JP2022036105A5 - - Google Patents
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Description
第１の発明は、セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、前記樹脂材料は、シリコーンを含み、前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、－６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって、－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャックである。
第３の発明は、セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、前記樹脂材料は、シリコーンを含み、前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、２５℃における前記接合層の接合強度β２に対する－６０℃における前記接合層の接合強度β１の比β１／β２は、０．６以上１０以下であって、－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャックである。
第７の発明は、第１～第６のいずれか１つの発明において、前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有することを特徴とする静電チャックである。
Claims (11)
- セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
前記樹脂材料は、シリコーンを含み、
前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、
－６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であって、－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャック。 - 前記接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上２．０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
- セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
前記樹脂材料は、シリコーンを含み、
前記シリコーンは、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有し、
２５℃における前記接合層の接合強度β２に対する－６０℃における前記接合層の接合強度β１の比β１／β２は、０．６以上１０以下であって－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャック。 - 前記比β１／β２は、０．８以上であることを特徴とする請求項３記載の静電チャック。
- －６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。
- ２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下であることを特徴とする請求項１～５のいずれか１つに記載の静電チャック。
- 前記シリコーンは、シロキサン骨格にフェニル基が結合した分子構造を有する、請求項１～６のいずれか１つに記載の静電チャック。
- ２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．６０以上であることを特徴とする請求項１～７のいずれか１つに記載の静電チャック。
- －６０℃における前記接合層の接合強度β１は、０．４ＭＰａ以上１．９ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項３～８のいずれか１つに記載の静電チャック。
- 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１～９のいずれか１つに記載の静電チャック。
- 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１０記載の静電チャック。
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