JP2022103440A - 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】結晶の発生を抑制すること又は結晶を除去することに有効な基板液処理装置を提供すること。
【解決手段】基板液処理装置Ａ１は、処理液４３及び基板８を収容する処理槽４１と、処理槽４１内の下部にガスを吐出するガスノズル７０と、ガスを供給するガス供給部９０と、ガスノズル７０及びガス供給部９０を接続するガス供給ライン９３と、ガス供給ライン９３を減圧することによりガス供給ライン９３に処理槽４１内の処理液４３を引き込む減圧部９５と、処理槽４１に基板８が収容されていないアイドル期間の一部において、ガスの供給が停止するようにガス供給部９０を制御すると共に、ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれるように減圧部９５を制御する、第１制御を実行するように構成された制御部７と、を備える。
【選択図】図２

Description

本開示は、基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、オーバーフロー槽と、槽内のエッチング液（処理液）を循環させるポンプと、槽内の処理液を一定温度に加熱するヒータと、当該温度を制御する温度コントローラーと、槽内の底部内に設けられた分散板にウエハのカセットを固定する枠と、槽内の処理液を窒素でバブリングするバブラーを備える処理装置が開示されている。

特開平０７-５８０７８号公報

上述したバブリングに用いる窒素等のガスは、槽の下部に設けられたガスノズルから供給される。ここで、ガスノズルからガスが供給されることによって、槽内においては処理液の上昇流が生じる。これにより、処理液の状態を均一に保ち易くなるものの、特定の場所においては、ガスの流れに起因して処理液の滞留が生じ易くなる。具体的には、ガスノズルの開口部のへりに、ガス流の乱れに起因する処理液の滞留が生じ易くなる。このため、ガスノズルの開口部のへりには、基板及び各種管路からの溶出成分等の結晶が発生する場合があり、この結晶がガス吐出の障害となるおそれがある。

そこで本開示は、結晶の発生を抑制すること又は結晶を除去することに有効な基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。

本開示に係る基板液処理装置は、処理液及び基板を収容する処理槽と、処理槽内の下部にガスを吐出するガスノズルと、ガスを供給するガス供給部と、ガスノズル及びガス供給部を接続するガス供給ラインと、ガス供給ラインを減圧することによりガス供給ラインに処理槽内の処理液を引き込む減圧部と、処理槽に基板が収容されていないアイドル期間の一部において、ガスの供給が停止するようにガス供給部を制御すると共に、ガス供給ラインに処理液が引き込まれるように減圧部を制御する、第１制御を実行するように構成された制御部と、を備える。

本開示によれば、結晶の発生を抑制すること又は結晶を除去することに有効な基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体を提供することができる。

基板液処理システムを模式的に示す平面図である。 エッチング処理装置の模式図である。 制御部の機能的な構成を示すブロック図である。 基板処理手順のフローチャートである。 処理液の充填手順のフローチャートである。 ロット処理手順のフローチャートである。 液交換処理手順のフローチャートである。 アイドル処理手順のフローチャートである。 第１アイドル期間の第１アイドル制御のフローチャートである。 第２アイドル期間の第２アイドル制御のフローチャートである。 ロット処理手順の説明図である。 液交換処理手順の説明図である。 第２アイドル制御の説明図である。 基板処理手順の説明図であり、（ａ）は比較例に係る基板処理手順、（ｂ）は本実施形態に係る基板処理手順の説明図である。 各処理におけるガスノズルからのガスの吐出についての説明図であり、（ａ）は比較例、（ｂ）は実施例の説明図である。 高流量制御のフローチャートである。 変形例に係るエッチング処理装置の模式図である。 泡個数の度数分布を示すグラフである。 泡個数と沸騰状態との関係を示す図である。 ガスノズルを側面から見た図である。 図２０に示すガスノズルの拡大図である。 ガスノズルにおける結晶化のメカニズムを示す図であり、（ａ）は結晶化前の状態、（ｂ）は結晶化途中の状態、（ｃ）は結晶化後のガスノズルつまりの状態を示す図である。

以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１に示すように、基板液処理システム１Ａは、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを有する。

このうちキャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。ここで、キャリアストック１２は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック１３は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。

そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２やキャリア載置台１４に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。

ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。

そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。

ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。搬入側ロット載置台１７及び搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。

ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚の基板８を保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受け渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受け渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。

ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置１と、基板８のエッチング処理を行う２台の本発明によるエッチング処理装置２６とが並べて設けられている。

乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを有する。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９を有し、この処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。

洗浄処理装置１は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、洗浄用の処理液（ＳＣ－１等）が貯留される。リンス用の処理槽３１には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。エッチング処理装置２６は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有し、各処理槽３４，３５に基板昇降機構３６，３７が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽３４には、エッチング用の処理液（リン酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽３５には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。

これら洗浄処理装置１とエッチング処理装置２６は、同様の構成となっている。洗浄処理装置１について説明すると、基板昇降機構３２には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。洗浄処理装置１において、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３２で受取り、基板昇降機構３２でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３０の洗浄用の処理液に浸漬させて基板８の洗浄処理を行う。その後、洗浄処理装置１は、基板昇降機構３２からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。また、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３３で受取り、基板昇降機構３３でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３１のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構３３からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。

制御部７は、基板液処理システム１Ａの各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、洗浄処理装置１）の動作を制御する。この制御部７は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体３８を備える。記憶媒体３８には、例えば洗浄処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって例えば洗浄処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体３８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

〔基板液処理装置〕
続いて基板液処理システム１Ａが含む基板液処理装置Ａ１について詳細に説明する。図２及び図３に示すように、基板液処理装置Ａ１は、洗浄処理装置１と、制御部７とを備える。

（洗浄処理装置）
洗浄処理装置１は、液処理部４０と、処理液供給部４４と、処理液排出部６７と、複数（例えば６つ）のガスノズル７０と、ガス供給部９０と、ガス供給ライン９３と、減圧部９５と、開放ライン９７とを備える。

液処理部４０は、基板８に対して液処理（洗浄処理）を実行する部分であり、処理槽４１と、外槽４２と、処理液４３とを含む。処理槽４１は、処理液４３及び基板８を収容する。処理液４３の具体例としては、ＳＣ－１が挙げられる。処理槽４１の上部は開放されているので、上方から処理槽４１内の処理液４３に基板８を浸漬することが可能である。処理槽４１内には、円形の基板８が起立した状態で配置される。以下、高さ方向に直交して処理槽４１内の基板８に沿う方向を「幅方向」、高さ方向及び幅方向に直交する方向（すなわち処理槽４１内の基板８の厚さ方向）を「奥行方向」と記載する場合がある。処理槽４１の底面のうち、幅方向における両側部分は、外側に向かうにつれて高くなっている。外槽４２は、処理槽４１を包囲するように設けられており、処理槽４１から溢れた処理液４３を収容する。

処理液供給部４４は、処理槽４１内に処理液４３を供給する。たとえば処理液供給部４４は、処理液供給源４５と、流量調節器４６と、純水供給源４７と、流量調節器４８と、処理液循環部４９と、濃度計測部５５とを有する。

処理液供給源４５は、処理液４３を外槽４２に供給する。流量調節器４６は、処理液供給源４５から外槽４２への処理液４３の流路に設けられており、当該流路の開閉及び開度調節を行う。純水供給源４７は、純水を外槽４２に供給する。この純水は、処理液４３の加熱によって蒸発した水分を補う。流量調節器４８は、純水供給源４７から外槽４２への純水の流路に設けられており、当該流路の開閉及び開度調節を行う。

処理液循環部４９は、外槽４２内の処理液４３を処理槽４１内の下部に送る。たとえば処理液循環部４９は、複数（例えば３つ）の処理液ノズル５０と、循環流路５１と、供給ポンプ５２と、フィルタ５３と、ヒータ５４とを有する。

処理液ノズル５０は、外槽４２内の下部に設けられており、処理液４３を処理槽４１内に吐出する。複数の処理液ノズル５０は、同一高さにおいて幅方向に並んでおり、それぞれ奥行方向に延びている。循環流路５１は、外槽４２から複数の処理液ノズル５０に処理液４３を導く。循環流路５１の一端部は外槽４２の底部に接続されている。循環流路５１の他端部は、複数本に分岐して複数の処理液ノズル５０にそれぞれ接続されている。供給ポンプ５２、フィルタ５３及びヒータ５４は、循環流路５１に設けられており、上流側（外槽４２側）から下流側（処理液ノズル５０側）に順に並んでいる。供給ポンプ５２は、処理液４３を上流側から下流側に圧送する。フィルタ５３は、処理液４３中に混入したパーティクルを除去する。ヒータ５４は、処理液４３を設定温度まで加熱する。設定温度は、たとえば処理液４３の沸点近傍の値に設定されている。

濃度計測部５５は、処理液４３の濃度を計測する。たとえば濃度計測部５５は、計測用流路５６と、開閉弁５７，５９と、濃度センサ５８と、洗浄流体供給部６０と、洗浄流体排出部６４とを有する。

計測用流路５６は、ヒータ５４と処理液ノズル５０との間で循環流路５１から分岐し、処理液４３の一部を抜き出して外槽４２に還流させる。開閉弁５７，５９は、計測用流路５６において上流側（循環流路５１側）から下流側（外槽４２側）に順に並んでおり、それぞれ計測用流路５６を開閉する。濃度センサ５８は、計測用流路５６において開閉弁５７，５９の間に設けられており、計測用流路５６を流れる処理液４３の濃度（例えばリン酸濃度）を計測する。洗浄流体供給部６０は、洗浄用の流体（例えば純水）を濃度センサ５８に供給する。たとえば洗浄流体供給部６０は、洗浄流体供給源６１と、供給流路６２と、開閉弁６３とを有する。洗浄流体供給源６１は、洗浄用の流体の供給源である。供給流路６２は、洗浄流体供給源６１から濃度センサ５８に洗浄用の流体を供給する。供給流路６２の一端部は洗浄流体供給源６１に接続されており、供給流路６２の他端部は開閉弁５７と濃度センサ５８との間に接続されている。開閉弁６３は供給流路６２を開閉する。洗浄流体排出部６４は、洗浄用の流体を排出する。たとえば洗浄流体排出部６４は、排出流路６５と、開閉弁６６とを有する。排出流路６５は、濃度センサ５８を通った洗浄用の流体を導出する。排出流路６５の一端部は濃度センサ５８と開閉弁５９との間に接続されており、排出流路６５の他端部は基板液処理システム１Ａの排液管（不図示）に接続されている。開閉弁６６は排出流路６５を開閉する。

処理液排出部６７は、処理槽４１内から処理液４３を排出する。たとえば処理液排出部６７は、排液流路６８と、開閉弁６９とを有する。排液流路６８は、処理槽４１内の処理液４３を導出する。排液流路６８の一端部は処理槽４１の底部に接続されており、排液流路６８の他端部は基板液処理システム１Ａの排液管（不図示）に接続されている。開閉弁６９は排液流路６８を開閉する。

複数のガスノズル７０は、処理槽４１内の下部にて不活性ガス（例えばＮ２ガス）を吐出する。複数のガスノズル７０は、処理液ノズル５０よりも下において幅方向に並び、それぞれ奥行方向に延びている。各ガスノズル７０の高さは、その配置位置が幅方向の中心から遠ざかるにつれて高くなっている。複数のガスノズル７０は、基板８と同心の円弧に沿うように並んでいてもよい。上記円弧に沿うように並ぶとは、各ガスノズル７０が当該円弧上に位置する場合だけでなく、一部のガスノズル７０が当該円弧から所定範囲内でずれている場合も含む。複数のガスノズル７０が同一高さに位置する場合に比較して、各ガスノズル７０から基板８の中心までの距離の均一性が高くなる限り、上記所定範囲は任意に設定可能である。

たとえば、複数のガスノズル７０は、幅方向において最も内側に位置する一対のガスノズル７０Ａと、一対のガスノズル７０Ａよりも外側に位置する一対のガスノズル７０Ｂと、一対のガスノズル７０Ｂよりもさらに外側に位置する一対のガスノズル７０Ｃとを含む。ガスノズル７０Ｂ，７０Ｂは、ガスノズル７０Ａ，７０Ａよりも上に位置し、ガスノズル７０Ｃ，７０Ｃはガスノズル７０Ｂ，７０Ｂよりも上に位置している。ガスノズル７０Ａ，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｃは、基板８と同心の円弧に沿うように並んでいる。なお、ガスノズル７０の数及び配置は適宜変更可能である。複数のガスノズル７０は同一高さに配置されていてもよい。

ガス供給部９０は、不活性ガスを供給する。ガス供給部９０は、ガス供給源９１ａと、流量調節器９１ｂと、供給バルブ９２とを有する。ガス供給源９１ａは、不活性ガスの供給源である。供給バルブ９２は、ガス供給ライン９３に設けられガス供給ライン９３を開閉する。流量調節器９１ｂは、供給バルブ９２とガス供給源９１ａとの間においてガス供給ライン９３の開度を調節して不活性ガスの流量を調節する。ガス供給ライン９３は、複数のガスノズル７０及びガス供給部９０（詳細にはガス供給源９１ａ）を接続する、不活性ガスの供給ラインである。

開放ライン９７は、一端がガス供給ライン９３に接続されると共に、他端が大気に開放しており、ガス供給ライン９３に流れる不活性ガスを大気に開放する。減圧部９５は、ガス供給ライン９３を減圧することによりガス供給ライン９３に処理槽４１内の処理液４３を引き込む。減圧部９５は、開放ライン９７に設けられ開放ライン９７を開閉する開放バルブ９６（バルブ）を有している。減圧部９５は、開放バルブ９６が開くことによりガス供給ライン９３を減圧し、処理槽４１内の処理液４３を複数のガスノズル７０からガス供給ライン９３に引き込む。なお、処理槽４１内の処理液４３を引き込むことができるのであれば、圧力の程度は大気圧に限定されず、また、減圧部９５の機構も限定されない。

（制御部）
制御部７は、処理槽４１に基板８が収容されていないアイドル期間の一部において、ガスの供給が停止するようにガス供給部９０を制御すると共に、ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれるように減圧部９５を制御する、第１制御を実行する。

制御部７は、アイドル期間において、上記第１制御と、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御する第２制御とを交互に繰り返し実行してもよい。

制御部７は、ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれた状態における第２制御として、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御すると共に、開放バルブ９６が開き開放ライン９７にガス供給ライン９３を流れるガスが流入するように減圧部９５を制御する第３制御と、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御すると共に、開放バルブ９６が閉じガス供給ライン９３を流れるガスがガスノズル７０側に流れるように減圧部９５を制御する第４制御と、を実行してもよい。

制御部７は、第４制御として、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３が処理槽４１に流れ込むようにガス供給部９０を制御する第５制御と、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３がガス供給ライン内で揺動するようにガス供給部９０を制御する第６制御と、を実行してもよい。

アイドル期間には、処理槽４１において基板８に対する処理が行われる基板処理期間から遷移する第１アイドル期間と、処理槽４１において処理液４３の交換が行われる処理液交換期間から遷移する第２アイドル期間とがあり、制御部７は、第１アイドル期間の第１制御である第１アイドル制御における処理液４３の引き込み量よりも、第２アイドル期間の第１制御である第２アイドル制御における処理液４３の引き込み量が大きくなるように、減圧部９５を制御してもよい。

なお、以下の説明では、制御部７の制御に基づく基板液処理中の期間として、「ロット期間」、「処理液交換期間」、「アイドル期間」と記載する場合がある。ロット期間（基板処理期間）とは、ロット処理（基板処理）が行われる期間である。ロット処理とは、処理液４３に１ロット分の複数毎の基板８を浸漬させる処理である。処理液交換期間とは、液交換処理が行われる期間である。液交換処理とは、処理槽４１内の処理液を交換する処理である。アイドル期間とは、処理液４３に基板８が収容されていない期間であり、且つ、上記液交換処理が行われていない期間である。アイドル処理とは、アイドル期間において行われる処理である。

図３は、制御部７の機能的な構成を例示するブロック図である。図３に示すように、制御部７は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、レシピ記憶部１１１と、液供給制御部１１２と、排液制御部１１３と、浸漬制御部１１４と、ガス供給制御部１１５と、減圧制御部１１６とを有する。

レシピ記憶部１１１は、処理内容を特定するために予め設定された各種パラメータであるレシピを記憶する。レシピには、処理の順番及び各処理の所要時間（実施時間）等が設定されている。液供給制御部１１２、排液制御部１１３、浸漬制御部１１４、ガス供給制御部１１５、及び減圧制御部１１６は、当該レシピに応じて各種制御を行う。

液供給制御部１１２は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピに応じて、処理槽４１内に処理液４３が供給されるように処理液供給部４４を制御する。具体的には、液供給制御部１１２は、外槽４２内へ処理液４３が供給されるように流量調節器４６を開くと共に、外槽４２から処理槽４１へ送液されるように供給ポンプ５２を駆動させる。

排液制御部１１３は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピに応じて、処理槽４１から処理液４３が排出されるように処理液排出部６７を制御する。具体的には、排液制御部１１３は、処理液４３及び純水の供給が停止するように流量調節器４６及び流量調節器４８を閉じると共に、処理槽４１からの処理液４３の排出が開始されるように開閉弁６９を閉状態から開状態にする。

浸漬制御部１１４は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピに応じて、処理液４３に基板８（１ロット分の複数毎の基板８）が浸漬するように基板昇降機構３２を制御する。具体的には、浸漬制御部１１４は、１ロット分の基板８が処理液４３内に浸漬する高さまで、基板昇降機構３２の支持アーム（不図示）を下降させる。そして、浸漬制御部１１４は、レシピ記憶部１１１に記憶された所定の基板処理時間待機した後に、１ロット分の基板８が処理液４３の液面より上に位置する高さまで、基板昇降機構３２の支持アーム（不図示）を上昇させる。

ガス供給制御部１１５は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピに応じて、不活性ガスが供給されるようにガス供給部９０を制御する。具体的には、ガス供給制御部１１５は、ガス供給ライン９３にガスが供給されるように供給バルブ９２を開く。また、ガス供給制御部１１５は、供給されるガスの流量が調節されるように流量調節器９１ｂの開度を調節する。

ガス供給制御部１１５は、アイドル期間の一部において実行される第１制御において、ガスの供給が停止されるようにガス供給部９０を制御する。また、ガス供給制御部１１５は、アイドル期間における上記第１制御が実行されていない期間に実行される第２制御において、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御する。また、ガス供給制御部１１５は、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３が処理槽４１に流れ込むように（大量のガスが供給されるように）ガス供給部９０を制御することと、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３がガス供給ライン内で揺動するように（少量のガスが供給されるように）ガス供給部９０を制御することとを実行してもよい。処理液４３の揺動は、ガス供給ライン内及びガスノズル開口部付近において滞留している処理液４３がそれぞれその位置から他の位置へと移動する程度に行うことが好ましい。ガス供給制御部１１５は、流量調節器９１ｂを制御すること等により、このようなガス流量の調節を行う。

減圧制御部１１６は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピに応じて、ガス供給ライン９３が減圧されてガス供給ライン９３に処理槽４１内の処理液が引き込まれるように、減圧部９５を制御する。具体的には、減圧制御部１１６は、ガス供給ライン９３が減圧されて開放ライン９７にガス供給ライン９３からガスが流入するように、大気に開放された開放ライン９７に設けられた開放バルブ９６を開く。また、減圧制御部１１６は、ガス供給ライン９３を流れるガスがガスノズル７０側に流れるように、開放バルブ９６を閉じる。また、減圧制御部１１６は、処理液交換期間から遷移する第２アイドル期間でのみ開放バルブ９６を開き、ロット処理期間から遷移する第１アイドル期間では開放バルブ９６を閉じたままとしてもよい。これにより、第２アイドル期間においては開放バルブ９６が開くことによって積極的に処理液４３の引き込みが行われるのに対して、第１アイドル期間においては積極には処理液４３の引き込みが行われないこととなり、第１アイドル期間の処理液４３の引き込み量よりも、第２アイドル期間の処理液４３の引き込み量が大きくなる。

〔基板液処理方法〕
続いて、基板液処理方法の一例として、制御部７が実行する制御手順を説明する。図４に示すように、制御部７は、まずステップＳ１を実行する。ステップＳ１は、処理液４３の充填制御を含む。充填制御についてのより詳細な手順は後述する。次に、制御部７はステップＳ２を実行する。ステップＳ２では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、次回の液交換処理開始までの時間がロット処理に関する第１時間以上であるか否かが判定される。ロット処理に関する第１時間とは、ロット処理を実行するために必要な時間に所定のバッファを加えた時間である。

ステップＳ２において、次回の液交換処理開始までの時間が第１時間以上である（すなわち、液交換処理が開始される前にロット処理を実行できる）と判定された場合には、制御部７はステップＳ３を実行する。ステップＳ３では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、次回のロット処理開始までの時間がアイドル処理に関する第２時間以下であるか否かが判定される。アイドル処理に関する第２時間とは、アイドル処理を行う最短の時間に所定のバッファを加えた時間である。

ステップＳ３において、次回のロット処理開始までの時間が第２時間以下である（すなわち、アイドル処理を挟まずにロット処理を行う）と判定された場合には、制御部７はステップＳ４を実行する。ステップＳ４は、ロット処理制御を含む。ロット処理制御についてのより詳細な手順は後述する。なお、ステップＳ４のロット処理は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づきロット処理の開始時間に開始される。ステップＳ３において、次回のロット処理開始までの時間が第２時間以下でないと判定された場合には、制御部７はステップＳ５を実行した後にステップＳ４を実行する。ステップＳ５は、アイドル処理制御を含む。アイドル処理制御についてのより詳細な手順は後述する。

ステップＳ４に続いて、制御部７はステップＳ６を実行する。ステップＳ６では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、全てのロットに対してロット処理が完了しているか否かが判定される。ステップＳ４において、全てのロットに対してロット処理が完了している場合には基板液処理が終了し、完了していない場合には、再度ステップＳ２から実行される。

また、ステップＳ２において、次回の液交換処理開始までの時間が第１時間以上でない（すなわち、液交換処理が開始される前にロット処理を実行できない）と判定された場合には、制御部７はステップＳ７を実行する。ステップＳ７では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、液交換処理開始までの時間がアイドル処理に関する第２時間以下であるか否かが判定される。

ステップＳ７において、液交換処理開始までの時間が第２時間以下である（すなわち、アイドル処理を挟まずに液交換処理を行う）と判定された場合には、制御部７はステップＳ８を実行する。ステップＳ８は、液交換処理制御を含む。液交換処理制御についてのより詳細な手順を後述する。なお、ステップＳ８の液交換処理は、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づき液交換処理の開始時間に開始される。ステップＳ７において、液交換処理開始までの時間が第２時間以下でないと判定された場合には、制御部７はステップＳ９を実行した後にステップＳ８を実行する。ステップＳ９は、アイドル処理制御を含む。アイドル処理制御についてのより詳細な手順は後述する。ステップＳ８が完了すると、再度ステップＳ２から実行される。

（処理液の充填手順）
続いて、上記ステップＳ１における処理液４３の充填制御の詳細な手順を説明する。なおステップＳ１の実行開始タイミングにおいては、ガス供給ライン９３に設けられた供給バルブ９２、及び開放ライン９７に設けられた開放バルブ９６の双方が閉じた状態となっている。図５に示すように、制御部７は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、液供給制御部１１２が、処理槽４１への処理液４３の充填が開始されるように処理液供給部４４を制御する。具体的には、液供給制御部１１２は、処理槽４１が空であり、開閉弁６９が閉じた状態にて、流量調節器４６を開いて外槽４２内への処理液４３の供給を開始し、供給ポンプ５２を駆動させて外槽４２から処理槽４１への送液を開始するように処理液供給部４４を制御する。

次に、制御部７はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、ガス供給制御部１１５が供給バルブ９２を開き、ガス供給ライン９３へのガスの供給が開始される。続いて、制御部７はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、所定の充填時間が経過しているか否かが判定される。所定の充填時間は、処理槽４１においてロット処理を実行するのに十分な量の処理液４３が処理槽４１内に充填する時間とされている。

ステップＳ１３において所定の充填時間が経過するまではステップＳ１３の処理が繰り返し実行され、所定の充填時間が経過すると、制御部７はステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、液供給制御部１１２が、処理液４３の循環制御を開始する。処理液４３の循環制御は、供給ポンプ５２の駆動を継続させることで、処理槽４１から外槽４２に溢れた処理液４３を処理槽４１の下部に還流させるように処理液供給部４４を制御することを含む。当該循環制御において、液供給制御部１１２は、濃度センサ５８により検出された処理液４３の濃度に応じて純水用の流量調節器４８の開度を調節するように処理液供給部４４を制御することを実行してもよい。以上で、上記ステップＳ１が完了する。

（ロット処理手順）
続いて、上記ステップＳ４におけるロット処理制御の詳細な手順を図６及び図１１を参照して説明する。図６に示すように、制御部７はまずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、前段処理がアイドル処理であるか否かが判定される。当該ステップＳ４１の処理は、「前段処理がアイドル処理である場合には、ガス供給が停止し開放バルブ９６が開いた状態となっているのに対し、前段処理がアイドル処理以外のロット処理又は液交換処理である場合には、ガスが供給されて開放バルブ９６が閉じた状態になっている」との前提に基づき、前段処理の内容によって処理が変わるために行っているものである。なお、本実施形態の説明では、アイドル処理が終わった状態においては、ガス供給が停止し開放バルブ９６が開いた状態となっているとして説明するがこれに限定されるものでなく、アイドル処理が終わった状態において、前段処理がロット処理等である場合と同様に、ガスが供給されて開放バルブ９６が閉じた状態になっていてもよい。その場合には、ロット処理制御においては、ステップＳ４３～Ｓ４５の処理が最初に行われ、その後にステップＳ４２以降の処理が行われる。

ステップＳ４１において、前段処理がアイドル処理である（図１１（ａ）に示す状態となっている）と判定された場合には、制御部７はステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が開始されるようにガス供給部９０を制御する。具体的には、ガス供給制御部１１５は、ガス供給ライン９３にガスが供給されるように供給バルブ９２を開く（図１１（ｂ）参照）。開放バルブ９６が開いた状態で供給バルブ９２が開くことにより、ガス供給部９０から供給されたガスはガス供給ライン９３から開放ライン９７に流入する。

一方で、ステップＳ４１において、前段処理がアイドル処理でないと判定された場合には、制御部７はステップＳ４３～Ｓ４５を実行した後にステップＳ４２を実行する。ステップＳ４３では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が停止するようにガス供給部９０を制御する。具体的には、ガス供給制御部１１５は、ガス供給ライン９３へのガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる。ステップＳ４４では、減圧制御部１１６が、ガス供給ライン９３が減圧されてガス供給ライン９３に処理槽４１内の処理液４３が引き込まれるように、減圧部９５を制御する。具体的には、減圧制御部１１６は、ガス供給ライン９３が減圧されて開放ライン９７にガス供給ライン９３からガスが流入するように、開放バルブ９６を開く。ステップＳ４５では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ガス供給を停止し開放バルブ９６を開いてから所定のガス停止開放時間が経過したか否かが判定される。所定のガス停止開放時間は、ガス供給ライン９３の所定高さまで十分な量の処理液４３が引き込まれる時間とされる。ステップＳ４５において所定のガス停止開放時間が経過するまではステップＳ４５の処理が繰り返し実行され、所定のガス停止開放時間が経過すると、上述したとおり制御部７はステップＳ４２を実行する。

ステップＳ４２の実行後、制御部７はステップＳ４６を実行する。ステップＳ４６では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ステップＳ４２にて開放ライン９７にガス供給を開始してから所定の開放ライン供給時間が経過したか否かが判定される。所定の開放ライン供給時間は、例えば開放ライン９７に溜まった水滴及び蒸気等を開放ライン９７から除去できるだけの十分な量のガスを供給する時間とされ、例えば１０秒程度とされる。

ステップＳ４６において、所定の開放ライン供給時間が経過するまではステップＳ４６の処理が繰り返し実行され、所定の開放ライン供給時間が経過すると、制御部７はステップＳ４７を実行する。ステップＳ４７では、減圧制御部１１６が開放バルブ９６を閉じる（図１１（ｃ）参照）。これにより、ガス供給部９０から供給されたガスは、開放ライン９７に流入することなく、ガスノズル７０側に流れ、ガスノズル７０の開口部から処理槽４１内の処理液４３中に供給される。この状態においては、処理槽４１に処理液４３の上昇流が発生する。

次に、制御部７はステップＳ４８を実行する。ステップＳ４８では、浸漬制御部１１４が、１ロット分の複数毎の基板８を処理液４３の液面より上に位置させる高さから、当該複数の基板８を処理液４３内に浸漬する高さまで、複数の支持アーム（不図示）を下降させるように基板昇降機構３２を制御する（図１１（ｄ）参照）。

次に、制御部７はステップＳ４９を実行する。ステップＳ４９では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、基板を処理液４３内に浸漬させてから所定の基板処理時間が経過したか否かが判定される。所定の基板処理時間は、必要とされる洗浄の程度に応じて設定されている。ステップＳ４９において所定の基板処理時間が経過するまではステップＳ４９の処理が繰り返し実行され、所定の基板処理時間が経過すると、上述したとおり制御部７はステップＳ５０を実行する。ステップＳ５０では、浸漬制御部１１４が、複数の基板８を処理液４３内に浸漬する高さから、当該複数の基板８を処理液４３の液面より上に位置させる高さまで、複数の支持アーム（不図示）を上昇させるように基板昇降機構３２を制御する。以上で上記ステップＳ４が完了する。

（液交換処理手順）
続いて、上記ステップＳ８における液交換処理制御の詳細な手順を図７及び図１２を参照して説明する。図７に示すように、制御部７はまずステップＳ８１を実行する。ステップＳ８１では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、前段処理がアイドル処理であるか否かが判定される。ステップＳ８１において、前段処理がアイドル処理である（図１２（ａ）に示す状態となっている）と判定された場合には、制御部７はステップＳ８２及びステップＳ８３を実行する。ステップＳ８２では、減圧制御部１１６が、開放バルブ９６を閉じる。ステップＳ８３では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給ライン９３にガスが供給されるように供給バルブ９２を開く。

ステップＳ８１において前段処理がアイドル処理でないと判定された場合、又は、ステップＳ８３の実行後において、制御部７はステップＳ８４を実行する。ステップＳ８４では、排液制御部１１３が、処理槽４１から処理液４３の排出が開始されるように（図１２（ｂ）参照）、処理液排出部６７を制御する。具体的には、排液制御部１１３は、処理液４３及び純水の供給が停止するように流量調節器４６及び流量調節器４８を閉じると共に、処理槽４１からの処理液４３の排出が開始されるように開閉弁６９を閉状態から開状態にする。

次に、制御部７はステップＳ８５を実行する。ステップＳ８５では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、排液を開始してから所定の排液時間が経過したか否かが判定される。所定の排液時間は、処理槽４１内の処理液４３が全て排出されるのに十分な時間とされる。ステップＳ８５において、所定の排液時間が経過するまではステップＳ８５の処理が繰り返し実行され、所定の排液時間が経過すると、制御部７はステップＳ８６を実行する。ステップＳ８６では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給ライン９３へのガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる（図１２（ｃ）参照）。このように、排液が開始されるタイミング（ステップＳ８４）よりも前のステップＳ８３からガス供給が開始され、排液時間が経過し排液が完了するまでガス供給が継続されることにより、仮に交換前の処理液がガス供給ライン９３に残存している場合においても、排液の完了時までに、当該ガス供給ライン９３に残存する交換前の処理液４３をガス供給ライン９３から確実に排出することができる。このことで、処理槽４１内で液交換前後の処理液４３が混合することが抑制される。なお、ガス供給の開始タイミングと停止タイミングは上記に限定されず、交換後の新たな処理液４３が充填される前に、交換前の処理液４３をガス供給ライン９３から排出することができれば、上記のタイミング以外でガス供給が開始され停止されるものであってもよい。

次に、制御部７はステップＳ８７を実行する。ステップＳ８７では、液供給制御部１１２が、処理槽４１への処理液４３の充填が開始されるように処理液供給部４４を制御する。たとえば、液供給制御部１１２は、処理槽４１が空であり、開閉弁６９が閉じた状態にて、流量調節器４６を開いて外槽４２内への処理液４３の供給を開始し、供給ポンプ５２を駆動させて外槽４２から処理槽４１への送液を開始するように処理液供給部４４を制御する。

次に、制御部７はステップＳ８８を実行する。ステップＳ８８では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給ライン９３へのガス供給が開始されるように供給バルブ９２を開く（図１２（ｄ）参照）。続いて、制御部７はステップＳ８９を実行する。ステップＳ８９では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、所定の充填時間が経過しているか否かが判定される。所定の充填時間は、処理槽４１においてロット処理を実行するのに十分な量の処理液４３が処理槽４１内に充填する時間とされている。

ステップＳ８９において所定の充填時間が経過するまではステップＳ８９の処理が繰り返し実行され、所定の充填時間が経過すると、制御部７はステップＳ９０を実行する。ステップＳ９０では、液供給制御部１１２が、処理液４３の循環制御を開始する。処理液４３の循環制御は、供給ポンプ５２の駆動を継続させることで、処理槽４１から外槽４２に溢れた処理液４３を処理槽４１の下部に還流させるように処理液供給部４４を制御することを含む。当該循環制御において、液供給制御部１１２は、濃度センサ５８により検出された処理液４３の濃度に応じて純水用の流量調節器４８の開度を調節するように処理液供給部４４を制御することを実行してもよい。

次に、制御部７はステップＳ９１を実行する。ステップＳ９１では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる。次に、制御部７はステップＳ９２を実行する。ステップＳ９２では、減圧制御部１１６が、ガス供給ライン９３が減圧されてガス供給ライン９３に処理槽４１内の処理液４３が引き込まれるように、開放バルブ９６を開く（図１２（ｅ）参照）。次に、制御部７はステップＳ９３を実行する。ステップＳ９３では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ガス供給を停止し開放バルブ９６を開いてから所定のガス停止開放時間が経過したか否かが判定される。所定のガス停止開放時間は、ガス供給ライン９３の所定高さまで十分な量の処理液４３が引き込まれる時間とされる。ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれた状態においては、少なくともガスノズル７０内に処理液が吸引された状態になっている。

ステップＳ９３において所定のガス停止開放時間が経過するまではステップＳ９３の処理が繰り返し実行され、所定のガス停止開放時間が経過すると、制御部７はステップＳ９４を実行する。ステップＳ９４では、減圧制御部１１６が開放バルブ９６を閉じる（図１２（ｆ）参照）。次に、制御部７はステップＳ９５を実行する。ステップＳ９５では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、開放バルブ９６を閉じてから所定の洗浄時間が経過したか否かが判定される。所定の洗浄時間は、ガスノズル７０内に吸引された処理液４３によるガスノズル７０の洗浄効果が十分に得られるように設定されている。

ステップＳ９５において所定の洗浄時間が経過するまではステップＳ９５の処理が繰り返し実行され、所定の洗浄時間が経過すると、制御部７はステップＳ９６を実行する。ステップＳ９６では、減圧制御部１１６が、開放バルブ９６を開く。次に、制御部７はステップＳ９７を実行する。ステップＳ９７では、ガス供給制御部１１５が、開放ライン９７にガスが供給されるように供給バルブ９２を開く（図１２（ｇ）参照）。

次に、制御部７はステップＳ９８を実行する。ステップＳ９８では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ステップＳ９７にて開放ライン９７にガス供給を開始してから所定の開放ライン供給時間が経過したか否かが判定される。所定の開放ライン供給時間は、例えば開放ライン９７に溜まった水滴及び蒸気等を開放ライン９７から除去できるだけの十分な量のガスを供給する時間とされ、例えば１０秒程度とされる。

ステップＳ９８において、所定の開放ライン供給時間が経過するまではステップＳ９８の処理が繰り返し実行され、所定の開放ライン供給時間が経過すると、制御部７はステップＳ９９を実行する。ステップＳ９９では、減圧制御部１１６が開放バルブ９６を閉じる（図１２（ｈ）参照）。これにより、ガス供給部９０から供給されたガスは、開放ライン９７に流入することなく、ガスノズル７０側に流れるようになる。以上で上記ステップＳ８が完了する。

（アイドル処理手順）
続いて、上記ステップＳ５及びＳ９におけるアイドル処理制御の詳細な手順を、図８を参照して説明する。図８に示すように、制御部７はまずステップＳ１０１を実行する。ステップＳ１０１では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、前段処理がロット処理であったか否かが判定される。当該処理は、前段処理がロット処理である場合には、前段処理がロット処理でない場合と比べて処理液が汚れているため、ガス供給ライン９３への処理液４３の引き込み量を小さくする（より詳細には、積極的には引き込まない）との制御を行うために行っている。

ステップＳ１０１において、前段処理がロット処理である場合には、制御部７はステップＳ１０２を実行する。ステップＳ１０２では、制御部７は、当該アイドル期間が第１アイドル期間であるとして第１制御の一態様である第１アイドル制御を実施する。一方、ステップＳ１０１において、前段処理がロット処理でない場合（具体的には前段処理が液交換処理である場合）には、制御部７はステップＳ１０３を実行する。ステップＳ１０３では、制御部７は、当該アイドル期間が第２アイドル期間であるとして第１制御の一態様である第２アイドル制御を実施する。

続いて、上記ステップＳ１０２における第１アイドル制御（前段処理がロット処理である場合のアイドル期間である第１アイドル期間における第１アイドル処理の制御）の詳細な手順を図９を参照して説明する。図９に示すように、制御部７はまずステップＳ２０１を実行する。ステップＳ２０１では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる。次に、制御部７はステップＳ２０２を実行する。ステップＳ２０２では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ガス供給を停止してから所定のガス供給停止時間が経過したか否かが判定される。所定のガス供給停止時間は、ガスが供給されていた際に形成されていた処理槽４１内の上昇流が弱まるのに十分な時間とされる。これにより、処理槽４１内における処理液の流れが生じにくくなるため、特定の場所（ガスノズル７０の開口部のへり等）に結晶が発生することを抑制できる。

次に、制御部７はステップＳ２０３を実行する。ステップＳ２０３では、減圧制御部１１６が、開放バルブ９６を開く。次に、制御部７はステップＳ２０４を実行する。ステップＳ２０４では、ガス供給制御部１１５が、開放ライン９７にガスが供給されるように供給バルブ９２を開く。

次に、制御部７はステップＳ２０５を実行する。ステップＳ２０５では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ステップＳ２０４にて開放ライン９７にガス供給を開始してから所定の開放ライン供給時間が経過したか否かが判定される。所定の開放ライン供給時間は、例えば開放ライン９７に溜まった水滴及び蒸気等を開放ライン９７から除去できるだけの十分な量のガスを供給する時間とされ、例えば１０秒程度とされる。

ステップＳ２０５において、所定の開放ライン供給時間が経過するまではステップＳ２０５の処理が繰り返し実行され、所定の開放ライン供給時間が経過すると、制御部７はステップＳ２０６を実行する。ステップＳ２０６では、減圧制御部１１６が開放バルブ９６を閉じる。これにより、ガス供給部９０から供給されたガスは、開放ライン９７に流入することなく、ガスノズル７０側に流れるようになる。当該ガスは、ガスノズル７０開口部から吐出され、処理槽４１内の処理液４３をバブリングし、処理槽４１内に処理液４３の上昇流を生じさせる。

次に、制御部７はステップＳ２０７を実行する。ステップＳ２０７では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ガスノズル７０へのガス供給の開始から所定のノズル供給時間が経過したか否かが判定される。所定のノズル供給時間は、処理槽４１内の処理液をバブリングし処理槽４１内に処理液４３の上昇流を生じさせる十分な時間とされる。

ステップＳ２０７において、所定のノズル供給時間が経過するまではステップＳ２０７の処理が繰り返し実行させ、所定のノズル供給時間が経過すると、制御部７はステップＳ２０８を実行する。ステップＳ２０８では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、次処理開始までの時間がアイドル処理に関する第２時間以下であるか否かが判定される。アイドル処理に関する第２時間とは、アイドル処理を行う最短の時間に所定のバッファを加えた時間である。

ステップＳ２０８において、次処理開始までの時間が第２時間以下でない（すなわち、次処理開始までに第１アイドル処理のステップＳ２０１～Ｓ２０８の処理を再度行う）と判定された場合には、制御部７は再度ステップＳ２０１からの処理を行う。一方で、ステップＳ２０８において、次処理開始までの時間が第２時間以下である（すなわち、再度の第１アイドル処理を挟まずに次処理を行う）と判定された場合には、制御部７はステップＳ２０９を実行する。ステップＳ２０９では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる。次に、制御部７はステップＳ２１０を実行する。ステップＳ２１０では、減圧制御部１１６が、開放バルブ９６を開く。以上で上記ステップＳ１０２が完了する。

続いて、上記ステップＳ１０３における第２アイドル制御（前段処理がロット処理ではなく液交換処理である場合のアイドル期間である第２アイドル期間における第２アイドル処理の制御）の詳細な手順を図１０及び図１３を参照して説明する。図１０に示すように、制御部７はまずステップＳ３０１を実行する。ステップＳ３０１では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる。次に、制御部７はステップＳ３０２を実行する。ステップＳ３０２では、減圧制御部１１６が、開放バルブ９６を開く。これにより、ガス供給ライン９３が減圧されて、ガス供給ライン９３への処理液４３の引き込みが開始される（図１３（ａ）参照）。このように、アイドル期間の一部において、ガスの供給が停止するようにガス供給部９０が制御され、ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれるように減圧部９５が制御される制御が、第１制御である。

次に、制御部７はステップＳ３０３を実行する。ステップＳ３０３では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ガス供給を停止し開放バルブ９６を開いてから所定のガス停止開放時間が経過したか否かが判定される。所定のガス停止開放時間は、ガス供給ライン９３の所定高さまで十分な量の処理液４３が引き込まれる時間とされる。ステップＳ３０３において、所定のガス停止開放時間が経過するまではステップＳ３０３の処理が繰り返し実行され、所定のガス停止開放時間が経過すると、制御部７はステップＳ３０４を実行する。ステップＳ３０４では、ガス供給制御部１１５が、開放ライン９７にガスが供給されるように供給バルブ９２を開く（図１３（ｂ）参照）。このように、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０が制御される制御が、第２制御である。より詳細には、開放ライン９７にガス供給ライン９３を流れるガスが流入するように減圧部９５が制御される当該制御は、第２制御のうち第３制御である。

次に、制御部７はステップＳ３０５を実行する。ステップＳ３０５では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ステップＳ３０４にて開放ライン９７にガス供給を開始してから所定の開放ライン供給時間が経過したか否かが判定される。所定の開放ライン供給時間は、例えば開放ライン９７に溜まった水滴及び蒸気等を開放ライン９７から除去できるだけの十分な量のガスを供給する時間とされ、例えば１０秒程度とされる。

ステップＳ３０５において、所定の開放ライン供給時間が経過するまではステップＳ３０５の処理が繰り返し実行され、所定の開放ライン供給時間が経過すると、制御部７はステップＳ３０６を実行する。ステップＳ３０６では、減圧制御部１１６が開放バルブ９６を閉じる（図１３（ｃ）参照）。これにより、ガス供給部９０から供給されたガスは、開放ライン９７に流入することなく、ガスノズル７０側に流れるようになる。このように、ガス供給ライン９３を流れるガスがガスノズル７０側に流れるように減圧部９５が制御される当該制御は、第２制御のうち第４制御である。

ここで、制御部７は、上述した第４制御として、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３が、原則全て、処理槽４１に流れ込むようにガス供給部９０を制御する第５制御と、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３がガス供給ライン９３内で揺動するようにガス供給部９０を制御する第６制御と、を実行する。第５制御では、ガスがガスノズル７０開口部から吐出され、処理槽４１内の処理液４３をバブリングし、処理槽４１内に処理液４３の上昇流を生じさせる。第６制御では、原則、ガス供給ライン９３の処理液４３は処理槽４１には流し込まれずにガス供給ライン９３内で揺動する。制御部７は、例えば、ガス供給ライン内で処理液４３を揺動させる第６制御を複数回繰り返した後に、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３を処理槽４１に流し込む第５制御を行う。ガス供給制御部１１５は、例えば、第６制御におけるガス供給量よりも第５制御におけるガス供給量が大きくなるように、流量調節器９１ｂを調節する。また、ガス供給制御部１１５は、例えば、第６制御におけるガス供給時間よりも第５制御におけるガス供給時間が長くなるように、流量調節器９１ｂ（又は供給バルブ９２）を調節する。

次に、制御部７はステップＳ３０７を実行する。ステップＳ３０７では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、ガスノズル７０へのガス供給の開始から所定のノズル供給時間が経過したか否かが判定される。所定のノズル供給時間は、処理槽４１内の処理液をバブリングし処理槽４１内に処理液４３の上昇流を生じさせる十分な時間とされる。また、所定のノズル供給時間は、例えば、上述した第６制御が複数回繰り返された後に第５制御が行われるのに十分な時間とされる。

ステップＳ３０７において、所定のノズル供給時間が経過するまではステップＳ３０７の処理が繰り返し実行させ、所定のノズル供給時間が経過すると、制御部７はステップＳ３０８を実行する。ステップＳ３０８では、レシピ記憶部１１１に記憶されたレシピの処理予定に基づいて、次処理開始までの時間がアイドル処理に関する第２時間以下であるか否かが判定される。アイドル処理に関する第２時間とは、アイドル処理を行う最短の時間に所定のバッファを加えた時間である。

ステップＳ３０８において、次処理開始までの時間が第２時間以下でない（すなわち、次処理開始までに第２アイドル処理のステップＳ３０１～Ｓ３０８の処理を再度行う）と判定された場合には、制御部７は再度ステップＳ３０１からの処理を行う。一方で、ステップＳ３０８において、次処理開始までの時間が第２時間以下である（すなわち、再度の第２アイドル処理を挟まずに次処理を行う）と判定された場合には、制御部７はステップＳ３０９を実行する。ステップＳ３０９では、ガス供給制御部１１５が、ガス供給が停止するように供給バルブ９２を閉じる。次に、制御部７はステップＳ３１０を実行する。ステップＳ３１０では、減圧制御部１１６が、開放バルブ９６を開く（図１３（ｄ）参照）。以上で上記ステップＳ１０３が完了する。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、基板液処理装置Ａ１は、処理液４３及び基板８を収容する処理槽４１と、処理槽４１内の下部にガスを吐出するガスノズル７０と、ガスを供給するガス供給部９０と、ガスノズル７０及びガス供給部９０を接続するガス供給ライン９３と、ガス供給ライン９３を減圧することによりガス供給ライン９３に処理槽４１内の処理液４３を引き込む減圧部９５と、処理槽４１に基板８が収容されていないアイドル期間の一部において、ガスの供給が停止するようにガス供給部９０を制御すると共に、ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれるように減圧部９５を制御する、第１制御を実行するように構成された制御部７と、を備える。

基板液処理装置Ａ１では、アイドル期間の一部において、ガスノズル７０へのガスの供給が停止されると共に、ガス供給ライン９３が減圧されて、処理槽４１の処理液４３がガス供給ライン９３に引き込まれる。基板８が処理される処理槽４１においては、処理液４３の状態を均一に保つべく、通常、下部に設けられたガスノズル７０からガスが供給される。ガスの供給により、処理槽４１内における処理液４３の上昇流が安定して形成される。これにより、処理液４３の状態を均一に保ち易くなるものの、特定の場所においては、ガスの流れに起因して処理液４３の滞留が生じ易くなる。具体的には、ガスノズル７０の開口部のへりに、ガス流の乱れに起因する処理液４３の滞留が生じ易くなる。このため、ガスノズル７０の開口部のへりには、基板８及び各種管路からの溶出成分等の結晶が発生する場合があり、この結晶がガス吐出の障害となるおそれがある。この点、本実施形態に係る基板液処理装置Ａ１では、基板処理が行われてないアイドル期間の一部において、ガス供給が停止され、且つ、処理液４３がガス供給ライン９３に引き込まれている。ガス供給が停止されることにより、上述した、処理槽４１内における処理液の流れが生じにくくなるため、特定の場所（ガスノズル７０の開口部のへり等）に結晶が発生することを抑制できる。そして、処理液４３がガス供給ライン９３に引き込まれることにより、処理液４３と共に、ガスノズル７０の開口部のへりに存在する結晶がガス供給ライン９３に引き込まれることとなる。これにより、ガスノズル７０の開口部のへりから結晶が除去され、ガスノズル７０から適切にガスを吐出することができる。

図１４を参照して、比較例に係る基板液処理装置の処理の流れと比較しながら、基板液処理装置Ａ１の処理の流れの一例を説明する。図１４（ａ）は比較例に係る基板液処理装置の処理の流れの一例を示している。図１４（ｂ）は本実施形態に係る基板液処理装置Ａ１の処理の流れの一例を示している。いずれにおいても、時刻ｔ１～ｔ３のアイドル期間、時刻ｔ３～ｔ４のロット処理期間、時刻ｔ４～ｔ６の処理液交換期間、及び時刻ｔ６～ｔ７のアイドル期間が、この順番で時系列に示されている。例えば、図１４（ａ）の比較例に係る基板液処理装置の処理では、時刻ｔ１～ｔ３のアイドル期間及び時刻ｔ６～ｔ７のアイドル期間において、常にＮ２ガスが供給されていることが示されている。これに対して、図１４（ｂ）の本実施形態に係る基板液処理装置Ａ１の処理では、時刻ｔ１～ｔ３のアイドル期間及び時刻ｔ６～ｔ７のアイドル期間において、Ｎ２ガスが供給されていない（ガス供給が停止されている）期間がある。具体的には、時刻ｔ１～ｔ３のアイドル期間においては、ロット処理期間の開始前の時刻ｔ２までは、Ｎ２ガスが供給されていない。また、時刻ｔ６～ｔ７のアイドル期間においては、Ｎ２ガスが供給される期間とＮ２ガスが供給されない期間（インターバル）とが交互に繰り返されている。このように、従来、比較例に係る基板液処理装置の処理のように、アイドル期間においては常にガスが供給されていたのに対して、本実施形態の基板液処理装置Ａ１の処理のように、アイドル起案の一部においてガス供給が停止されることにより、上述したように、処理槽４１内における処理液４３の流れが生じにくくなるため、ガスノズル７０の開口部のへり等に結晶が発生することを抑制できる。

そして、上記の図１４の説明においても記載したように、基板液処理装置Ａ１では、制御部７が、アイドル期間において、ガスの供給が停止されると共にガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれる第１制御と、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御する第２制御とを交互に繰り返し実行している（図１４（ｂ）の時刻ｔ６～ｔ７のアイドル期間を参照）。第２制御においてガスが供給されることにより、処理液４３の状態を均一に保つことができる。また、ガス供給を停止すると共に処理液４３を引き込む第１制御と、ガスが供給される第２制御とが交互に繰り返し実行されることにより、第１制御において引き込んだ、結晶を含んだ処理液４３を、第２制御において例えば処理槽４１に流し込むことができる。このように、引き込んだ結晶を処理槽４１の処理液中に戻すことにより、結晶をより確実に除去することができる。

また、基板液処理装置Ａ１は、ガス供給ライン９３に流れるガスを大気に開放する開放ライン９７を更に備え、減圧部９５は、開放ライン９７を開閉可能な開放バルブ９６を有し、該開放バルブ９６が開くことによりガス供給ライン９３を減圧し、制御部７は、ガス供給ライン９３に処理液４３が引き込まれた状態における第２制御として、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御すると共に、開放バルブ９６が開き開放ライン９７にガス供給ライン９３を流れるガスが流入するように減圧部９５を制御する第３制御と、ガスの供給が行われるようにガス供給部９０を制御すると共に、開放バルブ９６が閉じガス供給ライン９３を流れるガスがガスノズル７０側に流れるように減圧部９５を制御する第４制御と、を実行する。処理液４３を引き込むこと等により、ガス供給ライン９３に接続された開放ライン９７には水滴等が溜まる場合がある。第３制御において、ガスが開放ライン９７に流し込まれることにより、当該水滴等を除去することができ、当該水滴等がガス供給ライン９３側（ひいては、処理槽４１内）に流入することを抑制することができる。また、第４制御においてガスノズル７０側にガスが流れることにより、例えばガスノズル７０からガスを吐出させた場合には、ガスの供給によって処理液４３の状態を均一に保つことができる。

なお、開放ライン９７の水滴等を除去する処理（上述した第３制御と同様の処理）は、処理液交換期間のクリーニング期間（例えば図１４（ｂ）の時刻ｔ５～ｔ６のクリーニング期間）においても実施されてもよい。すなわち、基板液処理装置Ａ１では、図７のステップＳ９５～Ｓ９８及び図１２（ｇ）に示すように、処理液交換期間のクリーニング期間において、ガスが開放ライン９７に流し込まれて開放ライン９７の水滴等が除去されている。当該処理は、従来の基板液処理装置（例えば図１４（ａ）に示した比較例に係る基板液処理装置）においては行われていなかった処理である。

また、基板液処理装置Ａ１において、制御部７は、上記第４制御として、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３が処理槽４１に流れ込むようにガス供給部９０を制御する第５制御と、ガス供給ライン９３に引き込まれた処理液４３がガス供給ライン９３内で揺動するようにガス供給部９０を制御する第６制御と、を実行する。第５制御において、引き込まれた処理液４３が処理槽４１に流し込まれることにより、結晶を適切に除去しながら、処理液４３の上昇流を適切に発生させることができる。また、第６制御において処理液４３が揺動するように（すなわち、ガス供給ライン９３から処理液４３が完全には排出されないように）ガスが供給されることにより、ガスノズル７０の吐出部分を湿らせた状態を保つことができる。これにより、ガスノズル７０の吐出部分の周辺（ガスノズル７０の開口部のへり）において結晶が生じることを抑制できる。

また、アイドル期間には、処理槽４１において基板８に対する処理が行われるロット処理期間（基板処理期間）から遷移する第１アイドル期間と、処理槽４１において処理液４３の交換が行われる処理液交換期間から遷移する第２アイドル期間とがあり、制御部７は、第１アイドル期間の第１制御である第１アイドル制御における処理液４３の引き込み量よりも、第２アイドル期間の第１制御である第２アイドル制御における処理液４３の引き込み量が大きくなるように、減圧部９５を制御する。一般的に、基板処理が行われた後の処理液は汚れた状態となっていることが多いため、ロット処理後のアイドル処理において、処理液４３を大量に引き込むことは好ましくない。この点、第１アイドル制御における処理液４３の引き込み量よりも、第２アイドル制御における処理液４３の引き込み量が大きくされることにより、基板処理後の汚れた状態の処理液４３がガス供給ライン９３内に大量に引き込まれることを抑制できる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、基板液処理装置Ａ１がＳＣ－１等の処理液４３を用いる洗浄処理装置１を含むとして説明したがこれに限定されず、他の各種処理液を用いる洗浄処理装置又はエッチング装置等を含むものであってもよい。

減圧部９５の構成として大気開放することによりガス供給ライン９３を減圧する構成を例示したが、これに限定されず、減圧部はガス供給ラインを減圧させることができるものであればどのような構成であってもよい。

また、制御部７は、処理槽４１にて処理液の交換が行われる処理液交換期間の少なくとも一部において、処理槽４１にて基板８に対する処理が行われるロット期間（基板処理期間）よりもガスノズル７０からのガスの吐出量が多くなるようにガス供給部９０を制御する高流量制御を実行してもよい。高流量制御では、例えば通常のガスの吐出量の５～６倍程度のガスがガスノズル７０から吐出されるようにガス供給部９０が制御される。制御部７は、処理液交換期間のうち、新たな処理液が供給された後のクリーニング期間において、上述した高流量制御を実行してもよい。より詳細には、制御部７は、クリーニング期間にて新たな処理液を昇温させる昇温制御が開始された後に、高流量制御を実行してもよい。さらに、制御部７は、高流量制御の実行中におけるガスノズル７０の圧力値を監視してもよく、ガスノズル７０の圧力値が所定値を超えた場合に、ガスノズル７０につまりが生じていると推定し、処理槽４１における各種処理を終了してもよい。

図１５は、各処理におけるガスノズル７０からのガスの吐出についての説明図であり、（ａ）は比較例、（ｂ）は実施例の説明図である。図１５（ａ）に示されるように、比較例では、ロット期間のロット処理においては、基板８の搬入（ウェハ搬送）、基板８に対する処理（ウェハ処理）、基板８の搬出（ウェハ搬送）の各処理において、少量のガスがガスノズル７０から吐出されるようにガス供給部９０が制御される。また、ロット期間間の処理液交換期間では、液交換処理（排液及び処理液充填）において少量のガスがガスノズル７０から吐出されるようにガス供給部９０が制御されると共に、その後のクリーニング期間（図１５（ａ）にて「Ｖｅｎｔ」「浸漬」と記載）において、ガスの供給が停止されるようにガス供給部９０が制御されている。この点、図１５（ｂ）に示されるように、実施例における処理液交換期間では、液交換処理によって新たな処理液が供給された後のクリーニング期間であって、処理液を昇温させる昇温制御期間中（図１５（ｂ）にて「昇温待ち」と記載）、及び、その後の圧力監視機関中（図１５（ｂ）にて「圧力監視」と記載）において、ロット処理中の少量のガスよりも大量のガスがガスノズル７０から吐出されるようにガス供給部９０が制御されている。このように、図１５（ｂ）に示される実施例では、制御部７が、処理液交換期間のクリーニング期間において、ロット期間（基板処理期間）よりもガスノズル７０からのガスの吐出量が多くなるようにガス供給部９０を制御する高流量制御を行っている。

図１６は、上述した処理液交換期間における高流量制御のフローチャートである。なお、図１６には、処理液交換期間のうち、高流量制御が終了するまでの処理についてのみ示されている。図１６に示されるように、処理液交換期間においては、最初に、制御部７が、処理槽４１から処理液の排出が開始されるように処理液排出部６７を制御する（ステップＳ５０１）。つづいて、制御部７は、所定の排液時間が経過したか否かを判定し（ステップＳ５０２）、排液時間が経過していると判定した場合に、処理槽４１への処理液の充填が開始されるように処理液供給部４４を制御する（ステップＳ５０３）。つづいて、制御部７は、所定の充填時間が経過したか否かを判定し（ステップＳ５０４）、充填時間が経過していると判定した場合に、処理液の昇温が開始されるように、加熱機構（不図示）を制御する（ステップＳ５０５）。

そして、ステップＳ５０５の開始と共に（或いは開始後間もなく）、制御部７は、高流量制御を開始する（ステップＳ５０６）。具体的には、制御部７は、ガス供給ライン９３へのガス供給が開始されるように供給バルブ９２を開く。この際、制御部７は、ロット期間（基板処理期間）よりもガスノズル７０からのガスの吐出量が多くなるように供給バルブ９２を開く。

つづいて、制御部７は、所定の昇温時間が経過したか否かを判定し（ステップＳ５０７）、昇温時間が経過していると判定した場合に、高流量制御の実行中におけるガスノズル７０の圧力監視を開始する（ステップＳ５０８）。制御部７は、圧力計（不図示）によって測定されたガスノズル７０の圧力を取得し、圧力値が所定値よりも小さいか否かを判定する（ステップＳ５０９）。ステップＳ５０９において、圧力値が所定値を超えていると判定された場合には、制御部７は全ての処理を終了する。一方で、圧力値が所定値よりも小さいと判定した場合には、制御部７は、所定の圧力監視時間が経過しているか否かを判定し（ステップＳ５１０）、経過している場合には高流量制御を終了する（ステップＳ５１１）。

次に、上述した高流量制御を行うことの作用効果について説明する。図２０は、ガスノズル７０を側面から見た図（模式図）である。図２１は、図２０に示すガスノズル７０の拡大図である。図２２は、ガスノズル７０における結晶化のメカニズムを示す図であり、（ａ）は結晶化前の状態、（ｂ）は結晶化途中の状態、（ｃ）は結晶化後のガスノズル７０つまりの状態を示す図である。

図２０に示されるように、複数のガスノズル７０は、処理槽４１の側面方向から見ると、処理槽４１の奥行方向に延びる供給管５５０の延在方向に並んで複数設けられている。各ガスノズル７０は、供給管５５０に連結されており、供給管５５０を流れる不活性ガス（例えばガス供給部９０に供給されるＮ２ガス）が流入し、該不活性ガスを吐出する。図２１に示されるように、ガスノズル７０は、略円錐状に形成されており、ガスの流入箇所から下方（すなわちガスノズル７０の吐出口）に向かうにつれて徐々に管径が大きくなるように形成されている。

図２２（ａ）に示されるように、ガスノズル７０には、吐出口側から処理液が流入（逆流）してくる。これにより、図２２（ｂ）に示されるように、ガスノズル７０内の気液界面において処理液中のシリカの濃縮が起こり、乾燥することによって結晶化が進む。そして、図２２（ｃ）に示されるように、さらに結晶化が進むことによってガスノズル７０内でつまりが発生することが考えられる。

この点、上述したように、制御部７は、処理液交換期間の少なくとも一部において、ロット期間よりもガスノズル７０からのガスの吐出量が多くなるようにガス供給部９０を制御する高流量制御を実行している。ガスノズル７０からのガスの吐出量が多くされることによって、ガスノズル７０の気液界面における結晶を除去することができる。

上述したように、制御部７は、処理液交換期間のうち、新たな処理液が供給された後のクリーニング期間において、上述した高流量制御を実行している。より具体的には、制御部７は、クリーニング期間にて新たな処理液を昇温させる昇温制御が開始された後に、高流量制御を実行している。このようにクリーニング期間において高流量制御を行うことにより、高流量制御のために別途処理期間を設ける必要がなく、処理効率の低下等を生じさせることなく、結晶を除去することができる。

制御部７は、高流量制御の実行中におけるガスノズル７０の圧力値を監視し、圧力値が所定値を超えた場合に、ガスノズル７０につまりが生じていると推定し、処理槽４１における各種処理を終了している。高流量制御時に圧力値を監視することによって、ガスノズル７０の圧力変化（すなわちつまりの傾向）をより適切に把握することができる。そして、圧力値が所定値よりも高くなった際にガスノズル７０につまりが生じていると推定し処理を終了することによって、最適なタイミングでロット処理等の処理を終了することができる。

基板液処理装置Ａ１は、図１７に示されるように、処理槽４１内の処理液を撮像可能な位置に設けられた撮像部７００を更に備えていてもよい。撮像部７００は、処理槽４１（燐酸槽）の沸騰状態を撮像できるものであればよく、例えば高速度カメラである。撮像部７００は、例えば処理槽４１の上方に設けられていてもよい。撮像部７００は一定間隔で連続的に処理槽４１内の処理液を撮像し、撮像した画像を制御部７に出力する。

制御部７は、撮像部７００によって撮像された画像に基づき処理液の沸騰状態を特定する。制御部７は、例えば撮像部７００によって撮像された画像に基づき、処理液における気泡の個数を特定（推定）し、該気泡の個数に基づき沸騰状態を特定する。制御部７は、所定期間において撮像部７００によって撮像された複数の画像それぞれにおける気泡の個数を特定（推定）し、該複数の画像それぞれにおける気泡の個数に基づき沸騰状態を特定してもよい。ここでの複数の画像とは、例えば数十～数百程度の枚数の画像である。図１８は、気泡の個数（泡個数）の度数分布を示すグラフである。制御部７は、それぞれの画像における泡個数を特定すると共に、泡個数が同じ画像の数（度数）を導出し、図１８に示されるような度数分布を導出する。制御部７は、例えば度数が最も多い泡個数を、現在の処理液の泡個数と推定し、該泡個数から処理液の沸騰状態を特定してもよい。

図１９は、泡個数と沸騰状態との関係を示す図である。図１９に示されるように、予め、推定される泡個数（例えば度数が最も多い泡個数）の範囲と沸騰状態とは関連付けられており、泡個数が少ない順に、「未沸騰」「弱沸騰」「適沸騰」「強沸騰」「過沸騰」に分けられる。「未沸騰」とは例えば気泡が発生しておらず液面の波立ちがなく穏やかな状態である。「弱沸騰」とは例えば気泡が発生していることを目視で確認できるものの液面の波立ちがほとんどない状態である。「適沸騰」とは小さな気泡が大量に発生し液面の波立ちが目視で確認できる状態である。「強沸騰」とは大きな気泡が大量に発生しており液面が大きく波打っている状態である。「過沸騰」とは大きな気泡が大量に発生しており液面が激しく波打ち、吹き零れが発生している状態である。そして、制御部７は、沸騰状態に基づき処理液の濃度を調整する。処理液の濃度が低い場合に沸騰状態が強くなるため、制御部７は、例えば沸騰状態が強い場合には処理液の濃度が高くなるように調整する。制御部７は、沸騰状態の特定（及び、沸騰状態に基づく処理液の濃度の調整）を所定周期で繰り返し実行する。

上述した画像解析による沸騰状態のコントロール手法の一例の詳細について、以下に説明する。撮像された画像はＰＣに取り込まれてデータベース化されている。これらの画像について、画像処理ソフトを用いて沸騰状態が判断される。そして、基準沸騰状態との乖離がある場合（基準沸騰状態から変化している場合）には、変化量フィードバック処理（変化した濃度を所定範囲に戻す処理）が行われ、処理液の沸騰状態が一定に維持される。画像処理ソフトを用いた処理では、最初に、撮像された気泡画像と背景画像（水単相流画像）との間で差分画像を作成する。これにより、画像中の同位置における画素輝度値（単位面積当たりの明るさ）の差の絶対値をとって新たな画像（差分画像）を作成することができる。当該差分画像においては、気泡以外の部分が取り除かれている。つづいて、差分画像にメディアンフィルターをかけて細かなノイズを除去する（すなわち、気泡と思われる輝度以外のノイズを除去する）。つづいて、２値化処理を行い、気泡のみを画像から抽出し気泡の個数を計測する。気泡径が所定値以下（例えば０．４ｍｍ以下）の気泡については、計測精度の悪化を回避するために計測対象から除いてもよい。このような処理を各画像について行い、泡個数が同じ画像の数（度数）を導出し計測結果とする。つづいて、計測結果と、データベースに格納された各沸騰状態での気泡の個数（図１９参照）とを照合し、現在の沸騰状態を判断する。なお、計測結果としては、上述したように度数が最も多い泡個数を用いてもよいし、最大の泡個数を用いてもよい。そして、基準沸騰状態から変化している場合には、変化量分を濃度にフィードバックして沸騰状態を調整する。

上述したように、基板液処理装置Ａ１が、処理槽４１内の処理液を撮像可能な位置に設けられた撮像部７００を更に備えていることにより、処理槽４１内の処理液の状態（例えば沸騰状態）を容易に把握することが可能となり、処理液の状態に応じて処理液の調整（例えば処理液の濃度調整）を容易且つ確実に行うことができる。

また、制御部７が撮像部７００によって撮像された画像に基づき処理液の沸騰状態を特定している。沸騰状態の特定方法としては、水頭圧センサ等のセンサを用いる方法が考えられる。しかしながら、センサは個体差や調整のばらつきなどが生じやすいため沸騰状態を正確に把握することが困難である。この点、撮像部７００によって撮像された画像から処理液の沸騰状態を特定することにより、実際に人が目視する場合と同様に高精度に処理液の沸騰状態を特定することができる。そして、制御部７では、画像に基づき処理液における気泡の個数を推定し、気泡の個数に基づき沸騰状態を特定している。気泡の個数と沸騰状態とは密接に関連するところ、上述した方法によってより高精度に沸騰状態を特定することができる。また、制御部７は、複数の画像それぞれにおける気泡の個数を推定し、複数の画像それぞれにおける気泡の個数に基づき沸騰状態を特定することにより、例えば１枚だけの画像から沸騰状態を特定する場合と比較して、より高精度に沸騰状態を特定することができる。

また、制御部７では、沸騰状態に基づき処理液の濃度を調整することによって、容易な方法により、処理液の濃度を所望の範囲に調整することができる。制御部７は、沸騰状態の特定を所定周期で繰り返し実行することにより、沸騰状態に基づく濃度調整等の処理を継続的に行うことができる。なお、撮像部７００が処理槽４１の上方に設けられていることによって、処理液の気泡を特定しやすくなり、沸騰状態の特定をより高精度に行うことができる。

Ａ１…基板液処理装置、７…制御部、８…基板、４１…処理槽、４３…処理液、７０…ガスノズル、９０…ガス供給部、９３…ガス供給ライン、９５…減圧部、９６…開放バルブ（バルブ）、９７…開放ライン。７００…撮像部。

Claims (7)

1. 処理液及び基板を収容する処理槽と、
   前記処理槽内の前記処理液を撮像可能な位置に設けられた撮像部と、
   前記撮像部によって撮像された画像に基づき前記処理液の沸騰状態を特定し、特定した沸騰状態に基づき前記処理液の濃度を調整する制御部と、を備え、
   前記制御部は、所定期間において前記撮像部によって撮像された複数の画像それぞれにおける気泡の個数を推定し、推定した気泡の個数と、気泡の個数の範囲及び沸騰状態を示す区分が関連付けられた情報とに基づき、推定した前記気泡の個数に応じた前記沸騰状態を示す区分を特定する、基板液処理装置。
2. 前記制御部は、
   前記撮像部によって撮像されて取り込まれた前記複数の画像について、画像処理ソフトを用いて、沸騰状態を特定し、
   特定した沸騰状態が、基準となる沸騰状態から乖離している場合には、乖離が小さくなるようにフィードバック処理を行い、前記処理液の濃度を一定に維持する、請求項１記載の基板液処理装置。
3. 前記制御部は、前記撮像部によって撮像された画像と、背景画像である水単相流画像との間で差分画像を生成し、該差分画像に基づき、前記処理液の沸騰状態を特定する、請求項１又は２記載の基板液処理装置。
4. 前記制御部は、前記差分画像にメディアンフィルターをかけてノイズを除去する、請求項３記載の基板液処理装置。
5. 前記制御部は、ノイズが除去された前記差分画像について２値化処理を行い、気泡のみを画像から抽出して、気泡の個数を推定する、請求項４記載の基板液処理装置。
6. 基板液処理装置が実施する基板液処理方法であって、
   処理液及び基板を収容する処理槽内の前記処理液を撮像することと、
   所定期間において撮像された複数の画像それぞれにおける気泡の個数を推定することと、
   推定した気泡の個数と、気泡の個数の範囲及び沸騰状態を示す区分が関連付けられた情報とに基づき、推定した前記気泡の個数に応じた前記沸騰状態を示す区分を特定することと、
   特定した前記沸騰状態に基づき、前記処理液の濃度を調整することと、を含む基板液処理方法。
7. 請求項６に記載の基板液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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