CN112640004A - 使用纳米结构材料的传输线及其制造方法 - Google Patents

使用纳米结构材料的传输线及其制造方法 Download PDF

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Abstract

公开了使用纳米结构材料制造传输线的方法和制造该传输线的方法。使用纳米结构材料的所述传输线包括：第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。

Description

使用纳米结构材料的传输线及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月31日提交的韩国专利申请No.2018-0103892的优先权和权益，其公开内容通过整体引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种传输线，更具体地，涉及一种使用通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料的传输线以及制造该传输线的方法。
背景技术
为了以小损耗传输或处理超高频信号，低损耗和高性能传输线是必要的。通常，传输线处的损耗大致分为由金属引起的导体损耗和由电介质引起的介电损耗。特别地，当电介质的介电常数较高时，由电介质引起的损耗增加，并且当电阻较大时，功率损耗增加。
因此，为了制造用于传输超高频信号的低损耗和高性能传输线，必须使用具有低介电常数和小损耗正切值的材料。特别地，为了有效地发送在5G移动通信网络中使用的具有3.5GHz频带到28GHz频带中的频率的信号，甚至在超高频带中具有低损耗的传输线的重要性也越来越增加。
发明内容
本发明旨在提供一种使用纳米结构材料的传输线，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗。
本发明还旨在提供一种使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料制造传输线的方法，该纳米结构材料具有低介电常数并且能够在该低介电常数下减小损耗正切值，以减小由电介质引起的传输线损耗。
根据本发明的一个方面，提供了一种使用纳米结构材料的传输线。所述传输线包括：第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方。这里，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。
所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。所述传输线可进一步包括：第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上。
所述传输线可以进一步包括：第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上；第三纳米氟龙层，其定位在所述第二接地层上；第二绝缘层，其定位在所述第三纳米氟龙层上；以及第二图案，其通过蚀刻形成在所述第二绝缘层上的第二导电层而形成，并且所述传输线发送信号。
所述第二图案可以包括通过蚀刻所述第二导电层形成的接地线和被配置为发送信号的信号线。
所述传输线可进一步包括：第四纳米氟隆层，其定位在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上，并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及第三接地层，其定位在所述第四纳米氟隆层上。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可以由聚酰亚胺(PI)形成，导电层可以由铜(Cu)形成。
根据本发明的另一个方面，提供了一种使用纳米结构材料制造传输线的方法。该方法包括：在第一绝缘层上形成第一导电层；通过蚀刻所述第一导电层来形成发送和接收信号的第一图案；在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；以及在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层。这里，纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。形成所述第一图案可以包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号传输线。
所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层。
所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；在所述第三纳米氟隆层上定位第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第二导电层；以及通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案。
所述方法可进一步包括：在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；在第二绝缘层上形成第二导电层；通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案；以及在所述第三纳米氟隆层上定位所述第二绝缘层。
形成所述第二图案可以包括通过蚀刻所述第二导电层形成信号传输线和接地线。
所述方法可进一步包括：在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上定位第四纳米氟隆层并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及将第三接地层结合到所述第四纳米氟隆层。
可通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它目的、特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加明显，其中：
图1示出了一种通过静电纺丝制造纳米氟隆的设备的示例；
图2示出了带状线传输线的示例；
图3是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第一实施例的横截面视图；
图4是示出根据本发明的与第一纳米氟隆层的粘合的传输线的横截面视图；
图5是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第二实施例的横截面视图；
图6是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第三实施例的横截面视图；
图7是示出根据本发明的与第二纳米氟隆层610的粘合的传输线的横截面视图；
图8是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第四实施例的横截面视图；
图9是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第五实施例的横截面视图；
图10是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第六实施例的横截面视图；
图11示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第一实施例；
图12示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第二实施例；
图13示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第三实施例；
图14示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第四实施例；
图15a、图15b和图15c示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第五实施例；
图16a、图16b、图16c、图16d和图16e示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第六实施例；
图17a和图17b示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第七实施例；
图18a、图18b、18c和图18d示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第八实施例；以及
图19a和图19b示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第九实施例。
具体实施方式
在下文中，将参考所附附图详细描述本发明的示例性实施方式。由于说明书中公开的实施例和附图中示出的部件仅仅是本发明的示例性实施例，并且不表示本发明的技术概念的整体，应当理解，在本申请提交时可以存在能够替代实施例和部件的各种等同物和修改。
首先，将描述在根据本发明的使用纳米结构材料的传输线中使用的纳米结构材料。纳米结构材料是指通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的材料，在本文中将其称为纳米氟隆。图1示出了一种通过静电纺丝制造纳米氟隆的设备的示例。当将包括聚合物的聚合物溶液注入注射器中并且在注射器和其上进行旋转并且聚合物溶液以一定速度流入其中的基板之间施加高电压时，由于表面张力将电施加到从毛细管末端悬浮的液体上，形成纳米尺寸的线，并且随着时间的推移，累积作为纳米结构材料的非织造纳米纤维。通过如上所述累积纳米纤维形成的材料是纳米氟隆。作为用于静电纺丝的聚合物材料，例如存在聚氨酯(PU)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、尼龙(聚酰胺)、聚丙烯腈(PAN)等。由于低介电常数和其中的大量空气，纳米氟隆可以用作传输线的电介质。
图2示出了带状线传输线的示例。参照图2，带状线传输线可以包括发送信号的信号线210、围绕信号线210的电介质220以及用作外屏蔽的导体230。
图3是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第一实施例的横截面视图。参照图3，根据本发明的关于使用纳米结构材料的传输线的第一实施例包括第一纳米氟隆层310、第一绝缘层320、第一图案340和第一接地层350。第一纳米氟隆层310包括纳米氟隆。第一绝缘层320包括绝缘材料并且定位在第一纳米氟隆层310上方，并且例如可以通过粘合来定位。绝缘材料是能够防止蚀刻溶液被吸收的材料，并且例如可以使用聚酰亚胺(PI)作为耐热塑料，其是有机聚合物化合物。
第一图案340可通过蚀刻形成在第一绝缘层320上的第一导电层330而形成，并用作发送信号的传输线。此外，第一接地层350可以位于第一纳米氟隆层310下方，并且例如可以通过粘合来定位。
与第一纳米氟隆层310的粘合可使用粘合带、粘合剂或者其中将热施加到粘合带上的热粘合来进行。此外，第一绝缘层320可以是通过用绝缘材料涂覆第一纳米氟隆层310而形成的第一涂覆层。
图4是示出根据本发明的与第一纳米氟隆层310的粘合的传输线的横截面视图。附图标记410表示第一纳米氟隆层310和第一绝缘层320之间的粘合，并且附图标记420表示第一纳米氟隆层310和第一接地层350之间的粘合。
图5是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第二实施例的横截面视图。参照图5，在根据本发明的关于使用纳米结构材料的传输线的第二实施例中，当形成根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第一实施例时，进一步形成接地线510和520，并且第一图案530用作信号线。即，通过蚀刻第一导体层330形成接地线510和520以及信号线530。
图6是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第三实施例的横截面视图。参照图6，除了根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第一实施例(参照图3)之外，根据本发明的关于使用纳米结构材料的传输线的第三实施例还包括第二纳米氟隆层610和第二接地层620。
第二纳米氟隆层610可以定位于形成在第一绝缘层320上的第一图案340上方，并且第一绝缘层320通过蚀刻暴露，并且第二纳米氟隆层610可以通过粘合来定位。第二接地层620可以定位在第二纳米氟隆层610上方并且可以通过粘合来定位。与第二纳米氟隆层610的粘合可使用粘合带、粘合剂或者其中将热施加到粘合带上的热粘合来进行。
图7是示出根据本发明的与第二纳米氟隆层610的粘合的传输线的横截面视图。附图标记710表示第二纳米氟隆层610与第一绝缘层320以及第一图案340之间的粘合，并且附图标记720表示第二纳米氟隆层610和第二接地层620之间的粘合。
图8是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第四实施例的横截面视图。参照图8，除了根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第三实施例(参照图6)之外，根据本发明的关于使用纳米结构材料的传输线的第四实施例还包括第三纳米氟隆层810、第二绝缘层820和第二图案840。第三纳米氟隆层810可以定位在第二接地层620上方并且可以通过粘合来定位。第二绝缘层820可以定位在第三纳米氟隆层810上并且可以通过粘合来定位。第二图案840可以通过蚀刻形成在第二绝缘层820上的第二导电层830来形成，并且用作发送信号的信号线。与第三纳米氟隆层810的粘合可使用粘合带、粘合剂或者其中将热施加到粘合带上的热粘合来进行。此外，第二绝缘层820可以是通过用绝缘材料涂覆第三纳米氟隆层810而形成的第二涂覆层。
图9是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第五实施例的横截面视图。参照图9，在根据本发明的关于使用纳米结构材料的传输线的第五实施例中，当形成根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第四实施例时，进一步形成接地线910和920，并且第二图案930用作信号线。即，通过蚀刻第二导体层830形成接地线910和920以及信号线930。
图10是示出根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第六实施例的横截面视图。参照图10，除了根据本发明的使用纳米结构材料的传输线的第四实施例(参照图8)之外，根据本发明的关于使用纳米结构材料的传输线的第六实施例还包括第四纳米氟隆层1010和第三接地层1020。
第四纳米氟隆层1010可以定位于形成在第二绝缘层820上的第二图案840上，并且第二绝缘层820通过蚀刻暴露，并且第四纳米氟隆层1010可以通过粘合来定位。第三接地层1020可以定位在第四纳米氟隆层1010上并且可以通过粘合来定位。与第四纳米氟隆层1010的粘合可使用粘合带、粘合剂或者其中将热施加到粘合带上的热粘合来进行。
图11示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第一实施例。参照图11(a)，在第一绝缘层1110上形成第一导电层1120。参照图11(b)，通过蚀刻第一导体层1120形成发送和接收信号的第一图案1130。在蚀刻中，可以使用其中第一导电层1120形成在第一绝缘层1110上的产品来蚀刻第一导电层1120。
参照图11(c)，第一绝缘层1110定位在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层1140上方。例如，通过允许第一绝缘层1110粘合(1115)到第一纳米氟隆层1140，第一绝缘层1110可以定位在第一纳米氟隆层1140上方，并且可以使用粘合带、粘合剂或其中热被施加到粘合剂材料的热粘合来执行粘合。第一接地层1150定位在第一纳米氟隆层1140下方。例如，第一接地层1150可以粘合(1155)到第一纳米氟隆层1140的底部，并且第一接地层1150可以通过使用粘合带、粘合剂或其中热被施加到粘合剂材料的热粘合的粘合而定位在第一纳米氟隆层1140的底部上。
图12示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第二实施例。参照图12，在根据本发明的关于使用纳米结构材料制造传输线的方法的第二实施例中，当如图11(c)中所示形成根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第一实施例时，进一步形成接地线1210和1220，并且第一图案1230用作信号线。即，通过蚀刻第一导体层1120形成接地线1210和1220以及信号线1230。
图13示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第三实施例。图13(a)示出了在图11(c)中所示的根据本发明的关于使用纳米结构材料制造传输线的方法的第一实施例。如图13(b)所示，第二纳米氟隆层1310定位在制造传输线的方法的第一实施例的结果上。例如，在制造传输线的方法的第一实施例中，第二纳米氟隆层1310可以粘合(1315)到形成在第一绝缘层1120上的第一图案1130，并且第一绝缘层1120通过蚀刻暴露。此外，第二接地层1320可以定位在第二纳米氟隆层1310上。第二接地层1320可以通过粘合1325定位在第二纳米氟隆层1310上。粘合1315或1325可以使用粘合剂或粘合剂或者通过将热施加到粘合带的热粘合来执行。
图14示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第四实施例。如图14(b)所示，第二纳米氟隆层1410定位在如图14(a)所示的根据本发明的制造传输线的方法的第二实施例的结果上，并且第二接地层1420定位在第二纳米氟隆层1410上方。第二纳米氟隆层1410可以通过粘合1415定位在接地线1210和1220、信号线1230和第一绝缘层1110上，并且第二接地层1420可以通过粘合1425定位在第二纳米氟隆层1410上。
图15a、图15b和图15c示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第五实施例。图15a示出了在图13(b)中示出的情况和根据本发明的制造传输线的方法的第三实施例的结果。参照图15b，第三纳米氟隆层151定位在如图13(b)所示的根据本发明的制造传输线的方法的第三实施例的结果的第二接地层1320上，然后第二绝缘层1520定位在第三纳米氟隆层1510上。
参照图15c，在第二绝缘层1520上方形成第二导电层1530，然后通过蚀刻第二导电层1530形成作为信号线的第二图案1540。与第三纳米氟隆层1510接触的第二接地层1320和第二绝缘层1520可以使用粘合带或粘合剂或通过将热施加到粘合剂材料的热粘合分别粘合(1515和1525)到其上。
图16a、图16b、图16c、图16d和图16e示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第六实施例。图16a示出了在图13(b)中示出的情况和根据本发明的制造传输线的方法的第三实施例的结果。
参照图16b，第三纳米氟隆层1610定位在如图16a所示的根据本发明的制造传输线的方法的第三实施例的结果的第二接地层1320上。
参照图16c，在第一绝缘层1620上形成第一导电层1630。参照图16d，通过蚀刻第一导体层1630形成发送和接收信号的第二图案1640。在蚀刻中，可以使用其中第一导电层1630形成在第一绝缘层1620上的产品来蚀刻第一导电层1630。
参照图16e，其上如图16d所示形成有第二图案1640的第二绝缘层1620定位在第三纳米氟隆层1610上方，第三纳米氟隆层1610如图16b所示定位在第二接地层1320上。与第三纳米氟隆层1610接触的第二接地层1320和第二绝缘层1620可以使用粘合带或粘合剂或通过将热施加到粘合剂材料的热粘合分别粘合(1615和1625)到其上。
图17a和图17b示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第七实施例。图17a示出了图15b中所示的情况并示出在根据本发明的制造传输线的方法的第五实施例中在第二绝缘层1520上形成第二导电层1530。参照图17b，根据本发明的制造传输线的方法的第五实施例如图15b所示地形成，然后通过蚀刻第二导电层1530形成信号线1730和接地线1710和1720。
图18a、图18b、18c和图18d示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第八实施例。图18a示出了图16b中所示的情况并且示出了在根据本发明的制造传输线的方法的第三实施例中在第二接地层1320上形成第三纳米氟隆层1610。参照图18b，在第一绝缘层1810上形成第一导电层1820。参照图18c，发送和接收信号的第二图案1830以及两条接地线1840和1850通过蚀刻第一导体层1820形成。在蚀刻中，可以使用其中第一导电层1820形成在第一绝缘层1810上的产品来蚀刻第一导电层1820。
参照图18d，其上如图18c所示形成有第二图案1830以及接地线1840和1850的第一绝缘层1810定位在第三纳米氟隆层1610上方，第三纳米氟隆层1610如图18a所示定位在第二接地层1320上。与第三纳米氟隆层1610接触的第二接地层1320和第一绝缘层1810可以使用粘合带或粘合剂或通过将热施加到粘合剂材料的热粘合分别粘合(1615和1825)到其上。
图19a和图19b示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第九实施例。图19a示出了图15c和图16e所示的情况并示出了根据本发明的使用纳米结构材料制造传输线的方法的第五实施例和第六实施例的结果。
参照图19b，第四纳米氟隆层1910定位于在制造传输线的方法的第五实施例中形成的第二图案1540上、或在制造传输线的方法的第六实施例中形成的第二图案1640上、以及通过蚀刻暴露的第二绝缘层1520或1620上，然后在第四纳米氟隆层1910上形成第三接地层1920。这里，通过使用粘合带、粘合剂或者将热施加到粘合剂材料的热粘合的粘合1915和1925，可以将第四纳米氟隆层1910定位在通过蚀刻暴露的第二图案1540或1640以及第二绝缘层1520或1620上。
根据本发明的实施例，在使用纳米结构材料的传输线和制造传输线的方法中，通过在高电压下静电纺丝树脂形成的纳米结构材料被用作传输线的电介质，可以使得传输线的电介质的介电常数低，并且损耗正切值可以在低介电常数下减小。
特别地，使用纳米结构材料的传输线可以用作低损耗扁平电缆，用于降低五代(5G)移动通信网络中使用的从3.5GHz到28GHz的频带中高频信号的传输损耗。
虽然已经参照附图中所示的实施例描述了本发明，但是应当理解，这些实施例仅仅是示例，本领域普通技术人员可以进行各种修改及其等同物。因此，本发明的技术范围应当由所附权利要求书的技术概念来限定。

Claims (19)

1.一种使用纳米结构材料的传输线，该传输线包括：
第一纳米氟隆层，其由纳米氟隆形成；
第一绝缘层，其定位在所述第一纳米氟隆层上方；
第一图案，其通过蚀刻形成在所述第一绝缘层上的第一导电层而形成；以及
第一接地层，其定位在所述第一纳米氟隆层下方，
其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。
2.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。
3.根据权利要求1所述的传输线，所述传输线进一步包括：
第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及
第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上。
4.根据权利要求1所述的传输线，所述传输线进一步包括：
第二纳米氟隆层，其定位在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上，并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；
第二接地层，其定位在所述第二纳米氟隆层上；
第三纳米氟龙层，其定位在所述第二接地层上；
第二绝缘层，其定位在所述第三纳米氟龙层上；以及
第二图案，其通过蚀刻形成在所述第二绝缘层上的第二导电层而形成，并且所述传输线发送信号。
5.根据权利要求4所述的传输线，其中，所述第二图案包括通过蚀刻所述第二导电层形成的接地线和被配置为发送信号的信号线。
6.根据权利要求4所述的传输线，其中，所述第二绝缘层是通过用绝缘材料涂覆所述第三纳米氟隆层的顶部而形成的第二涂覆层。
7.根据权利要求4所述的传输线，所述传输线进一步包括：
第四纳米氟隆层，其定位在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上，并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及
第三接地层，其定位在所述第四纳米氟隆层上。
8.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成的接地线和信号线。
9.根据权利要求1所述的传输线，其中，所述第一绝缘层是通过用绝缘材料涂覆所述第一纳米氟隆层的顶部而形成的第一涂覆层。
10.根据权利要求1、3、4和7中任一项所述的传输线，其中，通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的传输线，其中，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层是聚酰亚胺(PI)，并且所述导电层是铜(Cu)。
12.一种使用纳米结构材料制造传输线的方法，该方法包括：
在第一绝缘层上方形成第一导电层；
通过蚀刻所述第一导电层形成发送和接收信号的第一图案；
在由纳米氟隆形成的第一纳米氟隆层上方定位所述第一绝缘层；以及
在所述第一纳米氟隆层下方定位第一接地层，
其中，所述纳米氟隆是通过在高电压下静电纺丝液体树脂而形成的纳米结构材料。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一图案包括通过蚀刻所述第一导电层形成接地线和信号线。
14.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括：
在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及
在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层。
15.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括：
在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；
在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；
在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；
在所述第三纳米氟隆层上定位第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上定位第二导电层；以及
通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案。
16.根据权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括：
在形成于所述第一绝缘层上的所述第一图案上定位第二纳米氟隆层并且所述第一绝缘层通过所述蚀刻暴露；
在所述第二纳米氟隆层上定位第二接地层；
在所述第二接地层上定位第三纳米氟隆层；
在第二绝缘层上形成第二导电层；
通过蚀刻所述第二导电层形成发送和接收信号的第二图案；以及
在所述第三纳米氟隆层上定位所述第二绝缘层。
17.根据权利要求15和16中任一项所述的方法，其中，形成所述第二图案包括通过蚀刻所述第二导电层形成信号线和接地线。
18.根据权利要求15和16中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：
在形成于所述第二绝缘层上的所述第二图案上定位第四纳米氟隆层并且所述第二绝缘层通过所述蚀刻暴露；以及
将第三接地层结合到所述第四纳米氟隆层。
19.根据权利要求12、14、15、16和17中任一项所述的方法，其中，通过使用粘合带或粘合剂或使用其中将热施加到粘合带上的热粘合的粘合来进行定位。
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