KR20200025917A - 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법 - Google Patents

전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200025917A
KR20200025917A KR1020180103930A KR20180103930A KR20200025917A KR 20200025917 A KR20200025917 A KR 20200025917A KR 1020180103930 A KR1020180103930 A KR 1020180103930A KR 20180103930 A KR20180103930 A KR 20180103930A KR 20200025917 A KR20200025917 A KR 20200025917A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
coating layer
transmission line
nanoflon
coating
Prior art date
Application number
KR1020180103930A
Other languages
English (en)
Inventor
김병남
강경일
Original Assignee
주식회사 센서뷰
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 센서뷰 filed Critical 주식회사 센서뷰
Priority to KR1020180103930A priority Critical patent/KR20200025917A/ko
Priority to US17/269,561 priority patent/US20210328321A1/en
Priority to PCT/KR2019/011116 priority patent/WO2020046033A1/ko
Priority to EP19855146.7A priority patent/EP3826033A4/en
Priority to JP2021534105A priority patent/JP2021534705A/ja
Priority to CN201980056921.0A priority patent/CN113168942A/zh
Priority to TW108131313A priority patent/TW202027097A/zh
Publication of KR20200025917A publication Critical patent/KR20200025917A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/08—Flat or ribbon cables
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01D—MECHANICAL METHODS OR APPARATUS IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS
    • D01D5/00—Formation of filaments, threads, or the like
    • D01D5/0007—Electro-spinning
    • D01D5/0015—Electro-spinning characterised by the initial state of the material
    • D01D5/003—Electro-spinning characterised by the initial state of the material the material being a polymer solution or dispersion
    • D01D5/0038—Electro-spinning characterised by the initial state of the material the material being a polymer solution or dispersion the fibre formed by solvent evaporation, i.e. dry electro-spinning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/06—Insulating conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/02—Disposition of insulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/081—Microstriplines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/088—Stacked transmission lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Nonwoven Fabrics (AREA)
  • Spinning Methods And Devices For Manufacturing Artificial Fibers (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

본 발명은 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 나노구조 물질을 이용한 전송선로는 상부에는 절연물질로 코팅된 제1코팅층이 형성되고 하부에는 절연물질로 코팅된 제2코팅층이 형성된 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층; 제1코팅층 상에 형성된 제1도전층을 식각하여 형성된 제1패턴; 및 제2코팅층 하부에 형성된 제1접지(GND)층을 포함하고, 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질이다.
본 발명에 의하면, 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조 물질을 전송선로의 유전체로 사용함으로써, 전송선로의 유전체의 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실 탄젠트 값을 줄일 수 있다. 또한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로는 5세대 이동통신(5G Network)에서 사용되는 3.5GHz 및 28GHz 대역의 초고주파 신호의 전송 손실을 줄이기 위한 저손실 평면케이블(flat cable)로 사용될 수 있다.

Description

전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법 {Transmission line using coating of nanostructured material formed by electrospinning and method for manufacturing it}
본 발명은 전송선로에 관한 것으로서, 특히 액상의 수지를 고압에서 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법에 관한 것이다.
초고주파 신호를 적은 손실로 전송하거나 처리하기 위해서는 저손실 및 고성능의 전송선로가 필요하다. 일반적으로 전송선로에서의 손실은 크게 금속에 의한 도전체 손실과 유전체에 의한 유전체 손실로 구분된다. 특히 유전체에 의한 손실은 유전체의 유전율이 높을수록 커지고 저항이 클수록 전력손실이 커진다.
따라서 초고주파 신호 전송을 위한 저손실 및 고성능의 전송선로를 제조하기 위해서는 유전율(loss tangent)이 작고, 손실 탄젠트(loss tangent) 값이 작은 물질을 사용하는 것이 필요하다. 특히 5세대 이동통신(5G Network)에서 사용되는 3.5GHz 및 28GHz 대역의 주파수를 갖는 신호를 효율적으로 전송하기 위해서는 초고주파 대역에서도 손실이 작은 전송선로의 중요성은 더욱 커지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 저손실 및 고성능의 전송선로에 대한 필요성을 충족하기 위해 창출된 것으로서, 유전체에 의한 전송선로의 손실을 줄이기 위해 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실 탄젠트(loss tangent) 값을 줄일 수 있는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로는, 상부에는 절연물질로 코팅된 제1코팅층이 형성되고 하부에는 절연물질로 코팅된 제2코팅층이 형성된 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층; 상기 제1코팅층 상에 형성된 제1도전층을 식각하여 형성된 제1패턴; 및 상기 제2코팅층 하부에 형성된 제1접지(GND)층을 포함하고, 상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질이다.
상기 제1패턴은 기 제1도전층을 식각하여 이루어진 접지선과 신호선을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로는, 상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층 상에 위치하며, 상부는 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비하는 제2나노플론층; 및 상기 제3코팅층 상에 형성된 제2접지(GND)층 더 포함한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로는, 상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층 상에 위치하며, 상부는 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비하는 제2나노플론층; 상기 제3코팅층 상에 형성된 제2접지(GND)층; 상부는 절연물질로 코팅된 제4코팅층을 구비하며, 하부는 절연물질로 코팅된 제5코팅층을 구비하고, 상기 제2접지(GND)층 상에 형성된 제3나노플론층; 상기 제4코팅층 상에 형성된 제2도전층; 및 상기 제2도전층을 식각하여 형성되며 신호를 전송하는 제2패턴을 더 포함한다. 상기 제2패턴은 상기 상기 제2도전층을 식각하여 형성되는 접지(GND)단자와 신호를 전송하는 신호선을 포함한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로는, 상기 제4코팅층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제4코팅층 상에 위치하며, 상부에 절연물질로 코팅된 제6코팅층을 구비하는 제4나노플론층; 및 상기 제6코팅층 상에 형성된 제3접지(GND)층을 더 포함한다.
상기 위치하는 것은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 한다. 상기 제1코팅층 내지 제6코팅층은 PI(Poly Imide)이고, 도전층은 구리(Cu)인 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 제조방법은, 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층 상부 및 하부에 절연물질로 코팅하여 상기 상부에 제1코팅층을 형성하고, 상기 하부에 제2코팅층을 형성하는 단계; 상기 제1코팅층에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제1패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2코팅층에 제1접지(GND)층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질이다.
상기 제1패턴 형성 단계는 상기 제1도전층을 식각하여 접지선 및 신호선을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 제조방법은, 상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층 상에, 상부가 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비하는 제2나노플론층을 위치하는 단계; 및 상기 제3코팅층 상에 제2접지(GND)층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 제조방법은, 상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층에 상부가 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비한 제2나노플론층을 위치하는 단계; 및 상기 제3코팅층 상에 제2접지(GND)층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 제조방법은, 나노플론으로 이루어지는 제3나노플론층 상부 및 하부에 절연물질로 코팅하여 상기 상부에 제4코팅층을 형성하고, 상기 하부에 제5코팅층을 형성하는 단계; 상기 제2접지(GND)층 상에, 상부에는 제4코팅층이 코팅되고 하부에는 제5코팅층이 코팅된 상기 제3나노프론층을 위치하는 단계; 상기 제4코팅층 상에 제2도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 의한 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 제조방법은, 상기 제2코팅층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제4코팅층 상에, 상부에 절연물질로 코팅된 제6코팅층이 형성된 제4나노플론층을 위치하는 단계; 및 상기 제4나노플론층 상에 제3접지(GND)층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 위치하는 것은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 및 그 제조방법에 의하면, 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조 물질을 전송선로의 유전체로 사용함으로써, 전송선로의 유전체의 유전율(permittivity)이 작고 유전율이 낮은 상태에서 손실 탄젠트 값을 줄일 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 전송선로는 5세대 이동통신(5G Network)에서 사용되는 3.5GHz 및 28GHz 대역의 초고주파 신호의 전송 손실을 줄이기 위한 저손실 평면케이블(flat cable)로 사용될 수 있다.
도 1은 전기방사를 통해 나노플론을 제조하는 장치의 일 예를 나타낸 것이다.
도 2는 스트립라인 전송선로에 대한 일 예를 나타낸 것이다.
도 3의 (a)는 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제1 실시예의 단면도이고 도 3의 (b)는 상부와 하부가 절연물질로 코팅된 제1나노플론층을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 따른 제1나노플론층과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제2 실시예의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제3 실시예의 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 따른 제2나노플론층과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제4 실시예의 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제5 실시예의 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 전기방사에 의한 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제6 실시예의 단면도이다.
도 11은 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제1실시예를 나타낸 것이다.
도 12는 본 발명에 따른 전기방상에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제2실시예를 나타낸 것이다.
도 13는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제3실시예를 나타낸 것이다.
도 14는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제4실시예를 나타낸 것이다.
도 15a, 도 15b 및 도 15c는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제5실시예를 나타낸 것이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제6실시예를 나타낸 것이다.
도 17a 및 도 17b는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제7실시예를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
먼저, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에서 사용되는 나누구조 물질에 대해 설명하기로 한다. 상기 나노구조물질은 액상의 수지를 고압에서 전기방사(Electrospinning)하여 형성된 물질을 말하며, 본 명세서에서 나노플론(Nanoflon)이라 칭하기로 한다. 도 1은 전기방사를 통해 나노플론을 제조하는 장치의 일 예를 나타낸 것으로서, 주사기(110)에 고분자의 폴리머 용액(120)을 주입하여 주사기(110)와 방사할 기판 사에 고전압(130)을 가하고, 폴리머 용액을 일정한 속도로 흘려주면 표면장력에 의해 전기가 모세관 끝에 매달려 있는 액체에 가해지면서 나노 크기의 가는 실(140)이 만들어지고 시간이 지나면 부직포 형태의 나노구조의 물질인 나노섬유(150)가 쌓이게 된다. 이렇게 나노섬유가 쌓여 형성된 물질이 나노플론이다. 전기방사에 사용되는 고분자 물질의 예를 들면 PU(polyurethane), PVDF(polyvinylidine Diflouride), Nylon(polyamide), PAN(polyacrlonitrile) 등이 있다. 나노플론은 유전율이 낮고 공기가 많아 전송선로의 유전체로 사용될 수 있다.
도 2는 스트립라인 전송선로에 대한 일 예를 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 스트립라인 전송선로에 대한 일 예는 신호를 전송하는 신호선(210)과 신호선(210)을 감싸고 있는 유전체(220) 및 outer shield 역할을 하는 도체(230)로 이루어질 수 있다.
도 3의 (a)는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제1실시예의 단면도이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제1실시예는 제1나노플론층(310), 제1코팅층(320), 제2코팅층(330), 제1패턴(350) 및 제1접지(GND)층(360)을 포함하여 이루어진다. 제1나노플론층(310)은 나노플론으로 이루어지며, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 상부에는 절연물질로 코팅된 제1코팅층(320)을 구비하며, 하부에는 절연물질로 코팅된 제2코팅층(330)을 구비한 제1나노플론층(310)을 구비한다.
제1코팅층(320)은 절연물질로 제1나노플론층(310) 상부에 코팅된 것이며, 제2코팅층(330)은 절연물질로 제1나노플론층(310) 하부에 코팅된 것이다. 상기 절연물질은 에칭용액이 흡수되는 것을 막을 수 있는 물질로서, 예를 들어 열적 내구성이 높은 플라스틱으로 고분자 유기 화합물인 PI(PolyImide)가 사용될 수 있다.
제1패턴(350)은 제1코팅층(320) 상에 형성된 제1도전층(340)을 식각(etching)하여 형성될 수 있으며, 전송선로를 통해 신호가 전송되는 전송선 역할을 한다. 그리고 제1접지층(350)이 제1나노플론층(310) 하부에 형성된다.
도 4는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제2실시예의 단면도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제2실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제1실시예의 제1패턴(350)을 형성할 때 접지선(410, 420)를 더 형성하고, 제1패턴(350)은 신호선으로 사용된다. 즉, 상기 제1도전층(340)을 식각하여 접지선(410, 420)와 신호선(430)를 형성한다.
도 5는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제3실시예의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제3실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제1실시예(도 3)에 상부에 절연물질로 코팅된 제3코팅층(520)이 형성된 제2나노플론층(510)과 제2접지(GND)층(530)을 더 포함하여 이루어진다.
제2나노플론층(510)은 제1코팅층(320) 상에 형성된 제1패턴(350)과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층(320) 상에 위치할 수 있으며, 상기 위치는 접착에 의해 이루어질 수 있으며, 상기 접착은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 이루어질 수 있다. 제2접지층(630)은 제3코팅층(520) 상에 형성된다.
도 6은 본 발명에 따른 제2나노플론층(510)과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것으로서, 참조번호 525는 제2나노플론층(510)과 제1코팅층(320) 및 제1패턴(350)의 접착을 나타낸다.
도 7은 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제4실시예의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제4실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제3실시예(도 5)에 상부에 절연물질로 코팅된 제4코팅층(720)을 구비하고, 하부에 절연물질로 코팅된 제5코팅층(730)을 구비한 제3나노플론층(710)이 형성되며, 제4코팅층(720)에 제2패턴(750)이 형성된다.
제2패턴(750)은 제4코팅층(720) 상에 형성된 제2도전층(740)을 식각하여 형성되며 신호를 전송하는 신호선으로 사용된다.
도 8은 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제5실시예의 단면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제5실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제4실시예의 제2패턴(750)을 형성할 때 접지선(810, 820)를 더 형성하고, 제2패턴(830)은 신호선으로 사용된다. 즉, 상기 제2도전층(740)을 식각하여 접지선(910, 920)와 신호선(930)를 형성한다.
도 9는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제6실시예의 단면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로에 대한 제6실시예는 상술한 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로의 제4실시예(도 7)에 상부가 절연물질로 코팅된 제6코팅층(920)을 구비한 제4나노플론층(1910)과 제6코팅층(920)에 형성된 제3접지층(930)을 더 포함하여 이루어진다.
제4나노플론층(910)은 제4코팅층(720) 상에 형성된 제2패턴(750)과 상기 식각에 의해 노출된 제4코팅층(720) 상에 위치할 수 있으며, 상기 위치하는 것은 접착에 의해 이루어질 수 있으며, 상기 접착은 접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 이루어질 수 있다. 제3접지층(930)은 제6코팅층(920) 상에 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 제4나노플론층(910)과의 접착을 나타내는 전송선로의 단면을 나타낸 것으로서, 참조번호 1075는 제4나노플론층(910)과 제4코팅층(720) 및 제2패턴(750)의 접착을 나타낸다.
한편, 도 11은 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 다른 실시예로서 제1실시예를 나타낸 것이다. 도 11의 (a)를 참조하면, 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층(1110) 상부와 하부를 절연물질로 코팅한다. 이렇게 되면 제1나노플론층(1110) 상부에 제1코팅층(1120)이 형성되고, 제1나노플론층(1110) 하부에 제2코팅층(1130)이 형성된다. 도 11의 (b)를 참조하면, 제1코팅층(1120) 상에 제1도전층(1140)을 형성한다.
도 11의 (c)를 참조하면, 제1도전층(2130)을 식각하여 신호를 송수신하는 제1패턴(2140)을 형성한다. 제1나노플론층(2110) 하부에 제1접지(GND)층(1150)을 위치시킨다.
도 12는 본 발명에 따른 전기방상에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제2실시예를 나타낸 것이다. 도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제12실시예는 도 21의 (c)에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법의 제11실시예의 제1패턴(1150)을 형성할 때 접지선(1210, 1220)를 더 형성하고, 제1패턴(1150)은 신호선으로 사용된다. 즉, 상기 제1도전층(1140)을 식각하여 접지선(1210, 2220)와 신호선(1230)를 형성할 수 있다.
도 13는 본 발명에 따른 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제3실시예를 나타낸 것이다. 도 13의 (a)는 도 11의 (c)에 도시된, 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제1실시예의 결과물이다. 도 13 (b)에 도시된 바와 같이 상기 전송선로 제조방법의 제1실시예의 결과물에, 상부가 절연물질로 코팅되어 제3코팅층(1320)이 형성된 제2나노플론층(1310)을 위치시킨다. 예를 들어, 전송선로 제조방법의 제1실시예의 제1코팅층(1120) 상에 형성된 제1패턴(2150)과 식각에 의해 노출된 제1코팅층(1120) 상에 상기 제3코팅층(1320)이 형성된 제2나노플론층(1310)을 접착(1325)할 수 있다. 또한 제3코팅층(1320) 상에 제2접지층(1330)을 형성할 수 있다. 상기 위치시키는 것은 접착(1325)을 통해 이룰 수 있다. 상기 접착(1325)는 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 통해 이루어질 수 있다.
도 14는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제4실시예를 나타낸 것이다. 또한 도 14의 (a)는 도 12에 도시된, 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제2실시예이다. 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 전송선로 제조방법의 제2실시예의 결과물에, 상부가 절연물질로 코팅되어 제3코팅층(1420)이 형성된 제2나노플론층(1410)을 위치시킨다. 예를 들어, 전송선로 제조방법의 제2실시예의 제1코팅층(1120) 상에 형성된 접지선(1210, 1220) 및 신호선(1230)과 식각에 의해 노출된 제1코팅층(2120) 상에 제2나노플론층(1410)을 접착(1425)할 수 있다. 상기 접착(1425)는 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착 물질에 열을 가하여 열 접착을 통해 이루어질 수 있다. 그리고 제3코팅층(1410) 상에 제2접지층(1430)을 형성할 수 있다.
도 15a, 도 15b 및 도 15c는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제5실시예를 나타낸 것이다. 먼저, 도 15a를 참조하면, 나노플론으로 이루어지는 제3나노플론층(1510) 상부와 하부를 절연물질로 코팅한다. 이렇게 되면 제3나노플론층(1510) 상부에 제4코팅층(1520)이 형성되고, 제3나노플론층(1510) 하부에 제5코팅층(1530)이 형성된다.
도 15b를 참조하면, 도 13의 (b)에 도시된 본 발명의 제3실시예의 결과물인 전송선로의 제2접지층(1330) 상부에 도 15a에 도시된 상부에는 제4코팅층(1520)이 형성되고 하부에는 제5코팅층(1530)이 형성된 제3나노플론층(1510)을 위치시킨다. 그리고 나서, 제4코팅층(1520) 상에 제2도전층(1540)을 형성한다. 도 15c를 참조하면, 제4코팅층(1520) 상에 제2도전층(1540)을 형성한 후, 제2도전층(1540)을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴(1550)을 형성한다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제6실시예를 나타낸 것이다. 도 16a는 상술한 본 발명의 제5실시예에서 도 15b에 나타낸 바와 같이, 제4코팅층(1520) 상에 제2도전층(1540)을 형성한 것이다. 도 16c를 참조하면, 제4코팅층(1520) 상에 제2도전층(1540)을 형성한 후, 제2도전층(1540)을 식각하여 신호를 송수신하는 신호선(1610)과 접지선(1620, 1630)을 형성한다.
도 17a 및 도 17b는 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제7실시예를 나타낸 것이다. 도 17a는 도 15c에 도시된, 본 발명에 따른 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법에 대한 제5실시예의 결과물이다. 도 17 b에 도시된 바와 같이 상기 전송선로 제조방법의 제5실시예의 결과물에, 상부가 절연물질로 코팅되어 제6코팅층(1720)이 형성된 제4나노플론층(1710)을 위치시킨다. 예를 들어, 전송선로 제조방법의 제5실시예의 제5코팅층(1520) 상에 형성된 제2패턴(1550)과 식각에 의해 노출된 제5코팅층(1520) 상에, 제6코팅층(1720)이 형성된 제4나노플론층(1710)을 접착(1725)할 수 있다. 그리고 나서 제6코팅층(1720) 상에 제3접지층(1730)을 형성할 수 있다. 상기 위치시키는 것은 접착(1725)을 통해 이룰 수 있다. 상기 접착(1725)은 접착테이프나 접착제를 사용하거나 접착물질에 열을 가하여 열접착을 통해 이루어질 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
110 : 주사기 120 : 폴리머 용액
130 : 고전압 140 : 가는 실
150 : 나노섬유 200 : 스트립 라인
220 : 신호선 220 : 유전체
230 : 도체 310 : 제1나노플론층
320 : 제1코팅층 330 : 제2코팅층
340 : 제1도전층 350 : 제1패턴
360 : 제1접지층 410 : 접지선
420 : 접지선 430 : 신호선
510 : 제2나노플론층 520 : 제3코팅층
530 : 제2접지층 625 : 접착
710 : 제3나노플론층 720 : 제5코팅층
730 : 제5코팅층 740 : 제2도전층
750 : 제2패턴 810 : 접지선
820 : 접지선 830 : 신호선
910 : 제4나노플론층 920 : 제6코팅층
930 : 제3접지층 1075 : 접착
1110 : 제1나노플론층 1120 : 제1코팅층
1130 : 제2코팅층 1140 : 제1도전층
1150 : 제1패턴 1160 : 제1접지층
1210 : 접지선 1220 : 접지선
1230 : 신호선 1310 : 제2나노플론층
1320 : 제3코팅층 1330 : 제2접지층
1325 : 접착 1410 : 제2나노플론층
1420 : 제3코팅층 1430 : 제2접지층
1435 : 접착 1510 : 제3나노플론층
1520 : 제4코팅층 1530 : 제5코팅층
1540 : 제2도전층 1550 : 제2패턴
1610 : 신호선 1620 : 접지선
1630 : 접지선 1710 : 제4나노플론층
1720 : 제6코팅층 1730 : 제3접지층
1725 : 접착

Claims (15)

  1. 상부에는 절연물질로 코팅된 제1코팅층이 형성되고 하부에는 절연물질로 코팅된 제2코팅층이 형성된 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층;
    상기 제1코팅층 상에 형성된 제1도전층을 식각하여 형성된 제1패턴; 및
    상기 제2코팅층 하부에 형성된 제1접지(GND)층을 포함하고,
    상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질인, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴은
    상기 제1도전층을 식각하여 이루어진 접지선과 신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층 상에 위치하며, 상부는 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비하는 제2나노플론층; 및
    상기 제3코팅층 상에 형성된 제2접지(GND)층 더 포함하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층 상에 위치하며, 상부는 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비하는 제2나노플론층;
    상기 제3코팅층 상에 형성된 제2접지(GND)층;
    상부는 절연물질로 코팅된 제4코팅층을 구비하며, 하부는 절연물질로 코팅된 제5코팅층을 구비하고, 상기 제2접지(GND)층 상에 형성된 제3나노플론층;
    상기 제4코팅층 상에 형성된 제2도전층:
    상기 제2도전층을 식각하여 형성되며 신호를 전송하는 제2패턴을 더 포함하는 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2패턴은
    상기 상기 제2도전층을 식각하여 형성되는 접지(GND)단자와 신호를 전송하는 신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제4코팅층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제4코팅층 상에 위치하며, 상부에 절연물질로 코팅된 제6코팅층을 구비하는 제4나노플론층; 및
    상기 제6코팅층 상에 형성된 제3접지(GND)층을 더 포함하는, 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로.
  7. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 위치하는 것은
    접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 하는, 나노구조 물질을 이용한 전송선로.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1코팅층 내지 제6코팅층은 PI(Poly Imide)이고, 도전층은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는, 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로.
  9. 나노플론으로 이루어지는 제1나노플론층 상부 및 하부에 절연물질로 코팅하여 상기 상부에 제1코팅층을 형성하고, 상기 하부에 제2코팅층을 형성하는 단계;
    상기 제1코팅층에 제1도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제1패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2코팅층에 제1접지(GND)층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 나노플론은 액상의 수지를 고압에서 전기방사하여 형성된 나노구조의 물질인 것을 특징으로 하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1패턴 형성 단계는
    상기 제1도전층을 식각하여 접지선 및 신호선을 형성하는 것을 특징으로 하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층 상에, 상부가 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비하는 제2나노플론층을 위치하는 단계; 및
    상기 제3코팅층 상에 제2접지(GND)층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1코팅층 상에 형성된 제1패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제1코팅층에 상부가 절연물질로 코팅된 제3코팅층을 구비한 제2나노플론층을 위치하는 단계; 및
    상기 제3코팅층 상에 제2접지(GND)층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    나노플론으로 이루어지는 제3나노플론층 상부 및 하부에 절연물질로 코팅하여 상기 상부에 제4코팅층을 형성하고, 상기 하부에 제5코팅층을 형성하는 단계;
    상기 제2접지(GND)층 상에, 상부에는 제4코팅층이 코팅되고 하부에는 제5코팅층이 코팅된 상기 제3나노프론층을 형성하는 단계;
    상기 제4코팅층 상에 제2도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2도전층을 식각하여 신호를 송수신하는 제2패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제4코팅층 상에 형성된 제2패턴과 상기 식각에 의해 노출된 제4코팅층 상에, 상부에 절연물질로 코팅된 제6코팅층이 형성된 제4나노플론층이 위치하는 단계; 및
    상기 제4나노플론층 상에 제3접지(GND)층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법.
  15. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위치하는 것은
    접착 테이프, 점착제 또는 접착테이프에 열을 가한 열접착에 의해 접착되는 것을 특징으로 하는, 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질의 코팅을 이용한 전송선로 제조방법.
KR1020180103930A 2018-08-31 2018-08-31 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법 KR20200025917A (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180103930A KR20200025917A (ko) 2018-08-31 2018-08-31 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법
US17/269,561 US20210328321A1 (en) 2018-08-31 2019-08-30 Transmission line using nanostructured material formed through electrospinning and method of manufacturing the transmission line
PCT/KR2019/011116 WO2020046033A1 (ko) 2018-08-31 2019-08-30 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법
EP19855146.7A EP3826033A4 (en) 2018-08-31 2019-08-30 TRANSMISSION LINE WITH NANOSTRUCTURAL MATERIAL MANUFACTURED BY ELECTRIC SPIDERS AND METHOD FOR MANUFACTURING IT
JP2021534105A JP2021534705A (ja) 2018-08-31 2019-08-30 電界紡糸によって形成されたナノ構造物質を利用した伝送線路及びその製造方法
CN201980056921.0A CN113168942A (zh) 2018-08-31 2019-08-30 使用通过静电纺丝形成的纳米结构材料的传输线和制造该传输线的方法
TW108131313A TW202027097A (zh) 2018-08-31 2019-08-30 使用經靜電紡絲形成的奈米結構化材料之傳輸線及製造該傳輸線之方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180103930A KR20200025917A (ko) 2018-08-31 2018-08-31 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200025917A true KR20200025917A (ko) 2020-03-10

Family

ID=69645211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180103930A KR20200025917A (ko) 2018-08-31 2018-08-31 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210328321A1 (ko)
EP (1) EP3826033A4 (ko)
JP (1) JP2021534705A (ko)
KR (1) KR20200025917A (ko)
CN (1) CN113168942A (ko)
TW (1) TW202027097A (ko)
WO (1) WO2020046033A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230062287A (ko) * 2021-10-29 2023-05-09 하이비스 주식회사 고주파 안테나 구조 및 그 형성방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200025914A (ko) * 2018-08-31 2020-03-10 주식회사 센서뷰 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100262758B1 (ko) * 1996-07-27 2000-08-01 정명식 다층 구조의 초고주파 전송회로
JP2002111324A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 信号伝送用回路基板、その製造方法及びそれを用いた電子機器
JP2003264348A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Sony Corp 高周波モジュール
JP2005236956A (ja) * 2004-01-20 2005-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波伝送線路
JP4182016B2 (ja) * 2004-03-11 2008-11-19 日本電気株式会社 伝送線路型素子及びその作製方法
JP4943247B2 (ja) * 2007-07-04 2012-05-30 日本メクトロン株式会社 マイクロストリップライン構造およびその製造方法
JP5337041B2 (ja) * 2007-10-09 2013-11-06 パナソニック株式会社 回路装置
US8013254B2 (en) * 2008-02-15 2011-09-06 Gigalane Co. Ltd. Printed circuit board
KR101020004B1 (ko) * 2009-02-19 2011-03-09 나노캠텍주식회사 평면 직선형 스트립 전송 선로 및 이의 제조 방법
EP2338666B1 (en) * 2009-12-22 2013-07-03 Eurocopter Deutschland GmbH Semi-finished product and preform used to manufacture a part made form composite material
KR101722018B1 (ko) * 2011-10-19 2017-04-03 삼성전자주식회사 다층회로형 안테나 패키지
JP6285638B2 (ja) * 2013-04-25 2018-02-28 日本メクトロン株式会社 プリント配線板およびプリント配線板製造方法
CN103173873B (zh) * 2013-05-03 2015-08-12 中原工学院 一种多喷头组合式喷气静电纺丝机
KR20160019851A (ko) * 2014-08-12 2016-02-22 삼성전기주식회사 프리프레그 및 그 제조 방법, 및 이를 이용한 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법
KR101715224B1 (ko) * 2015-03-30 2017-03-13 고려대학교 산학협력단 투명 전극 제조 방법 및 투명 전극 제조 장치
US10153531B2 (en) * 2015-09-07 2018-12-11 Vayyar Imaging Ltd. Multilayer microwave filter
JP6414697B2 (ja) * 2015-09-25 2018-10-31 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． プリプレグ及びその製造方法、及びこれを用いた印刷回路基板及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230062287A (ko) * 2021-10-29 2023-05-09 하이비스 주식회사 고주파 안테나 구조 및 그 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW202027097A (zh) 2020-07-16
WO2020046033A1 (ko) 2020-03-05
JP2021534705A (ja) 2021-12-09
US20210328321A1 (en) 2021-10-21
EP3826033A4 (en) 2021-08-18
EP3826033A1 (en) 2021-05-26
CN113168942A (zh) 2021-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI716133B (zh) 用於毫米波段的低損耗和撓性傳輸線整合型天線及包含其的行動通訊終端機
KR102057314B1 (ko) 밀리미터파(mmWave) 대역용 전송선로 일체형 저손실 유연 다중 포트 안테나
KR20200025917A (ko) 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법
US9553370B2 (en) Antenna module and method for manufacturing the same
KR20200025902A (ko) 나노구조 물질을 이용한 전송선로 및 그 제조방법
WO2014183489A1 (zh) 一种印制电路板以及终端
KR20200025914A (ko) 전기방사에 의해 형성된 나노구조 물질을 이용한 전송선로 제조방법
CN104409812B (zh) 一种鱼骨结构耦合器的柔性共面波导带通滤波器
CN111145942A (zh) 一种带状线结构
KR20210057707A (ko) 투명 안테나 및 그 제조 방법
KR102159370B1 (ko) 안테나 패키지
CN110943283B (zh) 一种复合天线材料的制造方法、复合天线及其制造方法
US20230143088A1 (en) Planar antenna board
KR102635345B1 (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 안테나 모듈
US20230171877A1 (en) Circuit board and method of manufacturing thereof
US20230395484A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
TWM652087U (zh) 用於穿戴式天線的柔性複合基板與穿戴式天線
TW202341396A (zh) 電子裝置與天線裝置
CN117656621A (zh) 用于穿戴式天线的柔性复合基板及其制造方法与穿戴式天线
CN103597658A (zh) 模组及耦合布置
WO2015038652A1 (en) Method for forming electronic component and electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application