JP6565118B2 - 窒化アルミニウム圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電材及び圧電部品及び窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム圧電薄膜及びその製造方法、並びに圧電材及び圧電部品及び窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法 Download PDFInfo
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Description
Ar:N2の体積比=1:1
ガス圧:0.2Pa
2…基材
3…Ge含有窒化アルミニウム圧電薄膜
4…電極
12…基材
21…製造装置
22…GeAl合金ターゲット
23…チャンバー
24…高周波電力源
25,26…加熱装置
27…シャッター
28…バルブ
51…圧電薄膜共振子
52…基板
52a…空洞部
53…支持膜
54,55…第1,第2の圧電薄膜
56…下部電極
57…上部電極
58…中間電極
61…音響素子
62…ケース
62a…放音孔
63…ベースプレート
64,65…支持部
70…積層圧電素子
71…電極
72,77…振動膜
73,76…圧電層
74,75,78…電極
Claims (11)
- ゲルマニウムを含有し、該ゲルマニウムと、アルミニウムの濃度の合計を100原子%としたとき、前記ゲルマニウムの濃度が、0.4原子%以上、20原子%以下の範囲にあり、分極方向が窒素極性である、窒化アルミニウム圧電薄膜。
- ゲルマニウムを含有し、該ゲルマニウムと、アルミニウムの濃度の合計を100原子%としたとき、前記ゲルマニウムの濃度が、0.4原子%以上、20原子%以下の範囲にあり、分極方向が薄膜成長方向と逆方向である、窒化アルミニウム圧電薄膜。
- 前記ゲルマニウムの濃度が、1.5原子%以上、9原子%以下の範囲にある、請求項1または2に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜。
- 前記ゲルマニウムの濃度が、2.5原子%以上、7.9原子%以下の範囲にある、請求項3に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜。
- 前記ゲルマニウムの濃度が、0.4原子%以上、3原子%未満の範囲にある、請求項1または2に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜。
- 前記ゲルマニウムの濃度が、2原子%以上、3原子%未満の範囲にある、請求項5に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜。
- 基材と、前記基材上に設けられた窒化アルミニウム圧電薄膜とを備え、該窒化アルミニウム圧電薄膜が、請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜である、圧電材。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜を備える、圧電部品。
- 1元スパッタリング法により、基材上において、ゲルマニウムと、アルミニウムの濃度の合計を100原子%としたとき、前記ゲルマニウムの濃度が0.4原子%以上、20原子%以下の範囲となるように、分極方向が窒素極性である、ゲルマニウムを含有する窒化アルミニウム圧電薄膜を成長させる、窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法。
- 1元スパッタリング法により、基材上において、ゲルマニウムと、アルミニウムの濃度の合計を100原子%としたとき、前記ゲルマニウムの濃度が0.4原子%以上、20原子%以下の範囲となるように、分極方向が薄膜成長方向と逆方向である、ゲルマニウムを含有する窒化アルミニウム圧電薄膜を成長させる、窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法。
- AlGe合金ターゲットを用いて、窒素ガスを供給しつつスパッタリングすることにより、基材上において、窒化アルミニウム圧電薄膜を成長させる、請求項9または10に記載の窒化アルミニウム圧電薄膜の製造方法。
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