KR20200025902A - 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 나노구조 물질을 이용한 전송선로는 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층; 상기 제1나노플론층 상부에 위치하는 제1절연층; 제1절연층 상에 형성된 제1도전층을 식각하여 형성된 제1패턴; 및 제1나노플론층 하부에 위치하는 제1접지(GND)층을 포함하고, 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질이다.
본 발명에 의하면, 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조 물질을 전송선로의 유전체로 사용함으로써, 전송선로의 유전체의 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실 탄젠트 값을 줄일 수 있다. 또한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로는 5세대 이동통신(5G Network)에서 사용되는 3.5GHz 및 28GHz 대역의 초고주파 신호의 전송 손실을 줄이기 위한 저손실 평면케이블(flat cable)로 사용될 수 있다.

Description

나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법 {Transmission line using nanostructured material and its manufacturing method}
본 발명은 전송선로에 관한 것으로서, 특히 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법에 관한 것이다.
초고주파 신호를 적은 손실로 전송하거나 처리하기 위해서는 저손실 및 고성능의 전송선로가 필요하다. 일반적으로 전송선로에서의 손실은 크게 금속에 의한 도전체 손실과 유전체에 의한 유전체 손실로 구분된다. 특히 유전체에 의한 손실은 유전체의 유전율이 높을수록 커지고 저항이 클수록 전력손실이 커진다.
따라서 초고주파 신호 전송을 위한 저손실 및 고성능의 전송선로를 제조하기 위해서는 유전율(loss tangent)이 작고, 손실 탄젠트(loss tangent) 값이 작은 물질을 사용하는 것이 필요하다. 특히 5세대 이동통신(5G Network)에서 사용되는 3.5GHz 및 28GHz 대역의 주파수를 갖는 신호를 효율적으로 전송하기 위해서는 초고주파 대역에서도 손실이 작은 전송선로의 중요성은 더욱 커지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 저손실 및 고성능의 전송선로에 대한 필요성을 충족하기 위해 창출된 것으로서, 유전체에 의한 전송선로의 손실을 줄이기 위해 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실탄젠트 값을 줄일 수 있는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 유전체에 의한 전송선로의 손실을 줄이기 위해 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실 탄젠트(loss tangent) 값을 줄일 수 있는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로는, 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층; 상기 제1나노플론층 상부에 위치하는 제1절연층; 상기 제1절연층 상에 형성된 제1도전층을 식각하여 형성된 제1패턴; 및 상기 제1나노플론층 하부에 위치하는 제1접지(GND)층을 포함하고, 상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질이다.
상기 제1패턴은 상기 제1도전층을 식각하여 이루어진 접지선과 신호선을 포함한다. 본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로는, 상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층 상에 위치하는 제2나노플론층; 및 상기 제2나노플론층 상에 위치하는 제2접지(GND)층 더 포함한다.
본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로는, 상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층 상에 위치하는 제2나노플론층; 상기 제2나노플론층 상에 위치하는 제2접지(GND)층; 상기 제2접지(GND)층 상에 위치하는 제3나노플론층; 상기 제3나노플론층 상에 위치하는 제2절연층; 상기 제2절연층 상에 형성된 제2도전층을 식각하여 형성되며 신호를 전송하는 제2패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제2패턴은 상기 상기 제2도전층을 식각하여 형성되는 접지(GND)단자와 신호를 전송하는 신호선을 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로는, 상기 제2절연층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제2절연층 상에 위치하는 제4나노플론층; 및 상기 제4나노플론층 상에 위치하는 제3접지(GND)층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1절연층 내지 제2절연층은 PI(Poly Imide) 로 형성되고, 도전층은 구리(Cu)로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법은, 제1절연층 상에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제1패턴을 형성하는 단계; 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층 상부에 상기 제1절연층을 위치하는 단계; 및 상기 제1나노플론층 하부에 제1접지(GND)층을 위치하는 단계를 포함하고, 상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질인 것을 특징으로 한다. 상기 제1패턴 형성 단계는 상기 제1도전층을 식각하여 접지선 및 전송신호선을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조 방법은, 상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층 상에 제2나노플론층을 위치하는 단계; 및 상기 제2나노플론층 상에 제2접지(GND)층을 접착하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조 방법은, 상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층에 제2나노플론층을 위치하는 단계; 상기 제2나노플론층 상에 제2접지(GND)층을 위치하는 단계; 상기 제2접지(GND)층 상에 제3나노플론층을 위치하는 단계; 상기 제3나노플론층 상에 제2절연층을 위치하는 단계: 상기 제2절연층 상에 제2도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조 방법은, 상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층에 제2나노플론층을 위치하는 단계; 상기 제2나노플론층 상에 제2접지(GND)층을 위치하는 단계; 상기 제2접지(GND)층 상에 제3나노플론층을 위치하는 단계; 제2절연층 상에 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제3나노플론층 상에 제2절연층을 위치하는 단계를 더 포함한다.
상기 제2패턴 형성 단계는 상기 제2도전층을 식각하여 전송신호선 및 접지(GND)단자를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조 방법은, 상기 제2절연층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제2절연층 상에 제4나노플론층을 위치하는 단계; 및 상기 제4나노플론층 상에 제3접지(GND)층을 접착하는 단계를 더 포함한다.
상기 위치하는 것은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법에 의하면, 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조 물질을 전송선로의 유전체로 사용함으로써, 전송선로의 유전체의 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실 탄젠트 값을 줄일 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로는 5세대 이동통신(5G Network)에서 사용되는 3.5GHz 및 28GHz 대역의 초고주파 신호의 전송 손실을 줄이기 위한 저손실 평면케이블(flat cable)로 사용될 수 있다.
도 1은 전기방사를 통해 나노플론을 제조하는 장치의 일 예를 나타낸 것이다.
도 2는 스트립라인 전송선로에 대한 일 예를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제1 실시예의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제1나노플론층과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제2 실시예의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제3 실시예의 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 제2나노플론층(610)과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제4 실시예의 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제5 실시예의 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제6 실시예의 단면도이다.
도 11은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제1 실시예를 나타낸 것이다.
도 12는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제2 실시예를 나타낸 것이다.
도 13는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제3 실시예를 나타낸 것이다.
도 14는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제4 실시예를 나타낸 것이다.
도 15a, 도 15b 및 도 15c는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제5실시예를 나타낸 것이다.
도 16a, 도 16b, 도 16c, 도 16d 및 도 16e는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제6실시예를 나타낸 것이다.
도 17a 및 도 17b는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제7실시예를 나타낸 것이다.
도 18a, 도 18b, 도 18c 및 도 18d는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제 8실시예를 나타낸 것이다.
도 19a 및 도 19b는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제 9실시예를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
먼저, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에서 사용되는 나누구조 물질에 대해 설명하기로 한다. 상기 나노구조물질은 액상의 수지를 고압에서 전기방사(Electrospinning)하여 형성된 물질을 말하며, 본 명세서에서 나노플론(Nanoflon)이라 칭하기로 한다. 도 1은 전기방사를 통해 나노플론을 제조하는 장치의 일 예를 나타낸 것으로서, 주사기(110)에 고분자의 폴리머 용액(120)을 주입하여 주사기(110)와 방사할 기판 사에 고전압(130)을 가하고, 폴리머 용액을 일정한 속도로 흘려주면 표면장력에 의해 전기가 모세관 끝에 매달려 있는 액체에 가해지면서 나노 크기의 가는 실(140)이 만들어지고 시간이 지나면 부직포 형태의 나노구조의 물질인 나노섬유(150)가 쌓이게 된다. 이렇게 나노섬유가 쌓여 형성된 물질이 나노플론이다. 전기방사에 사용되는 고분자 물질의 예를 들면 PU(polyurethane), PVDF(polyvinylidine Diflouride), Nylon(polyamide), PAN(polyacrlonitrile) 등이 있다. 나노플론은 유전율이 낮고 공기가 많아 전송선로의 유전체로 사용될 수 있다.
도 2는 스트립라인 전송선로에 대한 일 예를 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 스트립라인 전송선로에 대한 일 예는 신호를 전송하는 신호선(210)과 신호선(210)을 감싸고 있는 유전체(220) 및 outer shield 역할을 하는 도체(230)로 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제1실시예의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제1실시예는 제1노나플론층(310), 제1절연층(320), 제1패턴(340) 및 제1접지(GND)층(350)을 포함하여 이루어진다. 제1노나플론층(310)은 나노플론으로 이루어진다. 제1절연층(320)은 절연물질로 이루어지고, 제1나노플론층(310) 상부에 위치하며 예를 들어 접착에 의해 위치할 수 있다. 상기 절연물질은 에칭용액이 흡수되는 것을 막을 수 있는 물질로서, 예를 들어 열적 내구성이 높은 플라스틱으로 고분자 유기 화합물인 PI(PolyImide)가 사용될 수 있다.
제1패턴(340)은 제1절연층(320) 상에 형성된 제1도전층(330)을 식각(etching)하여 형성될 수 있으며, 전송선로를 통해 신호가 전송되는 전송선 역할을 한다. 그리고 제1접지층(350)이 제1나노플론층(310) 하부에 위치할 수 있으며, 예를 들어 접착에 의해 위치할 수 있다.
상기 제1나노플론층(310)과의 접착은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 이루어질 수 있다. 그리고 제1절연층(320)은 제1나노플론층(310)을 절연물질로 코팅한 제1코팅층일 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 제1나노플론층(310)과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것으로서, 참조번호 410은 제1나노플론층(410)과 제1절연층(420)의 접착을 나타내고, 참조번호 420는 제1나노플론층(310)과 제1접지층(350)의 접착을 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제2실시예의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제2실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제1실시예의 제1패턴(340)을 형성할 때 접지선(510, 520)를 더 형성하고, 제1패턴(340)은 신호선으로 사용된다. 즉, 상기 제1도전층(330)을 식각하여 접지선(510, 520)와 신호선(530)를 형성한다.
도 6은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제3실시예의 단면도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제3실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제1실시예(도 3)에 제2나노플론층(610)과 제2접지(GND)층(620)을 더 포함하여 이루어진다.
제2나노플론층(610)은 제1절연층(320) 상에 형성된 제1패턴(340)과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층(320) 상에 위치할 수 있으며, 상기 위치는 접착에 의해 이루어질 수 있다. 제2접지층(620)은 상기 제2나노플론층 상에 위치할 수 있으며, 상기 위치는 접착에 의해 이루어질 수 있다. 상기 제2나노플론층(610)과의 접착은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 이루어질 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 제2나노플론층(610)과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것으로서, 참조번호 710은 제2나노플론층(310)과 제1절연층(320) 및 제1패턴(340)의 접착을 나타내고, 참조번호 720는 제2나노플론층(610)과 제2접지층(620)의 접착을 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제4실시예의 단면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제4실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제3실시예(도 6)에 제3나노플론층(610), 제2절연층(820), 제2패턴(840)을 더 포함하여 이루어진다. 제3나노플론층(610)은 제2접지층(620) 상에 위치하며, 상기 위치하는 것은 접착에 의해 이루어질 수 있다. 제2절연층(820)은 제3나노플론층(810) 상에 위치하며, 상기 위치하는 것은 접착에 의해 이루어질 수 있다. 제2패턴(840)는 제2절연층(820) 상에 형성된 제2도전층(830)을 식각하여 형성되며 신호를 전송하는 신호선으로 사용된다. 상기 제3나노플론층(810)과의 접착은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 이루어질 수 있다. 그리고 제2절연층(820)은 제3나노플론층(810)을 절연물질로 코팅한 제2코팅층일 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제5실시예의 단면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제5실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제4실시예의 제2패턴(840)을 형성할 때 접지선(910, 920)를 더 형성하고, 제2패턴(930)은 신호선으로 사용된다. 즉, 상기 제2도전층(830)을 식각하여 접지선(910, 920)와 신호선(930)를 형성한다.
도 10은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제6실시예의 단면도이다. 도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제6실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제4실시예(도 8)에 제3나노플론층(1010)과 제3접지층(1020)을 더 포함하여 이루어진다.
제3나노플론층(1010)은 제2절연층(820) 상에 형성된 제2패턴(840)과 상기 식각에 의해 노출된 제2절연층(820) 상에 위치할 수 있으며, 상기 위치하는 것은 접착에 의해 이루어질 수 있다. 제3접치층(1020)은 제3나노플론층(1010) 상에 위치할 수 있으며, 상기 위치하는 것은 접착에 의해 이루어질 수 있다. 상기 제3나노플론층(1010)과의 접착은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 이루어질 수 있다.
도 11은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제1실시예를 나타낸 것이다. 도 11의 (a)를 참조하면, 제1절연층(1110) 상에 제1도전층(1120)을 형성한다. 그리고 나서, 도 11의 (b)를 참조하면, 제1도전층(1120)을 식각하여 신호를 송수신하는 제1패턴(1130)을 형성한다. 상기 식각을 함에 있어서, 제1절연층(1110) 상에 제1도전층(1120)이 형성된 제품을 사용하여 제1도전층(1120)을 식각할 수도 있다.
도 11의 (c)를 참조하면, 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층(1140) 상부에 제1절연층(1110)을 위치시킨다. 예를 들어, 제1절연층(1120)을 제1나노플론층(1140) 상부에 위치시키는 것은 제1나노플론층(1110)에 제1절연층(1120)을 접착(1115)할 수 있으며, 상기 접착은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 통해 이루어질 수 있다. 제1나노플론층(1140) 하부에 제1접지(GND)층(1150)을 위치시킨다. 예를 들어, 제1나노플론층(1110) 하부에 제1접지층(1150)을 접착(1155)할 수 있으며, 상기 접착은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 통해 제1나노플론층(1140) 하부에 제1접지층(1150)을 위치시킬 수 있다.
도 12는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제2실시예를 나타낸 것이다. 도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제2실시예는 도 11의 (c)에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법의 제1실시예의 제1패턴(1130)을 형성할 때 접지선(1210, 1220)를 더 형성하고, 제1패턴(1230)은 신호선으로 사용된다. 즉, 상기 제1도전층(1120)을 식각하여 접지선(1210, 1220)와 신호선(1230)를 형성할 수 있다.
도 13은 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제3실시예를 나타낸 것이다. 도 13의 (a)는 도 11의 (c)에 도시된, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제1실시예이다. 도 13 (b)에 도시된 바와 같이 상기 전송선로 제조방법의 제1실시예의 결과물에 제2나노플론층(1310)을 위치시킨다. 예를 들어, 전송선로 제조방법의 제1실시예의 제1절연층(1120) 상에 형성된 제1패턴(1130)과 식각에 의해 노출된 제1절연층(1110) 상에 제2나노플론층(1310)을 접착(1325)할 수 있다. 또한 제2나노플론층(1310) 상에 제2접지층(1320)을 위치시킬 수 있다. 상기 위치시키는 것은 접착(1315)을 통해 이룰 수 있다. 상기 접착(1315, 1325)는 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 통해 이루어질 수 있다.
도 14는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제4실시예를 나타낸 것이다. 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제2실시예의 결과물인 도 14 (a)에 도 14(b)와 같이 제2나플론층(1410)을 위치시키고, 제2나노플론층(1410) 상에 제2접지선(1420)을 위치시킨다. 접지선(1210, 1220) 및 제1절연층(1120) 위에 제2나노플론층(1410)을 위치시키는 것과 제2나노플론층(1410) 위에 제2접지선(1420)을 위치시키는 것은 접착(1415, 1425)을 통해 이루어질 수 있다.
도 15a, 도 15b 및 도 15c는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제5실시예를 나타낸 것이다. 도 15a는 도 13의 (b)를 도시한 것으로서, 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제5실시예의 결과물이다. 도 15b를 참조하면, 도 13의 (b)에 도시된 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제3실시예의 결과물의 제2접지층(1320)에 제3나노플론층(1510)을 위치시킨 후, 제3나노플론층(1510)의 상부에 제2절연층(1520)을 위치시킨다.
도 15c를 참조하면, 제2절연층(1520) 위에 제2도전층(1530)이 형성되고 나서, 제2도전층(1530)을 식각하여 신호선인 제2패턴(1540)을 형성한다. 제3나노플론층(1510)과 접촉되는 제2접지층(1320) 및 제2절연층(1520)은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 함으로써 접착(1515, 1525)될 수 있다.
도 16a, 도 16b, 도 16c, 도 16d및 도 16e는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제6실시예를 나타낸 것이다. 도 16a는 도 13의 (b)를 도시한 것으로서, 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제3실시예의 결과물이다.
도 16b를 참조하면, 도 16a 에 도시된 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제3실시예의 결과물의 제2접지층(1320)에 제3나노플론층(1610)을 위치시킨다.
도 16c를 참조하면, 제1절연층(1620) 상에 제1도전층(1630)을 형성한다. 그리고 나서, 도 16d를 참조하면, 제1도전층(1630)을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴(1640)을 형성한다. 상기 식각을 함에 있어서, 제1절연층(1620) 상에 제2도전층(1630)이 형성된 제품을 사용하여 제2도전층(1630)을 식각할 수도 있다.
도 16e 를 참조하면, 도 16b에 도시된 바와 같이 제2접지층(1320)에 위치된 제3나노플론층(1610)의 상부에 도 16d에 도시된 바와 같이 제2패턴(1640)이 형성된 제2절연층(1620)을 위치시킨다. 제3나노플론층(1610)과 접촉되는 제2접지층(1320) 및 제2절연층(1620)은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 함으로써 접착(1615, 1625)될 수 있다.
도 17a 및 도 17b는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제7실시예를 나타낸 것이다. 도 17a는 도 15b를 도시한 것으로서, 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제5실시예에서 제2절연층(1520) 상에 제2도전층(1530)을 형성한 것을 나타낸 것이다. 도 17b를 참조하면, 도 15b에 도시된 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제5실시예의 제2도전층(1530)이 형성된 후, 제2도전층(1530)을 식각하여 전송신호선(1730) 및 접지선(1710, 1720)를 형성한다.
도 18a, 도 18b, 도 18c 및 도 18d는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제8실시예를 나타낸 것이다. 도 18a는 도 16b를 도시한 것으로서, 본 발명에 의한 전송선로 제조방법의 제3실시예에서 제2접지층(1320) 상에 제3나노플론층(1610)을 형성한 것을 나타낸 것이다. 도 18b를 참조하면, 제1절연층(1620) 상에 제1도전층(1630)을 형성한다. 그리고 나서, 도 18c를 참조하면, 제1도전층(1630)을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴(1830)과 두 개의 접지선(1840, 1850)을 형성한다. 상기 식각을 함에 있어서, 제1절연층(1810) 상에 제2도전층(1820)이 형성된 제품을 사용하여 제2도전층(1820)을 식각할 수도 있다.
도 18d 를 참조하면, 도 18a에 도시된 바와 같이 제2접지층(1320)에 위치된 제3나노플론층(1610)의 상부에 도 18c에 도시된 바와 같이 제2패턴(1640) 및 접지선(1840, 1850)이 형성된 제2절연층(1810)을 위치시킨다. 제3나노플론층(1610)과 접촉되는 제2접지층(1320) 및 제2절연층(1810)은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 함으로써 접착(1615, 1825)될 수 있다.
도 19a 및 도 19b는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제9실시예를 나타낸 것이다. 도 19a는 도 15c 및 도 16e를 도시한 것으로서, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제5실시예의 결과물 및 제6실시예의 결과물을 나타낸 것이다.
도 19b를 참조하면, 상기 전송선로 제조방법 제5실시예에서 형성된 제2패턴(1540) 또는 상기 전송선로 제조방법 제6실시예에서 형성된 제2패턴(1640)과 식각에 의해 노출된 제2절연층(1520, 1620) 상에 제3나노플론층(1910)을 위치시키고, 제3나노플론층(1910) 위에 제3접지층(1920)을 형성한다. 이 때, 제2패턴(1540, 1640)과 식각에 의해 노출된 제2절연층(1520, 1620) 상에 제3나노플론층(1910)을 위치시키는 것은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 함으로써 접착(1915, 1925)을 통해 이루어 질 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
110 : 주사기 120 : 폴리머 용액
130 : 고전압 140 : 가는 실
150 : 나노섬유 200 : 스트립 라인
220 : 신호선 220 : 유전체
230 : 도체 310 : 제1나노플론층
320 : 제1절연층 330 : 제1도전층
340 : 제1패턴 350 : 제1접지층
410 : 접착 420 : 접착
510 : 접지선 520 : 접지선
530 : 신호선 610 : 제2나노플론층
620 : 제2접지층 710 : 접착
720 : 접착 810 : 제3나노플론층
820 : 제2절연층 830 : 제2도전층
840 : 제2패턴 910 : 접지선
920 : 접지선 930 : 신호선
1010 : 제3나노플론층 1020 : 제3접지층
1110 : 제1절연층 1120 : 제1도전층
1130 : 제1패턴 1140 : 제1나노플론층
1150 : 제1접지층 1115 : 접착
1155 : 접착 1210 : 접지선
1220 : 접지선 1230 : 신호선
1310 : 제1나노플론층 1320 : 제2접지층
1315 : 접착 1325 : 접착
1410 : 제2나노플론층 1420 : 제2접지층
1415 : 접착 1425 : 접착
1510 : 제3나노플론층 1520 : 제2절연층
1530 : 제2도전층 1515 : 접착
1525 : 접착 1615 : 접착
1620 : 제2절연층 1630 : 제2도전층
1640 : 제2패턴 1625 : 접착
1710 : 접지선 1720 : 접지선
1740 : 신호선 1810 : 제2절연층
1820 : 제2도전층 1830 : 제2신호선
1840 : 접지선 1850 : 접지선
1825 : 접착 1910 : 제3나노플론층
1915 : 접착 1920 : 제3접착층
1925 : 접착

Claims (19)

  1. 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층;
    상기 제1나노플론층 상부에 위치하는 제1절연층;
    상기 제1절연층 상에 형성된 제1도전층을 식각하여 형성된 제1패턴; 및
    상기 제1나노플론층 하부에 위치하는 제1접지(GND)층을 포함하고,
    상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질인, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴은
    상기 제1도전층을 식각하여 이루어진 접지선과 신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층 상에 위치하는 제2나노플론층; 및
    상기 제2나노플론층 상에 위치하는 제2접지(GND)층 더 포함하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층 상에 위치하는 제2나노플론층;
    상기 제2나노플론층 상에 위치하는 제2접지(GND)층;
    상기 제2접지(GND)층 상에 위치하는 제3나노플론층;
    상기 제3나노플론층 상에 위치하는 제2절연층:
    상기 제2절연층 상에 형성된 제2도전층을 식각하여 형성되며 신호를 전송하는 제2패턴을 더 포함하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2패턴은
    상기 상기 제2도전층을 식각하여 형성되는 접지(GND)단자와 신호를 전송하는 신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제2절연층은
    상기 제3나노플론층 상부를 절연물질로 코팅한 제2코팅층인 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2절연층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제2절연층 상에 위치하는 제4나노플론층; 및
    상기 제4나노플론층 상에 위치하는 제3접지(GND)층을 더 포함하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴은
    상기 제1도전층을 식각하여 이루어진 접지선과 신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1절연층은
    상기 제1나노플론층 상부를 절연물질로 코팅한 제1코팅층인 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  10. 제1항, 제3항, 제4항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위치하는 것은
    접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1절연층 내지 제3절연층은 PI(Poly Imide)이고, 도전층은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  12. 제1절연층 상에 제1도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제1패턴을 형성하는 단계;
    나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층 상부에 상기 제1절연층을 위치하는 단계; 및
    상기 제1나노플론층 하부에 제1접지(GND)층을 위치하는 단계를 포함하고,
    상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질인, 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1패턴 형성 단계는
    상기 제1도전층을 식각하여 접지선 및 전송신호선을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층 상에 제2나노플론층을 위치하는 단계; 및
    상기 제2나노플론층 상에 제2접지(GND)층을 접착하는 단계를 더 포함하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층에 제2나노플론층을 위치하는 단계;
    상기 제2나노플론층 상에 제2접지(GND)층을 위치하는 단계;
    상기 제2접지(GND)층 상에 제3나노플론층을 위치하는 단계;
    상기 제3나노플론층 상에 제2절연층을 위치하는 단계:
    상기 제2절연층 상에 제2도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1절연층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1절연층에 제2나노플론층을 위치하는 단계;
    상기 제2나노플론층 상에 제2접지(GND)층을 위치하는 단계;
    상기 제2접지(GND)층 상에 제3나노플론층을 위치하는 단계;
    제2절연층 상에 제2도전층을 형성하는 단계;
    상기 제2도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3나노플론층 상에 제2절연층을 위치하는 단계를 더 포함하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 제2패턴 형성 단계는
    상기 제2도전층을 식각하여 전송신호선 및 접지(GND)단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  18. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 제2절연층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제2절연층 상에 제4나노플론층을 위치하는 단계; 및
    상기 제4나노플론층 상에 제3접지(GND)층을 접착하는 단계를 더 포함하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  19. 제12항, 제14항, 제15항, 제16항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위치하는 것은
    접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
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