JP2022018099A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に配置され、第１開口を含む絶縁層と、絶縁層上に配置され、第１開口に重畳せず、互いに離隔されて設けられる複数の第１電極と、第１開口と重畳せず、第１電極上に設けられる発光層と、発光層を含む中間層と、中間層上に設けられる第２電極と、第２電極上に設けられる封止層と、封止層上に配置され、第１開口と重畳する第２開口を含む偏光層と、を含む表示装置である。【選択図】図５

Description

本発明は、開口を含む表示装置に関する。
近年、表示装置の用途が多様になっている。表示装置において、表示領域が占める面積を拡大させながら、表示装置に接合させたり連繋させたりする多様な機能が追加されている。表示領域を拡大させながら、多様な機能を追加するための方案として、表示領域内部に開口を形成し、開口と重畳する位置に、例えば、カメラのような撮影装置を配置する表示装置がある。
表示領域内部に開口を形成するとき、開口周辺のデッドスペースを最小化させる製造工程が要求される。本発明は、前述のような問題点に鑑み、さまざまな問題点を解決するためのものであり、開口周辺のデッドスペースを最小化させ、開口形成工程で発生しうる不良を減らした表示装置を提供する。しかし、そのような課題は、例示的なものであり、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一実施形態は、基板と、前記基板上に配置され、第１開口を含む絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記第１開口に重畳せず、互いに離隔されて設けられる複数の第１電極と、前記第１開口と重畳せず、前記第１電極上に設けられる発光層と、前記発光層を含む中間層と、前記中間層上に設けられる第２電極と、前記第２電極上に設けられる封止層と、前記封止層上に配置され、前記第１開口と重畳する第２開口を含む偏光層と、を含む表示装置である。
前記封止層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する第１トレンチを含んでもよい。
前記封止層は、ガラス材であってもよい。
前記第１トレンチと前記基板との間に設けられる屈折率補償層をさらに含んでもよい。
前記屈折率補償層の屈折率は、空気の屈折率よりも大きく、前記封止層の屈折率よりも小さくてもよい。
前記屈折率補償層は、シリコン樹脂を含んでもよい。
前記封止層は、第１無機封止層、第２無機封止層、及び前記第１無機封止層と前記第２無機封止層との間に設けられる有機封止層を含んでもよい。
前記封止層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する領域、及び前記複数の画素に、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記有機封止層の前記第１開口及び前記第２開口と重畳する領域の厚みは、前記有機封止層の前記第１開口及び前記第２開口と重畳しない領域の厚みよりも厚くてもよい。
前記絶縁層は、多層の膜を含み、前記第１開口は、前記多層の膜のうち少なくとも１枚の膜によっても形成されてもよい。
前記中間層は、前記発光層と前記第１電極との間に設けられる第１中間層と、前記発光層と前記第２電極との間に設けられる第２中間層と、を含み、前記第１中間層と前記第２中間層とのうち少なくとも１層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳してもよい。
前記第２電極は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳してもよい。
前記第２電極と前記封止層との間に設けられるキャッピング層をさらに含み、前記キャッピング層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳してもよい。
前記基板は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する第２トレンチを含んでもよい。
前記複数の画素周囲を取り囲む画素定義膜と、前記画素定義膜上の一部領域に設けられるスペーサと、をさらに含み、前記スペーサは、前記第１開口周囲を取り囲んでもよい。
前記偏光層上に設けられる透明材質のカバー層をさらに含んでもよい。
前記偏光層と前記カバー層との間に設けられる接着層をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態は、基板と、前記基板上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、トレンチを含む第１領域と、前記トレンチを取り囲む第２領域と、を含む封止層と、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる発光層を含む中間層と、を含み、前記第２領域に重畳し、前記絶縁層と前記封止層との間に設けられる複数の画素、及び前記封止層上に配置され、前記トレンチと重畳する開口を含む偏光層とを含み、前記発光層は、前記第１領域と重畳しない表示装置である。
前記中間層は、前記発光層と前記第１電極との間に設けられる第１中間層と、前記発光層と前記第２電極との間に設けられる第２中間層と、を含み、前記第１中間層と前記第２中間層とのうち少なくとも１層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記第２電極は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記第２電極と前記封止層との間に設けられるキャッピング層をさらに含み、前記キャッピング層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記トレンチと前記基板との間に配置され、空気の屈折率より大きく、前記封止層の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態は、基板と、前記基板上に配置され、第１開口を含む第１領域と、前記第１領域を取り囲む第２領域と、を含む絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記第２領域に重畳し、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる発光層を含む中間層と、を含む複数の画素と、前記複数の画素上に設けられる封止層と、前記封止層上に配置され、前記第１開口に重畳する第２開口を含む偏光層と、を含み、前記発光層は、前記第１領域と重畳しない表示装置である。
前記中間層は、前記発光層と前記第１電極との間に設けられる第１中間層と、前記発光層と前記第２電極との間に設けられる第２中間層と、を含み、前記第１中間層と前記第２中間層とのうち少なくとも１層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記第２電極は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記第２電極と前記封止層との間に設けられるキャッピング層をさらに含み、前記キャッピング層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して配置されてもよい。
前記封止層は、前記第１領域に重畳するトレンチを含み、前記トレンチと前記基板との間に配置され、空気の屈折率より大きく、前記封止層の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層をさらに含んでもよい。
上述した以外の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明において、説明される。
本発明の一実施形態は、製品コスト上昇、及び工程増加による量産性低下を防止し、パーティクル不良要因を低減させ、透過領域がデッドスペースを減らすことができる。当該効果は、例示的なものであり、本実施形態による効果は、以下で示される各実施形態において詳細に説明する。
本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。 本発明の一実施形態による表示装置１を簡略に示した断面図であり、図１のII-II’線による断面を示す図面である。 本発明の一実施形態による表示装置１を概略的に示した平面図である。 表示装置のある１画素を概略的に示した等価回路図である。 本発明の一実施形態による表示装置を示した断面図であり、図２のＶ部分を拡大した断面図である。 図５のＶIＡ及びＶIＢ部分を拡大した断面図である。 本実施形態に使用された微細金属マスクを図示した平面図である。 図７のＶIII部分を拡大した平面図である。 レーザエッチング法で透過領域を形成する方法を概略的に図示した断面図である。 レーザエッチング法で透過領域を形成する方法を概略的に図示した断面図である。 透過領域と表示領域とに蒸着された蒸着物の組み合わせを例示的に示した断面図である。 透過領域と表示領域とに蒸着された蒸着物の組み合わせを例示的に示した断面図である。 透過領域と表示領域とに蒸着された蒸着物の組み合わせを例示的に示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置２を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置３を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置４を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置５を示した断面図である。
本発明に係る実施形態では、様々な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になる。本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されるのである。
以下において、添付された図面を参照し、本発明の各実施形態を詳細に説明する。図面を参照して説明するとき、同一または同様の構成要素は、同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を、他の構成要素と区別するために使用される。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素というような部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合のみならず、膜、領域、構成要素というような部分と、他の部分との間に、他の膜、領域、構成要素などが設けられている場合も含む。
ある実施形態が、異なる形態として実施可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なっていてもよい。例えば、連続する２つの工程が、同時または略同時に実行されてよく、説明される順序と反対の順序に実行されてもよい。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結または接続されているとき、膜、領域、構成要素が直接連結または接続されている場合のみならず、膜、領域、構成要素の間に、他の膜、領域、構成要素が設けられ、間接的に連結または接続されている場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されているとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続されている場合のみならず、その間に、他の膜、領域、構成要素などが設けられ、間接的に電気的に接続されている場合も含む。
図１は、本発明の一実施形態による表示装置１を概略的に示した斜視図である。
図１を参照すると、表示装置１は、透過領域ＴＡ、透過領域ＴＡを取り囲む表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡ周囲を取り囲む周辺領域ＰＡを含んでもよい。
表示装置１は、表示領域ＤＡに配された複数の画素から放出される光を利用し、所定のイメージを提供することができる。透過領域ＴＡは、表示領域ＤＡによっても取り囲まれる。透過領域ＴＡは、コンポーネントＣＰ（図２）が配される領域でもある。
以下では、本発明の一実施形態による表示装置１として、有機発光表示装置を例に挙げて説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではない。他の実施形態として、液晶表示装置、無機発光表示装置（inorganic light emitting display）、量子点発光表示装置（quantum dot light emitting display）のように、多様な方式の表示装置が使用されてもよい。
図１には、透過領域ＴＡが一つ具備され、略円形である形態を図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。透過領域ＴＡの個数は、２個以上であってもよい。また、それぞれの形状は、平面上において、円形、楕円形、三角形や四角形のような多角形、星形状、ダイヤモンド形状、非定型の形状のように、様々な形状をとることができる。
また、表示装置１は、携帯電話（mobile phone）、ノート型パソコン、スマートウォッチのような様々な電子機器であってもよい。
図２は、本発明の一実施形態による表示装置の断面を簡略に示した断面図であり、図１のII-II’線による断面を示す。
図２を参照すると、表示装置１は、透過領域ＴＡと、透過領域ＴＡを取り囲む表示領域ＤＡとを含み、透過領域ＴＡに重畳する位置には、様々な機能のコンポーネントＣＰが配置され、表示領域ＤＡには、発光層２２２ｂを含む複数の画素が配置される。
コンポーネントＣＰは、電子部品を含んでもよい。例えば、コンポーネントＣＰは、光や音響を利用する電子部品でもある。例えば、該電子部品は、赤外線センサのように、光を利用するセンサ、光を受光してイメージを撮影するカメラ、光や音響を出力して感知し、距離を測定したり、指紋などを認識したりするセンサ、光を出力する小型ランプや、音を出力するスピーカなどを含んでもよい。光を利用する電子部品の場合、可視光、赤外線光、紫外線光のように、多様な波長帯域の光を利用することができる。本発明の一部実施形態において、透過領域ＴＡは、コンポーネントＣＰから外部に出力されるか、あるいは外部から電子部品に向けて進む光または／及び音響が透過することができる領域とも理解される。
表示装置１は、基板１００、絶縁層２００、発光層２２２ｂ、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０、屈折率補償層３００、封止層４００、偏光層５００、接着層６００及びカバー層７００を含んでもよい。
絶縁層２００には、複数の薄膜トランジスタＴＦＴ（図５）が設けられ、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡには、第１開口ＯＰ１が形成され、表示装置１の透過率を向上させることができる。
発光層２２２ｂは、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡには、設けられない。互いに離隔された複数の発光層２２２ｂは、互いに異なる色を放出することができる。
発光層２２２ｂを含む中間層２２２は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって、切れ目なしに連続して設けられてよい。
中間層２２２上に設けられる第２電極２２３は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって、切れ目なしに連続して設けられてよい。
第２電極２２３上に設けられるキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって、切れ目なしに連続して設けられてよい。
キャッピング層２３０上に設けられる封止層４００には、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、第１トレンチ４００Ｔが形成され、表示装置１の透過率を向上させることができる。
封止層４００の第１トレンチ４００Ｔと、基板１００との間には、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層３００が設けられてよい。屈折率補償層３００の代わりに、封止層４００と、基板１００との間を空気が充填しているとき、封止層４００より屈折率が小さい空気により、視認性歪曲が発生する場合がある。屈折率補償層３００は、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい材料を用いて形成されることにより、封止層４００と屈折率補償層３００との屈折率差を最小化させ、視認性歪曲を改善することができる。
例えば、封止層４００が、透明ガラス材質である場合、屈折率は、およそ１．５前後であり、屈折率補償層３００は、屈折率がおよそ１．５前後であるシリコン樹脂で形成され、封止層４００と屈折率補償層３００との屈折率差を最小化させることができる。
封止層４００上に設けられる偏光層５００には、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに第２開口ＯＰ２が形成されており、表示装置１の透過率を向上させることができる。
偏光層５００上には、透明材質のカバー層７００が設けられ、偏光層５００とカバー層７００との間に、接着層６００がさらに設けられてよい。
図２には、中間層２２２、第２電極２２３及びキャッピング層２３０が、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって、切れ目なしに連続して設けられる例を図示しているが、本発明の一実施形態は、ここで示される例に限定されるものではない。中間層２２２、第２電極２２３及びキャッピング層２３０の一部は、透過領域ＴＡに設けられなくてもよい。詳細な説明は、後述する。
図３は、本発明の一実施形態による表示装置１を概略的に示した平面図であり、図４は、表示装置１のある１画素Ｐを概略的に示した等価回路図である。
図３及び図４を参照すると、表示領域ＤＡに、複数の画素Ｐが配置され、各画素Ｐは、図４に図示されているように、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに接続されている表示素子として、有機発光ダイオードＯＬＥＤを含んでもよい。
画素回路ＰＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含んでもよい。各画素Ｐは、有機発光ダイオードＯＬＥＤを用いて、例えば、赤色、緑色または青色の光を放出するか、あるいは、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。
第２薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング薄膜トランジスタであり、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続され、スキャンラインＳＬから入力されるスイッチング電圧により、データラインＤＬから入力されたデータ電圧を、第１薄膜トランジスタＴ１に伝達することができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２と駆動電圧線ＰＬに接続され、第２薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬから供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤの差に該当する電圧を保存することができる。
第１薄膜トランジスタＴ１は、駆動薄膜トランジスタであり、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから、有機発光ダイオードＯＬＥＤを流れる駆動電流を制御することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流に応じた所定輝度の光を放出することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードは、第２電源電圧ＥＬＶＳＳを供給されてもよい。
図４は、画素回路ＰＣが、２個の薄膜トランジスタと、１個のストレージキャパシタとを含む例を図示しているが、本発明の一実施形態は、ここで示される例に限定されるものではない。薄膜トランジスタの個数、及びストレージキャパシタの個数は、画素回路ＰＣの設計によって変更されてもよい。
再び、図３を参照すると、周辺領域ＰＡには、各画素Ｐにスキャン信号を提供するスキャンドライバ１１００、各画素Ｐにデータ信号を提供するデータドライバ１２００、及び第１電源電圧及び第２電源電圧を提供するためのメイン電源配線（図示は省略）などが配置されてもよい。図３は、データドライバ１２００が基板１００の一側辺に隣接して配置される例を図示しているが、他の実施形態では、データドライバ１２００は表示パネルの一側に配されたパッドと電気的に接続されたＦＰＣＢ（flexible printed circuit board）上にも配置される。
図５は、本発明の一実施形態による表示装置の断面を示した断面図であり、図２のＶ部分を拡大した断面図である。
図５を参照すると、基板１００上に、複数の薄膜トランジスタＴＦＴが配置され、それぞれの薄膜トランジスタＴＦＴは、絶縁層２００上に互いに分離されて配置される複数の第１電極２２１に接続される。
基板１００は、高分子樹脂またはガラスを含んでもよい。本発明の一実施形態において、基板１００は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ：polycarbonate）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）または／及びセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のような高分子樹脂を含み、可撓性を有することができる。
基板１００は、ＳｉＯ２を主成分にするガラス材、あるいは強化プラスチックのような樹脂を含み、硬直な（rigid）性質を有することができる。
基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層と、前述の高分子樹脂層上に設けられるバリア層との積層構造を有する。例えば、基板１００は、第１高分子樹脂層、第１バリア層、第２高分子樹脂層及び第２バリア層が積層された構造を有することができる。高分子樹脂を含む基板１００は、可撓性を向上させることができる。該バリア層は、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）及びシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）などを含んでもよい。
基板１００上には、不純物が、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層Ａｃｔに浸透することを防止するために形成されたバッファ層２０１が形成されてもよい。バッファ層２０１は、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド及びシリコンオキサイドのような無機絶縁物を含み、前述の無機絶縁物を含む単層または多層であってよい。
バッファ層２０１上には、薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔが配置されてよい。
薄 膜トランジスタＴＦＴは、半導体層Ａｃｔ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥを含んでもよい。図５に図示された薄膜トランジスタＴＦＴは、図４を参照して説明した駆動薄膜トランジスタである。本実施形態においては、ゲート電極ＧＥが、ゲート絶縁層２０３を挟み、半導体層Ａｃｔ上に配置されたトップゲートタイプを例に図示しているが、他の実施形態では、薄膜トランジスタＴＦＴは、ボトムゲートタイプであってもよい。
半導体層Ａｃｔは、ポリシリコンを含んでもよい。また、半導体層Ａｃｔは、非晶質（amorphous）シリコンを含んでよく、酸化物半導体を含んでもよく、有機半導体などを含んでもよい。ゲート電極ＧＥは、低抵抗金属物質を含んでもよい。ゲート電極ＧＥは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、前記の材料を含む多層または単層で形成される。
半導体層Ａｃｔとゲート電極ＧＥとの間のゲート絶縁層２０３は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド及びハフニウムオキサイドのような無機絶縁物を含んでもよい。ゲート絶縁層２０３は、前述の物質を含む単層または多層であってよい。
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、伝導性にすぐれる材料を含む電極である。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、前述の材料を含む多層または単層で形成される。本発明の一実施形態において、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層の電極を含んでもよい。
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１層間絶縁層２０５を挟んで重畳する下部電極ＣＥ１と上部電極ＣＥ２とを含んでもよい。ストレージキャパシタＣｓｔは、薄膜トランジスタＴＦＴとも重畳される。図５は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＥが、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１である例を図示している。他の実施形態では、ストレージキャパシタＣｓｔは、薄膜トランジスタＴＦＴと重畳していなくてもよい。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２層間絶縁層２０７にカバーされる。
第１層間絶縁層２０５及び第２層間絶縁層２０７は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイドのような無機絶縁物を含んでもよい。第１層間絶縁層２０５及び第２層間絶縁層２０７は、前述の物質を含む単層または多層であってよい。
薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔは、平坦化絶縁層２０９によってカバーされる。平坦化絶縁層２０９は、上面が略偏平な面を含んでもよい。平坦化絶縁層２０９は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドのような有機絶縁物を含んでもよい。本発明の一実施形態において、平坦化絶縁層２０９は、ポリイミドを含んでもよい。また、平坦化絶縁層２０９は、無機絶縁物を含んでもよい。また、平坦化絶縁層２０９は、有機絶縁物と無機絶縁物とをいずれも含んでもよい。
コンポーネントＣＰと重畳して配置される平坦化絶縁層２０９には、第１開口ＯＰ１が形成され、透過率を向上させることができる。
図５には、平坦化絶縁層２０９のみに第１開口ＯＰ１が形成されている構造を図示しているが、本発明の一実施形態は、ここで示される例に限定されるものではない。平坦化絶縁層２０９のみならず、第２層間絶縁層２０７まで第１開口ＯＰ１が形成されてもよい。他の実施形態では、第１開口ＯＰ１は、平坦化絶縁層２０９、第２層間絶縁層２０７及び第１層間絶縁層２０５まで形成される。他の実施形態では、第１開口ＯＰ１は、平坦化絶縁層２０９、第２層間絶縁層２０７、第１層間絶縁層２０５及びゲート絶縁層２０３まで形成される。他の実施形態では、第１開口ＯＰ１は、平坦化絶縁層２０９、第２層間絶縁層２０７、第１層間絶縁層２０５、ゲート絶縁層２０３及びバッファ層２０１まで形成される。
第１電極２２１は、平坦化絶縁層２０９上にも形成される。第１電極２２１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（III）（Ｉｎ２Ｏ３）、ＩＧＯ（indium gallium oxide）またはＡＺＯ（aluminum zinc oxide）のような導電性酸化物を含んでもよい。他の実施形態では、第１電極２２１は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、またはそれらの化合物を含む反射膜を含んでもよい。他の実施形態では、第１電極２２１は、前述の反射漠の上または／及び下に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３を用いて形成された膜をさらに含んでもよい。
第１電極２２１上には、画素定義膜２１１が形成されてもよい。画素定義膜２１１は、第１電極２２１の上面を露出させる開口を含むが、第１電極２２１のエッジをカバーすることができる。画素定義膜２１１は、有機絶縁物を含んでもよい。また、画素定義膜２１１は、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）またはシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物を含んでもよい。また、画素定義膜２１１は、有機絶縁物及び無機絶縁物を含んでもよい。
中間層２２２は、発光層２２２ｂを含む。発光層２２２ｂは、表示領域ＤＡにおいて、画素ごとに配置される。
中間層２２２は、発光層２２２ｂと第１電極２２１との間に配置された第１中間層２２２ａ、及び／または発光層２２２ｂと第２電極２２３との間に配置された第２中間層２２２ｃをさらに含んでもよい。発光層２２２ｂは、所定の色相光を放出する高分子有機物または低分子有機物を含んでもよい。
第１中間層２２２ａは、単層または多層であってよい。例えば、第１中間層２２２ａが高分子物質から形成される場合、第１中間層２２２ａは、単層構造であるホール輸送層（ＨＴＬ）として、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）を用いて形成することができる。第１中間層２２２ａが低分子物質から形成される場合、第１中間層２２２ａは、ホール注入層（ＨＩＬ）とホール輸送層（ＨＴＬ）とを含んでもよい。
第２中間層２２２ｃは、常時具備されるものではない。例えば、第１中間層２２２ａと発光層２２２ｂとを高分子物質から形成する場合、第２中間層２２２ｃを用いて形成することができる。第２中間層２２２ｃは、単層または多層であってよい。第２中間層２２２ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ）を含んでもよい。
第１中間層２２２ａ及び第２中間層２２２ｃは、発光層２２２ｂと異なり、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡにも配置される。
第２電極２２３は、仕事関数が低い導電性物質を用いて形成されてもよい。例えば、第２電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、またはそれらの合金などを含む透明層または半透明層を含んでもよい。また、第２電極２２３は、前述の物質を含む透明層上または半透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３用いて形成せれる層をさらに含んでもよい。
第２電極２２３は、発光層２２２ｂと異なり、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡにも配置される。
キャッピング層２３０は、第２電極２２３上に配置されてよい。例えば、キャッピング層２３０は、ＬｉＦを含み、熱蒸着法によって形成されてよい。また、キャッピング層２３０は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドのような無機絶縁物を含んでもよい。また、キャッピング層２３０は、有機絶縁物を含んでもよい。
キャッピング層２３０は、発光層２２２ｂと異なり、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡにも配置される。
画素定義膜２１１上には、スペーサ２１２が形成されてよい。スペーサ２１２は、ポリイミドのような有機絶縁物を含んでもよい。また、スペーサ２１２は、シリコンナイトライドやシリコンオキサイドのような無機絶縁物、あるいは有機絶縁物及び無機絶縁物を含んでもよい。
スペーサ２１２は、画素定義膜２１１と異なる物質を含んでもよい。また、スペーサ２１２は、画素定義膜２１１と同一物質を含んでよく、その場合、画素定義膜２１１とスペーサ２１２は、ハーフトーンマスクなどを利用したマスク工程により、共に形成されてよい。本発明の一実施形態では、画素定義膜２１１及びスペーサ２１２は、ポリイミドを含んでもよい。
スペーサ２１２は、第１開口ＯＰ１が形成された透過領域ＴＡを取り囲むように形成される。
透過領域ＴＡと表示領域ＤＡは、封止層４００によってカバーされる。
封止層４００は、堅い材質の材料を用いて形成される。例えば、封止層４００は、ガラス材質の材料を用いて形成される。
封止層４００は、第１開口ＯＰ１と重畳する領域に、第１トレンチ４００Ｔが形成され、表示装置１の透過率を向上させることができる。例えば、第１開口ＯＰ１と重畳する領域における封止層４００の第１厚みＴ１は、第１開口ＯＰ１と重畳しない領域における封止層４００の第２厚みＴ２よりさらに薄く形成されてよい。ただし、第１厚みＴ１は、０より大きく、封止層４００が、表示領域ＤＡと透過領域ＴＡとの全体を封止することができるように形成される。
第１トレンチ４００Ｔは、様々な形状を有してよい。例えば、第１トレンチ４００Ｔは、平面図上に、円形または多角形で形成されてよく、絶縁層２００に形成された第１開口ＯＰ１の個数及び形状に対応するように形成されてもよい。
封止層４００の第１トレンチ４００Ｔと、基板１００との間には、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層３００が配置されてよい。さらに詳細には、屈折率補償層３００は、上部の封止層４００、下部の絶縁層２００、側面のスペーサ２１２によって取り囲まれる。
屈折率補償層３００の代わりに、封止層４００と、基板１００との間を空気が充填しているとき、封止層４００より屈折率が小さい空気により、視認性歪曲が発生する場合がある。屈折率補償層３００は、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい材料を用いて形成されることにより、封止層４００と屈折率補償層３００との屈折率差を最小化させ、視認性歪曲を改善することができる。
封止層４００上には、偏光層５００が配置されてよい。
偏光層５００は、コンポーネントＣＰと重畳する領域に、第２開口ＯＰ２が形成され、表示装置１の透過率を向上させることができる。偏光層５００の第２開口ＯＰ２は、絶縁層２００の第１開口ＯＰ１、封止層４００の第１トレンチ４００Ｔとそれぞれ重畳されることにより、表示装置１の透過率を極大化できる。
第２開口ＯＰ１は、様々な形状を有してよい。例えば、第２開口ＯＰ２は、平面図上に、円形または多角形で形成されてよく、絶縁層２００の第１開口ＯＰ１の個数及び形状に対応するように形成されてもよい。また、第２開口ＯＰ２は、第１トレンチ４００Ｔの個数及び形状に対応するように形成されてもよい。
偏光層５００上には、透明材質のカバー層７００が配置されてよい。
カバー層７００は、ハウジング（図示せず）と結合することができ、ハウジングの内部空間に、コンポーネントＣＰが配置されてよい。
偏光層５００とカバー層７００との間には、光学透明粘着剤（ＯＣＡ：optical clear adhesive）のような接着層６００が配置され、偏光層５００とカバー層７００との結合を維持することができる。
図６は、図５のVIＡ及びVIＢ部分を拡大した断面図である。
図６を参照すれば、透過領域ＴＡには、第２層間絶縁膜２０７上に、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３、キャッピング層２３０及び屈折率補償層３００が順に配置され、表示領域ＤＡには、第１電極２２１上に、第１中間層２２２ａ、発光層２２２ｂ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０が順に配置されている。
図６の実施形態では、発光層２２２ｂは、表示領域ＤＡのみに配置され、透過領域ＴＡには、配置されない。一方、発光層２２２ｂと異なり、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって、切れ目なしに連続して配置される。
図７は、本実施形態で使用された微細金属マスク８００（ＦＭＭ：fine metal mask）を図示した平面図であり、図８は、図７のVIII部分を拡大した平面図である。
図７及び図８を参照すると、微細金属マスク８００は、無孔部８１０、複数の開口部８２０、及び複数の開口部間を連結するブリッジ８３０を含む。
表示領域ＤＡに、各画素別に離隔されるように発光層２２２ｂを形成する方法により、各発光層２２２ｂに対応する領域に、複数の開口８２０が形成された微細金属マスク８００を使用して蒸着することができる。本実施形態のように、発光層２２２ｂが透過領域ＴＡに配置されないようにするために、透過領域ＴＡに対応する領域に無孔部８１０を形成し、無孔部８１０が、蒸着物質の遮断膜の役目を行い、発光層２２２ｂが透過領域ＴＡには蒸着されない。
図９Ａ及び図９Ｂは、レーザエッチング法により、透過領域ＴＡを形成する方法を概略的に図示した断面図である。
図９Ａを参照すると、透過領域ＴＡと表示領域ＤＡとの区分なしに、基板１００及び絶縁層２２０上に、発光部２２２ｂを含む中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０を蒸着工程で形成する。
図９Ｂを参照すると、図９Ａの構造物に対し、透過領域ＴＡを形成する部分に、レーザを使用し、透過領域ＴＡに形成されたキャッピング層２３０、第２電極２２３、中間層２２２、発光層２２２ｂ及び絶縁層２００をエッチングして開口を形成する。
前述のようなレーザエッチング法は、基板１００上に、絶縁層２００、発光部２２２ｂ、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０のような蒸着物質をいずれも蒸着した後、別途のレーザを利用したエッチング工程が追加されるために、追加設備投資による製品コスト上昇、及び工程増加による量産性低下の問題がある。また、レーザエッチングによるパーティクル発生により、不良が増大する問題がある。また、レーザエッチングに損傷された中間層２２２のエッチング面２２２Ｅにおいて、十分なマージンを置いて表示領域ＤＡを形成しなければならないために、透過領域ＴＡと表示領域ＤＡとの間に、所定幅以上の中間領域ＭＡを確保する過程において、デッドスペースが増大する問題がある。
しかし、本発明の一実施形態では、蒸着工程後、別途の設備工程であるレーザエッチング工程ではなく、既存の蒸着工程に使用するマスクに無孔部を形成することにより、別途の設備追加による製品コスト上昇、及び工程増加による量産性低下問題を防止することができる。また、レーザエッチングによるパーティクル発生不良要因をなくし、レーザエッチングによる開口部側面の損傷が発生しないために、表示領域ＤＡと透過領域ＴＡとのデッドスペースを減らすことができる。
図９Ｂの構造物に比べ、本発明の構造物は、透過領域ＴＡに、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０がさらに追加されているが、各層の厚みを調節し、適切な透過率を調節することができる。
図１０ないし図１２は、透過領域と表示領域とに蒸着された多様な蒸着物の組み合わせを例示的に示した断面図である。
図１０を参照すると、透過領域ＴＡには、第２層間絶縁膜２０７上に、第１中間層２２２ａ、第２電極２２３、キャッピング層２３０及び屈折率補償層３００が順に配置され、表示領域ＤＡには、第１電極２２１上に、第１中間層２２２ａ、発光層２２２ｂ、 第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０順に配置されている。
図１０の実施形態によれば、発光層２２２ｂ及び第２中間層２２２ｃは、表示領域ＤＡのみに配置され、透過領域ＴＡには、配置されない。一方、発光層２２２ｂ及び第２中間層２２２ｃと異なり、第１中間層２２２ａ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置される。図６の実施形態と比較すると、透過領域ＴＡに、第２中間層２２２ｃを形成しないため、表示装置の透過率をさらに向上させることができる。
図１１を参照すると、透過領域ＴＡには、第２層間絶縁膜２０７上に、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、キャッピング層２３０及び屈折率補償層３００が順に配置され、表示領域ＤＡには、第１電極２２１上に、第１中間層２２２ａ、 発光層２２２ｂ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０が順に配置されている。
図１１の実施形態によると、発光層２２２ｂ及び 第２電極２２３は、表示領域ＤＡのみに配置され、透過領域ＴＡには、配置されない。一方、発光層２２２ｂ及び第２電極２２３と異なり、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ及びキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置される。図６の実施形態と比較するとき、透過領域ＴＡに第２電極２２３を形成しないために、表示装置の透過率をさらに向上させることができる。
図１２を参照すると、透過領域ＴＡには、第２層間絶縁膜２０７上に、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及び屈折率補償層３００が順に配置され、表示領域ＤＡには、第１電極２２１上に、第１中間層２２２ａ、 発光層２２２ｂ、第２中間層２２２ｃ、及び第２電極２２３が順に配置されている。
図１２の実施形態によると、発光層２２２ｂ及びキャッピング層２３０は、表示領域ＤＡのみに配置され、透過領域ＤＡには、配置されない。一方、発光層２２２ｂ及びキャッピング層２３０と異なり、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ及び第２電極２２３は、透過領域ＴＡと表示領域ＤＡわたって、切れ目なしに連続して配置される。図６の実施形態と比較すると、透過領域ＴＡにキャッピング層２３０を形成しないために、表示装置の透過率をさらに向上させることができる。
前述の図１０ないし図１２に示される実施形態では、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０のうち１層が透過領域ＴＡに配置されない構造物を図示しているが、本発明の一実施形態は、ここで示される例に限定されるものではない。他の実施形態では、透過領域ＴＡには、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０のうち少なくとも２層以上の層が配置されない。
一方、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０は、複数の開口部を含む微細金属マスクではなく、１つの表示装置に、１つの開口部が形成されたオープンマスクによって形成される。そのようなオープンマスクを利用し、透過領域ＴＡに、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０のうち少なくとも１層が形成されないように、オープンマスクは、無孔部を含み、該無孔部をオープンマスクに結合するための少数のブリッジがオープンマスクにさらに追加される。
図１３は、本発明の一実施形態による表示装置２を示した断面図である。以下においては、図５の表示装置１との差異を中心に説明する。
図１３を参照すると、表示装置２は、基板１００、絶縁層２００、発光層２２２ｂ、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０、封止層４００’、偏光層５００及び接着層６００、カバー層７００を含んでもよい。
絶縁層２００には、複数の薄膜トランジスタＴＦＴが配置され、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡには、第１開口ＯＰ１が形成され、表示装置２の透過率を向上させることができる。
発光層２２２ｂは、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに配置されず、発光層２２２ｂを含む中間層２２２は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されうる。
中間層２２２上に設けられる第２電極２２３は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置され、第２電極２２３上に設けられるキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
図５の表示装置１と異なり、表示装置２のキャッピング層２３０上に設けられる封止層４００’には、トレンチが形成されない。封止層４００’は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
封止層４００’上に設けられる偏光層５００には、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、第２開口ＯＰ２が形成されており、表示装置２の透過率を向上させることができ、偏光層５００上には、透明材質のカバー層７００が設けられ、偏光層５００とカバー層７００との間に、接着層６００がさらに配置されてよい。
本実施形態において、封止層４００’は、第１無機封止層４１０、第２無機封止層４３０、及び第１無機封止層４１０と前記第２無機封止層４３０との間に設けられる有機封止層４２０を含んでもよい。
第１無機封止層４１０及び第２無機封止層４３０は、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイド、ジンクオキサイド、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドのような１以上の無機絶縁物を含み、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）などによって形成される。
有機封止層４２０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、またはそれら任意の組み合わせを含んでもよい。
有機封止層４２０が第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２と重畳する領域の厚みＴ３は、有機封止層４２０が第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２と重畳しない領域の厚みＴ４よりさらに厚く形成されてよい。言い換えれば、透過領域ＤＡにおける有機封止層４２０の厚みＴ３は、表示領域ＤＡにおける有機封止層４２０の厚みＴ４よりさらに厚く形成され、表示装置２の上面を全体的に平坦化させることができる。
表示領域ＤＡ及び透過領域ＴＡにおいて、第１無機封止層４１０が切れ目なしに連続して配置され、中間層２２２、第２電極２２３及びキャッピング層２３０をカバーすることにより、絶縁層２００に形成された第１開口ＯＰ１を介する不純物の流入を遮断することができる。
また、図５の表示装置１と異なり、表示装置２は、別途の屈折率補償層を含まず、有機封止層４２０の屈折率を調節し、視認性歪曲を改善することができる。
図１４は、本発明の一実施形態による表示装置３を示した断面図である。以下においては、図５の表示装置１との差異を中心に記述する。
図１４を参照すれば、表示装置３は、基板１００、絶縁層２００、発光層２２２ｂ、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０、屈折率補償層３００、封止層４００、偏光層５００及び接着層６００、カバー層７００を含んでもよい。
絶縁層２００には、複数の薄膜トランジスタＴＦＴが配置され、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡには、第１開口ＯＰ１が形成され、表示装置３の透過率を向上させることができる。
発光層２２２ｂは、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡには、配さ置れず、発光層２２２ｂを含む中間層２２２は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
中間層２２２上に設けられる第２電極２２３は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置され、第２電極２２３上に設けられるキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
キャッピング層２３０上に設けられる封止層４００は、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、第１トレンチ４００Ｔが形成され、表示装置３の透過率を向上させることができる。
図５の表示装置１と異なり、表示装置３の基板１００は、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、第２トレンチ１００Ｔが形成され、表示装置３の透過率を向上させることができる。
封止層４００の第１トレンチ４００Ｔと、基板１００の第２トレンチ１００Ｔとの間には、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層３００が配置され、表示装置３の視認性歪曲を改善することができる。
図１５は、本発明の一実施形態による表示装置４を示した断面図である。以下においては、図５の表示装置１との差異を中心に記述する。
図１５を参照すると、表示装置４は、基板１００、絶縁層２００、発光層２２２ｂ、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０、屈折率補償層３００、封止層４００、偏光層５００及び接着層６００、カバー層７００を含んでもよい。
図５の表示装置１と異なり、表示装置４の絶縁層２００は、第１開口ＯＰ１（図５）が形成されない。第１開口ＯＰ１形成工程を省略することにより、工程を単純化させることができる。
発光層２２２ｂは、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、配置されず、発光層２２２ｂを含む中間層２２２は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配されうる。
中間層２２２上に設けられる第２電極２２３は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置され、第２電極２２３上に設けられるキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
キャッピング層２３０上に設けられる封止層４００は、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、第１トレンチ４００Ｔが形成され、表示装置４の透過率を向上させることができる。
封止層４００の第１トレンチ４００Ｔと、基板１００との間には、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層３００が配置され、表示装置４の視認性歪曲を改善することができる。
図１６は、本発明の一実施形態による表示装置５を示した断面図である。以下においては、図５の表示装置１との差異を中心に記述する。
図１６を参照すれば、表示装置５は、基板１００、絶縁層２００、発光層２２２ｂ、中間層２２２、第２電極２２３、キャッピング層２３０、屈折率補償層３００、封止層４００、偏光層５００及び接着層６００、カバー層７００を含んでもよい。
絶縁層２００には、複数の薄膜トランジスタＴＦＴが配置され、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡには、第１開口ＯＰ１が形成され、表示装置３の透過率を向上させることができる。
発光層２２２ｂは、コンポーネントＣＰと重畳する透過領域ＴＡに、配置されず、発光層２２２ｂを含む中間層２２２は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
中間層２２２上に設けられる第２電極２２３は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置され、第２電極２２３上に設けられるキャッピング層２３０は、透過領域ＴＡ及び表示領域ＤＡにわたって切れ目なしに連続して配置されてよい。
図５の表示装置１と異なり、表示装置５の封止層５００には、第１トレンチ５００Ｔ（図５）が形成されない。第１トレンチ５００Ｔ形成工程を省略することにより、工程を単純化させ、封止層５００の厚みを一定にすることにより、強度を向上させることができる。
封止層４００と基板１００との間には、空気の屈折率より大きく、封止層４００の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層３００が配置され、表示装置５の視認性歪曲を改善することができる。
前述の表示装置２，３，４，５が示された実施形態は、発光層２２２ｂを除いた第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０が、透過領域ＴＡと表示領域ＤＡとにいずれも配置された構造物を開示しているが、本発明の一実施形態は、ここで示される例に限定されるものではない。他の実施形態では、透過領域ＴＡには、第１中間層２２２ａ、第２中間層２２２ｃ、第２電極２２３及びキャッピング層２３０のうち少なくとも１層以上の層が配置されていなくてよい。
本明細書および図面を用いて説明された各実施形態は、例示的なものであり、当該技術分野の当業者であるならば、それらから様々な変形、及び実施形態の変形が可能である。従って、本発明の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
１ 表示装置
１００ 基板
２００ 絶縁層
２２１ 第１電極
２２２ 中間層
２２２ａ 第１中間層
２２２ｂ 発光層
２２２ｃ 第２中間層
２２３ 第２電極
２３０ キャッピング層
３００ 屈折率補償層
４００ 封止層
５００ 偏光層
６００ 接着層
７００ カバー層
ＯＰ１ 第１開口
ＯＰ２ 第２開口
４００Ｔ 第１トレンチ
１００Ｔ 第２トレンチ
ＣＰ コンポーネント
ＤＡ 表示領域
ＴＡ 透過領域
ＰＡ 周辺領域

Claims (27)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置され、第１開口を含む絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置され、前記第１開口に重畳せず、互いに離隔されて設けられる複数の第１電極と、
    前記第１開口と重畳せず、前記第１電極上に設けられる発光層と、
    前記発光層を含む中間層と、
    前記中間層上に設けられる第２電極と、
    前記第２電極上に設けられる封止層と、
    前記封止層上に配置され、前記第１開口と重畳する第２開口を含む偏光層と、を含む、表示装置。
  2. 前記封止層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する第１トレンチを含む、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記封止層は、ガラス材である、請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第１トレンチと前記基板との間に設けられる屈折率補償層をさらに含む、請求項２に記載の表示装置。
  5. 前記屈折率補償層の屈折率は、空気の屈折率より大きく、前記封止層の屈折率より小さい、請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記屈折率補償層は、シリコン樹脂を含む、請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記封止層は、第１無機封止層、第２無機封止層、及び前記第１無機封止層と前記第２無機封止層との間に設けられる有機封止層を含む、請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記封止層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する領域、及び前記複数の画素に、切れ目なしに連続して設けられる、請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記有機封止層の前記第１開口及び前記第２開口と重畳する領域の厚みは、前記有機封止層の前記第１開口及び前記第２開口と重畳しない領域の厚みより厚い、請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記絶縁層は、多層の膜を含み、
    前記第１開口は、前記多層の膜のうち少なくとも１層の膜に形成された、請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記中間層は、前記発光層と前記第１電極との間に設けられる第１中間層と、前記発光層と前記第２電極との間に設けられる第２中間層と、を含み、
    前記第１中間層と前記第２中間層とのうち少なくとも１層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
  12. 前記第２電極は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
  13. 前記第２電極と前記封止層との間に設けられるキャッピング層をさらに含み、
    前記キャッピング層は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
  14. 前記基板は、前記第１開口及び前記第２開口と重畳する第２トレンチを含む、請求項１に記載の表示装置。
  15. 前記複数の画素周囲を取り囲む画素定義膜と、
    前記画素定義膜上の一部領域に設けられるスペーサと、をさらに含み、
    前記スペーサは、前記第１開口周囲を取り囲む、請求項１に記載の表示装置。
  16. 前記偏光層上に設けられる透明材質のカバー層をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
  17. 前記偏光層と前記カバー層との間に設けられる接着層をさらに含む、請求項１６に記載の表示装置。
  18. 基板と、
    前記基板上に設けられる絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置され、トレンチを含む第１領域と、前記トレンチを取り囲む第２領域と、を含む封止層と、
    第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる発光層を含む中間層と、を含み、前記第２領域に重畳し、前記絶縁層と前記封止層との間に設けられる複数の画素と、
    前記封止層上に配置され、前記トレンチと重畳する開口を含む偏光層と、を含み、
    前記発光層は、前記第１領域と重畳しない、表示装置。
  19. 前記中間層は、前記発光層と前記第１電極との間に設けられる第１中間層と、前記発光層と前記第２電極との間に設けられる第２中間層と、を含み、
    前記第１中間層と前記第２中間層とのうち少なくとも１層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して設けられる、請求項１８に記載の表示装置。
  20. 前記第２電極は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して設けられる、請求項１８に記載の表示装置。
  21. 前記第２電極と前記封止層との間に設けられるキャッピング層をさらに含み、
    前記キャッピング層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して設けられる、請求項１８に記載の表示装置。
  22. 前記トレンチと前記基板との間に配置され、空気の屈折率より大きく、前記封止層の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層をさらに含む、請求項１８に記載の表示装置。
  23. 基板と、
    前記基板上に配置され、第１開口を含む第１領域と、前記第１領域を取り囲む第２領域と、を含む絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置され、前記第２領域に重畳し、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる発光層を含む中間層と、を含む複数の画素と、
    前記複数の画素上に設けられる封止層と、
    前記封止層上に配置され、前記第１開口に重畳する第２開口を含む偏光層と、を含み、
    前記発光層は、前記第１領域と重畳しない、表示装置。
  24. 前記中間層は、前記発光層と前記第１電極との間に設けられる第１中間層と、前記発光層と前記第２電極との間に設けられる第２中間層と、を含み、
    前記第１中間層と前記第２中間層とのうち少なくとも１層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して設けられる、請求項２３に記載の表示装置。
  25. 前記第２電極は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して設けられる、請求項２３に記載の表示装置。
  26. 前記第２電極と前記封止層との間に設けられるキャッピング層をさらに含み、
    前記キャッピング層は、前記第１領域と前記第２領域とに、切れ目なしに連続して設けられる、請求項２３に記載の表示装置。
  27. 前記封止層は、前記第１領域に重畳するトレンチを含み、
    前記トレンチと前記基板との間に配置され、空気の屈折率より大きく、前記封止層の屈折率より小さい屈折率を有する屈折率補償層をさらに含む、請求項２３に記載の表示装置。
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