JP2021534704A - ナノ構造物質を利用した伝送線路及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、ナノ構造物質を利用した伝送線路及びその製造方法に関するものであって、そのナノ構造物質を利用した伝送線路は、ナノフロンからなる第１ナノフロン層；第１ナノフロン層の上部に位置する第１絶縁層；第１絶縁層上に形成された第１導電層をエッチングして形成された第１パターン；及び第１ナノフロン層の下部に位置する第１接地（ＧＮＤ）層；を含み、ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である。本発明によれば、樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造物質を伝送線路の誘電体として使用することにより、伝送線路の誘電体の誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうる。また、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、５世代移動通信（５Ｇ Ｎｅｔｗｏｒｋ）で使われる３．５ＧＨｚ及び２８ＧＨｚ帯域の超高周波信号の伝送損失を減らすための低損失平面ケーブルとして使われる。

Description

本発明は、伝送線路に係り、特に、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路及びその製造方法に関する。

超高周波信号を少ない損失で伝送または処理するためには、低損失及び高性能の伝送線路が必要である。一般的に、伝送線路での損失は、大きく金属による導電体損失と誘電体による誘電体損失とに区分される。特に、誘電体による損失は、誘電体の誘電率が高いほど大きくなり、抵抗が大きいほど電力損失が大きくなる。
したがって、超高周波信号伝送のための低損失及び高性能の伝送線路を製造するためには、誘電率（ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）が小さく、損失タンジェント（ｌｏｓｓ ｔａｎｇｅｎｔ）値が小さな物質を使用することが必要である。特に、５世代移動通信（５Ｇ Ｎｅｔｗｏｒｋ）で使われる３．５ＧＨｚ及び２８ＧＨｚ帯域の周波数を有する信号を効率的に伝送するためには、超高周波帯域でも損失が小さな伝送線路の重要性はさらに大きくなっている。

本発明が解決しようとする課題は、前述した低損失及び高性能の伝送線路に対する必要性を満たすために創出されたものであって、誘電体による伝送線路の損失を減らすために、誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうるナノ構造物質を利用した伝送線路を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、誘電体による伝送線路の損失を減らすために、誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうる電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法を提供するところにある。

前記技術的課題を果たすための本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、ナノフロンからなる第１ナノフロン層；前記第１ナノフロン層の上部に位置する第１絶縁層；前記第１絶縁層上に形成された第１導電層をエッチングして形成された第１パターン；及び前記第１ナノフロン層の下部に位置する第１接地（ＧＮＤ）層；を含み、前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である。
前記第１パターンは、前記第１導電層をエッチングしてなる接地線と信号線とを含む。本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に位置する第２ナノフロン層；及び前記第２ナノフロン層上に位置する第２接地（ＧＮＤ）層；をさらに含む。

本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に位置する第２ナノフロン層；前記第２ナノフロン層上に位置する第２接地（ＧＮＤ）層；前記第２接地（ＧＮＤ）層上に位置する第３ナノフロン層；前記第３ナノフロン層上に位置する第２絶縁層；前記第２絶縁層上に形成された第２導電層をエッチングして形成され、信号を伝送する第２パターン；をさらに含みうる。
前記第２パターンは、前記第２導電層をエッチングして形成される接地（ＧＮＤ）端子と信号を伝送する信号線とを含みうる。
本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、前記第２絶縁層上に形成された第２パターンと前記エッチングによって露出された第２絶縁層上に位置する第４ナノフロン層；及び前記第４ナノフロン層上に位置する第３接地（ＧＮＤ）層；をさらに含みうる。前記第１絶縁層ないし第２絶縁層は、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）で形成され、導電層は、銅（Ｃｕ）で形成されることを特徴とする。

前記技術的課題を果たすための本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階；前記第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階；ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に前記第１絶縁層を位置させる段階；及び前記第１ナノフロン層の下部に第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；を含み、前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質であることを特徴とする。前記第１パターン形成段階は、前記第１導電層をエッチングして接地線及び伝送信号線を形成することを特徴とする。
本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に第２ナノフロン層を位置させる段階；及び前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を接着する段階；をさらに含む。

本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層に第２ナノフロン層を位置させる段階；前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；前記第２接地（ＧＮＤ）層上に第３ナノフロン層を位置させる段階；前記第３ナノフロン層上に第２絶縁層を位置させる段階；前記第２絶縁層上に第２導電層を形成する段階；及び前記第２導電層をエッチングして信号を送受信する第２パターンを形成する段階；をさらに含む。

本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層に第２ナノフロン層を位置させる段階；前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階；前記第２接地（ＧＮＤ）層上に第３ナノフロン層を位置させる段階；第２絶縁層上に第２導電層を形成する段階；前記第２導電層をエッチングして信号を送受信する第２パターンを形成する段階；及び前記第３ナノフロン層上に第２絶縁層を位置させる段階；をさらに含む。
前記第２パターン形成段階は、前記第２導電層をエッチングして伝送信号線及び接地（ＧＮＤ）端子を形成することを特徴とする。

本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法は、前記第２絶縁層上に形成された第２パターンと前記エッチングによって露出された第２絶縁層上に第４ナノフロン層を位置させる段階；及び前記第４ナノフロン層上に第３接地（ＧＮＤ）層を接着する段階；をさらに含む。
前記位置させることは、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によって接着されることを特徴とする。

本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路及びその製造方法によれば、樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造物質を伝送線路の誘電体として使用することにより、伝送線路の誘電体の誘電率が小さく、誘電率が低い状態で損失タンジェント値を減らしうる。
特に、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路は、５世代移動通信（５Ｇ Ｎｅｔｗｏｒｋ）で使われる３．５ＧＨｚ及び２８ＧＨｚ帯域の超高周波信号の伝送損失を減らすための低損失平面ケーブル（ｆｌａｔ ｃａｂｌｅ）として使われる。

電界紡糸を通じてナノフロンを製造する装置の一例を示した図面である。 ストリップライン伝送線路に係わる一例を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第１実施形態の断面図である。 本発明による第１ナノフロン層との接着を示す伝送線路の断面を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第２実施形態の断面図である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第３実施形態の断面図である。 本発明による第２ナノフロン層６１０との接着を示す伝送線路の断面を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第４実施形態の断面図である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第５実施形態の断面図である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第６実施形態の断面図である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第２実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第３実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第４実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第９実施形態を示した図面である。 本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第９実施形態を示した図面である。

以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳しく説明する。本明細書に記載の実施形態と図面とに示された構成は、本発明の望ましい一実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想をいずれも代弁するものではないので、本出願時点において、これらを代替しうる多様な均等物と変形例とがあるということを理解しなければならない。
まず、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路で使われるナノ構造物質について説明する。前記ナノ構造物質は、液相の樹脂を高圧で電界紡糸（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｉｎｎｉｎｇ）して形成された物質を言い、本明細書において、ナノフロン（Ｎａｎｏｆｌｏｎ）と称する。

図１は、電界紡糸を通じてナノフロンを製造する装置の一例を示したものであって、注射器１１０に高分子のポリマー溶液１２０を注入して注射器１１０と放射する基板との間に高電圧１３０を加え、ポリマー溶液を一定の速度で流せば、表面張力によって電気が毛細管端にぶら下がっている液体に加えられながら、ナノサイズの細い糸１４０が作られ、時間が経てば、不織布形態のナノ構造の物質であるナノ繊維１５０が積もる。このようにナノ繊維が積もって形成された物質がナノフロンである。電界紡糸に使われる高分子物質の例を挙げると、ＰＵ（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、ＰＶＤＦ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｉｎｅ Ｄｉｆｌｏｕｒｉｄｅ）、Ｎｙｌｏｎ（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ＰＡＮ（ｐｏｌｙａｃｒｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）などがある。ナノフロンは、誘電率が低く、空気が多くて、伝送線路の誘電体として使われる。

図２は、ストリップライン伝送線路に係わる一例を示したものである。図２を参照すれば、ストリップライン伝送線路に係わる一例は、信号を伝送する信号線２１０と信号線２１０を取り囲んでいる誘電体２２０及びアウタシールド（ｏｕｔｅｒ ｓｈｉｅｌｄ）の役割を行う導体２３０からなる。

図３は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第１実施形態の断面図である。図３を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第１実施形態は、第１ナノフロン層３１０、第１絶縁層３２０、第１パターン３４０及び第１接地（ＧＮＤ）層３５０を含んでなる。

第１ナノフロン層３１０は、ナノフロンからなる。第１絶縁層３２０は、絶縁物質からなり、第１ナノフロン層３１０の上部に位置し、例えば、接着によって位置しうる。前記絶縁物質は、エッチング溶液の吸収を防ぐことができる物質であって、例えば、熱的耐久性が高いプラスチックとして高分子有機化合物であるＰＩが使われる。
第１パターン３４０は、第１絶縁層３２０上に形成された第１導電層３３０をエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）して形成され、伝送線路を通じて信号が伝送される伝送線の役割を果たす。そして、第１接地層３５０が第１ナノフロン層３１０の下部に位置し、例えば、接着によって位置しうる。
前記第１ナノフロン層３１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。そして、第１絶縁層３２０は、第１ナノフロン層３１０を絶縁物質でコーティングした第１コーティング層である。

図４は、本発明による第１ナノフロン層３１０との接着を示す伝送線路の断面を示したものであって、参照番号４１０は、第１ナノフロン層３１０と第１絶縁層３２０との接着を示し、参照番号４２０は、第１ナノフロン層３１０と第１接地層３５０との接着を示す。

図５は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第２実施形態の断面図である。図５を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第２実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第１実施形態の第１パターン３４０を形成する時、接地線５１０、５２０をさらに形成し、第１パターン３４０は、信号線として使われる。すなわち、前記第１導電層３３０をエッチングして接地線５１０、５２０と信号線５３０とを形成する。

図６は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第３実施形態の断面図である。図６を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第３実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第１実施形態（図３）に第２ナノフロン層６１０と第２接地（ＧＮＤ）層６２０とをさらに含んでなる。
第２ナノフロン層６１０は、第１絶縁層３２０上に形成された第１パターン３４０と前記エッチングによって露出された第１絶縁層３２０上に位置し、前記位置は、接着によってなされうる。第２接地層６２０は、前記第２ナノフロン層上に位置し、前記位置は、接着によってなされうる。前記第２ナノフロン層６１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。

図７は、本発明による第２ナノフロン層６１０との接着を示す伝送線路の断面を示したものであって、参照番号７１０は、第２ナノフロン層６１０と第１絶縁層３２０及び第１パターン３４０との接着を示し、参照番号７２０は、第２ナノフロン層６１０と第２接地層６２０との接着を示す。

図８は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第４実施形態の断面図である。図８を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第４実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第３実施形態（図６）に第３ナノフロン層８１０、第２絶縁層８２０、第２パターン８４０をさらに含んでなる。第３ナノフロン層８１０は、第２接地層６２０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。
第２絶縁層８２０は、第３ナノフロン層８１０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。第２パターン８４０は、第２絶縁層８２０上に形成された第２導電層８３０をエッチングして形成され、信号を伝送する信号線として使われる。前記第３ナノフロン層８１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。そして、第２絶縁層８２０は、第３ナノフロン層８１０を絶縁物質でコーティングした第２コーティング層である。

図９は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第５実施形態の断面図である。図９を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第５実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第４実施形態の第２パターン８４０を形成する時、接地線９１０、９２０をさらに形成し、第２パターン９３０は、信号線として使われる。すなわち、前記第２導電層８３０をエッチングして接地線９１０、９２０と信号線９３０とを形成する。

図１０は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第６実施形態の断面図である。図１０を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路に係わる第６実施形態は、前述した本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の第４実施形態（図８）に第４ナノフロン層１０１０と第３接地層１０２０とをさらに含んでなる。
第４ナノフロン層１０１０は、第２絶縁層８２０上に形成された第２パターン８４０と前記エッチングによって露出された第２絶縁層８２０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。第３接地層１０２０は、第４ナノフロン層１０１０上に位置し、前記位置させることは、接着によってなされうる。前記第４ナノフロン層１０１０との接着は、接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によってなされうる。

図１１は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１実施形態を示したものである。図１１の（ａ）を参照すれば、第１絶縁層１１１０上に第１導電層１１２０を形成する。そして、図１１の（ｂ）を参照すれば、第１導電層１１２０をエッチングして信号を送受信する第１パターン１１３０を形成する。前記エッチングを行うに当って、第１絶縁層１１１０上に第１導電層１１２０が形成された製品を使用して第１導電層１１２０をエッチングしても良い。
図１１の（ｃ）を参照すれば、ナノフロンからなる第１ナノフロン層１１４０の上部に第１絶縁層１１１０を位置させる。例えば、第１絶縁層１１１０を第１ナノフロン層１１４０の上部に位置させることは、第１ナノフロン層１１４０に第１絶縁層１１１０を接着１１１５することができ、前記接着は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じてなされうる。
第１ナノフロン層１１４０の下部に第１接地（ＧＮＤ）層１１５０を位置させる。例えば、第１ナノフロン層１１４０の下部に第１接地層１１５０を接着１１５５することができ、前記接着は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じて第１ナノフロン層１１４０の下部に第１接地層１１５０を位置させることができる。

図１２は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第２実施形態を示したものである。図１２を参照すれば、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第２実施形態は、図１１の（ｃ）に示したように、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法の第１実施形態の第１パターン１１３０を形成する時、接地線１２１０、１２２０をさらに形成し、第１パターン１２３０は、信号線として使われる。すなわち、前記第１導電層１１２０をエッチングして接地線１２１０、１２２０と信号線１２３０とを形成しうる。

図１３は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第３実施形態を示したものである。図１３の（ａ）は、図１１の（ｃ）に示された本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第１実施形態である。図１３（ｂ）に示したように、前記伝送線路の製造方法の第１実施形態の結果物に第２ナノフロン層１３１０を位置させる。例えば、伝送線路の製造方法の第１実施形態の第１絶縁層１１１０上に形成された第１パターン１１３０とエッチングによって露出された第１絶縁層１１１０上に第２ナノフロン層１３１０を接着１３２５することができる。また、第２ナノフロン層１３１０上に第２接地層１３２０を位置させることができる。前記位置させることは、接着１３１５を通じてなされうる。前記接着１３１５、１３２５は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を通じてなされうる。

図１４は、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第４実施形態を示したものである。本発明による伝送線路の製造方法の第２実施形態の結果物である図１４の（ａ）に図１４の（ｂ）のように第２ナノフロン層１４１０を位置させ、第２ナノフロン層１４１０上に第２接地線１４２０を位置させる。接地線１２１０、１２２０及び第１絶縁層１１１０上に第２ナノフロン層１４１０を位置させることと第２ナノフロン層１４１０上に第２接地線１４２０を位置させることは、接着１４１５、１４２５を通じてなされうる。

図１５ａ、図１５ｂ及び図１５ｃは、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態を示したものである。図１５ａは、図１３の（ｂ）を図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第3実施形態の結果物である。図１５ｂを参照すれば、図１３の（ｂ）に示された本発明による伝送線路の製造方法の第３実施形態の結果物の第２接地層１３２０に第３ナノフロン層１５１０を位置させた後、第３ナノフロン層１５１０の上部に第２絶縁層１５２０を位置させる。
図１５ｃを参照すれば、第２絶縁層１５２０上に第２導電層１５３０が形成された後、第２導電層１５３０をエッチングして信号線である第２パターン１５４０を形成する。
第３ナノフロン層１５１０と接触される第２接地層１３２０及び第２絶縁層１５２０は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着１５１５、１５２５される。

図１６ａ、図１６ｂ、図１６ｃ、図１６ｄ及び図１６eは、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第６実施形態を示したものである。図１６ａは、図１３の（ｂ）を図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第３実施形態の結果物である。
図１６ｂを参照すれば、図１６ａに示された本発明による伝送線路の製造方法の第３実施形態の結果物の第２接地層１３２０に第３ナノフロン層１６１０を位置させる。
図１６ｃを参照すれば、第１絶縁層１６２０上に第１導電層１６３０を形成する。そして、図１６ｄを参照すれば、第１導電層１６３０をエッチングして信号を送受信する第２パターン１６４０を形成する。前記エッチングを行うに当って、第１絶縁層１６２０上に第２導電層１６３０が形成された製品を使用して第２導電層１６３０をエッチングしても良い。
図１６eを参照すれば、図１６ｂに示したように、第２接地層１３２０に位置した第３ナノフロン層１６１０の上部に図１６ｄに示したように、第２パターン１６４０が形成された第２絶縁層１６２０を位置させる。第３ナノフロン層１６１０と接触される第２接地層１３２０及び第２絶縁層１６２０は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着１６１５、１６２５される。

図１７ａ及び図１７ｂは、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第７実施形態を示したものである。図１７ａは、図１５ｂを図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第５実施形態で第２絶縁層１５２０上に第２導電層１５３０を形成したことを示したものである。図１７ｂを参照すれば、図１５ｂに示された本発明による伝送線路の製造方法の第５実施形態の第２導電層１５３０が形成された後、第２導電層１５３０をエッチングして伝送信号線１７３０及び接地線１７１０、１７２０を形成する。

図１８ａ、図１８ｂ、図１８ｃ及び図１８ｄは、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第８実施形態を示したものである。図１８ａは、図１６ｂを図示したものであって、本発明による伝送線路の製造方法の第３実施形態で第２接地層１３２０上に第３ナノフロン層１６１０を形成したことを示したものである。図１８ｂを参照すれば、第１絶縁層１８１０上に第１導電層１８２０を形成する。そして、図１８ｃを参照すれば、第１導電層１８２０をエッチングして信号を送受信する第２パターン１８３０と２つの接地線１８４０、１８５０とを形成する。前記エッチングを行うに当って、第１絶縁層１８１０上に第２導電層１８２０が形成された製品を使用して第２導電層１８２０をエッチングしても良い。
図１８ｄを参照すれば、図１８ａに示したように、第２接地層１３２０に位置した第３ナノフロン層１６１０の上部に図１８ｃに示したように、第２パターン１６４０及び接地線１８４０、１８５０が形成された第２絶縁層１８１０を位置させる。
第３ナノフロン層１６１０と接触される第２接地層１３２０及び第２絶縁層１８１０は、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着１６１５、１８２５される。

図１９ａ及び図１９ｂは、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第９実施形態を示したものである。図１９ａは、図１５ｃ及び図１６ｅを図示したものであって、本発明によるナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法に係わる第５実施形態の結果物及び第６実施形態の結果物を示したものである。
図１９ｂを参照すれば、前記伝送線路の製造方法の第５実施形態で形成された第２パターン１５４０または前記伝送線路の製造方法の第６実施形態で形成された第２パターン１６４０とエッチングによって露出された第２絶縁層１５２０、１６２０上に第４ナノフロン層１９１０を位置させ、第４ナノフロン層１９１０上に第３接地層１９２０を形成する。この際、第２パターン１５４０、１６４０とエッチングによって露出された第２絶縁層１５２０、１６２０上に第４ナノフロン層１９１０を位置させることは、接着テープや接着剤を使用するか、接着物質に熱を加えて熱接着を行うことにより、接着１９１５、１９２５を通じてなされうる。

本発明は、図面に示された実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。

Claims (19)

1. ナノフロンからなる第１ナノフロン層と、
   前記第１ナノフロン層の上部に位置する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上に形成された第１導電層をエッチングして形成された第１パターンと、
   前記第１ナノフロン層の下部に位置する第１接地（ＧＮＤ）層と、を含み、
   前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である、ナノ構造物質を利用した伝送線路。
2. 前記第１パターンは、
   前記第１導電層をエッチングしてなる接地線と信号線とを含むことを特徴とする請求項１に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
3. 前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に位置する第２ナノフロン層と、
   前記第２ナノフロン層上に位置する第２接地（ＧＮＤ）層と、
   をさらに含む、請求項１に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
4. 前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に位置する第２ナノフロン層と、
   前記第２ナノフロン層上に位置する第２接地（ＧＮＤ）層と、
   前記第２接地（ＧＮＤ）層上に位置する第３ナノフロン層と、
   前記第３ナノフロン層上に位置する第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層上に形成された第２導電層をエッチングして形成され、信号を伝送する第２パターンと、
   をさらに含む、請求項１に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
5. 前記第２パターンは、
   前記第２導電層をエッチングして形成される接地（ＧＮＤ）端子と信号を伝送する信号線とを含むことを特徴とする請求項４に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
6. 前記第２絶縁層は、
   前記第３ナノフロン層の上部を絶縁物質でコーティングした第２コーティング層であることを特徴とする請求項４に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
7. 前記第２絶縁層上に形成された第２パターンと前記エッチングによって露出された第２絶縁層上に位置する第４ナノフロン層と、
   前記第４ナノフロン層上に位置する第３接地（ＧＮＤ）層と、
   をさらに含む、請求項４に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
8. 前記第１パターンは、
   前記第１導電層をエッチングしてなる接地線と信号線とを含むことを特徴とする請求項１に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
9. 前記第１絶縁層は、
   前記第１ナノフロン層の上部を絶縁物質でコーティングした第１コーティング層であることを特徴とする請求項１に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
10. 前記位置させることは、
    接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によって接着されることを特徴とする請求項１、請求項３、請求項４及び請求項７のうち何れか一項に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
11. 前記第１絶縁層ないし第３絶縁層は、ＰＩであり、導電層は、銅（Ｃｕ）であることを特徴とする請求項１から請求項９のうち何れか一項に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路。
12. 第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階と、
    前記第１導電層をエッチングして信号を送受信する第１パターンを形成する段階と、
    ナノフロンからなる第１ナノフロン層の上部に前記第１絶縁層を位置させる段階と、
    前記第１ナノフロン層の下部に第１接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、を含み、
    前記ナノフロンは、液相の樹脂を高圧で電界紡糸して形成されたナノ構造の物質である、ナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
13. 前記第１パターン形成段階は、
    前記第１導電層をエッチングして接地線及び伝送信号線を形成することを特徴とする請求項１２に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
14. 前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層上に第２ナノフロン層を位置させる段階と、
    前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を接着する段階と、
    をさらに含む、請求項１２に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
15. 前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層に第２ナノフロン層を位置させる段階と、
    前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、
    前記第２接地（ＧＮＤ）層上に第３ナノフロン層を位置させる段階と、
    前記第３ナノフロン層上に第２絶縁層を位置させる段階と、
    前記第２絶縁層上に第２導電層を形成する段階と、
    前記第２導電層をエッチングして信号を送受信する第２パターンを形成する段階と、
    をさらに含む、請求項１２に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
16. 前記第１絶縁層上に形成された第１パターンと前記エッチングによって露出された第１絶縁層に第２ナノフロン層を位置させる段階と、
    前記第２ナノフロン層上に第２接地（ＧＮＤ）層を位置させる段階と、
    前記第２接地（ＧＮＤ）層上に第３ナノフロン層を位置させる段階と、
    第２絶縁層上に第２導電層を形成する段階と、
    前記第２導電層をエッチングして信号を送受信する第２パターンを形成する段階と、
    前記第３ナノフロン層上に第２絶縁層を位置させる段階と、
    をさらに含む、請求項１２に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
17. 前記第２パターン形成段階は、
    前記第２導電層をエッチングして伝送信号線及び接地（ＧＮＤ）端子を形成することを特徴とする請求項１５または１６に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
18. 前記第２絶縁層上に形成された第２パターンと前記エッチングによって露出された第２絶縁層上に第４ナノフロン層を位置させる段階と、
    前記第４ナノフロン層上に第３接地（ＧＮＤ）層を接着する段階と、
    をさらに含む、請求項１５または１６に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。
19. 前記位置させることは、
    接着テープ、粘着剤または接着テープに熱を加えた熱接着によって接着されることを特徴とする請求項１２、請求項１４、請求項１５、請求項１６及び請求項１７のうち何れか一項に記載のナノ構造物質を利用した伝送線路の製造方法。

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