JP2022077680A - シリコン破砕用低汚染衝撃工具 - Google Patents
シリコン破砕用低汚染衝撃工具 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022077680A JP2022077680A JP2020188620A JP2020188620A JP2022077680A JP 2022077680 A JP2022077680 A JP 2022077680A JP 2020188620 A JP2020188620 A JP 2020188620A JP 2020188620 A JP2020188620 A JP 2020188620A JP 2022077680 A JP2022077680 A JP 2022077680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- striking
- crushing
- silicon
- impact tool
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 19
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 claims description 4
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Percussive Tools And Related Accessories (AREA)
Abstract
Description
これらの不純物は極微量(金属汚染はpptレベル、カーボン汚染はppmレベル)であっても半導体デバイスの特性に影響を及ぼすことは知られている。
単結晶に加工するにはFZ法(フローテイングゾーン法)とCZ法〈チョクラルスキー法〉とが有る。
多結晶シリコンを小さく破砕する場合、小さくなるほど適切な破砕工具と工具に応じた破砕力が必要となる。従来は、ハンマーを使用して破砕していた。ハンマーで破砕するには 数回~数十回の打撃が必要であった。
特許文献1に記載のハンマーは、ハンドル部、ハンドル部の一端に一体的に設けられたヘッド部、該ヘッド部に接するように設けられ、打撃要素となるタングステンカーバイド合金で作られた打撃ブロック、及び打撃ブロックの打撃部分を外部に露出させた状態で全体を被覆する合成樹脂(ウレタン樹脂)製のカバーとで構成されている。即ち、従来のハンマーは打撃ブロックの打撃部分を除いて合成樹脂に封入され、極力金属部分が外部に露出しないような構造となっている。
しかしながら、上記のように打撃回数が増えると、当然、付着タングステンカーバイドの量も打撃回数に比例して増加し、上記リフトオフエッチングを施しても取りきれず、これまで破砕小片にタングステンカーバイドが付着した状態で使用されていた。このようなタングステンカーバイドが付着した小片を使用すれば、その材料を使用した単結晶にWやCが当然取り込まれることになる。
棒状のハンドル部1と、
前記ハンドル部1の一端に、前記ハンドル部1に対して直交するように設けられヘッド部2と、
前記ヘッド部2の先端に設けられ、破砕対象を打撃する打撃部3とで構成されたシリコン破砕用低汚染衝撃工具であって、
打撃部3がジルコニアブロックで形成されていることを特徴とする。
打撃部3は球体で形成され、前記ヘッド部2の先端面5は打撃部3に合わせて凹球面に形成され、該凹球面に形成された先端面5に球体の打撃部3が接着固定されていることを特徴とする。
前記凹球面状に形成された先端面5には複数のアンカー孔6が形成され、前記アンカー孔6に流れ込んで固化した接着剤4と、先端面5に塗布されて打撃部3を接着する接着剤4とが一体となって前記打撃部3を前記凹球面状に形成された先端面5に接着して成ることを特徴とする。
前記アンカー孔6にはネジタップ加工により螺旋溝が施されていることを特徴とする。
加えて、打撃部3を構成するジルコニアはタングステンカーバイドに比べて損耗の度合いも小さく、工具の交換頻度も大幅に小さく出来るというメリットもある。
ハンドル部1は棒状の部材であり、その一端にヘッド部2が設けられている。
ヘッド部2は短い円柱状の部材で、中央に通孔9が穿設され、ハンドル部1の一端が挿入されて固定されている。従って、ヘッド部2はハンドル部1に対して直交するように設けられる。
ハンドル部1とヘッド部2の材質は、木製或いは金属製で、金属製の場合は全体が図示しない樹脂被膜で覆われている。ハンドル部1の他端が把持部10となる。
なお、図では両先端面5を凹半球状としたが一方だけでも良い。また、凹半球状の先端面5の最大深さは打撃部3の半径となる。
打撃部3は球状であるため、打撃点に力が集中し、多結晶シリコンブロックを効果的に破砕する。この時、打撃部3は球状のジルコニアブロックで形成されているので、打点は球状となり多結晶シリコンブロックに食い込まず、打痕転写が発生しないばかりか、打撃部3がこの打撃によって損耗することはない。
多結晶シリコンブロックは所定の大きさまで破砕されるが、従来の大きさまで破砕する場合に比べて上記のように数倍~10倍程度の打撃を必要とする。しかし、破砕シリコンの表面には上記のようにジルコニアの打痕転写は発生しない。
Claims (4)
- 棒状のハンドル部と、前記ハンドル部の一端に、前記ハンドル部に対して直交するように設けられヘッド部と、前記ヘッド部の先端に設けられ、破砕対象を打撃する打撃部とで構成されたシリコン破砕用低汚染衝撃工具において、
打撃部がジルコニアブロックで形成されていることを特徴とするシリコン破砕用低汚染衝撃工具。 - 打撃部は球体で形成され、前記ヘッド部の先端面は打撃部に合わせて凹球面に形成され、該凹球面に形成された先端面に球体の打撃部が接着固定されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコン破砕用低汚染衝撃工具。
- 前記凹球面状に形成された先端面には複数のアンカー孔が形成され、前記アンカー孔に流れ込んで固化した接着剤と、先端面に塗布されて打撃部を接着する接着剤とが一体となって前記打撃部を前記凹球面状に形成された先端面に接着して成ることを特徴とする請求項2に記載のシリコン破砕用低汚染衝撃工具。
- 前記アンカー孔にはネジタップ加工により螺旋溝が施されていることを特徴とする請求項3に記載のシリコン破砕用低汚染衝撃工具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020188620A JP7316670B2 (ja) | 2020-11-12 | 2020-11-12 | シリコン破砕用低汚染衝撃工具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020188620A JP7316670B2 (ja) | 2020-11-12 | 2020-11-12 | シリコン破砕用低汚染衝撃工具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022077680A true JP2022077680A (ja) | 2022-05-24 |
JP7316670B2 JP7316670B2 (ja) | 2023-07-28 |
Family
ID=81706609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020188620A Active JP7316670B2 (ja) | 2020-11-12 | 2020-11-12 | シリコン破砕用低汚染衝撃工具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7316670B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5997856A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-05 | 京セラ株式会社 | セラミツク製ハンマ− |
JPH05254928A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Showa Denko Kk | チタン酸バリウム系正特性半導体磁器の製造方法 |
JPH09142144A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-03 | Delta Kogyo Co Ltd | ミラーユニット付きサンバイザおよびその製造方法 |
JPH106242A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Tokuyama Corp | ハンマー |
JP2010030026A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン破砕用ハンマー |
WO2013073035A1 (ja) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | 硫化物固体電解質の製造方法 |
JP2014061629A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Yachihoko Kagaku Kk | ラインストーン付き装飾体、及びその製造方法 |
JP2018007598A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 株式会社シマノ | 釣糸ガイド及び釣竿並びに釣糸ガイドのガイドフレーム |
-
2020
- 2020-11-12 JP JP2020188620A patent/JP7316670B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5997856A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-05 | 京セラ株式会社 | セラミツク製ハンマ− |
JPH05254928A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-05 | Showa Denko Kk | チタン酸バリウム系正特性半導体磁器の製造方法 |
JPH09142144A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-03 | Delta Kogyo Co Ltd | ミラーユニット付きサンバイザおよびその製造方法 |
JPH106242A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-13 | Tokuyama Corp | ハンマー |
JP2010030026A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン破砕用ハンマー |
WO2013073035A1 (ja) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | 硫化物固体電解質の製造方法 |
JP2014061629A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Yachihoko Kagaku Kk | ラインストーン付き装飾体、及びその製造方法 |
JP2018007598A (ja) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 株式会社シマノ | 釣糸ガイド及び釣竿並びに釣糸ガイドのガイドフレーム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7316670B2 (ja) | 2023-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101456715B1 (ko) | 다결정 실리콘 파쇄용 해머 | |
JP3551867B2 (ja) | シリコンフォーカスリング及びその製造方法 | |
JP4813021B2 (ja) | ポリシリコンの製造方法 | |
JP5292526B2 (ja) | シリカガラスルツボおよびその製造方法 | |
Billig | Some defects in crystals grown from the melt-I. Defects caused by thermal stresses | |
JP4948504B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ方法 | |
Lan et al. | Engineering silicon crystals for photovoltaics | |
WO2005123583A1 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法およびその製造方法によって製造される太陽電池用多結晶シリコン | |
JPH05319983A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP2000349073A (ja) | シリコン電極板 | |
WO2014017197A1 (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
JP2011068558A (ja) | 改善された破砕特性を有するロッド状ポリシリコン | |
JP2005320241A (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 | |
JP2022077680A (ja) | シリコン破砕用低汚染衝撃工具 | |
TW500841B (en) | Controlled neck growth process for single crystal silicon | |
JP2003192488A (ja) | シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法 | |
US9328009B2 (en) | Vitreous silica crucible for pulling silicon single crystal, and method for manufacturing the same | |
JPH07118089A (ja) | 多結晶のリチャージ装置およびリチャージ方法 | |
JP2001158688A (ja) | シリコン種結晶とその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
JPH09175808A (ja) | シリコン成形体用前駆体 | |
JP2009234889A (ja) | 種結晶の製造方法および種結晶 | |
JP4081879B2 (ja) | 多結晶シリコン棒の製造装置に用いられるノズル構造 | |
JP2008019107A (ja) | 多結晶シリコン | |
TW202408929A (zh) | 碳化矽粉末、其製造方法和使用其製造碳化矽晶圓的方法 | |
CN117604650A (zh) | 碳化硅粉末、其制造方法和使用其制造碳化硅晶片的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230502 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7316670 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |