される。これにより、第１樹脂層３１の表面の位置は第１配線２５の表面と連なるように調節され、第２樹脂層３２の表面の位置は第２配線２７の表面と連なるように調節される。この場合、第１樹脂層３１の表面及び第２樹脂層３２の表面はそれぞれ、凸または凹のすり鉢状であり、中央部分の領域に平滑面を有する場合がある。中央部分の領域とは、表面の周縁部分の内側の領域である。このような形状は、例えば光学顕微鏡で第１樹脂層３１の表面又は第２樹脂層３２の表面を観察することにより、確認され得る。なお、第１樹脂層３１及び第２樹脂層３２の表面が凸又は凹のすり鉢状となる場合には、第１樹脂層３１又は第２樹脂層３２の平滑面となる中央部分の領域と、第１配線２５の表面又は第２配線２７の表面とが、面方向Ｄ１に沿って連なるように、第１樹脂層３１又は第２樹脂層３２が形成される。

貫通電極基板の製造方法
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図３乃至図１３を参照して説明する。

（貫通孔の形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、図３に示すように、基板１２を加工して基板１２に複数の貫通孔２０を形成する。例えば、図示はしないが、まず、基板１２の面１３，１４のうち貫通孔２０が形成されない領域をレジスト層で覆う。続いて、基板１２の面１３，１４のうちレジスト層で覆われていない領域を除去して、複数の貫通孔２０を形成する。レジスト層で覆われていない領域を除去する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。

ウェットエッチング法のためのエッチング液としては、フッ化水素（ＨＦ）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、硝酸（ＨＮＯ_３）、塩酸（ＨＣｌ）のいずれか、又はこれらのうちの混合物を用いることができる。

ドライエッチング法としては、プラズマを用いたドライエッチングＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法、ボッシュプロセスを用いたＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ ＥｔｃｈｉｎｇＲＩＥ）法、サンドブラスト法、レーザアブレーション等のレーザ加工等を用いることができる。

レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。

（貫通電極の形成工程）
続いて、基板１２の貫通孔２０に貫通電極２２を形成する。例えば、まず、基板１２の第１面１３、第２面１４、及び貫通孔２０の側壁２１にシード層を形成する。シード層を形成する方法としては、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法や、化学成膜法などを用いることができる。続いて、シード層上に部分的にレジスト層を形成する。具体的には、シード層の領域のうち貫通電極２２が形成されない領域に位置する領域がレジスト層によって覆われるよう、レジスト層を形成する。続いて、電解めっきにより、レジスト層によって覆われていないシード層の領域上にめっき層を形成する。続いて、レジスト層を除去する。その後、レジスト層によって覆われていたシード層を除去する。このようにして、図４に示す貫通電極２２を形成することができる。このとき、図４に示すように、貫通電極２２と同時に第１配線２５及び第２配線２７を形成してもよい。

（第２面側の封止工程）
続いて、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側で塞ぐ工程を実施する。例えば、図５に示すように、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側からフィルム４１で覆う。これによって、基板１２の周囲と貫通孔２０の内部とが第２面１４側で連通することを抑制することができる。フィルム４１は、例えば、ポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料を含む樹脂フィルムである。フィルム４１の厚みは、例えば３０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。

（第１封止工程）
続いて、図６に示すように、基板１２の貫通孔２０を第１面１３側から第１フィルム５１で覆う第１封止工程を実施する。第１フィルム５１は、図６に示すように、基材５２と、基材５２に積層されたフィルム状の第１樹脂材３１Ｂと、を有する。第１樹脂材３１Ｂは、後述のように熱硬化された後に、第１樹脂層３１を形成するものである。第１樹脂材３１Ｂが基板１２側に位置するよう、基板１２の貫通孔２０を第１フィルム５１で覆う。例えば、ローラーを用いて第１フィルム５１を基板１２の第１面１３に押し付ける。これによって、貫通孔２０の内部を基板１２の周囲から封止することができる。

好ましくは、第１封止工程は、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂを加熱する工程を含む。これによって、加熱されて軟化した状態の第１樹脂材３１Ｂを、基板１２の第１面１３に強固に取り付けることができる。第１樹脂材３１Ｂを加熱する方法は特には限られない。例えば、ヒーターなどの加熱機構を備えたローラーを用いて、第１フィルム５１を基板１２の第１面１３に押し付けてもよい。また、赤外線ヒーターなどを用いて、放射伝熱によって第１樹脂材３１Ｂを加熱してもよい。

また、好ましくは、第１封止工程は、基板１２の貫通孔２０の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含む。例えば、第１封止工程は、５００Ｐａ以下に減圧されたチャンバの内部で基板１２の貫通孔２０を第１面１３側から第１フィルム５１で覆う。これによって、第１フィルム５１によって封止された貫通孔２０の内部の圧力を５００Ｐａ以下に減圧することができる。このことにより、後述する第１押込工程において、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂが貫通孔２０の内部に押し込まれ易くなる。なお、第１フィルム５１のうちの第１樹脂材３１Ｂの厚みは、例えば、２０μｍ以上７０μｍ以下である。本実施形態では、第１樹脂材３１Ｂが、第１樹脂層３１を形成する部材であるため、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含む。この硬化性樹脂は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などの、絶縁性を有する有機材料、及び、光重合開始剤を含んでいてもよい。また、第１樹脂材３１に含まれる硬化性樹脂は、フェノール系樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂等を含んでいてもよい。

（第１押込工程）
続いて、図７に示すように、第１フィルム５１に、第１フィルム５１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力Ｐを加えて、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂを貫通孔２０の内部に押し込んで充填する第１押込工程を実施する。例えば、図７に示すように、第１フィルム５１と対向するようにダイアフラム５５を配置する。続いて、基板１２の周囲の圧力を、貫通孔２０の内部の圧力よりも高くする。例えば、チャンバの内部に、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体を導入する。これによって、第１フィルム５１がダイアフラム５５を介して基板１２の第１面１３側に押圧され、この結果、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂが貫通孔２０の内部に押し込まれる。図示の例では、第１面１３側で、貫通孔２０の内部及び外部に跨がるように第１樹脂材３１Ｂを位置付けて、貫通孔２０の内部に第１樹脂材３１Ｂを充填している。なお、チャンバを大気に開放して基板１２の周囲の圧力を大気圧にすることによって、ダイアフラム５５を介して第１フィルム５１を基板１２の第１面１３側に押圧してもよい。貫通孔２０の内部の圧力と、基板１２の周囲の圧力との差は、好ましくは１００ｋＰａ以上である。

好ましくは、加熱された状態のダイアフラム５５を、第１フィルム５１に接触させる。これによって、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂを加熱して軟化させることができ、このことにより、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂが貫通孔２０の内部に押し込まれ易くなる。

上述の第１封止工程及び第１押込工程は、別個の工程として順に実施されてもよい。若しくは、第１封止工程及び第１押込工程は、一連の工程として同時に実施されてもよい。例えば、同一の機構や手法を用いて、第１フィルム５１を基板１２の第１面１３に押し付けることと、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂを貫通孔２０の内部に押し込むこととを、一連の工程として連続的に実施してもよい。この場合、第１フィルム５１を任意のタイミングで加熱してもよい。例えば、第１フィルム５１の第１樹脂材３１Ｂを貫通孔２０の内部に押し込むタイミングで加熱を開始してもよい。また、本例では、フィルム状の第１樹脂材３１Ｂが貫通孔２０に充填されるが、液状の第１樹脂材３１Ｂを第１面１３に供給することにより、第１樹脂材３１Ｂを貫通孔２０に充填してもよい。

なお、図示はしないが、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体と第１フィルム５１との間に、ダイアフラム５５などの押圧部材が介在されていなくてもよい。すなわち、第１フィルム５１が、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体によって基板１２の第１面１３側へ直接的に押圧されてもよい。

（第２封止工程）
続いて、基板１２の第２面１４からフィルム４１を取り外す。次に、図８に示すように、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側から第２フィルム６１で覆う第２封止工程を実施する。第２フィルム６１は、第１フィルム５１と同様に、基材６２と、基材６２に積層されたフィルム状の第２樹脂材３２Ｂと、を有する。第２樹脂材３２Ｂは、後述のように熱硬化された後に、第２樹脂層３２を形成するものである。第２樹脂材３２Ｂが基板１２側に位置するよう、基板１２の貫通孔２０を第２フィルム６１で覆う。これによって、貫通孔２０の内部を基板１２の周囲から再び封止することができる。第２フィルム６１のうちの第２樹脂材３２Ｂの厚みは、例えば、２０μｍ以上７０μｍ以下である。また、本実施形態では、上述したように、第２樹脂材３２Ｂが、第２樹脂層３２を形成する部材であるため、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含む。この硬化性樹脂は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などの、絶縁性を有する有機材料、及び、光重合開始剤を含んでいてもよい。また、第２樹脂材３２Ｂに含まれる硬化性樹脂は、フェノール系樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂等を含んでいてもよい。

第１封止工程の場合と同様に、第２封止工程も、好ましくは、第２フィルム６１の第２樹脂材３２Ｂを加熱する工程を含む。これによって、加熱されて軟化した状態の第２樹脂材３２Ｂを、基板１２の第２面１４に強固に取り付けることができる。また、第１封止工程の場合と同様に、第２封止工程も、好ましくは、基板１２の貫通孔２０の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含む。

（第２押込工程）
続いて、図９に示すように、第２フィルム６１に、第２フィルム６１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第２フィルム６１の第２樹脂材３２Ｂを貫通孔２０の内部に押し込んで充填する第２押込工程を実施する。図示の例では、第２面１４側で、貫通孔２０の内部及び外部に跨がるように第２樹脂材３２Ｂを位置付けて、貫通孔２０の内部に第２樹脂材３２Ｂを充填している。例えば、第１押込工程の場合と同様に、第２フィルム６１と対向するようにダイアフラム５５を配置し、続いて、基板１２の周囲の圧力を、貫通孔２０の内部の圧力よりも高くする。貫通孔２０の内部の圧力と、基板１２の周囲の圧力との差は、好ましくは１００ｋＰａ以上である。

上述の第１封止工程及び第１押込工程と同様に、第２封止工程及び第２押込工程は、別個の工程として順に実施されてもよく、若しくは、一連の工程として同時に実施されてもよい。また、本例では、フィルム状の第２樹脂材３２Ｂが貫通孔２０に充填されるが、液状の第２樹脂材３２Ｂを第２面１４に供給することにより、第２樹脂材３２Ｂを貫通孔２０に充填してもよい。

また、この例では、フィルム４１を使用した第１封止工程及び第１押込工程の後に、第２封止工程及び第２押込工程が行われる。しかしながら、第１フィルム５１及び第２フィルム６１によって貫通孔２０を両側から封止することによって、第１封止工程及び第２封止工程を同時に行い、その後、第１押込工程及び第２押込工程を同時に行ってもよい。なお、本実施の形態では、第１封止工程から第２押込工程に至る工程が、充填工程に対応する。また、第１封止工程及び第１押込工程を行う際に、フィルム４１を使用しなくてもよい。

（照射工程）
続いて、図１０に示すように、基材５２,６２を取り外した後、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂに電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。照射工程では、図１０に示すように、基板１２上において貫通孔２０の内部に充填された第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂの各々に光Ｌが照射される。光Ｌは、第１面１３及び第２面１４の法線方向に沿って照射される。すなわち、基板１２の法線方向、すなわち第１面１３及び第２面１４の法線方向に沿って基板１２を見た場合に、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂのうちの貫通孔２０と重なる部分に、光Ｌが照射される。これによって、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂのうちの貫通孔２０と重なる部分を硬化状態に移行させることができる。

なお、第１樹脂材３１Ｂへの光Ｌの照射と、第２樹脂材３２Ｂへの光Ｌの照射とは、同時に実施してもよく、別々のタイミングで実施してもよい。また、第１樹脂材３１Ｂへの光Ｌの照射は、基材５２を第１樹脂材３１Ｂから取り外した後に実施してもよく、基材５２を第１樹脂材３１Ｂから取り外す前に実施してもよい。同様に、第２樹脂材３２Ｂへの光Ｌの照射は、基材６２を第２樹脂材３２Ｂから取り外した後に実施してもよく、基材６２を第２樹脂材３２Ｂから取り外す前に実施してもよい。また、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂに含まれる樹脂が、電磁波又は荷電粒子線を照射されることによって溶解性が増大する樹脂、例えばポジ型感光性樹脂である場合、電磁波が貫通孔２０の内部に充填された第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを除く部分に照射されるように、電磁波を基板１２に向けて照射すれば、後述の除去の際に、貫通孔２０の内部に充填された第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを残すことができる。すなわち、この際、電磁波を照射された部分は、溶解性が増大しているので、現像処理によって除去される。一方、電磁波を照射されていない部分は、硬化状態に維持されている。

（除去工程）
続いて、図１１に示すように、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂに現像液Ｄｖを供給して、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂのうちの硬化されていない非硬化状態の部分を除去する除去工程を実施する。これによって、図１２に示すように、基板１２上に、第１面１３及び第２面１４の法線方向に沿って基板１２を見た場合に、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂのうちの貫通孔２０と重なる部分のみを残すことができる。すなわち、フォトリソグラフィー技術により、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂのうちの貫通孔２０と重なる部分のみを現像することができる。

ここで、図１２に示すように、第１樹脂材３１Ｂの表面は、第１配線２５の表面に対して突出している。第１樹脂材３１Ｂの表面の第１配線２５の表面に対する突出量は、第１封止工程及び第１押込工程において、第１フィルム５１の厚さや、第１フィルム５１を基板１２の第１面１３に押し付ける際の位置及び圧力等を調節することにより、所望の寸法に制御できる。同様に、第２樹脂材３２Ｂの表面は、第２配線２７の表面に対して突出している。第２樹脂材３２Ｂの表面の第２配線２７の表面に対する突出量は、第２封止工程及び第２押込工程において、第２フィルム６１の厚さや、第２フィルム６１を基板１２の第２面１４に押し付ける際の位置及び圧力等を調節することにより、所望の寸法に制御できる。

（熱硬化工程）
続いて、基板１２の法線方向で貫通孔２０と重なる第１樹脂材３１Ｂの表面及び第２樹脂材３２Ｂの表面の位置を調節するために、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを熱硬化させる熱硬化工程を実施する。本実施形態では、図１３に示すように、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを焼成して熱Ｈを付与することにより、熱硬化させ、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを熱収縮させる。焼成温度は、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂの硬化に適した温度であり、材料に応じて好適な値が変動する。例えば、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂがポリイミド樹脂を含む場合には、１９０℃以上２２０℃以下の範囲に焼成温度を設定して、所定の時間、例えば数時間にわたり焼成することが好ましい。

熱硬化工程では、熱収縮した第１樹脂材３１Ｂの表面と、これに隣接する第１面１３に位置する第１配線２５の表面とが、基板１２の面方向Ｄ１に沿って連なるように、第１樹脂材３１Ｂを硬化させる。これにより、第１樹脂層３１が形成される。具体的には、基板１２の厚み方向における、第１樹脂材３１Ｂの表面と、第１配線２５の表面との間の距離が5μｍ以下になるまで、第１樹脂材３１Ｂを硬化させる。上述したように、熱収縮前の第１樹脂材３１Ｂの表面の第１配線２５の表面に対する突出量は、所望の寸法に制御できる。このような寸法調整は、熱収縮後の第１樹脂材３１Ｂの表面が第１配線２５の表面と連なるようにするために実施される。同様に、熱硬化工程では、熱収縮した第２樹脂材３２Ｂの表面と、これに隣接する第２面１４に位置する第２配線２７の表面とが、基板１２の面方向Ｄ１に沿って連なるように、第２樹脂材３２Ｂを硬化させる。これにより、第２樹脂層３２が形成される。具体的には、基板１２の厚み方向における、第２樹脂材３２Ｂの表面と、第２配線２７の表面との間の距離が5μｍ以下になるまで、第２樹脂材３２Ｂを硬化させる。上述したように、熱収縮前の第２樹脂材３２Ｂの表面の第２配線２７の表面に対する突出量は、所望の寸法に制御できる。このような寸法調整は、熱収縮後の第２樹脂材３２Ｂの表面が第２配線２７の表面と連なるようにするために実施される。

また、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂの熱収縮量は、露光量、すなわち露光時間×照度や、材質に応じて、変動する。そのため、熱収縮前の第１樹脂材３１Ｂの表面及び第２樹脂材３２Ｂの表面を、熱収縮後に所望の状態とするために、上述の照射工程では、露光量等が調節されている。

本件発明者は、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂが、例えば、ポリイミド樹脂及び光重合開始剤を含む、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を主に含む場合に、熱収縮前の第１樹脂材３１Ｂの表面の第１配線２５の表面に対する突出量及び熱収縮前の第２樹脂材３２Ｂの表面の第２配線２７の表面に対する突出量が、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲であれば、熱収縮後の第１樹脂材３１Ｂの表面と第１配線２５の表面との位置の差を、５μｍ以下にでき、熱収縮後の第２樹脂材３２Ｂの表面と第２配線２７の表面との位置の差を、５μｍ以下にできることを、確認している。

以上に説明した本実施形態によれば、フォトリソグラフィー技術により、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂの不要部分を研磨せずに除去できる。このため、樹脂の不要部分を研磨により除去する工程を実施する場合に比べて、基板１２に割れなどの損傷が生じてしまうことを抑制しつつ、樹脂の不要部分を除去できる。また、基板１２が大型であっても、樹脂の不要部分を除去し易くなることで、適正に樹脂の不要部分が除去された大型の基板１２を容易に提供することができる。また、フォトリソグラフィー技術により現像させた第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを熱硬化させて収縮させることで、第１樹脂材３１Ｂの表面及び第２樹脂材３２Ｂの表面の位置を所望の状態に調節することができる。

なお、上述した実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（第１の変形例）
上述の実施形態においては、第１フィルム５１及び第２フィルム６１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を、第１フィルム５１及び第２フィルム６１に加えることにより、第１樹脂材３１Ｂ及び第２樹脂材３２Ｂを貫通孔２０に充填する例を示した。本変形例においては、液状の樹脂材３３Ｂを貫通孔２０に充填する例について説明する。

本変形例では、まず、貫通孔２０、第１配線２５及び第２配線２７が形成された基板１２が準備される。次いで、図５の場合と同様に、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側からフィルム４１で覆う。次いで、図１４に示すように、第１面１３の全体に、液状の樹脂材３３Ｂを塗布することにより供給する。これにより、第１面１３側で貫通孔２０の内部及び外部に跨がるように樹脂材３３Ｂを位置付けて、貫通孔２０の内部に樹脂材３３Ｂを充填する。その後、図１１乃至図１３の場合と同様に、照射工程、除去工程、及び熱硬化工程が行われる。

（第２の変形例）
上述の実施形態においては、第１樹脂材３１Ｂ或いは第１樹脂層３１、第２樹脂材３２Ｂ或いは第２樹脂層３２等が露出している例を示した。本変形例においては、図１５に示すように、第１樹脂材３１Ｂが第１保護層９１によって覆われ、第２樹脂材３２Ｂが第２保護層９２によって覆われた例について説明する。

図１５に示すように、第１保護層９１は、第１樹脂材３１Ｂに加えて、第１配線２５及び第１面１３を覆っている。第２保護層９２は、第２樹脂材３２Ｂに加えて、第２配線２７及び第２面１４を覆っている。第１保護層９１及び第２保護層９２は、絶縁性を有する有機材料であり、例えば塗布によって形成される。第１保護層９１には、第１配線２５を部分的に露出させる開口９１ａが設けられている。この開口９１ａを介して、後述する配線層などの部材を第１配線２５に接続することができる。同様に、第２保護層９２には、第２配線２７を部分的に露出させる開口９２ａが設けられている。この開口９２ａを介して、後述する配線層などの部材を第２配線２７に接続することができる。

（第３の変形例）
図１６に示すように、貫通電極基板１０の第１面１３側には、配線層１００が設けられていてもよい。配線層１００は、貫通電極基板１０の第１配線２５に接続された導電層１０１と、絶縁層１０２とを有する。図１６に示すように、複数の配線層１００が第１面１３側に積層されていてもよい。

同様に貫通電極基板１０の第２面１４側にも、配線層１００が設けられていてもよい。配線層１００は、貫通電極基板１０の第２配線２７に接続された導電層１０１と、絶縁層１０２とを有する。図１６に示すように、複数の配線層１００が第２面１４側に積層されていてもよい。

（貫通電極基板が搭載される製品の例）
図１７は、貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本発明の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。

なお、上述した実施形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

１０…貫通電極基板
１２…基板
１３…第１面
１４…第２面
２０…貫通孔
２２…貫通電極
２５…第１配線
２７…第２配線
３０…充填部
３１…第１樹脂層
３１Ｂ…第１樹脂材
３２…第２樹脂層
３２Ｂ…第２樹脂材
３３Ｂ…樹脂材
３５…界面
４１…フィルム
５１…第１フィルム
６１…第２フィルム

Claims (13)

1. 有孔基板の製造方法であって、
   第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板を準備する準備工程と、
   少なくとも前記第１面側で前記貫通孔の内部及び外部に跨がるように樹脂材を位置付けて、前記貫通孔の内部に樹脂材を充填する充填工程と、
   前記基板の法線方向に沿って前記基板を見た場合に、前記樹脂材のうちの前記貫通孔と重なる部分を硬化状態に移行又は維持させるように、前記基板に向けて電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程と、
   前記樹脂材のうちの、前記照射工程で硬化状態に移行又は維持されていない非硬化状態の部分を除去する除去工程と、
   前記樹脂材を熱硬化させる熱硬化工程と、を備える、製造方法。
2. 前記充填工程は、
   前記基板の前記貫通孔を、少なくとも前記第１面側から、前記樹脂材を含むフィルムで覆う工程と、
   前記フィルムに、前記フィルムによって覆われた前記貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えることにより、前記フィルムを前記貫通孔の内部及び外部に跨がるように位置付けて、前記樹脂材を前記貫通孔の内部に押し込んで充填する工程と、を含む、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記充填工程は、前記フィルムの前記樹脂材を加熱する工程をさらに含む、請求項２に記載の製造方法。
4. 前記充填工程は、加熱された押圧部材を介して、少なくとも前記第１面側の前記フィルムを前記基板の前記第１面に向けて押圧する工程をさらに含む、請求項２又は３に記載の製造方法。
5. 前記樹脂材は、ポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 前記充填工程では、液状の前記樹脂材が少なくとも前記第１面上に塗布されることにより、少なくとも前記第１面側で前記貫通孔の内部及び外部に跨がるように前記樹脂材を位置付けて、前記貫通孔の内部に前記樹脂材を充填する、請求項１に記載の製造方法。
7. 前記準備工程において準備される前記基板の前記貫通孔の側壁には、貫通電極が設けられており、且つ、前記基板の少なくとも前記第１面には、前記貫通電極に接続され、前記第１面に位置する第１配線が設けられており、
   前記熱硬化工程では、前記樹脂材のうちの前記貫通孔と重なる部分における少なくとも前記第１面側の表面と、これに隣接する前記第１面に位置する前記第１配線の表面とが、前記基板の面方向に沿って連なるように、前記樹脂材を硬化させる、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の製造方法。
8. 前記熱硬化工程では、前記基板の厚み方向における、前記樹脂材のうちの前記貫通孔と重なる部分における少なくとも前記第１面側の表面と、前記第１配線の表面との間の距離が５μｍ以下になるまで、前記樹脂材を硬化させる、請求項７に記載の製造方法。
9. 第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板と、
   前記基板の前記貫通孔に充填された樹脂材を含む充填部を備え、
   前記充填部の少なくとも前記第１面側の表面は、凸又は凹のすり鉢状であり、中央部分の領域が平滑面を有している、有孔基板。
10. 前記充填部は、前記樹脂材として、光重合開始剤を含んでいる、請求項９に記載の有孔基板。
11. 前記充填部は、前記樹脂材として、ポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂を含む、請求項９又は１０に記載の有孔基板。
12. 前記基板の厚み方向における、前記充填部の少なくとも前記第１面側の表面と前記第１面との表面との位置の差が、１０μｍ以下である、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の有孔基板。
13. 前記基板の前記貫通孔の側壁には、貫通電極が設けられており、且つ、前記基板の少なくとも前記第１面には、前記貫通電極に接続され、前記第１面に位置する第１配線が設けられており、
    前記基板の厚み方向における、前記充填部の少なくとも前記第１面側の表面と前記第１配線との表面との位置の差が、１０μｍ以下である、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の有孔基板。