JP2022055131A - コイル部品 - Google Patents

Abstract

【課題】３つの平面スパイラルコイルを備えたコイル部品において、内外周差に起因する直流抵抗の差を低減する。
【解決手段】コイル部品１は、導体層１０に形成された平面スパイラルコイルＣ１ａ、Ｃ３ａと、導体層２０に形成された平面スパイラルコイルＣ２ａと、導体層３０に形成された平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂと、導体層４０に形成された平面スパイラルコイルＣ２ｂとを備える。平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂのパターン幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂは、スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂのパターン幅Ｗ３ａ，Ｗ３ｂよりも広く、平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂは平面視で平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂ側にオフセットしている。これにより、内外周差に起因する直流抵抗の差が低減するとともに、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂと平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂのパターン幅の差に起因する容量バランスの崩れが抑制される。
【選択図】図１３

Description

本発明はコイル部品に関し、特に、３つの平面スパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品に関する。

一般的なコモンモードフィルタは、２つの平面スパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品であり、差動伝送線路に重畳するコモンモードノイズを除去するために広く使用されている。ところが、近年においては３ラインを１セットとする伝送線路が用いられることがあり、このような伝送線路に重畳するコモンモードノイズを除去するためのコイル部品として、３つの平面スパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品が求められている。

３つの平面スパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品としては、特許文献１～３に記載されたコイル部品が知られている。特許文献１の図２、特許文献２の図３及び特許文献３の図３には、２つの平面スパイラルコイルが形成された導体層と１つの平面スパイラルコイルが形成された導体層が交互に積層された構造を有するコイル部品が開示されている。

特許第６５８６８７８号公報 特開２０２０－０３８９７９号公報 特許第６６７８２９２号公報

しかしながら、特許文献１～３に記載のコイル部品は、同じ導体層に形成された２つの平面スパイラルコイルのパターン幅が同じであることから、内外周差によって直流抵抗に差が生じるという問題があった。

したがって、本発明は、３つの平面スパイラルコイルを備えたコイル部品において、内外周差に起因する直流抵抗の差を低減することを目的とする。

本発明によるコイル部品は、絶縁層を介して積層され、互いに巻回数の等しい第１、第２及び第３の平面スパイラルコイルが形成された複数の導体層と、第１、第２及び第３の平面スパイラルコイルの一端にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の端子電極と、第１、第２及び第３の平面スパイラルコイルの他端にそれぞれ接続された第４、第５及び第６の端子電極とを備え、複数の導体層は積層方向にこの順に配列された第１及び第２の導体層を含み、第１及び第３の平面スパイラルコイルは第１の導体層に形成され、第２の平面スパイラルコイルは第２の導体層に形成され、第１の平面スパイラルコイルは第３の平面スパイラルコイルよりも外周側に位置し、第１の平面スパイラルコイルは第３の平面スパイラルコイルよりもパターン幅が広く、第２の平面スパイラルコイルは平面視で第３の平面スパイラルコイル側にオフセットしていることを特徴とする。

本発明によれば、外周側に位置する第１の平面スパイラルコイルのパターン幅が拡大されていることから、内外周差に起因する直流抵抗の差が低減する。しかも、第２の平面スパイラルコイルが第３の平面スパイラルコイル側にオフセットしていることから、第１の平面スパイラルコイルと第３の平面スパイラルコイルのパターン幅の差に起因する容量バランスの崩れを抑制することも可能となる。

本発明において、複数の導体層は積層方向にこの順に配列された第１、第２、第３及び第４の導体層を含み、第１及び第３の平面スパイラルコイルは第３の導体層にさらに形成され、第２の平面スパイラルコイルは第４の導体層にさらに形成されていても構わない。これによれば、より多くのターン数を確保することが可能となる。

この場合、第２の導体層に形成された第２の平面スパイラルコイルのパターン幅は、第４の導体層に形成された第２の平面スパイラルコイルのパターン幅よりも狭く、或いは、第３の導体層に形成された第１及び第３の平面スパイラルコイルのパターン幅は、第１の導体層に形成された第１及び第３の平面スパイラルコイルのパターン幅よりも狭くても構わない。これによれば、第２の導体層と第３の導体層の間で生じる浮遊容量が低減されることから、３つの平面スパイラルコイルを備えた従来のコイル部品と比べてモード変換特性などの高周波特性を高めることが可能となる。

このように、本発明によれば、３つの平面スパイラルコイルを備えたコイル部品において、内外周差に起因する直流抵抗の差を低減することが可能となる。

図１は、本発明の一実施形態によるコイル部品１の外観を示す略斜視図である。 図２はコイル部品１の略分解斜視図である。 図３は、導体層１０の略平面図である。 図４は、絶縁層７０の略平面図である。 図５は、導体層２０の略平面図である。 図６は、絶縁層８０の略平面図である。 図７は、導体層３０の略平面図である。 図８は、絶縁層９０の略平面図である。 図９は、導体層４０の略平面図である。 図１０は、絶縁層１００の略平面図である。 図１１は、コイル部品１の等価回路図である。 図１２は、コイル部品１が搭載される回路基板５のパターン形状を説明するための模式的な平面図である。 図１３は、積層方向における平面スパイラルコイルＣ１ａ～Ｃ３ａ，Ｃ１ｂ～Ｃ３ｂの部分断面図である。 図１４は、変形例による平面スパイラルコイルＣ１ａ～Ｃ３ａ，Ｃ１ｂ～Ｃ３ｂの部分断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態によるコイル部品１の外観を示す略斜視図であって、実装状態に対して上下反転させた図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１は、略直方体形状である表面実装型のコモンモードフィルタであり、基板２と、基板２の表面に設けられたコイル層３と、コイル層３を覆う樹脂層４と、コイル層３に接続された６つの端子電極５１～５６とを備えている。基板２はフェライトなどの磁性材料又は非磁性材料からなり、コイル層３を支持するとともに、コイル部品１の機械的強度を確保する役割を果たす。基板２が磁性材料からなる場合、基板２はコイル層３によって生じる磁界の磁路としても機能する。樹脂層４についても、磁性材料又は非磁性材料を用いることができる。樹脂層４が磁性材料、例えば、バインダー樹脂に金属磁性体などからなる磁性粉が分散された複合材料からなる場合、コイル層３によって生じる磁界の磁路として機能する。樹脂層４については省略することも可能である。端子電極５１～５６は、それぞれコイル部品１の角部又は縁部に配置されており、上面及び側面が露出するよう樹脂層４に埋め込まれている。

端子電極５１～５３はｘ方向に延在する一方の長辺に沿って設けられ、端子電極５４～５６はｘ方向に延在する他方の長辺に沿って設けられている。特に限定されるものではないが、端子電極５１，５３，５４，５６はコイル部品１の角部に配置されている。このため、これら端子電極５１，５２，５４，５５については、コイル部品１の３つの側面（ｘｙ面、ｘｚ面、ｙｚ面）に露出している。これに対し、残りの端子電極５２，５５については、コイル部品１の２つの側面（ｘｙ面、ｘｚ面）に露出している。特に限定されるものではないが、端子電極５１～５６は厚膜めっき法によって形成され、その厚さはスパッタリング法やスクリーン印刷により形成される電極パターンよりも十分に厚い。

図２はコイル部品１の略分解斜視図である。

図２に示すように、コイル層３は、基板２側から樹脂層４側に向かって順に積層された絶縁層６０，７０，８０，９０，１００を備えており、これら絶縁層６０，７０，８０，９０，１００間に４つの導体層１０，２０，３０，４０が形成されている。絶縁層６０，７０，８０，９０，１００は樹脂などの絶縁材料からなり、導体層１０，２０，３０，４０を互いに分離する役割を果たす。導体層１０，２０，３０，４０は、銅（Ｃｕ）などの良導体からなる。

絶縁層６０の表面には、導体層１０が形成される。図３に示すように、導体層１０は、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ３ａと接続パターン１１，１３，１７，１９を備えている。平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ３ａは、平面スパイラルコイルＣ１ａが外周側、平面スパイラルコイルＣ３ａが内周側となるよう、互いに沿って同心円状に３ターン巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）である。平面スパイラルコイルＣ１ａの外周端は接続パターン１１に接続され、内周端は接続パターン１７に接続されている。平面スパイラルコイルＣ３ａの外周端は接続パターン１３に接続され、内周端は接続パターン１９に接続されている。後述するように、平面スパイラルコイルＣ１ａのパターン幅は、平面スパイラルコイルＣ３ａのパターン幅よりも大きい。

導体層１０は絶縁層７０で覆われる。図４に示すように、絶縁層７０にはビア７１，７３，７７，７９が設けられている。ビア７１，７３，７７，７９はそれぞれ接続パターン１１，１３，１７，１９と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン１１，１３，１７，１９はそれぞれビア７１，７３，７７，７９を介して絶縁層７０から露出する。

絶縁層７０の表面には、導体層２０が形成される。図５に示すように、導体層２０は、平面スパイラルコイルＣ２ａと接続パターン２１～２３，２７～２９を備えている。平面スパイラルコイルＣ２ａは、平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）に３ターン巻回されている。平面スパイラルコイルＣ２ａの外周端は接続パターン２２に接続され、内周端は接続パターン２８に接続されている。他の接続パターン２１，２３，２７，２９は面内において他のパターンに接続されておらず、それぞれ独立して設けられている。接続パターン２１，２３，２７，２９は、それぞれビア７１，７３，７７，７９と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン２１，２３，２７，２９はそれぞれ接続パターン１１，１３，１７，１９に接続される。

導体層２０は絶縁層８０で覆われる。図６に示すように、絶縁層８０にはビア８１～８３，８７～８９が設けられている。ビア８１～８３，８７～８９はそれぞれ接続パターン２１～２３，２７～２９と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン２１～２３，２７～２９はそれぞれビア８１～８３，８７～８９を介して絶縁層８０から露出する。

絶縁層８０の表面には、導体層３０が形成される。図７に示すように、導体層３０は、平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂと接続パターン３１～３４，３６～３９を備えている。平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂは、平面スパイラルコイルＣ１ｂが外周側、平面スパイラルコイルＣ３ｂが内周側となるよう、互いに沿って同心円状に３ターン巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって反時計回り（左回り）である。平面スパイラルコイルＣ１ｂの外周端は接続パターン３４に接続され、内周端は接続パターン３７に接続されている。平面スパイラルコイルＣ３ｂの外周端は接続パターン３６に接続され、内周端は接続パターン３９に接続されている。後述するように、平面スパイラルコイルＣ１ｂのパターン幅は、平面スパイラルコイルＣ３ｂのパターン幅よりも大きい。他の接続パターン３１～３３，３８は面内において他のパターンに接続されておらず、それぞれ独立して設けられている。接続パターン３１～３３，３７～３９は、それぞれビア８１～８３，８７～８９と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン３１～３３，３７～３９はそれぞれ接続パターン２１～２３，２７～２９に接続される。その結果、平面スパイラルコイルＣ１ｂの内周端は、接続パターン３７，２７，１７を介して平面スパイラルコイルＣ１ａの内周端に接続される。同様に、平面スパイラルコイルＣ３ｂの内周端は、接続パターン３９，２９，１９を介して平面スパイラルコイルＣ３ａの内周端に接続される。

導体層３０は絶縁層９０で覆われる。図８に示すように、絶縁層９０にはビア９１～９４，９６，９８が設けられている。ビア９１～９４，９６，９８はそれぞれ接続パターン３１～３４，３６，３８と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン３１～３４，３６，３８はそれぞれビア９１～９４，９６，９８を介して絶縁層９０から露出する。

絶縁層９０の表面には、導体層４０が形成される。図９に示すように、導体層４０は、平面スパイラルコイルＣ２ｂと接続パターン４１～４６，４８を備えている。平面スパイラルコイルＣ２ｂは、平面視で外周端から内周端に向かって反時計回り（左回り）に３ターン巻回されている。平面スパイラルコイルＣ２ｂの外周端は接続パターン４５に接続され、内周端は接続パターン４８に接続されている。他の接続パターン４１～４４，４６は面内において他のパターンに接続されておらず、それぞれ独立して設けられている。接続パターン４１～４４，４６，４８は、それぞれビア９１～９４，９６，９８と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン４１～４４，４６，４８はそれぞれ接続パターン３１～３４，３６，３８に接続される。その結果、平面スパイラルコイルＣ２ｂの内周端は、接続パターン４８，３８，２８を介して平面スパイラルコイルＣ２ａの内周端に接続される。

導体層４０は絶縁層１００で覆われる。図１０に示すように、絶縁層１００にはビア１０１～１０６が設けられている。ビア１０１～１０６はそれぞれ接続パターン４１～４６と重なる位置に設けられており、これにより接続パターン４１～４６はそれぞれビア１０１～１０６を介して絶縁層１００から露出する。

絶縁層１００の表面には樹脂層４及び端子電極５１～５６が設けられる。端子電極５１～５６は、それぞれビア１０１～１０６と重なる位置に設けられており、これにより端子電極５１～５６はそれぞれ接続パターン４１～４６に接続される。

図１１は、本実施形態によるコイル部品１の等価回路図である。

図１１に示すように、端子電極５１と端子電極５４の間には平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂが直列に接続され、端子電極５２と端子電極５５の間には平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂが直列に接続され、端子電極５３と端子電極５６の間には平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂが直列に接続される。直列接続された平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂはインダクタＬ１を構成し、直列接続された平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂはインダクタＬ２を構成し、直列接続された平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂはインダクタＬ３を構成する。インダクタＬ１～Ｌ３のターン数はいずれも６ターンである。そして、本実施形態によるコイル部品１は、３つのインダクタＬ１～Ｌ３が互いに磁気結合する３ラインのコモンモードフィルタ回路を構成する。

図１２は、コイル部品１が搭載される回路基板５のパターン形状を説明するための模式的な平面図である。

図１２に示す回路基板５は、コイル部品１が搭載される搭載領域６を有している。搭載領域６には、それぞれ端子電極５１～５６に対応するランドパターンＰ１～Ｐ６が設けられており、コイル部品１が搭載領域６に搭載されると、半田を介して、端子電極５１～５６とランドパターンＰ１～Ｐ６がそれぞれ電気的に接続される。

回路基板５には、それぞれランドパターンＰ１～Ｐ６に接続された信号配線Ｄ１～Ｄ６が設けられている。このうち、３ラインの信号配線Ｄ１～Ｄ３は１セットの配線群Ｓ１を構成し、３ラインの信号配線Ｄ４～Ｄ６も１セットの配線群Ｓ２を構成する。配線群Ｓ１は例えば入力側の配線群であり、配線群Ｓ２は例えば出力側の配線群である。各配線群Ｓ１，Ｓ２によって伝送される３信号は、２つの信号の電位差によってデータが表現される。例えば、配線群Ｓ１においては、信号配線Ｄ１のレベルと信号配線Ｄ２のレベルの大小関係、信号配線Ｄ１のレベルと信号配線Ｄ３のレベルの大小関係、並びに、信号配線Ｄ２のレベルと信号配線Ｄ３のレベルの大小関係によってデータが表現される。配線群Ｓ２においても同様である。したがって、この例では一度に３ビットのデータを伝送することができる。そして、このような配線群Ｓ１と配線群Ｓ２との間に本実施形態によるコイル部品１を挿入することにより、３信号に重畳したコモンモードノイズを除去することができる。

図１３は、積層方向における平面スパイラルコイルＣ１ａ～Ｃ３ａ，Ｃ１ｂ～Ｃ３ｂの部分断面図である。

図１３に示すように、平面スパイラルコイルＣ１ａ～Ｃ３ａ，Ｃ１ｂ～Ｃ３ｂの径方向における幅はそれぞれＷ１ａ～Ｗ３ａ，Ｗ１ｂ～Ｗ３ｂである。また、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ３ａの厚さはＨ１３ａであり、平面スパイラルコイルＣ２ａの厚さはＨ２ａであり、平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂの厚さはＨ１３ｂであり、平面スパイラルコイルＣ２ｂの厚さはＨ２ｂである。そして、本実施形態においては、
Ｗ２ａ＝Ｗ２ｂ＞Ｗ１ａ＝Ｗ１ｂ＞Ｗ３ａ＝Ｗ３ｂ
Ｈ１３ａ＝Ｈ１３ｂ＞Ｈ２ａ＝Ｈ２ｂ
を満たしている。

このように、導体層１０，３０において外周側に位置する平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂのパターン幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂを内周側に位置する平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂのパターン幅Ｗ３ａ，Ｗ３ｂよりも広くすることによって、内外周差に起因する直流抵抗の差を低減することができる。

さらに、平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂは、仮想線７に対して平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂ側にオフセットして配置されている。仮想線７は、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ３ａ（Ｃ１ｂ，Ｃ３ｂ）の同一ターン間における中心位置である。つまり、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ３ａ（Ｃ１ｂ，Ｃ３ｂ）の同一ターン間におけるスペース幅をＷ０ａ（Ｗ０ｂ）とした場合、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ３ａ（Ｃ１ｂ，Ｃ３ｂ）のエッジからＷ０ａ／２（Ｗ０ｂ／２）となる位置が仮想線７の位置である。そして、平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂの径方向における中心位置は仮想線７とは一致せず、平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂ側にオフセットしている。

これは、平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂの径方向における中心位置を仮想線７と一致させると、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂのパターン幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂが拡大されている分、平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ２ａ間（Ｃ１ｂ，Ｃ２ｂ間）の容量成分が平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ２ａ間（Ｃ３ｂ，Ｃ２ｂ間）の容量成分よりも大きくなり、容量バランスが崩れてしまう。この点を考慮し、本実施形態においては、平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂを平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂ側にオフセットさせることにより、容量バランスの崩れを防止している。これにより、インダクタＬ１～Ｌ３が略均等に磁気結合する。

尚、幅Ｗ１ａとＷ１ｂが互いに同じである点は必須ではなく、幅Ｗ３ａとＷ３ｂが互いに同じである点も必須ではない。また、幅Ｗ１ａ，Ｗ３ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ３ｂが幅Ｗ２ａ，Ｗ２ｂよりも小さい点も必須ではない。厚さＨ１３ａ，Ｈ１３ｂについても互いに同じである点は必須ではなく、厚さＨ２ａ，Ｈ２ｂについても互いに同じである点は必須でない。さらに、厚さＨ１３ａ，Ｈ１３ｂが厚さＨ２ａ，Ｈ２ｂよりも厚い点も必須ではない。

このように、本実施形態によるコイル部品１は、外周側に位置する平面スパイラルコイルＣ１ａ，Ｃ１ｂのパターン幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂを拡大していることから、内外周差に起因する直流抵抗の差を低減することができる。しかも、平面スパイラルコイルＣ２ａ，Ｃ２ｂを平面スパイラルコイルＣ３ａ，Ｃ３ｂ側にオフセットさせていることから、容量バランスも維持される。

図１４は、変形例による平面スパイラルコイルＣ１ａ～Ｃ３ａ，Ｃ１ｂ～Ｃ３ｂの部分断面図である。

図１４に示す変形例では、
Ｗ２ｂ＞Ｗ２ａ
を満たしている点において、上記実施形態によるコイル部品１と相違している。このように、平面スパイラルコイルＣ２ａのパターン幅Ｗ２ａを細くすれば、導体層２０に位置する平面スパイラルコイルＣ２ａと導体層３０に位置する平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂの間の浮遊容量が減少することから、かかる浮遊容量に起因する高周波特性の悪化を防止することができる。浮遊容量をより低減するためには、平面視で、平面スパイラルコイルＣ２ａと平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂが重ならないよう設計することが好ましい。一方、平面スパイラルコイルＣ２ａのパターン幅Ｗ２ａを細くすると、インダクタＬ２の直流抵抗が高くなるとともに、インダクタＬ２とインダクタＬ１，Ｌ３との間の容量バランスが変化することから、これを相殺すべく、導体層４０に位置する平面スパイラルコイルＣ２ｂのパターン幅Ｗ２ｂをパターン幅Ｗ２ａよりも拡大している。これにより、インダクタＬ２の直流抵抗の増加が抑えられるとともに、インダクタＬ２とインダクタＬ１，Ｌ３との間の容量バランスを維持することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施形態では、基板２に導体層１０，２０，３０，４０がこの順に積層されているが、逆に、導体層４０，３０，２０，１０の順に積層しても構わない。

また、平面スパイラルコイルＣ２ａと平面スパイラルコイルＣ１ｂ，Ｃ３ｂの間に生じる浮遊容量をよりいっそう低減すべく、絶縁層８０の材料として、他の絶縁層６０，７０，９０，１００よりも誘電率の低い材料を用いることも可能である。

１ コイル部品
２ 基板
３ コイル層
４ 樹脂層
５ 回路基板
６ 搭載領域
７ 仮想線
１０，２０，３０，４０ 導体層
１１，１３，１７，１９，２１～２３，２７～２９，３１～３４，３６～３９，４１～４６，４８ 接続パターン
５１～５６ 端子電極
６０，７０，８０，９０，１００ 絶縁層
７１，７３，７７，７９，８１～８３，８７～８９，９１～９４，９６，９８，１０１～１０６ ビア
Ｃ１ａ～Ｃ３ａ，Ｃ１ｂ～Ｃ３ｂ 平面スパイラルコイル
Ｄ１～Ｄ６ 信号配線
Ｌ１～Ｌ３ インダクタ
Ｐ１～Ｐ６ ランドパターン
Ｓ１，Ｓ２ 配線群

Claims (3)

1. 絶縁層を介して積層され、互いに巻回数の等しい第１、第２及び第３の平面スパイラルコイルが形成された複数の導体層と、
   前記第１、第２及び第３の平面スパイラルコイルの一端にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の端子電極と、
   前記第１、第２及び第３の平面スパイラルコイルの他端にそれぞれ接続された第４、第５及び第６の端子電極と、を備え、
   前記複数の導体層は、積層方向にこの順に配列された第１及び第２の導体層を含み、
   前記第１及び第３の平面スパイラルコイルは、前記第１の導体層に形成され、
   前記第２の平面スパイラルコイルは、前記第２の導体層に形成され、
   前記第１の平面スパイラルコイルは、前記第３の平面スパイラルコイルよりも外周側に位置し、
   前記第１の平面スパイラルコイルは、前記第３の平面スパイラルコイルよりもパターン幅が広く、
   前記第２の平面スパイラルコイルは、平面視で前記第３の平面スパイラルコイル側にオフセットしていることを特徴とするコイル部品。
2. 前記複数の導体層は、積層方向にこの順に配列された前記第１、前記第２、第３及び第４の導体層を含み、
   前記第１及び第３の平面スパイラルコイルは、前記第３の導体層にさらに形成され、
   前記第２の平面スパイラルコイルは、前記第４の導体層にさらに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記第２の導体層に形成された前記第２の平面スパイラルコイルのパターン幅は、前記第４の導体層に形成された前記第２の平面スパイラルコイルのパターン幅よりも狭く、或いは、前記第３の導体層に形成された前記第１及び第３の平面スパイラルコイルのパターン幅は、前記第１の導体層に形成された前記第１及び第３の平面スパイラルコイルのパターン幅よりも狭いことを特徴とする請求項２に記載のコイル部品。

Images