JP2022128755A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2022128755A5
JP2022128755A5 JP2021027147A JP2021027147A JP2022128755A5 JP 2022128755 A5 JP2022128755 A5 JP 2022128755A5 JP 2021027147 A JP2021027147 A JP 2021027147A JP 2021027147 A JP2021027147 A JP 2021027147A JP 2022128755 A5 JP2022128755 A5 JP 2022128755A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride
nitride material
less
material according
equal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021027147A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7572048B2 (ja
JP2022128755A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2021027147A external-priority patent/JP7572048B2/ja
Priority to JP2021027147A priority Critical patent/JP7572048B2/ja
Priority to KR1020237021492A priority patent/KR102803105B1/ko
Priority to PCT/JP2021/042898 priority patent/WO2022180961A1/ja
Priority to CN202180094141.2A priority patent/CN116897615A/zh
Priority to US18/264,362 priority patent/US20240101423A1/en
Priority to EP21928055.9A priority patent/EP4273945A4/en
Publication of JP2022128755A publication Critical patent/JP2022128755A/ja
Publication of JP2022128755A5 publication Critical patent/JP2022128755A5/ja
Publication of JP7572048B2 publication Critical patent/JP7572048B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2021027147A 2021-02-24 2021-02-24 窒化物材料およびそれからなる圧電体並びにその圧電体を用いたmemsデバイス、トランジスタ、インバーター、トランスデューサー、sawデバイスおよび強誘電体メモリ Active JP7572048B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021027147A JP7572048B2 (ja) 2021-02-24 2021-02-24 窒化物材料およびそれからなる圧電体並びにその圧電体を用いたmemsデバイス、トランジスタ、インバーター、トランスデューサー、sawデバイスおよび強誘電体メモリ
US18/264,362 US20240101423A1 (en) 2021-02-24 2021-11-24 Nitride material, piezoelectric body formed of same, and mems device, transistor, inverter, transducer, saw device, and ferroelectric memory using the piezoelectric body
PCT/JP2021/042898 WO2022180961A1 (ja) 2021-02-24 2021-11-24 窒化物材料およびそれからなる圧電体並びにその圧電体を用いたmemsデバイス、トランジスタ、インバーター、トランスデューサー、sawデバイスおよび強誘電体メモリ
CN202180094141.2A CN116897615A (zh) 2021-02-24 2021-11-24 氮化物材料和由其构成的压电体以及使用该压电体的mems器件、晶体管、逆变器、换能器、saw器件和铁电存储器
KR1020237021492A KR102803105B1 (ko) 2021-02-24 2021-11-24 질화물 재료 및 그것으로 이루어지는 압전체 및 그 압전체를 이용한 mems 디바이스, 트랜지스터, 인버터, 트랜스듀서, saw 디바이스 및 강유전체 메모리
EP21928055.9A EP4273945A4 (en) 2021-02-24 2021-11-24 NITRIDE MATERIAL, PIEZOELECTRIC BODY MADE THEREOF, AND MEMS DEVICE, TRANSISTOR, INVERTER, TRANSDUCER, SAW DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY EACH USING SAID PIEZOELECTRIC BODY

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021027147A JP7572048B2 (ja) 2021-02-24 2021-02-24 窒化物材料およびそれからなる圧電体並びにその圧電体を用いたmemsデバイス、トランジスタ、インバーター、トランスデューサー、sawデバイスおよび強誘電体メモリ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022128755A JP2022128755A (ja) 2022-09-05
JP2022128755A5 true JP2022128755A5 (https=) 2023-05-29
JP7572048B2 JP7572048B2 (ja) 2024-10-23

Family

ID=83047919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021027147A Active JP7572048B2 (ja) 2021-02-24 2021-02-24 窒化物材料およびそれからなる圧電体並びにその圧電体を用いたmemsデバイス、トランジスタ、インバーター、トランスデューサー、sawデバイスおよび強誘電体メモリ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240101423A1 (https=)
EP (1) EP4273945A4 (https=)
JP (1) JP7572048B2 (https=)
KR (1) KR102803105B1 (https=)
CN (1) CN116897615A (https=)
WO (1) WO2022180961A1 (https=)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022213055A1 (de) * 2022-12-05 2024-06-06 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Piezoelektrische Wandlervorrichtung
CN116056553B (zh) * 2023-01-19 2025-10-28 河北大学 基于氮化铝钪的铁电忆阻器、其制备方法及应用

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5190841B2 (ja) 2007-05-31 2013-04-24 独立行政法人産業技術総合研究所 圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー
JP2009228131A (ja) * 2008-02-27 2009-10-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化アルミニウム薄膜およびその製造方法
JP5817673B2 (ja) * 2011-11-18 2015-11-18 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜の製造方法
JP5843198B2 (ja) * 2012-01-23 2016-01-13 国立研究開発法人産業技術総合研究所 圧電素子およびその製造方法、ならびに圧電センサ
JP5966199B2 (ja) * 2013-05-31 2016-08-10 株式会社デンソー 圧電体薄膜及びその製造方法
JP6123019B2 (ja) * 2014-03-03 2017-04-26 株式会社村田製作所 窒化アルミニウム圧電薄膜、圧電材、圧電部品及び窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法
JP6565118B2 (ja) * 2015-08-24 2019-08-28 株式会社村田製作所 窒化アルミニウム圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電材及び圧電部品及び窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法
GB2578979B (en) * 2017-07-07 2023-01-18 Skyworks Solutions Inc Substituted aluminium nitride for improved acoustic wave filters
US11557716B2 (en) * 2018-02-20 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction
JP7151096B2 (ja) * 2018-02-21 2022-10-12 株式会社デンソー 圧電膜、その製造方法、圧電膜積層体、その製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5190841B2 (ja) 圧電体薄膜、圧電体およびそれらの製造方法、ならびに当該圧電体薄膜を用いた圧電体共振子、アクチュエータ素子および物理センサー
JP2022128755A5 (https=)
US7758979B2 (en) Piezoelectric thin film, piezoelectric material, and fabrication method of piezoelectric thin film and piezoelectric material, and piezoelectric resonator, actuator element, and physical sensor using piezoelectric thin film
JP2004282050A5 (https=)
JP6605215B2 (ja) 強誘電体薄膜積層基板、強誘電体薄膜素子、および強誘電体薄膜積層基板の製造方法
CN101507093B (zh) 用于超声电机的压电致动器元件
JP2018181870A (ja) 発電素子
JP6196797B2 (ja) 圧電体薄膜積層基板及び圧電体薄膜素子
CN102639431B (zh) 致动器和驱动致动器的方法
KR102803105B1 (ko) 질화물 재료 및 그것으로 이루어지는 압전체 및 그 압전체를 이용한 mems 디바이스, 트랜지스터, 인버터, 트랜스듀서, saw 디바이스 및 강유전체 메모리
JPH10209517A (ja) 圧電素子
JP2011192736A (ja) 圧電体薄膜素子及び圧電体薄膜デバイス
JPWO2024048767A5 (https=)
US20080047816A1 (en) Mems switch
JP7085208B2 (ja) 圧電体およびそれを用いたmemsデバイス
JP2024034606A5 (https=)
US20250331194A1 (en) Ferroelectric capacitor structure
JP2005167226A5 (https=)
JPWO2024048766A5 (https=)
JP2003529943A (ja) ピエゾセラミックス湾曲変換器
CN121398444A (zh) 压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的mems器件
JP2005165305A5 (https=)
JP2005228838A (ja) 圧電薄膜素子
JP2007242788A (ja) 圧電薄膜素子
CN116367696A (zh) 压电装置