JP2022164060A - エッチング方法及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマを用いずに微量な金属をエッチングする。【解決手段】基板上の金属をエッチングする方法であって、(a)ハロゲン含有ガスを前記金属に暴露し、前記金属の表面層をハロゲン化物含有表面層に改質する工程と、(b)C(炭素)とO(酸素)を含有するガスを改質された前記ハロゲン化物含有表面層に暴露し、前記ハロゲン化物含有表面層を除去する工程と、(c)前記(a)の工程と前記(b)の工程とをこの順で繰り返す工程と、を含むエッチング方法が提供される。【選択図】図1
Description
本開示は、エッチング方法及び処理装置に関する。
例えば、特許文献1は、RuO2膜を塩素と酸素の混合ガスのプラズマにより所望のパターンにエッチングすることを提案する。
また、特許文献2は、タングステン及びコバルトなどの金属の原子層エッチングの方法を提案する。この方法では、(a)改質されたハロゲン化物含有表面層を形成するために、ハロゲン化物化学物質に金属の表面を暴露する。次に、(b)改質されたハロゲン化物含有表面層をプラズマに暴露しつつ、当該ハロゲン化物含有表面層を除去するために、基板にバイアス電圧を印加する。
本開示は、プラズマを用いずに微量な金属をエッチングする技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、基板上の金属をエッチングする方法であって、(a)ハロゲン含有ガスを前記金属に暴露し、前記金属の表面層をハロゲン化物含有表面層に改質する工程と、(b)C(炭素)とO(酸素)を含有するガスを改質された前記ハロゲン化物含有表面層に暴露し、前記ハロゲン化物含有表面層を除去する工程と、(c)前記(a)の工程と前記(b)の工程とをこの順で繰り返す工程と、を含むエッチング方法が提供される。
一の側面によれば、プラズマを用いずに微量な金属をエッチングできる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
[基板処理方法]
銅(Cu)に替わる低抵抗金属配線としてルテニウム(Ru)が注目されている。例えば、ロジックのバックエンドの配線層に銅に替えてルテニウム膜を使用する。所望の領域にルテニウム膜を形成するとき、成膜したくない領域にも微量のルテニウムが付着することがある。
銅(Cu)に替わる低抵抗金属配線としてルテニウム(Ru)が注目されている。例えば、ロジックのバックエンドの配線層に銅に替えてルテニウム膜を使用する。所望の領域にルテニウム膜を形成するとき、成膜したくない領域にも微量のルテニウムが付着することがある。
ルテニウムの選択成膜法において、成膜したくない領域にルテニウムが成膜された場合、成膜したくない領域に成膜された微量なルテニウムを除去しつつ、所望の領域に成膜されたルテニウム膜へは低ダメージな基板処理方法が求められる。
そこで、本開示の基板処理方法では、金属の原子層エッチング(ALE:Atomic Layer Deposition)方法を用いて所望しない領域に成膜された微量なルテニウムを、プラズマを用いずにエッチングする方法を提案する。本開示のALE方法では、いくつかの実施形態において、1サイクルあたり1Å~10Åほどの微細なエッチングによって、原子レベルまでの微細な精度のエッチングが行える。ALEは、逐次自己制御反応を用いて所望しない領域のルテニウムを除去する手法である。なお、本開示では、所望しない領域に成膜されたルテニウムをエッチングする。しかしながら、除去対象の金属はルテニウムに限らない。本開示の基板処理方法では、ALEによりプラズマを用いずに微量な金属をエッチングできる。
一例として、ALEは、(1)ハロゲン含有ガスの供給、(2)処理容器からのハロゲン含有ガスのパージ、(3)CとOを含有するガスの供給、(4)処理容器からのCとOを含有するガスのパージの各工程を含み得る。
以下では、上記ALEのエッチング方法を含む基板処理方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図2は、図1の基板処理方法を説明するための図である。
図1の処理が開始されると、処理容器内に基板Wを搬入し、基板Wを載置台に載置して準備する(ステップS1)。例えば、準備された基板W上には、図2(a)に示す膜が形成されている。図2(a)の基板Wの例では、シリコン基板15の上に金属層10が形成された第1領域と誘電体膜11が形成された第2領域とを有する。
次に、誘電体膜11上に阻害剤として自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayer、以下「SAM12」という。)を形成する(ステップS2)。SAM12の原料の一例としては、シラン系化合物(シランカップリング剤)等が使用される。ただし、誘電体膜11上に阻害剤として機能する原料であればこれに限らない。これにより、図2(b)に示すように、第2領域の誘電体膜11上に選択的にSAM12が形成され、第1領域の金属10上にはSAM12は形成されていない。
この状態で、次に、ルテニウム膜を成膜する(ステップS3)。SAM12は金属層の形成を阻害する。このため、ルテニウム膜13は、第2領域にはほぼ成膜されず、第1領域の金属膜10上に選択的に成膜される。例えば、ルテニウム膜は、ルテニウムカルボニル(Ru3(CO)12)を原料として用い、これをウェハ上で熱分解する熱CVDにより成膜する。ただし、ルテニウム膜を成膜可能な原料であればこれに限らない。これにより、図2(c)に示すように、第1領域の金属膜10上に選択的にルテニウム膜13が形成され、第2領域の誘電体膜11上へのルテニウム膜の成膜はSAM12により阻害される。
しかし、ルテニウム膜13の成膜時に第2領域にも微量ではあるがルテニウム13aが成膜(付着)される。図2(c)では、第2領域に微量のルテニウム13aが成膜されている。
次に、ALEによりルテニウムをエッチングする(ステップS4)。ステップS4では、ALEを用いて第2領域の微量のルテニウム13aをエッチングし、除去する。これにより、図2(d)に示すように、第2領域のルテニウム13aが除去される。なお、ステップS4では、金属膜10上のルテニウム膜13の表面も多少エッチングされるが、原子層レベルのエッチングのため、成膜したい第1領域のルテニウム膜13は表面のみ限定的にエッチングされ、ルテニウム膜13へのダメージは低い。
次に、O2ガス及びH2ガスを供給してプラズマ化し、酸素プラズマ及び水素プラズマによりSAM12をアッシングする(ステップS5)。これにより、図2(e)に示すように、第2領域のSAM12が除去される。
次に、H2ガスを供給してプラズマ化し、水素プラズマにより第1領域のルテニウム膜13及び第2領域の誘電体膜11の表面をプリクリーニングする(ステップS6)。ステップS5では、酸素プラズマによりルテニウム膜13及び誘電体膜11の表面が酸化されている。よって、図2(f)に示すように水素プラズマで還元し、ルテニウム膜13の表面の酸化層を除去する。また、ルテニウム膜13及び誘電体膜11の表面の吸着ハロゲンの除去等、表面の清浄化を行う。なお、プリクリーニングは、ステップS1の後に実行してもよい。
次に、所定回数実行したかを判定する(ステップS7)。所定回数は、1回以上の回数が予め定められている。所定回数は、ルテニウム膜13の厚さに応じて定まり、形成するルテニウム膜13の厚さが厚いほど所定回数は大きい値に設定される。
ステップS7において所定回数実行していないと判定した場合、ステップS2に戻り、S2~S7の処理を繰り返す。ステップS7において所定回数実行したと判定した場合、本処理を終了する。これにより、誘電体層11上へのルテニウムの成膜を阻害しつつ、金属膜10上に選択的に所定の厚さのルテニウム膜13を形成することができる。
[ALE]
次に、ステップS4にて実行するALEによるルテニウムのエッチングについて、図3及び図4を参照しながら説明する。図3は、実施形態に係るALE方法の一例を示すフローチャートである。図4は、図3のALE方法を説明するための図である。
次に、ステップS4にて実行するALEによるルテニウムのエッチングについて、図3及び図4を参照しながら説明する。図3は、実施形態に係るALE方法の一例を示すフローチャートである。図4は、図3のALE方法を説明するための図である。
図3の処理は、図1のステップS4から呼び出されることにより開始される。本処理では、最初にハロゲン含有ガスを供給し、ハロゲン含有ガスをルテニウム(ルテニウム13a及びルテニウム膜13)に暴露し、ルテニウムの表面層をハロゲン化物含有表面層に改質する(ステップS10)。
ハロゲン含有ガスは、Cl(塩素)、F(フッ素)、臭素(Br)又はヨウ素(I)の少なくともいずれかを含む。例えば、ハロゲン含有ガスは、Cl2、SOCl、F2、HF、CF4、C4F8、Br2、HBr、I2、HI、(COCl)2、又は(COBr)2の少なくともいずれかを含んでもよい。
図4(a)に示すように、第1領域にルテニウム膜13を形成したときに第2領域にルテニウム13aが成膜される。ステップS10において、ハロゲン含有ガスの一例として反応ガスのCl2ガスを基板Wに供給する。図4(b)は、一例として、いくらかの塩素がルテニウム13aの表面に吸着することを示している。これによりルテニウム13aの表面が改質される。第1領域のルテニウム膜13の表面にもいくらかの塩素が吸着するが図4では省略している。
図4(b)は、ルテニウム13aの表面層にCl2が付着して塩化し、ルテニウム13aがハロゲン化物(塩化物)含有表面層に改質した一例を示している。ハロゲン含有ガスとしてCl2ガスを供給した場合の反応式1は以下である。
Ru+Cl2→RuClx(s)
この場合、改質されたルテニウム13aの表面層、つまりハロゲン化物含有表面層は、塩化されたルテニウム(RuClx)である。他の例として、ステップS10において、ハロゲン含有ガスの一例として反応ガスのF2ガスを基板Wに供給し、これによりルテニウム13aの表面を改質した場合、いくらかのフッ素がルテニウム13aの表面に吸着する。これにより、ルテニウム13aの表面層をフッ化し、改質する。このように、ステップS10において供給するハロゲン含有ガスの種類によって異なるハロゲン化物含有表面層に改質される。すなわち、ステップS10において供給するハロゲン含有ガスの1種類又はそれらの組み合わせによって、ハロゲン化物含有表面層の改質(塩化、フッ化、臭化等)の状態が異なる。
Ru+Cl2→RuClx(s)
この場合、改質されたルテニウム13aの表面層、つまりハロゲン化物含有表面層は、塩化されたルテニウム(RuClx)である。他の例として、ステップS10において、ハロゲン含有ガスの一例として反応ガスのF2ガスを基板Wに供給し、これによりルテニウム13aの表面を改質した場合、いくらかのフッ素がルテニウム13aの表面に吸着する。これにより、ルテニウム13aの表面層をフッ化し、改質する。このように、ステップS10において供給するハロゲン含有ガスの種類によって異なるハロゲン化物含有表面層に改質される。すなわち、ステップS10において供給するハロゲン含有ガスの1種類又はそれらの組み合わせによって、ハロゲン化物含有表面層の改質(塩化、フッ化、臭化等)の状態が異なる。
次に、N2ガスを供給し、ハロゲン含有ガスを処理容器からパージする(ステップS11)。ただし、パージガスは、N2ガスに限らず、Arガス等の不活性ガスでもよい。
次に、CとOを含有するガスを供給し、改質されたハロゲン化物含有表面層(ルテニウムの表面層)に暴露し、ルテニウムの表面層を除去する(ステップS12)。
CとOを含有するガスは、CO、CH2O、CCl2O、CBr2O、CI2O、COCl)2、又は(COBr)2の少なくともいずれかを含む。ステップS12では、CとOを含有するガスにより、改質されたハロゲン化物含有表面層をカルボニル化させて除去する。
図4(c)は、改質されたハロゲン化物含有表面層をカルボニル化させて除去する一例を示している。CとOを含有するガスの一例としてCOガスを供給した場合の反応式2は以下である。
RuClx(s)+CO→Ru3(CO)12(g)+Cl2(g)/Ru(CO)Cl(g)
なお、Cl2(g)/Ru(CO)Cl(g)は、Cl2(g)及び/又はRu(CO)Cl(g)を意味する。
RuClx(s)+CO→Ru3(CO)12(g)+Cl2(g)/Ru(CO)Cl(g)
なお、Cl2(g)/Ru(CO)Cl(g)は、Cl2(g)及び/又はRu(CO)Cl(g)を意味する。
このとき、ハロゲン化物含有表面層は、塩化等した状態であり、カルボニル化し易い状態になっている。そこで、反応式2に示すように、ハロゲン化物含有表面層をカルボニル化させて蒸気圧の高いルテニウムカルボニルRu3(CO)12(g)にすることで容易に揮発させることができる。
次に、N2ガスを供給し、CとOを含有するガスを処理容器からパージする(ステップS13)。ただし、パージガスは、N2ガスに限らず、Arガス等の不活性ガスでもよい。
次に、所定回数実行したかを判定する(ステップS14)。所定回数は、原子層エッチングの繰り返し回数であり、1回以上の回数が予め定められている。ステップS14において所定回数実行していないと判定した場合、ステップS10に戻り、ステップS10~S14の処理を繰り返す。ステップS14において所定回数実行したと判定した場合、本処理を終了する。これにより、第2領域に成膜されたルテニウム13aを除去できる。
ALE方法は、原子層レベルのエッチングであり、表面反応の自己制御性によってルテニウムを均一にエッチングする。従って、図3のALEプロセスでは、そのエッチング工程に対する制御性が高く、ステップS10~S13の一サイクルで除去されるルテニウムの量は制限されて、エッチングが速く進みすぎることなく、微量のルテニウムのエッチングを可能とする。これにより、成膜したくない第2領域のルテニウム13aを除去し、成膜したい第1領域のルテニウム膜13に対しては表面のみの限定的なエッチングが行われ、ルテニウム膜13に対して低ダメージのプロセスを実現できる。
[SAMを形成しない場合の基板処理方法]
次に、SAM12を形成しない場合の基板処理方法について、図5及び図6を参照しながら説明する。図5は、実施形態に係る基板処理方法の他の例を示すフローチャートである。図6は、図5のALE方法を説明するための図である。なお、図5のステップ番号が、図1のステップ番号と同じ番号の場合、同一の処理を示す。
次に、SAM12を形成しない場合の基板処理方法について、図5及び図6を参照しながら説明する。図5は、実施形態に係る基板処理方法の他の例を示すフローチャートである。図6は、図5のALE方法を説明するための図である。なお、図5のステップ番号が、図1のステップ番号と同じ番号の場合、同一の処理を示す。
例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によりカルボニル化されたルテニウムの原料を用いて成膜するプロセス等、金属膜上だけに選択成膜が可能なプロセスを使用する場合、図5に示すSAM12を使用しない基板処理方法が実行可能である。
しかし、この場合においても誘電体層11上に微量のルテニウムが成膜されてしまうことがある。よって、この場合にも同様に図3のALE方法を用いて誘電体層11に成膜されたルテニウムを除去する。以下、SAM12を形成しない場合の基板処理方法について説明する。
図5の処理が開始されると、処理容器内に基板Wを搬入し、基板Wを載置台に載置して準備する(ステップS1)。例えば、準備された基板W上には、図6(a)に示す膜が形成されている。図6(a)の例では、図2(a)の例と同様に、シリコン基板15の上に金属層10が形成された第1領域と誘電体膜11が形成された第2領域とを有する。
この状態で、次に、金属膜10上だけに選択成膜が可能なプロセスによって、金属膜10上にルテニウム膜13を成膜する(ステップS3)。これにより、図6(b)に示すように、第1領域の金属膜10上に選択的にルテニウム膜13が形成される。このとき、第2領域の誘電体膜11上にも微量のルテニウム13aが成膜される。
次に、ALEによりルテニウムをエッチングする(ステップS4)。ステップS4では、すでに説明した図3のALE方法を用いて第2領域のルテニウム13aをエッチングし、除去する。これにより、図6(c)に示すように、第2領域のルテニウム13aが除去される。なお、ステップS4では、金属膜10上のルテニウム膜13の表面も多少エッチングされるが、原子層レベルのエッチングのため、成膜したい第1領域のルテニウム膜13は表面のみ限定的にエッチングされ、ルテニウム膜13へのダメージは低い。
次に、H2ガスを供給してプラズマ化し、水素プラズマにより第1領域のルテニウム膜13及び第2領域の誘電体膜11をプリクリーニングする(ステップS6)。これにより、図6(d)に示すように、水素プラズマにより第1領域のルテニウム膜13及び第2領域の誘電体膜11の表面の吸着ハロゲンの除去等、表面の清浄化を行う。なお、プリクリーニングは、ステップS1の処理後に実行してもよい。
次に、所定回数実行したかを判定する(ステップS7)。ステップS7において所定回数実行していないと判定した場合、ステップS3に戻り、S3、S4、S6、S7の処理を繰り返す。ステップS7において所定回数実行したと判定した場合、本処理を終了する。これにより、誘電体層11上へのルテニウムの成膜を阻害しつつ、金属膜10上に選択的にルテニウム膜13を形成することができる。
図6に示す基板処理方法では、SAM12を形成しないため、図1に示す基板処理方法と比較して、図1のステップS2(SAM12の形成)及びステップS5(SAM12のアッシング)を行わない。これにより、処理の効率化を図ることができる。
以上に説明したように、図1及び図5に示す本開示の基板処理方法のALEによるエッチング処理(ステップS4)では、ハロゲン含有ガスを供給し、ルテニウムの表面層をフッ化、塩化等させる。これにより、次に供給するCとOを含有するガスと反応し易い、つまり、カルボニル化し易いハロゲン化物含有表面層の状態に改質する。
次に、CとOを含有するガスを供給し、CとOを含有するガスによりハロゲン化物含有表面層をカルボニル化させる。つまり、CとOを含有するガスによりハロゲン化物含有表面層の塩化、フッ化部分をCOで置換することでハロゲン化物含有表面層をカルボニル化させる。カルボニル化したハロゲン化物含有表面層の蒸気圧は高く、容易に揮発させることができる。本開示の基板処理はプラズマを用いずに行うことができる。
[エッチング対象膜]
本開示の基板処理方法においてエッチングの対象となる膜は、ルテニウム膜に限らない。エッチング対象膜は、周期表における4族~10族に属する金属元素から選択される金属であってよい。例えば、エッチング対象膜は、Ru、W、Mn、Fe、Co、Ni、Rh、Mo、V、Cr、Os、Ti又はReのいずれかの金属材料であってよい。
本開示の基板処理方法においてエッチングの対象となる膜は、ルテニウム膜に限らない。エッチング対象膜は、周期表における4族~10族に属する金属元素から選択される金属であってよい。例えば、エッチング対象膜は、Ru、W、Mn、Fe、Co、Ni、Rh、Mo、V、Cr、Os、Ti又はReのいずれかの金属材料であってよい。
カルボニル化する金属材料(カルボニル基を有する材料)に本開示の基板処理方法を使用できる。例えば、前記金属は、Ru-COに限らず、W-CO、Mn-CO、Fe-CO、Co-CO、Ni-CO、Rh-CO、Mo-CO、V-CO、Cr-CO、Os-CO、Ti-CO、Re-COになることができる。このため、これらの金属材料に本開示の基板処理方法を使用できる。
[エッチング温度]
ALE方法を実行する間、基板Wの温度が50℃~500℃になるように基板Wが載置される載置台の温度を制御してもよい。ALE方法を実行する間、基板Wの温度が150℃~350℃になるように載置台の温度を制御することがより好ましい。
ALE方法を実行する間、基板Wの温度が50℃~500℃になるように基板Wが載置される載置台の温度を制御してもよい。ALE方法を実行する間、基板Wの温度が150℃~350℃になるように載置台の温度を制御することがより好ましい。
[処理システム]
図7を参照して、いくつかの実施形態に係る基板処理方法を実施する処理システム100の構成例について説明する。処理システム100は、SAM12を形成する処理装置200、ルテニウムを成膜する処理装置300、ALEエッチングを行う処理装置400、及びSAM12のアッシング及びプリクリーニングを行う処理装置500を有する。これらの処理装置200~500は、真空搬送室101にそれぞれゲートバルブGを介して接続されている。真空搬送室101内は、真空ポンプにより排気されて所定の真空度に保持される。
図7を参照して、いくつかの実施形態に係る基板処理方法を実施する処理システム100の構成例について説明する。処理システム100は、SAM12を形成する処理装置200、ルテニウムを成膜する処理装置300、ALEエッチングを行う処理装置400、及びSAM12のアッシング及びプリクリーニングを行う処理装置500を有する。これらの処理装置200~500は、真空搬送室101にそれぞれゲートバルブGを介して接続されている。真空搬送室101内は、真空ポンプにより排気されて所定の真空度に保持される。
真空搬送室101には3つのロードロック室102のそれぞれがゲートバルブG1を介して接続されている。ロードロック室102を挟んで真空搬送室101の反対側にはゲートバルブG2をそれぞれ介して大気搬送室103が接続されている。ロードロック室102は、大気搬送室103と真空搬送室101との間で基板Wを搬送する際に大気と真空との間の圧力制御を行う。
大気搬送室103のロードロック室102の取り付け壁部とは反対側の壁部には基板Wを収容するキャリア(FOUP等)Cを取り付ける3つのポート105が設けられている。また、大気搬送室103の側壁には、シリコン基板Wのアライメントを行うアライメント容器104が設けられている。大気搬送室103内には清浄空気のダウンフローが形成される。
真空搬送室101内には、搬送機構106が設けられている。搬送機構106は、処理装置200~500、ロードロック室102に対して基板Wを搬送する。搬送機構106は、独立に移動可能な2つの搬送アーム107a、107bを有している。
大気搬送室103内には、搬送機構108が設けられている。搬送機構108は、キャリアC、ロードロック室102、アライメント容器104に対して基板Wを搬送する。搬送機構108は、搬送アームを有している。
処理システム100は制御部110を有している。制御部110は、処理装置200~500の各構成部、真空搬送室101の排気機構や搬送機構106、ロードロック室102の排気機構やガス供給機構、大気搬送室103の搬送機構108、ゲートバルブG、G1,G2等の駆動系等を制御する。制御部110は、CPU(コンピュータ)、メモリ等を有する。CPUは、メモリに記憶されたレシピに基づいて処理システム100に所定の動作を実行させる。
基板は、搬送機構108の搬送アームにより大気搬送室103に接続されたキャリアCから取り出され、いずれかのロードロック室102内に搬入され、ロードロック室102内が真空排気される。次に、搬送機構106の搬送アームによりロードロック室102から基板Wが取り出され、処理装置200に搬入され、基板W上にSAM12の形成を行う。SAM12を形成しない基板処理方法の場合、処理装置200によるSAM12の形成はスキップされる。
その後、搬送機構106の搬送アームにより基板Wが搬出され、処理装置300に搬入され、ルテニウム膜13の成膜が行われる。その後、搬送機構106の搬送アームにより基板Wが搬出され、処理装置400に基板Wが搬入され、ALEによりルテニウムがエッチングされる。
その後、搬送機構106の搬送アームにより基板Wが搬出され、処理装置500に基板Wが搬入され、SAM12のアッシング及びプリクリーニングが行われる。SAM12を形成しない基板処理方法の場合、処理装置500ではプリクリーニングが行われる。
処理装置200~500における各処理が所定回数実行されると、搬送機構106の搬送アームにより、基板Wを搬出し、いずれかのロードロック室102に搬入し、ロードロック室102内を大気に戻し、ロードロック室102内の基板WをキャリアCに戻す。
以上のような処理を、複数の基板Wについて同時並行的に行って、所定枚数の基板Wのルテニウム配線が完了する。
[処理装置]
図8を参照して、いくつかの実施形態に係るALEを行う処理装置400の構成例について説明する。処理装置400は、真空処理容器(以下、「処理容器601」という。)を有する。処理容器601内には基板Wを載置する載置台602が配置されている。載置台602は、支持部材603により支持され、内部にヒーター605が埋め込まれている。ヒーター電源606からの給電によりヒーター605を制御し、基板Wを所定の温度に加熱する。
図8を参照して、いくつかの実施形態に係るALEを行う処理装置400の構成例について説明する。処理装置400は、真空処理容器(以下、「処理容器601」という。)を有する。処理容器601内には基板Wを載置する載置台602が配置されている。載置台602は、支持部材603により支持され、内部にヒーター605が埋め込まれている。ヒーター電源606からの給電によりヒーター605を制御し、基板Wを所定の温度に加熱する。
処理容器601の天壁には、ハロゲン含有ガス、CとOを含有するガス等のガスをガス供給部630から処理容器601内に供給するシャワーヘッド610が設けられている。シャワーヘッド610の内部にはガス拡散空間612が形成されており、シャワーヘッド610の底面にはガス拡散空間612に連通した多数のガス吐出孔613が形成されている。
処理容器601の底壁には排気室621が設けられている。排気室621の側面には排気配管622が接続されており、排気配管622には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置623が接続されている。排気装置623を作動させることにより処理容器601内を所定の減圧(真空)状態にする。
処理容器601の側壁には、真空搬送室101との間で基板Wを搬入出するための搬入出口627が設けられており、搬入出口627はゲートバルブGにより開閉される。
処理装置400は、その各構成部、例えば、ヒーター電源606、排気装置623、ガス供給部630のバルブ、マスフローコントローラ等の各構成部を制御する制御部650を有する。制御部650は制御部110の指令に従い各構成部を制御する。
係る構成により処理装置400においては、ゲートバルブGを開にして搬入出口627から基板Wを処理容器601内に搬入し、載置台602上に載置する。載置台602の温度は基板の温度が50℃~500℃、より好ましくは150℃~350℃になるように制御される。また、排気装置623により処理容器601内を排気して、処理容器601内の圧力が真空状態に調整される。
次いで、ガス供給部630から、(1)ハロゲン含有ガスの供給、(2)N2ガスの供給(処理容器601からのハロゲン含有ガスのパージ)、(3)CとOを含有するガスの供給、(4)N2ガスの供給(処理容器601からのCとOを含有するガスのパージ)の各工程をこの順で実行し、(1)~(4)のALEサイクルを所定回数行う。
処理システム100によれば、処理装置200~500において連続して基板処理を実行し、ルテニウム膜13の成膜を完成する。これにより、生産性を向上させることができる。
以上に説明したように、本実施形態のエッチング方法によれば、ALEにより第1領域に成膜されたルテニウム膜13へのダメージを抑えつつ、所望しない第2領域に成膜された微量なルテニウムをエッチングし、除去することができる。
今回開示された実施形態に係るエッチング方法及び処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
10 金属膜
11 誘電体膜
12 SAM
13 ルテニウム膜
13a ルテニウム
100 処理システム
200~400 処理装置
11 誘電体膜
12 SAM
13 ルテニウム膜
13a ルテニウム
100 処理システム
200~400 処理装置
Claims (10)
- 基板上の金属をエッチングする方法であって、
(a)ハロゲン含有ガスを前記金属に暴露し、前記金属の表面層をハロゲン化物含有表面層に改質する工程と、
(b)C(炭素)とO(酸素)を含有するガスを改質された前記ハロゲン化物含有表面層に暴露し、前記ハロゲン化物含有表面層を除去する工程と、
(c)前記(a)の工程と前記(b)の工程とをこの順で繰り返す工程と、
を含むエッチング方法。 - 前記金属は、周期表における4族~10族に属する金属元素のいずれかである、
請求項1に記載のエッチング方法。 - 前記金属は、Ru、W、Mn、Fe、Co、Ni、Rh、Mo、V、Cr、Os、Ti又はReのいずれかである、
請求項2に記載のエッチング方法。 - 前記ハロゲン含有ガスは、Cl(塩素)、F(フッ素)、臭素(Br)又はヨウ素(I)の少なくともいずれかを含む、
請求項1~3のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記ハロゲン含有ガスは、Cl2、SOCl、F2、HF、CF4、C4F8、Br2、HBr、I2、HI、(COCl)2、又は(COBr)2の少なくともいずれかを含む、
請求項4に記載のエッチング方法。 - 前記CとOを含有するガスは、CO、CH2O、CCl2O、CBr2O、CI2O、COCl)2、又は(COBr)2の少なくともいずれかを含む、
請求項1~5のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記(b)の工程は、前記CとOを含有するガスにより、改質された前記ハロゲン化物含有表面層をカルボニル化させて除去する、
請求項1~6のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記(a)の工程及び前記(b)の工程は、前記基板の温度が50℃~500℃になるように前記基板が載置される載置台の温度を制御する、
請求項1~7のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記(a)の工程及び前記(b)の工程は、前記基板の温度が150℃~350℃になるように前記載置台の温度を制御する、
請求項8に記載のエッチング方法。 - 処理容器と、基板上の金属をエッチングする方法を制御する制御部と、を有する処理装置であって、
前記制御部は、
(a)ハロゲン含有ガスを前記金属に暴露し、前記金属の表面層をハロゲン化物含有表面層に改質する工程と、
(b)C(炭素)とO(酸素)を含有するガスを改質された前記ハロゲン化物含有表面層に暴露し、前記ハロゲン化物含有表面層を除去する工程と、
(c)前記(a)の工程と前記(b)の工程とをこの順で繰り返す工程と、
を含む工程を制御する、処理装置。
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WO2024090275A1 (ja) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
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